JPH03144617A - 閃光制御回路 - Google Patents
閃光制御回路Info
- Publication number
- JPH03144617A JPH03144617A JP1284504A JP28450489A JPH03144617A JP H03144617 A JPH03144617 A JP H03144617A JP 1284504 A JP1284504 A JP 1284504A JP 28450489 A JP28450489 A JP 28450489A JP H03144617 A JPH03144617 A JP H03144617A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- trigger
- flash
- circuit
- flash tube
- control circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 35
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000007599 discharging Methods 0.000 abstract description 7
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 abstract 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 17
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 4
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B41/00—Circuit arrangements or apparatus for igniting or operating discharge lamps
- H05B41/14—Circuit arrangements
- H05B41/30—Circuit arrangements in which the lamp is fed by pulses, e.g. flash lamp
- H05B41/32—Circuit arrangements in which the lamp is fed by pulses, e.g. flash lamp for single flash operation
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
この発明は、カメラで写真撮影の際に被写体等から適度
な露光量を得るために閃光管の発光量を制御する閃光制
御回路に関するものである。
な露光量を得るために閃光管の発光量を制御する閃光制
御回路に関するものである。
第４図は一般的な非自己保持型の半導体スイッチング素
子を用いて閃光管の放電時間を制御することにより発光
量を制御する閃光制御回路を示すブロック図である。 閃光制御回路１００は、電源回路Ａ１該電源回路Ａから
の出力電圧を発振昇圧して主コンデンサＩＩに充電する
発振昇圧手段Ｂ、前記主コンデンサ１１に充電された電
荷を放電することにより発光する閃光管ＩＯ１前記放電
のためのエネルギーを充電する主コンデンサ１１．抵抗
素子１２、前記閃光管ＩＯにトリガ電圧を印加するトリ
ガ回路Ｃ１前記トリガ回路Ｃを起動すると共に閃光管ｌ
Ｏの発光を制御するＩ ＧＢＴ等の非自己保持型の半導
体スイッチング素子（以下、スイッチング素子という）
１６とからなり、閃光管ＩＯの一方の端子及びトリガ回
路Ｃのトリガトランス１次側コイルの一方の端子を前記
スイッチング素子１６のコレクタ端子に接続して該スイ
ッチング素子１６をオン／オフすることにより、閃光管
１０内に前記主コンデンサ１１に蓄えられたエネルギー
を放電する時間を制御して発光量を制御することができ
ると共に主コンデンサ１１の端子電圧ＶＣＭで複数回に
亘って発光するように制御するものである。 第５図は閃光管１０を複数回に亘って発光したときにお
ける閃光制御回路の動作を示すグラフである。 図において、スイッチング素子１６のゲート端子に印加
するパルス信号を（ａ）に示してあり、主コンデンサ１
１の端子電圧ＶＣＩＪの変位を（ｂ）に示しである。（
ｂ）において斜線で示した面積は発光量にほぼ相当して
いる。
子を用いて閃光管の放電時間を制御することにより発光
量を制御する閃光制御回路を示すブロック図である。 閃光制御回路１００は、電源回路Ａ１該電源回路Ａから
の出力電圧を発振昇圧して主コンデンサＩＩに充電する
発振昇圧手段Ｂ、前記主コンデンサ１１に充電された電
荷を放電することにより発光する閃光管ＩＯ１前記放電
のためのエネルギーを充電する主コンデンサ１１．抵抗
素子１２、前記閃光管ＩＯにトリガ電圧を印加するトリ
ガ回路Ｃ１前記トリガ回路Ｃを起動すると共に閃光管ｌ
Ｏの発光を制御するＩ ＧＢＴ等の非自己保持型の半導
体スイッチング素子（以下、スイッチング素子という）
１６とからなり、閃光管ＩＯの一方の端子及びトリガ回
路Ｃのトリガトランス１次側コイルの一方の端子を前記
スイッチング素子１６のコレクタ端子に接続して該スイ
ッチング素子１６をオン／オフすることにより、閃光管
１０内に前記主コンデンサ１１に蓄えられたエネルギー
を放電する時間を制御して発光量を制御することができ
ると共に主コンデンサ１１の端子電圧ＶＣＭで複数回に
亘って発光するように制御するものである。 第５図は閃光管１０を複数回に亘って発光したときにお
ける閃光制御回路の動作を示すグラフである。 図において、スイッチング素子１６のゲート端子に印加
するパルス信号を（ａ）に示してあり、主コンデンサ１
１の端子電圧ＶＣＩＪの変位を（ｂ）に示しである。（
ｂ）において斜線で示した面積は発光量にほぼ相当して
いる。
しかしながら、上記閃光制御回路１００は、閃光管１０
の一方の端子及びトリガ回路の入力端子をスイッチング
素子１６のコレクタ端子に接続し、該スイッチング素子
１６を複数回に亘ってオン／オフすることにより、閃光
管ｌＯを複数回に亘って小発光させると、第５図に示す
ように小発光を繰り返す毎に主コンデンサ１１に充電し
た電荷量は放電して主コンデンサ１１の端子電圧ＶＣＭ
を減少することにより、該主コンデンサ１１の端子電圧
ＶＣＭの減少に伴って閃光管ＩＯからの発光量は急激に
減少することになるので、例えばカメラで多重露出撮影
を行う場合に、終わりに撮影した被写体からの露光量が
不足するという問題点がある。 本発明は、例えば多重露出撮影等に適するように閃光管
をほぼ均等な発光量を維持しながら発光し続けることが
できる閃光制御回路を提供することを目的とする。
の一方の端子及びトリガ回路の入力端子をスイッチング
素子１６のコレクタ端子に接続し、該スイッチング素子
１６を複数回に亘ってオン／オフすることにより、閃光
管ｌＯを複数回に亘って小発光させると、第５図に示す
ように小発光を繰り返す毎に主コンデンサ１１に充電し
た電荷量は放電して主コンデンサ１１の端子電圧ＶＣＭ
を減少することにより、該主コンデンサ１１の端子電圧
ＶＣＭの減少に伴って閃光管ＩＯからの発光量は急激に
減少することになるので、例えばカメラで多重露出撮影
を行う場合に、終わりに撮影した被写体からの露光量が
不足するという問題点がある。 本発明は、例えば多重露出撮影等に適するように閃光管
をほぼ均等な発光量を維持しながら発光し続けることが
できる閃光制御回路を提供することを目的とする。
上記目的を達成するこの発明は、閃光管の一方の端子及
び該閃光管のトリガ端子にトリガ電圧を印加するトリガ
回路に接続した非自己保持型のスイッチング素子をオン
して主コンデンサに蓄えられた発光エネルギーを前記閃
光管内で放電し発光する閃光制御回路において、前記半
導体スイッチング素子のゲート端子にデユーティ比を除
々に大きくなる連続しｔ；パルス信号を印加するパルス
発生回路を備えたことことを特徴とするものである。 以下、本発明の閃光制御回路の該略構成及び作用につい
て説明する。 第１図は本発明の閃光制御回路の該略構成を示すブロッ
ク図である。 本発明の閃光制御回路２００は、−回の充電動作により
生じた主コンデンサ１０の端子電圧ＶＣＭでほぼ均等な
発光量で閃光管１０を発光するように制御するものであ
る。 閃光制御回路２００は、例えば電池等の電源回路Ａ、該
ｌＥｒｌＫ回路Ａからの出力電圧を発振昇圧して主コン
デンサ１１に充電する発振昇圧手段Ｂ１該コンデンサ１
１に充電された電荷を放電することにより発光する閃光
管ｌＯ１前記放電のためのエネルギーが充電される主コ
ンデンサ１１．抵抗素子１２、前開始させると共に閃光
管ｌＯの発光停止を行う非自己保持型の半導体スイッチ
ング素子１６とから構成することは従来と同様であり、
デユーティ比を大小に変えるデユーティ比可変手段り及
びパルス発生手段Ｅを備え、該パルス発生手段Ｃからの
パルス信号を前記スイッチング素子ｉ６のゲート端子に
印加するものである。 次に本発明の閃光制御回路２００における発光動作につ
いて説明する。 第２図は本発明の閃光制御回路における閃光管の発光動
作を示すグラフである。 図において、スイッチング素子１６のゲート端子に印加
するパルス信号を（ａ）に示し、主コンデンサ１１の端
子電圧ＶＣＭの変位を（ｂ）に示し、閃光管１０からの
発光量を（ｃ）に示している。ここで、スイッチング素
子１６はゲート端子の電圧がハイレベルとしたときにオ
ン状態になるハイアクティブとして説明する。 スイッチング素子１６のゲート端子に印加するパルス信
号は次第にハイレベルの状態、つまりスイッチング素子
１６のオン時間を長くなるように制御する。主コンデン
サ１１の端子電圧ＶＣＭはスイッチング素子１６をオン
にした時間で降圧する（（ｂ）参照）。 これらのスイッチング素子１６をオン状態にあるとき、
閃光管１０内を主コンデンサ１１からの電流が放電を続
けており、このときの発光量を（ｃ）に示しており、（
Ｃ）に示す斜線の面積がほぼ等しくなる。 上述のように、本発明の閃光制御回路は、閃光管１０が
主コンデンサ１１の放電により発光する時間を順次長く
なるようにして、はぼ均等な発光量で小発光を繰り返す
ようにしたものである。 なお、スイッチング素子１６はロウアクイブ、つまり、
ゲート端子に印加するパルス信号がロウ状態にあるとき
、オン状態にあるものであれば、スイッチング素子１６
に印加するパルス信号は順次ロウ状態を長くなるように
すれば、前述と同様に、はぼ均等な発光量で小発光を繰
り返すようにできる。
び該閃光管のトリガ端子にトリガ電圧を印加するトリガ
回路に接続した非自己保持型のスイッチング素子をオン
して主コンデンサに蓄えられた発光エネルギーを前記閃
光管内で放電し発光する閃光制御回路において、前記半
導体スイッチング素子のゲート端子にデユーティ比を除
々に大きくなる連続しｔ；パルス信号を印加するパルス
発生回路を備えたことことを特徴とするものである。 以下、本発明の閃光制御回路の該略構成及び作用につい
て説明する。 第１図は本発明の閃光制御回路の該略構成を示すブロッ
ク図である。 本発明の閃光制御回路２００は、−回の充電動作により
生じた主コンデンサ１０の端子電圧ＶＣＭでほぼ均等な
発光量で閃光管１０を発光するように制御するものであ
る。 閃光制御回路２００は、例えば電池等の電源回路Ａ、該
ｌＥｒｌＫ回路Ａからの出力電圧を発振昇圧して主コン
デンサ１１に充電する発振昇圧手段Ｂ１該コンデンサ１
１に充電された電荷を放電することにより発光する閃光
管ｌＯ１前記放電のためのエネルギーが充電される主コ
ンデンサ１１．抵抗素子１２、前開始させると共に閃光
管ｌＯの発光停止を行う非自己保持型の半導体スイッチ
ング素子１６とから構成することは従来と同様であり、
デユーティ比を大小に変えるデユーティ比可変手段り及
びパルス発生手段Ｅを備え、該パルス発生手段Ｃからの
パルス信号を前記スイッチング素子ｉ６のゲート端子に
印加するものである。 次に本発明の閃光制御回路２００における発光動作につ
いて説明する。 第２図は本発明の閃光制御回路における閃光管の発光動
作を示すグラフである。 図において、スイッチング素子１６のゲート端子に印加
するパルス信号を（ａ）に示し、主コンデンサ１１の端
子電圧ＶＣＭの変位を（ｂ）に示し、閃光管１０からの
発光量を（ｃ）に示している。ここで、スイッチング素
子１６はゲート端子の電圧がハイレベルとしたときにオ
ン状態になるハイアクティブとして説明する。 スイッチング素子１６のゲート端子に印加するパルス信
号は次第にハイレベルの状態、つまりスイッチング素子
１６のオン時間を長くなるように制御する。主コンデン
サ１１の端子電圧ＶＣＭはスイッチング素子１６をオン
にした時間で降圧する（（ｂ）参照）。 これらのスイッチング素子１６をオン状態にあるとき、
閃光管１０内を主コンデンサ１１からの電流が放電を続
けており、このときの発光量を（ｃ）に示しており、（
Ｃ）に示す斜線の面積がほぼ等しくなる。 上述のように、本発明の閃光制御回路は、閃光管１０が
主コンデンサ１１の放電により発光する時間を順次長く
なるようにして、はぼ均等な発光量で小発光を繰り返す
ようにしたものである。 なお、スイッチング素子１６はロウアクイブ、つまり、
ゲート端子に印加するパルス信号がロウ状態にあるとき
、オン状態にあるものであれば、スイッチング素子１６
に印加するパルス信号は順次ロウ状態を長くなるように
すれば、前述と同様に、はぼ均等な発光量で小発光を繰
り返すようにできる。
次に、この発明を添付図面に基づいて実施例について説
明する。 第３図は本実施゛例の閃光制御回路を示すブロック図で
ある。 本実施例の閃光制御回路２００は、例えば電池等の電源
回路Ａ、昇圧発振回路Ｂ１閃光管１０としてキセノン管
、主コンデンサＩＩ、抵抗素子１２、トリガ回路Ｃ及び
前記トリガ回路Ｃを起動してキセノン管ｌＯの発光を開
始させると共にキセノン管ｌＯの発光を停止する非自己
保持型の半導体スイッチング素子として三菱電気製のＩ
ＧＢＴ（以下、ＩＧＢＴという）１６、該ＩＧＢＴ１６
のゲート端子のパルス信号を印加することにより、該Ｉ
ＧＢＴ１６を駆動するドライブ回路２０と該ドライブ回
路２０を駆０ 動する信号を送出するマイクロコンピュータ妊とからな
る。なお、第１図に示した閃光制御回路２００ですでに
説明しである事項については省略する。 トリガ回路Ｃは、トリガコンデンサー３及びトリガトラ
ンス１４からなり、トリガコンデンサー３を放電する°
とパルストランス１４の２次コイルに例えば２ｋＶの高
電圧を励起し、キセノン管ｌＯ内でガスを励起する。マ
イクロコンピュータ３０はデユーティ比を変える信号を
出力する。ドライブ回路２０は７イクロコンピユータ、
４０からの信号に基づいてパルス信号をＩＧＢＴ１６の
ゲート端子に印加する。 閃光制御回路２００における要部構成であるキセノン管
１０．主コンデンサー１１トリガ回路Ｃ１抵抗素子１２
及びＩＧＢＴ１６の接続関係について説明する。 主コンデンサ１１、キセノン’ｆ１０及びＩＧＢＴ１６
で閉ループを構威しである。抵抗素子１２はキセノン管
１０に並列に接続しである。また、トリガ回路Ｃは、ト
リガコンデンサ１３及びトリガトランス１４を直列接続
しており、トリガコンデンサ１３の他の端子全キセノン
管１０とＩＧＢＴ１６のコレクタ端子との接続点に接続
しており、トリガトランス１４の２次コイル端をキセノ
ン管１０のトリガ端子に接続しである。このように接続
することにより、ＩＧＢＴＩ６をオンすると、トリガ回
路Ｃを起動し、■Ｇ Ｂ Ｔ １６をオフすると、キセ
ノン管ｌＯ内の電流の導通を停止して放電を止めること
ができる。 以下に本実施例の閃光制御回路２００における閃光管の
発光量を制御する動作について説明する。 先ず、発振昇圧手段Ｂは電源回路Ａからの出力電圧を発
振昇圧して主コンデンサ１１及び抵抗素子１１を介して
トリガコンデンサ１３をＶＣＭに充電シ、コンデンサ２
１をＩＧＢＴ１６をオンにするためにそのゲートに供電
される電圧ＶＣに充電する。 次にマイクロコンピュータ３０からの信号に基づいてド
ライブ回路からパルス信号をＩＧＢＴ１６のゲート端子
に印加してＩＧＢＴ１６をオン状態にする。これにより
、トリガコンデンサ１２は放電を開始してトリガトラン
ス１３の一次コイルに１次電流を励起し、該１次電流に
より２次コイルに高電圧を励起する。この高電圧はキセ
ノン管ｌＯのトリガ端子に印加することにより、キセノ
ン管１０内でキセノンガスが励起されキセノン管ｌＯ内
が低抵抗状態になるので、主コンデンサ１１に蓄えられ
ていた電荷は放電し、キセノン管１０内を流れることに
より、キセノン管ｌＯで発光が起きる。ついで、ドライ
ブ回路２０からのパルス信号によりＩＧＢＴ１６のゲー
トをロウレベルとするとＩＧＢＴ１６をオフ状態となり
、キセノン管ＩＯ内での発光は停止する。 このようにドライブ回路２０からの順次デユーティ比の
大きくなる連続したパルス信号をｒＧＢＴ１６のゲート
端子に印加してＩＧＢＴ１６のオン時間を順次長くする
ことにより、キセノン管１０を発光スる時間を順次長く
することになるので、連続して発光する小発光量はほぼ
均等になるという効果がある。
明する。 第３図は本実施゛例の閃光制御回路を示すブロック図で
ある。 本実施例の閃光制御回路２００は、例えば電池等の電源
回路Ａ、昇圧発振回路Ｂ１閃光管１０としてキセノン管
、主コンデンサＩＩ、抵抗素子１２、トリガ回路Ｃ及び
前記トリガ回路Ｃを起動してキセノン管ｌＯの発光を開
始させると共にキセノン管ｌＯの発光を停止する非自己
保持型の半導体スイッチング素子として三菱電気製のＩ
ＧＢＴ（以下、ＩＧＢＴという）１６、該ＩＧＢＴ１６
のゲート端子のパルス信号を印加することにより、該Ｉ
ＧＢＴ１６を駆動するドライブ回路２０と該ドライブ回
路２０を駆０ 動する信号を送出するマイクロコンピュータ妊とからな
る。なお、第１図に示した閃光制御回路２００ですでに
説明しである事項については省略する。 トリガ回路Ｃは、トリガコンデンサー３及びトリガトラ
ンス１４からなり、トリガコンデンサー３を放電する°
とパルストランス１４の２次コイルに例えば２ｋＶの高
電圧を励起し、キセノン管ｌＯ内でガスを励起する。マ
イクロコンピュータ３０はデユーティ比を変える信号を
出力する。ドライブ回路２０は７イクロコンピユータ、
４０からの信号に基づいてパルス信号をＩＧＢＴ１６の
ゲート端子に印加する。 閃光制御回路２００における要部構成であるキセノン管
１０．主コンデンサー１１トリガ回路Ｃ１抵抗素子１２
及びＩＧＢＴ１６の接続関係について説明する。 主コンデンサ１１、キセノン’ｆ１０及びＩＧＢＴ１６
で閉ループを構威しである。抵抗素子１２はキセノン管
１０に並列に接続しである。また、トリガ回路Ｃは、ト
リガコンデンサ１３及びトリガトランス１４を直列接続
しており、トリガコンデンサ１３の他の端子全キセノン
管１０とＩＧＢＴ１６のコレクタ端子との接続点に接続
しており、トリガトランス１４の２次コイル端をキセノ
ン管１０のトリガ端子に接続しである。このように接続
することにより、ＩＧＢＴＩ６をオンすると、トリガ回
路Ｃを起動し、■Ｇ Ｂ Ｔ １６をオフすると、キセ
ノン管ｌＯ内の電流の導通を停止して放電を止めること
ができる。 以下に本実施例の閃光制御回路２００における閃光管の
発光量を制御する動作について説明する。 先ず、発振昇圧手段Ｂは電源回路Ａからの出力電圧を発
振昇圧して主コンデンサ１１及び抵抗素子１１を介して
トリガコンデンサ１３をＶＣＭに充電シ、コンデンサ２
１をＩＧＢＴ１６をオンにするためにそのゲートに供電
される電圧ＶＣに充電する。 次にマイクロコンピュータ３０からの信号に基づいてド
ライブ回路からパルス信号をＩＧＢＴ１６のゲート端子
に印加してＩＧＢＴ１６をオン状態にする。これにより
、トリガコンデンサ１２は放電を開始してトリガトラン
ス１３の一次コイルに１次電流を励起し、該１次電流に
より２次コイルに高電圧を励起する。この高電圧はキセ
ノン管ｌＯのトリガ端子に印加することにより、キセノ
ン管１０内でキセノンガスが励起されキセノン管ｌＯ内
が低抵抗状態になるので、主コンデンサ１１に蓄えられ
ていた電荷は放電し、キセノン管１０内を流れることに
より、キセノン管ｌＯで発光が起きる。ついで、ドライ
ブ回路２０からのパルス信号によりＩＧＢＴ１６のゲー
トをロウレベルとするとＩＧＢＴ１６をオフ状態となり
、キセノン管ＩＯ内での発光は停止する。 このようにドライブ回路２０からの順次デユーティ比の
大きくなる連続したパルス信号をｒＧＢＴ１６のゲート
端子に印加してＩＧＢＴ１６のオン時間を順次長くする
ことにより、キセノン管１０を発光スる時間を順次長く
することになるので、連続して発光する小発光量はほぼ
均等になるという効果がある。
以上説明したように、本発明は閃光管の一方の端子及び
該閃光管のトリガ端子にトリガ電圧を印加するトリガ回
路に接続した非自己保持型のスイッチング素子をオンし
て主コンデンサに蓄えられた発光エネルギーを前記閃光
管で放電する閃光制御回路において、前記半導体スイッ
チング素子のゲート端子にデユーティ比を除々に大きく
なる連続したパルス信号を印加するパルス発生回路を備
え、スイッチング素子のオン時間を順次ながくなり、連
続する発光はほぼ均等な発光量で行うことができるので
、はぼ均等な発光量で発光する時間を維持でき例えば多
重露出撮影等に適するように閃光管をほぼ均等な発光量
を維持しながら発光し続けることができる閃光制御回路
を提供することができ Ｉこ 。
該閃光管のトリガ端子にトリガ電圧を印加するトリガ回
路に接続した非自己保持型のスイッチング素子をオンし
て主コンデンサに蓄えられた発光エネルギーを前記閃光
管で放電する閃光制御回路において、前記半導体スイッ
チング素子のゲート端子にデユーティ比を除々に大きく
なる連続したパルス信号を印加するパルス発生回路を備
え、スイッチング素子のオン時間を順次ながくなり、連
続する発光はほぼ均等な発光量で行うことができるので
、はぼ均等な発光量で発光する時間を維持でき例えば多
重露出撮影等に適するように閃光管をほぼ均等な発光量
を維持しながら発光し続けることができる閃光制御回路
を提供することができ Ｉこ 。
すブロック図、第２図は本発明の閃光制御回路における
閃光管の発光動作を示すグラフ、第３図は本実施例の閃
光制御回路を示すブロック図、第４図は一般的な閃光制
御回路を示すブロック図、第５図は閃光管１５を複数回
に亘って発光したときにおける閃光制御回路の動作を示
すグラフである。 ｌＯ・・・閃光素子 １２・・・抵抗素子１３
・・・トリガコンデンサ １４・・・トリガトランス１
６・・・非自己保持型のスイッチング素子３０・・・マ
イクロコンピュータ Ｃ・・・トリガ回路
閃光管の発光動作を示すグラフ、第３図は本実施例の閃
光制御回路を示すブロック図、第４図は一般的な閃光制
御回路を示すブロック図、第５図は閃光管１５を複数回
に亘って発光したときにおける閃光制御回路の動作を示
すグラフである。 ｌＯ・・・閃光素子 １２・・・抵抗素子１３
・・・トリガコンデンサ １４・・・トリガトランス１
６・・・非自己保持型のスイッチング素子３０・・・マ
イクロコンピュータ Ｃ・・・トリガ回路
Claims (1)
- 閃光管の一方の端子及び該閃光管のトリガ端子にトリガ
電圧を印加するトリガ回路に接続した非自己保持型のス
イッチング素子をオンして主コンデンサに蓄えられた発
光エネルギーを前記閃光管内で放電し発光させる閃光制
御回路において、前記半導体スイッチング素子のゲート
端子にデューティ比を除々に大きくなる連続したパルス
信号を印加するパルス発生回路を備えたことを特徴とす
る閃光制御回路。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1284504A JPH03144617A (ja) | 1989-10-31 | 1989-10-31 | 閃光制御回路 |
| US07/601,999 US5115169A (en) | 1989-10-31 | 1990-10-23 | Flash light control circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1284504A JPH03144617A (ja) | 1989-10-31 | 1989-10-31 | 閃光制御回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03144617A true JPH03144617A (ja) | 1991-06-20 |
Family
ID=17679367
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1284504A Pending JPH03144617A (ja) | 1989-10-31 | 1989-10-31 | 閃光制御回路 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5115169A (ja) |
| JP (1) | JPH03144617A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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