JPH01139688A - 液晶組成物 - Google Patents
液晶組成物Info
- Publication number
- JPH01139688A JPH01139688A JP29918587A JP29918587A JPH01139688A JP H01139688 A JPH01139688 A JP H01139688A JP 29918587 A JP29918587 A JP 29918587A JP 29918587 A JP29918587 A JP 29918587A JP H01139688 A JPH01139688 A JP H01139688A
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- JP
- Japan
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- liquid crystal
- phase
- smx
- crystal composition
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- Pending
Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電気光学装置に用いる強誘電性液晶組成物に関
する。
する。
近年、マンマシンイ１ンターフェイスとして、軽量、薄
型、低消費電力である液晶デイスプレィが広く用いられ
るようになった。しかしこれらの表示装置の殆んどは、
ネマチック液晶を用いたで−Ｎ型表示装置であり、高デ
ユーテイでのマルチプレックス駆動を必要とする応用分
野では応答が遅く、教養の必要がある。このような状況
で注目されているものとして、強誘電性液晶を用いた液
晶デイスプレィがある。今まで開発されてきた強誘電性
液晶及びその組成物はカイラルスメクチック０（ＳｍＯ
）相を有するものである。Ｓ ｍ Ｏ＊＊＊ ＊利用した場合、応答時間はＴ−Ｎ型表示装置に比べ、
１／１００〜１／１０００である。
型、低消費電力である液晶デイスプレィが広く用いられ
るようになった。しかしこれらの表示装置の殆んどは、
ネマチック液晶を用いたで−Ｎ型表示装置であり、高デ
ユーテイでのマルチプレックス駆動を必要とする応用分
野では応答が遅く、教養の必要がある。このような状況
で注目されているものとして、強誘電性液晶を用いた液
晶デイスプレィがある。今まで開発されてきた強誘電性
液晶及びその組成物はカイラルスメクチック０（ＳｍＯ
）相を有するものである。Ｓ ｍ Ｏ＊＊＊ ＊利用した場合、応答時間はＴ−Ｎ型表示装置に比べ、
１／１００〜１／１０００である。
しかし、前述の従来技術では書き込まれた状態を保持す
るメモリー効果は完全でなく、また、暗状態が真黒にな
ることはほとんどない。これはメモリー状態で液晶分子
がすべて同じ方向を向いているわけではないためである
。このように３ｍＯ＊相を用いると応答は速いがコント
ラスト−透過光量を稼げないという問題点がある。そこ
で本発明はこのような問題点を解決するもので、その目
的とするところは応答速度はＳｍＯ相を用いたものと同
程度であり、かつ、コントラスト、透過率、メモリー性
の非常にすぐれた室温で動作する液晶組成物を提供する
ところにある。
るメモリー効果は完全でなく、また、暗状態が真黒にな
ることはほとんどない。これはメモリー状態で液晶分子
がすべて同じ方向を向いているわけではないためである
。このように３ｍＯ＊相を用いると応答は速いがコント
ラスト−透過光量を稼げないという問題点がある。そこ
で本発明はこのような問題点を解決するもので、その目
的とするところは応答速度はＳｍＯ相を用いたものと同
程度であり、かつ、コントラスト、透過率、メモリー性
の非常にすぐれた室温で動作する液晶組成物を提供する
ところにある。
本発明の液晶組成物は電気光学装置に用いる強誘電性液
晶において、ＳｍＸ 相を有する液晶（υとＳｍＸ
相を有しかつ巨大な自発分極を有する液晶（ＩＩ）を
含有することを特徴とする特に上記液晶（Ｉ）が８Ｓ工
、液晶（ＩＩ）がＡから成ることを特徴とする。
晶において、ＳｍＸ 相を有する液晶（υとＳｍＸ
相を有しかつ巨大な自発分極を有する液晶（ＩＩ）を
含有することを特徴とする特に上記液晶（Ｉ）が８Ｓ工
、液晶（ＩＩ）がＡから成ることを特徴とする。
本発明の上記の構成によれば、この液晶組成物は室温で
ヘキサティックなカイラルスメクチック（ＳｍＸ ）
相を有する。ＳｍＸ＊相はたいてい＊ 室温よりかなり高い温度で存在するが、液晶Ａを混入す
ることにより室温でＳｍＸ＊相となるので非常に扱いや
すくなる。第１図に本発明の液晶組成物のＳｍＸ＊相の
概念図を示す。ｓ ｍ ｘ＊相液晶８を２枚の基板７で
で挾持すると状態１と状態４が最も安定となる。基板間
の距離により状態２、状態３が安定となることもある。
ヘキサティックなカイラルスメクチック（ＳｍＸ ）
相を有する。ＳｍＸ＊相はたいてい＊ 室温よりかなり高い温度で存在するが、液晶Ａを混入す
ることにより室温でＳｍＸ＊相となるので非常に扱いや
すくなる。第１図に本発明の液晶組成物のＳｍＸ＊相の
概念図を示す。ｓ ｍ ｘ＊相液晶８を２枚の基板７で
で挾持すると状態１と状態４が最も安定となる。基板間
の距離により状態２、状態３が安定となることもある。
（状態５．状態６は状態２．状態３と同じと考える。）
これらの状態以外はとり得ないので非常に分子方向が一
様になりやすい。ここが従来のＳ ｍ Ｏ＊相（第２図
）と異るところである。このためメモリ、−状態が安定
し、コントラスト、透過率とも高くなる。
これらの状態以外はとり得ないので非常に分子方向が一
様になりやすい。ここが従来のＳ ｍ Ｏ＊相（第２図
）と異るところである。このためメモリ、−状態が安定
し、コントラスト、透過率とも高くなる。
実施例１
第１図は本発明の実施例における液晶分子のＳｍ Ｘ”
相の主要概念図である。ここでは表１ＶＣ示した番号１
，２．３なる組成の液晶組成物を調製した。透過率、コ
ントラストを測定した際のセルの構成は、ガラス基板上
に透明電極を形成し、その上にＳ ｉ Ｏ，絶縁層を形
成、更に有機高分子配向膜を形成した基板を２枚対向さ
せ、２μ風のセル厚に固定したものであり、このセルに
液晶を封入し【、クロスニフルの偏光顕微鏡下で特性を
評価した。セル厚については１μ馬〜１５μｍの範囲で
動作する。透過率は、セルの上下に入っている偏光板を
平行にした場合の光址な１００％とした場合の値を示し
た。いずれの液晶についてもすぐれた透過率、コントラ
ストを示している。メモリー状態の安定性も、ＳｍＣ相
（表１のは４）を用いたものに比較して非常によい。液
晶Ａの混合比率が、５％以下であるとＳｍＸ 相が高
温側に寄ってしまう。また、５０％以上であるとＳｍＸ
＊相の温度範囲が狭くなり、メモリー効果も失われるの
で好ましくない。
相の主要概念図である。ここでは表１ＶＣ示した番号１
，２．３なる組成の液晶組成物を調製した。透過率、コ
ントラストを測定した際のセルの構成は、ガラス基板上
に透明電極を形成し、その上にＳ ｉ Ｏ，絶縁層を形
成、更に有機高分子配向膜を形成した基板を２枚対向さ
せ、２μ風のセル厚に固定したものであり、このセルに
液晶を封入し【、クロスニフルの偏光顕微鏡下で特性を
評価した。セル厚については１μ馬〜１５μｍの範囲で
動作する。透過率は、セルの上下に入っている偏光板を
平行にした場合の光址な１００％とした場合の値を示し
た。いずれの液晶についてもすぐれた透過率、コントラ
ストを示している。メモリー状態の安定性も、ＳｍＣ相
（表１のは４）を用いたものに比較して非常によい。液
晶Ａの混合比率が、５％以下であるとＳｍＸ 相が高
温側に寄ってしまう。また、５０％以上であるとＳｍＸ
＊相の温度範囲が狭くなり、メモリー効果も失われるの
で好ましくない。
表 １
実施例２
Ｃ！、Ｆｆ、）４０％と混合した。こうすることにより
配向性は向上し、Ｓ ｍ Ｘ”相も６０℃〜１０℃は十
分確保できた。本発明においては、液晶Ｂのかわりに、
ＳｍＸ＊相を有する液晶ならば何でもよい。実施例１．
実施例２とも時分割駆動してもコントラスト、透過率は
ほとんど悪化しないことが確認された。
配向性は向上し、Ｓ ｍ Ｘ”相も６０℃〜１０℃は十
分確保できた。本発明においては、液晶Ｂのかわりに、
ＳｍＸ＊相を有する液晶ならば何でもよい。実施例１．
実施例２とも時分割駆動してもコントラスト、透過率は
ほとんど悪化しないことが確認された。
以上述べたように発明によれば、液晶８Ｓ工１と液晶Ａ
を混合することによって得られる液晶のＳｍＸ 相を
用いることにより、広い温度範囲で西過率、フントラス
ト共に優れた電気光学装置を作成することが可能である
。
を混合することによって得られる液晶のＳｍＸ 相を
用いることにより、広い温度範囲で西過率、フントラス
ト共に優れた電気光学装置を作成することが可能である
。
第１図は本発明の液晶組成物のＳ−ｍＸ＊相におげろ層
構造を示す主要概念図。 第２図は従来の液晶組成物のＳ ｍ Ｏ＊相における層
構造を示す主要概念図。 １ 、２ 、５ 、４ 、５ 、６・＝・・−ＳｍＸ＊
相における６つの安定状態 ７・・・・・・・・・基 板 ８・・・・・・・・・液晶分子（ＳｍＸ 相）９・・
・・・・・・・液晶分子（ＳｍＯ相）以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士最上務（他１名）
構造を示す主要概念図。 第２図は従来の液晶組成物のＳ ｍ Ｏ＊相における層
構造を示す主要概念図。 １ 、２ 、５ 、４ 、５ 、６・＝・・−ＳｍＸ＊
相における６つの安定状態 ７・・・・・・・・・基 板 ８・・・・・・・・・液晶分子（ＳｍＸ 相）９・・
・・・・・・・液晶分子（ＳｍＯ相）以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士最上務（他１名）
Claims (2)
- （１）電気光学装置に用いる強誘電性液晶において、ヘ
キサティックなスメクチック（ＳｍＸ＾＊）相を有する
液晶（ I ）とＳｍＸ＾＊相を有しかつ巨大な自発分極
を有する液晶（II）を含有することを特徴とする液晶組
成物。 - （２）上記液晶（ I ）が▲数式、化学式、表等があり
ます▼ 液晶（II）が▲数式、化学式、表等があります▼ から成ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
液晶組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29918587A JPH01139688A (ja) | 1987-11-27 | 1987-11-27 | 液晶組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29918587A JPH01139688A (ja) | 1987-11-27 | 1987-11-27 | 液晶組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01139688A true JPH01139688A (ja) | 1989-06-01 |
Family
ID=17869244
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29918587A Pending JPH01139688A (ja) | 1987-11-27 | 1987-11-27 | 液晶組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01139688A (ja) |
-
1987
- 1987-11-27 JP JP29918587A patent/JPH01139688A/ja active Pending
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