JPH01146341A - 多層配線の形成方法 - Google Patents

多層配線の形成方法

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Publication number
JPH01146341A
JPH01146341A JP30639487A JP30639487A JPH01146341A JP H01146341 A JPH01146341 A JP H01146341A JP 30639487 A JP30639487 A JP 30639487A JP 30639487 A JP30639487 A JP 30639487A JP H01146341 A JPH01146341 A JP H01146341A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
conductor layer
forming
interlayer insulating
lower wiring
Prior art date
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Pending
Application number
JP30639487A
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English (en)
Inventor
Hiroshi Ishiguro
石黒 宏
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Yokogawa Electric Corp
Original Assignee
Yokogawa Electric Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、集積回路における配線の多層化を実現する方
法に関するものである。
[従来の技術] 従来、多層配線を施した集積回路として、例えば第2図
に示す構成のものがあった。
この集積回路は、基板1上に形成した層間絶縁層2上に
、下部配線用導電体NJ3、層間絶縁膜4、上部配線用
導電体層5を順に形成することによって作られる。
[発明が解決しようとする問題点] しかし、この多層配線では、層間絶縁膜4はCVD(C
hemical  VapourDepos i t 
i on)法により形成されるが、ステップカバーレジ
(表面段差の被覆性)が悪いと、図のa部分とb部分に
あるようなオーバーハングといわれる形状になり、上部
配線用導電体層5がこの部分で破断してしまうという問
題点があった。
また、層間絶縁11!4の表面段差が大きくならないよ
うにするために、下部配線導電体層3を薄くすると、抵
抗値が大きくなるという問題点が生じる。
本発明はこのような問題点を解決するためになされたも
のであり、層間絶縁膜が平坦化されていて、上部配線用
導電体層の断線を防止できるとともに、厚い下部配線用
導電体層を形成できる多層配線の形成方法を実現するこ
とを目的とする。
[問題点を解決するための手段] 本発明は、 次の工程を有する多層配線の形成方法である。
■基板上に層間絶縁膜を形成し、この上に配線パターン
形状の清が設けられた絶縁層を形成する工程。
■前記絶縁層の上にレジスト層を形成する工程。
■基板面全体にわたって下部配線用導電体層を形成する
工程。
■リフトオフ法により前記レジスト層上にある下部配線
用導電体層を除去して清白の下部配線用導電体層を残す
工程。
■基板面全体にわたって層間絶縁層を形成し、さらにこ
の上に上部配線用導電体層を形成する工程。
[実施例] 以下、図面を用いて本発明を説明する。
第1図は本発明にかかる多層配線の形成方法の一実施例
の工程図である。この図は各工程の基板断面図である。
以下、図面に従って形成手順を説明する。
まず、(a)図に示すように、シリコン基板10上に層
間絶縁膜11を形成し、この上に■族または■族の不純
物をドープした多結晶シリコン層12を形成し、表面を
酸化して酸化膜13をつくる。その後、酸化膜13上に
窒化シリコン膜を形成し、配線パターンでエツチングす
る。エツチング後に残った窒化シリコン膜は14である
次に、酸化を行うと、(b)図に示すように、窒化シリ
コン膜14でマスクされていない多結晶シリコン層12
は熱酸化膜15になる。なお、マスクとしては、窒化シ
リコンに限らずこの熱処理工程で酸化されない高融点化
合物であればよい。
さらに、(C)図に示すように、窒化シリコンWA14
と多結晶シリコン層12をエツチングで除去する。これ
によって、熱酸化膜15には清16が形成される。ここ
で、請求範囲にいう絶縁層は熱酸化膜15に相当する。
その後、(d)図に示すように、基板全面にわたってレ
ジスト層17を塗布し、配線パターンの反転パターンで
バターニングして消16内のものを除去した後、基板面
全体にわたって下部配線用導電体層18を蒸着する。
次に、リフトオフ法により、レジスト層17およびその
上にある下部配線用導電体層18を除去し、講16内の
下部配線用導電体層18を残す。
その後、(e)図に示すように、基板面全体にわたって
層間絶縁層1つを形成し、さらにその上に上部配線用導
電体層20を形成する。
リフトオフ法による除去を行ったときに、熱酸化M15
と溝16内に残った下部配線用導電体層18の表面の段
差はほとんどない。これによって、上部配線用導電体層
20はほぼ平坦な面上に形成される。
[効果] 本発明によれは、次の効果が得られる。
■リフトオフ法により、熱酸化膜15と溝16内に残っ
た下部配線用導電体層18の表面段差が小さくなるため
、これらの上層に形成される上部配線用導電体層20の
断線を防止できる。
■熱酸化層15は必要に応じて厚くできるため、表面段
差をおそれることなく下部配線用導電体層18を厚くで
きる。これによって、配線遅延が少なくなり、しかも電
流密度も減少する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明にかかる多層配線の形成方法の一実施例
の構成図、第2図は従来の方法により形成された多層配
線の構成図である。 10・・・基板、11.19・・・層間絶縁膜、12・
・・多結晶シリコン層、15・・・熱酸化膜、16・・
・沼、17・・・レジスト層、18・・・下部配線用導
電体層、20・・・上部配線用導電体層。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】  次の工程を有する多層配線の形成方法。 (1)基板上に層間絶縁膜を形成し、この上に配線パタ
    ーン形状の溝が設けられた絶縁層を形成する工程。 (2)前記絶縁層の上にレジスト層を形成する工程。 (3)基板面全体にわたって下部配線用導電体層を形成
    する工程。 (4)リフトオフ法により前記レジスト層上にある下部
    配線用導電体層を除去して溝内の下部配線用導電体層を
    残す工程。 (5)基板面全体にわたって層間絶縁層を形成し、さら
    にこの上に上部配線用導電体層を形成する工程。
JP30639487A 1987-12-03 1987-12-03 多層配線の形成方法 Pending JPH01146341A (ja)

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