JPH01122172A - ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴの製造方法 - Google Patents
ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴの製造方法Info
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- JPH01122172A JPH01122172A JP27912287A JP27912287A JPH01122172A JP H01122172 A JPH01122172 A JP H01122172A JP 27912287 A JP27912287 A JP 27912287A JP 27912287 A JP27912287 A JP 27912287A JP H01122172 A JPH01122172 A JP H01122172A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
この発明は、ＧａＡｓＭＥＳＦ′ＥＴ（ガリウム砒素シ
ｌＩｖトキパリア型電界効果トランジスタ〕の製造方法
に関するものである。
ｌＩｖトキパリア型電界効果トランジスタ〕の製造方法
に関するものである。
（従来の技４）
従来のＧａＡｓＭＥＳＦＥＴの製造方法は、活性層の形
成と、ソース、ドレイン碩域Ｎ＋導電層形成の二つＤ工
程を富む０両層の形成のためには、ｎ駿不純物のイオン
注入とそれに続く注入不純物活性化のためのアニールに
よる工程と、エピタキシャル成長により形成する工程の
２種類、及びその両者の組み曾わせが提案されている。
成と、ソース、ドレイン碩域Ｎ＋導電層形成の二つＤ工
程を富む０両層の形成のためには、ｎ駿不純物のイオン
注入とそれに続く注入不純物活性化のためのアニールに
よる工程と、エピタキシャル成長により形成する工程の
２種類、及びその両者の組み曾わせが提案されている。
イオン注入にエリ活性層婦、Ｎ中層の両ｒｍ ＆形成し
ようとする場合、高速の素子を実現しうるサブミクロン
ゲートのＭＥＳＦＥＴｆこなると、イオン注入後のアニ
ール時に高濃度ドープＮ＋嗜から低濃度ドープ活性層へ
、注入不純物原子が拡散し、活性層厚さが厚くなり、Ｆ
ＥＴの高速性が劣下するという問題があった。他方、エ
ピタキシャル成長によってＮ中層及びｎ層（活性層）を
形成しようとするＳ曾ＭＥＳＦＥＴは、横型構造素子で
あるため、再成長技術を用いても良好なＭＥＳＦＥＴｌ
ｌａ９ｅ得ることが−η）しい。
ようとする場合、高速の素子を実現しうるサブミクロン
ゲートのＭＥＳＦＥＴｆこなると、イオン注入後のアニ
ール時に高濃度ドープＮ＋嗜から低濃度ドープ活性層へ
、注入不純物原子が拡散し、活性層厚さが厚くなり、Ｆ
ＥＴの高速性が劣下するという問題があった。他方、エ
ピタキシャル成長によってＮ中層及びｎ層（活性層）を
形成しようとするＳ曾ＭＥＳＦＥＴは、横型構造素子で
あるため、再成長技術を用いても良好なＭＥＳＦＥＴｌ
ｌａ９ｅ得ることが−η）しい。
ｔ タ＆ ｎ ｒ４？！−エピタキシャル成長により形
成した侵にＮ中層を、イオン注入にエリ形成しようとす
るＩＭ曾、イオン庄人匝のアニール時に、Ｎ１−圧入不
純物がｎ層に拡牧するという間４が生じた。
成した侵にＮ中層を、イオン注入にエリ形成しようとす
るＩＭ曾、イオン庄人匝のアニール時に、Ｎ１−圧入不
純物がｎ層に拡牧するという間４が生じた。
（発明が解決しようとする問題点）
以上のように、従来のＧａＡａＭＥＳＦＥＴの製造方法
はいずれも欠点があり、十分満足のいくものではなかう
た。
はいずれも欠点があり、十分満足のいくものではなかう
た。
この発明は上記の従来の問題点を解決し、良好な特性を
有するＧａＡａＭＥＳＦＥＴの製造方法を提供すること
を目的とする。
有するＧａＡａＭＥＳＦＥＴの製造方法を提供すること
を目的とする。
本発明によるＧａＡｓＭＥｓＦＥＴ７）Ｎ遣方法では。
Ｎ＋高濃度導屯層をエピタキシャル成長させた臘、活性
層となる部位に、ｎ型キャリアな補償、または減少させ
る効果２）ある原子をイオン注入することにより、注入
された部位のキャリアａ度１に：減少させ、ｎｌＧ）ｆ
ｇ：形成さぜることによりＭＥＳＦＥＴの基本構面であ
るＮ”−ｎ−Ｎ中層構造な実現させようとするものであ
る。キャリア濃度を減少させるための注入イオン種とし
ては酸素、マグネシウム、ベリリウム等が考えられる。
層となる部位に、ｎ型キャリアな補償、または減少させ
る効果２）ある原子をイオン注入することにより、注入
された部位のキャリアａ度１に：減少させ、ｎｌＧ）ｆ
ｇ：形成さぜることによりＭＥＳＦＥＴの基本構面であ
るＮ”−ｎ−Ｎ中層構造な実現させようとするものであ
る。キャリア濃度を減少させるための注入イオン種とし
ては酸素、マグネシウム、ベリリウム等が考えられる。
酸素は、電子の捕獲準位２作る作用のある原子であり、
Ｍｇ、Ｂｅ等はｐＦＩ！不純物である。
Ｍｇ、Ｂｅ等はｐＦＩ！不純物である。
これによりエピタキシャル成長の長所である高濃度、薄
層の活性＃、Ｎ＋Ｉｉの形成が可能である点曇こ加えて
、Ｎ中層形成のための不純物％例えばＳｔの横力向拡散
が濃度勾配がないために生じないので短チヤネル効果の
発生が抑えらちる。酸素の活性化は、 ６００Ｃ：の
アニールで充分実現され、また、イオン注入による結晶
欠陥の回復４６００℃以下の稙度で実現される。アニー
ル中の酸素の拡散は６００℃という低温では極めて小さ
くアニールによる酸素原子の再拡散の心配はなく５期待
通りの不純物分布欠容易に得ることが可能である。この
結果、−度のＮ十喰エピタキシャル成長と、−度のイオ
ン注入工程にエリ、ｒＡめて容易に、薄層で高濃度の活
性層と、Ｎ＋Ｉ＃導電ｌ−ヲ有する高速性に優れたＧａ
ＡｓＭＥＳＦＥＴに均一性、再現住良＜ａａすることが
可能となる。
層の活性＃、Ｎ＋Ｉｉの形成が可能である点曇こ加えて
、Ｎ中層形成のための不純物％例えばＳｔの横力向拡散
が濃度勾配がないために生じないので短チヤネル効果の
発生が抑えらちる。酸素の活性化は、 ６００Ｃ：の
アニールで充分実現され、また、イオン注入による結晶
欠陥の回復４６００℃以下の稙度で実現される。アニー
ル中の酸素の拡散は６００℃という低温では極めて小さ
くアニールによる酸素原子の再拡散の心配はなく５期待
通りの不純物分布欠容易に得ることが可能である。この
結果、−度のＮ十喰エピタキシャル成長と、−度のイオ
ン注入工程にエリ、ｒＡめて容易に、薄層で高濃度の活
性層と、Ｎ＋Ｉ＃導電ｌ−ヲ有する高速性に優れたＧａ
ＡｓＭＥＳＦＥＴに均一性、再現住良＜ａａすることが
可能となる。
（実施列）
半絶縁性ＧａＡｓ基板に２分子線エピタキシャル成長（
ＭＢｇ）技術によりてＳｔ ｄｏｐｅｄ ＧａＡｓＩ
Ｉ ｋ Ｉ Ｘ １０”Ｃｌ１ｌ−婁 のＳｌａ度、厚
さ５００Ａで形成した（第１図）。
ＭＢｇ）技術によりてＳｔ ｄｏｐｅｄ ＧａＡｓＩ
Ｉ ｋ Ｉ Ｘ １０”Ｃｌ１ｌ−婁 のＳｌａ度、厚
さ５００Ａで形成した（第１図）。
次に、リングラフイー技術を用いて、１μｍ７１０μｍ
の窓ケ開け、選択的に酸素のイオン注入を行なった（窮
２図）。
の窓ケ開け、選択的に酸素のイオン注入を行なった（窮
２図）。
注入条件は１式（１）と、消去効率に＝２Ｆｒ用いて算
出され。
出され。
必要とされるＭＥＳＦＥＴのしきい１［を圧に合わせて
選択する。こ７）実施例では加速エネルギー７０ＫｅＶ
、ドーズ量３ Ｘ １０”ｃｆｆ” とした。
選択する。こ７）実施例では加速エネルギー７０ＫｅＶ
、ドーズ量３ Ｘ １０”ｃｆｆ” とした。
このｆｆ１ｂ ６００’Ｃのア＝ ｋＹｈ ＳｉＮ
ｃａｐで、２０ ｍｌｎｕｔｅｓ行ない、シｗ −
ｔ トキー’ＲｉｏオーミＶりｔ（１ｗそれぞｎｈ Ｗ
Ｓｉ＠Ａ１１Ｇｅ／ＡｕによりＦＥＴが得られた。
ｃａｐで、２０ ｍｌｎｕｔｅｓ行ない、シｗ −
ｔ トキー’ＲｉｏオーミＶりｔ（１ｗそれぞｎｈ Ｗ
Ｓｉ＠Ａ１１Ｇｅ／ＡｕによりＦＥＴが得られた。
本発明によれば、良好な時性に・胃するＧａＡｓＭＥＳ
ＦＥＴの製造方法を提供することができる。
ＦＥＴの製造方法を提供することができる。
禰１図乃至第３図は１本発明の一実施列のＧａＡｓＭＥ
ＳＦＥＴ製欲工程を表わす図である。 １・・・半絶縁性ＱａＡｓ基板、２・ＭＢＥＦｆｃ長Ｓ
ｔドープＧａ１ｓ層、３・・Ｉｏｎ注入ストッパ（Ｓｉ
ｎ。 ／レジスト）、４・・・酸素イオン注入−１５・・・ｄ
ｉイオン、６・・・ＷＳｉシ冒ットキゲート、７・・・
ＡｕＧｅ／Ａｕオーミック電極、８・・・活性層漫。 代理人 弁理士 則 近 廠 右
ＳＦＥＴ製欲工程を表わす図である。 １・・・半絶縁性ＱａＡｓ基板、２・ＭＢＥＦｆｃ長Ｓ
ｔドープＧａ１ｓ層、３・・Ｉｏｎ注入ストッパ（Ｓｉ
ｎ。 ／レジスト）、４・・・酸素イオン注入−１５・・・ｄ
ｉイオン、６・・・ＷＳｉシ冒ットキゲート、７・・・
ＡｕＧｅ／Ａｕオーミック電極、８・・・活性層漫。 代理人 弁理士 則 近 廠 右
Claims (1)
- （１）ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴの製造方法において、Ｇａ
Ａｓ基板上に、ｎ型不純物ドープ、ＧａＡｓ層をエピタ
キシャル成長させる第１工程と、前記第１工程により得
られたエピタキシャル成長層に活性層形成のために選択
的に、酸素イオンあるいはｐ型不純物イオン注入を行な
う第２工程を具備することを特徴とするＧａＡｓＭＥＳ
ＦＥＴの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27912287A JPH01122172A (ja) | 1987-11-06 | 1987-11-06 | ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27912287A JPH01122172A (ja) | 1987-11-06 | 1987-11-06 | ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01122172A true JPH01122172A (ja) | 1989-05-15 |
Family
ID=17606737
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27912287A Pending JPH01122172A (ja) | 1987-11-06 | 1987-11-06 | ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01122172A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007168766A (ja) * | 2005-11-28 | 2007-07-05 | Mitsubishi Motors Corp | ドア構造 |
-
1987
- 1987-11-06 JP JP27912287A patent/JPH01122172A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007168766A (ja) * | 2005-11-28 | 2007-07-05 | Mitsubishi Motors Corp | ドア構造 |
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