JP2007510293A - ケージ式配線構造を使った半導体パッケージ内の電磁ノイズ遮蔽 - Google Patents

ケージ式配線構造を使った半導体パッケージ内の電磁ノイズ遮蔽 Download PDF

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Abstract

半導体装置は、基板又はリードフレームのような支持構造（１１）に重なり、これと複数の配線によって電気的に接続されているダイ（１０）を有している。攻撃配線（３２、３８）は、感度の高い信号を搬送する犠牲配線（２９、５９）にとってノイズ源である。遮蔽配線（５１−５８）は、犠牲配線（２９、５９）をケージ状の構造に取り囲み、攻撃配線からのノイズを十分に遮断している。或る形態では、遮蔽配線は、接地又は電力供給配線であり、犠牲配線は、例えば、クロック信号又はＲＦ信号である。遮蔽配線の数と保護されている犠牲配線の数は、設計要件に依って変わる。ワイヤボンディング又は他の配線技術（例えばバンプ）を適用することができる。

Description

本発明は、電磁気ノイズ遮蔽に、より具体的には、半導体パッケージ内のノイズ遮蔽に関する。
漏話ノイズによる信号の劣化の管理は、普遍的な技術的課題である。例えば、半導体ダイを基板に連結するワイヤを含め、半導体パッケージ内では、ワイヤを伝わる電気信号が、他の近くの信号ワイヤとの誘導結合及び容量結合によって加えられるノイズによって歪む。漏話ノイズは、基板の回路トレースによって生じるノイズよりも一桁大きいことが多い。無線装置は、特に、関係する信号の周波数のために、そのようなノイズの影響を受け易い。セル方式電話、ベースバンドプロセッサ、ブルートゥース装置、及び半導体パッケージに依存する他の装置のような無線装置は、これらのノイズの影響を低減するための追加的技術によって、恩恵を被る。
本発明は、添付図面を参照することによって、良く理解できるようになり、当業者にはその数多くの目的、特徴及び利点が明らかになるであろう。
各図面を通して、同じ参照符号を付しているものは、同様又は同一の物を示す。当業者には自明のように、図面中の要素は、簡単で分かり易いように描かれており、縮尺は必ずしも合っていない。例えば、図面内の要素の中には、本発明の実施形態をよく理解できるようにするため、他の要素に対して寸法が誇張されているものもある。
以下の議論は、本発明の少なくとも１つの実施例を詳細に説明するためのものであり、本発明自体を限定するものではない。むしろ、本説明に基づき特許請求の範囲に適切に定義されている各種変型形態は、全て本発明の範囲内にある。
図１は、様々な配線パッド２１−３５を含む半導体ダイ１０を示している。半導体ダイ１０が作動しているとき、配線パッド２１−３５は、半導体ダイ１０と信号をやり取りするために、様々な配線構造（例えば、図２のワイヤ５１−５９及び３８）に連結されている。パッド２１−３５は、どの様な型式の従来からの又は新規の半導体ダイ配線パッドであってもよい。図１には、３つの型式の配線パッドの電気的割り当てを示している。各パッドの割り当ての型式（及び結果的に各パッドに接続される配線）は、パッドによって搬送される信号と、その対応する配線とによって決まる。パッド２１−３５は、攻撃（Ａ）パッド３１、３２、３３、３４、３５と、犠牲（Ｖ）パッド２９と、遮蔽（ＳＨ）パッド２１、２２、２３、２４、２５、２６、２７、２８とを含んでいる。図示のように、遮蔽パッド２１−２８は、犠牲パッド２９と攻撃パッド３１−３５の間に挟まれており、遮蔽パッド２１−２８は、犠牲パッド２９を囲んでいる。
図２は、基板１１に連結されている半導体ダイ１０を示している。基板１１は、ダイから基板への配線からパッケージの外側への配線を提供するどの様な支持構造でもよい。そのような支持構造は、例えば、セラミックパッケージ基板、プラスチック積層基板、及びリードフレーム基板である。先に述べたダイから基板への配線は、例えば、接合ワイヤ、はんだ付けコラム、及びフリップチップバンパである。
図示の実施形態では、半導体ダイ１０は、接合ワイヤ配線構造３８及び５１−５９を介して、基板１１の要素に電気的に接続されている。ここで「接続されている」というのは、信号又は電気的情報を送るために、直接、或いは別の金属又は他の材料を通して連結されていることを意味している。各配線、この場合はワイヤ３８及び５１−５９は、パッド３２及び２１−２９のそれぞれ１つ、及び基板１１上の対応するパッド（図示せず）と繋がっている。ワイヤ３８及び５１−５９は、基板１１に連結されているが、そのような連結部は、以下に論じる遮蔽ケージ構造をより明確に示すために図示しておらず、以下に論じるワイヤ５１−５９の遮断されたワイヤエッジ５０を部分的に図示している。
図１と図２に示すように、配線パッド３１−３５は、Ｉ／Ｏ信号のような信号を搬送するために連結されている。配線パッド３１−３５によって（従って、ワイヤ３８のような配線パッド３１−３５に連結されている対応するワイヤによって）搬送される信号は、相対的にノイズの多い信号であり、従って、ここでは攻撃信号と呼んでいる。代表的な攻撃信号は、例えば、デジタルＩ／Ｏ信号である。配線パッド３１−３５は、攻撃信号を搬送するので、攻撃パッドと称し、配線パッド３１−３５に結合されている配線（例えばワイヤ３８）は、攻撃配線（目下論じている実施形態では、攻撃ワイヤ）と称している。
パッド２９とワイヤ５９は、ＲＦ信号、ＰＬＬ供給信号、又は関心事であるノイズに対し或るレベルの感度を有するその他の信号のような相対的にノイズに敏感な信号を搬送するために連結されている。ノイズに敏感な信号は犠牲者又は犠牲信号と呼ばれることが多いので、パッド２９とワイヤ５９は、本議論では犠牲パッド及び犠牲ワイヤと呼ぶ。
犠牲配線構造（犠牲パッド２９と犠牲ワイヤ５９）によって搬送される信号はノイズの影響を受け易いので、遮蔽パッド２１−２８が半導体ダイ１０上に設けられ、対応する遮蔽配線５１−５８用のパッドとなっている。遮蔽パッド２１−２８は、パッド遮蔽ケージ２０の一部分として設けられている。遮蔽ケージ２０は、犠牲配線パッド２９を物理的に取り囲んでいる。遮蔽ケージ２０は、互いに間隔を空けて配置された多数の遮蔽パッドを含んでいるので、犠牲パッド２９の周辺を取り囲む遮断遮蔽面又は領域を提供すると考えられる。遮蔽ケージ２０は、作動中に、犠牲配線パッド２９を効果的に（所定の適切な程度まで）電磁的に遮蔽できるように、犠牲配線パッド２９を或る程度物理的に包み込んでいる。遮蔽パッド２１−２８は、犠牲配線５９を同様に包み込んで遮蔽する遮蔽配線５１−５８に連結されている。
ダイ１０の各パッドは、犠牲パッドが、攻撃パッドのノイズから、遮蔽パッドによって所望の程度まで遮蔽されるように配置されている。例えば、図示の実施形態では、８つの遮蔽配線パッド２１−２８は、犠牲配線パッド２９の近くに配置されており、その内の少なくとも幾つかは、ノイズ源に対応する他のパッドより、犠牲配線パッド２９に概ね近くにある。犠牲パッド２９は、遮蔽ケージとなるように、遮蔽パッド２１−２８によって効果的に取り囲まれている。遮蔽パッドと犠牲パッドは、３ｘ３の行列に配置されており、犠牲信号Ｖは行列の中間位置にあり、遮蔽信号ＳＨは行列の周辺にある。そのような構成にすると、遮蔽パッド２１−２８に連結されている遮蔽配線５１−５８を、犠牲パッド２９に連結されている犠牲配線５９の周りに同様に配置し易くなる。遮蔽ワイヤ５１−５８が犠牲ワイヤ５９の周りを包み込む構成を、ワイヤ５１−５９の切断されたエッジ５０で示している。
半導体ダイ上とワイヤ配線（及び、ダイが配線によって連結されている基板上）の間のこの配線パッド構成は、信号を、別の配線構造からの漏話ノイズから隔離するために設置されている。目下論じている実施形態では、遮蔽配線ワイヤ５１−５８は、犠牲信号配線ワイヤ５９を取り囲んで、攻撃ワイヤ３８からの漏話ノイズから遮蔽している。従って、犠牲ワイヤ５９を取り囲んでいる遮蔽ワイヤ５１−５８の構成は、犠牲パッド２９を取り囲んでいる遮蔽パッド２１−２８の構成と同様である。ノイズの多い信号又は攻撃信号からの漏話ノイズは、ワイヤ配線構造のワイヤの間で電磁的に連結されることによって、ノイズに敏感な信号又は犠牲信号に影響を与える。ワイヤ結合パッドを図示の様に間隔を空けて配置することによって、ワイヤは、半導体ダイと基板の間を伸張する犠牲信号ワイヤの全長に亘って、犠牲信号ワイヤの周りの同様の遮蔽構成内に、より容易に維持される。
目下論じている実施形態は、８つの遮蔽構造を含んでおり、１ミルのワイヤを使用している１つのそのような実施形態のシミュレーションでは、２ＧＨｚで１５ｄＢ改良されている。別の実施形態は、もっと多いか又は少ない遮蔽パッドと配線を、犠牲信号のノイズに対する感度、及び半導体ダイを製造しパッケージングするのに利用できる技術を含む様々な要因に依って、異なる空間構成で使用している。遮蔽パッドとワイヤの数が異なる別の空間構成については、ここでは、少なくとも図３−５に関連して論じる。
遮蔽配線パッド２１−２８は、ノイズ遮蔽に役立つ回路ノードに連結されている。例えば、遮蔽パッド２１−２８は、ゆっくりと（例えば、上昇及び／又は下降時間が、攻撃信号より少なくとも１０倍長い）変化し、インピーダンスが低いどの様な型式のノード又は信号に連結してもよく、電力ノードのような供給ノード又は接地ノードに連結されているのが望ましい。全ての遮蔽パッドは、同じ電位に保持されるように同じ遮蔽ノードに連結してもよいし、異なる遮蔽ノードに連結してもよい。或る実施形態では、犠牲信号は、２つの供給ノードに関連するシングルエンド出力であり、両方の供給ノードは、遮蔽ケージ２０内に散在するように連結されている。例えば、パッド２１、２３、２６、２８は、電力ノードに連結されており、パッド２２、２４、２６、２７は、接地ノードに連結されている。別の実施形態では、犠牲信号Ｖは接地を基準にしており、遮蔽パッドは、接地ノードに連結されている。別の実施形態では、犠牲信号Ｖは、電力ノードを基準にした入力信号であり、遮蔽パッドは電力ノードに連結されている。別の実施形態では、犠牲信号Ｖは差分信号であり、遮蔽パッド２１−２８の内の幾つかが電力ノードに連結されており、パッド２１−２８の内の別の幾つかは接地ノードに連結されている。遮蔽パッドと配線によって搬送される電位は、犠牲信号Ｖの特性に依って変わる。
図３は、４つの遮蔽構造（パッド２１、２３、２６、２８で示す場所のパッドとワイヤ）を使用する或る実施形態を示す図である。図示のように、パッド２９とワイヤ５９を通るノイズに敏感な信号Ｖの流れに直交する面は、４つの等しい領域又は四分区画に分割されている。１つの遮蔽構造（パッドとワイヤ）は、犠牲信号搬送構造（パッド２９とワイヤ５９）の回りの４つの四分区画それぞれに配置されている。遮蔽パッドとワイヤは、犠牲信号を攻撃信号から遮蔽するため、犠牲信号Ｖの回りの様々な点に配置することができる。
遮蔽構造を配置するのに、様々な技法が用いられる。例えば、４つの遮蔽構造は、（例えば、何らかの四角形構成となるように）各四分区画内に不均一に配置してもよいが、図示のように、より均一な分布となるように配置する方が望ましい。４つの遮蔽構造は、各四分区画に１つずつ、犠牲パッド／ワイヤから実質的に等距離に配置してもよい。各構造は、約９０°の間隔で配置して、実質的に方形の構成となるようにしてもよい。また、そのような遮蔽パッドとワイヤは、より効果的な遮蔽とするため、各遮蔽パッド／ワイヤから犠牲パッド／ワイヤまでの距離Ｄ１が最小になるように配置することが望ましい。代わりに、遮蔽パッド及びワイヤは、各遮蔽パッド及びワイヤの間の距離Ｄ２が最小となるように配置してもよいし、より均一な遮蔽とするため、実質的に均一に（例えば、遮蔽パッド及びワイヤの間の平均距離からの偏差が最小となるように）配置してもよい。
図４は、３つの遮蔽構造９２、９４、９６を使用する別の実施形態を示す図である。図示のように、パッド２９とワイヤ５９を通るノイズに敏感な信号Ｖの流れに直交する面は、３つの等しい領域に分割されている。犠牲信号搬送構造の回りの３つの各領域に、遮蔽構造が１つづつ配置されている。遮蔽パッドとワイヤは、犠牲信号を攻撃信号から遮蔽するため、犠牲信号Ｖの回りの様々な点に配置することができる。例えば、３つの遮蔽パッド／ワイヤを、犠牲パッド／ワイヤから実質的に等距離に、各領域に１つづつ、この場合は約１２０°の間隔で配置して、犠牲信号搬送構造の回りに実質的に正三角形の構成としてもよい。そのような遮蔽パッドとワイヤは、（例えば、何らかの三角形の構成になるように）各領域内に柔軟且つ不均一に配置してもよい。また、そのような遮蔽パッドとワイヤは、犠牲信号に提供される遮蔽の量を最大にするため、各遮蔽パッド／ワイヤから犠牲パッド／ワイヤまでの距離Ｄ１が最小になるように配置することが望ましい。
図４に示すように、パッドは不規則な形状を有していてもよい。例えば、パッド９２は、半導体ダイ１０の試験中にパッド９２を簡単に検査できるように、細長くなっている。ワイヤは、パッドの寸法と形状の不規則性が、ワイヤの場所従って遮蔽ワイヤによる遮蔽性に実質的に影響を及ぼさないように、どの様な適切な場所でパッドに接続してもよい。
図５は、遮蔽構造が、差分犠牲信号搬送構造の回りに配置されている別の実施形態を示す図である。遮蔽ケージ１００は、差分犠牲信号搬送構造の回りに配置されている遮蔽パッド／ワイヤ構造１０１、１０２、１０３、１０４、１０５、１０６を含んでいる。差分信号は、それぞれパッド／ワイヤ１１２、１１３によって搬送される２つの信号成分Ｖ１とＶ２を含んでいる。信号成分Ｖ１とＶ２は、従来型の差分データ、クロック、制御又は別の信号、或いはＰＬＬ電力及び接地信号でさえも搬送することができる。
ここに述べる教示の多くの利点は、様々な実施形態で実現される。例えば、或る実施形態では、半導体パッケージは、複数の配線パッドが配置されている半導体ダイを含んでいる。配線パッドの少なくとも１つのグループは、犠牲配線パッドと遮蔽配線パッドを含んでいる。犠牲配線パッドによって搬送される信号は、周囲の信号からのノイズの影響を受け易い。遮蔽配線パッドは、犠牲配線パッドへの遮蔽材として機能する。遮蔽配線パッドの内の少なくとも３つ又は少なくとも４つは、半導体ダイの外側にある他のノイズ源より犠牲配線パッドに近い犠牲配線パッド付近に配置されている。少なくとも３つ又は４つの遮蔽配線パッドは、犠牲配線パッドの周辺にノイズ遮蔽材を形成する。遮蔽配線パッドの内の少なくとも３つ又は４つのパッドは、それぞれ、接地又は電力用の配線となる。
更に別の実施形態では、遮蔽材として機能する遮蔽配線パッドは、犠牲配線パッドを取り囲む４つの四分区画それぞれに配置されている４つの配線遮蔽パッドを含んでいる。４つの配線遮蔽パッドは、それぞれ、犠牲配線パッドの中心から所定の距離に、実質的に犠牲配線パッドを中心とする方形の各隅角に配置されている。
更に別の実施形態では、半導体パッケージは、犠牲配線パッド及び遮蔽配線パッドのそれぞれに接続されている接合ワイヤを含んでいる。各接合ワイヤは、犠牲配線パッドに接続されている接合ワイヤの回りの遮蔽構造を維持しながら、支持構造へと経路付けされている。遮蔽構造は、遮蔽配線パッドに電気的に接続され、実質的に、犠牲配線パッドに電気的に接続されている接合ワイヤの回りにケージを形成する接合ワイヤの物理的な配置を含んでおり、接合ワイヤは、遮蔽配線パッドに電気的に接続されており、半導体パッケージの接合ワイヤから放出される他のノイズ源より、犠牲配線パッドに電気的に接続されている接合ワイヤに近い。
更に別の実施形態では、犠牲配線パッドは、更に、互いに隣接して配置され、遮蔽配線パッドに取り囲まれている２つの犠牲配線パッドを備えている。２つの犠牲配線パッドは差分信号を伝える。
更に別の実施形態では、複数の配線パッドの第１部分は、或るグループの配線パッドの第１側に、半導体ダイの周辺エッジに沿って配置されており、その複数の配線パッドの第２部分は、そのグループの配線パッドの第２側に、半導体ダイの同じ周辺エッジに沿って配置されている。
更に別の実施形態では、半導体パッケージは、更に、それぞれ犠牲配線パッドを取り囲んで配置されている８つの配線遮蔽パッドを含んでいる。８つの配線遮蔽パッドは、犠牲配線パッドの４つの側それぞれに実質的に隣接して配置されており、犠牲配線パッドの４つの角それぞれからオフセットしている。
別の実施形態では、半導体パッケージは、支持構造と、前記支持構造の上に重なっている（例えば、少なくとも１つの方向に近く、重なっている）半導体ダイと、前記支持構造と前記半導体ダイを電気的に接続する複数の配線と、少なくとも１つの配線の遮蔽グループとを含んでいる。遮蔽配線は、所定の犠牲配線をノイズ源から電気的に遮蔽する。遮蔽配線は、犠牲配線の周辺領域を半径方向に取り囲む少なくとも３つ又は少なくとも４つの配線を含んでおり、何れの複数の配線よりも犠牲配線近くに配置されている。
更に別の実施形態では、前記少なくとも３つの配線は、犠牲配線を取り巻く３つの半径方向領域それぞれに配置されており、３つの半径方向領域は、それぞれ、犠牲配線の中心から１２０度の角度で画定されている。更に別の実施形態では、前記少なくとも３つの配線は、更に、犠牲配線の周辺を包む４つの四分区画それぞれに配置されている４つの配線を含んでいる。更に別の実施形態では、前記少なくとも４つの配線は、犠牲配線に最も近いノイズ源が、犠牲配線に最も近い接合パッドのピッチの少なくとも１．５倍か少なくとも２倍となるように配置されている。更に別の実施形態では、前記少なくとも３つの配線は、更に、犠牲配線の周辺を実質的に取り囲む８つの配線を含んでおり、半導体パッケージの何れの攻撃配線よりも犠牲配線近くに配置されている。更に別の実施形態では、少なくとも１つの配線の遮蔽グループの各配線は、更に、半導体ダイ上に配置されている配線パッドと、半導体ダイから支持構造上の所定の場所まで出ている接合ワイヤケージの一部分を形成するそれぞれの接続された接合ワイヤを含んでいる。更に別の実施形態では、犠牲配線は、更に、互いに隣接して配置されている２つの犠牲配線を含んでおり、２つの犠牲配線は、配線の遮蔽グループの各配線によって取り囲まれている。２つの犠牲配線は、例えば、差分信号を伝える。
更に別の実施形態では、半導体パッケージ内のノイズ隔離の方法を提供している。支持構造、半導体ダイ、及び複数の配線が提供されている。半導体ダイは、支持構造に重なっている。配線は、支持構造と半導体ダイを電気的に接続している。少なくとも１つの配線の遮蔽グループは、ノイズ源から所定の犠牲配線を電気的に遮蔽するように設けられている。少なくとも３つの配線が、犠牲配線の周辺領域の回りに半径方向に、複数の配線の何れよりも犠牲配線近くに配置されている。
上記説明は、本発明の少なくとも１つの実施形態を説明するよう意図している。上記説明は、本説明の範囲を限定する意図はない。本発明の範囲は、特許請求項の範囲に定義されている。従って、本発明の他の実施形態は、他の変更、修正、追加及び／又は上記説明に対する改良を含んでいる。例えば、３つ、４つ、６つ及び８つの遮蔽構造を使った実施形態を図示しているが、２つ以上のどの様な適切な数の遮蔽構造を用いてもよい。また、三角形、長方形、四角形及び六角形の遮蔽構造の構成を図示しているが、具体的な実施形態の遮蔽に適切であれば、どの様な形状の構成を使用してもよい。また、概括的に、何れかの特定の例をここでを用いているのは、その部類を代表的に示すことを意図しているのであって、ここに示す何れかの代表的な例に挙げられている何れの特定の装置も含んでいなくても、そのような限定が望ましいことを示していると捉えるべきではない。
上記詳細な説明は代表的なものなので、「或る実施形態」について記載している場合、それは或る代表的な実施形態である。従って、「１つ」という言葉を使用しても、１つ又は唯一の実施形態が説明した特徴を有していると示すことを意図しているのではない。むしろ、多くの別の実施形態が、代表的な「或る実施形態」の説明した特徴を有することもあり、その場合の方が多い。従って、先に述べたように、本発明を或る実施形態として説明している場合、その或る実施形態は、多くの考えられる本発明の実施形態の内の１つである。
詳細な説明で「或る実施形態」という用語を使用することについての上記警告にも関わらず、導入された請求要素の或る特定の数を請求項において意図している場合、その様な意図は請求項の中に明示的に記述しており、そのような記述が無い場合は、そのような制限は無いか又は意図していないと、当業者には理解頂きたい。例えば、請求項では、請求要素が「１つの」特徴を有していると記載されている場合、その要素が、記載されている特徴の１つ且つ唯１つに限定されることを意図している。更に、請求要素が、請求項において「或る」特徴を含んでいるか備えていると記載されていれば、その要素が、記載されている特徴の１つ且つ唯１つに限定されることを意図してはいない。むしろ、例えば、「或る」特徴を含む請求は、問題となっている１つ又はそれ以上の特徴を含む装置又は方法と解される。つまり、問題となっている装置又は方法は或る特徴を含んでいるので、請求は、装置又は方法が他のその様な同様の特徴を含んでいるか否かに関係なく、前記装置又は方法と解される。この様に「或る」という単語を、請求の特徴に対する制限しない前置冠詞として使用することは、過去の多くの法廷で採用されている解釈とも一致するので、それに対する例外的又は先例となる係争も見られるが、ここで出願人も採用している。同様に、請求要素が、請求項に、先に述べた特徴（例えば「前記」特徴）を含んでいるか又は備えていると記載されていれば、その要素は、単に定冠詞を付随させるだけで、記載されている１つ且つ唯１つの特徴に限定されるものではないことを意図している。
更に、同じ請求項が「１つ又はそれ以上」或いは「少なくとも１つ」のような前置句、及び「ａ」又は「ａｎ」のような不定冠詞を含んでいる場合でも、請求項の中で「少なくとも１つ」及び「１つ又はそれ以上の」のような前置句を使用することは、不定冠詞「ａ」又は「ａｎ」による別の請求要素の導入が、唯１つのそのような要素を含む、そのような本発明に導入された請求要素を含むあらゆる特定の請求を制限することを示唆していると解釈すべきではない。定冠詞の使用についても、同じことが当てはまる。
以上、本発明の具体的な実施形態を図示し説明してきたが、当業者には自明のように、ここに述べた教示に基づき、様々な修正、代替構造及び等価物を、ここに請求している本発明から逸脱することなく使用することができる。従って、特許請求の範囲は、そのような変更、修正などの全てを、本発明の真の精神及び範囲内にあるものとして包含している。更に、本発明は、特許請求項の範囲によってのみ定義されるものと理解頂きたい。上記説明は、本発明の実施形態の網羅的なリストを示すことを意図してはいない。特に指定しない限り、ここに呈示している各例は、用語が非限定的か、非排他的か、同様の用語が各例と同時的に表現されているか否かに関わらず、非限定的又は非排他的な例である。幾つかの代表的な実施形態と、それに対する代表的な変更例を概括する試みを行ってきたが、この他の実施形態及び／又は変更例も、特許請求項の範囲に定義する本発明の範囲内にある。
本発明による半導体ダイ上の配線パッドの或る実施形態を示すブロック図である。 本発明によるワイヤ配線によって基板に連結されている図１の半導体ダイを示す斜視図である。 遮蔽構造が犠牲信号搬送構造を取り巻く４つの領域のそれぞれに配置されている或る実施形態を示す図である。 遮蔽構造が犠牲信号搬送構造を取り巻く３つの領域のそれぞれに配置されている別の実施形態を示す図である。 遮蔽構造が差分犠牲信号搬送構造を取り巻いて配置されている別の実施形態を示す図である。

Claims (9)

  1. 半導体ダイ上に配置されている複数の配線パッドと、少なくとも１つの配線パッドのグループと、を有する半導体ダイを備えている半導体パッケージにおいて、前記少なくとも１つの配線パッドのグループは、
    周囲の信号によって作られるノイズの影響を受け易い信号を搬送するよう構成されている犠牲配線パッドと、
    前記犠牲配線パッドへの遮蔽材として機能する遮蔽配線パッドであって、前記遮蔽配線パッドの内の少なくとも４つは、前記犠牲配線パッド近くに、前記半導体ダイの外側の他のノイズ源よりも前記犠牲配線パッド近くに配置されており、前記遮蔽配線パッドの内の前記少なくとも４つは、前記犠牲配線パッドの周辺にノイズ遮蔽材を形成している、遮蔽配線パッドと、を備えている半導体パッケージ。
  2. 前記犠牲配線パッドと前記遮蔽配線パッドのそれぞれに接続されている接合ワイヤを更に備えている、請求項１に記載の半導体パッケージ。
  3. 前記犠牲配線パッドと前記遮蔽配線パッドのそれぞれに接続されている前記接合ワイヤのそれぞれは、前記犠牲配線パッドに接続されている前記接合ワイヤの回りに遮蔽構造を維持しながら、支持構造に経路付けされている、請求項２に記載の半導体パッケージ。
  4. 前記遮蔽構造は、前記遮蔽配線パッドに電気的に接続され、前記犠牲配線パッドに電気的に接続されている前記接合ワイヤの実質的に周囲にケージを形成している接合ワイヤの物理的配置を更に備えており、前記接合ワイヤは、前記半導体パッケージの接合ワイヤから放出される他のノイズ源より、前記犠牲配線パッドに電気的に接続されている前記接合ワイヤ近くにある、請求項３に記載の半導体パッケージ。
  5. 前記犠牲配線パッドは、互いに隣接して配置され、前記遮蔽配線パッドで取り囲まれている２つの犠牲配線パッドを更に備えている、請求項１に記載の半導体パッケージ。
  6. 前記複数の配線パッドの第１部分は、前記１つの配線パッドのグループの第１側に、前記半導体ダイの周辺エッジに沿って配置されており、前記複数の配線パッドの第２部分は、前記１つの配線パッドのグループの第２側に、前記半導体ダイの同じ周辺エッジに沿って配置されている、請求項１に記載の半導体パッケージ。
  7. それぞれが前記犠牲配線パッドを取り囲んで配置されている８つの配線遮蔽パッドを更に備えている、請求項１に記載の半導体パッケージ。
  8. 前記８つの配線遮蔽パッドは、前記犠牲配線パッドの４つの側辺それぞれに実質的に隣接して配置され、前記犠牲配線パッドの４つの隅角それぞれからオフセットしている、請求項７に記載の半導体パッケージ。
  9. 半導体においてノイズを隔離する方法において、
    支持構造を提供する段階と、
    前記支持構造に重なる半導体ダイを提供する段階と、
    前記支持構造と前記半導体ダイを電気的に接続する複数の配線を提供する段階と、
    所定の犠牲配線をノイズ源から電気的に遮蔽する少なくとも１つの配線の遮蔽グループを提供する段階と、
    少なくとも３つの配線を、前記犠牲配線の周辺領域の回りに、前記複数の配線の何れよりも前記犠牲配線近くに配置する段階と、から成る方法。
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