JPS62172090A - カイラルスメクチツク液晶組成物 - Google Patents
カイラルスメクチツク液晶組成物Info
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- JPS62172090A JPS62172090A JP1523886A JP1523886A JPS62172090A JP S62172090 A JPS62172090 A JP S62172090A JP 1523886 A JP1523886 A JP 1523886A JP 1523886 A JP1523886 A JP 1523886A JP S62172090 A JPS62172090 A JP S62172090A
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- liquid crystal
- chiral smectic
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- Pending
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Landscapes
- Liquid Crystal Substances (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はカイラルスメクチック液晶組成物に関するもの
である。
である。
近年、液晶ディスプレイは、薄型、軽証、低消費電力な
どの特徴を生かして表示装置として巾広く用いられるよ
うになった。しかしこれらの表示装置の殆んどは、ネマ
ティック液晶を用いたＴ −Ｎ型表示装置であり、高マ
ルチプレツクス化を必要とする応用分野では、まだまだ
応答が遅く改善の必要が迫られている。このような現状
の中で注目されているのが、光学活性部位を有するカイ
ラルスメクチック液晶である。このカイジルスメクチッ
ク液晶を示すカイラルスメクチックＣ相（以下、ＳｍＣ
＊相とするンは強誘電性を示し、その自発分極と電界の
結合力が大変大きいため、ネマティック液晶を用いたＴ
−Ｎ型表示装置では達成し得ない高速応答性を示すこと
が可能である。
どの特徴を生かして表示装置として巾広く用いられるよ
うになった。しかしこれらの表示装置の殆んどは、ネマ
ティック液晶を用いたＴ −Ｎ型表示装置であり、高マ
ルチプレツクス化を必要とする応用分野では、まだまだ
応答が遅く改善の必要が迫られている。このような現状
の中で注目されているのが、光学活性部位を有するカイ
ラルスメクチック液晶である。このカイジルスメクチッ
ク液晶を示すカイラルスメクチックＣ相（以下、ＳｍＣ
＊相とするンは強誘電性を示し、その自発分極と電界の
結合力が大変大きいため、ネマティック液晶を用いたＴ
−Ｎ型表示装置では達成し得ない高速応答性を示すこと
が可能である。
さらにＳｍ♂相は充分に薄いセルで適切な配向制御を施
すことによりメモリー性を示す（Ｇ”１ａｒｋら； Ａ
ｐｐｌｉｅｃＬＰｈｙａ 、 １ｅｔｔ、、ｓｇ、５９
９（１９ａｏ））事がわかっており、高速液晶シャッタ
ーや、高マルチプレツクス表示装置への材料として盛ん
に開発が進められている。しかし、従来のカイラルスメ
クチック液晶は２μｍ程度のセルでは充分なメモリー性
が得られず、従って表示時のコントラストも充分には得
られていなかった。ここでメモリー性とは電界を即加し
たときの状態が電界を切った時に維持されることを示し
、電界印加時の光透過レベルエｐと電界除去時のｙｔＪ
透過レベルエｍとの比工ｍ／工ｐが１．０に近い程、メ
モリー性は良好である。また、従来のカイラルスメクチ
ック液晶組成物は駆動温度範囲が非常に狭く、同一条件
で駆動可能な温度範囲（以下、、Ｍ１℃）と言う）は良
い物で５℃程度であった。
すことによりメモリー性を示す（Ｇ”１ａｒｋら； Ａ
ｐｐｌｉｅｃＬＰｈｙａ 、 １ｅｔｔ、、ｓｇ、５９
９（１９ａｏ））事がわかっており、高速液晶シャッタ
ーや、高マルチプレツクス表示装置への材料として盛ん
に開発が進められている。しかし、従来のカイラルスメ
クチック液晶は２μｍ程度のセルでは充分なメモリー性
が得られず、従って表示時のコントラストも充分には得
られていなかった。ここでメモリー性とは電界を即加し
たときの状態が電界を切った時に維持されることを示し
、電界印加時の光透過レベルエｐと電界除去時のｙｔＪ
透過レベルエｍとの比工ｍ／工ｐが１．０に近い程、メ
モリー性は良好である。また、従来のカイラルスメクチ
ック液晶組成物は駆動温度範囲が非常に狭く、同一条件
で駆動可能な温度範囲（以下、、Ｍ１℃）と言う）は良
い物で５℃程度であった。
そこで本発明の目的は、１〜２ ／ｊ ｍ程度のセルで
も光分なメモリー性が得られ、コントラスト比が大きく
、さらに液晶駆動温度範囲の広いカイラルスメクチック
液晶組成物を提供する事にある。
も光分なメモリー性が得られ、コントラスト比が大きく
、さらに液晶駆動温度範囲の広いカイラルスメクチック
液晶組成物を提供する事にある。
本発明は上記目的に基づき上記条件を満足するカイラル
スメクチック液晶組成物を提供するものであり、 一般式 Ｒ１は炭素数２〜１０までのアルキル基。
スメクチック液晶組成物を提供するものであり、 一般式 Ｒ１は炭素数２〜１０までのアルキル基。
Ｒ２は炭素数１〜１６までのアルキル基。
Ｒ３は炭素数１〜１Ｂまでのアルキル基。
ｎは１〜５に限定する。
本発明は上記各群（１）〜（２）の化合物を各々含有す
る事を特徴とする液晶組成物により、前述の目的を達成
するものである。
る事を特徴とする液晶組成物により、前述の目的を達成
するものである。
第−表に本発明の液晶組成物の具体例を示す。
チッソ株式会社製の強誘電性液晶組成物Ｃ８−１０００
をベース液晶とし、上記の化合物（１）及び（２）を添
加物として用いた。
をベース液晶とし、上記の化合物（１）及び（２）を添
加物として用いた。
従来、ｓｍｃ％の上にスメクチック人相（以下、ＳｍＡ
相とする）を広い温度範囲に渡って有する液晶材料をＳ
ｍＡ相をもつ他の液晶材料に添加してゆくと、結晶化温
度は下がるがＳｍＡ ／ ＳｍＯ＊ 転移点も同時に降
下してしまうことにより、ＳｍＣ％の温度範囲を広げる
事は困難であった。しかしながら本発明に用いた化合物
（１）は、ＳｍＯ％の上にＳｍＡ相も一ロレステリック
相もなく、これを他の５ＩＩＩＩＡ相をもつカイラルス
メクチック液晶に添加すると、ＳｍＡ／ＳｍＣ！ 転
移点の降下はみられずに、広範囲なＳｍｃｓをもつ液晶
組成物が得られた。次に上述実施例を示す。
相とする）を広い温度範囲に渡って有する液晶材料をＳ
ｍＡ相をもつ他の液晶材料に添加してゆくと、結晶化温
度は下がるがＳｍＡ ／ ＳｍＯ＊ 転移点も同時に降
下してしまうことにより、ＳｍＣ％の温度範囲を広げる
事は困難であった。しかしながら本発明に用いた化合物
（１）は、ＳｍＯ％の上にＳｍＡ相も一ロレステリック
相もなく、これを他の５ＩＩＩＩＡ相をもつカイラルス
メクチック液晶に添加すると、ＳｍＡ／ＳｍＣ！ 転
移点の降下はみられずに、広範囲なＳｍｃｓをもつ液晶
組成物が得られた。次に上述実施例を示す。
実施例−１
第−表に示した液晶組成物を、表面にラビング処理を施
した透明電極を有する２枚のガラス基板に加熱封入し、
セル厚が１〜２μ扉となるように組み立てた電気光学素
子を、互いに直交する２枚の偏光板の間に挟持し、±１
２７の交流電界を印加すると、電界の向きに応じて応答
した。
した透明電極を有する２枚のガラス基板に加熱封入し、
セル厚が１〜２μ扉となるように組み立てた電気光学素
子を、互いに直交する２枚の偏光板の間に挟持し、±１
２７の交流電界を印加すると、電界の向きに応じて応答
した。
８ｍＡ／ＳｍＯ転移点は５８℃と比較的高く、広いｓｍ
ｃ％温度範囲が得られている。室温〔２５°Ｃ〕付近で
のＭＲは１０℃と極めて良好、コントラストもその温度
範囲内で１＝１０を維持し、良好であった。また、電界
印加時の光透過重工ｐと電界除去時（メモリ一時）の光
透過率エエの比、工ｍ／工ｐ＞α９であり、メモリー性
も良好であった。
ｃ％温度範囲が得られている。室温〔２５°Ｃ〕付近で
のＭＲは１０℃と極めて良好、コントラストもその温度
範囲内で１＝１０を維持し、良好であった。また、電界
印加時の光透過重工ｐと電界除去時（メモリ一時）の光
透過率エエの比、工ｍ／工ｐ＞α９であり、メモリー性
も良好であった。
このように本発明の強誘電性液晶組成物は、従来のもの
と比較して、駆動湿度範囲が極めて広く−１９１％ラス
ｂ背龜雇で本ｈ−１２りＩＩ−凪酊小セルでも大変良好
なメモリー性をもつものである本発明の応用としては光
液晶シャッターあるいは、高マルチプレックス液晶ディ
スプ１／イなどがあげられる。
と比較して、駆動湿度範囲が極めて広く−１９１％ラス
ｂ背龜雇で本ｈ−１２りＩＩ−凪酊小セルでも大変良好
なメモリー性をもつものである本発明の応用としては光
液晶シャッターあるいは、高マルチプレックス液晶ディ
スプ１／イなどがあげられる。
成 分 組成比（重世％］チッソ株式会
社製 強誘電性液晶組成物Ｏ８０８−１Ｏ００７０Ｓ＊ＳｍＡ
Ｃｈ 工ｅ。
社製 強誘電性液晶組成物Ｏ８０８−１Ｏ００７０Ｓ＊ＳｍＡ
Ｃｈ 工ｅ。
相転移点 ５８ ７１ ７７（℃）
Claims (2)
- （１）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（１） ▲数式、化学式、表等があります▼（２） で表わされる各群（１）、（２）の化合物を少なくとも
一成分含有する事を特徴とするカイラルスメクチック液
晶組成物。 但し、 Ｒ＿１は炭素数２〜１０までのアルキル基。 Ｒ＿２は炭素数１〜１６までのアルキル基。 Ｒ＿３は炭素数１〜１８までのアルキル基。 ｎは１〜３に限定する。 - （２）化合物（１）の割合が５〜９０％ 化合物（２）の割合が５〜９０％ である事を特徴とする特許請求の範囲第１項のカイラル
スメクチック液晶組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1523886A JPS62172090A (ja) | 1986-01-27 | 1986-01-27 | カイラルスメクチツク液晶組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1523886A JPS62172090A (ja) | 1986-01-27 | 1986-01-27 | カイラルスメクチツク液晶組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62172090A true JPS62172090A (ja) | 1987-07-29 |
Family
ID=11883284
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1523886A Pending JPS62172090A (ja) | 1986-01-27 | 1986-01-27 | カイラルスメクチツク液晶組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62172090A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4898455A (en) * | 1986-04-22 | 1990-02-06 | Hoffmann-La Roche Inc. | Pyridine liquid crystalline compounds |
| US4913837A (en) * | 1986-01-03 | 1990-04-03 | Merck Patent Gesellschaft Mit Beschrankter Haftung | Heterocyclic compounds |
-
1986
- 1986-01-27 JP JP1523886A patent/JPS62172090A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4913837A (en) * | 1986-01-03 | 1990-04-03 | Merck Patent Gesellschaft Mit Beschrankter Haftung | Heterocyclic compounds |
| US4898455A (en) * | 1986-04-22 | 1990-02-06 | Hoffmann-La Roche Inc. | Pyridine liquid crystalline compounds |
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