JPH01120041A - 集積回路パッケージ - Google Patents
集積回路パッケージInfo
- Publication number
- JPH01120041A JPH01120041A JP63181454A JP18145488A JPH01120041A JP H01120041 A JPH01120041 A JP H01120041A JP 63181454 A JP63181454 A JP 63181454A JP 18145488 A JP18145488 A JP 18145488A JP H01120041 A JPH01120041 A JP H01120041A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- base
- shield
- chip
- integrated circuit
- lead
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims abstract description 23
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 claims abstract description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 abstract description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 3
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 5
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/552—Protection against radiation, e.g. light or electromagnetic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
- H01L23/60—Protection against electrostatic charges or discharges, e.g. Faraday shields
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/2612—Auxiliary members for layer connectors, e.g. spacers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01014—Silicon [Si]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01025—Manganese [Mn]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01076—Osmium [Os]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1203—Rectifying Diode
- H01L2924/12033—Gunn diode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
Landscapes
- Power Engineering (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は静電遮蔽が内部に造りこまれたプラスチック製
の封入された県債回路パッケージに関するものである。
の封入された県債回路パッケージに関するものである。
(従来の技術および解決すべき課題)
半導体産業により最も一般的に用いられている低価格の
パッケージは、DIPと呼ばれるいわゆる「デュアルイ
ンライン・プラスチックパッケージ」である。このパッ
ケージのコストは非常に低いが、無線周波(RF)用に
おける固有のパッケージの制約は、1本のピンに存在す
る信号を他の任意のピンから分離できる距離である。こ
の性能パラメータは「漏話」と呼ばれる。典型的なりI
Pの漏話分離はIOMHzで測定して78dBである。
パッケージは、DIPと呼ばれるいわゆる「デュアルイ
ンライン・プラスチックパッケージ」である。このパッ
ケージのコストは非常に低いが、無線周波(RF)用に
おける固有のパッケージの制約は、1本のピンに存在す
る信号を他の任意のピンから分離できる距離である。こ
の性能パラメータは「漏話」と呼ばれる。典型的なりI
Pの漏話分離はIOMHzで測定して78dBである。
このレベルの漏話分離はビデオスイッチングのような多
くのRFの用途において不適当である。
くのRFの用途において不適当である。
ビデオスイッチングのようなRFの用途にはセラミック
パッケージが一般に用いられる。セラミックパッケージ
はセラミックベースで構成される。
パッケージが一般に用いられる。セラミックパッケージ
はセラミックベースで構成される。
そのセラミックベースの内部に集積回路チップを組込む
ことができる。そのセラミックパッケージにはセラミッ
クベースから延びるリードのためのスロットと、チップ
の上にかぶせることができる金属蓋とを有する。この構
成では80dBまたはそれ以上の漏話分離を達成できる
が、それらのパッケージのコストは典型的にはDIPパ
ッケージのコストの10倍にもなる。
ことができる。そのセラミックパッケージにはセラミッ
クベースから延びるリードのためのスロットと、チップ
の上にかぶせることができる金属蓋とを有する。この構
成では80dBまたはそれ以上の漏話分離を達成できる
が、それらのパッケージのコストは典型的にはDIPパ
ッケージのコストの10倍にもなる。
(課題を解決するための手段)
したがって、本発明の目的は、セラミックパッケージの
性能に近い性能を有し、しかもDIPのコストよりあま
り高くないコストで製造できる、静電遮蔽を組込んだ半
導体パッケージを得ることである。本発明はその1つの
面において、(a)接地ピンを含む複数のピンを有する
集積回路チップと、 (b)このチップが接着される上側表面および下側表面
を有するベースと、 (c)下側表面をおのおの有し、前記ピンのそれぞれの
1本へ接続されて、前記チップがら前記べ−スをこえて
横方向外方へ延びる複数のリードと、(d)このリード
の前記下側表面の平面の下側の平面内に配置される上側
表面を有し、・かつ前記リードの間の電磁界を減衰させ
て前記リードの間の漏話を減少させるために前記ベース
をこえて横方向外方へ延び、かつ前記リードの少なくと
も一部の下側をこえて延びる部分を有し、前記ベースの
底に接着される電磁遮蔽と、 (e)この遮蔽を前記チップの前記接地ピンへ電気的に
接続する手段と、 (f’)前記チップと、前記遮蔽と、前記リードのうち
前記チップに近い部分とを囲んでそれらを内部に封じ込
めるプラスチック層と、 を備えた集積回路パッケージを提供するものである。
性能に近い性能を有し、しかもDIPのコストよりあま
り高くないコストで製造できる、静電遮蔽を組込んだ半
導体パッケージを得ることである。本発明はその1つの
面において、(a)接地ピンを含む複数のピンを有する
集積回路チップと、 (b)このチップが接着される上側表面および下側表面
を有するベースと、 (c)下側表面をおのおの有し、前記ピンのそれぞれの
1本へ接続されて、前記チップがら前記べ−スをこえて
横方向外方へ延びる複数のリードと、(d)このリード
の前記下側表面の平面の下側の平面内に配置される上側
表面を有し、・かつ前記リードの間の電磁界を減衰させ
て前記リードの間の漏話を減少させるために前記ベース
をこえて横方向外方へ延び、かつ前記リードの少なくと
も一部の下側をこえて延びる部分を有し、前記ベースの
底に接着される電磁遮蔽と、 (e)この遮蔽を前記チップの前記接地ピンへ電気的に
接続する手段と、 (f’)前記チップと、前記遮蔽と、前記リードのうち
前記チップに近い部分とを囲んでそれらを内部に封じ込
めるプラスチック層と、 を備えた集積回路パッケージを提供するものである。
(実 施 例)
第1図および第2図には集積回路用の従来のリードフレ
ームが10で示されている。リードフレームIOは側方
棒12を含む。この側方棒は横材14によりベースすな
わち「パドルJ 1Bへ連結される。破線で示されてい
る集積回路チップ18が適当な接着剤によりパドル1B
へ従来のようにして接着される。
ームが10で示されている。リードフレームIOは側方
棒12を含む。この側方棒は横材14によりベースすな
わち「パドルJ 1Bへ連結される。破線で示されてい
る集積回路チップ18が適当な接着剤によりパドル1B
へ従来のようにして接着される。
リードフレームとチップの少なくとも一方の熱膨張によ
りチップにひび割れが生じないようにするために、リー
ドフレーム10はチップを構成している材料の熱膨脹率
と同じ熱膨脹率を持つ材料で通常構成される。通常はリ
ードフレーム10はニッケルと、シリコンと、マンガン
と、鉄との周知の合金から製作される。
りチップにひび割れが生じないようにするために、リー
ドフレーム10はチップを構成している材料の熱膨脹率
と同じ熱膨脹率を持つ材料で通常構成される。通常はリ
ードフレーム10はニッケルと、シリコンと、マンガン
と、鉄との周知の合金から製作される。
リードフレームlOは一対の別の横材20も含む。
その横材の上に複数のリード22が設けられる。各リー
ド22はフィンガ24を有する。そのフィンガはパドル
1Bから僅かな間隔をおいた所まで延びる。
ド22はフィンガ24を有する。そのフィンガはパドル
1Bから僅かな間隔をおいた所まで延びる。
リード22は横材14の外側部分の平面と同じ平面内に
配置される。第2図および第3図に示すように、その平
面はパドル16の平面の上方に配置される。
配置される。第2図および第3図に示すように、その平
面はパドル16の平面の上方に配置される。
パドル1Bの平面はリード22の平面と横材14の外側
部分の下側へ、横材14の2つの曲げられた部分すなわ
ちベンド26によりくぼまされる。ベンド26はパドル
16に非常に近接して配置される。
部分の下側へ、横材14の2つの曲げられた部分すなわ
ちベンド26によりくぼまされる。ベンド26はパドル
16に非常に近接して配置される。
リード22の外端部が、リードフレームlO内の他のパ
ドル(図示せず)へ向って延びるリード22a。
ドル(図示せず)へ向って延びるリード22a。
22bへ連結される。後述する組立および封入の後で、
完全な集積回路パッケージがリードフレームから外され
た時に、リード22aと22bは弱くされている部分2
8で除去される。
完全な集積回路パッケージがリードフレームから外され
た時に、リード22aと22bは弱くされている部分2
8で除去される。
後述するように、リード22を支持する横材20は、プ
ラスチック封入作業中はダム棒としても機能する。
ラスチック封入作業中はダム棒としても機能する。
本発明の静電遮蔽30はリードフレーム10の製作材料
と同じ合金で通常製作され、パドル1Bの底に固定され
る。静電遮M30は点溶接または導電性接着剤によりパ
ドル18へ固定できる。静電遮蔽30は通常はパドル1
6と同上形(長方形)であって、パドル18をこえて横
方向外方へり−ド22の各フィンガ24の下側まで延び
る。しかし、静電遮蔽30はダム棒20または側方棒1
2はど外側へは延びない。
と同じ合金で通常製作され、パドル1Bの底に固定され
る。静電遮M30は点溶接または導電性接着剤によりパ
ドル18へ固定できる。静電遮蔽30は通常はパドル1
6と同上形(長方形)であって、パドル18をこえて横
方向外方へり−ド22の各フィンガ24の下側まで延び
る。しかし、静電遮蔽30はダム棒20または側方棒1
2はど外側へは延びない。
組立に際しては、集積回路チップ1Bは、パドル1Bに
装着された後で、接続線32(第3図)によりフィンガ
24へ接続される。接続!132は点34へ通常接合さ
れる。
装着された後で、接続線32(第3図)によりフィンガ
24へ接続される。接続!132は点34へ通常接合さ
れる。
接続線32が第3図に示すようにして取付けられた後で
、静電遮蔽30と、パドルIBと、集積回路チップ18
と、接続線32と、リード22のフィンガ24との組合
わせが、リードフレーム10の上部と下部の上にかぶせ
られる一対の型半分(図示せず)によりプラスチックを
かぶせられる。とくに、型半分側方棒12とダム棒20
の上を閉じる。それから型の内部にプラスチックが注入
される。プラスチックの成型中はダム棒20はプラスチ
ックがダム棒をこえて横方向外側へ流れることを阻止す
る。側方棒12はリードフレームの側面と同じ機能を果
す。典型的には、熱硬化性の単一部品プラスチックエポ
キシが用いられる。その熱硬化性単一部品プラスチック
エポキシは加熱されると硬化する。あるいは熱可塑性プ
ラスチックも使用できる。典型的1こは、得られたパッ
ケージの慌さは約3.43m1(0,135インチ)で
あるが、約2,79〜4.06■厘(0,110〜o、
teoインチ)とすることができる。
、静電遮蔽30と、パドルIBと、集積回路チップ18
と、接続線32と、リード22のフィンガ24との組合
わせが、リードフレーム10の上部と下部の上にかぶせ
られる一対の型半分(図示せず)によりプラスチックを
かぶせられる。とくに、型半分側方棒12とダム棒20
の上を閉じる。それから型の内部にプラスチックが注入
される。プラスチックの成型中はダム棒20はプラスチ
ックがダム棒をこえて横方向外側へ流れることを阻止す
る。側方棒12はリードフレームの側面と同じ機能を果
す。典型的には、熱硬化性の単一部品プラスチックエポ
キシが用いられる。その熱硬化性単一部品プラスチック
エポキシは加熱されると硬化する。あるいは熱可塑性プ
ラスチックも使用できる。典型的1こは、得られたパッ
ケージの慌さは約3.43m1(0,135インチ)で
あるが、約2,79〜4.06■厘(0,110〜o、
teoインチ)とすることができる。
それらの寸法は、リードフレームの厚さが約2.54關
(0,10インチ)、静電遮蔽の厚さが約2.54m1
1(’0.1Oインチ)、および約0.038關(0,
([5インチ)の寸法D(リード22の底とパドル■6
の上部の間の高さの差)とを仮定している。
(0,10インチ)、静電遮蔽の厚さが約2.54m1
1(’0.1Oインチ)、および約0.038關(0,
([5インチ)の寸法D(リード22の底とパドル■6
の上部の間の高さの差)とを仮定している。
静電遮蔽30はリードフィンガ24の最も内側の部分を
こえてできるだけ外側へ延びるが、パッケージを半分に
分割しないようにダム棒20と側方環12が十分内側で
終端する。静電遮蔽30がダム棒20の約0.078
關(約0.030インチ)以内まで横方向に延びる。
こえてできるだけ外側へ延びるが、パッケージを半分に
分割しないようにダム棒20と側方環12が十分内側で
終端する。静電遮蔽30がダム棒20の約0.078
關(約0.030インチ)以内まで横方向に延びる。
プラスチックの封入が終った後で完成された装置は、弱
くされた部分28でリード22を切断し、横材14を点
36で切断することによりリードフレームから外される
。それと同時に、リードの間の望ましくない接続を除去
するためにダム棒20が切離される(すなわち、リード
22の間の部分と、リードと側方環12の間の部分が除
去される)。
くされた部分28でリード22を切断し、横材14を点
36で切断することによりリードフレームから外される
。それと同時に、リードの間の望ましくない接続を除去
するためにダム棒20が切離される(すなわち、リード
22の間の部分と、リードと側方環12の間の部分が除
去される)。
静電遮蔽30が電気的に浮動させられていると、この装
置は正しく機能しないから、静電遮蔽30を接地するこ
とが重要である。求められている接地は簡単なやり方で
行なわれる。チップ18の接地ピンが第1図に参照符号
38で示されている。ピン38とリードフィンガの1本
すなわちフィンガ24Aの間に接続される。フィンガ2
4Aは導電片42ニヨリ側方棒12の1本の近くで横材
14へ一体に接続される。このように構成することによ
り、フィンガ24Aを接地ピン38へ接続する接続線4
0を、静電遮蔽30が設けられるか否かとは無関係に通
常膜けなければならないから、余分な接続を行なうため
の作業の必要性を無くす。
置は正しく機能しないから、静電遮蔽30を接地するこ
とが重要である。求められている接地は簡単なやり方で
行なわれる。チップ18の接地ピンが第1図に参照符号
38で示されている。ピン38とリードフィンガの1本
すなわちフィンガ24Aの間に接続される。フィンガ2
4Aは導電片42ニヨリ側方棒12の1本の近くで横材
14へ一体に接続される。このように構成することによ
り、フィンガ24Aを接地ピン38へ接続する接続線4
0を、静電遮蔽30が設けられるか否かとは無関係に通
常膜けなければならないから、余分な接続を行なうため
の作業の必要性を無くす。
実際には、この明細書で説明するパッケージは標準のデ
ュアルインラインプラスチックパッケージより製作コス
トが低く、しかも漏話の遮蔽が3〜4 dBだけ改善さ
れることが見出されている。
ュアルインラインプラスチックパッケージより製作コス
トが低く、しかも漏話の遮蔽が3〜4 dBだけ改善さ
れることが見出されている。
標準型のデュアルインラインプラスチックパッケージと
本発明のプラスチックパッケージとのこの違いにより、
高価なセラミックパッケージを必要とすることなしに多
くのビデオスイッチと、それに類似のRFの用途に本発
明の新規なパッケージを使用できるようにするのに十分
である。本発明の静電遮蔽30は、それがリード22の
短絡部分の下側に置かれた時に、もしそれが置かれなか
った時に隣接するリード22の間に存在するRF電磁界
を短絡すなわちショートすることが見出されている。
本発明のプラスチックパッケージとのこの違いにより、
高価なセラミックパッケージを必要とすることなしに多
くのビデオスイッチと、それに類似のRFの用途に本発
明の新規なパッケージを使用できるようにするのに十分
である。本発明の静電遮蔽30は、それがリード22の
短絡部分の下側に置かれた時に、もしそれが置かれなか
った時に隣接するリード22の間に存在するRF電磁界
を短絡すなわちショートすることが見出されている。
静電遮蔽30がリード自体に接触しないように、静電遮
蔽30の下側表面をフィンガ24の下側表面より物理的
に低く設けることはもちろん重要である。
蔽30の下側表面をフィンガ24の下側表面より物理的
に低く設けることはもちろん重要である。
また、静電遮蔽30がダム棒20から十分に短く横方向
に終端したとすると、静電遮蔽30はプラスチック封入
作業を妨害することがなく、チップとリードを完全に封
入するためにプラスチックが適切に流れることが見出さ
れている。しかし、プラスチックが流れこまなければな
らない空間がいまは従 ・来より狭く作られているか
ら、型半分の間の空所を全て充すためにプラスチックが
十分自由に流れる(すなわち、粘度が十分に低い)よう
に、封入作業中に注意することが必要である。
に終端したとすると、静電遮蔽30はプラスチック封入
作業を妨害することがなく、チップとリードを完全に封
入するためにプラスチックが適切に流れることが見出さ
れている。しかし、プラスチックが流れこまなければな
らない空間がいまは従 ・来より狭く作られているか
ら、型半分の間の空所を全て充すためにプラスチックが
十分自由に流れる(すなわち、粘度が十分に低い)よう
に、封入作業中に注意することが必要である。
希望によっては、第4図(この図では第1〜3図に示さ
れている部品に対応する部品を示すためにダッシュ記号
(′)をつけた参照符号を用いている)に示すように、
パドル16’ は横材14′ の平面と同じ平面内に形
成でき、静電遮蔽30’を下側に(ぼませることができ
る。この場合には、静電遮蔽30′の中央部分50はパ
ドル16′の底に導電的に固定される。下方へ延びるリ
ム52が中央部分5゜を囲み、フランジ54がそのリム
52から外側へ突き出る。接続線32とフィンガ24の
間の電磁界を減衰させるために、それらの接続線とフィ
ンガの下側にフランジ54が設けられる。リム52とフ
ランジ54は、下側に設けるべきリードがある場所に応
じて2つの側、3つの側または4つの側に延びることが
できる。
れている部品に対応する部品を示すためにダッシュ記号
(′)をつけた参照符号を用いている)に示すように、
パドル16’ は横材14′ の平面と同じ平面内に形
成でき、静電遮蔽30’を下側に(ぼませることができ
る。この場合には、静電遮蔽30′の中央部分50はパ
ドル16′の底に導電的に固定される。下方へ延びるリ
ム52が中央部分5゜を囲み、フランジ54がそのリム
52から外側へ突き出る。接続線32とフィンガ24の
間の電磁界を減衰させるために、それらの接続線とフィ
ンガの下側にフランジ54が設けられる。リム52とフ
ランジ54は、下側に設けるべきリードがある場所に応
じて2つの側、3つの側または4つの側に延びることが
できる。
第1図は本発明の静電遮蔽が破線で示されている、集積
回路用の従来のリードフレームの一部の平面図、 第2図は本発明の静電遮蔽を実線で示す第1図の2−2
線に沿う断面図、 第3図は本発明の集積回路用プラスチック封入パッケー
ジの断面図、 第4図は本発明の変更例を示す第2図に類似の断面図で
ある。 lO・・・リードフレーム 12・・・ベース14、
20・・・横材 lB・・・パドル18・・・
集積回路チップ 22・・・リード24・・・フィン
ガ 30・・・静電遮蔽82、40・・・接続
線 42・・・導電片54・・・フィンガ
回路用の従来のリードフレームの一部の平面図、 第2図は本発明の静電遮蔽を実線で示す第1図の2−2
線に沿う断面図、 第3図は本発明の集積回路用プラスチック封入パッケー
ジの断面図、 第4図は本発明の変更例を示す第2図に類似の断面図で
ある。 lO・・・リードフレーム 12・・・ベース14、
20・・・横材 lB・・・パドル18・・・
集積回路チップ 22・・・リード24・・・フィン
ガ 30・・・静電遮蔽82、40・・・接続
線 42・・・導電片54・・・フィンガ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)(a)接地ピンを含む複数のピンを有する集積回路
チップと、 (b)このチップが接着される上側表面および下側表面
を有するベースと、 (c)下側表面をおのおの有し、前記ピンのそれぞれの
1本へ接続されて、前記チップから前記ベースをこえて
横方向外方へ延びる複数のリードと、(d)このリード
の前記下側表面の平面の下側の平面内に配置される上側
表面を有し、かつ前記リードの間の電磁界を減衰させて
前記リードの間の漏話を減少させるために前記ベースを
こえて横方向外方へ延び、かつ前記リードの少なくとも
一部の下側をこえて延びる部分を有し、前記ベースの底
に接着される電磁遮蔽と、 (e)この遮蔽を前記チップの前記接地ピンへ電気的に
接続する手段と、 (f)前記チップと、前記遮蔽と、前記リードのうち前
記チップに近い部分とを囲んでそれらを内部に封じ込め
るプラスチック層と、 を備えたことを特徴とする集積回路パッケージ。 2)各リードは前記ベースを構成している材料と同じ材
料で構成され、ある間隙をおいて前記ベースから隔てら
れた内部フィンガと、前記ピンを前記フィンガへ接続す
る接続部材とを有し、電磁遮蔽の前記部分は前記フィン
ガの前記部分の下側を前記接続部材をこえて横方向へ延
びることを特徴とする請求項1記載の集積回路パッケー
ジ。 3)前記遮蔽を前記接地ピンへ電気的に接続する前記手
段は、前記ベースと一体に形成されて、そのベースから
横方向へ延びる導電性部材と、この導電性部材を前記フ
ィンガの1本へ接続する導電片とを備え、その1本のフ
ィンガは前記チップの前記接地ピンへ接続され、前記遮
蔽は前記ベースへ電気的に接続されることを特徴とする
請求項2記載の集積回路パッケージ。 4)前記導電性部材は、前記フィンガの平面と同じ平面
内に配置される外側部分と、前記ベースの前記下側表面
を前記フィンガの下側表面の平面の下側の平面内に配置
させるために前記外側部分を前記ベースへ接続する曲げ
られた内側部分とを有し、前記遮蔽はほぼ平らであるこ
とを特徴とする請求項4記載の集積回路パッケージ。 5)前記導電性部材は平らであって、前記ベースを前記
フィンガと同じ平面内に配置し、前記遮蔽は下方にくぼ
んだ形であって、その遮蔽の中心部分は前記ベースへ固
定され、かつ前記遮蔽は下方へ延びるリムを有し、前記
遮蔽の前記部分は、前記リムから外方へ突き出たフラン
ジを有することを特徴とする請求項3記載の集積回路パ
ッケージ。 6)前記導電性部材は前記導電片および前記1本のリー
ドフィンガと一体であることを特徴とする請求項3記載
の集積回路パッケージ。 7)前記リードフィンガはリードフレームの部分として
形成され、そのリードフレームは一対の側方棒と、それ
らの側方棒の間の複数の前記ベースとを有し、前記導電
性部材は前記側方棒の間を前記ベースの両側で横方向へ
延びて、前記装置が前記リードフレームから除去される
前の前記ベースのささえを構成することを特徴とする請
求項3または6記載の集積回路パッケージ。 8)前記リードは、プラスチックを成型するために前記
ベースと前記リードの上で型が閉じられた時に前記プラ
スチックが外へ出ることを阻止するために前記リードの
間を延びるダム棒を有するリードフレームの部分として
形成され、前記遮蔽の外縁部が前記ダム棒の横方向内側
に隔てられることを特徴とする請求項1記載の集積回路
パッケージ。 9)前記遮蔽は、前記ベースの熱膨脹率と同じ熱膨脹率
を有する材料で形成されることを特徴とする請求項1,
2または3記載の集積回路パッケージ。 10)前記遮蔽と、前記ベースと、前記チップは全てほ
ぼ同じ熱膨脹率を有することを特徴とする請求項1,2
または3記載の集積回路パッケージ。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CA542524 | 1987-07-20 | ||
CA000542524A CA1278618C (en) | 1987-07-20 | 1987-07-20 | Plastic encapsulated integrated circuit package with electrostatic shield |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01120041A true JPH01120041A (ja) | 1989-05-12 |
JPH0563101B2 JPH0563101B2 (ja) | 1993-09-09 |
Family
ID=4136108
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63181454A Granted JPH01120041A (ja) | 1987-07-20 | 1988-07-20 | 集積回路パッケージ |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4953007A (ja) |
EP (1) | EP0300632A3 (ja) |
JP (1) | JPH01120041A (ja) |
AU (1) | AU1913888A (ja) |
CA (1) | CA1278618C (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010258159A (ja) * | 2009-04-23 | 2010-11-11 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置 |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5254871A (en) * | 1988-11-08 | 1993-10-19 | Bull, S.A. | Very large scale integrated circuit package, integrated circuit carrier and resultant interconnection board |
US5233220A (en) * | 1989-06-30 | 1993-08-03 | Texas Instruments Incorporated | Balanced capacitance lead frame for integrated circuits and integrated circuit device with separate conductive layer |
US5432127A (en) * | 1989-06-30 | 1995-07-11 | Texas Instruments Incorporated | Method for making a balanced capacitance lead frame for integrated circuits having a power bus and dummy leads |
JPH0653394A (ja) * | 1992-07-28 | 1994-02-25 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 多層リードフレーム用プレーン支持体 |
US5854094A (en) * | 1992-07-28 | 1998-12-29 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Process for manufacturing metal plane support for multi-layer lead frames |
US5424896A (en) * | 1993-08-12 | 1995-06-13 | Lsi Logic Corporation | Semiconductor package electrostatic discharge damage protection |
US5661336A (en) * | 1994-05-03 | 1997-08-26 | Phelps, Jr.; Douglas Wallace | Tape application platform and processes therefor |
US5548160A (en) * | 1994-11-14 | 1996-08-20 | Micron Technology, Inc. | Method and structure for attaching a semiconductor die to a lead frame |
JP2806328B2 (ja) * | 1995-10-31 | 1998-09-30 | 日本電気株式会社 | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
US5781682A (en) * | 1996-02-01 | 1998-07-14 | International Business Machines Corporation | Low-cost packaging for parallel optical computer link |
US6096165A (en) * | 1997-08-07 | 2000-08-01 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for application of adhesive tape to semiconductor devices |
US6326235B1 (en) * | 2000-05-05 | 2001-12-04 | Amkor Technology, Inc. | Long wire IC package fabrication method |
US6429515B1 (en) | 2000-05-05 | 2002-08-06 | Amkor Technology, Inc. | Long wire IC package |
CN103885520B (zh) * | 2008-11-25 | 2016-08-17 | 凌力尔特有限公司 | 一种具有静电屏蔽的温度补偿金属电阻器 |
TWI641106B (zh) * | 2016-12-15 | 2018-11-11 | 南茂科技股份有限公司 | 晶片封裝基板與晶片封裝結構 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4867658U (ja) * | 1971-12-04 | 1973-08-28 | ||
JPS574239U (ja) * | 1980-06-06 | 1982-01-09 | ||
JPS6020946U (ja) * | 1983-07-21 | 1985-02-13 | トヨタ自動車株式会社 | 自動車用小物入れ |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5571498A (en) * | 1978-11-24 | 1980-05-29 | Japan Maize Prod | Production of finely divided sugar |
FR2480008A1 (fr) * | 1980-04-04 | 1981-10-09 | Flonic Sa | Perfectionnements aux cartes a memoire |
JPS6068638A (ja) * | 1983-09-26 | 1985-04-19 | Canon Inc | チップ−オン−ボ−ド実装基板 |
DE3410196A1 (de) * | 1984-03-20 | 1985-09-26 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Leiterband fuer die montage von integrierten schaltkreisen |
DE3433779A1 (de) * | 1984-09-14 | 1986-03-27 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | Schutzschicht fuer halbleiterschaltungen |
-
1987
- 1987-07-20 CA CA000542524A patent/CA1278618C/en not_active Expired - Lifetime
-
1988
- 1988-07-04 EP EP19880306065 patent/EP0300632A3/en not_active Withdrawn
- 1988-07-19 AU AU19138/88A patent/AU1913888A/en not_active Abandoned
- 1988-07-20 JP JP63181454A patent/JPH01120041A/ja active Granted
- 1988-10-21 US US07/260,640 patent/US4953007A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4867658U (ja) * | 1971-12-04 | 1973-08-28 | ||
JPS574239U (ja) * | 1980-06-06 | 1982-01-09 | ||
JPS6020946U (ja) * | 1983-07-21 | 1985-02-13 | トヨタ自動車株式会社 | 自動車用小物入れ |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010258159A (ja) * | 2009-04-23 | 2010-11-11 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0300632A3 (en) | 1990-12-12 |
AU1913888A (en) | 1989-01-27 |
CA1278618C (en) | 1991-01-02 |
EP0300632A2 (en) | 1989-01-25 |
US4953007A (en) | 1990-08-28 |
JPH0563101B2 (ja) | 1993-09-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH01120041A (ja) | 集積回路パッケージ | |
US4684975A (en) | Molded semiconductor package having improved heat dissipation | |
US5365106A (en) | Resin mold semiconductor device | |
US5365107A (en) | Semiconductor device having tab tape | |
US6281566B1 (en) | Plastic package for electronic devices | |
US5753969A (en) | Resin sealed semiconductor device including a die pad uniformly having heat conducting paths and circulating holes for fluid resin | |
US6208023B1 (en) | Lead frame for use with an RF powered semiconductor | |
US5091772A (en) | Semiconductor device and package | |
JPH0766331A (ja) | 半導体デバイス・パッケージの製造方法 | |
EP0272187A2 (en) | Plastic package for high frequency semiconductor devices | |
JPH05343588A (ja) | 一部モールド型pcbチップキャリヤタイプパッケージ | |
CN100461392C (zh) | 半导体封装 | |
JP2007510293A (ja) | ケージ式配線構造を使った半導体パッケージ内の電磁ノイズ遮蔽 | |
CN105702651B (zh) | 具有暴露的接触焊垫和支撑集成电路裸片的引线的集成电路器件以及形成器件的方法 | |
KR100379089B1 (ko) | 리드프레임 및 이를 이용한 반도체패키지 | |
US3723833A (en) | Heat sinking of semiconductor integrated circuit devices | |
JP2536431B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP3434752B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 | |
KR100940760B1 (ko) | 반도체 패키지 | |
KR100380223B1 (ko) | 반도체의 에어 캐비티 패키지 및 그 패키징 방법 | |
JPH09213868A (ja) | マイクロ波半導体集積回路用リ−ドフレ−ム | |
US6621151B1 (en) | Lead frame for an integrated circuit chip | |
KR19990034731A (ko) | 리드 온 칩형 리드 프레임과 그를 이용한 패키지 | |
JP2005183492A (ja) | 半導体装置 | |
KR100198312B1 (ko) | 리드프레임의 구조 및 이를 이용한 반도체 패키지 |