JPH01134939A - 半導体装置 - Google Patents
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- JPH01134939A JPH01134939A JP62293366A JP29336687A JPH01134939A JP H01134939 A JPH01134939 A JP H01134939A JP 62293366 A JP62293366 A JP 62293366A JP 29336687 A JP29336687 A JP 29336687A JP H01134939 A JPH01134939 A JP H01134939A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、樹脂封止半導体装置内の半導体チップの保持
構造を改良した半導体装置に関する。
構造を改良した半導体装置に関する。
従来、この種の半導体装置は、第3図に示す如き構造の
ものが一般的であった。第3図(a)は透視正面図、第
3図(b)は断面図である。
ものが一般的であった。第3図(a)は透視正面図、第
3図(b)は断面図である。
この従来の半導体装置31は、半導体チップ32をリー
ドフレームのタブ33の上に、ろう材又はAgペースト
等の接着材34で固着させ、半導体チップ32の電極3
5とそれに対応するリードフレームの内部リード37に
Au線等のボンディングワイヤ36で結合する。そして
、圧入形成方法によって、樹脂を封止して半導体装21
31が形成されている。この従来の半導体装2131は
、半導体チップ32をタブ33に固着する時、接着材3
4に例えば、ろう材を用いた場合、半導体チップ32と
タブ33との接合具合によっては、溶けたろう材が冷却
した後も、熱ひずみの残存によって、半導体チップ32
が破損する場合があって、信頼性に欠けるという問題が
あった。そこで、この様な問題を解決するために、半導
体チップ32を搭載するタブ33を除去した半導体装l
が実現している。この半導体装置41は、第4図(a)
の透親子面図、第4図(b)の断面図に図示するように
、タブなしリードフレームに、半導体チップ42の電極
45と、内部リード47をAu線等のポンディングワイ
ヤ46でのみ結合固定して、樹脂で封止するものである
。
ドフレームのタブ33の上に、ろう材又はAgペースト
等の接着材34で固着させ、半導体チップ32の電極3
5とそれに対応するリードフレームの内部リード37に
Au線等のボンディングワイヤ36で結合する。そして
、圧入形成方法によって、樹脂を封止して半導体装21
31が形成されている。この従来の半導体装2131は
、半導体チップ32をタブ33に固着する時、接着材3
4に例えば、ろう材を用いた場合、半導体チップ32と
タブ33との接合具合によっては、溶けたろう材が冷却
した後も、熱ひずみの残存によって、半導体チップ32
が破損する場合があって、信頼性に欠けるという問題が
あった。そこで、この様な問題を解決するために、半導
体チップ32を搭載するタブ33を除去した半導体装l
が実現している。この半導体装置41は、第4図(a)
の透親子面図、第4図(b)の断面図に図示するように
、タブなしリードフレームに、半導体チップ42の電極
45と、内部リード47をAu線等のポンディングワイ
ヤ46でのみ結合固定して、樹脂で封止するものである
。
しかし、このような従来のタブなしリードフレームを使
用した半導体装置は、半導体チップがポンディングワイ
ヤだけの保持力によって支えられているために、特に、
少数のポンディングワイヤの場合(20ピン以下)、樹
脂で封止する際に、その樹脂の注入力によって半導体チ
ップが正規の所定の位置より移動して、半導体チップの
上面のエツジにポンディングワイヤが接触したり、又は
、ポンディングワイヤが切れたりする場合があって、生
産性及び信頼性が著しく低下するという問題があった。
用した半導体装置は、半導体チップがポンディングワイ
ヤだけの保持力によって支えられているために、特に、
少数のポンディングワイヤの場合(20ピン以下)、樹
脂で封止する際に、その樹脂の注入力によって半導体チ
ップが正規の所定の位置より移動して、半導体チップの
上面のエツジにポンディングワイヤが接触したり、又は
、ポンディングワイヤが切れたりする場合があって、生
産性及び信頼性が著しく低下するという問題があった。
本発明の目的は上記の問題に鑑み、半導体装置の生産性
及び信頼性を向上させる半導体チップを搭載するタブを
保有しない樹脂M1.l:半導体装とを提供するもので
ある。
及び信頼性を向上させる半導体チップを搭載するタブを
保有しない樹脂M1.l:半導体装とを提供するもので
ある。
本発明の半導体装置は、半導体チップに該半導体チップ
の電極以外に該半導体チップを支持する支持用電極を設
けるとともに、電極リードの他に専用の支持用リードを
設け、該支持用リードと前記支持用電極とをポンディン
グワイヤで結線結合するようにしたものである。
の電極以外に該半導体チップを支持する支持用電極を設
けるとともに、電極リードの他に専用の支持用リードを
設け、該支持用リードと前記支持用電極とをポンディン
グワイヤで結線結合するようにしたものである。
本!5?!明は、半導体チップに設けられた支持用電極
と、支持用リードとの間をワイヤで結線結合されるので
、半導体チップを保持するワイヤ数がその分増し、半導
体チップを保持する力が増大して、樹脂の封入時の注入
力による半導体素子の移動がなくなる。
と、支持用リードとの間をワイヤで結線結合されるので
、半導体チップを保持するワイヤ数がその分増し、半導
体チップを保持する力が増大して、樹脂の封入時の注入
力による半導体素子の移動がなくなる。
以下に、本発明の半導体装置の実施例を図面を参照して
説明する。第1図は、本発明の第1実施例で、第1図(
a)は透視平面図で、第1図(b)は第1図中A−A’
断面図である0図において、11は半導体装置で、12
は半導体チップで、15は電極で、16はポンディング
ワイヤ、17は内部リード、18は支持用電極、19は
支持用リードである。半導体素子12の四隅に設けた4
個の支持用電極18は、電極15と同時に形成する。ま
た、支持用り−ド19は、内部リード17と接触しない
ように、かつ、支持用電極18の近傍に位置するように
、リードフレームの四隅から対角線上に形成しである。
説明する。第1図は、本発明の第1実施例で、第1図(
a)は透視平面図で、第1図(b)は第1図中A−A’
断面図である0図において、11は半導体装置で、12
は半導体チップで、15は電極で、16はポンディング
ワイヤ、17は内部リード、18は支持用電極、19は
支持用リードである。半導体素子12の四隅に設けた4
個の支持用電極18は、電極15と同時に形成する。ま
た、支持用り−ド19は、内部リード17と接触しない
ように、かつ、支持用電極18の近傍に位置するように
、リードフレームの四隅から対角線上に形成しである。
そして、リードフレームの中央部に半導体チップ12を
配置しておいて、Au線(φ30pm)のポンディング
ワイヤ16で、順次電極15と内部リード17及び、支
持用電極18と支持用リード19間をポンディングを行
なうことで、半導体チップ12が結線固定される。そし
て、従来通り樹脂M止を行ない、半導体装置11を構成
する。
配置しておいて、Au線(φ30pm)のポンディング
ワイヤ16で、順次電極15と内部リード17及び、支
持用電極18と支持用リード19間をポンディングを行
なうことで、半導体チップ12が結線固定される。そし
て、従来通り樹脂M止を行ない、半導体装置11を構成
する。
次に、ピンが非常に少ない半導体装置に本発明を適用し
た第2実施例を第3図(a)の透視平面図、(b)の断
面図(A−A’)を参照して説明する0図からも明らか
なように、この実施例の半導体チップ22のピンは、極
めて少ない4ピンの場合で、半導体素子22の四隅にそ
れぞれ2の支持用電極28が設けてあり、対応する支持
用リード29にポンディングワイヤ26でそれぞれ結合
しである。このようにして、ポンディングワイヤ26の
数を増やし、半導体素子22を保持する力を増大させて
いる。
た第2実施例を第3図(a)の透視平面図、(b)の断
面図(A−A’)を参照して説明する0図からも明らか
なように、この実施例の半導体チップ22のピンは、極
めて少ない4ピンの場合で、半導体素子22の四隅にそ
れぞれ2の支持用電極28が設けてあり、対応する支持
用リード29にポンディングワイヤ26でそれぞれ結合
しである。このようにして、ポンディングワイヤ26の
数を増やし、半導体素子22を保持する力を増大させて
いる。
特に、少数のピンの割りに、半導体素子22のサイズが
大きい場合に非常に有効である。
大きい場合に非常に有効である。
以上、2つの実施例を説明したが、共に支持用電極18
.28を半導体素子12.22のコーナ部分に設けた場
合で説明したが、その位置及びその個数は、適宜任意に
選択できる。
.28を半導体素子12.22のコーナ部分に設けた場
合で説明したが、その位置及びその個数は、適宜任意に
選択できる。
また、支持用電極18.28と支持用リード19.29
を結線するポンディングワイヤ16.26の直径や強度
を他の電極のポンディングワイヤと変えて、支持力をさ
らに強化できることは言うまでもない。
を結線するポンディングワイヤ16.26の直径や強度
を他の電極のポンディングワイヤと変えて、支持力をさ
らに強化できることは言うまでもない。
以上説明したように、本発明の半導体装置は、半導体チ
ップに設けた支持用電極と、リードフレームの支持用リ
ードとの間をポンディングワイヤで結線結合するので、
ポンディングワイヤの数が増し、半導体チップの保持力
が増大して、樹脂對入時に注入力によって半導体チップ
が移動しなくなって、半導体チップの上面のエツジにポ
ンディングワイヤが接触したり、又は、ポンディングワ
イヤが切れるような事故が生ずることがなく、生産性及
び信頼性が向上するという優れた効果がある。
ップに設けた支持用電極と、リードフレームの支持用リ
ードとの間をポンディングワイヤで結線結合するので、
ポンディングワイヤの数が増し、半導体チップの保持力
が増大して、樹脂對入時に注入力によって半導体チップ
が移動しなくなって、半導体チップの上面のエツジにポ
ンディングワイヤが接触したり、又は、ポンディングワ
イヤが切れるような事故が生ずることがなく、生産性及
び信頼性が向上するという優れた効果がある。
第1図は本発明の第1実施例の透視平面図およびA−A
’断面図、第2図は本発明の第2実施例の透視平面図お
よびA−A’断面図、第3図はタブのある従来例の透視
平面図およびA−A′断面図、第4図はタブなしの従来
例の透視平面図およびA−A’断面図である。 11.21,31.41・・・半導体装置、12.22
,32.42・・・半導体チップ、33・・・タブ、 34・・・接着材、 15.25,35.45・・・電極、 16.26,36.46・・・ポンディングワイヤ、1
7.27,37.47・・・内部リード。 18.28・・・支持用電極。 19.29・・・支持用リード。 特許出願人 日本電気株式会社 代理人 弁理士 内 原 晋第1図 16ボ゛ンテ゛≧ングワイヤ 18曳梓出!+動 第2図 第3図 第4図
’断面図、第2図は本発明の第2実施例の透視平面図お
よびA−A’断面図、第3図はタブのある従来例の透視
平面図およびA−A′断面図、第4図はタブなしの従来
例の透視平面図およびA−A’断面図である。 11.21,31.41・・・半導体装置、12.22
,32.42・・・半導体チップ、33・・・タブ、 34・・・接着材、 15.25,35.45・・・電極、 16.26,36.46・・・ポンディングワイヤ、1
7.27,37.47・・・内部リード。 18.28・・・支持用電極。 19.29・・・支持用リード。 特許出願人 日本電気株式会社 代理人 弁理士 内 原 晋第1図 16ボ゛ンテ゛≧ングワイヤ 18曳梓出!+動 第2図 第3図 第4図
Claims (1)
- 半導体チップを搭載するタブを保有しない樹脂封止半
導体装置において、半導体チップに該半導体チップの電
極以外に該半導体チップを支持する支持用電極を設ける
とともに、電極リードの他に専用の支持用リードを設け
、該支持用リードと前記支持用電極とをボンディングワ
イヤで結線結合することを特徴とする樹脂封止半導体装
置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62293366A JPH01134939A (ja) | 1987-11-19 | 1987-11-19 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62293366A JPH01134939A (ja) | 1987-11-19 | 1987-11-19 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01134939A true JPH01134939A (ja) | 1989-05-26 |
Family
ID=17793854
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62293366A Pending JPH01134939A (ja) | 1987-11-19 | 1987-11-19 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01134939A (ja) |
-
1987
- 1987-11-19 JP JP62293366A patent/JPH01134939A/ja active Pending
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