JPH01146341A - 多層配線の形成方法 - Google Patents
多層配線の形成方法Info
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- JPH01146341A JPH01146341A JP30639487A JP30639487A JPH01146341A JP H01146341 A JPH01146341 A JP H01146341A JP 30639487 A JP30639487 A JP 30639487A JP 30639487 A JP30639487 A JP 30639487A JP H01146341 A JPH01146341 A JP H01146341A
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、集積回路における配線の多層化を実現する方
法に関するものである。
法に関するものである。
[従来の技術]
従来、多層配線を施した集積回路として、例えば第2図
に示す構成のものがあった。
に示す構成のものがあった。
この集積回路は、基板1上に形成した層間絶縁層2上に
、下部配線用導電体NJ3、層間絶縁膜4、上部配線用
導電体層5を順に形成することによって作られる。
、下部配線用導電体NJ3、層間絶縁膜4、上部配線用
導電体層5を順に形成することによって作られる。
[発明が解決しようとする問題点]
しかし、この多層配線では、層間絶縁膜4はCVD(C
hemical VapourDepos i t
i on)法により形成されるが、ステップカバーレジ
(表面段差の被覆性)が悪いと、図のa部分とb部分に
あるようなオーバーハングといわれる形状になり、上部
配線用導電体層5がこの部分で破断してしまうという問
題点があった。
hemical VapourDepos i t
i on)法により形成されるが、ステップカバーレジ
(表面段差の被覆性)が悪いと、図のa部分とb部分に
あるようなオーバーハングといわれる形状になり、上部
配線用導電体層5がこの部分で破断してしまうという問
題点があった。
また、層間絶縁11!4の表面段差が大きくならないよ
うにするために、下部配線導電体層3を薄くすると、抵
抗値が大きくなるという問題点が生じる。
うにするために、下部配線導電体層3を薄くすると、抵
抗値が大きくなるという問題点が生じる。
本発明はこのような問題点を解決するためになされたも
のであり、層間絶縁膜が平坦化されていて、上部配線用
導電体層の断線を防止できるとともに、厚い下部配線用
導電体層を形成できる多層配線の形成方法を実現するこ
とを目的とする。
のであり、層間絶縁膜が平坦化されていて、上部配線用
導電体層の断線を防止できるとともに、厚い下部配線用
導電体層を形成できる多層配線の形成方法を実現するこ
とを目的とする。
[問題点を解決するための手段]
本発明は、
次の工程を有する多層配線の形成方法である。
■基板上に層間絶縁膜を形成し、この上に配線パターン
形状の清が設けられた絶縁層を形成する工程。
形状の清が設けられた絶縁層を形成する工程。
■前記絶縁層の上にレジスト層を形成する工程。
■基板面全体にわたって下部配線用導電体層を形成する
工程。
工程。
■リフトオフ法により前記レジスト層上にある下部配線
用導電体層を除去して清白の下部配線用導電体層を残す
工程。
用導電体層を除去して清白の下部配線用導電体層を残す
工程。
■基板面全体にわたって層間絶縁層を形成し、さらにこ
の上に上部配線用導電体層を形成する工程。
の上に上部配線用導電体層を形成する工程。
[実施例]
以下、図面を用いて本発明を説明する。
第1図は本発明にかかる多層配線の形成方法の一実施例
の工程図である。この図は各工程の基板断面図である。
の工程図である。この図は各工程の基板断面図である。
以下、図面に従って形成手順を説明する。
まず、(a)図に示すように、シリコン基板10上に層
間絶縁膜11を形成し、この上に■族または■族の不純
物をドープした多結晶シリコン層12を形成し、表面を
酸化して酸化膜13をつくる。その後、酸化膜13上に
窒化シリコン膜を形成し、配線パターンでエツチングす
る。エツチング後に残った窒化シリコン膜は14である
。
間絶縁膜11を形成し、この上に■族または■族の不純
物をドープした多結晶シリコン層12を形成し、表面を
酸化して酸化膜13をつくる。その後、酸化膜13上に
窒化シリコン膜を形成し、配線パターンでエツチングす
る。エツチング後に残った窒化シリコン膜は14である
。
次に、酸化を行うと、(b)図に示すように、窒化シリ
コン膜14でマスクされていない多結晶シリコン層12
は熱酸化膜15になる。なお、マスクとしては、窒化シ
リコンに限らずこの熱処理工程で酸化されない高融点化
合物であればよい。
コン膜14でマスクされていない多結晶シリコン層12
は熱酸化膜15になる。なお、マスクとしては、窒化シ
リコンに限らずこの熱処理工程で酸化されない高融点化
合物であればよい。
さらに、(C)図に示すように、窒化シリコンWA14
と多結晶シリコン層12をエツチングで除去する。これ
によって、熱酸化膜15には清16が形成される。ここ
で、請求範囲にいう絶縁層は熱酸化膜15に相当する。
と多結晶シリコン層12をエツチングで除去する。これ
によって、熱酸化膜15には清16が形成される。ここ
で、請求範囲にいう絶縁層は熱酸化膜15に相当する。
その後、(d)図に示すように、基板全面にわたってレ
ジスト層17を塗布し、配線パターンの反転パターンで
バターニングして消16内のものを除去した後、基板面
全体にわたって下部配線用導電体層18を蒸着する。
ジスト層17を塗布し、配線パターンの反転パターンで
バターニングして消16内のものを除去した後、基板面
全体にわたって下部配線用導電体層18を蒸着する。
次に、リフトオフ法により、レジスト層17およびその
上にある下部配線用導電体層18を除去し、講16内の
下部配線用導電体層18を残す。
上にある下部配線用導電体層18を除去し、講16内の
下部配線用導電体層18を残す。
その後、(e)図に示すように、基板面全体にわたって
層間絶縁層1つを形成し、さらにその上に上部配線用導
電体層20を形成する。
層間絶縁層1つを形成し、さらにその上に上部配線用導
電体層20を形成する。
リフトオフ法による除去を行ったときに、熱酸化M15
と溝16内に残った下部配線用導電体層18の表面の段
差はほとんどない。これによって、上部配線用導電体層
20はほぼ平坦な面上に形成される。
と溝16内に残った下部配線用導電体層18の表面の段
差はほとんどない。これによって、上部配線用導電体層
20はほぼ平坦な面上に形成される。
[効果]
本発明によれは、次の効果が得られる。
■リフトオフ法により、熱酸化膜15と溝16内に残っ
た下部配線用導電体層18の表面段差が小さくなるため
、これらの上層に形成される上部配線用導電体層20の
断線を防止できる。
た下部配線用導電体層18の表面段差が小さくなるため
、これらの上層に形成される上部配線用導電体層20の
断線を防止できる。
■熱酸化層15は必要に応じて厚くできるため、表面段
差をおそれることなく下部配線用導電体層18を厚くで
きる。これによって、配線遅延が少なくなり、しかも電
流密度も減少する。
差をおそれることなく下部配線用導電体層18を厚くで
きる。これによって、配線遅延が少なくなり、しかも電
流密度も減少する。
第1図は本発明にかかる多層配線の形成方法の一実施例
の構成図、第2図は従来の方法により形成された多層配
線の構成図である。 10・・・基板、11.19・・・層間絶縁膜、12・
・・多結晶シリコン層、15・・・熱酸化膜、16・・
・沼、17・・・レジスト層、18・・・下部配線用導
電体層、20・・・上部配線用導電体層。
の構成図、第2図は従来の方法により形成された多層配
線の構成図である。 10・・・基板、11.19・・・層間絶縁膜、12・
・・多結晶シリコン層、15・・・熱酸化膜、16・・
・沼、17・・・レジスト層、18・・・下部配線用導
電体層、20・・・上部配線用導電体層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 次の工程を有する多層配線の形成方法。 (1)基板上に層間絶縁膜を形成し、この上に配線パタ
ーン形状の溝が設けられた絶縁層を形成する工程。 (2)前記絶縁層の上にレジスト層を形成する工程。 (3)基板面全体にわたって下部配線用導電体層を形成
する工程。 (4)リフトオフ法により前記レジスト層上にある下部
配線用導電体層を除去して溝内の下部配線用導電体層を
残す工程。 (5)基板面全体にわたって層間絶縁層を形成し、さら
にこの上に上部配線用導電体層を形成する工程。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30639487A JPH01146341A (ja) | 1987-12-03 | 1987-12-03 | 多層配線の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30639487A JPH01146341A (ja) | 1987-12-03 | 1987-12-03 | 多層配線の形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01146341A true JPH01146341A (ja) | 1989-06-08 |
Family
ID=17956487
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP30639487A Pending JPH01146341A (ja) | 1987-12-03 | 1987-12-03 | 多層配線の形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01146341A (ja) |
-
1987
- 1987-12-03 JP JP30639487A patent/JPH01146341A/ja active Pending
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