JPH01147837A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH01147837A
JPH01147837A JP62308055A JP30805587A JPH01147837A JP H01147837 A JPH01147837 A JP H01147837A JP 62308055 A JP62308055 A JP 62308055A JP 30805587 A JP30805587 A JP 30805587A JP H01147837 A JPH01147837 A JP H01147837A
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    • H01L2924/1301—Thyristor

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、エレメントの主電極および補助電極をパッケ
ージの主電極および補助電極に圧接して電気的に接触さ
せる半導体装置に関する。
〔従来の技術〕
従来、この種の半導体装置はサイリスク装置として特開
昭６２−７９６６９号公報に開示され、第４図に示すよ
うに構成されている。これを同図に基づいて概略説明す
ると、同図において、符号１はサイリスクエレメント、
２はサイリスクエレメント１のカソード電極、３はサイ
リスクエレメントｌのアノード電極、４はサイリスクエ
レメント１のゲート電極、５は有底筒状の外部カソード
電極、６は外部アノード電極、７はゲートリート、８は
ゲートリード７を支持する環状の絶縁体、°９はゲート
リード７を覆う絶縁管、１０は絶縁筒、１１はゲート端
子、１２はカソード電極２と外部カソード電極５との間
に介装された温度補（Ｈ板、１３は皿ばねである。
このように構成されたサイリスク装置の組み立ては次に
示す方法によって行われる。
すなわち、先ずゲートリード７を絶縁体８の孔８ａと絶
縁管９に挿通させることにより組立体Ａとし、次にこれ
を外部カソード電極５に取り付けた後、温度補償板１２
を絶縁体８の外周面に係合するように外部カソード電極
５の上部に設置し、サイリスクエレメントｌを絶縁筒ｌ
Ｏ内に挿入してから外部アノード電極６を設置する。
〔発明が解決しようとする問題点〕
ところで、この種の半導体装置においては、外部カソー
ド電極５に対して絶縁体８および温度補償板１２を位置
決めする機能を備えておらず、このため装置の組立時に
第５図（ａ）に示すように絶縁体８の孔径ａとゲートリ
ード７の外径すの差によるクリアランスおよび絶縁体８
の外径Ｃと外部カソード電極５の孔径ｄの差によるクリ
アランスによって同図（ｂ）に示すように位置ずれが生
じ、また温度補償板１２が絶縁体８の外径Ｃと外部カソ
ード電極５の孔径ｄの差によるクリアランスおよび絶縁
体８の外径Ｃと温度補償板１２の孔径ｅの差によるクリ
アランスによって位置ずれが生じ、サイリスクエレメン
ト１のカソード電極２とサイリスクエレメント１のゲー
ト電極４に対して温度補償板１２の接触面とゲートリー
ド７の電極先端部を高精度に位置合わせすることができ
ず、パターン精度が低下するという問題があった。この
ことが、静電誘導形サイリスクやゲートターンオフサイ
リスク、大電力トランジスタ等のパターンサイズの小さ
い半導体装置については大口径化、ファインパターン化
に対してネックとなっていた。
本発明はこのような事情に鑑みなされたもので、第２電
極および温度補償板の位置合わせを確実に行うことがで
き、もってパターン精度を大幅に高めることができる半
導体装置を提供するものである。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明に係る半導体装置は、電極挿入孔を有する第１電
極と、この第１電極の電極挿入孔内に保持された円柱状
の第２電極と、この第２電極の軸線方向に開口する挿通
孔を有し第１電極上に保持された温度補償板とを備え、
この温度補償板の挿通孔と第２電極間および電極挿入孔
と第２電極間に筒状の絶縁体を介装し、この絶縁体の内
周面と第２電極の外周面との間に弾性リングを介装した
ものである。
〔作　用〕
本発明においては、第２電極が筒状の絶縁体内に圧入さ
れると共に、この絶縁体が温度補償板の挿通孔内と第１
電極の電極挿入孔内に圧入され、第２電極と絶縁体間お
よび温度補償板と絶縁体間のクリアランスを吸収する。
〔実施例〕
以下、本発明の構成等を図に示す実施例によって詳細に
説明する。第１図は本発明に係る半導体装置（サイリス
タ装置）を示す断面図、第２図は同じく本発明における
第２電極と○リングの組立状態を示す斜視図で、同図以
下において第４図および第５図と同一の部材については
同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。同図におい
て、符号２１で示すものはその端面に開口する電極挿入
孔２２を有する第１電極としての外部カソード電極で、
全体がフランジ付の円柱状に形成されている。２３は第
２電極としての外部ゲート電極で、前記電極挿入孔２２
内に保持されており、全体が前記外部カソード電極２１
と同様に円柱状に形成されている。この外部ゲート電極
２３の外周面には、弾性リングとしてのＯリンク：２４
を装着する環状溝２５が設けられており、また前記ゲー
ト端子１１を有するゲートリード２６が取り付けられて
いる。２７は前記外部ゲート電極２３の軸線方向に開口
する挿通孔２７ａを有する温度補償板で、前記外部カソ
ード電極２１と前記カソード電極２との間に保持されて
いる。２８は筒状の弾性絶縁体で、前記電極挿入孔２２
と前記外部ゲート電極２３問および前記挿通孔２７ａと
前記外部ゲート電極２３間に介装されている。２９は円
形状の絶縁板で、前記電極挿入孔２２内に設けられ、か
つ前記器ばね１３と外部ゲート電極２３との間に介装さ
れている。
このように構成されたサイリスク装置においては、外部
ゲート電極２３を弾性絶縁体２８内に圧入すると共に、
この弾性絶縁体２８を温度補償板２７の挿通孔２７ａ内
と外部カソード電極２１の電極挿入孔２２内に圧入し、
外部ゲート電極２３と弾性絶縁体２３問および温度補償
板２７と弾性絶縁体２８間のクリアランスを吸収するこ
とができる。このとき、外部ゲート電極２３は弾性絶縁
体２８によって電極挿入孔２２の軸線上に位置付けられ
ている。
次に、前記構成したサイリスク装置の組立方法について
説明する。
先ず、外部ゲート電極２３の環状溝２５にＱ　ＩＪソン
グ４を装着すると共に、絶縁管９の内部にゲートリード
２６を、挿入する。次に、外部カソード電極２１の電極
挿入孔２２内に皿ばね１３．絶縁板２９２弾性絶縁体２
８を順次取り付けた後、この弾性絶縁体２８の内部に外
部ゲート電極２３゜０リング２４．ゲートリード２６お
よび絶縁管９からなる組立体Ｂを圧入する。そして、弾
性絶縁体２８の外周面に温度補償板２７を圧入し、サイ
リスクエレメント１を絶縁筒１０内に挿入してから外部
アノード電極６を取り付ける。
このようにして、サイリスク装置を組み立てることがで
きる。
ここで、本発明におけるＯリング２４の装着前の内径は
環状溝２５の溝底の外径より小さい寸法に設定すること
が望ましく、また装着後の外径は電極挿入孔２２の口径
から弾性絶縁体２８の肉厚の２倍を減じた寸法より大き
い寸法に設定することが必要である。さらに、温度補償
板２７と弾性絶縁体２８の保合部の内径は、電極挿入孔
２２の口径より小さい寸法に設定することが望ましい。
なお、本実施例においては、センターゲート形のサイリ
スク装置について説明したが、本発明はこれに限定され
るものではなく、第３図に示すようにリングゲート形の
サイリスク装置にも適用することができる。この他、本
発明は静電誘導形サイリスクやパターン精度の高いゲー
トターンオフサイリスク、大電力トランジスタ等の半導
体装置にも適用可能である。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば、電極挿入孔を有す
る第１電極と、この第１電極の電極挿入孔内に保持され
た円柱状の第２電極と、この第２電極の軸線方向に開口
する挿通孔を有し第１電極上に保持された温度補償板と
を備え、この温度補償板の挿通孔と第２電極間および電
極挿入孔と第２電極間に筒状の絶縁体を介装し、この絶
縁体の内周面と第２電極の外周面との間に弾性リングを
介装したので、第２電極と絶縁体間および温度補償板と
絶縁体間のクリアランスを吸収することができる。した
がって、第２電極および温度補償板の位置合わせを確実
に行うことができるから、パターン精度を大幅に高める
ことができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明に係る半導体装置を示す断面図、第２図
は同じく本発明における第２電極とＯリングの組立状態
を示す斜視図、第３図は他の実施例を示す断面図、第４
図は従来の半導体装置を示す断面図、第５図（ａｌおよ
び（ｂ）は半導体装置における組立部品の位置ずれを説
明するための断面図である。 ２１・・・・外部カソード電極、２２・・・・電極挿入
孔、２３・・・・外部ゲート電極、２４・・・・０リン
グ、２５・・・・環状溝、２７・・・・温度補償板、２
７ａ・・・・挿通孔、２８・・・・弾性絶縁体。 代　理　人　大岩増雄 第１図 第３図 第４図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　その端面に開口する電極挿入孔を有する第１電極と、
    この第１電極の電極挿入孔内に保持された円柱状の第２
    電極と、この第２電極の軸線方向に開口する挿通孔を有
    し前記第１電極上に保持された温度補償板とを備え、こ
    の温度補償板の挿通孔と前記第２電極間および前記電極
    挿入孔と前記第２電極間に筒状の絶縁体を介装し、この
    絶縁体の内周面と前記第２電極の外周面との間に弾性リ
    ングを介装したことを特徴とする半導体装置。
JP30805587A 1987-12-03 1987-12-03 半導体装置 Expired - Lifetime JPH0831488B2 (ja)

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