JPS63278993A - 液晶組成物 - Google Patents
液晶組成物Info
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- JPS63278993A JPS63278993A JP11540287A JP11540287A JPS63278993A JP S63278993 A JPS63278993 A JP S63278993A JP 11540287 A JP11540287 A JP 11540287A JP 11540287 A JP11540287 A JP 11540287A JP S63278993 A JPS63278993 A JP S63278993A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、カイラルスメクチック液晶組成物に関する。
近年、液晶電気光学素子は、薄型・＠量・低消費電力な
どの特徴を生かして表示装置あるいは光シヤツターとし
て広く用いられるようになりた。
どの特徴を生かして表示装置あるいは光シヤツターとし
て広く用いられるようになりた。
しかしこれらの光学素子の殆んどは、ネマティッり液晶
を用いたＴ−Ｎ型表示装置であり、高マルチプレツクス
化を必要とする応用分野ではまだまだ応答が遅く、改善
の必要が迫られている。
を用いたＴ−Ｎ型表示装置であり、高マルチプレツクス
化を必要とする応用分野ではまだまだ応答が遅く、改善
の必要が迫られている。
このような現状の中で注目されているのが、光学活性部
位を有するカイラルスメクチック液晶である。このカイ
ラルスメクチック液晶の示すＳｍＯ相は強誘電性を示し
、その自発分極と電界の結合力が大きいため、Ｔ−Ｎ型
表示装置では達成し得ない高速応答性を示すことが可能
である。
位を有するカイラルスメクチック液晶である。このカイ
ラルスメクチック液晶の示すＳｍＯ相は強誘電性を示し
、その自発分極と電界の結合力が大きいため、Ｔ−Ｎ型
表示装置では達成し得ない高速応答性を示すことが可能
である。
さらにＳｍＯ相は充分に薄いセルで適切な配向制御を施
すことによりメモリー性を示ス（Ｑｕａｒｋ５ ： Ａ
ｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔｔ、、３６，８９９（
１９８０））事がわかっており、？６速液晶シャッター
や、高マルチプレツクス表示装置への材料として盛んに
開発が進められている。
すことによりメモリー性を示ス（Ｑｕａｒｋ５ ： Ａ
ｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔｔ、、３６，８９９（
１９８０））事がわかっており、？６速液晶シャッター
や、高マルチプレツクス表示装置への材料として盛んに
開発が進められている。
しかし、従来のカイラルスメクチック液晶は、２μ肩程
度のセルでは、充分なメモリー性が得られず、従って表
示時のコントラスト比も充分には得られなかった。
度のセルでは、充分なメモリー性が得られず、従って表
示時のコントラスト比も充分には得られなかった。
そこで、本発明の目的は応答スピードが速く、２μｎｓ
程度のセルでも充分なメモリー性を有し。
程度のセルでも充分なメモリー性を有し。
表示時のコントラストの良好なカイラルスメクチック液
晶組成物を提供する事にある。
晶組成物を提供する事にある。
本発明は上記目的に基づき上記条件を満足する液晶組成
物を提供するものであり、 一般式 但し、 Ｒ１及びＲ２は炭素数５〜１０のアルキル又は
アルコキシ基。
物を提供するものであり、 一般式 但し、 Ｒ１及びＲ２は炭素数５〜１０のアルキル又は
アルコキシ基。
Ｒ３及びＲ４は炭素数２〜１０のアルキル又はアルコキ
シ基。
シ基。
Ｘは−ａｔもしくは−１
ｎ＝０〜１０
で表わされる事を特徴とする液晶組成物によって上記目
的を達成する物である。
的を達成する物である。
（実施例ｉ１ｔ、 ）
第−表は本発明の液晶組成物の具体例である。
液晶相の名称については、以下、等方性相（アイソトロ
ピック相）をＩＳＯ，、コレステリック相をＯｈ、、ス
メクティック人相をＳｍＡ、カイラルス＊ メクティックＣ相をＳｍＯ、結晶をＯｒｙｅ ｔ 、と
略記する。化合物（１）の例を人に示す、化合物（１）
は側鎖に光学活性中心を２つ持つフェニルピリジン化合
物で、大きな自発分極成分を示すため組成物の高速応答
化に効果がある。添加ｉ１重量−以下では効果があられ
れず、２０重ｔ％以上では高温での液晶性を悪くする。
ピック相）をＩＳＯ，、コレステリック相をＯｈ、、ス
メクティック人相をＳｍＡ、カイラルス＊ メクティックＣ相をＳｍＯ、結晶をＯｒｙｅ ｔ 、と
略記する。化合物（１）の例を人に示す、化合物（１）
は側鎖に光学活性中心を２つ持つフェニルピリジン化合
物で、大きな自発分極成分を示すため組成物の高速応答
化に効果がある。添加ｉ１重量−以下では効果があられ
れず、２０重ｔ％以上では高温での液晶性を悪くする。
従って２〜１０ｊｌｉ量％が望ましい。化合物（２）の
例をＢに示す、化合物（２）はピリジン環を含む３つの
芳香環と自発分極成分の大きな側鎖から構成される化合
物で、それ自身ＳｍＯ相の温度範囲が広く、従って組成
物の高速応答性を維持しつつ、高温でのＳｎｌ 相の
温度範囲確保に有効である。添加量１重量％以下では効
果があられれず、２０１ｉ量％以上では低温での液晶性
に悪影善を及ぼす、添加量としては２〜１５重量％が望
ましい、化合物（３）の例をＯ，Ｄ、ｌｌｉに示す、化
合物（８）は応答の急峻性に関与するもので、その組成
比が１重ｆ％以下では効果が発現せず、３０重量％をこ
えると他の化合物との相溶性が悪化し、析出する場合が
ある。望ましくは２〜２０重量％が有効である。
例をＢに示す、化合物（２）はピリジン環を含む３つの
芳香環と自発分極成分の大きな側鎖から構成される化合
物で、それ自身ＳｍＯ相の温度範囲が広く、従って組成
物の高速応答性を維持しつつ、高温でのＳｎｌ 相の
温度範囲確保に有効である。添加量１重量％以下では効
果があられれず、２０１ｉ量％以上では低温での液晶性
に悪影善を及ぼす、添加量としては２〜１５重量％が望
ましい、化合物（３）の例をＯ，Ｄ、ｌｌｉに示す、化
合物（８）は応答の急峻性に関与するもので、その組成
比が１重ｆ％以下では効果が発現せず、３０重量％をこ
えると他の化合物との相溶性が悪化し、析出する場合が
ある。望ましくは２〜２０重量％が有効である。
次にこれら（１）〜（８）の化合物を混合させた本発明
の液晶組成物の実施例を示す、ベース液晶として、メル
ク社製強誘電性液晶組成物のル、Ｔ、、−５６５４を用
い、上記化合物群を添加したものの特性をもって、これ
らの化合物の有効性、特に液晶組成物の特性向上を目的
とする添加物としての有効性を示す。
の液晶組成物の実施例を示す、ベース液晶として、メル
ク社製強誘電性液晶組成物のル、Ｔ、、−５６５４を用
い、上記化合物群を添加したものの特性をもって、これ
らの化合物の有効性、特に液晶組成物の特性向上を目的
とする添加物としての有効性を示す。
（実施例２）
第２表に、本発明の液晶組成物実施例１の組成ならびに
相転移点を示す、ＳｍＯ＊相の上限が６ａ２℃と高く、
非零に広く安定なＳｍＯ”＠Ｑ度範囲を得る事ができた
。この液晶組成物を表面にラビング処理を施した透明電
極を存する２枚の基板に加熱封入し、セル厚が約２μ虚
となるように組み立てた電気光学素子を、互いに直交す
る２枚の偏光板間に挾持し、±１５７の交流電界を印加
すると、電界の向きに応じて応答した。第３表に示す如
く、応答は３０℃に於て４２μ気と速く、コントラスト
比も１＝１０以上得られ、良好な特性を示すことが判明
した。
相転移点を示す、ＳｍＯ＊相の上限が６ａ２℃と高く、
非零に広く安定なＳｍＯ”＠Ｑ度範囲を得る事ができた
。この液晶組成物を表面にラビング処理を施した透明電
極を存する２枚の基板に加熱封入し、セル厚が約２μ虚
となるように組み立てた電気光学素子を、互いに直交す
る２枚の偏光板間に挾持し、±１５７の交流電界を印加
すると、電界の向きに応じて応答した。第３表に示す如
く、応答は３０℃に於て４２μ気と速く、コントラスト
比も１＝１０以上得られ、良好な特性を示すことが判明
した。
第２表
第３表
〔発明の効果〕
このように、本発明の強誘電性液晶組成物（礼応答が従
来のτＮ液晶に比べてケタ違いに速く、コントテスト比
が高く、２μｍｆｊ度の厚みのセルでも良好な光学特性
を示すものである。
来のτＮ液晶に比べてケタ違いに速く、コントテスト比
が高く、２μｍｆｊ度の厚みのセルでも良好な光学特性
を示すものである。
本発明の応用としては、尤液晶シャッター、高マルチプ
レツクス液晶ディスプレイなどが挙げられる。
レツクス液晶ディスプレイなどが挙げられる。
以 上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（１） ▲数式、化学式、表等があります▼（２） ▲数式、化学式、表等があります▼（３） で表わされる各群（１）、（２）、（３）の化合物をそ
れぞれ少なくとも一成分含有する事を特徴とする液晶組
成物。 但し、 Ｒ１及びＲ２は炭素数５〜１０のアルキル又はアルコキ
シ基。 Ｒ３及びＲ４は炭素数２〜１０のアルキル又はアルコキ
シ基。 Ｘは−Ｃｌをもしくは−Ｆ ｎ＝０〜１０ ２）化合物（１）の割合が１〜２０重量％ 〃 （２） 〃 １〜２０ 〃 〃 （３） 〃 １〜３０ 〃 である事を特徴とする特許請求の範囲第一項記載の液晶
組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11540287A JPS63278993A (ja) | 1987-05-12 | 1987-05-12 | 液晶組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11540287A JPS63278993A (ja) | 1987-05-12 | 1987-05-12 | 液晶組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63278993A true JPS63278993A (ja) | 1988-11-16 |
Family
ID=14661677
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11540287A Pending JPS63278993A (ja) | 1987-05-12 | 1987-05-12 | 液晶組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63278993A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01106864A (ja) * | 1987-10-21 | 1989-04-24 | Chisso Corp | 光学活性−２−ビフェニリルピリジン類 |
| EP0350510A1 (en) * | 1988-01-05 | 1990-01-17 | Chisso Corporation | Ferroelectric liquid crystal composition |
| US5571450A (en) * | 1992-09-04 | 1996-11-05 | Sony Corporation | Ferroelectric liquid crystal composition |
-
1987
- 1987-05-12 JP JP11540287A patent/JPS63278993A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01106864A (ja) * | 1987-10-21 | 1989-04-24 | Chisso Corp | 光学活性−２−ビフェニリルピリジン類 |
| JP2580205B2 (ja) * | 1987-10-21 | 1997-02-12 | チッソ株式会社 | 光学活性−２−ビフェニリルピリジン類 |
| EP0350510A1 (en) * | 1988-01-05 | 1990-01-17 | Chisso Corporation | Ferroelectric liquid crystal composition |
| US5021190A (en) * | 1988-01-05 | 1991-06-04 | Chisso Corporation | Ferroelectric liquid crystal composition |
| US5571450A (en) * | 1992-09-04 | 1996-11-05 | Sony Corporation | Ferroelectric liquid crystal composition |
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