JPH01124838A - 高速同調可能なフラッシュ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 激１」Ｊ■Ｌ１分Ｉ− 本発明は、長時間、間欠的に発光することによって、高
速同調が可能なフラッシュ装置に関する。

４胆へ１１ −ａに、フラッシュ装置における閃光放電管の発光強度
はピーク状であって、発光開始時点から急激に増大し、
数ミリ秒という極めて短い時間で発光が終了するように
なっている。そのため、フォーカルプレーンシャッタを
備えたカメラにおいては、フラッシュ同調シャッタスピ
ード（たとえば１７６０秒）以上の高速シャッタスピー
ドでは、フラッシュ装置が同調発光できなかった。すな
わち、フォーカルプレーンシャッタを備えたカメラにお
いては、フラッシュ同調シャッタスピード以上の高速シ
ャッタスピードではシャッタが全開せず、先幕と後幕と
によって形成されるスリットがフィルム面の前を走るこ
とになるが、このような場合、どの時点でフラッシュ装
置を発光させても、フィルム面の一部だけがフラッシュ
光によって露光され、均一な露光の写真を撮影すること
ができなかった。

そこで、上記のような問題点を解消するため、閃光放電
管をパルス状に繰り返し発光させることによって、長時
間、一定の強度で発光するＦＰ級スフラッシュパルプ発
光特性と等価な発光特性を持つ発光を行い、フラッシュ
同調シャッタスピード以上の高速シャッタスピードであ
っても同調発光できるフラッシュ装置が、特開昭６１−
９８３３４号公報等に提案されている。

が　゛　　る■ ところで、前述した高速同調可能なフラッシュ装置では
、発光強度（実効値）が一定であるため、シャッタスピ
ードと絞り値を自由に設定してフラッシュ同調撮影を行
うことができなかった。

このことを具体的に説明する。

フラッシュ光の強度（実効値）をＩとすると、フラッシ
ュ光による被写体の照度Ｅｆｔは、Ｅｆｌ＝Ｉ／Ｄ”　
　　　　　　　　　　（１）となる、ただし、Ｄはフラ
ッシュ装置から被写体までの距離である。したがって、
被写体の照度Ｅは、自然光による照度をＥ３とすると、
Ｅ＝ＥＮ＋Ｅｓ　　　　　　　　　　　（２）となる、
ゆえに、被写体を反射率ρの完全拡散面であるとすると
、被写体の輝度Ｂは、 Ｂ＝ρ／π・Ｅ　　　　　　　　　　（３）となり、こ
れをＡＰＥＸ系で表すと、 Ｂｙ＝ｌｏｇ＊（Ｂ／ＮＫ）　　　　　　　　（４）と
なる、ただし、Ｎ、には定数である。

ところで、ＡＰＥＸ系では、絞り値Ａｖ、シャッタスピ
ードＴｖ、フィルム感度Ｓｖ、被写体輝度ＢＶの間には
、 Ａｖ＋Ｔｖ’＝Ｂｖ＋Ｓｖ　　　　　　　　　　（５）
の関係が成り立つから、 が成り立つ０通常、フィルム感度Ｓｖは一定であり、被
写体が決まれば、反射率ρ、自然光による照度Ｅｓは一
定であるから、シャッタスピードＴｖと絞り値ＡＶとの
和は、フラッシュ光の強度Ｉと距離りのみの関数となる
。

今、フラッシュ光の強度Ｉが一定であるとすると、距離
りが決まると、シャッタスピードＴｖと絞り値Ａｖとの
和は一定となる。したがって、シャッタスピードＴｖ（
あるいは絞り値Ａｖ）を所望の値に設定すると、絞り値
Ａｖ（あるいはシャッタスピードＴｖ）は、一義的に決
まってしまう。

このように、従来のフラッシュ装置を用いると、シャッ
タスピードと絞り値とを自由に設定してフラッシュ撮影
を行うことができなかった。

なお、発光輝度をモニタする手段（たとえば、フォトダ
イオードに流れる光電流を検出する手段）を備え、その
発光輝度が所定の値を越えるとフラッシュ発光を停止さ
せ、発光輝度が所定の値よりも小さくなるとフラッシュ
発光を再開させ、それによって、ＦＰ級スフラッシュパ
ルプ発光特性と等価な発光特性を持つ発光を行なわせる
ことも考えられる。このような場合には、前記所定の値
を可変にすることにより、フラッシュ光の強度を可変に
することが可能である。しかし、このような場合には、
発光輝度をモニタする手段が必要になり、部品点数が増
加してコスト高になり、また、装置自体も大きくなって
しまう。

本発明は上記の問題点を解決し、高速同調が可能で、し
かも、シャッタスピードと絞り値とを自由に設定して、
所望の撮影条件でフラッシュ同調撮影を行なうことがで
き、さらに、部品点数を少なくしてコストの低減化およ
び装置の軽量小型化を達成したフラッシュ装置を提供す
ることを目的とする。

。　　　　ｔ・めの 上記の目的を達成するため、本発明のフラッシュ装置は
、 電源と、 前記電源により充電されるメインコンデンサと、前記メ
インコンデンサの充電電荷を消費して発光するフラッシ
ュ発光部と、 前記フラッシュ発光部を介する前記メインコンデンサの
放電ループ内に設けられたスイッチング手段と、 発光開始信号に応答して前記フラッシュ発光部を励起さ
せるトリガ手段と、 それぞれデユーティ比の異なる複数種類のパルスを出力
でき、入力した選択信号に応じて、それら複数種類のパ
ルスの中から一つを出力するパルス出力手段と、 前記パルス出力手段から出力されるパルスに応答して、
前記スイッチング手段のＯＮ、ＯＦＦを繰り返させる制
御手段とを 備えたことを特徴としている。

１−匙 前記の構成をもつ本発明の高速同調可能なフラッシュ装
置では、発光開始信号が発せられた後、選択されたパル
スに応答してスイッチング手段が０Ｎ−ＯＦＦを繰り返
し、それによって、フラッシュ発光部が間欠的に発光を
繰り返す、そして、出力するパルスのデユーティ比を変
えることにより、フラッシュ発光のデユーティ比が変化
し、発光強度（実効値）が変化する。そして、（６）式
から明らかなように、゛絞り値（あるいはシャッタスピ
ード）を所望の値に設定しても、フラッシュの発光強度
を変化させることにより、シャッタスピード（あるいは
絞り値）も所望の値に設定することができる。

火ｍ 次に、本発明を実施したフラッシュ装置の実施例を説明
する。このフラッシュ装置は、スイッチング手段として
ＩＧＢＴを備えている。

実施例の説明に先立ち、ＩＧＢＴについて説明しておく
。

ＩＧＢＴは、第１０図（１）に示した基本構造を持つ素
子であり、等価回路が同図（ｂ）で示され、素子記号は
同図（ｃ）で示される（ＪＥＤＥＣ（Ｊｏｉｎｔ　　Ｅ
ｌｅｅｔｒｏｎ　　Ｄｅｖｉｃｅ　　ＥＢｉｎｅｅｒｉ
ｎｇＣｏｕｎｃｉｌ）の提案によル）。

第１０図（ｂ）に示すように、ＩＧＢＴはｐｎｐｎ構造
のサイリスタＳＣＲとＭＯＳＦＥＴを組み合わせた構造
を持つ、ただし、サイリスタ部ＳＣＲがラッチアップ（
ゲート信号を取り去っても電流が流れ続ける現象）しな
いよう、ｎｐｎ）ランリスクＴ　ｒ　１のベース・エミ
ッタ問が低抵抗ｒによってショートされている。ＩＧＢ
ＴのゲートＧに電圧が印加されるとＭＯＳＦＥＴがＯＮ
Ｌ、サイリスク部−８ＣＲを介してＩＧＢＴのコレクタ
ＣからエミッタＥへ電流が流れる。

第１０図（ａ）から明らかなように、ＩＧＢＴの基本構
造はＭＯＳＦＥＴに似ているため、制御回路を小さくす
ることができ、しかも、ターンオン・ターンオフ時間が
短い、また、第１０図（ｄ）に示すように、バイポーラ
トランジスタ（ダーリントン接続）やＭＯＳＦＥＴに比
べ、電流密度を大きくできるので、素子自体の大きさを
バイポーラトランジスタやＭＯＳＦＥＴよりも小さくす
ることができる。第１０図（ｅ）は、２５Ａの電流が流
れたとき、オン電圧を３ｖにするために必要なチップ面
積の比を示しており、（イ）がＭＯＳＦＥＴ、（ロ）が
バイポーラトランジスタ、（ハ）がＩＧＢＴである。

なお、ＩＧＢＴに関しては、ｒ日経エレクトロニクス　
１９８６年５月１９日号　ｎｏ、３９５　ｐ、１８２〜
ｐ、１８５１等に詳しく記載されている。

次に、本発明を実施したフラッシュ装置の実施例につい
て説明する。

第１図は本発明を実施したフラッシュ装置の全体回路図
である。

同図において、１は直流電源ＢＡＴを含むＤＣ−ＤＣコ
ンバータであり、発振トランジスタＱ１、抵抗Ｒ，，Ｒ
，、発振トランスＴ、で構成される。コンデンサＣＩは
、整流ダイオードＤ、を介して充電され、制御回路４の
電源として作用する。

発振トランスＴ、は、−次巻線Ｐ、二次巻線ｓ１゜Ｓ２
、補助巻線Ｆを備えており、二次巻線Ｓ、には整流ダイ
オードＤ３を介してメインコンデンサＣ１が接続されて
いる。すなわち、電源ＢＡＴの電圧が昇圧され、ダイオ
ードＤ、で整流された後、メインコンデンサＣ３が充電
される。

メインコンデンサＣＳには、閃光放電管Ｘｓを励起する
トリガ回路３と、コイルＬとダイオードＤ４とからなる
遅延回路を介して閃光放電管Ｘｅと、閃光放電管Ｘｅに
倍圧を印加する倍圧回路６とが接続されている。遅延回
路を挿入することにより、メインコンデンサＣｓから閃
光放電管Ｘｅに急激に電荷が移動しなくなり、制御回路
４等の遅延による発光量オーバーを低減することができ
る。

トリガ回路３は、コンデンサＣ４、抵抗Ｒ１、トランス
Ｔ２から構成される公知の回路である。

倍圧回路６は、閃光放電管Ｘｅと並列に接続された抵抗
ＲｓとコンデンサＣ５、閃光放電管Ｘｅのマイナス側端
子とコンデンサＣ＄との接続点に接続された抵抗Ｒ６と
ダイオードＤ５、抵抗Ｒ１とコンデンサＣＳとの接続点
に接続された抵抗Ｒ１とから構成されている。

発振トランスＴ、の二次巻線Ｓ、には、整流用ダイオー
ドＤ２を介して定電圧発生回路２が接続されている０回
路２は、制御回路４によって制御される発光制御回路５
に定電圧を供給する回路であり、ダイオードＤ２のカソ
ードにコレクタが接続されたトランジス２９才、トラン
ジスタＱ２のベースにカソードが接続され、アノードが
接地されたツェナーダイオードＺＤ、、トランジスタＱ
、のコレクタ・ベース間に接続された抵抗Ｒｓ、トラン
ジスタＱ２のエミッタに接続され、発光制御回路５の駆
動電源として作用するコンデンサＣ２から構成されてい
る。

発光制御回路５は、ＩＧＢＴの０Ｎ−ＯＦＦを制御する
ことによって閃光放電管Ｘｅの発光を制御する回路であ
り、４個のトランジスタＱ３〜Ｑ＠、１０個の抵抗Ｒ１
〜Ｆｔ＋ｔから構成されている。

制御回路４は、端子Ｘ、ＳＴＰ、Ｈ３Ｓを介して、カメ
ラボディ内の制御回路７と接続されており、両回路４，
７の間で種々の信号が授受される０回路４には高速同調
切替スイッチＳＷ、が接続されており、また、電源端子
ＶｃｃにはコンデンサＣ１が接続されている。この回路
４については、後で詳述する。

なお、トランスＴ１の二次巻線Ｓ１と二次巻線Ｓ２の巻
数は、メインコンデンサＣ３が閃光放電管Ｘｅを発光さ
せるのに必要な電圧まで充電されたときに、コンデンサ
Ｃ２がＩＧＢＴを駆動するのに必要な電圧まで充電され
るように設定されている。

第２図は、カメラボディ内の制御回路７を示すブロック
図で゛ある。なお、このカメラはフォーカルプレーンシ
ャッタを備えており、二つのフラッシュ撮影モード（ｆ
＆述）を選択切替できるカメラである。

同図において、７ａはボディ内制御回路であり、端子Ｘ
にはシャッター先幕走行完了でＯＮするシンクロスイッ
チＳＷ３が、端子Ｈ８Ｓには高速同調選択スイッチＳＷ
、が、端子ＡＥにはシャッター先幕走行開始でＯＮする
スイッチＳ　Ｗ　ｓが、端子５ＴＯＰには後幕走行完了
でＯＮするスイッチＳＷｅが接続されている０丈な、制
御回路７暑は、端子Ｈ８Ｓに高レベルの信号（以下“Ｈ
″と略す）が入力されているとき、端子Ｘに低レベルの
信号（以下“Ｌ”と略す）が入力されると端子５ＴＡＲ
Ｔから“Ｈ”を出力し、端子Ｈ８Ｓに“Ｌ”が入力され
ているとき、端子ＡＥに“Ｌ”が入力されると端子５Ｔ
ＡＲＴから“Ｈ”を出力する。

スイッチＳＷ４は、インバータＩＮＶ、を介して制御回
路４の端子Ｈ３Ｓと接続される０回路７ａの端子５ＴＡ
ＲＴは、スイッチングトランジスタＱ、を介して制御回
路４の端子Ｘと接続され、端子ＳＴＰは測光回路７ｂの
端子ＳＴＰに接続されるとともに制御回路４の端子ＳＴ
Ｐと接続される。

測光回路７ｂは、ボディ内制御回路７ａの端子５ＴＡＲ
Ｔに接続された端子ＥＮＡＢＬＥに“Ｈ″が入力されて
いる間、フィルム面またはシャッター幕面で反射する光
を受光素子ＳＰＣで受光し、光量を積分する。また、回
路７ｂは、回路７ｃで設定またはパトローネから読み取
られたフィルム感度情報を受は取り、それに基いて測光
値を補正する。そして、積分値が適正な光量に達すると
、端子ＳＴＰから発光停止パルスを出力する。また、シ
ャッター後幕が走行完了してスイッチＳＷ、がＯＮＬ、
端子５ＴＯＰがＬ′″になると、ボディ内制御回路７ａ
は端子５ＴＡＲＴから“Ｌ”を出力し、測光回路７ｂの
作動を停止させる。

第３図は、制御回路４を示す回路図である。同図におい
て、４ａは発振回路であり、基準クロックパルスを出力
する。このパルスは、カウンタ４ｂでカウントされ、カ
ウンタ４ｂは、所定のパルス数をカウントすると端子Ｔ
１から“Ｈ＃を出力し、前記のパルス数よりも多い所定
のパルス数をカウントすると端子Ｔ２から“Ｈ”を出力
する。また、基準クロックパルスは、高速同調基準パル
スを発生する回路４ｃに入力される。この高速同調基準
パルスの周波数ｆ（Ｈｚ）は、Ｔ−ｆ≧５０の条件を満
足するように設定される。この条件を満足することによ
り、シャッター先幕走行中、間欠的にフラッシュを発光
させてもムラが生しないことが実験で確められた。なお
、Ｔ（ｓｅｅ）は、シャッター幕が撮影画面を横切るの
に要する時間である。また、高速同調基準パルスのデユ
ーティ比は、後述するデユーティ比制御回路４４〜４ｄ
、によって設定されるデユーティ比のうち、最小のデユ
ーティ比よりも小さく（たとえば５％）設定される。

４ｄ、〜４ｄ＜はデユーティ比制御回路であり、具体的
には、第４図（１）に示した回路で構成され、第４図（
ｂ）に示すタイムチャートに従って作動する。

第４図（ａ）において、端子ＣＰに“Ｌ″が入力される
とインバータＩＮＶ４の出力が“Ｈ”になり、可変抵抗
ＶＲを介してコンデンサＣ６が充電される。コンデンサ
ＣｍがインバータＩＮＶ、の出力と同レベルまで充電さ
れた状態ではインバータＩ　Ｎ　Ｖ　ｓの入力■＾がＨ
″であるので、端子ＨＳ　Ｓ　＋〜ＨＳＳ、は”Ｌ”に
なる、この状態で、端子ＣＰが“Ｌ″から“Ｈ″に反転
すると、インバータＩＮＶ。

の出力が”Ｌ”になり、コンデンサＣ６に充電されてい
た電荷は、ダイオードＤ、を介して、急速に、放電され
る。その結果、インバータｒＮＶ５の入力ＶＡは“Ｌ”
になり、端子ＨＳ　Ｓ　＋　〜ＨＳ　Ｓ　４はＨ”なる
、その後、端子ＣＰが“Ｌ”に反転すると、可変抵抗Ｖ
Ｒを介してコンデンサＣ１が充電される。

このときの充電電圧の変化を第４図（ａ）（ロ）に示す
、そして、インバーターＩ　ＮＶ、の入力Ｖ＾がスレシ
ョルドＶＴＲに達すると、ＩＮＶｓの出力、すなわち、
端子Ｈ８Ｓ、〜ＨＳＳ、がＬ”に反転する。

インバータＩＮＶ、の入力がスレショルドに達するまで
に要する時間は、可変抵抗ＶＲの抵抗値とコンデンサＣ
６の容量とで定まる時定数によって決まるので、可変抵
抗ＶＲを調整することにより、端子ＨＳＳ、〜ＨＳＳ、
から出力されるパルスのデユーティ比を変えることがで
きる。なお、本実施例では、回路４ｄ、〜４ｄ＜がら出
力されるパルスのデユーティ比を、それぞれ、７５％、
５０％、２５％、１２．５％に設定している。

第３図に戻って説明を続ける。

インバータＩＮＶ、の入力端子は、端子Ｘを介してボデ
ィ内回路７のトランジスタＱ、のコレクタと接続され、
出力端子はＤ−フリップフロップＤＦＦ、に接続される
とともにアンドゲートＡＮＤ。

に接続されている。Ｄ−フリップフロップＤＦＦ、。

Ｄ　Ｆ　Ｆ　此アントゲ−）−ＡＮＤＩは、公知のワン
ショットパルス発生回路を構成している。

Ｒ−Ｓフリップフロラフ　ＲＳ　Ｆ　Ｆ　Ｉは、前記ワ
ンショットパルスによりセットされ、カウンタ４ｂが所
定の基準クロックパルス数をカウントして端子Ｔ、から
出力する“Ｈ”によりリセットされる。

Ｒ−ＳフリップフロップＲＳ　Ｆ　Ｆ　！は、カメラボ
デ確から端子ＳＴＰを介して入力される発光停止パルス
によってセットされ、カウンタ４ｂの端子Ｔ２から出力
される“Ｈ”によりリセットされる。

また、カウンタ４ｂも、前記ワンショットパルスにより
リセットされる。

以上のほか、制御回路４は、２個のアンドゲートＡ　Ｎ
　Ｄ　＊　、　Ａ　Ｎ　Ｄ　ｓ　（Ａ　Ｎ　Ｄ　４　、
　Ａ　Ｎ　Ｄ　ｓ　）、オアゲー）　ＯＲ＋　（ＯＲ＊
）、インバー９１ＮＶ、とがら構成されるマルチプレク
サを備えている。

次に、以上の構成をもつ本実施例のフラッシュ装置の動
作を説明する。

スイッチＳＷｌをＯＮすると、先述したように、制御回
路４に電力が供給され、制御回路４が作動を開始する。

それとともに、ＤＣ−ＤＣコンバータ１が作動し、メイ
ンコンデンサＣ３、倍圧用コンデンサＣ１が充電される
。また、二次巻線Ｓ、から定電圧発生回路２に電力が供
給され、回路２が作動して発光制御回路５に電力が供給
され、フラッシュ発光準備状態になる。

まず、通常のフラッシュ撮影を行う場合について説明す
る。このとき、カメラボディ側で高速同調選択スイッチ
ＳＷ４をＯＦＦにして通常モードに設定する。すると、
ボディ内制御回−路７ａの端子Ｈ８Ｓには“Ｈ”が入力
されるとともに、インバータＩＮＶ、を介してＬ″が制
御回路４の端子ＨＳＳに入力される。これによりアンド
ゲートＡ　Ｎ　Ｄ　！　、　Ａ　Ｎ　Ｄ　ｓが閉じられ
、アンドゲートＡ　Ｎ　Ｄ　ｓ　。

ＡＮＤ４が開かれる。

不図示のレリーズ操作手段を操作してカメラをレリーズ
すると、一連の動作の後、シャッター先幕が走行する。

先幕の走行が完了してシンクロスイッチＳＷｓがＯＮす
ると、ボディ内制御回路７ａの端子Ｘに“Ｌ″が入力さ
れる。制御回路７ａは、これを検知すると、端子５ＴＡ
ＲＴから“Ｈ”を出力し、測光回路７ｂの端子ＥＮＡＢ
ＬＥに“Ｈ”を出力して測光を開始させる。それと同時
に、トランジスタＱｔがＯＮＬ、端子Ｘを介して制御回
路４内のインバータＩ　ＮＶ、に”Ｌ”が入力され（第
５図（ａ）（イ））、インバータＩＮＶ、の出力がＨ”
になり、アンドゲートＡＮＤ、から基準クロックパルス
−周期分の長さのワンショットパルスが発せられる（第
５図（ａ）（ロ））、なお、このとき、インバータｌＮ
Ｖｔの出力がアンドゲートＡ　Ｎ　Ｄ　＊に入力される
が、このゲートＡＮＤ、は閉じられているので、アント
ゲ−）　Ａ　Ｎ　Ｄ　鵞は“Ｌ”を出力したままである
。前記のワンショットパルスは、Ｒ−８７リツプフロツ
プＲＳＦＦＩをセットするとともにカウンタ４ｂに入力
され、カウンタ４ｂをリセットする。カウンタ４ｂはリ
セットされた後、発振器４ａからの基準クロックパルス
をカウントする。

前記のワンショットパルスによってＲ−Ｓフリップフロ
ップＲ９ＦＦ、がセットされると、開かれているアンド
ゲートＡＮＤａ、オアゲートＯＲ，を介して、端子ＴＲ
ＩＧから発光制御回路５にトリガ信号グ発せられる（第
５図（ａ）（ハ））。

制御回路４の端子ＴＲＩＧからトリガ信号が発せられる
と、抵抗Ｒ１ｓを介してトランジスタＱｓのベースがＨ
”になるので、トランジスタＱｓがＯＮする。すると、
トランジスタＱ４のベースが”Ｌ″になり、トランジス
タＱ４がＯＮする。ところで、適正露光が得られるまで
は、測光回路７ｂの端子ＳＴＰからは″し”が出力され
ているので、Ｒ−ＳフリップフロップＲ８ＦＦ２はリセ
ットされたままである。すなわち、制ｍ回路４の端子５
ＴＯＰからはＬ”が出力されたままであって、トランジ
スタＱｓ、ＱｓはＯＦＦのままである。したがって、抵
抗Ｒ１を介してＩＧＢＴのゲートに電圧が印加され、Ｉ
ＧＢＴがＯＮする。なお、ＩＧＢＴのゲートにはコンデ
ンサ成分があるので、ＩＧＢＴの応答速度を良くするた
めに、抵抗Ｒ１の抵抗値を数にΩ以下に設定している。

ＩＧＢＴがＯＮすることにより、トリガコンデンサＣ４
、トランスＴ；の一次側巻線にコンデンサＣ４の充電電
流が流れるので、トランスＴ２の二次側巻線からトリガ
パルスが発生する。また、それと同時に、倍圧コンデン
サＣ２のアラス側が抵抗Ｒ１、ＩＧＢＴを介して接地さ
れる。今、メインコンデンサＣ１充電電圧をＨＶ（Ｖ）
とすると、コンデンサＣｓのマイナス側は−ＨＶ（Ｖ）
となり、閃光放電管ｘｅにはメインコンデンサＣｓの充
電電圧の２倍の電圧２ＨＶ（Ｖ）がかかることになる。

こうして、閃光放電管Ｘｅは確実に発光を開始する。

フラッシュ撮影が行なわれ、適正な光量が得られると、
測光回路７ｂから発光停止パルスが出力される（第５図
（ａ）（ニ））、このパルスを受は取ったボディ内制御
回路７ａは、シャッタ後幕を走行させる。また、発光停
止パルスは端子ＳＴＰを介して制御回路４に入力され、
これによってＲ−ＳフリップフロップＲＳ　Ｆ　Ｆ　２
がセットされ、アンドゲートＡＮＤ、、オアゲートＯＲ
２を介して端子５ＴＯＰから発光制御回路５に発光停止
信号（”Ｈ”）が発せられる（第５図（ａ）（ホ））。

制御回路４の端子５ＴＯＰから発光停止信号が発せられ
ると、抵抗Ｒ１１を介してトランジスタＱ。

が、抵抗Ｒｎｙを介してトランジスタＱ６がＯＮする。

トランジスタＱ、がＯＮすると、ｒＧＢＴのゲートが接
地され、ＩＧＢＴがＯＦＦする。その結果、閃光放電管
Ｘｅからの放電電流が流れなくなり、発光が止まる。こ
のように、ＩＧＢＴの０Ｎ−ＯＦＦによって閃光放電管
Ｘｅの放電電流を制御するので、転流コンデンサを用い
て発光停止を行なう従来の装置とちがい、発光オーバー
がなくなる。また、転流コンデンサ等で構成されるター
ンオフ回路が不要であるので、撮影動作に合わせてＩＧ
ＢＴを０Ｎ−ＯＦＦさせるだけで、何ら問題なく、短い
周期で、連続的同調発光撮影を行うことが可能となる。

トランジスタＱ、がＯＮすると、トランジスタＱｓのベ
ースが接地され、トランジスタＱ、が０ＦＦＬ、トラン
ジスタＱ４もＯＦＦする。これにより、発光停止信号が
発せられている間、トランジスタＱ４、抵抗Ｒ１、トラ
ンジスタＱ、を介してコンデンサＣ２が放電するめを防
ぐことができ、無駄なエネルギー消費を少なくすること
ができる。

カウンタ４ｂが所定のパルス数をカウントして端子Ｔ、
から“Ｈ”を出力すると、Ｒ−ＳフリップフロップＲ８
ＦＦＩがリセットされ、トリガ信号が消滅、すなわち、
端子ＴＲＩＧからＬ”が出力される。これにより、トラ
ンジスタＱ、、Ｑ、がＯＦＦする。なお、カウンタ４ｂ
がリセットされてから端子Ｔ１に“Ｈ”を出力するまで
の時間、すなわち、トリガ信号が発せられている時間は
、閃光放電管Ｘｅがフル発光するのに充分な時間に設定
しである。

カウンタ４ｂが所定のパルス数をカウントして端子Ｔ２
からＨ”を出力すると、Ｒ−ＳフリップフロップＲＳ　
Ｆ　Ｆ　２かリセットされ、発光停止信号が消滅、すな
わち、端子５ＴＯＰから”Ｌ”が出力される。これによ
り、トランジスタＱ、、Ｑ、がＯＦＦする。なお、カウ
ンタ４ｂがリセットされて端子Ｔ、に“Ｈ”を出力する
までの時間、すなわち、トリガ信号が発せられてから発
光停止信号が消滅するまでの時間は、先述したように、
トリガ信号が発せられている時間よりも長く設定しであ
る。これは、トリガ信号発生中に発光停止信号が消滅し
て、再び、トランジスタＱ、がＯＮ、トランジスタＱ、
、Ｑ、がＯＦＦになり、閃光放電管Ｘｅが発光するのを
防ぐためである。

そして、シャッター後幕の走行が完了してスイッチＳＷ
、がＯＮすると、ボディ内制御回路７ａは端子５ＴＡＲ
ＴからＬ”を出力し、端子Ｘを介してインバータＩＮＶ
、に”Ｈ”が入力される（第５図（ａ）（イ））。

次に、高速同調モード選択時の作動について説明する。

フラッシュ発光準備状態において、高速同調選択スイッ
チＳＷ、をＯＮすると、ボディ内制御回路７ａの端子Ｈ
８Ｓに“Ｌ”が入力されるとともに、インバータＩＮＶ
、を介して“Ｈ”が制御回路４の端子Ｈ３Ｓに入力され
る。これにより、アンドゲートＡ　Ｎ　Ｄ　！　、　Ａ
　Ｎ　Ｄ　＊が開かれ、アンドゲートＡ　Ｎ　Ｄ　３．
Ａ　Ｎ　Ｄ　４が閉じられる。

続いて、高速同調切替スイッチＳＷ、を操作して所望の
デユーティ比を選択する。

先述した通常のフラッシュ撮影の場合と同様、不図示の
レリーズ操作手段を操作してカメラをレリーズすると、
一連の動作の後、シャッター先幕が走行を開始すると同
時にスイッチＳＷ、がＯＮし、ボディ内制御回路７ａは
端子５ＴＡＲＴからＨ”を出力し、測光回路７ｂを作動
させる。

それとともに、制御回路４の端子Ｘが“Ｌ”になり（第
５図（ｂ）（イ））、アンドゲートＡＮＤＩからのワン
ショットパルスによってカウンタ４ｂがリセットされる
。ただし、アンドゲートＡＮＤ３が閉じられているので
、Ｒ−ＳフリップフロップＲ３ＦＦ。

からの信号はカットされる。一方、インバータＩＮＶ、
から出力される“Ｈ”は、トリガ信号として、アンドゲ
ートＡ　Ｎ　Ｄ　ｚ、オアゲートＯＲ，を介して、端子
ＴＲＩＧから発光制御回路５に発せられる（第５図（ｂ
）（ロ））、制御回路４の端子ＴＲＩＧ・５ＴＯＰから
トリガ信号・発光停止信号が発せられると、通常のフラ
ッシュ撮影時と同様、閃光放電管Ｘｅが発光・停止する
。

ところで、デユーティ比制御回路４ｄ１〜４ｃＬの端子
ＨＳ　Ｓ　＋〜Ｈ８Ｓ、からは、第４図（ｂ）（ハ）に
示したようなパルスが出力されるが、このパルスは、ス
イッチＳＷ２を介してアントゲ−）　Ａ　Ｎ　Ｄ　ｓに
入力される。したがって、アンドゲートＡ　Ｎ　Ｄ　ｔ
からは、高速同調モードが選択され、かつ、トリガ信号
が発せられている期間に限り、スイッチＳ　Ｗ　ｚを操
作して選択したデユーティ比をもつ周波数ｆのパルスが
発せられる。このパルスはオアゲートＯＲ１、抵抗Ｒ１
？を介して端子５ＴＯＰからトランジスタＱ６のベース
に印加されるので、閃光放電管Ｘｅは、第５図（ｂ）（
ニ）、（ホ）に示すように、高速同調基準パルスの周波
数ｆ、スイッチＳＷ２を操作して選択設定したデユーテ
ィ比で、間欠的に発光する。そして、第５図（ｂ）（ニ
）、（ホ）から明らかなように、デユーティ比を変える
ことにより、発光量を変化させる（たとえば、デユーテ
ィ比５０％と２５％とではＩＥｖだけ変化する）ことが
可能となる。光量を切替えると、同一の被写体、同一の
絞りであれば、測光回路７ｂからの発光停止パルスの出
力タイミングが変わり、後幕走行開戸−始のタイミング
を変えることができる。すなわち、高速同調切替スイッ
チＳＷ、を操作してデユーティ比を変えることにより、
所望の撮影条件（所望のシャッタースピード、所望の絞
り）で閃光撮影が可能となる。

なお、閃光放電管Ｘｅの発光を停止させた後、再び、Ｉ
ＧＢＴをＯＮしても、トリガ用コンデンサＣ１が充電さ
れたままであれば、トリガ回路３からトリガパルスは発
せられないが、閃光放電管Ｘｅは、−度、発光すると、
励起状態がしばらく（数−５ｅｃ）継続するので、トリ
ガパルスが発せられなくても、ＩＧＢＴ、をＯＮするだ
けで、閃光放電管Ｘｅは、再発光する。

シャッター後幕の走行が完了して制御回路４の端子Ｘに
“Ｈ”が入力されると、オアゲートＯＲ，。

ＯＲ２の出力がともに“Ｌ″となり、フラッシュ発光が
停止する。

次に本実施例の変形例を説明する。

第６図は、発光制御回路５の変形例を示す回路図である
。こめ変形例は、第１ｒｆ！Ｉに示した実施例における
定電圧回路を備えていない、なお、図において、先の実
施例と同じ働きをする素子については、第１図と同じ番
号を付しである。また、第６図における端子ＨＶ等は、
第１図を参照のこと。

第６図（ａ）に示した変形例では、ＩＧＢＴの駆動電圧
をメインコンデンサＣ１から得ている。端子ＴＲＩＧＬ
にトリガ信号（“Ｈ”）が入力されると、トランジスタ
Ｑ　ｓ　、　Ｑ　＝がＯＮＬ、抵抗Ｒ３゜を介してＩＧ
ＢＴのゲートに、ツェナーダイオードＺＤ２より定めら
れる一定電圧が印加され、ＩＧＢＴがＯＮする。そして
、端子５ＴＯＰＬから発光停止信号（“Ｈ”）が入力さ
れると、トランジスタＱ、がＯＮＬ、Ｉ　ＧＢＴがＯＦ
Ｆする。

第６図（ｂ）に示した変形例ではＩＧＢＴの駆動電圧を
、コンデンサＣ１からパルストランスを介して得ている
。そして、コンデンサＣ１は、直流電源ＢＡＴから整流
ダイオードＤ、を介して充電される。端子ＴＲＩＧＬに
トリガ信号（“Ｈ”）が入力されている間、トランジス
タＱ、がＯＮＬ、パルストランスＴ、の一次側コイル１
１にコンデンサＣｔからの放電電流が流れる。これによ
り、パルストランスＴ３の二次側コイル１２に誘導電流
が流れ、抵抗Ｒ２２を介してＩＧＢＴのゲートに、ツェ
ナーダイオードＺＤ、によって定められる一定電圧が印
加され、ＩＧＢＴがＯＮする。そして、端子５ＴＯＰＬ
から発光停止信号（“Ｈ″）が入力されると、トランジ
スタＱａがＯＮＬ、ＩＧＢＴがＯＦＦする。

なお、この変形例では、直流電源ＢＡＴの電圧が制御回
路４を駆動するために必要な最低限度の電圧しかない場
合でも、ＩＧＢＴをＯＮするのに必要な電圧がＩＧＢＴ
のゲートに印加されるようにコイルＩ、、１．の巻数を
設定している。そのため、直流電源ＢＡＴの電圧が高け
れば、コンデンサＣ１の充電電流が多くなり、コイル１
１を流れる電流も多くなって、ＩＧＢＴのゲートに定格
以上の電圧が印加される惧れがある。そこで、ＩＧＢＴ
のゲートには一定の電圧が印加されるようツェナーダイ
オードＺＤ３を備えている。したがって、直流電源ＢＡ
Ｔの電圧を安定させ、ツェナーダイオードＺＤ３を取り
去ってもよい。

なお、以上の実施例においては、ボディ内に設けられた
測光回路から発せられる発光停止信号に応答してＩＧＢ
ＴをＯＦＦするフラッシュ装置を示したが、被写体から
の反射光を測光する受光部、測光回路を内臓したフラッ
シュ装置にも本発明を適用できることは言うまでもない
。

次に、第７図を参照して、本発明の他の実施例を説明す
る０本実施例のフラッシュ装置は、エレクトロルミネッ
センス素子ＥＬを備えている。このエレクトロルミネッ
センス素子ＥＬは、そのコンデンサ成分の充放電が繰り
返されることにより発光し、フラッシュ装置の液晶表示
部のバックライト照明等として使用される。なお、本実
施例のフラッシュ装置は、第１図に示した実施例とほと
んど同じであるので、同一素子、同一回路については第
１図と同番号を付すに留め、説明を省略する。

第７図において、トリガ回路３は、トリガコンデンサＣ
４、発振トランスＴ２とで構成されており、コンデンサ
Ｃ４が放電するとき、発振トランスＴ２からトリガパル
スが発せられる。

６は倍圧回路であり、メインコンデンサｃ、ｌに抵抗Ｆ
ｔｓ・、ダイオードＤ、を介して接続されている。なお
、ダイオードＤ、′は、コンデンサＣ３のマイナス側が
急激に下がったとき、ＩＧＢＴのエミッタからコレクタ
へ、あるいは、ゲートがらコレクタヘ、逆電流が流れる
のを防止している。

８は、閃光放電管Ｘｅとエレクトロルミネッセンス素子
ＥＬの発光を切り替える切替回路である。

回路８は、ダイオードＤ、のカソードに接続されたサイ
リスクＳＣＲ，とトランジスタＱ・、コンデンサ成分等
から構成されている。なお、サイリスタＳＣＲ，のゲー
トが”Ｈ″から′″Ｌ″に反転すると、サイリスタＳＣ
Ｒ，がターンオフするように、抵抗Ｒ２゜を設定してい
る。

また、第７図に示したように、本実施例の制御回路４の
端子５ＨＯＲＴにはトランジスタＱ・のベースが、端子
ＬＡＭＰにはランプスイッチｓｗ！が接続されている。

第８図は、第７図に示した制御回路４の具体例を示す回
路図である。

同図において、４ｅはワンショットモノマルチ回路であ
り、端子ＬＡＭＰを介してスイッチｓｗ。

に接続されている。この回路４ｅは、入力端子が“Ｈ”
から“Ｌ”に反転すると、出力端子から、一定時間、“
Ｈ”を出力する。４ｆはエレクトロルミネッセンス素子
ＥＬ駆動周波数発生回路である。

次に、本実施例のフラッシュ装置の作動を説明する。

スイッチＳＷＩをＯＮすると、先の実施例と同様、ＤＣ
−ＤＣコンバータ１が作動してメインコンデンサＣｍ、
トリガコンデンサＣ４、倍圧用コンデンサＣ１が充電さ
れる。また、定電圧回路２内のコンデンサＣ２も充電さ
れ、フラッシュ発光準備状態となる。

通常のフラッシュ撮影時、先述した実施例と同様、先幕
走行完了でトランジスタＱ、、Ｑ、がＯＮし、ＩＧＢＴ
がＯＮする。それと同時にサイリスクＳ　ＣＲｌのゲー
トに“Ｈ″が印加される。このとき、トランジスタＱ、
がＯＮするので、アンドゲートＡＮＤ、、ＡＮＤ？が閉
じられ、トランジスタＱ＠のベースには“Ｌ″が印加さ
れ、トランジスタＱ１がＯＦＦになる。したがって、サ
イリスタＳ　ＣＲｒがＯＮし、トリガコンデンサＣ４に
蓄積された電荷がダイオードＤ６．サイリスタＳＣＲ，
。

トランスＴ、の一次側コイルを介して放電され、閃光放
電管Ｘｅが励起する。また、コンデンサＣ１のプラス側
が接地レベルになり、閃光放電管Ｘｅにはメインコンデ
ンサＣ３の充電電圧の２倍の電圧が印加される。その結
果、メインコンデンサＣｓに蓄積された電荷が、閃光放
電管Ｘｅ、ダイオードＤ２、ＩＧＢＴを介して放電され
、閃光放電管Ｘｅが確実に発光する。その後、適正な露
光量が得られれば、トランジスタＱｓ、ＱａがＯＮＬ、
ＩＧＢＴがＯＦＦして発光が停止する。

高速同調モード選択時については、先述した実施例と同
様であるので、説明を省略する。

次に、エレクトロルミネッセンス素子ＥＬの作動につい
て説明する。

フラッシュ発光準備状態ではカメラボディ内のトランジ
スタＱ、がＯＦＦであるので、制御回路４の端子Ｘには
“Ｈ”が入力されており、したがって、アンドゲートＡ
　Ｎ　Ｄ　ａ　、　Ａ　Ｎ　Ｄ　ｙが開かれている。こ
の状態で、液晶表示部を照明すべくスイッチＳＷ、をＯ
Ｎすると（第９図（イ））、端子ＬＡＭＰが”Ｌ″にな
るので、ワンショットモノマルチ回路４ｅから、一定時
間、“Ｈ”が出力され（第９図（ロ））、アンドゲート
Ａ　Ｎ　Ｄ　ｓ、オアゲートＯＲ，を介して端子ＴＲＩ
ＧからサイリスタＳＣＲ＋のゲート、トランジスタＱｓ
のベースに“Ｈ″が入力される（第９図〈ハ））、シか
し、それと同時にアンドゲートＡ　Ｎ　Ｄ　ｓを介して
端子５ＨＯＲＴからトランジスタＱｓのベースにも“Ｈ
″が入力され（第９図（ホ））、トランジスタＱｓがＯ
Ｎするので、サイリスタＳＣＲ，のゲートが”Ｌ″にな
り、先述したように、サイリスタＳＣＲ，はＯＮせず、
トランジスタＱｓがＯＮする。したがって、スイッチＳ
ＷテをＯＮしたときは、トリガ回路は作動せず、閃光放
電管Ｘｅは発光しない、トランジスタＱ、がＯＮするこ
とにより、フラッシュ発光時と同様、ＩＧＢＴがＯＮＬ
、エレクトロルミネッセンス素子ＥＬのコンデンサ成分
が充電される。また、ＩＧＢＴがＯＦＦすると、エレク
トロルミネッセンス素子ＥＬのコンデンサ成分に充電さ
れた電荷が抵抗Ｒ：Ｓを介して放電される。

ＥＬ制御回路４ｆから出力されるパルスは、アンドゲー
トＡ　Ｎ　Ｄ　ｙ、オアゲートＯＲ，を介して端子５Ｔ
ＯＰからトランジスタＱ　３．　Ｑ　＠のベースに印加
されるので、高速同調モード選択時と同様、ＩＧＢＴは
、回路４ｆが発するパルスの周期で０Ｎ−ＯＦＦを繰り
返す、したがって、エレクトロルミネッセンス素子ＥＬ
のコンデンサ成分の充放電が前記パルスの周期で行なわ
れ、エレクトロルミネッセンス素子ＥＬが発光する。

スイッチＳＷｙをＯＮしてから一定時間後にワンショッ
トモノマルチ回路４ｅが作動を停止すると、アンドゲー
トＡ　Ｎ　Ｄ　＠　、　Ａ　Ｎ　Ｄ　ｔが閉じられるの
で、制御回路４の端子ＴＲＩＧおよび５ＴＯＰからＩＩ
　Ｌ　ｗが出力され、トランジスタＱコ＋　Ｑ　４１　
Ｑ　ｓ　ｒＱ、、およびＩＧＢＴが０ＦＦｔ、、エレク
トロルミネッセンス素子ＥＬの発光が停止する。

このように、エレクトロルミネッセンス素子ＥＬの制御
を、閃光放電管Ｘｅの発光を制御する１ＧＢＴで行なう
ので、エレクトロルミネッセンス素子ＥＬを制御するた
めの制御手段が不要となり、部品点数の削減、コストダ
ウン、軽量小型化が可能となる。

弘団ｍ先 一以上、説明したように、本発明の高速同調可能なフラ
ッシュ装置では、フラッシュ発光部の発光のデユーティ
比を変えることによって発光強度（実効値）を変えるこ
とができるので、シャッタスピードと絞り値とを自由に
設定して、所望の撮影条件でフラッシュ同調撮影ができ
る。しかも、発光輝度をモニタする手段を必要としない
ので、そのようなモニタをそなえた装置と比べて、部品
点数の低減化、装置の軽量小型化を達成することができ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明を実施したフラッシュ装置の実施例を示
す回路図、第２図はカメラホディ内回路の要部回路図、
第３０は第１図における制御回路の回路図、第４図（ａ
）は第３図におけるデユーティ比制御回路の回路図、同
図（ｂ）はデユーティ比制御回路の動作を示すタイムチ
ャート、第５図は第１図に示した実施例の動作を示すタ
イムチャートで、（ａ）は通常モード、（ｂ）は高速同
調モードを示している。第６図は、第１図に示した実施
例における発光制御回路の変形例を示す回路図である。 第７図は本発明を実施したフラッシュ装置の他の実施例
を示す回路図、第８図は第７図における制御回路の回路
図、第９図は第７図に示した実施例におけるエレクトロ
ルミネッセンスの動作を示すタイムチャートである。第
１０図（ａ）はＩ　ＧＢＴの基本構造を示す図、同図（
ｂ）はＩＧＢＴの等価回路を示す回路図、同図（ｃ）は
ＩＧＢＴの素子記号を示す図、同図（ｄ）はＩＧＢＴ、
ＭＯＳＦＥＴ、バイポーラトランジスタのＯＮ電圧と電
流密度の関係を示すグラフ、同図（ｅ）は前記各素子の
チップ面積の比を示す図である。 ＢＡＴ　　・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・　電源Ｃｓ　　・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・　メインコンデンサＸｅ　　・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・　　フラッシュ発光部Ｉ　ＧＢＴ　　・・・・・・
・・・・・・・・・・・　スイッチング単段３　・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・　トリガ手段４ｄ、〜４ｄａ　　・・・・・・・・
・・・・・　パルス出力手段４　・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・制御手段出
願人　　ミノルタカメラ株式会社 第２図 第４図（α） Ｖハ 第４図（１，、） 第５図 （）　　　５　丁ｏｆａ　　　　　　：　　　　：　　
　　ｒｌ−ω０祝初／レレを 第６図 １１’％１ｌＪＬ　　　　　　　　　　　　ごｉｌｌど
Ｌ第１θ図（Ｑ） Ｅ ｉ１ｉ％／θ図ｔＪ　　　　　１１Ｐ１１０図（Ｃ）ε 第１１図ｃｄ） オン（、／Ｌ（Ｙ） 外ｌρ図（ｅ）

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）電源と、前記電源により充電されるメインコンデ
   ンサと、前記メインコンデンサの充電電荷を消費して発
   光するフラッシュ発光部と、前記フラッシュ発光部を介
   する前記メインコンデンサの放電ループ内に設けられた
   スイッチング手段と、発光開始信号に応答して前記フラ
   ッシュ発光部を励起させるトリガ手段と、それぞれデュ
   ーティ比の異なる複数種類のパルスを出力でき、入力し
   た選択信号に応じて、それら複数種類のパルスの中から
   一つを出力するパルス出力手段と、前記パルス出力手段
   から出力されるパルスに応答して、前記スイッチング手
   段のＯＮ、ＯＦＦを繰り返させる制御手段とを備えたこ
   とを特徴とする高速同調可能なフラッシュ装置。
2. （２）前記スイッチング手段はＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａ
   ｔｅｄＧａｔｅＢｉｐｏｌａｒＴｒａｎｓｉｓｔｅｒ）
   であることを特徴とする、特許請求の範囲第（１）項記
   載の高速同調可能なフラッシュ装置。
3. （３）前記トリガ手段は、前記発光開始信号に応答して
   ＯＮする半導体スイッチング手段を備え、前記半導体ス
   イッチング手段がＯＮになったときに前記フラッシュ発
   光部を励起させることを特徴とする、特許請求の範囲第
   （１）項または第（２）項記載の高速同調可能なフラッ
   シュ装置。
4. （４）前記ＩＧＢＴのゲートに一定電圧を印加させる定
   電圧発生手段を備えたことを特徴とする、特許請求の範
   囲第（２）項または第（３）項記載の高速同調可能なフ
   ラッシュ装置。
5. （５）前記一定電圧は前記メインコンデンサから印加さ
   れることを特徴とする特許請求の範囲第（４）項記載の
   高速同調可能なフラッシュ装置。