JP2825371B2 - 強誘電性液晶組成物および液晶素子 - Google Patents
強誘電性液晶組成物および液晶素子Info
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Description
びそれを用いた液晶素子に関する。
素子は液晶のネマチック相を利用したものである。しか
し、ツイステッドネマチック(TN)型液晶表示素子は
ライン数の増加に伴ってコントラストが低下するので、
大容量の表示素子を作ることは困難である。このTN型
液晶表示素子を改良するためスーパーツイステッドネマ
チック(STN)型液晶表示素子、ダブルスーパーツイ
ステッドネマチック(DSTN)型液晶表示素子が開発
されているが、ライン数の増加と共にコントラスト、応
答速度が低下するので、現状では800×1024ライン程度
の表示容量が限界である。一方、基板上に薄膜トランジ
スタ(TFT)を配列したアクティブマトリックス方式
の液晶表示素子も開発され、1000×1000ライン等の大容
量表示が可能になったが、一方、製造プロセスが長く、
歩留りの低下も生じやすく、製造コストが非常に高くな
るという欠点を有している。またこの方式も、半導体の
移動度による制約などから、例えば2000×2000ライン以
上の表示素子を作製することは困難と考えられている。
示容量を有する液晶素子として有望視されているのが強
誘電性液晶表示素子(アプライド フィジカル レター
ズ、36巻、第899頁(1980年))である。この表示方法
は強誘電性液晶であるカイラルスメクチックC相、カイ
ラルスメクチックI相などを利用するものであり、メモ
リー性を利用する方式であることから、応答速度の向上
にともなって表示の大容量化が可能であり、また薄膜ト
ランジスタなどのアクティブ素子を必要としないことか
ら、製造コストも上がらない。また上記の強誘電性液晶
素子は視角が広いという長所も兼ね備えており、WYSIWI
G(What you see is what you get.)の概念を実現する
大容量表示用の素子として有望視されている。これらの
うち特に、カイラルスメクチックC相を利用した強誘電
性液晶素子は、早い応答速度が期待できる点で大いに有
望視されている。
を利用した強誘電性液晶表示に用いる液晶材料は室温付
近を中心に広い温度範囲でカイラルスメクチックC相を
呈する必要があるのはもちろんのこと、そのほかにも種
々の条件を満たすことが必要である。まず、大容量表示
を行うためにデバイス特性として高速応答性が必要であ
る。また、液晶セルに適用した場合に良好な配向性と双
安定性とを得るために、INAC(Isotropic-Nematic-
Smectic A-Smectic C)という相系列を液晶材料が呈す
ることが必要であり、かつカイラルネマチック相及びカ
イラルスメクチックC相の螺旋ピッチがセル厚に比べて
十分長いことが必要である。コントラスト、明るさの点
からは強誘電性液晶のチルト角が大きいことが望まれ
る。更に、誘電異方性、屈折率異方性、比抵抗などを最
適化することも必要となる。
す材料の作製が求められるわけであるが、現在のところ
単一化合物で望まれる条件をすべて満たすことは不可能
であり、通常、複数の化合物を混合して液晶組成物とし
て素子に適用している。実用可能な条件を満たす液晶組
成物を作製するためには多様な性質をもった数多くの単
品液晶化合物が必要となり、ときには、それ自身液晶性
を示さない化合物が液晶組成物の成分として有用となる
可能性もある。
であり、動作温度範囲が広く、良好な配向性、メモリ性
を示し、かつ、室温で高速応答性を示し、チルト角度の
大きな強誘電性液晶組成物およびそれを用いた液晶素子
を提供するものである。
ば、一般式(I)又は(I)”
に一般式(II)
してなる強誘電性液晶組成物が提供される。
(I)”で示される構造を有する化合物を少なくとも一
種、一般式(III)
に一般式(VI)
てなる強誘電性液晶組成物が提供される。
(I)”で示される構造を有する化合物を少なくとも一
種、一般式(IV)
に一般式(VI)
てなる強誘電性液晶組成物が提供される。
物を用いた強誘電性液晶素子が提供される。
び(I)”の各定義におけるRおよびR'で示さる基の
うち、炭素数1〜15の直鎖状または分枝状のアルキル
基は、メチル、エチル、プロピル、i−プロピル、ブチ
ル、i−ブチル、ペンチル、1−又は2−メチルブチ
ル、ヘキシル、1−又は3−メチルペンチル、ヘプチ
ル、1−又は4−メチルヘキシル、オクチル、1−メチ
ルヘプチル、ノニル、1−又は6−メチルオクチル、デ
シル、1−メチルノニル、ウンデシル、1−メチルデシ
ル、ドデシル、1−メチルウンデシルなどの基が挙げら
れる。なお、一般式(III)〜(VI)において、アルキル
基は、炭素鎖に不斉炭素が含まれてもよい。また、これ
らのアルキル基中の1つ以上の水素原子がフッ素原子、
塩素原子、臭素原子、シアノ基、ニトロ基、トリフルオ
ロメチル基、メトキシ基などで置換されていてもよい。
しては、例えば表1〜表2
および表2には、一般式(I)及び/又は(I)”で示
される化合物に添加することのできる他の化合物もあわ
せて記載されており、他の化合物、(I)及び(I)”
で示される化合物をあわせて一般式(I)’
は(I)”で示される化合物は、1−1および1−2、
1−11〜20である。
の工程を経て合成できる。
しては、例えば、2−(P−アルキルオキシフェニル)
−5−アルキルピリミジン、2−(P−アルキルオキシ
フェニル)−5−(P’−アルキルフェニル)−ピリミ
ジン等を用いることができる。これらの化合物は公知の
方法によって合成することができる。
としては、特開昭62-583、特開平2-316348、M. Koden,
et al., Mol. Cryst. Liq. Cryst. Lett., 6, 197(198
9).などに記載されている化合物を用いることができ
る。
しては、例えば表3に記載されている化合物を用いるこ
とができる。
程を経て合成できる。
しては、例えば(P−(P’−アルキル−トランスシク
ロヘキシル)フェニル)−P”−アルキルオキシベンゾ
エート、P−アルキルオキシフェニル−(P’−アルキ
ル)フェニル−P”−ベンゾエート等を用いることがで
きる。これらは公知の方法によって合成することができ
る。
しては、例えば表4に記載されている化合物を用いるこ
とができる。
としては、例えば表5に記載されている化合物を用いる
ことができる。
程を経て合成できる(下記式中、n,Rは一般式(VI
I)の場合と同一である)。 (ナ)一般式(VII)において、nが0、Rがメチルオ
キシ基である場合(表5(4−1)の化合物)
えば表5(4−2)、(4−5)の化合物)
えば表5(4−3)、(4−4)の化合物)
た強誘電性液晶表示に用いる液晶材料は、すでに述べた
ように室温付近を中心に広い温度範囲でカイラルスメク
チックC相を呈する必要があるのはもちろんのこと、そ
のほかにも、高速応答性、INAC(Isotropic-Nemati
c-Smectic A-Smectic C)という相系列、カイラルネマ
チック相及びカイラルスメクチックC相における長い螺
旋ピッチ、大きなチルト角、適切な誘電異方性、適切な
屈折率、適切な比抵抗などの諸条件を満たすことが必要
である。
物を作製するため、一般には、スメクチックC相を示す
低粘性のノンカイラル液晶組成物に、少量の光学活性化
合物を添加する手法が用いられている。
る化合物と一般式(II)で示される化合物を混合するこ
とによって作製することにより、INAC相系列を有
し、広い温度範囲でスメクチックC相を示し、低粘性の
ノンカイラル液晶組成物を作製することができた。
L(−)の螺旋ピッチを誘起する光学活性化合物とネマ
チック相においてR(+)の螺旋ピッチを誘起する光学
活性化合物とを組み合わせて添加することにより、高速
応答性を示す強誘電性液晶組成物を作製することができ
た。
メクチック液晶化合物または組成物に一般式(IV)で示
される化合物を添加することによって、その組成物の自
発分極を増大させ、強誘電性液晶組成物の応答を高速化
させ、かつ配向性の良い強誘電性液晶素子を得ることが
できる。
メクチック液晶化合物または組成物に一般式(III)と
(VI)で示される化合物を組み合わせて添加することに
よって、その組成物の自発分極を増大させ、強誘電性液
晶組成物の応答を高速化させ、かつ配向性の良い強誘電
性液晶素子を得ることができる。
メクチック液晶化合物または組成物に一般式(VI)と
(IV)で示される化合物を組み合わせて添加することに
よって、その組成物の自発分極を増大させ、強誘電性液
晶組成物の応答を高速化させ、かつ配向性の良い強誘電
性液晶素子を得ることができる。
れる化合物は安定なスメクチックC相を示しやすく、液
晶組成物において、スメクチックC相の広い温度範囲を
確保し、また、良好な配向性を得るために必要なINA
C相系列を実現するために有用な化合物である。
(VII)で示される化合物は光学活性化合物であり、そ
れ自身では液晶相を示さない場合も少なくないが、潜在
的に大きな自発分極を有することが期待できる。このた
め、ノンカイラル液晶組成物、ノンカイラル液晶化合
物、カイラル液晶組成物、カイラル液晶化合物などに適
量添加することにより、自発分極を増大化し、応答速度
を速める作用をする。
(VII)で示される化合物以外に、適当な構造を有する
ノンカイラル液晶化合物、光学活性化合物、イオン性物
質などを含んでいてもよい。
説明する。
た液晶素子の例を示す断面図である。
絶縁性基板、2は導電性膜、3は絶縁性膜、4は配向制
御層、5はシール材、6は強誘電性液晶、7は偏光板を
示す。
いられ、通常ガラス基板が使われる。1の絶縁性基板に
はそれぞれInO3、SnO2、ITO(Indium-Tin Oxid
e)などの導電性薄膜からなる所定のパターンの透明電
極2が形成される。
が、これは場合によっては省略できる。絶縁性膜3は例
えば、SiO2、SiNx、Al2O3などの無機系薄膜、ポ
リイミド、フォトレジスト樹脂、高分子液晶などの有機
系薄膜などを用いることができる。絶縁性膜3が無機系
薄膜の場合には蒸着法、スパッタ法、CVD(Chemical
Vapar Deposition)法、あるいは溶液塗布法などによっ
て形成できる。また、絶縁性膜3が有機系薄膜の場合に
は有機物質を溶かした溶液またはその前駆体溶液を用い
て、スピンナー塗布法、浸せき塗布法、スクリーン印刷
法、ロール塗布法などで塗布し、所定の硬化条件(加
熱、光照射など)で硬化させ形成する方法、あるいは蒸
着法、スパッタ法、CVD法などで形成したり、LB
(Langumuir-Blodgett)法などで形成することもでき
る。
れる。ただし、絶縁性膜3が省略された場合には導電性
膜2の上に直接配向制御層4が形成される。配向制御層
には無機系の層を用いる場合と有機系の層を用いる場合
とがある。
いられる方法としては酸化ケイ素の斜め蒸着がある。ま
た、回転蒸着などの方法を用いることもできる。有機系
の配向制御層を用いる場合、ナイロン、ポリビニルアル
コール、ポリイミド等を用いることができ、通常この上
をラビングする。また高分子液晶、LB膜を用いて配向
させたり、磁場による配向、スペーサエッジ法による配
向なども可能である。また、SiO2、SiNxなどを蒸
着法、スパッタ法、CVD法などによって形成し、その
上をラビングする方法も可能である。
を注入して強誘電性液晶素子とする。
グ素子として説明したが、本発明の強誘電性液晶及び液
晶素子は大容量マトリクスの表示装置に適用可能であ
り、この場合には図2の平面模式図に示すように上下基
板の配線をマトリクス型に組み合わせて用いる。このよ
うなマトリクス型液晶素子はこれまで提案されている各
種駆動法(例えば、脇田、上村、大西、大庭、古林、太
田、ナショナル テクニカル レポート、33巻、第44頁
(1987))によって駆動できる。
明はこれに限定されるものではない。
てノンカイラル液晶組成物BSC−134,137,1
50,154,155,158,160を作製した。そ
の相転移温度および組成をそれぞれ表7に示す。
製したノンカイラル液晶組成物であるが、ネマチック相
を示さず、実用に適さない。これに対して、ノンカイラ
ル液晶組成物BSC−137はBSC−134に化合物
(II)および(V)を添加したノンカイラル液晶組成物
であるが、INAC相系列を実現させることができた。
製したノンカイラル液晶組成物であり、INAC相系列
を示すが、スメクチックC相の上限温度が多少低い。こ
れに他の化合物を添加したノンカイラル液晶組成物BS
C−154およびBSC−155はINAC相系列を示
し、かつスメクチックC相の上限温度を上昇させること
ができた。
ノンカイラル液晶組成物BSC−150に化合物(II)
を添加したものであるが、INAC相系列を示し、スメ
クチックC相の上限温度もBSC−150に比べ上昇さ
せることができた。
ノンカイラル液晶組成物BSC−150に化合物(II)
および(V)を添加したものであるが、INAC相系列
を示し、スメクチックC相の上限温度もBSC−150
に比べ上昇させることができた。
ラルスメクチックC相液相組成物BSC−055を作製
した。液晶組成物BSC−055の相転移温度は表8に
示すとおりである。
BSC−055に表3〜表5に示す化合物をそれぞれ2
重量%添加して強誘電性液晶組成物を作製した。作製し
た強誘電性液晶組成物の相転移温度を表9に示す。
更にSiO2を形成し、PVA膜を塗布し、ラビングし
た。次にこの2枚のガラス基板をラビング方向が同一に
なるようにセル厚2μmで張り合わせ、作製した強誘電
性液晶組成物をそれぞれ注入した。注入後いったん液晶
組成物が等方性液体に変化する温度にセルを加熱し、そ
の後1℃/minで室温まで冷却した。配向は必ずしも
十分に良好とは言いがたいが、特性を測定することがで
きた。この強誘電性液晶素子の応答速度、自発分極の符
号、チルト角、メモリ角を測定した。結果を表7に示
す。なお、応答速度は、25℃において、±10Vの矩形波
電圧を印加したときの透過光強度変化(0→50%,0→90
%,および10→90%)に要する時間で定義した。
チの符号を調べた。調べた化合物の絶対構造、自発分極
の符号、ネマチック相において誘起する螺旋ピッチの符
号を表11にまとめた。
く、ネマチック相において誘起する螺旋ピッチの符号が
逆である化合物どうしを組み合わせてノンカイラル液晶
組成物に添加することにより、自発分極を減少させるこ
となくネマチック相の螺旋ピッチを補償することができ
る。
すノンカイラル液晶組成物、および表1〜2、表6に示
すノンカイラル化合物を用いて表12に示す強誘電性液
晶組成物を作製した。
おける螺旋ピッチを補償するように組み合わせて用い
た。
作製し、その特性を評価した。表13に評価結果を示
す。
を示し、また液晶セル中で良好な配向を示した。応答速
度も速く、実用的である。
おり、INAC相系列を有しているため配向性も良く、
室温で駆動できる大容量表示素子を得ることができる。
図。
説明図。
Claims (10)
- 【請求項1】 一般式(I)又は(I)” 【化1】 で示される構造を有する化合物を少なくとも一種、並び
に一般式(II) 【化2】 で示される構造を有する化合物を少なくとも一種を含有
してなる強誘電性液晶組成物。 - 【請求項2】 更に、一般式(IV) 【化3】 で示される構造を有する化合物を少なくとも一種含有し
てなる請求項1記載の強誘電性液晶組成物。 - 【請求項3】 更に、一般式(VI) 【化4】 で示される構造を有する化合物を少なくとも一種含有し
てなる請求項1または2記載の強誘電性液晶組成物。 - 【請求項4】 更に、一般式(V) 【化5】 で示される構造を有する化合物を少なくとも一種含有し
てなる請求項1〜3のいずれかに記載の強誘電性液晶組
成物。 - 【請求項5】 更に、一般式(VII) 【化6】 で示される構造を有する化合物を少なくとも一種含有し
てなる請求項1〜4のいずれかに記載の強誘電性液晶組
成物。 - 【請求項6】 一般式(I)又は(I)”で示される構
造を有する化合物を少なくとも一種、一般式(III) 【化7】 で示される構造を有する化合物を少なくとも一種、並び
に一般式(VI)で示される構造を有する化合物を少なく
とも一種含有してなる強誘電性液晶組成物。 - 【請求項7】 更に、一般式(II)で示される構造を有
する化合物を少なくとも一種含有してなる請求項6記載
の強誘電性液晶組成物。 - 【請求項8】 一般式(I)又は(I)”で示される構
造を有する化合物を少なくとも一種、一般式(IV)で示
される構造を有する化合物を少なくとも一種、並びに一
般式(VI)で示される構造を有する化合物を少なくとも
一種含有してなる強誘電性液晶組成物。 - 【請求項9】 等方性液体の低温側に、少なくともカイ
ラルネマチック相、スメクチックA相、およびカイラル
スメクチックC相を示すことを特徴とする請求項1〜8
のいずれかに記載の強誘電性液晶組成物。 - 【請求項10】 少なくとも絶縁性基板、導電性膜、配
向制御膜、および強誘電性液晶よりなる強誘電性液晶表
示素子において、該強誘電性液晶が請求項1〜9のいず
れかに記載の強誘電性液晶組成物であることを特徴とす
る強誘電性液晶素子。
Priority Applications (1)
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JP3226212A JP2825371B2 (ja) | 1991-09-05 | 1991-09-05 | 強誘電性液晶組成物および液晶素子 |
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