JPH01124848A - 画像形成方法 - Google Patents

画像形成方法

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JPH01124848A
JPH01124848A JP62086731A JP8673187A JPH01124848A JP H01124848 A JPH01124848 A JP H01124848A JP 62086731 A JP62086731 A JP 62086731A JP 8673187 A JP8673187 A JP 8673187A JP H01124848 A JPH01124848 A JP H01124848A
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    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はポジのフォトレジストを用いて画像を形成する
方法、該方法に有用な感光性組成物、並び（前記方法に
より形成された画像をささえ　　′る支持体く関するも
のである。
〔従来の技術及び発明が解決しようとする問題点〕
、ポジの７オトレジストｌｊ−用いた画像の形成にオイ
て、化学線に暴露した部分のフォトレジストは現像液に
対して、暴露していない部分より溶解性になるか、少な
くとも現像液によってよシ容易く除去できる様にな−る
。暴露していない部分はそのまｔＫして、所望の暴露部
分を現像液で除去することによシ、ポジの画像が形成さ
れる。
市販のポジのフォトレジスト組成物は、通常フィルム形
成有機材料に加えて、化学線に暴露することによシ分解
して窒素を放出し、インデンカルボン酸を形成する０−
ナフトキノンジアジドを含有している。フィルム形成有
機材料は、通常アルカリ溶解性フェノールホルムアルデ
ヒドノボラック樹脂である。そのアルカリ水溶液への溶
解はナフトキノンジアジドによシ抑制される：しかしな
がら、化学線照射部分のジアジドが分解すると、その溶
解性抑制剤としての効力が減少し、被膜の暴露した部分
の塩基性現像液に対する溶解性が暴露していない部分よ
シ大きくなる。しかしながら、キノンジアシドは熱に対
して不安定なため、化学線から保護されている部分でも
適度に上昇した温度で分解し、形成した画像の質が低下
するので、完全に満足できるものとは言えない。さらＫ
これらのジアジドが溶解抑制剤として有効であるために
は比較的大きな比率で使用しなければならない。これら
のジアジドは紫外部の好ましい波長で強く・吸収するの
で、これらを含有する組成物は紫外部における照射を比
較的透過しＫ〈〈、輻射線が被膜中に深く透過すること
ができないので、深部、例えば基体との境界部は現儂さ
れ得ない。
、ヨーロッパ特許ＢＰ−Ａ−０第１６６６８２号明細書
には、フィルム形成性有機材料とスルホネートエステル
基１：嘔さえる炭素原子に対してアルファ又はベータ位
にカルボニル基を有する芳香族アルコールのスルホネー
トエステルか、又はアミド若しくはイきドのＮ−スルホ
ニルオキシ誘導体とを含む組成物を使用するポジ画像の
形成が記載されている。前記ヨーロッパ特許ＥＰ−Ａ−
０第１６６６８２号明細書に記載された所望特性を有す
るが、しかしよシ高い感度を示し、従って更に迅速な画
像形成を促進する画像形成方法及び組成物が望まれてい
る。
水性塩基性清媒に溶けるフィルム形成材料と混合した場
合、芳香族オキシムスルホネートは前記溶媒へのフィル
ム形成材料の溶解速度を減少させるが、この効果は混合
物を化学線に暴露することによって無効にすることがで
きることが今や明らかとなった。更に前記混合物からな
る組成物を化学線によって画像化する場合、水性塩基性
現像液への組成物の溶解性は！露された部分において急
速に増大し、現像後曵好な画像を与えることが判った。
〔問題点を解決するための手段〕
したがって、本発明の目的の１つは （リ　基体上に支持でれた （２）　フィルム形成性有機材料と。
■　次式夏： で表ワされるオキシムスルホネート基の少なくとも１つ
及び芳香族基の少なくとも１つを有する感光性物質との
混合物からなる組成物の層’２６らかしめ決められたパ
ターンで化学線に暴露し、それによって暴露された部分
の組成物を暴露されていない部分の組成物よりも塩基性
現像液に溶解性にし、そして （１）　　暴露した部分の組成物を水性塩基性現像液で
処理することによシ除去することからなる画像形成方法
を提供することにある。
本発明の別の目的は。
（８）　フィルム形成性有機材料と、 （均　次式■： ＼Ｃ−Ｎ−０−８０．−　　　　　　　１で表わされる
オキシムスルホネート基の少すくとも１つ及び芳香族基
の少なくとも１つを有し、実質的に（５）と反応する基
を含まない感光性物質との混合物からなシ。
（Ｂ）の添加によ）加熱、又は化学線への暴露によって
重合する物質を実質的に含まない、本発明の方法を実施
するために適する感光性組成物を提供することＫある。
感光性物質（ハ）において１式■中の表示された炭素原
子と硫黄原子は通常各々炭素原子に結合しているけれど
も、硫黄原子は窒素原子に結合してもよい。炭素原子又
は硫黄原子のどちらかは芳香族ｍを含む基に結合しなけ
ればならず、この芳香族環は炭素環式又は複素環式芳香
族環であってよい。好ましくは、炭素原子と硫黄原子は
各々前記芳香族ａを含む基に結合している。
物質（Ｂ）は通常式Ｉで表わされる基を１つ又は２つ有
する。
式ｌで表わされる基を有する適するオキシムスルホネー
ト（均は通常次式Ｉ： （Ｒ１−（ＣＯ）ｍ　−ｃ　（几”）＝Ｎ−０−８０．
＋、Ｒ３１〔式中、 Ｒ１は炭素原子２０個までを有する一価脂肪族、炭素環
式、複素環式又は芳香脂肪族基を表わし。
Ｒ２は基Ｒ１又は非置換若しくは置換アミノ基を表わす
か、又は几ｌとＢ２がそれらが結合している炭素原子と
一緒になって、炭素原子２０個までを有する炭素環式又
は複素環式基を形成し。
Ｒ３は炭素原子４０個までを有する０価脂肪族、炭素環
式、複素環式基又は非置換若しくは置換アミノ基を表わ
し、 但し、Ｒ１１、Ｒ＋”及びＲ３の少なくとも１つは炭素
環式芳香族又は複素環式芳香族基を含み、ｍは０又＃′
ｉ１であり、そして ｎは１又は２である。〕で表わされるものである。
式葺で表わされる好ましい実施態様において。
Ｒ１が炭素原子数１ないし１２のアルキル基、炭素原子
数１ないし４のハロアルキル基、炭素原子数２ないし６
のアルケニル基、炭素原子数５ないし１２のシクロアル
キル基、非置換又は以下の群：ハロゲン原子、炭素原子
数１ないし１６のアルキル基、炭素原子１ないし４のア
ルコキシ基、炭素原子１ないし４のアルキルチオ基、フ
ェニル基、フェノキシ基、フェニルチオ基又はニトロ基
から選ばれた置換基の１つ又はそれよシ多くによって置
換された炭素原子数６ないし１０のアリール基を表わし
、又はＲ１はフリル基、チエニル基、テトラヒト°ロフ
ルフリルー基、炭素原子数７ないし１２のアルアルキル
基、炭素原子数１ないし８のアルコキシ基、炭素原子数
５ないし８のシクロアルキル基、フェノキシ基又はシア
ノ基を表わし。
■ｔｚが基几１又は炭素原子数２ないし６のアルカノイ
ル基、ベンゾイル基、炭素原子数２ないし５のアルコキ
シカルボニル基、フェノキシカルボニル基、　−Ｎ　（
Ｒ４）　（Ｒ，Ｓ）基、モルホリノ基又はピペリジノ基
を表わすか、又はＲ１とＨ，ｚがそれらが結合している
炭素原子と一緒になって、５ないし８員環又はベンゾ基
１つ又は２つと結合した５ないし８員環全形成し、 Ｒ４が水素原子、炭素原子数１表いし１２のアルキル基
、フェニル基、炭素原子数２ないし６のアルカノイル基
又はベンゾイル基を表わし、そして Ｒ５が水素原子、炭素原子数１ないし１２のアルキル基
又はシクロヘキシル基を表わｔ。
アルキル基としてのＲ１，ル”、Ｒ４及びＨｓは直鎖又
は分岐鎖アルキル基でおってよく、そして表示された炭
素原子の数に応じて、例えばメチル基、エチル基、プロ
ピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、第二ブチル基
、第三ブチル基、ｎ　−ヘｙ　ｆ　ル基、４ソアミル基
、ｎ−ヘキシル基、２−エチルブチル基、ｎ−オクチル
基、２−エチルヘキシル基、ｎ−デシル基又１ｒｉｎ−
ドデシル基であってよい。
炭素原子数１ないし４のハロアルキル基としてのＲ１又
は几２は、・例えばクロロメチル基、トリクロロメチル
基、トリフルオロメチル基又は２−ブロモプロピル基で
あってよい。
シクロアルキル基としてのＲ１及びＨ，ｘは、例えばシ
クロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基
又はシクロドデシル基であってよい。
非置換又は置換アリール基としてのＲ，１及びＲ２は、
例、ｔばフェニル基、４−フルオロフェニル基、４−ク
ロロフェニル！、２．４−ジクロロフェニル基、２．６
−ジクロロフェニル基、ｐ−トリルｆｉ、２．４−ジメ
チルフェニル基、４−イソプロピルフェニル基、４−第
三プチルフエニル基、４−ドデシルフェニル基、ｌ　４
−メトキシフェニル基、４−ブトキシフェニル基、４−
フェノキシフェニル基、４−ビフェニリル基。
３−二トロフェニル基、１−又ａ２−ナフチル基、５−
クロロ−１−ナフチル基、６−７’ロモー２−ナフチル
基、４−ニトロ−１−ナフチル基又は６−メドキシー２
−ナフチル基であってよい。フリル基又はチエニル基と
しての几ｌは好ましくは２−フリル基又は２−チエニル
基である。
アルアルキル基としてのＢｔ及び几２は、例えばへｙ　
’；　／’　基％　１−又は２−フェニルエチル基、３
−フェニルプロピル基、２−フェニルイソフロビル基、
２−フェニルヘキシル基又はナフチルメチル基であって
よい。
アルコキシ基としての几ｌ又はＲ２は好ましくはメトキ
シ基又はエトキシ基であシ、シクロアルコキシ基として
の几１又は几２は好ましくはシクロヘキシルオキシ基で
チシ、アルコキシカルボニル基としてのＲ２は好ましく
はメトキシカルボニル基又はエトキシカルボニル基でア
ル。１１トＲ１がそれらが結合している原子と一緒にな
って５又は８員環を形成する場合は、これらは炭素環式
又は複素環式環、例えばシクロペンタン、シクロヘキサ
ン、シクロヘプタン、ビラン又は。ピペリジン環であっ
てよい。この環は又ベンゾ基に結合していてもよく、こ
の例としてはテトラヒドロナフタレン、ジヒドロアント
ラセン、インデン、クロマン、フルオレン、キサンチン
又はチオキサンチン環系が挙げられる。この環は又カル
ボニル基を含んでもよい；この例としてはシクロヘキサ
ンジェノン、ナフタレノン及びアントロン環系が挙げら
れる。
式Ｉの更に好ましい実施態様においては、ｎが１でおシ
１ ．１１が炭素原子数１ないし６のアルキル基、炭素原子
数１ないし４のハロアルキル基、非置換又は塩素原子、
炭素原子数１ないし４のアルキル基、炭素原子数１ない
し４のアルコキシ基又はニトロ基からなる群から選ばれ
た置換基１個又は２個によって置換されたフェニル基を
表わすか、又は２−フリル基、２−チエニル基、炭素原
子数１ないし４の１ルコキシ基又はシアン基を表わし、
そして Ｒ２が基Ｒ１又はジアルキルアミノ基又はモルホリノ基
を表わすか、又はＲ１と几３がそれらが結合している原
子と一緒になってベンゾ基１個又は２個に結合していて
よい５又は６員Ｈ４′ｆｔ表わす。
弐皿の特に好ましい実施態様においては、ｎが１で６９
、 Ｒ１が炭素原子数１ないし４のアルキル基、トリフルオ
ロメチル基、フェニル基、クロロフェニル基、ジクロロ
フェニル基又はメトキシフェニル基を表わし、 Ｒ２が基凡五又はシアノ基を表わし、Ｒ１と凡８の少な
くとも１つがフェニル基又は置換フェニル基を表わすか
、又はＲ１とｋＬｌ・がそれらが結合している炭素原子
と一緒になってインダン、フルオレン、テトラヒドロナ
フタレン、アントロン又はジヒドロアントラセン環系を
表わす。
式ｌにおいては　Ｂｓがアルキル基、アルキレン基、シ
クロアルキル基、シクロアルキレン基。
アリール基、アリーレン基、アルアルキル基又はアルア
ルキレン基を表わし、これらのいずれも−〇−基、−８
−基又は−ＮＲ５−基によって中断されていてもよく、
そしてこれらのいずれも非置換又はハロゲン原子、アル
キル基、ハロアルキル基、アミノアルキル基、アルコキ
シ基、アリールオキシ基、アシル基、アシルオキシ基。
アルアシル基、アルアシルオキシ基、ヒドロキシル基、
カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アルキル−
ＣＯＮＨ−基、フェニル−ＣＯＮＨ−基、Ｈ，Ｎ−基、
アルキルーＮＨ−基、ジアルキル−Ｎ−基又はニトロ基
によって置換されていてよく；又はＲ３は非置換又は置
換アミノ基を表わし：そしてＢｓは水素原子、炭素原子
数１ないし１２のアルキル基又はシクロヘキシル基を表
わす。
それ故、式Ｉで表わされる適する化合物は、式中。
ｎが１でらシ、そしてＲ３が炭素原子数１ないし１８の
アルキル基；非置換又はハロゲン原子。
炭素面子数１ないし１６のアルキル基、炭素原子数１な
いし４のハロアルキル基、炭素原子数１ないし４のアミ
ノアルキル基、炭素原子数１ないし４のアルコキシ基、
炭素原子数１ないし４のアルキルカルボニル基、炭素原
子数１ないし４のアルキルカルボニルオキシ基、ペン’
／（ル基、ベンゾイルオキシ基、ヒドロキシル基。
カルボキシル基、炭素原子数１ないし４のアルコキシカ
ルボニル基、炭素原子数１ないし４のアルキル−ＣＯＮ
Ｈ−基、フェニルーＣＯＮＨ−基。
Ｈ，Ｎ−基、炭素原子数１ないし４のアルキル−ＮＨ−
基、ジ（炭素原子数１ないし４のアルキル）−Ｎ−基又
はニトロ基によって置換された炭素原子数６ないし１０
の了り−ル基を表わすか：又はＲ３が炭素原子数５ない
し１２のシクロアルキル基；炭素原子数７ないし９のア
ルアルキル基；トリフルオロメチル基；又はトリクロロ
メチル基を表わすか；又は ｎが２であシ、セしてＲ３が炭素原子数２ないし１２の
アルキレン基、炭素原子数６ないし１５のアリーレン基
又は炭素原子数７ないし１２のアルアルキレン基を表わ
し、それらのうちのいずれかは非置換又は炭素原子数１
ないし１６のアルキル基、ハロゲン原子、又は水酸基に
よりて置換されておシ、そしてこれらのうちのいずれも
−〇−基、−８−基若しくは−ＮＢ、５−基によって中
断でれていてもよい化合物である。
７　ル＊　ル基、ハロアルキル基、アルコキシ基。
シクロアルキル基又はアルアルキル基トシての几１は、
　Ｒ１とＨｚに対して各々記載された基のいずれかで６
ってよい。置換及び／又は中断されたアルキル基として
のＲ３は以下の基のうちの１つで６つてよいニーＣｌ、
ＯＨ，ＯＨ基、−ＣＨ２ＣＨ，ＮＨ。
基、−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ，ＯＨ基、−ＣＨ，ＣＨ
，ＯＣＨ３基。
−Ｃ）Ｉ、ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ，ＯＨ基、　−ＣＨ，Ｃ
Ｂ、８　ＣＨ２ＣＨ，ＯＨ基又は−ＣＨ，ＣＨ，ＮＨＣ
Ｈ，ＣＨ，ＮＨ，基。
非置換又は置換アリール基としてのＲ３は、非置換又は
置換アリール基、４−クロロメチルフｚ　＝　ｂ基、４
−７’ロモメチルフェニルｆｔ、４−アミノメチルフェ
ニル基、４−アセチルフエニ＃基％　　４−アセチルオ
キシフェニル基、４−ヒドロキシフェニル基、２．５−
ジヒドロキシナフチル基、４−カルボキシフェニル基、
５−カルボキシフェニル基％　３．４−ジカルボキシフ
エニ／Ｌ’ｉ％　　４−カルボキシメトキシフェニル基
、４−メトキシカルボニルフェニル基、３−エトキシカ
ルボニルフェニル基、４−メチルカルボニルフェニル！
、４−７ミノフエニルｉ４−メチルアミノフェニル基又
は４−ジメチルアミノフェニル基のよりな几１とＢｘに
対して述べられた基のうちのいずれかであってよい。
所望により中断式れ且つ置換されたアルキレン基として
のＲ３は直鎖又は分岐鎖アルキレン基。
例、ｔｔｆエチレン基、１．２−プロピレン基、１゜３
−プロピレン基、テトラメチレン基、ヘキサメチレン基
、オクタメチレン基、−ＣＨ２０Ｈ２０ＣＨ。
ＣＨ，−基、　−ＣＨ，ＣＨ，ＯＣＨ，ＣＨ（ＯＨ）Ｃ
Ｈ，−基、　−Ｃ）ｌ。
ＣＨ，ＳＣＨ，ＣＨ，−基又は−ＣＨ，ＣＨ，ＮＨＣＨ
，ＣＨ，−基であってよい。
所望により置換されたアリーレン基としてのＲ３は、１
．３−フェニレン基、１．４−フェニレン基、２−メチ
ル−１，３−フェニレン基、５−クロロ−１，２−フェ
ニレン基、６−ヒドロキシ−１，３−フェニレン基、４
．４′−ジフェニレン基、オキシ−４，４′−ジフェニ
レン基。
オキシ−４，４′−ジヒドロキシ−３，３′−ジフェニ
レン基、１＊ａ−ナフチレン４，２．７−ナフチレン基
、１．３−ナフチレン基、７−りｏａ−１，４−ナフチ
レン、ｆｔ、５．８−ジヒドロキシ−１，４−ナフチレ
ン基、メチレンビスフェニレン基、又はイノプロビリデ
／ビスフェニレン基であってよい。
所望により置換されたアルアルキレン基としてのＲ３は
、　−ｐ　−ＣＨ２−Ａｒ−基、−ｐ　−ＯＨ，ＣＨ，
ＯＣＨ！−Ａｒ−基、　−ｐ　−ＣＨ２０Ｈ２０−Ａｒ
−基、−ｐ−ＣＨ２−Ａｒ　−ＣＨ２−基又は−ｐ−Ｃ
Ｈ２ＣＨ（ＯＨ）　ＣＨｚＯ−Ａｒ　−基（前記各式中
、Ａｒはベンゼン環を表わす）であってよい。
好ましくは、式Ｉ中ｎは１であり、そしてＲ３は炭素原
子数１ないし１２のアルキル基、又は非置換又はハロゲ
ン原子、炭素原子数１ないし１６のアルキル基又はヒド
ロキシル基、特に好ｔ　Ｌ＜ｔｉ４−クロロフェニル基
％　４−）　リル基及び４−ドデシルフェニル基によっ
て置換されたフェニル基を表わす。
特に好ましい代置で表わされる化合物は式中。
Ｒ１と几２のうちの一方がフェニル基又は４−メトキシ
フェニル基を表わし、そして他方がシアノ基を表わすか
又は部とＲ：がそれらが結合している炭素原子と一緒に
なってフルオレン又はアンスロン環系を形成し、 Ｒ”２＞ｉ　４−　トＩＪル基、４−クロロフェニル基
又は４−ドデシルフェニル基１ｔ）Ｌ、 ｍが０であシ、そして ｎが１である化合物である。
式中、ｍ＝ｏ及び１ｌ＝ｊである代置で表わされる特に
好ましい化合物の例としては、α−（４−トルエンスル
ホニルオキシイξ））ベンジル　シフ　＝　Ｙ　（Ｒ１
＝　ｙ　ｘ、　ニア１／基、Ｒ”＝　−ＯＮ　基、Ｂ、
５＝４−）　＋３ル基）、α−（４−クロロベンゼンス
ルホニルオキシイミノ）ベンジル　シアニド（Ｒ１＝フ
ェニル差、１ｇ＝−ＣＮ基、Ｒ”：４−クロロフェニル
基）、α−（４−ドデシルベンゼンスルホニルオキシイ
ミノ）ベンジル　シアニド（Ｒ”＝　７　工ｇ　Ｊ／　
基、Ｒ”＝　−ＣＮ　基、　Ｒ”：＝　４−　）’テシ
ルフェニル基）、α−（（４−）ルエンスルホニルオキ
シイεノ）−４−メトキシフェニルコアセトニトリル（
３１＝　４−メトキシフェニル基。
Ｒ１＝−ＣＮｆｔ、　Ｒ１＝　４−トリル基）、９−（
４−ドデシルベンゼンスルホニルオキシイξ））フルオ
レン（Ｒ１とＲ２はそれらが結合している炭素原子と一
緒になってフルオレン環系を形成し、そしてＲ８＝４−
ドデシルフェニル基）、及ヒα−（（ドデシルベンゼン
スルホニルオキシイミノ）−４−メトキシフェニルコア
セトニトリル（Ｂｔ−４−メトキシフェニル基、Ｒ”＝
−ＣＮ基、Ｒ３＝４−ドデシルフェニル基）が挙げられ
る。
弐鷹で表わされる化合物は好ましくは次式■で表わされ
るオキシムと次式■： Ｒ”−（Ｃｏ）ｍ−Ｃ（几り＝ＮＯＨ＋　（ＣＩＳ０８
＋Ｆｒ−Ｒ２Ｈｆｆ 〔式■及び■中’　Ｒ”　ｅ　Ｒ１、Ｂ、ｓ　、　ｍ及
びｎは上記において定義されたものと同じ意味を表わす
〕で表わされるスルホニルクロリドとを反応場せること
によって製造することができる。
この反応は通常第三アミン存在下で不活性有機溶媒中で
行われる。基Ｒ８が官能基例えばカルボキシル基、ヒド
ロキシル基又はアミノ基を含む場合は、同様に置換され
たスルホン酸例えばスルファニル酸、フェノールスルホ
ン酸及ヒナフトールスルホン酸のスルホニルクロリドを
使用することができ、又は官能基をオキシムのスルホニ
ル化の後に導入することもできる。
反応のために必要なオキシムは慣用の方法、例えば相当
するカルボニル化合物とヒドロキシルアミンとの反応に
よって、反応性メチレン基のニトロ化、例えばベンジル
シア４ドの例えば亜硝酸メチルによるニトロ化、又は芳
香族ヒドロキシル化合物のニトロ化によりて得ることが
できる。
式Ｉで表わされる好ましい化合物及び他の化合物並びＫ
その製造方法はアメリカ合衆国特許明細書第４５５１９
３５号及び第４５４０５９８号中に記載されている（こ
れらにはアミノプラスト及びフェノール性レゾール樹脂
のための硬化剤と・しての前記化合物の使用が記載され
ている）。
オキシムスルホネート０の好ましくはα０５ないしα８
、特に好ましくはα２ないしく１６重量部がフィルム形
成性有機材料の重量部に対して使用される。特定のフィ
ルム形成性材糾問と一緒に使用するために選ばれたオキ
シムスルホネートは回申の官能性基と実質的に反応する
基を有するべきではない。
水性塩基に溶けるフィルム形成性有機材料は好ましくは
フエノ−−ル性水酸基又はカルボキシル基又はスルホン
酸基を含むものである。このような材料はカルボキシル
末端ポリエステル例えば２価アルコールと２価カルボン
酸との反応によって得ることができるポリエステルであ
る。
用いてよい２価アルコールはエチレングリコール、ジエ
チレングリコール、及び更に高次のポリオキシエチレン
グリコール；プロパン−１゜２−ジオール、ジプロピレ
ングリコール、及び更に高次のポリオキシプロピレング
リコール；プロパン−１，３−ジオール；ブタン−１，
４−ジオール及びポリオキシテトラメチレングリコール
：ベンタン−１，５−ジオール、レゾルシノール、キニ
トール、ビス（４−ヒドロキシシクロヘキシル）メタン
、及び２．２−ビス（４−ヒドロキシシクロヘキシル）
プロパンを含む。用いてよ一２価カルボン酸は脂肪族酸
例えばコハク酸、グルタル虐、アジピン酸、ピメリン酸
、スペリン酸、アゼライン酸、又はセバシン酸、２量化
Ｉｌｌルイン酸、芳香族酸例えばフタル酸、イノフタル
酸、及びテレフタル酸、並びに脂環式酸例えばヘキサヒ
ドロフタル酸を含む。
好ましいフィルム形成性材料はエチレン性不飽和フェノ
ールのホモポリマー及びコポリマーであるポリマーを含
む。このようなポリマーの例としては、ビニル及び１−
プロペニル置換ツー１１−／−ル例Ｌｌｄｐ−ビニルフ
ェノール及びｐ−（１−プロペニル）フェノールのホモ
ポリマー並びＫこれらのフェノールと他の、重合性エチ
レン性不飽和材料例えばスチレン、アクリル酸エステル
及びビニルエステルの１種又はそれよシ多くとのコポリ
マーが挙げられる。
好ましいフィルム形成材料はアセトアルデヒドもしくは
フルフラール、しかし好ましくはホルムアルデヒドの様
なアルデヒドト、フェノールそれ自体、１個もしくは２
個の塩素原子で置換されたフェノール、例えばｐ−クロ
ロフェノール、又は炭素原子数１ないし９のアルキル基
１個もしくは２個で置換されたフェノール、例えば０−
０ｍ−及びｐ−クレゾール、キシレノール、ｐ−第三ブ
チルフェノール、及びｐ−ノニルフェノール、ｐ−フェ
ニルフェノール、レゾルシノール、ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）メタン、及び２．２−ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）プロパンの様なフェノール類カラ得うれる
ノボラック樹脂を含む。
他の適するフィルム形成材料はエチレン系不飽和カルボ
ン酸とカルボン酸無水物のホモポリマー及びコポリマニ
を含む。その様なポリマーは、アクリル酸、−メタクリ
ル酸及び無水マレイン酸のホモポリマー並びにこれらの
モノマーと他のエチレン性不飽和材料例えばエチレン、
プロピレン、アクリル酸及びメタクリル酸のエステル、
酢酸ビニルの様なビニルエステルの様な脂肪族不飽和化
合物、並びにスチレン及び置換スチレンの様な芳香族ビ
ニル化合物の１種又はそれより多くとのコポリマーを含
む。
画像の形成は、組成物中に光増感剤、即ち照射によシ励
起状態となり、未励起の芳香族オキシムスルホネート０
にエネルギー管供与する化合物を含有させることによシ
促進できる。その様な光増感剤には、縮合した芳香族炭
化水素及びその置換誘導体、芳香族カルボニル化合物、
芳香、族ニトロ化合物並びにカチオン性及び塩基性染・
科が含まれる。適する光増感剤の個々の群は、アントラ
セン、フルオランテン、ピレン。
アンスロン、２−メチル−もしくは２−クロロ−チオキ
サ７トンの様なチオキザントン、及びベンゾフェノン％
特に４．４′−ビス（ジメチルアミノ）ベンゾフェノン
〔ミヒラー（Ｍｉｃｈｌｅｒ’ｓ　）ケトン〕の様なビ
ス（ジアルキルアミン）ベンゾフェノンである。画像の
形成がさらに容易に認識できるように、クリスタルヴア
イオレット（Ｃｒｙｓｔａｌ　Ｖｉｏｌｅｔ　）の様な
染料を組成物に入れてもよい。
本発明の方法を実施するために１画像を形成すべき組成
物の層を溶媒、例えば２−エトキシエタノール、２−エ
トキシエチルアセテート、エチルメチルケトン、Ｎ−メ
チルピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジオキサンま
たはそれらの混合物の様な溶媒から慣用方法、例えば浸
漬、スピニング、噴霧によシ、又はローラーを用いて支
持体に施用する。その後、溶媒を放置するか、又は例え
ば自然乾燥もしくは熱碩化性成分が硬化する温度に加熱
することによシ蒸発させる。支持体は、通常鋼、アルミ
ニウム”もしくは他の金属、シリコン、シリコンの酸化
物もしくは窒化物、ポリエステル、ポリアミド本しくけ
ポリオレフィンのフィルムの様な合成樹脂もしくはプラ
スチック、紙、又はガラスでｓｂ、乾燥後、層の厚さが
約１〜２５０μｍになる様に被覆する。
予じめ決められたパターンによる組成物の化学線照射は
実質的に不透明な部分と実質的に透明な部分とからなる
画像ベアリング透明体を通しての照射、又はコンビエー
タ−で制御されたレーザービームによシ行なわれる。通
常２００〜６００ｎｍの化学線が使用され、適する線源
として、炭素アーク、水銀灯、紫外線を放射するリンを
含む螢光ランプ、アルゴン及びキセノングローランプ、
タングステンランプ、及び写真用投光ランプが挙げられ
る。この中で水銀灯及゛び金属ハライドランプが最も適
している。暴露時間は、使用する組成物の性質、層厚、
線源の種類、及び線源と層の距離の様な要因に依存して
決められ、通常は１０秒ないし４分間であるが、適する
暴露時間は通常の経験により容易に定められる。
画像形成のための照射の後、組成物の層を現像液で洗浄
し、暴露された部分、即ち暴露されない部分を除いて照
射を受けた部分を除去する。
現像液は暴露された部分を溶解するか、又は穏やかなブ
ラシ掛けもしくは攪拌によシ容易に除去できる様にする
。
水性塩基性現像液は、トリエチルアミンの様な強塩基の
水溶液でもよいが、アルカリ水溶液、例えば水酸化ナト
リウム、炭酸ナトリウムもしくはリン酸水素二ナトリウ
ムが好ましい。現像を速めるために、少量、典型的には
５〜１５答量チの水混和性低級脂肪族アルコール、例え
ばメタノールを添加してもよい。
暴露及び現像した後、暴露していない部分の残存する被
膜によシその下の基体を保護しながら、暴露した部分の
金属を除去して印刷回路を形成するため、又は画像の深
度を増してその差を大きくするために基体をエツチング
することができる。適するエツチング方法１例えば銅基
体上に塩化第二鉄もしくは過硫酸アンモニウム溶液を使
用する方法はよく知られている。所望によシ、残ってい
る被覆を塩基性溶液に溶解性にしてその下の基体ｔ−Ｓ
られすために、基体全体を画像形成とは無関係の方法で
さらに延長された時間化学線に暴露することもできる。
別の後現像方法においては、基体が金属製である場合、
それを例えば銅、錫、鉛又はニッケルのような金属を用
いて板状として、例えば画像を形成しない照射によシ、
暴露されない部分の重合性被膜を除去し、その結果露出
した金属を本文前記の方法と同じ方法によってエツチン
グする。
本発明の方法は印刷板及び印刷回路、集積回路又はハイ
ブリッド回路の製造に有用である。
下記の実施例によシ本発明をさらに詳細に説明する。特
記しない限シ部は重量部を表わす。
α−（４−）ルエンスルホニルオギシイミノ）ベンジル
　シアニドは下記の方法によって製造する： α−ヒドロキシイミノベンジル　シアニド（メタノール
とナトリウムメトキシドとの混合物中でベンジル　シア
ニドと亜硝酸メチルとを反応させることによって製造し
た）（１４６ｇ。
α１−ｅル）をテトラヒドロフラン（５０ＩＩ）に溶か
し、次いでこの溶液ｔ−−ａ℃に冷却する。この溶液に
トリエチルアミン（１５，２ｇ）を加え、次いでテトラ
ヒドロフラン（５０ｇ）　中の４−トルエンスルホニル
クロリド（１９，、Ｉｇ、α１モル）を加える。添加速
度は反応温度が０℃以下を維持するように調節する。攪
拌ｔ−続けると反応温度は室温まで上昇する（約２時間
）。この混合物を濃塩酸（１５ａｊ）’ｉ含む冷水１を
中に注ぐ。白色結晶性沈澱が得られ、これをエタノール
から再結晶する。生成物は融点１３５〜１３４℃を有す
る。ＫＢｒ錠剤によって測定したその赤外線スペクトル
は１６００．１３？０，１３００．１１９０゜１１８０
．１１６０．１０９０，９１０，８５０，８１０゜７７
０．７３０，６８０，６７０及び６４０　ｍ−”　　に
極大吸収を示す。プロトンＮＭＲスペクトルはｚ５〜ａ
２ｐｐｍに芳香族の多重ピークを示し、２．４ｐｐｍに
単一ピーク（−ＣＨｓ）を示す。
実施例において使用される他のオキシムスルホネートは
同様の方法によって適するオキシムから製造される。
〔実施例及び発明の効果〕
実施例１ ジメチルホルムアミド（ＤＭＰ）（２部）及びジオキサ
ン（８部）中の軟化点１３６℃の混合クレゾールノボラ
ック（４部）及びα−（４−トルエンスルホニルオキシ
イミノ）ベンジルシアニド（１部）の溶液ｔ−裏造する
。混合物を洗浄した銅張り積層板に塗布し、９０℃で５
分間乾燥して厚さ７μｍの被膜を作る。被膜に、７５儂
の距離でｓｏｏｏｗの金属ハライドランプを用い、ネガ
を通して１５秒間照射する。ｔ５％水酸化ナトリウム水
溶液を用いて現像すると３０秒で優れた画像が得られる
。
実施例２ ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）（２部）及びジオキサ
ン（８部）中の軟化点１５６℃の混合クレゾールノボラ
ック（４部）及びα−（４−クロロベンゼンスルホニル
オキシイミノ）ベンジルシアニド（１部）の溶液１：製
造する。混合物を洗浄した銅張シ積層板に塗布し、９０
℃で５分間乾燥して厚さ６μｍの被膜を作る。被膜に、
７５傷の距離でｓｏｏｏｗの金属ハライド？ノブを用い
、ネガを通して３０秒間照射する。
１、５　％水酸化ナトリウム水溶液を用いて現像すると
３０秒で優れた画像が得られる。
実施例５ 容量比２　：　２　：　１の２−エトキシエタノール、
２−エトキシエチルアセテート及びエチルメチルケト／
からなる溶媒混合物（８部）中の軟化点１３６℃の混合
クレゾールノボラック及びα−（４−ドデシルベンゼン
スルホニルオキシイミノ）ベンジルシアニド（１部）の
溶液を製造する。混合物を洗浄した銅張シ積層板に塗布
し、９０℃で５分間乾燥して厚さ５μｍの被膜を作る。
被膜に、７５ｃｒＩ＠の距離でｓ　ｏ　ｏ　ｏｗの金属
ノ・ライドランプを用い、ネガを通して３０秒間照射す
る。２％水酸化す）　ＩＪウム水溶液を用いて現像する
と３０秒で浸れた画像が得られる。
実施例４ ＤＭＦ　（２部）及びジオキサン（８部）中の軟化点１
５６℃の混合クレゾールノボラック（４部）及ヒα−（
４−）ルエンスルホニルオキシイミノ）−４−メトキシ
−フェニルアセトニトリル（１部）の溶液１に製造する
。混合物を洗浄した銅張シ積層板に塗布し、９０℃で５
分間乾燥して厚さ５μｍの被膜を作る。被膜に、７５１
の距離でｓｏｏｏｗの金属ノ・ライドラッグを用い、ネ
ガを通して１０秒間照射する。２幅水酸化ナトリウム水
溶液を用いて現像すると４５秒で優れた画像が得られる
。
実施例５ 容量比２：２１：１の２−エトキシエタノール、２−エ
トキシエチルアセテート、エチルメチルケトン及びＤＭ
Ｆからなる溶媒混合物　（８部）中の軟化点１５６℃の
混合クレゾールノボラック及び９−（４−ドデシルベン
ゼンスルホニルオキシイミノ）フルオレン（１部）の１
ｍを製造する。混合物を洗浄した銅張シ積鳴板に塗布し
、９０℃で５分間乾燥して厚さ５μｍの被膜を作る。被
膜に、７５偲の距離でｓ　ｏ　ｏ　ｏｗの金属ハライド
ランプを用い、ネガを通して５０秒間照射する。Ｌ５％
水酸化ナトリウム水溶液を用いて現像すると２分で優れ
た画像が得られる。
実施例６ ＤＭＦ　（２部）及びジオキサン（８部）中のメチルメ
タクリレート％　２−ヒドロキシエチルメタクリレート
及びメタクリル酸（重量比５０：４０：１０、酸価ｔＯ
当量／に９）から製造されたアクリル酸コポリマー（４
部）及びα−〔（４−トルエンスルホニルオキシイミノ
）−４−メトキシフェニルロアセトニトリル（１部）か
らなる溶液を製造する。混合物を洗浄した銅張シ積層板
に塗布し、９０℃で５分間乾燥して厚さ５μｍの被膜を
作る。被膜に、　７５信の距離でｓｏｏｏｗの金属ハラ
イドランプを用い、ネガを通して３０秒間照射する。２
慢水酸化ナトリウム水溶液を用いて２０秒現像し続いて
水で洗浄すると浸れた画像が得られる。
実施例７ ＤＭＦ　（２部）及びジオキサン（８部）　中の第三ブ
チルフェノール−フェノールノボラック（モル比３０ニ
ア０％軟化点１２５℃）（４部）及ヒα−１４−）ルエ
ンスルホニルオキシイミノ）−４−メトキシフェニルロ
アセトニトリル（１部）の溶液を製造する。混合物を洗
浄した銅張り積層板に塗布し、９０℃で５分間乾燥して
厚さ７μｍの被膜を作る。被膜に、７５信の距離でｓｏ
ｏｏｗの金属ハライドランプを用いネガを通して５０秒
間照射する。１蒼水酸化ナトリ９ム水溶液を用いて現像
すると１５秒で優れた画像が得られる。
実施例８ ＤＭＦ　（２部）及びジオキサン（８部）中の重量平均
分子量１００００’ｉｉ有し１日本国、東京の丸善石油
株式会社から商品名°樹脂ＭグレードＳ−４°として市
販嘔れているポリ（ｐ−ビニルフェノール）（４部）及
びα−（４−）ルエンスルホニルオキシイミノ）ベンジ
ルシアニド（１部）の溶液を製造する。混合物を洗浄し
た鋼張り積層板に塗布し、９０℃で５分間乾燥して厚さ
１０μｍの被膜を作る。　被膜に、７５ａｎの距離でｓ
ｏｏｏｗの金属ハライドランプを用いネガを通して３０
秒間照射する。ｌ１５ｑｂ水酸化ナトリウム水溶液を用
いて現像すると３０秒で優れた画像が得られる。
実施例９ 容Ｊｌ比２　：　２　：　１の２−エトキシエタノール
、２−エトキシエチルアセテート及びエチルメチルケト
ンからなる溶媒混合物（８部）中の軟化点１３６℃の混
合クレゾールノボラック（４部）及ヒα−（（４−ドデ
シルベンゼンスルホニルオキシイミノ）−４−メトキシ
フェニルロアセトニトリル（１部）の溶液を製造する。
混合物を洗浄した銅張り積層板に塗布し、９０℃で５分
間乾燥して厚さ１０μＩｎの被膜を作る。被膜に、７０
偲の距離でｓｏｏｏｗの金、漠ハライドランプを用いネ
ガを通して３０秒間照射する。２％水酸化す）　ＩＪウ
ム水溶液中で現像すると２０秒で優れた画像が得られる
。

Claims (19)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）（ I ）基体上に支持された （Ａ）フィルム形成性有機材料と、 （Ｂ）次式 I ： ▲数式、化学式、表等があります▼ I で表わされるオキシムスルホネート基の少なくとも１つ
    及び芳香族基の少なくとも１つを有する感光性物質との
    混合物からなる組成物の層をあらかじめ決められたパタ
    ーンで化学線に暴露し、それによって暴露された部分の
    組成物を暴露されていない部分の組成物よりも塩基性現
    像液に溶解性にし、そして （II）暴露した部分の組成物を水性塩基性現像液で処理
    することにより除去することからなる画像形成方法。
  2. （２）物質（Ｂ）中の表示された炭素原子又は硫黄原子
    が芳香族環を含む基に結合しているか、又は表示された
    炭素原子と表示された硫黄原子が各々芳香族環を含む基
    に結合している特許請求の範囲第１項記載の方法。
  3. （３）物質（Ｂ）が次式II： ▲数式、化学式、表等があります▼II 〔式中、Ｒ＾１は炭素原子２０個までを有する一価脂肪
    族、炭素環式、複素環式又は芳香脂肪族基を表わし、Ｒ
    ＾２は基Ｒ＾１又は非置換若しくは置換アミノ基を表わ
    すか、又はＲ＾１とＲ＾２がそれらが結合している炭素
    原子と一緒になつて、炭素原子２０個までを有する炭素
    環式又は複素環式基を形成し、Ｒ＾３は炭素原子４０個
    までを有するｎ価脂肪族、炭素環式、複素環式基又は非
    置換若しくは置換アミノ基を表わし、但し、Ｒ＾１、Ｒ
    ＾２及びＲ＾３の少なくとも１つは炭素環式芳香族又は
    複素環式芳香族基を含み、ｍは０又は１であり、そして
    ｎは１又は２である。〕で表わされるものである特許請
    求の範囲第１項記載の方法。
  4. （４）式II中、Ｒ＾１が炭素原子数１ないし１２のアル
    キル基、炭素原子数１ないし４のハロアルキル基、炭素
    原子数２ないし６のアルケニル基、炭素原子数５ないし
    １２のシクロアルキル基、非置換又は以下の群：ハロゲ
    ン原子、炭素原子数４ないし１６のアルキル基、炭素原
    子数１ないし４のアルコキシ基、炭素原子数１ないし４
    のアルキルチオ基、フエニル基、フェノキシ基、フェニ
    ルチオ基又はニトロ基から選ばれた置換基の１つ又はそ
    れより多くによって置換された炭素原子数６ないし１０
    のアリール基を表わし、又はＲ＾１はフリル基、チエニ
    ル基、テトラヒドロフルフリル基、炭素原子数７ないし
    １２のアルアルキル基、炭素原子数４ないし８のアルコ
    キシ基、炭素原子数５ないし８のシクロアルキル基、フ
    ェノキシ基又はシアノ基を表わし、 Ｒ＾２が基Ｒ＾１又は炭素原子数２ないし６のアルカノ
    イル基、ベンゾイル基、炭素原子数２ないし５のアルコ
    キシカルボニル基、フエノキシカルボニル基、−Ｎ（Ｒ
    ＾４）（Ｒ＾５）基、モルホリノ基又はピペリジノ基を
    表わすか、又はＲ＾１とＲ＾２がそれらが結合している
    炭素原子と一緒になつて５ないし８員環又は、ベンゾ基
    １つ又は２つと結合した５ないし８員環を形成し、Ｒ＾
    ４が水素原子、炭素原子数１ないし１２のアルキル基、
    フェニル基、炭素原子数２ないし６のアルカノイル基又
    はベンゾイル基を表わし、そしてＲ＾５が水素原子、炭
    素原子数１ないし１２のアルキル基又はシクロヘキシル
    基を表わす特許請求の範囲第３項記載の方法。
  5. （５）式II中、ｎが１であり、そしてＲ＾３が炭素原子
    数１ないし１８のアルキル基；非置換又はハロゲン原子
    、炭素原子数１ないし１６のアルキル基、炭素原子数１
    ないし４のハロアルキル基、炭素原子数１ないし４のア
    ミノアルキル基、炭素原子数１ないし４のアルコキシ基
    、炭素原子数１ないし４のアルキルカルボニル基、炭素
    原子数１ないし４のアルキルカルボニルオキシ基、ベン
    ゾイル基、ベンゾイルオキシ基、ヒドロキシル基、カル
    ボキシル基、炭素原子数１ないし４のアルコキシカルボ
    ニル基、炭素原子数１ないし４のアルキル−ＣＯＮＨ−
    基、フエニル−ＣＯＮＨ−基、Ｈ＿２Ｎ−基、炭素原子
    数１ないし４のアルキル−ＮＨ−基、ジ（炭素原子数１
    ないし４のアルキル）−Ｎ−基又はニトロ基によって置
    換された炭素原子数６ないし１０のアリール基を表わす
    か；又はＲ＾３が炭素原子数５ないし１２のシクロアル
    キル基；炭素原子数７ないし９のアルアルキル基；トリ
    フルオロメチル基；又はトリクロロメチル基を表わすか
    ；又はｎが２であり、そしてＲ＾３が炭素原子数２ない
    し１２のアルキレン基、炭素原子数６ないし１５のアリ
    ーレン基又は炭素原子数７ないし１２のアルアルキレン
    基を表わし、これらのうちのいずれかは非置換又は炭素
    原子数１ないし１６のアルキル基、ハロゲン原子、又は
    水酸基によって置換されており、そしてこれらのうちの
    いずれかは非中断又は−Ｏ−基、−Ｓ−基若しくは−Ｎ
    Ｒ＾５−基によって中断されている特許請求の範囲第３
    項記載の方法。
  6. （６）式II中、ｎが１であり、そしてＲ＾３が炭素原子
    数１ないし１２のアルキル基、又は非置換又はハロゲン
    原子、炭素原子数１ないし１６のアルキル基又は水酸基
    によって置換されたフェニル基を表わす特許請求の範囲
    第５項記載の方法。
  7. （７）式II中、Ｒ＾１とＲ＾２のうちの一方がフェニル
    基又は４−メトキシフェニル基を表わし、そして他方が
    シアノ基を表わすか、又はＲ＾１とＲ＾２がそれらが結
    合している炭素原子と一緒になってフルオレン又はアン
    スロン環系を形成し、Ｒ＾３が４−トリル基、４−クロ
    ロフェニル基又は４−ドデシルフェニル基を表わし、ｍ
    が０であり、そして ｎが１である特許請求の範囲第３項記載の方法。
  8. （８）フィルム形成有機材料（Ａ）がフェノール性水酸
    基又はカルボン酸基若しくはスルホン酸基を含む特許請
    求の範囲第１項記載の方法。
  9. （９）フィルム形成有機材料（Ａ）がエチレン性不飽和
    フェノールのポリマー、ノボラック樹脂又はエチレン性
    不飽和カルボン酸若しくはカルボン酸無水物のホモポリ
    マー又はコポリマーである特許請求の範囲第８項記載の
    方法。
  10. （１０）（Ａ）フィルム形成性有機材料と、（Ｂ）次式
    I ： ▲数式、化学式、表等があります▼ I で表わされるオキシムスルホネート基の少なくとも１つ
    及び芳香族基の少なくとも１つを有し、実質的に（Ａ）
    と反応する基を含まない感光性物質との混合物からなり
    、（Ｂ）の添加により加熱、又は化学線への暴露によっ
    て重合する物質を実質的に含まない組成物。
  11. （１１）物質（Ｂ）中の表示された炭素原子又は硫黄原
    子が芳香族環を含む基に結合しているか、又は表示され
    た炭素原子と表示された硫黄原子が各々芳香族環を含む
    基に結合している特許請求の範囲第１０項記載の組成物
    。
  12. （１２）物質（Ｂ）が次式II： ▲数式、化学式、表等があります▼II 〔式中、Ｒ＾１は炭素原子２０個までを有する一価脂肪
    族、炭素環式、複素環式又は芳香脂肪族基を表わし、Ｒ
    ＾２は基Ｒ＾１又は非置換若しくは置換アミノ基を表わ
    すか、又はＲ＾１とＲ＾２がそれらが結合している炭素
    原子と一緒になって、炭素原子２０個までを有する炭素
    環式又は複素環式又は複素環式基を形成し、Ｒ＾３は炭
    素原子４０個までを有するｎ価脂肪族、炭素環式、複素
    環式基又は非置換若しくは置換アミノ基を表わし、但し
    、Ｒ＾１、Ｒ＾２及びＲ＾３の少なくとも１つは炭素環
    式芳香族又は複素環式芳香族基を含み、ｍは０又は１で
    あり、そしてｎは１又は２である。〕で表わされるもの
    である特許請求の範囲第１０項記載の組成物。
  13. （１３）式II中、Ｒ＾１が炭素原子数１ないし１２のア
    ルキル基、炭素原子数１ないし４のハロアルキル基、炭
    素原子数２ないし６のアルケニル基、炭素原子数５ない
    し１２のシクロアルキル基、非置換又は以下の群：ハロ
    ゲン原子、炭素原子数１ないし１６のアルキル基、炭素
    原子１ないし４のアルコキシ基、炭素原子１ないし４の
    アルキルチオ基、フェニル基、フェノキシ基、フェニル
    チオ基又はニトロ基から選ばれた置換基の１つ又はそれ
    より多くによって置換された炭素原子数６ないし１０の
    アリール基を表わし、又はＲ＾１はフリル基、チエニル
    基、テトラヒドロフルフリル基、炭素原子数７ないし１
    ２のアルアルキル基、炭素原子数１ないし８のアルコキ
    シ基、炭素原子数５ないし８のシクロアルキル基、フェ
    ノキシ基又はシアノ基を表わし、Ｒ＾２が基Ｒ＾１又は
    炭素原子数２ないし６のアルカノイル基、ベンゾイル基
    、炭素原子数２ないし５のアルコキシカルボニル基、フ
    エノキシカルボニル基、−Ｎ（Ｒ＾４）（Ｒ＾５）基、
    モルホリノ基又はピペリジノ基を表わすか、又はＲ＾１
    とＲ＾２がそれらが結合している炭素原子と一緒になつ
    て、５ないし８員環又はベンゾ基１つ又は２つと結合し
    た５ないし８員環を形成し、Ｒ＾４が水素原子、炭素原
    子数１ないし１２のアルキル基、フェニル基、炭素原子
    数２ないし６のアルカノイル基又はベンゾイル基を表わ
    し、そしてＲ＾５が水素原子、炭素原子数１ないし１２
    のアルキル基又はシクロヘキシル基を表わす特許請求の
    範囲第１２項記載の組成物。
  14. （１４）式 I 中、ｎが１であり、そしてＲ＾３が炭素
    原子数１ないし１８のアルキル基；非置換又はハロゲン
    原子、炭素原子数１ないし１６のアルキル基、炭素原子
    数１ないし４のハロアルキル基、炭素原子数１ないし４
    のアミノアルキル基、炭素原子数１ないし４のアルコキ
    シ基、炭素原子数１ないし４のアルキルカルボニル基、
    炭素原子数１ないし４のアルキルカルボニルオキシ基、
    ベンゾイル基、ベンゾイルオキシ基、ヒドロキシル基、
    カルボキシル基、炭素原子数１ないし４のアルコキシカ
    ルボニル基、炭素原子数１ないし４のアルキル−ＣＯＮ
    Ｈ−基、フエニル−ＣＯＮＨ−基、Ｈ＿２Ｎ−基、炭素
    原子数１ないし４のアルキル−ＮＨ−基、ジ（炭素原子
    数１ないし４のアルキル）−Ｎ−基又はニトロ基によっ
    て置換された炭素原子数６ないし１０のアリール基を表
    わすか；又はＲ＾３が炭素原子数５ないし１２のシクロ
    アルキル基；炭素原子数７ないし９のアルアルキル基；
    トリフルオロメチル基；又はトリクロロメチル基を表わ
    すか；又はｎが２であり、そしてＲ＾３が炭素原子数２
    ないし１２のアルキレン基、炭素原子数６ないし１５の
    アリーレン基又は炭素原子数７ないし１２のアルアルキ
    レン基を表わし、これらのうちのいずれかは非置換又は
    炭素原子数１ないし１６のアルキル基、ハロゲン原子、
    又は水酸基によって置換されており、そしてこれらのう
    ちのいずれかは非中断又は−Ｏ−基、−Ｓ−基、若しく
    は−ＮＲ＾５−基によって中断されている特許請求の範
    囲第１２項記載の組成物。
  15. （１５）式II中、ｎが１であり、そしてＲ＾３が炭素原
    子数１ないし１２のアルキル基、又は非置換又はハロゲ
    ン原子、炭素原子数１ないし１６のアルキル基又は水酸
    基によって置換されたフェニル基を表わす特許請求の範
    囲第１４項記載の組成物。
  16. （１６）式II中、Ｒ＾１とＲ＾２のうちの一方がフェニ
    ル基又は４−メトキシフェニル基を表わし、そして他方
    がシアノ基を表わすか、又はＲ＾１とＲ＾２がそれらが
    結合している炭素原子と一緒になってフルオレン又はア
    ンスロン環系を形成し、Ｒ＾３が４−トリル基、４−ク
    ロロフェニル基又は４−ドデシルフェニル基を表わし、
    ｍが０であり、そしてｎが１である特許請求の範囲第１
    ２項記載の組成物。
  17. （１７）フィルム形成有機材料（Ａ）がフェノール性水
    酸基又はカルボン酸基若しくはスルホン酸基を含む特許
    請求の範囲第１０項記載の組成物。
  18. （１８）フィルム形成有機材料（Ａ）がエチレン性不飽
    和フェノールのポリマー、ノボラック樹脂又はエチレン
    性不飽和、カルボン酸若しくはカルボン酸無水物のホモ
    ポリマー又はコポリマーである特許請求の範囲第１７項
    記載の組成物。
  19. （１９）（Ａ）の重量部に対して（Ｂ）を０．０５ない
    し０．８重量部含む特許請求の範囲第１０項記載の組成
    物。
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01163736A (ja) * 1987-05-28 1989-06-28 Nippon Paint Co Ltd ポジ型感光性樹脂組成物
JPH02100053A (ja) * 1988-10-07 1990-04-12 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型感光性組成物
JPH031036A (ja) * 1989-05-25 1991-01-07 Hitachi Ltd 空気調和機
JPH0425847A (ja) * 1990-05-21 1992-01-29 Nippon Paint Co Ltd ポジ型感光性樹脂組成物
US5976760A (en) * 1996-07-24 1999-11-02 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Chemical-sensitization resist composition
US6376154B2 (en) 1996-02-26 2002-04-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Pattern forming material and pattern forming method
US6569596B1 (en) 1999-06-02 2003-05-27 Sumitomo Chemical Company, Limited Negative working chemical amplification type resist compositions
JP2008506749A (ja) * 2004-07-20 2008-03-06 チバ　スペシャルティ　ケミカルズ　ホールディング　インコーポレーテッド オキシム誘導体および潜在酸としてのそれらの使用

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA1316622C (en) * 1987-05-28 1993-04-20 Nippon Paint Co., Ltd. Positive type photosensitive resinous composition
US5104770A (en) * 1988-03-11 1992-04-14 Hoechst Celanese Corporation Positive-working photoresist compositions
EP0361906A3 (en) * 1988-09-29 1991-05-02 Hoechst Celanese Corporation Method of producing an image reversal negative photoresist having a photo-labile blocked imide
KR900005226A (ko) * 1988-09-29 1990-04-13 윌리엄 비이 해리스 감광성 조성물 및 양화 상과 음화 상의 생성방법
EP0571330B1 (de) * 1992-05-22 1999-04-07 Ciba SC Holding AG Hochauflösender I-Linien Photoresist mit höherer Empfindlichkeit
EP0599779A1 (de) * 1992-10-29 1994-06-01 OCG Microelectronic Materials AG Hochauflösender negativ arbeitender Photoresist mit grossem Prozessspielraum
EP0709410A3 (en) 1994-10-26 1997-03-26 Ocg Microelectronic Materials Polymers
JPH0962005A (ja) * 1995-06-14 1997-03-07 Fuji Photo Film Co Ltd ネガ型感光性組成物
JP3456808B2 (ja) * 1995-09-29 2003-10-14 東京応化工業株式会社 ホトレジスト組成物
JP3830183B2 (ja) * 1995-09-29 2006-10-04 東京応化工業株式会社 オキシムスルホネート化合物及びレジスト用酸発生剤
MY117352A (en) * 1995-10-31 2004-06-30 Ciba Sc Holding Ag Oximesulfonic acid esters and the use thereof as latent sulfonic acids.
JP3587413B2 (ja) * 1995-12-20 2004-11-10 東京応化工業株式会社 化学増幅型レジスト組成物及びそれに用いる酸発生剤
JP3591743B2 (ja) * 1996-02-02 2004-11-24 東京応化工業株式会社 化学増幅型レジスト組成物
EP0925529B1 (en) * 1996-09-02 2003-04-16 Ciba SC Holding AG Alkysulfonyloximes for high-resolution i-line photoresists of high sensitivity
JP3053072B2 (ja) * 1996-09-10 2000-06-19 東京応化工業株式会社 レジスト積層体及びそれを用いたパターン形成方法
DK199901098A (da) * 1998-08-18 2000-02-19 Ciba Sc Holding Ag Sylfonyloximer til i-linie-fotoresists med høj følsomhed og høj resisttykkelse
TW575792B (en) * 1998-08-19 2004-02-11 Ciba Sc Holding Ag New unsaturated oxime derivatives and the use thereof as latent acids
SG78412A1 (en) 1999-03-31 2001-02-20 Ciba Sc Holding Ag Oxime derivatives and the use thereof as latent acids
NL1014545C2 (nl) 1999-03-31 2002-02-26 Ciba Sc Holding Ag Oxim-derivaten en de toepassing daarvan als latente zuren.
US6482567B1 (en) * 2000-08-25 2002-11-19 Shipley Company, L.L.C. Oxime sulfonate and N-oxyimidosulfonate photoacid generators and photoresists comprising same
ATE288907T1 (de) 2001-06-01 2005-02-15 Ciba Sc Holding Ag Substituierte oxim-derivate und ihre verwendung als latente säuren
GB2450975B (en) 2007-07-12 2010-02-24 Ciba Holding Inc Yellow radiation curing inks
EP2414894B1 (en) 2009-03-30 2014-02-12 Basf Se Uv-dose indicator films
CA2984033C (en) 2015-04-29 2023-08-15 Bsn Medical Gmbh Medical bathing equipment
CA2984044A1 (en) 2015-04-29 2016-11-03 Bsn Medical Gmbh Multi-step process for nitric oxide (no) production

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0044115A1 (en) * 1980-07-14 1982-01-20 Akzo N.V. Thermosetting coating composition containing a blocked acid catalyst
JPS6065072A (ja) * 1983-08-17 1985-04-13 チバ‐ガイギー　アクチエンゲゼルシヤフト 焼付仕上材料の硬化方法
JPS60260947A (ja) * 1984-05-25 1985-12-24 チバ‐ガイギー　アクチエンゲゼルシヤフト 画像形成方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3660255D1 (en) * 1985-04-12 1988-07-07 Ciba Geigy Ag Oxime sulphonates containing reactive groups

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0044115A1 (en) * 1980-07-14 1982-01-20 Akzo N.V. Thermosetting coating composition containing a blocked acid catalyst
JPS6065072A (ja) * 1983-08-17 1985-04-13 チバ‐ガイギー　アクチエンゲゼルシヤフト 焼付仕上材料の硬化方法
JPS60260947A (ja) * 1984-05-25 1985-12-24 チバ‐ガイギー　アクチエンゲゼルシヤフト 画像形成方法

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01163736A (ja) * 1987-05-28 1989-06-28 Nippon Paint Co Ltd ポジ型感光性樹脂組成物
JPH02100053A (ja) * 1988-10-07 1990-04-12 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型感光性組成物
JPH031036A (ja) * 1989-05-25 1991-01-07 Hitachi Ltd 空気調和機
JPH0425847A (ja) * 1990-05-21 1992-01-29 Nippon Paint Co Ltd ポジ型感光性樹脂組成物
US6376154B2 (en) 1996-02-26 2002-04-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Pattern forming material and pattern forming method
US6387592B2 (en) 1996-02-26 2002-05-14 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Pattern forming material and pattern forming method
US6387598B2 (en) 1996-02-26 2002-05-14 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Pattern forming material and pattern forming method
US5976760A (en) * 1996-07-24 1999-11-02 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Chemical-sensitization resist composition
US6245930B1 (en) 1996-07-24 2001-06-12 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Chemical-sensitization resist composition
US6569596B1 (en) 1999-06-02 2003-05-27 Sumitomo Chemical Company, Limited Negative working chemical amplification type resist compositions
JP2008506749A (ja) * 2004-07-20 2008-03-06 チバ　スペシャルティ　ケミカルズ　ホールディング　インコーポレーテッド オキシム誘導体および潜在酸としてのそれらの使用

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GB8608528D0 (en) 1986-05-14
EP0241423B1 (de) 1993-09-15

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