JPS6381193A - 液晶組成物 - Google Patents
液晶組成物Info
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- JPS6381193A JPS6381193A JP22573986A JP22573986A JPS6381193A JP S6381193 A JPS6381193 A JP S6381193A JP 22573986 A JP22573986 A JP 22573986A JP 22573986 A JP22573986 A JP 22573986A JP S6381193 A JPS6381193 A JP S6381193A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、カイラルスメクテイツク液晶組成物に関する
ものである。
ものである。
近年、液晶電気光学素子は、薄型・軽量・低消費電力な
どの特徴を生かして表示装置あるいは光シヤツターとし
て広く用いられるようになり次。
どの特徴を生かして表示装置あるいは光シヤツターとし
て広く用いられるようになり次。
しかしこれらの光学素子の殆んどは、ネマティック液晶
を用いたT−N型表示装置であり、高マルチプレツクス
化を必要とする応用分野ではまだまだ応答が遅く、改善
の必要が迫られている。
を用いたT−N型表示装置であり、高マルチプレツクス
化を必要とする応用分野ではまだまだ応答が遅く、改善
の必要が迫られている。
このような現状の中で注目されているのが、光学活性部
位を有するカイラルスメクチック液晶である。このカイ
ラルスメクテイツク液晶の示すE3rnC”相は強誘電
性を示し、その自発分極と電界の結合力が大きい次め、
T−N型表示装置では達成し得ない高速応答性を示すこ
とが可能である。
位を有するカイラルスメクチック液晶である。このカイ
ラルスメクテイツク液晶の示すE3rnC”相は強誘電
性を示し、その自発分極と電界の結合力が大きい次め、
T−N型表示装置では達成し得ない高速応答性を示すこ
とが可能である。
さらにSmC”相は充分に薄いセルで適切な配向制御1
に帷すことによりメモリー性を示す(C1ark5
; Anplied Phys、Lett、、
36 、 8 9 9 (1980))事が、わか
っておシ、高速液晶シャッターや、高マルチプレツクス
表示装置への材料として盛んに開発が進められている。
に帷すことによりメモリー性を示す(C1ark5
; Anplied Phys、Lett、、
36 、 8 9 9 (1980))事が、わか
っておシ、高速液晶シャッターや、高マルチプレツクス
表示装置への材料として盛んに開発が進められている。
[発明が解決しようとする問題点]
しかし、従来のカイラルスメクテイツク液晶は2μ惰程
度のセルでは、充分なメモリー性が得られず、従って表
示時のコントラスト比も充分には得られなかつ九。
度のセルでは、充分なメモリー性が得られず、従って表
示時のコントラスト比も充分には得られなかつ九。
メモリー性の充分でない液晶素子をマルチプレックス駆
動する際、非選択時に高周波バイアヌ信号を印加する事
により、メモリー状態を完全に安定化する高周波バイア
ス駆動法が用いられる。
動する際、非選択時に高周波バイアヌ信号を印加する事
により、メモリー状態を完全に安定化する高周波バイア
ス駆動法が用いられる。
そこで、本発明の目的は、上記の非選択時に高周波バイ
アス信号を印加する方法でマルチプレックス駆動する際
に、応答スピードが速く、表示時のコントラスト比の良
好なカイラルスメクテイツク液晶組成物を提供する事に
ある。
アス信号を印加する方法でマルチプレックス駆動する際
に、応答スピードが速く、表示時のコントラスト比の良
好なカイラルスメクテイツク液晶組成物を提供する事に
ある。
本発明は上記目的に基づき上記条件を満足する液晶組成
物を提供するものであり、 一般式 R7は炭素数2〜10までのアルキル基又はアルコキシ
基。
物を提供するものであり、 一般式 R7は炭素数2〜10までのアルキル基又はアルコキシ
基。
R2は炭素数2〜10までのアルキル基又はアルコキシ
基。
基。
R,Vi炭素数2〜10までのアルキル基又はアルコキ
シ基。
シ基。
R4は炭素数2〜10までのアルキル基又はアルコキシ
基。
基。
R,は炭素数2〜10までのアルキル基又はアルコキシ
基。
基。
R,ハ炭素数2〜10までのアルキル基又はアルコキシ
基。
基。
■はO又はq
nは0〜10
で表わされる事を特徴とする。
[実施例〕
第1表は本発明の液晶組成物の具体例である。
化合物(1)の例をA、Bに示す。化合物(1)は応答
の急峻性に関与するもので、その組成比が1重量係以下
では効果が発現せず、30重i%をこえると析出の可能
性がある。従って2〜20重量係が望ましい。化合物(
2)の具体例をCに示す。Cは分子長軸方向に垂直な方
向にシア1.基をもつ、負の誘電異方性が大きいフェニ
ルピリジンエステルで、高周波バイアスによるメモリー
状態の安定化に有効である。添加ik1重量幅以下では
効果があられれず、20重thtチ以上では組成物とし
ての液晶温度範囲を狭くする。従って2〜10重i%が
望ましい。化合物(3)の具体例をDに示す。DFi単
品としてのB m C”相の温度範囲が広く、従って組
成物のEmu”相の温度範囲確保に有効である。1重量
係以下では効果があられれK<<、70重量係以上では
応答速度に悪影響を及ぼす。望ましくは2〜50重量係
が有効である。
の急峻性に関与するもので、その組成比が1重量係以下
では効果が発現せず、30重i%をこえると析出の可能
性がある。従って2〜20重量係が望ましい。化合物(
2)の具体例をCに示す。Cは分子長軸方向に垂直な方
向にシア1.基をもつ、負の誘電異方性が大きいフェニ
ルピリジンエステルで、高周波バイアスによるメモリー
状態の安定化に有効である。添加ik1重量幅以下では
効果があられれず、20重thtチ以上では組成物とし
ての液晶温度範囲を狭くする。従って2〜10重i%が
望ましい。化合物(3)の具体例をDに示す。DFi単
品としてのB m C”相の温度範囲が広く、従って組
成物のEmu”相の温度範囲確保に有効である。1重量
係以下では効果があられれK<<、70重量係以上では
応答速度に悪影響を及ぼす。望ましくは2〜50重量係
が有効である。
次にこれら(1)〜(3)の化合物を混合させた本発明
の液晶組成物の実施例を示す。ベース液晶としてメルク
社製強誘電性液晶組成物ZLニー3489を用いて、上
記化合物群を添加したものの特性をもって、これらの化
合物の有効性を示す。
の液晶組成物の実施例を示す。ベース液晶としてメルク
社製強誘電性液晶組成物ZLニー3489を用いて、上
記化合物群を添加したものの特性をもって、これらの化
合物の有効性を示す。
液晶相の名称については、以下、等方性相(アイソトロ
ピック相を工80、コレステリック相をCh、スメクテ
イツクA相’kF3rnAs カイラルスメクテイツク
C相’fr:sma”、結晶相を(!rystとそれぞ
れ略記する。
ピック相を工80、コレステリック相をCh、スメクテ
イツクA相’kF3rnAs カイラルスメクテイツク
C相’fr:sma”、結晶相を(!rystとそれぞ
れ略記する。
実施例1
第2表に、本発明の液晶組成物実施例1の組成を示す。
この液晶組成物を表面にラビング処理を捲し念透明電極
を有する2枚の基板に加熱封入しセル厚が約2μ鵡とな
るように組み立て7’?電気光学素子を、互いに直交す
る2枚の偏光板の間に挾持し、第1図に示す波形で駆動
し九ところ、良好な特性が得られ次。プリンタヘッドな
ど比較的高温での使用を考え、50℃で得られた光学特
性を第3表に示す。第3表においてON時透過光量なら
びに○FF時透過光量とは、前記素子に液晶組成物を封
入していない状態で互いに平行な2枚の偏光板の間に挾
持し、基板に垂直な方向から白色光を入射した際にその
反対側で検知される光量を100%と定義し、実際に液
晶を封入したセルを互いに直交する2枚の偏光板間に挾
持して第1図に示す波形で駆動し九時のON状聾ならび
に0FIF状態における透過光tをそれぞれ百分率であ
られしたものである。応答は50μ式と速く、コントラ
スト比も充分であつ九。例えばプリンタヘッド用液晶シ
ャッターとして使用する場合、感光体の感度の関係から
0FIF時の漏れ光量が少なく、08時の絶対光量があ
るレベル以上にある、即ちコントラスト比がある値以上
であることは重要である。
を有する2枚の基板に加熱封入しセル厚が約2μ鵡とな
るように組み立て7’?電気光学素子を、互いに直交す
る2枚の偏光板の間に挾持し、第1図に示す波形で駆動
し九ところ、良好な特性が得られ次。プリンタヘッドな
ど比較的高温での使用を考え、50℃で得られた光学特
性を第3表に示す。第3表においてON時透過光量なら
びに○FF時透過光量とは、前記素子に液晶組成物を封
入していない状態で互いに平行な2枚の偏光板の間に挾
持し、基板に垂直な方向から白色光を入射した際にその
反対側で検知される光量を100%と定義し、実際に液
晶を封入したセルを互いに直交する2枚の偏光板間に挾
持して第1図に示す波形で駆動し九時のON状聾ならび
に0FIF状態における透過光tをそれぞれ百分率であ
られしたものである。応答は50μ式と速く、コントラ
スト比も充分であつ九。例えばプリンタヘッド用液晶シ
ャッターとして使用する場合、感光体の感度の関係から
0FIF時の漏れ光量が少なく、08時の絶対光量があ
るレベル以上にある、即ちコントラスト比がある値以上
であることは重要である。
また上記組成物は81110”相の上限が65.6℃と
高く、ま友、同一条件で駆動可能な温度範囲は約 □5
°であつ九。
高く、ま友、同一条件で駆動可能な温度範囲は約 □5
°であつ九。
実施例2
第4表に、本発明の液晶組成物実施例2の組成を示す。
上記実施例1と同様な方法で電気光学素子として高周波
バイアスを用い次マルチプレックス駆動をしてみた所、
光学特性は実施例1と何ら変わることなく、化合物DI
添加した効果により5DO(!”相の上限が700℃と
さらに上昇し、同一条件で駆動可能な温度範囲は約10
°に広かつ次。
バイアスを用い次マルチプレックス駆動をしてみた所、
光学特性は実施例1と何ら変わることなく、化合物DI
添加した効果により5DO(!”相の上限が700℃と
さらに上昇し、同一条件で駆動可能な温度範囲は約10
°に広かつ次。
このように、本発明の強誘電性液晶組成物は、応答が従
来のT−N液晶に比べてケタ違いに速くコントラスト比
が高く、2μm程度のセルでも、良好な光学特性を示す
ものである。
来のT−N液晶に比べてケタ違いに速くコントラスト比
が高く、2μm程度のセルでも、良好な光学特性を示す
ものである。
また、EimA相を有する液晶組成物の場合、基板間に
加熱封入し九のち、液晶分子のグイレフタ一方向?そろ
える為工80−? S m A 転移あるいはCh、−
78mA転移の際に除冷する必要があるのだが、本発明
のSmA相を持九ないCh、−PsmG”転移型の液晶
組成物に関してはその必要がなく従って封入後の行程が
簡略化できるという特徴を持つ。
加熱封入し九のち、液晶分子のグイレフタ一方向?そろ
える為工80−? S m A 転移あるいはCh、−
78mA転移の際に除冷する必要があるのだが、本発明
のSmA相を持九ないCh、−PsmG”転移型の液晶
組成物に関してはその必要がなく従って封入後の行程が
簡略化できるという特徴を持つ。
さらに本発明の液晶組成物は、セル内で等方性からEJ
mC”相へ急冷すると、きわめて細かいドメインの集合
体から成る配向状態(配向状態1)e呈する。配向状態
1を用いると、一般によく観察されコントラスト比に悪
影響を与れる線状のディスクリネーションが出K〈く、
かつ、低電圧・高速応答が可能である。
mC”相へ急冷すると、きわめて細かいドメインの集合
体から成る配向状態(配向状態1)e呈する。配向状態
1を用いると、一般によく観察されコントラスト比に悪
影響を与れる線状のディスクリネーションが出K〈く、
かつ、低電圧・高速応答が可能である。
本発明の応用としては、光液晶シャッター、高マルチプ
レツクス液晶ディスプレイなどがあげられる。
レツクス液晶ディスプレイなどがあげられる。
嘴 −〇 nΔコ
為−−第2表 組成比(重量1) メルク社製 ZLI−348992,6化合物1f)A
2.4化合物1110
5.084.8 65.6 第3表 応答速度(最小パルス巾) 50μ式%式% コントラスト比 215tilt
41 Q第4表 重量憾 メルク社製 ZLエニー489 85化合物f
il A 5化合物12
1 B 5化合物+31
0 589.7 7I10
為−−第2表 組成比(重量1) メルク社製 ZLI−348992,6化合物1f)A
2.4化合物1110
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41 Q第4表 重量憾 メルク社製 ZLエニー489 85化合物f
il A 5化合物12
1 B 5化合物+31
0 589.7 7I10
第1図は本発明に用い次駆動臥形の一例を示す図である
。 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社 第1区
。 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社 第1区
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(1) ▲数式、化学式、表等があります▼(2) ▲数式、化学式、表等があります▼(3) で表わされる各群(1)、(2)、(3)の化合物を、
少なくとも一成分含有する事を特徴とする液晶組成物。 但し、 R_1は炭素数2〜10までのアルキル又はアルコキシ
基。 R_2は炭素数2〜10までのアルキル又はアルコキシ
基。 R_3は炭素数2〜10までのアルキル又はアルコキシ
基。 R_4は炭素数2〜10までのアルキル又はアルコキシ
基。 R_5は炭素数2〜10までのアルキル又はアルコキシ
基。 R_6は炭素数2〜10までのアルキル又はアルコキシ
基。 ■は、■もしくは■_N環。 nは0〜10。 2)化合物(1)の割合が1〜30重量% 化合物(2)の割合が1〜20重量% 化合物(3)の割合が1〜10重量% であり、その組成物の相転移挙動がスメクティックA相
を通らず、等方性相→コレステリック相→カイラルスメ
クティックC相なる相転移をする事を特徴とする特許請
求範囲第1項記載の液晶組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22573986A JPS6381193A (ja) | 1986-09-24 | 1986-09-24 | 液晶組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22573986A JPS6381193A (ja) | 1986-09-24 | 1986-09-24 | 液晶組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6381193A true JPS6381193A (ja) | 1988-04-12 |
Family
ID=16834076
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22573986A Pending JPS6381193A (ja) | 1986-09-24 | 1986-09-24 | 液晶組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6381193A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4913837A (en) * | 1986-01-03 | 1990-04-03 | Merck Patent Gesellschaft Mit Beschrankter Haftung | Heterocyclic compounds |
-
1986
- 1986-09-24 JP JP22573986A patent/JPS6381193A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4913837A (en) * | 1986-01-03 | 1990-04-03 | Merck Patent Gesellschaft Mit Beschrankter Haftung | Heterocyclic compounds |
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