JPS6236404A - 新規なポリマ−、その中間体及び該ポリマ−を使用する画像形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は画像形成方法、該方法に有用なポリマー、並び
に該ポリマーの製造に有用な中間体及びモノマーに関す
る。

ポジの７オトレジストを使用する画像の形成において、
化学線に暴露した部分のレジストは未暴露部分のレジス
トに比べて現像液に対する溶解度が大きいか、または少
なくとも現像液により、より容易に除去することができ
る。

必要に応じて暴露した部分を現像液で除去し、未暴露部
分をそのまま残°すことにより、ポジの画像が形成され
る。

市販のポジの７オトレジスト組成物は、通常、フィルム
形成性有機材料のほかに、化学線に暴露すると分解して
窒素を発生してインデンカルボン酸を生じる０−ナフト
キノンジアジドを含有する。フィルム形成性有機材料は
通常、アルカリ溶解性フェノールホルムアルデヒドノボ
ラック樹脂である。該有機材料のアルカリ水溶液中への
溶解はナフトキノ／ジアジドにより抑制される。しかし
ながら、このジアジドが化学線照射部分で分解している
場合には、溶解度減少剤としての機能は減少し、塗膜の
暴露部分は未暴露部分に比べて塩基性現像液に対して溶
解性となる。しかしながら、キノンジアジドは熱に対し
て不安定であるため完全に満足できるものではなく、化
学線から保護される場合でも少し高温にすると分解する
ため、形成された画像の品質が劣る。さらに、これらの
ジアジドは、溶解度減少剤として有効であるためには比
較的高い比率が必要とされる。これらは特に深色側の紫
外領域に強い吸収を示すので、これらを含有する組成物
にその範囲の化学線に対しては比較的不透過性であり、
化学線が塗膜に深く浸透しないため、深層部、例えば基
材との界面までは現像されない。

オキシ酸素原子を介して、それ自身カルボニル基に対し
α位またはβ位にあり芳香族基に対してα位またはβ位
にある脂肪族炭素原子に結合したスルホニルオキシ基を
含有する感光性基を有するモノマー物質が知られている
。そのような物質は、例えば合衆国特許第４４１１８２
３号及び第４５１０２９０号に記載されている。

さらに、カルボニル基または硫黄原子を介して芳香族基
に直接結合したＮ−スルホニルオキシイミドを含有する
感光性基を有するモノマー性物質も知られている。その
様な物質は、例えば合衆国特許第４２５８１２１号に記
載されている。

これらの公知の感光性物質は、上記の参考文献にアミノ
プラスト及びフェノール−アルデヒドレゾールのような
樹脂の硬化剤として、並びにエチレン系不飽和材料の光
重合におけるフリーラジカル源として記載されている。

本発明者らは、本発明において ａ）　カルボニル基に対してα位もしくはβ位にあり、
芳香族基に対してα位もしくはβ位にある脂肪族炭素に
酸素原子を介して結合したスルホニルオキシ基、または ｂ）　カルボニル基または硫黄原子を介して直接芳香族
基に結合したスルホニルオキシイミド基を有する感光性
基を含有する有機ポリマーを化学線に暴露することによ
り、水性塩基性現像液に対する該ポリマーの溶解性が暴
露した部分において増加することを見出した。

従って、本発明は ａ）カルボニル基に対してα位もしくはβ位にあり、芳
香族基に対してα位もしくはβ位にある脂肪族炭素に酸
素原子を介して結合したスルホニルオキシ基、または ｂ）カルボニル基または硫黄原子を介して直接芳香族基
に結合したＮ−スルホニルオキシイミド基を有する感光
性基を含有する有機ポリマーの層を予じめ決められたパ
ターンで化学線に暴露することにより、暴露した部分の
ポリマーの水性塩基性の現像液に対する溶解性を未暴露
部分のポリマーより高くし、そして（＋１）水性塩基性
現像液で処理することにより暴露した部分のポリマーを
除去することからなる画像形成方法を提供する。

本発明方法に使用する為に適したポリマーは一般に固体
で即ちフィルム形成性ポリマーである。

従って、本発明はさらに、平均分子量が少なくとも５０
０であり、少なくとも１個の次式： ％式％（１） （式中、ｍ及びｎの一方は１を表わし、他方はＯｔたは
１を表わし、 Ｘは、カルボニル基がＡｒ　　の芳香族炭素に結合して
いる次式■ニ ル− で表わされる基、またはカルボニル基がＡｒ　の芳香族
炭素に結合している次式■： Ｏ で表わされる基を表わし、 ｐｌｉＯ″または１を表わし、 ｐが０を表わす場合、几は水素原子または１価の脂肪族
、芳香脂肪族または芳香族基を表わし、 ｐが１を表わす場合、Ｒは水素原子、水酸基、エーテル
化された水酸基、アシルオキシ基、アルキル基またはフ
ェニル基で置換されたアルキル基を表わし、 Ｒは水素原子または１価の脂肪族、環式脂肪族、複素環
、芳香族または芳香脂肪族基を表わし、 Ａｒ　　は１価、２価または３価の芳香族基を表わし、 Ａｒ３　は１価または２価の芳香族基を表わし、Ａｒ　
　は１価の芳香族基を表わし、そしてＬ′及びＬは各々
−Ｃｏ　−、−ＣＯＯ−、−ＣＯＮＨ−。

−０ＣＯＯ−、−ＮＨＣＯＮ）ｉ　−、−０ＣＵＮ）ｉ
　−。

−Ｃ８Ｓ　−、−０Ｃ８８−、−０８０２−、−Ｃｌ−
１２−。

−ＣＨ＝　、−、Ｏ−、−８−，３７−＋ｆ−Ｎ＝を表
わす）で表わされる基を含有する感光性有機ポリマーを
提供する。感光性ポリマーが、Ｘが式ＩＩの基を表わす
式Ｉの基を含有する場合は、好ましいポリマーは、 ｐが０を表わし、 Ｒが水素原子；未置換もしくは一０ｆ−１、−Ｃｌ、−
ＣＮ、炭素原子数１ないし４のアルコキシ基、炭素原子
数２ないし５のアルコキシカルボニル基、フェニル基、
クロロフェニル基、炭素原子数７ないし１０のアルキル
フェニル基もしくは炭素原子数７ないし１０のアルコキ
シフェニル基で置換された炭素原子数１ないし８のアル
キル基；未置換もしくは塩素原子、炭素原子数１ないし
４のアルキル基、炭素原子数１ないし４のアルコキシ基
もしくは炭素原子数１ないし４のアルキルチオ基で置換
されたフェニル基；ベンゾイル基；炭素原子数２ないし
８のアルコキシカルボニル基；炭素原子数１ないし４の
アルキル−ＮＨＣＯ−基；フェニル−Ｎｎｃｏ−基；−
ＣＯＮＨ２基：１；ｔｉｄ　−ＣＮ　Ｍｔ１％ｂＬ、、
Ａｒ　及びＡｒ　が各々１価もしくは２価の炭素原子数
６ないし３０の芳香族基を表わし、Ａｒ１及びＡｒ　　
の少なくとも一方が２価の基を表わし、そして Ａｒ　　か不置換もしくは−Ｃｌ、炭素原子数１ないし
４のアルキル基、炭素原子数１ないし４のアルコキシ基
もしくは炭素原子数１ないし４のアルキルチオ基で置換
されたフェニル基を表わすポリマーが好ましい。

Ｘが式ＩＩの基を表わし、ｐが０を表わすポリマーのう
ち、特に好ましいのは、 Ｒが水素原子または炭素原子数１ないし４のアルキル基
を表わし、 Ａｒ　及びＡｒ３　がフェニル基またはフェニレン基を
表わし、Ａｒ　　及びＡｒ　　の少なくとも一方はフェ
ニレン基を表わし、そして Ａｒ　がフェニル基を表わすポリマｉである。

Ｘが式ＩＩの基を表わす式■の基を含有する感光性ポリ
マーの他の例としては、 ｐが１を表わし、 Ｒが水素原子、水酸基、炭素原子数１ないし４のアルコ
キシ基、アセチルオキシ基または未置換もしくはフェニ
ル基で置換された炭素原子数１ないし８のアルキル基を
表わし、 Ｒが水素原子；未置換もしくは−ＯＨ，−Ｃ４またはフ
ェニル基で置換された炭素原子数１ないし８のアルキル
基、−ＯＨ，−ＯＨ、炭素原子数１ないし４のアルキル
基もしくは炭素原子数１ないし４のアルコキシ基で置換
されたフェニル基；炭素原子数２ないし６のアルケニル
基、炭素原子数８ないし９のフェニルアルケニル基：フ
リル基；炭素原子数５ないし６のシクロアルキル基：ま
たは炭素原子数５ないしるのシクロアルケニル基を表わ
し、 Ａｒ　　及びＡｒ　　が各々１価もしくは２価の炭素原
子数６ないし３０の芳香族基を表わし、Ａｒ１及びＡｒ
　　の少なくとも一方が２価の基を表わし、そして Ａｒ　　が未置換もしくは−Ｃｌ、炭素原子数１ないし
４のアルキル基、炭素原子数１ないし４のアルコキシ基
もしくは炭素原子数１ないし４のアルキルチオ基で置換
されたフェニル基を表わすポリマーである。

このクラスのポリマーのうちさらに好ましいのは、 Ｒ１が水酸基、炭素原子数１ないし４のアルキル基また
は炭素原子数１ないし４のアルコ−’Ｐシ基を表わし、
そして Ｒが水素原子または炭素原子数１ないし４のアルキル基
を表わし、そして Ａｒ　及びＡｒ　は各々未置換もしくは−Ｃｔ１−Ｂｒ
、−ＣＮ、−Ｎｏ、、炭素原子数１ないし１２のアルキ
ル基、炭素原子数１ないし４のアルコキシ基または炭素
原子数１ないし８のアルキルチオ基で置換されたフェニ
ル基、ナフチル基、フェニレン基またはナフチレン基を
表わし、Ａｒ　　及びＡｒ　　の少なくとも一方が未置
換または置換フェニレン基またはナフチレン基を表わす
ポｌ）マーである。

Ｘが式ＩＩの基を表わし、ｐが１を表わす式Ｉの基を有
するポリマーのうち、特に好ましいのは、 Ｒが−ＯＨまたは炭素原子数１ないし４のアルコキシ基
を表わし、 Ｒが水素原子を表わし、 Ａｒ　　及Ｑ：Ａｒ３　　がフェニル基またはフェニレ
ン基を表わし、Ａｒ　　及びＡｒ　　の少なくとも一方
がフェニレン基を表わし、 Ａｒ　　がフェニル基を表わすポリマーである。

Ｘが式ＩＩの基を表わす式Ｉの基を含有するポリマーの
うち、特に好ましいのは、ｍ及びｎの一方が０を表わし
、他方が１を表わすものである。

特に好ましいポリマーは、式■の基が次式■：（式中、
Ｒは水酸基または炭素原子数１ないし４のアルコキシ基
を表わし、自由原子価を持つカルボニル基が好ましくは
スルホニルオキシ基に対してパラ位にある）で表わされ
る基であるポリマーである。

感光性ポリマーがＸが式■の基を表わす式Ｉの基を有す
る場合好ましいポリマーは式ｌ中、Ａｒ　が２価、また
はｍが１を表わす場合には３価の炭素原子数６ないし３
０の芳香族基を表わし、そして Ａｒ　　が１価または２価の炭素原子数６ないし３０の
芳香族基を表わすポリマーである。

さらに好ましいこのクラスのポリマーは、式Ａｒ　　Ｚ
＞（フェニレン基、置換されたフェニレン基、ナフチレ
ン基、置換されたナフチレン基、ベンゼントリイル基ま
たは置換されたベンゼントリイル基を表わし、そして Ａｒ３　　がフェニル基、置換されたフェニル基、フェ
ニレン基、置換されたフェニレン基、ナフチル基、ナフ
チレン基または置換されたナフチレン基を表わすもので
ある。

Ｘが式ＩＩＩの基を表わすポリマーのうち、さらに好ま
しいポリマーは、式中、Ａｒ　　が所望により−Ｃｌ、
−Ｂｒ、−Ｎ０２、炭素原子数１ないし８のアルキル基
、炭素原子数１ないし４のアルコキシ基、炭素原子数１
ないし・１２のアルキルチオ基もしくはフェニルチオ基
で置換された１゜２−１２，３−もしくは１，８−ナフ
チレン基もしくはベンゼン１．２，３−１１，３−１１
，２，５−もしくは１，２．６−トリイル基を表わし、
Ａｒ　　が所望により−Ｃ１，−Ｂｒ　、　−ＮＯ２、
炭素原子数１ないし１５のアルキル基、炭素原子数１な
いし４のアルコキシ基、炭素原子数１ないし４のアルキ
ル−ＣＯＮＨ−、またはフェニルＣ（ＪＮＲ−で置換さ
れたフェニル基、ｍ−もしくはｐ−フェニレン基、ナフ
チル基または１，２−１２．３−もしくＦｉｌ、８−ナ
フチレン基を表わすものである。

Ｘが式■の基を表わすポリマーのうち、特に好ましいの
は、 Ａｒ　カ０−フェニレン基、１．８−ナフチレン基また
はベンゼン１ｍ２ｍ４−　　ト’）イル基を表わし、そ
して Ａｒ　がフェニル基、ｐ　−）　ＩＪル基またはｍ−も
しくはｐ−フェニレン基を表わすポリマーである。

Ｘが式ＩＩＩの基を表わすポリマーのうち、特に好まし
いのは、ｍ及びｎの一方が０を表わし、他方が１を表わ
すものである。この種のポリマーのうち、特に好ましい
のは、式Ｉの基が次式Ｖ、　■または■： または または （ＶＩｌ） （式■及び■の自由原子価を有するカルボニル基はメタ
位またはパラ位にある）で表わされる基であるポリマー
である。

ｍ及びｎの一方が０を表わし、他方が１を表わす、好ま
しい感光性ポリマーの他の群においては、式■の基が１
価であり、この基がポリマーの主鎖に直接または有機の
中間の基を介して結合している。このポリマーは水性塩
基に対して低いか、または無視しうる程度の溶解性を示
すが、主鎖に沿って水酸基のような反応部位をいくつか
有するため、カルボキシル基及び式ｌの基のよつな反応
性基を含有する化合物との反応によりいくつかの光溶解
性（ｐｈｏｔｏｓｏｌｕｂｉｌｉｓａｂｌｅ　）基を導
入することができる。そのようなポリマーの例としては
、ビスフェノールまたは多価アルコールから誘導され、
主鎖に沿っていくつかの２級の水酸基を有する高分子量
または前駆したエポキシド樹脂が挙げられる。しかしな
がら、好ましくは式Ｉの基が結合されたポリマーが水性
塩基に溶解性である。

適する水性塩基溶解性ポリマーとしては、ポリビニルア
ルコール、ポリビニルフェノール及びフェノール性ノボ
ラック樹脂のような水酸基含有付加及び縮合ポリマー、
アクリル酸及びメタクリル酸のホモポリマー及びコポリ
マー、カルボキシル基末端ポリブタジェン、マレイン酸
無水物のホモ及びコポリマー並びにカルボキシル基末端
ポリエステルのようなカルボキシル基もしくはカルボン
酸無水物基含有付加及び縮合ポリマーが挙げられる。

塩基溶解性ポリマーが水酸基を含有する場合、感光性ポ
リマーはポリマーを次式■： （ＨＯＯＣ）　　−Ａｒ　−Ｘ−０８０２−Ａｒ−（Ｃ
ＯＯＨ）ｙ（１）Ｏ（式中、Ｘ及びｙの一方は０を表わ
し、他方は１を表わし、そしてＸ　１Ａｒ　及びＡｒ　
　は前記の意味を表わす）で表わされるカルボン酸また
はそのエステル化誘導体と反応させることにより製造さ
れる。適するカルボン酸のエステル化誘導体には、酸・
・ライド、−級アルキルエステル及びグリシジルエステ
ルが含すれる。

塩基溶解性ポリマーがカルボキシル基ヲ含ム場合、感光
性ポリマーは、ポリマーを式■の酸のグリシジルエステ
ルと反応させるか、またはポリマーのカルボキシル基を
酸ハライド基に転化し、これを上記式■の酸のヒドロキ
シアルキルエステルと反応させることにより製造しうる
。

塩基溶解性ポリマーの生類結合した式■で表わされる１
価の基を有する他の感光性ポリマーは、式■の酸のアク
リレートもしくはメタクリレート基含有エステルとエチ
レン阪不飽和酸とを共重合させることにより製造するこ
とができる。

アクリレートもしくはメタクリレート基含有エステルは
、式■の酸もしくはそのエステル化誘導体をヒドロキシ
アルキルアクリレートまたはメタクリレートと反応させ
ることによるか、式■の酸をグリシジルアクリレートま
たはグリシジルメタクリレートと反応させることによる
か、またはアクリル酸もしくはメタクリル酸と式■の酸
のグリシジルエステルと反応させることにより製造する
ことができる。

特に好ましい感光性ポリマーは、式Ｉの基が、塩基溶解
性ポリマーの主鎖に結合した酸素原子に結合しているも
のである。さらに好ましいポリマーは、フェノール性水
酸基の少なくとも４チが一０Ｙ（Ｙは式Ｉで定義した意
味を表わし、その際ｍ及びｎの一方が０を表わし、他方
が１を表わす）で表わされる基で置き換えられているフ
ェノールノボラック樹脂である。適する感光性フェノー
ルノボラック樹脂は次式Ｘ：（式中、Ｚは水素原子また
はＹを表わし、２の、平均分子量に対して少、なくとも
４％がＹを表わし、 ＲｌＲ及びＲは同一でも異なっていてもよく、各々水素
原子、塩素原子または臭素原子、炭素原子数１ないし１
０のアルキル基、炭素原子数７ないし１２のアルアルキ
ル基、アセチル基、ヘンジイル基、カルボキシル基、エ
ステル化カルボキシル基または基ニーＯＺを表わし、そ
して ｑは１ないし２０の整数を表わす）で表わされる樹脂で
ある。

好ましくは、基Ｚのうち少なくとも７チがＹを表わし、
ｑが１ないし１５の整数を表わし、そしてＲ％Ｒ及び几
　が各々水素原子、０−ｌｍ−もしくはｐ−メチル基、
０−ｌｍ−もしくはｐ−第三メチル基または０−ｌｍ−
もしくはｐ−オクチル基を表わす。

感光性ノボラック樹脂は、ノボラック樹脂、好ましくは
ホルムアルデヒドと７エノール、クレゾール、第三ブチ
ルフェノール、オクチルフェノールまたはそれらの２つ
以上の混合物とから誘導されるものを、式■の酸または
そのエステル化誘導体、好ましくはその酸クロライドと
反応させることにより得られる。

特に好ましい感光性ノボラック樹脂は前記式Ｘ中、２の
７〜２５％がＹを表わし、Ｙが式■、ｖ１■または■で
表わされる基を表わし、几、Ｒ及び凡　のうちいくつか
が水素原子を表わし、他がｐ−第三メチル基を表わす樹
脂である。

他の特に好ましい感光性ポリ゛マーは、式■の基が次式
：　−ＯＲＯＣＯ−（式中、几は水酸基で置換されてい
てもよい炭素原子数１ないし８のアルキレン基を表わす
）で表わされる基を介してポリマーの主鎖の炭素原子に
結合している樹脂である。

さらに好ましいこの種のポリマーは、 （ａ）　　次式ｘＩ： ＣＨ２＝　Ｃ（Ｒ）ＣＯＯ−Ｒ−ＯＹ　　　　　（ＸＩ
）（式中、Ｒは−Ｈまたは−ＣＨ３を表わし、そしてＹ
Ｆｉ式■中ｍ及びｎの一方が０を表わし、他方が１を表
わし、そしてＲが上記式で定義した意味を表わす）で表
わされるモノマー、（ｂ）　　重合性エチレン系不飽和
酸、及び所望により （ｃ）　　他の重合性エチレン系不飽和モノマーからな
るコポリマーである。

このコポリマーは通常、（ａ）を２０ないし７０重量％
、好ましくは２５ないし６０重量％、（ｂ）を５ないし
３０重量％、好ましくは１０ないし２０重ｉｓ、存在す
る場合には（ｃ）を０ないし７０重量％、好ましくＦｉ
３０ないし６０重量％含有する。

不飽和酸（ｂ）はビニルスルホン酸のようなスルホン酸
でありうるが、好ましくはアクリル酸及びメタクリル酸
のような不飽和カルボッ酸並びにヒドロキシアルキルア
クリレートもしくはメタクリレートとコハク酸、グルタ
ル酸、マレイン酸、フタル酸及びトリメリド酸無水物の
ようなポリカルボン酸無水物とのカルボキシル基含有付
加物である。特に好ましい不飽和酸（ｂ）はアクリル酸
及びメタクリル酸である。

他のエチレン系不飽和モノマー（Ｃ）、即ち（ａ）及び
（ｂ）以外の重合性上ツマ−は、存在する場合にはアク
リル酸もしくはメタクリル酸のエステル、例えばエチル
アクリレートもしくはメチルアクリレート、ビニルクロ
ライドのようなビニルハライド、ビニルアセテートのよ
うなビニルエステル、またはスチレン、α−メチルスチ
レンもＬ　＜　ｔｒｉ　ｐ−ブロモスチレンのようなビ
ニル置換芳香族化合物でありうる。好ましくはメチルメ
タクリレートである。

好ましいコポリマーは（ａ）式Ｘの七ツマ−１（ｂ）ア
クリル酸もしくはメタクリル酸、及び（ｃ）メチルメタ
クリレートからなるコポリマーである。

弐Ｘのモノマーにおいて、Ｒはメチレン、エチレンまた
は２−ヒドロキシトリメチレン基を表わしうる。好まし
くはエチレン基を表わす。

これらの七ツマ−のうち、Ｙは好ましくは式■、■、■
もしくは■で表わされる基を表わす。

コポリマーは、反応開始剤としてパーオキサイド、ハイ
ドロパーオキサイドまたはアゾ化合物を用いて慣用のフ
リーラジカル重合方法により製造しうる。従って、（ａ
）、（ｂ）及び所望により（Ｃ）　Ｆｉ有機溶媒の溶液
もしくは懸濁液中、反応開始剤と共に加熱することによ
り共重合化される。

式Ｘのモノマーは式■のカルボン酸、またはその酸クロ
ライドをヒドロキシアルキルアクリレートまたはメタク
リレートと反応させるか、式■の酸をグリシジルアクリ
レートもしくはグリシジルメタクリレートと反応させる
か、またはアクリル酸もしくはメタクリル酸を式■の酸
のグリシジルエステルと反応させることにより製造しう
る。これらの反応は全て関連する反応基に対する通常の
エステル化条件下で実施し得る。

式■のカルボン酸は本発明の感光性ポリマーの中間体で
あり、次式Ｍ＝ （Ｈ（ＪＵＣ）　　−Ａ、ｒ　　−Ｘ　−０ｂＯｔ−Ａ
ｒ　−（Ｃ０ＯＨ）　ｎ（至） （式中、ｍ及びｉの一方は０または１を表わし、他方は
１を表わし、そしてｋｒ、　Ａｒ　　及びＸは前記で定
義した意味を表わす）で表わされる。

核酸のうち、Ｘが式Ｈの基を表わす酸、及びｍ及びｎが
１を表わすか、またはｍが０を表わし、ｎが１を表わし
、Ｘが式■の基を表わす酸は新規であると思われる。

Ｘが式ＩＩの基を表わす場合、式■の酸は次式■： Ｃ１−３０２−Ａｒ２−（ＣＯＯＨ）　ｎ　　　　　　
　（ＸＩ）（式中、ｎは０または１を表わす）で表わさ
れル芳香族スルホニルクロライドを、次式Ｘ■：（ＨＯ
ＯＣ）ｍ−Ａｒ’−Ｃｏ−ＣＨ（ＯＨ）−Ａｒ”　　（
ＸＩＶ）で表わされるベンゾインまたは次式ｘ■：１　
。

（ＨＯＯＣ）ｍ−Ａｒ’−Ｃｏ−Ｃ−ＣＨ（Ｒ）−ＯＨ
（ＸＶ）Ａｒ３ （式中、ｍは０または１を表わし、Ａｒ３は式ｌで定義
した意味を表わし、モしてＰが１を表わすとき、Ｒ１及
びＲ３は式…で定義した意味を表わす）で表わされるメ
チロールベンゾインもしくは置換されたメチロールベン
ゾインと反応させることにより製造できる。

この反応は、スルホニルクロライドとヒドロキシ化合物
との反応のための慣用的な条件下で実施しうる。従って
有機塩基の存在下で、有機溶媒の溶液中で実施しつる。

Ｘが弐■を表わす式ｘＭの酸のアクリレート及びメタク
リレート基含有エステルは、前記のように酸から製造す
る代りに、式ＸＩ（ｎ＝１）のカルボキシル基含有スル
ホニルクロライドを、スルホニルクロライド基を式ＸＩ
ＶまたはＸｖの化合物と反応させる前に対応するカルボ
ン酸クロライドに転化して、これをヒドロキシアルキル
アクリレートもしくはメタクリレートと反応させること
により製造してもよい。

Ｘが式■の基を表わす場合、成立の酸は、次式Ｘ■： （式中、ｍは０または１を表わす）で表わされるＮ−ヒ
ドロキシイミドを弐ＸＩの芳香族スルホニルクロライド
と反応させることにより製造できる。この反応はスルホ
ニルクロライドとヒドロキシル化合物との反応のための
慣用的な条件下で実施できる。例えは、スルホニルクロ
ライドがカルボキシル基を含まない場合、反応は有機溶
媒中、有機塩基の存在下で行なわれ；スルホニルクロラ
イドがカルボキシル基を含む場合、反応は水溶液中、ア
ルカリの存在下で行なわれる。

ｍ及びｎが１を表わす場合、即ち式■の基が２価である
場合、主鎖中に式ｌの単位を含む感光性ポリマーを製造
することができる。式ｌの単位はもう一つの単位に直接
または他のコモノマーを介して結合することができる。

そのようなポリマーは水性塩基に対して溶解性が低いか
、はとんど溶解しないように製造できる。化学線を照射
すると、ポリマーの主鎖がスルホン酸基を有するいくつ
かの断片に分かれ、そのため水性アルカリ性媒体中に溶
解するようになる。

そのようなポリマーは、例えば次式ｘｖｉ　：Ｎ１−Ｒ
’−Ｎ”　（ＸＶＩ）　（７）存在下まタハ不存在下、
次式％式％） で表わされる２価の基から製造される。

上記式中、ＸｇＡｒ’及びＡｒ”は上記の意味を表わし
％　Ｍｌ及びＭｌはアミノ基、アルキルアミノ基、アリ
ールアミノ基、カルボキシ基、エステル化カルボキシ基
、ハロゲン原子、アミノカルボキシ基（アミド基または
置換アミド基）、アルキルカルボキシ基、アリールカル
ボキシ基、エステル化ナルキルカルボキシ基、エステル
化アリールカルボキシ基、メルカプト基、ブロモメチル
基、クロロメチル基、クロロカルボニル基、スルホキシ
クロライド基、アルキルスルホキシクロライド基、アリ
ールスルホキシクロライド基、グリシジル基、ヒドロキ
シ基、アルキルヒドロキシ基、アリールヒドロ・キシ基
、イソシアネート基、カルボニル基、アルキルカルボニ
ル基、アルケニルカルボニル基またはアリールカルボニ
ル基を表わし、 マ及びＮ２はアミノ基、カルボキシ基、エステル化カル
ボキシ基、クロロカルボニル基、クロロカルボキシ基、
ハロゲン原子、ヒドロキシ基、メルカプト基、グリシジ
ル基、イソシアナト基、スルホキシクロライド基または
カルボニル基を表わし、そして、 Ｒ８はアルキレン基、アリーレン基、アリールる基を表
わし、そして、望まれるポリマーに依存して、Ｍｌ及び
牙は同一でも異なっていてもよ＜、Ｎｌ及び便は同一で
も異なっていてもよい。

例えば２価の式ＶＷの化合物がコモノマーを介在させず
にポリマーに縮合している場合、Ｍｌ及びＭｌは下記の
意味を表わしつる。

ＭｌがＮ山、ＯＨまたはＳＨを表わす場合、Ｍｌは前記
で挙げたもののうちアミノ基、アルキルアミノ基、アリ
ールアミノ基、ヒドロキシ基、アルキルヒドロキシ基、
アリールヒドロキシ基及びメルカプト基を除いた基のい
ずれか一つを表わし、 Ｍｌがインシアネート（−ＮＣＯ）　　である場合、Ｍ
ｌは例えはアミノ基、アルキルアミノ基、アリールアミ
ノ基、ヒドロキシ基、アルキルヒドロキシ基、アリール
ヒドロキシ基、メルカプト基または次式ニーＣＨ２Ｂｒ
もしくは−ＣＨ，（Ｊ！で表わされる基（グリニヤ試薬
の形態）を表わすことができ、 Ｍｌがカルボキシル基（−Ｃ００Ｈ）を表わすとき、Ｍ
”ＧｉＭｌが−ＮＣＯのときに定義したものと同じ意味
を表わすことができるが、それに加えてグリシジル基を
表わしてもよく、 Ｍｌが次式ニーｃｏｃｚ、−ＣＯＯＲ，−ＣＯＮＨ雪ま
たは一〇〇ＮＲ２で表わされるカルボン酸誘導体、また
は−５ｏｔｃｚ臭素、塩素、−ＣＨ２Ｂｒもしくは−ｃ
ｕ、ｃｚであるとき、Ｍｌはアミノ基、アルキルアミノ
基、アリールアミノ基、ヒドロキシ基、アルキルヒドロ
キシ基、アリールヒドロキシ基またはメルカプト基であ
る。

式■のコモノマーを式Ｘ■の化合物と重縮合する場合、
Ｍｌ及びＭｌは好ましくは同一であり、マ及び♂も好ま
しくは同一である。コモノマーが挿入されている場合、
ＭｌとＭ切１上記の組み合わせである可能性もある。

式Ｘ■中、Ｍｌ及びＭｌが同一でなく、式ｘ１皇中、Ｎ
１及びｙが同一でない場合は、それらの例としてはＭｌ
及びＮｌが同一で、Ｍｌ及びｙが同一であるのが好まし
い。この場合、Ｍｌ及びｌの組合わせは上記のものであ
りうる。重縮合の技術分野の技術者は、適当な組合わせ
を選択することかできる。

一万、上記の型のポリマーは、次式ｘｒｘ　：Ｍ”−Ａ
ｔ”　　ＣＣ−（ＣＨ（Ｒ”）〕ｐ　　ＯＨ（ＸＩＸ）
Ａｔ” （式中、ＭζＡｒ”、　Ａｒ”、Ｒ１，ｆ％２、Ｒｍ及
びｐは上記の意味を表わす化合物を上記式ｘＶＩ中、Ｎ
ｌ及びマがスルホキシクロライドを表わす化合物と反応
させることにより製造することもできる。

そのようなポリマーの好ましい群は、４−アミノベンゾ
イン（４−ニトロベンジルから作られる）を出発物質と
して、これを適当なジスルホニルクロライドと重縮合さ
せることにより製造できる。適するジスルホニルクロラ
イドの例トシては、３−クロロスルホニルベンゾイルク
ロライドと脂肪族もしくは芳香族ジオールとの縮合生成
物、またはビスアリーレンのクロロスルホン化生成物で
ある。得られた縮合生成物は高分子量と良好なフィルム
形成性により特徴づけられ、光構造性（ｐｈｏｔｏｓｔ
ｒｕｃｔｕｒａｂｌｅ）である。

そのようなポリマーで特に好ましい群は、４−アミノベ
ンゾインと、６−クロロスルホニルベンゾイルクロライ
ドと脂肪族もしくは芳香族ジオールとの縮合生成物とを
反応させることにより製造される。

最も好ましいのは、４−アミノベンゾインと、ヘキサン
ジオール−１，６−ビス（３−１０ロスルホニル安息香
酸エステル）、ベンゼンジメタノ−ルー１，４−ビス（
５−クロロスルホニル安息香酸エステル）もしくはα、
ω−ジフェノキシアルカンのクロロスルホン化生成物と
から形成されるポリマーである。

さらに好ましいポリマーは、４−ヒドロキシヘンシイ７
　（Ｊ、　Ｃｈｅｍ、　ＳｏＣ，１９６６、５３３）か
ら誘導され、ジスルホニルクロライドと縮合してポリス
ルホネートを生成する。好ましいジスルホニルクロライ
ドは、４−アミノベンゾインとの縮合反応に使用される
ものである。

好ましいポリマーの他のクラスは次式ＸＸ：（式中、Ｒ
及びＷは−ＣＯＯアルキル基、−ＣＯＣｌｆｉ、−ＣＯ
Ｃｌ基または−Ｎ＝ＣコＯを表わしてもよく、ただしＲ
ｅまたはｔのいずれかは水素原子を表わさなければなら
ない）で表わされる化合物から誘導されるもので、式Ｘ
ｘの化合物を脂肪族または芳香族ジオールまたはジアミ
ンと反応させることによりビスベンゾインが得られ、次
にこれをジスルホニルクロライドと反応させると重縮合
物が得られる。そのようなポリマーのうち、Ｒ９及びＰ
が−ＣＯＯアルキル基を表わす化合物から誘導されるも
のが特に好ましい。

特に好ましいポリマーは１．４−ビス（フェニルグリオ
キシロイル）ベンゼンまたは１，３−ビス（フェニルグ
リオキシロイル）ベンゼンとジスルホニルクロライドと
を縮合してポリスルホネートを得ることによっても得ら
れる。ビスベンゾインはドイツ公開特許第３０１９５０
０号公報に従って製造される。

さらに好ましいクラスのポリマーは、式葺！中、Ｘが式
■で定義した意味を表わし％　Ａｒｌ及びＡｒ２が上記
の意味を表わし、そして贅及びＭ２がカルボキシル基を
衣わす化合物を出発物質として製造される。そのような
ジカルボン酸またはジカルボキシレートをジオールまた
はジアミンと反応させることにより、それぞれポリエス
テルまたはポリアミンが得られる。

本発明の感光性ポリマーを使用し、本発明の方法により
画像を形成する場合、画像の形成はポリマーと光増感剤
、即ち照射により励起状態となり、励起されていない式
■の感光性基にエネルギーを発熱的に供給する化合物と
混合することにより、画像の形成が促進される。

その様な光増感剤は、縮合した芳香族炭化水素及びその
置換誘導体、芳香族カルボニル化合物、芳香族ニトロ化
合物並びにカチオン性及び塩基性染料が含まれる。適す
る光増感剤の個々の例としては、アントラセン、フルオ
ランセン、ピレン、アンスロン、２−メチルもしくは２
−クロロチオキサントンのようなチオキサントン、並び
にベンゾフェノン、特に４，４′−ビス（ジメチルアミ
ノ）ベンゾフェノン〔ミヒラーのケトン（Ｍｉｃｈｌｅ
ｒ’ｓ　Ｋｅｔｏｎｅ））のようなビス（ジアルキルア
ミノ）ベンゾフェノンが挙げられる。

クリスタル　ヴアイオレットのような染料を、画像をよ
り容易に認識できるようにするために組成物に含有して
もよい。

本発明の方法を実施する際、画像を形成するための組成
物の層、即ち融光性ポリマーと所望の光増感剤及び他の
所望の添加剤は、感光、要素を形成するための支持体上
に施用する。組成物は溶媒、例えば２−エトキシエタノ
ール、２−メドキシエタノール、２−エトキシエチルア
セテート、エチルメチルケトン、Ｎ−メチルピロリドン
、ジメチルホルムアミド、またはその２種もしくはそれ
以上の混合物から、慣用方法、例えば浸漬、スピンニン
グ、噴霧、またはローラにより施用してもよい。溶媒は
放置するか、または例えば窒気乾燥もしくは熱硬化性成
分が硬化する温度より低い温度に加熱することにより蒸
発させる。支持体は、通常鋼、アルミニウムまたは他の
金属、通常金属クラッドプラスチックシート、シリコン
、シリコンの酸化物もしくは窒化物、合成樹脂またはプ
ラスチック、例えばポリエステル、ポリアミドもしくは
ポリオレフィンのフィルム、紙、またはガラスであり、
乾燥時に層の厚さが約１〜２５０μｍとなるように塗布
する。

組成物の決められたパターンでの化学線の照射は、実質
的に不透明な部分と、実質的に透明な部分とからなる画
像を含む透明板を通して照射するか、またはコンピュー
タにより制御されたレーザービームを用いて行なわれる
。２００〜６００　ｎｍの化学線が通常使用され、適す
る光源には、カーボンアーク灯、水銀蒸気アーク灯、紫
外線を放射するリンを有する蛍光灯、アルゴン及びキセ
ノングローランプ、タングステンランプ、及び写真用投
光照明が使用されるが、この中でも水銀蒸気アーク灯及
び金属ハライドランプが最も適している。必要な暴露時
間は使用する組成物の性質、層の厚さ、照射光源の型、
及び照射ｆ、源の層から距離に依存するが、通常５０秒
間ないし４分間の範囲であるが、適する時間は通常の実
験によって容易に判明する。

像を形成する暴露を行なった後、組成物の層を現像液で
洗浄し、暴゛露した部分、即ち照射を受けた部分を除去
し、暴露していない部分を残す。現像液は、暴露された
部分を溶解するか、または緩やかなブラシかけまたは攪
拌によりさらに容易に除去できるようにする。

水性塩基性現像液はトリエチルアミンのような有機の強
塩基の水溶液であってもよいが、水性アルカリ溶液、例
えば水酸化ナトリウム、炭酸ナトリウムまたはリン酸水
素二ナトリウムがより好ましい。現像を速めるために、
少量、典型的には５〜１５容量％の水混和性低級脂肪族
アルコール、例えばメタノールまたはアセトンを脩加し
てもよい。

暴露及び現像した後、支持体が金属である場合には、印
刷回路の形成において暴露部分の金属を除去するため、
または像の深度を増してその差異を増加させるためにエ
ツチングを行なってもよく、その場合、未暴露部分では
残った塗膜が下層の支持体を攻撃から保獲する。適する
エツチング方法は、例えば鋼の支持体に対しては塩化第
二鉄または過硫酸アンモニウム溶液を使用する方法がよ
く辿られている。その後、所望によっては支持体全体を
画像を形成しない方法でさらに延長された時間照射し、
残っている塗膜を塩基性溶液に溶解してその下の支持体
を暴露することもできる。

その他の埃像後の処理としては、支持体が金属である場
合、銅、スズ、鉛またはニッケルのような金属でめっき
し、未暴露部分の重合性塗料を例えば画像を形成しない
照射を行なうことにより除去し、その後暴露した金属を
曲記の方法によりエツチングすることが挙げられる。

本発明の方法は印刷板及び印刷された集積回路もしくは
ハイブリッド回路の製造に有用である。

下記の実施例により本発明をさらに詳細に説明する。特
記しない限り、部は重量による。実施例で製造及び使用
されたポリマーは少なくとの も５００分子量を有する固体ポリマーである。

実施例１ トリメリド酸無水物（１ｏｏ　ｆ）をピリジン（２５０
ｍｌ　）に溶解したヒドロキシルアミン塩酸塩（３６７
ｔ）に添加する。混合物を攪拌して９０℃に加熱すると
赤色に変わる。９０℃で１時間加熱した後、ピリジンを
減圧下で留去する。残流を水（３５０ｍｌ）に分散し、
冷却しなから濃塩酸（１５０ｍｌ）をゆっくり添加する
。１時間攪拌した後、沈殿した固型物をＰ取し、水洗し
、アセトン（２５０ｍＪ）及び水（２ｓｏｍＡ’）の混
合物に溶解し、水を加え、そして減圧下でアセトンを留
去することにより再結晶する。結晶性生成物をｆＩ取し
、水洗した後、減圧下１１０℃で乾燥すると、融点２３
６〜２３８℃のＮ−ヒドロキシトリメリットイミ）’７
７ｆがＪられる；　Ｉ　Ｒ（ＫＢｒ　　円板状）１７４
０ｃ＋ｇ　　：　Ｎ　Ｍ　Ｒ（ジメチルスルホキシドｃ
ｉ、）７．８５〜８．４　（ｍ−５Ｈ）。

Ｎ−ヒドロキシトリメリットイミド（５０ｆ）及びｐ−
トルエンスルホニルクロライド（２７，６２）をアセト
ニトリル（１３ｏｍＪ）に溶解する。この溶液にピリジ
ン（２２，９ｆ）を１５分間かけて添加する。祷られた
混合物を１時間放置した後、製塩［（２０Ｓ’）、続い
て水（５００ｒｒ７１りを添加する。沈殿した固体をＰ
取し、水洗し、アセトンに溶解し、水を姫加することに
より再沈殿させる。得られた固体をＰ取し、水洗し、乾
燥すると融点２１０〜２１２℃のＮ−（ｐ−）ルエンス
ルホニルオキシ）トリメリットイミド４４ｒが傅られる
；　ＩＲ（ＫＢｒ　叡）　１７４０．１５９０，１５９
０，１１８０゜９６０、７００口、ＮＭＲ（ジメチルス
ルホキシドｄ６）２．４５（Ｓ−ｓＨ）、７．４〜ＥＬ
　５　（ｍ−７Ｈ）　；元素分析 実測値（％）：０５五９０　　）（五６８　　Ｎ１１計
算値（％）二０５五１８　　　Ｈ五０６　　Ｎ五８７実
施例２： 実施例１で製造したＮ−（ｐ−トルエンスルホニルオキ
シ）トリメリットイミド（１５，２ｔ）をチオニルクロ
ライド（５０ｍＡ）に懸濁し、ジメチルホルムアミド（
（Ｌ５ｒｒ／）をふ加する。混合物をガスの発生が認め
られなくなるまで５０℃に加熱する。得られた透明な溶
液を冷却し、石油エーテル（１５０ｍｌ）をゆっくり添
加する。生じた結晶性の固体をＩＰ取し、石油エーテル
で洗浄した後、減圧下、１００℃で乾燥するとＮ−（ｐ
−トルエンスルホニルオキシ）−４−クロロカルボニル
フタルイミド（Ｎ−（ｐ−）ルエンスルホニルオキシ）
トリメリット酸クロライドイミド、冥施例１の生成物の
酸クロライド）１５Ｖが得られる。生成物はエチルエス
テルとして、下記の性質を有する；融点１３１〜１３３
℃；（ＩＲ（ＫＢｒ板）１７３０．１７００．１５９０
．１５ＢＱ、　１１８０゜１０８０、８１０．７１０．
７００．６９０ｔ：ｘ　　；　ＮＭＲ（重水素で置き換
えたクロロポルム）　７．７　Ｓａ　５　（ｍ　３Ｈ）
％７．２　Ｓａ、ｏ　（ｍ−４Ｈ）、４．２〜４．４　
（ｍ−２Ｈ）、１４（ｓ　−５Ｈ）％１．２〜１．５（
ｔ−５Ｈ）。

酸クロライド＜ｓｒ）＋メチレンクロライドに溶解し、
とドロキシエチルメタクリレート（１，８ｆ）を添加す
る。この混合物にピリジン（ｉ、ｏｓｒ）　（−ゆっく
り添加する。室温で２時間放置した後、水、２％塩酸溶
液及び２％炭酸ナトリウム溶液で順に洗浄する。生成物
をメチレンクロライドとメタノールの混合物から結晶化
すると、Ｎ−（ｐ−）ルエンスルポニルオキシー４−メ
タクリロイルオキシエトキシカルボニルフタルイミド（
Ｎ−（ｐ−トルエンスルボニルオキシ）メタクリルオキ
シエチルトリメリットイミド）　ａ、　ｓ　ｙが得られ
る。融点１１３℃：ＩＲ（ＫＢｒ板）　　１７４０．１
７１０．１７００．１３９０．１３１０゜１２９０、１
２７０．１２５０．１１９０．１１７０．１１４０，１
０８０゜９６０、８１０．７２０．７１０．７００ｚ　
　：　Ｎ　Ｍ　Ｒ（重水素で置換したクロロホルム３１
．８５　（Ｓ−５Ｈ）、１４５（ｓ−ＩＨ）、４．５（
ｍ−４Ｈ）、５．５（ｍ−ＩＨ）、＆１（ｍ−ｔＨ）、
７．３〜８．０　（ｍ−４Ｈ）、７．８〜＆５　（ｍ−
５Ｈ）；元素分析値 実測値（％）　：Ｃ５４，８２Ｈ４，！１０　　Ｎ２．
７１５計算値（％）　：Ｃ５５，８１Ｈ４，０１Ｎ２．
９６実施例３ 水（６００ｍｌり中のＮ−ヒドロキシ−１，８−ナフタ
ルイミド（５ｔ）の溶液に炭酸ナトリウム（２，５？　
）を添加すると、赤色の溶液が侍られる。溶液を濾過し
、ｆ液に炭酸水素ナトリウム（２？）及び４−クロロス
ルホニル安息香酸（５，２５？）をｆＡ加する。溶液が
無色になり、固体が沈殿する。２時間後、混合物８酸性
にし、沈殿した固体を２Ｆ取し、水洗した後、減圧下、
五酸化リンで乾燥すると、Ｎ−（４−カルボキシフェニ
ルスルホニルオキシ）　−１，８−ナフタルイミド７．
７２が祷られる。これをシクロヘキサンから再結晶する
。融点：３００ｔｌｌ：以上（分解）；ＩＲ（ＫＢｒ板
）　１７２０．１７００．１６８０．１５８０゜１３７
０，１１９０，１０００，８８０，７７０，７３０，７
００儂。

ＮＭＲ（ジメチルスルホキシドｄ、）　７．４−８．６
　（ｍ　−１ｏＨ）。

実施例４： ６−クロロスルホニルベンゾイルクロライド（４，Ｏｒ
　）　（３−クロロスルホニル安息香酸及びチオニルク
ロライドから製造される）をメチレンクロライド（８？
）中の蒸留ヒドロキシエチルメタクリレート（２，１７
？）の溶液と混合する。

この混合物にメチレンクロライド（２ｔ）中のピリジン
（１，３２ｆ）を室温でゆっくり添加する。

１時間後、Ｎ−ヒドロキシフタルイミド（２，７３９）
、続いてピリジン（１，５ｒ）を添加する。さらに１時
間後、混合物を水、２％塩酸溶液及び２％炭酸す）　Ｉ
Ｊウム溶液で順に洗浄する。混合物を硫酸マグネシウム
で乾燥し、溶媒を留去すると無色油状物質であるＮ−（
３−メタクリロイルオキシエトキシカルボニルフェニル
スルホニルオキシ）フタルイミド７．４ｆが得られる；
工Ｒ（ＫＢｒ板）　１８００ｅ１７５０ｔ１７２０＊１
４００＊１３００ｐ１２７０ｙ１２００＊９６０ｙ８８
０　＊７００α　；ＮＭＲ（重水素で置換したりｏロホ
ルム）　７．５−８．７　（ｍ　−４Ｈ）。

７．９（５−４Ｈ）　、　４２　（ｍ−ＩＨ）、　５．
６　（ｍ−ＩＨ）、　４６（ｍ　−４Ｈ）　、　１．９
（５−５Ｈ）。

実施例５： ３−クロロスルホニルベンゾイルクロライド（１ｆ）（
３−クロロスルホニル安息香酸及びチオニルクロライド
から製造される）をメチレンクロライド（４ｔ）中の蒸
留ヒドロキシエチルメタクリレート（α５４ｆ）の溶液
と混合する。

この混合物にメチレンクロライド（１１）中のピリジン
（α３５ｆ）を室温でゆっくり添加する。

１時間後、α−メチロールベンツイン（１，０１ｆ）、
続いてピリジン（［１Ｌ３５Ｆ）を添加する。３日間攪
拌した後、混合物を水２％塩酸溶液及び２％炭酸す）　
ＩＪウム溶液で順に洗浄する。混合物を硫酸マグネシウ
ムで乾燥し、２，６−ジー第三ブチル−４−メチルフェ
ノール０．１％で安定化し、溶媒を留去すると、無色油
状物質であるα−（３−メタクリロイルオキシエトキシ
カルボニルフェニルスルホニルオキシ）メチルベンゾイ
ン２１ｔが得られる：ＩＲ（ＫＢｒ板）３４５０，３０
６０，２９５０１１７２０、１６８０．１６００．１４
６０．１５７０．１３００，１２７０゜１１９０、１１
４０．１０８０，１０００，９９０，９５０，８８０，
８２０゜７５０．７４０，７００α−’；ＮＭＲ（重水
素で置換したクロロホルム）　７．７−８．８　（ｍ−
１４Ｈ）　、６４　（５−ＩＨ）。

５．６　（ｍ−１Ｈ）、　４．６（ｍ−４Ｈ）、　１０
　（５−３Ｈ）。

実施例６： 炭酸ナトリウム（１６？）を水（６００ｍＪ）中のＮ−
ヒドロキシ−１，８−ナフタルイミド（１６１）の溶液
に添加する。得られた赤色溶液を１過し、このｒ液に、
安息香酸のクロロスルホン化により製造される３−クロ
ロスルホニル安息香酸（１，８，２１Ｆ）を添加する。

２時間攪拌した後、沈殿した固体をｆ取し、水に再分散
させる。この分散液を塩酸で酸性にした後、固体をｒ取
し、水洗し、その後減圧下で乾燥するとＮ−（３−カル
ボキシフェニルスルホニルオキシ）　−１，８−ナフタ
ルイミド２７４が得られる。

実施例７： 実施例６のカルボン酸生成物（２（１）をメチレンクロ
ライド（５０ｍＪ）に懸濁する。チオニルクロライド（
１ｏｍｌ）及びジメチルホルムアミド（１ｒｎｌ）を添
加し、この混合物を還流下で４時間、ガスの発生が止む
まで加熱する。混合物を冷却し、生じた固体を１取する
と、Ｎ−（３−クロロカルボニル−フェニルスルホニル
オキシ）−１，８−ナフタルイミドの酸クロライド１５
，４ｔが得られる。融点＝１８５℃。

メチレンクロライド（５０ｍＡ）中の酸クロライド（１
４，７５？）の懸濁液に、とドロキシエチルメタクリレ
ート（５，２ｆ）を添加する。ピリジン（ＡｌＦ）をこ
の混合物にゆっくり添加する。室温で２時間放置した後
、反応混合物をメチレンクロライド（２００ｍｌ）で希
釈し、水、２％塩酸溶液及び２％炭酸す）　ＩＪウム溶
液で順に洗浄する。その後、メチレンクロライド溶液を
硫酸マグネシウムで乾燥する。乾燥した溶液にメタノー
ルを添加し、メチレンクロライドを部分的に留去する。

結晶した固体をｒ取し、メタノールで洗浄すると、Ｎ−
（３−メタクリロイルオキシエトキシカルボニルフェニ
ルスルホニルオキシ）−１，８−ナフタルイミド１６１
ｔが得られる。

融点１７２℃；　ＩＲ（ＫＢｒ板）１７２０，１７００
，１５９０゜１４００、１２００．８９０．７８０．７
１０ｃＩＬ；　ＮＭＲ（重水素テａ換１．ｆニー　ｙ　
ロロホルム）　７．３−８．８　（ｍ−４ｔ（）ｔ＆２
（ｍ−１Ｈ）、５．６（ｍ−ＩＨ）、４．６（ｍ−４Ｈ
）。

１．９（ｄ−３Ｈ） 実施例８： 実施例３の生成物（４ｔ）をチオニルクロライド（１０
ｍｌ）に懸濁し、ジメチルホルムアミド（ＩＩＬｌｍｌ
）を添加する。混合物を５０℃で２時間＃、ガスの発生
が止むまで加熱する。チオニルクロライドを部分的に留
去することにより結晶性の固体を沈殿させる。これをＰ
取し、メチレンクロライドで洗浄することによりＮ−（
４−”ロロ力ルポニルフェニルスルホニルオキシ）−１
，８−ナフタルイミド、即ち実施例３の酸の酸クロライ
ド１５ｔが得られる。メチルエステルとしての性質：融
点２２０℃ 元素分析値： 実測値（％）：Ｃ５４，４１，Ｈ２，１０，Ｎ３．４２
計算値（％）：Ｃ５４，８８，Ｈ３２，Ｎ五３６ＩＲ（
ＫＢｒ板）　３１００＊１７３０．１６９０ｅ１５８０
ｔ　１４００ｗ１３３０ｓ１２３０ｔ１２００ｐ１１８
０ｅ１０１０ｐ　９００＊８９０＊７８０＊７４０５７
００ｗ６５０；懇（ジメチルスルホキシドｄａ）ｙ、　
７−ａ４（ｍ−１０Ｈ）、　４．０　（ｓ−３Ｈ）。

酸クロライド（１ｆ）をピリジン（６２）中のフェノー
ル、ｐ−第三ブチルフェノール及びホルムアルデヒドを
［Ｌ７５：α２５：（１９０のモル比で触媒としてシュ
ウ酸を使用して製造した軟化点１２０℃のノボラック樹
脂（３２）の溶媒中に室温で添加する（ノボラックは式
Ｘにおいてｑの平均値が７．５のものである）。１時間
後、得られた溶液をアセトンで希釈し、濃塩酸（８２）
を含有する水（６ｏｏｍＪ）に添加する。沈殿をｒ取し
て得られた固体を乾燥し、その後アセトンに溶解する。

少量の不溶物質を除去するために、溶液を濾過し、その
後溶媒を留去すると変性ノボラック樹脂Ｓ、５ｔが得ら
れる。

実施例９ 実施例７の生成物（２，２ｓｆ）、メタクリル酸（ｔｏ
ｓｓ）及びメチルメタクリレート（２，２５Ｐ）を２−
メトキシエタノール（４２，５ｆ）に分散する。

アゾビス（イソブチロニトリル）（αｏｏｓｓｔ）を添
加し、その混合物を１０℃に冷却し、窒素により３回浄
化する。その後、混合物を攪拌しながら６５℃で２２時
間加熱することにより重合を行なう。得られたコポリマ
ー溶液を少量の不溶物質を除去するために濾過する。

実施例１０： 実施例９の方法を、該実施例で使用した反応混合物を実
施例４の生成物（４，Ｏｒ）、メタクリル酸（ｏ、　ａ
　ｙ　）　、メチルメタクリレート（五２ｔ）、２−エ
トキシエタノール（′５２ｆ）及びアゾビス（イソブチ
ロニトリル）（α００４８ｔ）に置き換えて実施するこ
とによりコポリマー溶液が得られる。

実施例１に 実施例１１： 実施例９の方法を、該実施例で使用した反応混合物を実
施例５の生成物（五７５ｔ）、メタクリル酸（α７５ｆ
）、メチルメタクリレート（ｘｏｒ）、２−メトキシエ
タノール（４２，５？）及びアゾビス（インブチロニト
リル）（αｏｏ４５ｔ）に置き換えて実施することによ
りコポリマー溶液が祷られる。この溶液をジエチルエー
テル（２００ｍｌ）！こ添加して固体ポリマーを沈殿さ
せ、これをｒ取するとコポリマー２−３９が得られる。

実施例１２： ４−ニトロベンジル（１０ｆ：α０３９モル）（Ｊ、　
Ｃｈｅｍ、　Ｓｏｃ、１９３Ｂ、　Ｃ４０２に従って製
造される）をジオキサン（２００ｍｌ）に溶解する。ラ
ネーニッケル（３ｔ）を添加した後、混合物を常圧、窒
素雰囲気下、５０℃で５１時間水素化する。（Ｈ８五７
２１を吸収、理論量の１０１％）黄色溶液を濾過し、Ｐ
液を濃縮する。残漬を無水アルコールから再結晶すると
黄色がかったけばだった針状結晶であり、融点が１９９
〜２０３℃である４−アミノベンゾイン６．５２が得ら
れる。

実施例１３： α、α、α−トリクロロトルエン（５８６，４Ｐ、　３
モル）をクロロスルホン酸（５２４，２ｔ　；　４．５
モル）に１２０℃で滴下する。混合物を１２０℃で４時
間攪拌し、その後２０℃で一晩放置する。過剰量のクロ
ロスルホン酸を蒸発させた後、生成物を蒸留する。

分画された留分から、沸点（１５−！ｆｏｒｒ）　１５
３〜１５５℃の実質的に無色の液体である３−クロロス
ルホニルベンゾイルクロライド５０３ｔが得られる。

実施例１４ 窒素雰囲気下、０℃で、６−クロロスルホニ／Ｌ、　／
＜　７プイルクロライト（２４，１５ｆ：（Ｌｌｏｌｒ
ｎｌ）をメチレンクロライド（５０ｍｌ）に添加する。

メチレンクロライド（５０ｍｌ　）　　中の１，６−ヘ
キサンジオール（５，９１？：　０．０５モル）及びト
リエチルアミン（１α５２ｆ；α１０２モル）の溶液を
０〜５℃で該混合物に滴下する。２０℃で６時間攪拌し
た後、反応混合物を１過し、そしてｆ液を水５０ｍＡ！
で２回、１ＮのＮａＨＣＯｘ　５０　ｍｌで２回、そし
てＮａＣ１飽和溶液５０ｍ１で１回洗浄する。有機層を
ＭｔＳＯ＜で乾燥し、１遇し、ｅ液を濃縮する。ワック
ス機の残渣をシクロヘキサン（ａｏｏｍｇ）及びトルエ
ン（１ｏｏｍＪ）と共に沸騰させる。ケイソウ土を通し
て１遇した後、透明な溶液を一２０℃で凍結させ、攪拌
しながら一晩解凍させる。沈殿を１取する。乾燥した後
、１．６−ヒス（３′−クロロスルホニルベンツイルオ
キシ）ヘキサン１α８ｔを白色結晶（融点７４〜７６℃
）として得られる。

実施例１５： 窒素雰囲気下Ｏ℃で、３−クロロスルホニルベンゾイル
クロライド（２４，１！１Ｍ’％　［１１０１モル）を
メチレンクロライド（５０ｍＪ）に添加する。

テトラヒドロフラン（ｓ　ｏ　ｍＡ）中のベンゼン−１
，４−ジメタツール（４９１ｔ　；　Ｑ、ｏｓ　モル）
及びトリエチルアミン（１［Ｌ３２ｆ；Ｑ、１０２　モ
ル）の浴液を混合物中にＯＳ５℃で滴下する。２０℃で
６時間攪拌した後、反応混合物をｆ過し、１液をメチレ
ンクロライド（１ｏｏｍｌ）で希釈し、水５０　ｍｌ　
　で２回、１ＮのＮａＨＣＯａ　５０　ｍｌで２回、そ
してＮａＣ１飽和溶液ｓｏｍｌで１回洗浄する。

有機層をＭ　ｆＳＯ４で乾燥し、Ｐ遇しＰ液を濃縮する
。残渣ヲクロロホルムとヘキサンとの混合物から２回再
結晶することにより、融点１５０〜１５１℃の微細な白
色結晶であるベンゼンジメタノ−ＪＬ／−１，４−ヒス
（３−クロロスルホニル安息香酸ニスエル）り、０１ｆ
が祷られる。

実施例１６ 窒素雰囲気下、４−アミノベンゾイン（１，５１ｆ　；
　ｔ！ｈ６６　ｍｍｏｌ　）及び実施例１４の生成物（
五４９ｔ　；　ｌｂ６　ｒｒｍｏＡりをテトラヒドロフ
ラン（３５ｍｌ）に０℃で懸濁する。３０　％　ＮａＯ
Ｈ（２，２５Ｔ’ｎｌｌ　：　１７．５ｍｍｏｌ）を０
℃で滴下し、得られた混合物を０℃で６時間攪拌する。

得られた淡黄色の懸濁液を冷却した１ＮのＨＣＩ　（２
ｏｏ　ｍＪ）に注ぎ、その後ＮａＣｌ飽和溶液（５０ｍ
Ａりを添加する。有機層を分離した後、水層からメチレ
ンクロライド１００ｍ１で３回抽出する。併せた有機層
を中性になるまで洗浄し、ＭｔＳＯ４で乾燥した後、ｅ
過し、ｆ液を濃縮する。１０１　ｔｏｒｒで乾燥した後
、固体の黄色残渣（２Ｊ７ｆ；５９％）が残る。

ジメチルホルムアミド中、標準物質としてポリスチレン
を用いてガス浸透クロマトグラフィー　（ＧＰＣ）で調
べたところ、平均分子量（Ｍｗ）は約ａ　４ｏ　ａ　ｏ
　　である。ＧＰＣによると残渣はまだ１０ないし２０
％の次式： で表わされる化合物と少量の４−アミノベンゾインを含
有する。

実施例１７： 窒素雰囲気下、４−アミノベンゾイン（２，０２９；　
８．８９　ｍｍｏＡ’　）及び実施例１５の生成物（４
，８３ｔ　；　８．［３９ｍｍｏｌ　）をテトラヒドロ
フラン（４４ｍｔ）に０℃で懸濁する。３０％ＮａＯＨ
（Ｎｏ　８ｍｌ；２３．１１ｍｍｏＡ）を滴下し、得ら
れた混合物を０℃で６時間攪拌する。得られた淡黄色の
溶液を冷却した１ＮのＨＣＩ　（２□５［１ｍｌ　）に
注ぎ、その後ＮａＣ１飽和溶液（７５ｍＪ）を添加する
。有機層を分離した後、水層からメチレンクロライドｉ
ｏｏｍｌで３回抽出する。併せた有機層を中性になるま
で洗浄し、Ｍｙｓ　Ｏ４で乾燥した後、濾過し、Ｐ液を
濃縮する。α０１　ｔｏｒｒで乾燥した後、固体の黄色
残漬（５，５ｒ；８０％）が残る。

標準物質としてポリスチレンを用いてガス浸透クロマト
グラフィー（ＧＰＣ）で調べたところ、平均分子量（Ｍ
ｗ）は６［１，０００ないし１００．ＯＯＱの範囲であ
る。

実施例１８： ２−エトキシエタノール中の実施例８の変性ノボラック
生成物（１，７ｆ）の３０％溶液に、２−エトキシエタ
ノール、２−エトキシエチルアセテート及びエチルメチ
ルケトン（容量比２：２：１）からなる溶媒混合物中の
クリスタルヴアイオレットの２％溶液を５滴加える。混
合物を清浄な銅−クラッド積層板に塗布し、９０℃で５
分間乾燥すると、厚さ８μｍの塗膜となる。この塗膜に
７５１の距離で５０００Ｗの金属ハライドランプを用い
て、ネガを通して１分間照射する。１％の水酸化す）　
ＩＪウム水溶液で現像するき、暴露した部分が除去され
、９０秒間で良好な画像が得られる。

実施例１９： 実施例１０で得られたコポリマー溶液（ｔ２ｒ）に、１
−メトキシカルボニルチオキサントン及び実施例１８で
記載したクリスタルヴアイオレフトの溶液５゛滴を添加
する。この混合物をきれいな銅−クラッド積層板に塗布
し、９０℃で５分間乾燥すると、７μｍの厚さの塗膜が
得られる。この塗膜に、７５備の距離で５ｏｏｏＷの金
属ハライドランプを用いてネガを通して１分間照射する
。１０容量％のアセトンを含有する０、５％の水酸化す
）　ＩＪウム水溶液で現悸すると、檗露した部分の塗膜
が除去されて１分間で良好な画像が得られる。

実施例２ａ： 実施例９で得られたコポリマー溶液（１，２Ｐ）に、実
施例１８で記載したクリスタルヴアイオレットの溶液５
滴を添加する。この混合物をきれいな鋼−クラッド積Ｉ
−板に塗布し、９０℃で５分間乾燥すると、８μｍの厚
さの塗膜が得られる。この塗膜に、７５ｃＩＬの距離で
５０００Ｗの金属ハライドランプを用いてネガを通して
２分間照射する。１０容量％のアセトンを含有する２％
の水酸化ナトリウム水溶液で現像すると、暴露した部分
の塗膜が除去されて２分間で良好な画像が得られる。

実施例２１： 実施例１１で得られたコポリマー溶液（１，２Ｓ’）に
、実施例１８で記載したクリスタルヴアイオレフトの溶
液５滴を添加する。この混合物をきれいな銅−クラッド
積層板に塗布し、９０℃で５分間乾燥すると、５μｍの
厚さの塗膜が得られる。この塗膜に、７５１の距離で５
ｏｏｏ　Ｗの金属ハライドランプを用いてネガを通して
１分間照射する。１％の水酸化す）　ＩＪウム水溶液で
現像すると、暴露した部分の塗膜が除去されて２分間で
良好な画像が得られる。

実施例２２： ポリマーの溶液を陽極酸化し、電気的に粗面化シたアル
ミニウム（オフセット版基板）にドクターナイフで塗布
しく４０μｍの厚さの未乾燥塗膜）、８０℃で２５分間
乾燥する（層の厚さ：約１０μｍ）。塗膜を５ｏｏｏＷ
の金属ハライドランプにマスクを通して暴露して画像を
形成する（シルヴ７−１−ア（Ｓｙｌｖａｎｉａ）Ｍ　
Ｏ６１：真空フレームとの距離：６５ｃＷＬ）。暴露し
た部分はアルカリ浴（Ｃ１２９０，ホットセル　グラフ
ィック　インダストリー（Ｈｏｔｓｅｌｌ　　Ｇｒａｐ
ｈｉｃＩｎｄｕｓｔｒｉｅｓ　）、　モーリー（Ｍａｒ
ｌｅｙ）／ＱＢ　。

水で希釈（１：１））に溶は出し、ポジの画像が形成さ
れる。

Claims (17)

【特許請求の範囲】
1. （１）平均分子量が少なくとも５００であり、少なくと
   も１個の次式 I ： （−Ｌ＾１−）＿ｍＡｒ＾１〔Ｘ〕−ＯＳＯ＿２−Ａｒ
   ＾２（−Ｌ＾２−）＿ｎ（ I ）（式中、ｍ及びｎの一
   方は１を表わし、他方は０または１を表わし、 Ｘは、カルボニル基がＡｒ＾１の芳香族炭素に結合して
   いる次式II： ▲数式、化学式、表等があります▼（II） で表わされる基、またはカルボニル基がＡｒ＾１の芳香
   族炭素に結合している次式III： ▲数式、化学式、表等があります▼（III） で表わされる基を表わし、 ｐは０または１を表わし、 ｐが０を表わす場合、Ｒ＾１は水素原子または１価の脂
   肪族、芳香脂肪族または芳香族基を表わし、 ｐが１を表わす場合、Ｒ＾１は水素原子、水酸基、エー
   テル化された水酸基、アシルオキシ基、アルキル基また
   はフェニル基で置換されたアルキル基を表わし、 Ｒ＾２は水素原子または一価の脂肪族、環式脂肪族、複
   素環、芳香族または芳香脂肪族基をを表わし、 Ａｒ＾１は１価、２価または３価の芳香族基を表わし、 Ａｒ＾２は１価または２価の芳香族基を表わし、 Ａｒ＾３は１価の芳香族基を表わし、そしてＬ＾１及び
   Ｌ＾２は各々−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＣＯＮＨ−、−
   ＯＣＯＯ−、−ＮＨＣＯＮＨ−、−ＯＣＯＮＨ−、−Ｃ
   ＳＳ−、−ＯＣＳＳ−、−ＯＳＯ＿２−、−ＣＨ＿２−
   、−ＣＨ＝、−Ｏ−、−Ｓ−、または−Ｎ＝を表わす）
   で表わされる基を含有するポリマー。
2. （２）上記式 I 中、 Ｘが式IIの基を表わし、 ｐが０を表わし、 Ｒ＾１が水素原子；未置換もしくは−ＯＨ、−Ｃｌ、−
   ＣＮ、炭素原子数１ないし４のアルコキシ基、炭素原子
   数２ないし５のアルコキシカルボニル基、フェニル基、
   クロロフェニル基、炭素原子数７ないし１０のアルキル
   フェニル基もしくは炭素原子数７ないし１０のアルコキ
   シフェニル基で置換された炭素原子数１ないし８のアル
   キル基；未置換もしくは塩素原子、炭素原子数１ないし
   ４のアルキル基、炭素原子数１ないし４のアルコキシ基
   もしくは炭素原子数１ないし４のアルキルチオ基で置換
   されたフェニル基；ベンゾイル基；炭素原子数２ないし
   ８のアルコキシカルボニル基；炭素原子数１ないし４の
   アルキル−ＮＨＣＯ−基；フェニル−ＮＨＣＯ−基；−
   ＣＯＮＨ＿２基；または−ＣＮ基を表わし、 Ａｒ＾１及びＡｒ＾２が各々１価もしくは２価の炭素原
   子数６ないし３０の芳香族基を表わし、Ａｒ＾１及びＡ
   ｒ＾２の少なくとも一方が２価の基を表わし、そして Ａｒ＾３が未置換もしくは−Ｃｌ、炭素原子数１ないし
   ４のアルキル基、炭素原子数１ないし４のアルコキシ基
   もしくは炭素原子数１ないし４のアルキルチオ基で置換
   されたフェニル基を表わす式 I の基を含有することを
   特徴とする特許請求の範囲第１項記載のポリマー。
3. （３）上記式 I 中、 Ｘが式IIの基を表わし、 ｐが０を表わし、 Ｒ＾１が水素原子または炭素原子数１ないし４のアルキ
   ル基を表わし、 Ａｒ＾１及びＡｒ＾２がフェニル基またはフェニレン基
   を表わし、Ａｒ＾１及びＡｒ＾２の少なくとも一方はフ
   ェニレン基を表わし、そして Ａｒ＾３がフェニル基を表わすことを特徴とする特許請
   求の範囲第２項記載のポリマー。
4. （４）上記式 I 中、 Ｘが式IIの基を表わし、 ｐが１を表わし、 Ｒ＾１が水素原子、水酸基、炭素原子数１ないし４のア
   ルコキシ基、アセチルオキシ基または未置換もしくはフ
   ェニル基で置換された炭素原子数１ないし８のアルキル
   基を表わし、 Ｒ＾２が水素原子；未置換もしくは−ＯＨ、−Ｃｌ、ま
   たはフェニル基で置換された炭素原子数１ないし８のア
   ルキル基、−ＯＨ、−Ｃｌ、炭素原子数１ないし４のア
   ルキル基もしくは炭素原子数１ないし４のアルコキシ基
   で置換されたフェニル基；炭素原子数２ないし６のアル
   ケニル基、炭素原子数８ないし９のフェニルアルケニル
   基；フリル基；炭素原子数５ないし６のシクロアルキル
   基；または炭素原子数５ないし６のシクロアルケニル基
   を表わし、 Ａｒ＾１及びＡｒ＾２が各々１価もしくは２価の炭素原
   子数６ないし３０の芳香族基を表わし、Ａｒ＾１及びＡ
   ｒ＾２の少なくとも一方が２価の基を表わし、そして Ａｒ＾３が未置換もしくは−Ｃｌ、炭素原子数１ないし
   ４のアルキル基、炭素原子数１ないし４のアルコキシ基
   もしくは炭素原子数１ないし４のアルキルチオ基で置換
   されたフェニル基を表わす式 I の基を含有することを
   特徴とする特許請求の範囲第１項記載のポリマー。
5. （５）上記 I 中、 Ｒ＾１が水酸基、炭素原子数１ないし４のアルキル基ま
   たは炭素原子数１ないし４のアルコキシ基を表わし、そ
   して Ｒ＾２が水素原子または炭素原子数１ないし４のアルキ
   ル基を表わし、そして Ａｒ＾１及びＡｒ＾２は各々未置換もしくは−Ｃｌ、−
   Ｂｒ、−ＣＮ、−ＮＯ＿２、炭素原子数１ないし１２の
   アルキル基、炭素原子数１ないし４のアルコキシ基また
   は炭素原子数１ないし８のアルキルチオ基で置換された
   フェニル基、ナフチル基、フェニレン基またはナフチレ
   ン基を表わし、Ａｒ＾１及びＡｒ＾２の少なくとも一方
   が未置換または置換フェニレン基またはナフチレン基を
   表わす特許請求の範囲第４項記載のポリマー。
6. （６）上記式 I 中、 Ｒ＾１が−ＯＨまたは炭素原子数１ないし４のアルコキ
   シ基を表わし、 Ｒ＾２が水素原子を表わし、 Ａｒ＾１及びＡｒ＾２がフェニル基またはフェニレン基
   を表わし、Ａｒ＾１及びＡｒ＾２の少なくとも一方がフ
   ェニレン基を表わし、 Ａｒ＾３がフェニル基を表わすことを特徴とする特許請
   求の範囲第４項記載のポリマー。
7. （７）上記式 I の基が次式IV： ▲数式、化学式、表等があります▼（IV） （式中、Ｒ＾１は水酸基または炭素原子数１ないし４の
   アルコキシ基を表わし、自由原子価をもつカルボニル基
   が好ましくはスルホニルオキシ基に対してパラ位にある
   ）で表わされる特許請求の範囲第２項記載のポリマー。
8. （８）上記式 I 中、 Ｘが式IIIの基を表わし、 Ａｒ＾１が２価、またはｍが１を表わす場合には３価の
   炭素原子数６ないし３０の芳香族基を表わし、そして Ａｒ＾２が１価または２価の炭素原子数６ないし３０の
   芳香族基を表わす特許請求の範囲第１項記載のポリマー
   。
9. （９）上記式 I 中、Ａｒ＾１が所望により−Ｃｌ、−
   Ｂｒ、−ＮＯ＿２、炭素原子数１ないし８のアルキル基
   、炭素原子数１ないし４のアルコキシ基、炭素原子数１
   ないし１２のアルキルチオ基もしくはフェニルチオ基で
   置換された１，２−、２，３−もしくは１，８−ナフチ
   レン基もしくはベンゼン１，２，３−、１，２，４−、
   １，２，５−もしくは１，２，６−トリイル基を表わし
   、 Ａｒ＾２が所望により−Ｃｌ、−Ｂｒ、−ＮＯ＿２、炭
   素原子数１ないし１５のアルキル基、炭素原子数１ない
   し４のアルコキシ基、炭素原子数１ないし４のアルキル
   −ＣＯＮＨ−、またはフェニルＣＯＮＨ−で置換された
   フェニル基、ｍ−もしくはｐ−フェニレン基、ナフチル
   基または１，２−、２，３−もしくは１，８−ナフチレ
   ン基を表わす特許請求の範囲第８項記載のポリマー。
10. （１０）上記式 I 中、 Ａｒ＾１が０−フェニレン基、１，８−ナフチレン基ま
    たはベンゼン１，２，４−トリイル基を表わし、そして Ａｒ＾２がフェニル基、ｐ−トリル基またはｍ−もしく
    はｐ−フェニレン基を表わす特許請求の範囲第９項記載
    のポリマー。
11. （１１）上記式 I の基が、次式Ｖ、VIまたはVII： ▲数式、化学式、表等があります▼（Ｖ） または ▲数式、化学式、表等があります▼（VI） または ▲数式、化学式、表等があります▼（VII） （式VI及びVIIの自由原子価をもつカルボニル基はメタ
    位またはパラ位にある）で表わされる基である特許請求
    の範囲第１０項記載のポリマー。
12. （１２）上記式 I 中、ｍ及びｎの一方は０を表わし、
    他方が１を表わし、そして式 I の基が直接もしくは有
    機の基を介してポリマーの主鎖に付いていることを特徴
    とする特許請求の範囲第１項記載のポリマー。
13. （１３）（ａ）次式Ｘ I ： ＣＨ＿２＝Ｃ（Ｒ＾７）ＣＯＯ−Ｒ＾６−ＯＹ（Ｘ I
    ） （式中、Ｒ＾７は−Ｈまたは−ＣＨ＿３を表わし、そし
    てＹはｍ及びｎの一方が０を表わし、他方が１を表わす
    式 I の基を表わし、そしてＲ＾６が水酸基で置換され
    ていてもよい炭素原子数１ないし８のアルキレン基を表
    わす）で表わされるモノマー、 （ｂ）重合性エチレン系不飽和酸、及び所望により （ｃ）他の重合性エチレン系不飽和モノマーからなるコ
    ポリマーである特許請求の範囲第１項記載のポリマー。
14. （１４）繰り返し単位として、ｍ及びｎが１を表わす式
    I の基を有するポリエステルまたはポリアミドである
    特許請求の範囲第１項記載のポリマー。
15. （１５）次式ＸII： （ＨＯＯＣ）＿ｍ−Ａｒ＾１−Ｘ−ＯＳＯ＿２−Ａｒ＾
    ２−（ＣＯＯＨ）＿ｎ（ＸII） （式中、 ｍ及びｎの一方は０または１を表わし、そして他方は１
    を表わし、 Ａｒ＾１は１価、２価または３価の芳香族基を表わし、 Ａｒ＾２は１価または２価の芳香族基を表わし、 Ｘは次式II： ▲数式、化学式、表等があります▼（II） で表わされる基を表わすか、またはｍ及びｎが各々１を
    表わす場合、もしくはｍが０を表わしｎが１を表わす場
    合は次式III： ▲数式、化学式、表等があります▼（III） で表わされる基を表わし、 ｐは０または１を表わし、 ｐが０を表わす場合、Ｒ＾１は水素原子または１価の脂
    肪族、芳香脂肪族または芳香族基を表わし、 ｐが１を表わす場合、Ｒ＾１は水素原子、水酸基、エー
    テル化された水酸基、アシルオキシ基、アルキル基また
    はフェニル基で置換されたアルキル基を表わし、 Ｒ＾２は水素原子または一価の脂肪族、環式脂肪族、複
    素環、芳香族または芳香脂肪族基を表わし、 Ａｒ＾３は１価の芳香族基を表わす）で表わされる化合
    物。
16. （１６）次式Ｘ I ： ＣＨ＿２＝Ｃ（Ｒ＾７）ＣＯＯ−Ｒ＾６−ＯＹ（Ｘ I
    ） 〔式中、 Ｒ＾６は水酸基で置換されていてもよい炭素原子数１な
    いし８のアルキレン基を表わし、 Ｒ＾７は−Ｈまたは−ＣＨ＿３を表わし、そして Ｙは次式 I ： （−Ｌ＾１−）＿ｍＡｒ＾１〔Ｘ〕−ＯＳＯ＿２−Ａｒ
    ＾２（−Ｌ＾２−）＿ｎ（ I ） （式中、ｍ及びｎの一方は０を表わし、他方は１を表わ
    し、 Ｘは、カルボニル基がＡｒ＾１の芳香族炭素に結合して
    いる次式II： ▲数式、化学式、表等があります▼（II） で表わされる基、またはカルボニル基がＡｒ＾１の芳香
    族炭素に結合している次式III： ▲数式、化学式、表等があります▼（III） で表わされる基を表わし、 ｐは０または１を表わし、 ｐが０を表わす場合、Ｒ＾１は水素原子または１価の脂
    肪族、芳香脂肪族または芳香族基を表わし、 ｐが１を表わす場合、Ｒ＾１は水素原子、水酸基、エー
    テル化された水酸基、アシルオキシ基、アルキル基また
    はフェニル基で置換されたアルキル基を表わし、 Ｒ＾２は水素原子または一価の脂肪族、環式脂肪族、複
    素環、芳香族または芳香脂肪族基を表わし、 Ａｒ＾１は１価、２価または３価の芳香族基を表わし、 Ａｒ＾２は１価または２価の芳香族基を表わし、 Ａｒ＾３は１価の芳香族基を表わし、そしてＬ＾１及び
    Ｌ＾２は各々−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＣＯＮＨ−、−
    ＯＣＯＯ−、−ＮＨＣＯＮＨ−、−ＯＣＯＮＨ−、−Ｃ
    ＳＳ−、−ＯＣＳＳ−、−ＯＳＯ＿２−、−ＣＨ＿２−
    、−ＣＨ＝、−Ｏ−、−Ｓ−、または−Ｎ＝を表わす）
    で表わされる基を表わす〕で表わされる化合物。
17. （１７）（ｉ） ａ）カルボニル基に対してα位もしくはβ位にあり、芳
    香族基に対してα位もしくはβ位にある脂肪族炭素にオ
    キシ酸素原子を介して結合したスルホニルオキシ基、ま
    たは ｂ）カルボニル基または硫黄原子を介して直接芳香族基
    に結合したＮ−スルホニルオキシイミド基を有する感光
    性基を含有する有機ポリマーの層を予じめ決められたパ
    ターンで化学線に暴露することにより、暴露した部分の
    ポリマーの水性塩基性の現像液に対する溶解性を未暴露
    部分のポリマーより高くし、そして （ｉｉ）水性塩基性現像液で処理することにより暴露し
    た部分のポリマーを除去することからなる画像形成方法
    。