JPS63254184A - カイラルスメクチツク液晶組成物 - Google Patents
カイラルスメクチツク液晶組成物Info
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- JPS63254184A JPS63254184A JP9006287A JP9006287A JPS63254184A JP S63254184 A JPS63254184 A JP S63254184A JP 9006287 A JP9006287 A JP 9006287A JP 9006287 A JP9006287 A JP 9006287A JP S63254184 A JPS63254184 A JP S63254184A
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Landscapes
- Liquid Crystal Substances (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、カイラルスメクチック液晶組成物に閏するも
のである。
のである。
近年、ｌ良品ディスプレイは、薄型・軽量・低消費電力
などの特徴を生かして表示装置として幅広く用いられる
ようになった。しかしこれらの表示装置の殆んどは、ネ
マティック液晶を用いたＴ −Ｎ型表示装置であり、高
マルチプレツクス化を必要とする応用分野ではまだまだ
応答が遅く、改善の必要が迫られている。このような現
杖の中で注１」されているのが、光学活性部位を有する
カイラルスメクチック液晶である。このカイラルスメク
チック液晶の示すカイラルスメクチックＣ相（以下Ｓ
ｍ Ｃ”相とする）は、強誘電性を示し、その自発分極
と電界の結合力が大きいため、ネマティック液晶を用い
たＴ−Ｎ型表示装置では達成し得ない高速応答性を示ず
ことか可能である。
などの特徴を生かして表示装置として幅広く用いられる
ようになった。しかしこれらの表示装置の殆んどは、ネ
マティック液晶を用いたＴ −Ｎ型表示装置であり、高
マルチプレツクス化を必要とする応用分野ではまだまだ
応答が遅く、改善の必要が迫られている。このような現
杖の中で注１」されているのが、光学活性部位を有する
カイラルスメクチック液晶である。このカイラルスメク
チック液晶の示すカイラルスメクチックＣ相（以下Ｓ
ｍ Ｃ”相とする）は、強誘電性を示し、その自発分極
と電界の結合力が大きいため、ネマティック液晶を用い
たＴ−Ｎ型表示装置では達成し得ない高速応答性を示ず
ことか可能である。
さらにＳｍＣ”相は充分に薄いセルで適切な配向制御を
施すことによりメモリー性を示す（ＣＩａ ｒ ｋ
ら ； Δ ｌ） ｌ） ｌ ｉ ｃ
ｄ Ｐ ｈ ｙ ｓ 、 ｌ
ｃ Ｌｃ、 ３０，８００ （１０８０））
事がわかっており、高速液晶シャッターや、高マルチブ
レ、ソクス表示装置への材料として盛んに開発が進めら
れている。しかし、従来のカイラルスメクチ・ツク液晶
は２μｍ程度のセルでは、充分なメモリー性が得られず
、従って表示時のコントラストも充分ζこは得られてい
なかった。ここでメモリー性とは、電界を印加した時の
液晶分子、即ち表示状態が、電界をＩＪＪった時に維持
されることを示す。
施すことによりメモリー性を示す（ＣＩａ ｒ ｋ
ら ； Δ ｌ） ｌ） ｌ ｉ ｃ
ｄ Ｐ ｈ ｙ ｓ 、 ｌ
ｃ Ｌｃ、 ３０，８００ （１０８０））
事がわかっており、高速液晶シャッターや、高マルチブ
レ、ソクス表示装置への材料として盛んに開発が進めら
れている。しかし、従来のカイラルスメクチ・ツク液晶
は２μｍ程度のセルでは、充分なメモリー性が得られず
、従って表示時のコントラストも充分ζこは得られてい
なかった。ここでメモリー性とは、電界を印加した時の
液晶分子、即ち表示状態が、電界をＩＪＪった時に維持
されることを示す。
そこで、本発明は上記のような問題点を解決し、またそ
の目的は、応答スピードが速く２μｍ程度のセルでも充
分なメモリー性を有し、表示時のコントラストの良好な
カイラルスメクチ・ツク液晶組成物を提供する事にある
。
の目的は、応答スピードが速く２μｍ程度のセルでも充
分なメモリー性を有し、表示時のコントラストの良好な
カイラルスメクチ・ツク液晶組成物を提供する事にある
。
本発明は一般式
％式％（４）
て表わされる各群（１）、（２）、（３）、（４）、（
５）の化合物を各々少なくとも一成分含有することを特
徴とする。
５）の化合物を各々少なくとも一成分含有することを特
徴とする。
但し、
１り、は４〜１２迄のアルキル又はアルコキシＷＲ７は
４〜１２ 〃 Ｒ５は４〜１２ 〃 Ｒ４は４〜１２ 〃 Ｒ６は４〜１２ 〃 ｎは１〜ｌＯ０ 第−表は、本発明の液晶組成物を構成する化合物の例を
示す。化合物（１）の例をＡ −ＩＩに、化合物（２）
の例をＩ−Ｊに、化合物（３）の例をＫに、化合物（４
）の例を５〜Ｍに、化合物（５）の例をＮ〜０にそれぞ
れ示す。
４〜１２ 〃 Ｒ５は４〜１２ 〃 Ｒ４は４〜１２ 〃 Ｒ６は４〜１２ 〃 ｎは１〜ｌＯ０ 第−表は、本発明の液晶組成物を構成する化合物の例を
示す。化合物（１）の例をＡ −ＩＩに、化合物（２）
の例をＩ−Ｊに、化合物（３）の例をＫに、化合物（４
）の例を５〜Ｍに、化合物（５）の例をＮ〜０にそれぞ
れ示す。
化合物（１）は、応答速度に関与するもので２〜００重
量％混合する事により、速い応答速度をもたらす効果を
示す。化合物（２）は、応答の急峻性に関与するもので
あり、その混合量が１ｆｆｆｆｆ１％以下では効果が発
現せず、又５０重量％を超えると、析出する可能性があ
る。従って本発明の液晶組成物では化合物（２）の混合
量は１〜５０重量％とした。
量％混合する事により、速い応答速度をもたらす効果を
示す。化合物（２）は、応答の急峻性に関与するもので
あり、その混合量が１ｆｆｆｆｆ１％以下では効果が発
現せず、又５０重量％を超えると、析出する可能性があ
る。従って本発明の液晶組成物では化合物（２）の混合
量は１〜５０重量％とした。
化合物（３）は、ＳｍＣ”相の温度範囲が広く、従って
組成物の、ＳｍＣ”相の温度範囲確保に作動である。そ
の効果は混合量が１電量％以下では発現せず、５０重量
％を超えると低温での析出又は応答速度への悪影響があ
られれる可能性があるため、本発明の液晶組成物ではそ
の混合量を１〜５０重Ｉ１１．％とした。化合物（４）
は応答の急峻性に関与するものであり、１重量％以下で
はその効果が発現せず、５０重量％を超えると析出の可
能性があるため、本発明の液晶組成物ではその混合量を
１〜５０市−叶％とじた。化合物（５）はＳ ｍ Ｃ”
相の渦度範囲確種と応答の急峻性に関与するものであり
、１重量％以下ではその効果が発現せず、５０重量％を
超えると析出又は、応答速度への悪影響を及はず可能性
かあるため、本発明の液晶組成物ではその混合量を１〜
５０市量％とした。
組成物の、ＳｍＣ”相の温度範囲確保に作動である。そ
の効果は混合量が１電量％以下では発現せず、５０重量
％を超えると低温での析出又は応答速度への悪影響があ
られれる可能性があるため、本発明の液晶組成物ではそ
の混合量を１〜５０重Ｉ１１．％とした。化合物（４）
は応答の急峻性に関与するものであり、１重量％以下で
はその効果が発現せず、５０重量％を超えると析出の可
能性があるため、本発明の液晶組成物ではその混合量を
１〜５０市−叶％とじた。化合物（５）はＳ ｍ Ｃ”
相の渦度範囲確種と応答の急峻性に関与するものであり
、１重量％以下ではその効果が発現せず、５０重量％を
超えると析出又は、応答速度への悪影響を及はず可能性
かあるため、本発明の液晶組成物ではその混合量を１〜
５０市量％とした。
次にこれら０）〜（５）の化合物を混合させた本発明の
ｉｌｋｌ組品物を実施例を第二表に示す。ｉｌｋ品川の
用称については、以下、等万引（アイソト１」ピック相
）を］ＳＯ１コレステリック相をｃＩｌｌ スメクティ
ックＡ 相をＳｍＡ、カイラルスメクティックＣ相をＳ
ｍＣ” 、結晶相をＣｒ ｙＢ Ｌ Ｎとそれぞれ略ａ
己する。
ｉｌｋｌ組品物を実施例を第二表に示す。ｉｌｋ品川の
用称については、以下、等万引（アイソト１」ピック相
）を］ＳＯ１コレステリック相をｃＩｌｌ スメクティ
ックＡ 相をＳｍＡ、カイラルスメクティックＣ相をＳ
ｍＣ” 、結晶相をＣｒ ｙＢ Ｌ Ｎとそれぞれ略ａ
己する。
第二表に、本発明の液晶組成物実施例１〜３の組成を示
す。この液晶組成物を表面にラビング処理を施した透明
電極を打する２枚の基板に加熱封入し、セル厚が２μｍ
となるように組み立てた電気光学素子を、互いに直交す
る２枚の偏光板の間に挟持し、±２０Ｖの交流電界を印
加すると、電界の向きに応じて応答した。
す。この液晶組成物を表面にラビング処理を施した透明
電極を打する２枚の基板に加熱封入し、セル厚が２μｍ
となるように組み立てた電気光学素子を、互いに直交す
る２枚の偏光板の間に挟持し、±２０Ｖの交流電界を印
加すると、電界の向きに応じて応答した。
このとき観察温度は３０℃であった。応答速度は、１５
０μｓｅｃ前後と速く、又ＯＦＦ時、ＯＮ時の光透過重
比は、１：１０〜１５と良好であり、充分なメモリー性
を示した。
０μｓｅｃ前後と速く、又ＯＦＦ時、ＯＮ時の光透過重
比は、１：１０〜１５と良好であり、充分なメモリー性
を示した。
このように、本発明の強誘電性液晶組成物は、応答が従
来のＴ−Ｎ液晶に比べてケタ違いに速く、コントラスト
比が高く、２μｍ程度のセルでも、良好な光学特性を示
すものである。
来のＴ−Ｎ液晶に比べてケタ違いに速く、コントラスト
比が高く、２μｍ程度のセルでも、良好な光学特性を示
すものである。
本発明の応用としては、光液晶シャッター、・高マルチ
プレックス液晶ディスプレイなどがあげられる。
プレックス液晶ディスプレイなどがあげられる。
（第 −表）
しＦｉ３
Ｉｓｏ ＳｍＣＳｍＨＣｒｙｓｔ。
８０．３℃ ７８３℃ ７６．０℃Ｉ
ｓｏ −−ＳｍＡ ＳｍＣＳｍＨ−Ｃｒｙｓｔ
。
ｓｏ −−ＳｍＡ ＳｍＣＳｍＨ−Ｃｒｙｓｔ
。
７９８℃ ７８９℃ ７７４℃
７５３℃Ｉｓｏ ＳｍＡ ＳｍＣ
Ｃｒｙｓｔ６３．０℃ ４８０℃
１５．０℃Ｍ Ｃ２Ｈ５どＨＣＨ２０−Φ、−ＣＯＯ
−Φ−ＣＯＯ−φ−０Ｃ７Ｈ１５晶３ しｈ３ Ｉｓｏ ＳｍＡ Ｃｒｙｓｔ４４０℃
２３５℃ Ｉｓｏ −Ｃｈ、 −ＳｍＣＣｒｙｓｔ。
７５３℃Ｉｓｏ ＳｍＡ ＳｍＣ
Ｃｒｙｓｔ６３．０℃ ４８０℃
１５．０℃Ｍ Ｃ２Ｈ５どＨＣＨ２０−Φ、−ＣＯＯ
−Φ−ＣＯＯ−φ−０Ｃ７Ｈ１５晶３ しｈ３ Ｉｓｏ ＳｍＡ Ｃｒｙｓｔ４４０℃
２３５℃ Ｉｓｏ −Ｃｈ、 −ＳｍＣＣｒｙｓｔ。
１３７１℃ １１８．８℃ ３２５℃（第
二 表） 以」二
二 表） 以」二
Claims (2)
- （１）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（１） ▲数式、化学式、表等があります▼（２） ▲数式、化学式、表等があります▼（３） ▲数式、化学式、表等があります▼（４） ▲数式、化学式、表等があります▼（５） で表わされる各群（１）、（２）、（３）、（４）、（
５）の化合物を各々少なくとも一成分含有する事を特徴
とするカイラルスメクチック液晶組成物。 但し、 Ｒ＿１は４〜１２迄のアルキル又はアルコキシ基Ｒ＿２
は４〜１２〃 Ｒ＿３は４〜１２〃 Ｒ＿４は４〜１２〃 Ｒ＿５は４〜１２〃 ▲数式、化学式、表等があります▼は▲数式、化学式、
表等があります▼又は▲数式、化学式、表等があります
▼又は▲数式、化学式、表等があります▼環。 は１〜１０。 - （２）化合物（１）の割合が２〜９０重量％。 〃（２）〃１〜５０〃 〃（３）〃１〜５０〃 〃（４）〃１〜５０〃 〃（５）〃１〜５０〃 である事を特徴とする特許請求範囲第１項記載のカイラ
ルスメクチック液晶組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9006287A JPS63254184A (ja) | 1987-04-13 | 1987-04-13 | カイラルスメクチツク液晶組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9006287A JPS63254184A (ja) | 1987-04-13 | 1987-04-13 | カイラルスメクチツク液晶組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63254184A true JPS63254184A (ja) | 1988-10-20 |
Family
ID=13988074
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9006287A Pending JPS63254184A (ja) | 1987-04-13 | 1987-04-13 | カイラルスメクチツク液晶組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63254184A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0315455A2 (en) * | 1987-11-06 | 1989-05-10 | Chisso Corporation | Ferroelectric liquid crystal compositions |
-
1987
- 1987-04-13 JP JP9006287A patent/JPS63254184A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0315455A2 (en) * | 1987-11-06 | 1989-05-10 | Chisso Corporation | Ferroelectric liquid crystal compositions |
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