JPH01103693A - カイラルスメクチツク液晶組成物 - Google Patents
カイラルスメクチツク液晶組成物Info
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- JPH01103693A JPH01103693A JP10118387A JP10118387A JPH01103693A JP H01103693 A JPH01103693 A JP H01103693A JP 10118387 A JP10118387 A JP 10118387A JP 10118387 A JP10118387 A JP 10118387A JP H01103693 A JPH01103693 A JP H01103693A
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 25
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims abstract description 7
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 3
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- XULSCZPZVQIMFM-IPZQJPLYSA-N odevixibat Chemical compound C12=CC(SC)=C(OCC(=O)N[C@@H](C(=O)N[C@@H](CC)C(O)=O)C=3C=CC(O)=CC=3)C=C2S(=O)(=O)NC(CCCC)(CCCC)CN1C1=CC=CC=C1 XULSCZPZVQIMFM-IPZQJPLYSA-N 0.000 description 2
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はカイラルスメクチック液晶組成物に関するもの
である。
である。
近年、液晶デイスプレィは、薄型・軽量・低消費電力な
どの特徴をいかして、表示装置として巾広く用いられる
ようになった。しかし、これらの表示装置の殆んどは、
ネマティック液晶を用いたＴ−Ｎ型表示装置であり、高
マルチプレツクス化を必要とする応用分野ではまだまだ
応答が遅く、教養の必要が迫られている。このような現
状の中で注目されているのが、光学活性部位を有するカ
イラルスメクチック液晶である。このカイラルスメクチ
ック液晶の示すカイラルスメクチックｃｌ（以下ＳｍＯ
４ａとする）は、強誘電性を示し、その自発分極と電界
の結合力が大きいため、ネマティック液晶を用いたＴ−
Ｎ型表示装置では達成し得ない高速応答性を示す事が可
能である。
どの特徴をいかして、表示装置として巾広く用いられる
ようになった。しかし、これらの表示装置の殆んどは、
ネマティック液晶を用いたＴ−Ｎ型表示装置であり、高
マルチプレツクス化を必要とする応用分野ではまだまだ
応答が遅く、教養の必要が迫られている。このような現
状の中で注目されているのが、光学活性部位を有するカ
イラルスメクチック液晶である。このカイラルスメクチ
ック液晶の示すカイラルスメクチックｃｌ（以下ＳｍＯ
４ａとする）は、強誘電性を示し、その自発分極と電界
の結合力が大きいため、ネマティック液晶を用いたＴ−
Ｎ型表示装置では達成し得ない高速応答性を示す事が可
能である。
さらに８ｍＣ相は充分に薄いセルで適切な配向制御を施
す事によりメモリー性を示す（０’１ａｒｋら： Ａｐ
ｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓ 、 １ｅｔｔ、３６．８９９．
１９８０ ）事がわかっており、高速液晶シャッターや
、高マルチフレックス表示装置への材料として盛んに開
発が進められている。
す事によりメモリー性を示す（０’１ａｒｋら： Ａｐ
ｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓ 、 １ｅｔｔ、３６．８９９．
１９８０ ）事がわかっており、高速液晶シャッターや
、高マルチフレックス表示装置への材料として盛んに開
発が進められている。
従来のカイラルスメクチック液晶は２μｍ程度のセルで
は充分なメモリー性が得られず、従って表示時のコント
ラストも充分には得られていなかった。ここでメモリー
性とは、電界を印加した時の液晶分子、即ち表示状態が
、電界を切った時に維持される事を示す。
は充分なメモリー性が得られず、従って表示時のコント
ラストも充分には得られていなかった。ここでメモリー
性とは、電界を印加した時の液晶分子、即ち表示状態が
、電界を切った時に維持される事を示す。
そこで、本発明の目的は、応答スピードが速く ・２μ
ｒＩＬ程度のセルでも充分なメモリー性を有し、表示時
のコントラストの良好なカイラルスメクチック液晶組成
物を提供する事にある。
ｒＩＬ程度のセルでも充分なメモリー性を有し、表示時
のコントラストの良好なカイラルスメクチック液晶組成
物を提供する事にある。
本発明のカイラルスメクチック液晶組成物は一般式
％式％（）
Ｒ１は炭、素数２〜２０のアルキル基又はアルコ（ｍは
０〜８．ｎは１〜１５の整数） （ｍは０〜８．ｎは１〜１５の整数） あるいは炭素数′２〜２０のアルキル基又はアルコキシ
基 、で表わされる各群（１）、（２）の化合物を少なくと
も一成分含有する事を特徴とする。
０〜８．ｎは１〜１５の整数） （ｍは０〜８．ｎは１〜１５の整数） あるいは炭素数′２〜２０のアルキル基又はアルコキシ
基 、で表わされる各群（１）、（２）の化合物を少なくと
も一成分含有する事を特徴とする。
化合物（１）の割合が２重量％未満では低温での液晶性
が悪くなり、また粘性が上がるため高速応答性が得られ
ない。
が悪くなり、また粘性が上がるため高速応答性が得られ
ない。
同じく８０重量％をこえるとＳ ｍ Ｏ＊／ Ｓ ｍ
Ａ 転移点が低下し、ＳｍＯ＊相の温度範囲が狭く、
なり好ましくない。
Ａ 転移点が低下し、ＳｍＯ＊相の温度範囲が狭く、
なり好ましくない。
化合物（２）の割合が２重Ｉｊｋ％未満では高温での液
品性が悪くなる。
品性が悪くなる。
同じく５０重量％をこえると析出する可能性がある。
化合物（３）の割合が２重墓％未満では、低温での液晶
性が悪くなる。
性が悪くなる。
同じく８０重ｔ％をこえるとＳ ｍ Ｃ＊／ Ｓ ｍ
Ａ転移点が低下し、ＳｍＣ＊相の温度範囲が狭くなるた
め好ましくない。
Ａ転移点が低下し、ＳｍＣ＊相の温度範囲が狭くなるた
め好ましくない。
化合物（４）、化合物（５）に関しては化合物（２）と
同様の理由で２〜５０重量％が好ましい。
同様の理由で２〜５０重量％が好ましい。
第１表は本発明の液晶組成物の具体例である。
化合物（１）の例を １〜１１
〃 （２） 〃 １２〜１６
＃（８）＃１７〜１９
ｐ （４） ＃ ２０〜２３
／ｆ （５１Ｗ ２４〜２６
に示す。
次にこれら（１）〜（５）の化合物を混合させた本発明
の液晶組成物の実施例を示す。
の液晶組成物の実施例を示す。
実施例−１
第２表に、本発明の液晶組成物実施例−１の組成を示す
、この液晶組成物を表面にラビング処理を施した透明電
極を有する２枚の基板に加熱封入し、セル厚が約２μｍ
となるように組みたてた電気光学素子を、互いに直交す
る２枚の偏光板の間に挾持し、±２ＣＩＶの交流電界を
印加すると、電界の向きに応じて応答した。この時、温
度は２５℃（室温）であり、応答速度は１５０μ式と速
く、コントラストも１：１０以上と良好、また、メモリ
ー性も充分であった。
、この液晶組成物を表面にラビング処理を施した透明電
極を有する２枚の基板に加熱封入し、セル厚が約２μｍ
となるように組みたてた電気光学素子を、互いに直交す
る２枚の偏光板の間に挾持し、±２ＣＩＶの交流電界を
印加すると、電界の向きに応じて応答した。この時、温
度は２５℃（室温）であり、応答速度は１５０μ式と速
く、コントラストも１：１０以上と良好、また、メモリ
ー性も充分であった。
第 ２ 表
実施例−２
第３表に、本発明の液晶組成物実施例−２の組成を示す
。この液晶組成物を表面にラビング処理を施した透明電
極を有する２枚の基板に加熱封入し、セル厚が約２μｍ
となるように組みたてた電′Ａｙｔ、学素子を、互いに
直交する２枚の偏光板の間に挾持し、±２０Ｖの交流電
界を印加すると、電界の向きに応じて応答した。この時
、温度は２５℃（室温）であり、応答速度は１５０μ式
と速く、コントラストも１：１０以上と良好、また、メ
モリー性も充分であった。
。この液晶組成物を表面にラビング処理を施した透明電
極を有する２枚の基板に加熱封入し、セル厚が約２μｍ
となるように組みたてた電′Ａｙｔ、学素子を、互いに
直交する２枚の偏光板の間に挾持し、±２０Ｖの交流電
界を印加すると、電界の向きに応じて応答した。この時
、温度は２５℃（室温）であり、応答速度は１５０μ式
と速く、コントラストも１：１０以上と良好、また、メ
モリー性も充分であった。
第 ３ 表
実施例−３
第４表に、本発明の液晶組成物実施例−３の組成を示す
、この液晶組成物を表面にラビング処理を施した透明電
極を有する２枚の基板に加熱封入し、セル厚が約２μ扉
となるように組みたてた電気光学素子を、互いに直交す
る２枚の偏光板の間に挾持し、±２０Ｖの交流電界を印
力ｉすると、電界の向きに応じて応答した。この時、温
度は２５℃（室温）であり、応答速度は２００μ式と速
く）コントラストも１：１０以上と良好、また、メモリ
ー性も充分であった。
、この液晶組成物を表面にラビング処理を施した透明電
極を有する２枚の基板に加熱封入し、セル厚が約２μ扉
となるように組みたてた電気光学素子を、互いに直交す
る２枚の偏光板の間に挾持し、±２０Ｖの交流電界を印
力ｉすると、電界の向きに応じて応答した。この時、温
度は２５℃（室温）であり、応答速度は２００μ式と速
く）コントラストも１：１０以上と良好、また、メモリ
ー性も充分であった。
第 ４ 表
実施例−４
第５表に、本発明の液晶組成物実施例−４の組成を示す
、この液晶組成物を表面にラビング処理を施した透明電
極を有する２枚の基板に加熱封入し、セル厚が約２μｍ
となるように組みたてた電気光学素子を、互いに直交す
る２枚の偏光板の間に挾持し、±１５Ｖの交流電界を印
加すると、電界の向きに応じて応答した。この時、温度
は２５℃（室温）であり、応答速度は２００μ気と速く
、コントラストも１：１０以上と良好、また、メモリー
性も充分であった。
、この液晶組成物を表面にラビング処理を施した透明電
極を有する２枚の基板に加熱封入し、セル厚が約２μｍ
となるように組みたてた電気光学素子を、互いに直交す
る２枚の偏光板の間に挾持し、±１５Ｖの交流電界を印
加すると、電界の向きに応じて応答した。この時、温度
は２５℃（室温）であり、応答速度は２００μ気と速く
、コントラストも１：１０以上と良好、また、メモリー
性も充分であった。
第 ５ 表
実施例−５
第６表に、本発明の液晶組成物実施例−５の組成を示す
、この液晶組成物を表面にラビング処理を施した透明電
極を有する２枚の基板に加熱封入し、セル厚が約２μｍ
となるように組みたてた電気光学素子を、互いに直交す
る２枚の偏光板の間に挾持し、±２０Ｖの交流電界を印
加すると、電界の向きに応じて応答゛した。この時、温
度は２５℃Ｃ室濡）であり′、応答速度は１４０μ式と
速く、コントラストも１：１０以上と良好、また、メモ
リー性も充分であった。
、この液晶組成物を表面にラビング処理を施した透明電
極を有する２枚の基板に加熱封入し、セル厚が約２μｍ
となるように組みたてた電気光学素子を、互いに直交す
る２枚の偏光板の間に挾持し、±２０Ｖの交流電界を印
加すると、電界の向きに応じて応答゛した。この時、温
度は２５℃Ｃ室濡）であり′、応答速度は１４０μ式と
速く、コントラストも１：１０以上と良好、また、メモ
リー性も充分であった。
このように、本発明の強誘電性液晶組成物屯応答が従来
のＴ−Ｎ液晶に比べてテタ違いに速くコントラスト比が
高く、２μｍＳ度のセルでも良好な光学特性を示す。
のＴ−Ｎ液晶に比べてテタ違いに速くコントラスト比が
高く、２μｍＳ度のセルでも良好な光学特性を示す。
本発明の応用としては、光液晶シャッター、高マルチプ
レツクス液晶デイスプレィなどがあげられる。
レツクス液晶デイスプレィなどがあげられる。
以 上
ａ［人 セイコーエプソン株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（１） ▲数式、化学式、表等があります▼（２） で表わされる各群（１）、（２）の化合物を少なくとも
一成分含有する事を特徴とするカイラルスメクチック液
晶組成物。 但し、 Ｒ１は炭素数２〜２０のアルキル基又はアルコキシ基。 Ｒ１′は▲数式、化学式、表等があります▼又は ▲数式、化学式、表等があります▼ （ｍは０〜８、ｎは１〜１５の整数） Ｒ２、Ｒ２′は▲数式、化学式、表等があります▼又は ▲数式、化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼ （ｍは０〜８、ｎは１〜１５の整数） あるいは炭素数２〜２０のアルキル基又はアルコキシ基
。■はピンジン環あるいはピリミジン環。 ２）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（３） ▲数式、化学式、表等があります▼（４） ▲数式、化学式、表等があります▼（５） で表わされる各群（３）、（４）、（５）の化合物のう
ち少なくとも一成分含有する事を特徴とする特許請求の
範囲第一項記載のカイラルスメクチック液晶組成物。 但し、 Ｒ３、Ｒ５′は炭素数２〜２０のアルキル基又はアルコ
キシ基。 Ｒ３′、Ｒ５は▲数式、化学式、表等があります▼又は ▲数式、化学式、表等があります▼ （ｍは０〜８、ｎは１〜１５の整数） Ｒ４、Ｒ４′は▲数式、化学式、表等があります▼又は ▲数式、化学式、表等があります▼ （ｍは０〜８、ｎは１〜１５の整数） もしくは炭素数２〜２０のアルキル基又はアルコキシ基
。■は▲数式、化学式、表等があります▼、ピリジン環
又はピリミジン環。 ３）化合物（１）の割合が２〜８０重量％ 〃（２）〃２〜５０〃 〃（３）〃２〜８０〃 〃（４）〃２〜５０〃 〃（５）〃２〜５０〃 である事を特徴とする特許請求の範囲第２項記載のカイ
ラルスメクチック液晶組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10118387A JPH01103693A (ja) | 1986-05-13 | 1987-04-24 | カイラルスメクチツク液晶組成物 |
Applications Claiming Priority (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10903686 | 1986-05-13 | ||
| JP61-109036 | 1986-05-13 | ||
| JP61-188928 | 1986-08-12 | ||
| JP61-191042 | 1986-08-14 | ||
| JP19104286 | 1986-08-14 | ||
| JP10118387A JPH01103693A (ja) | 1986-05-13 | 1987-04-24 | カイラルスメクチツク液晶組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01103693A true JPH01103693A (ja) | 1989-04-20 |
Family
ID=27309407
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10118387A Pending JPH01103693A (ja) | 1986-05-13 | 1987-04-24 | カイラルスメクチツク液晶組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01103693A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01123890A (ja) * | 1987-11-06 | 1989-05-16 | Chisso Corp | 強誘電性液晶組成物 |
-
1987
- 1987-04-24 JP JP10118387A patent/JPH01103693A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01123890A (ja) * | 1987-11-06 | 1989-05-16 | Chisso Corp | 強誘電性液晶組成物 |
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