JPH01117309A - コンデンサー - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、誘電体として二軸配向ポリエステルフィルム
を使用したコンデンサーに関する。

［従来技術］ ポリエチレンテレフタレートからなる二軸配向フィルム
は、機械的性質、耐熱性、電気的性質などに優れている
ことから、コンデンサーの誘電体として用いられている
。このフィルムをコンデンサーの誘電体として使用する
ときの態様に、■５〜１０μ厚みの金属性電極箔（主に
アルミニウムが用いられる）と一般に４〜３０μの厚み
のフィルムを重ねて巻きとって素子を作る場合（以下、
箔巻きコンデンサー素子と呼ぶ）と、■フィルムに直接
アルミニウムや亜鉛を真空蒸着して素子に巻きとる様式
（以下、蒸着フィルムコンデンサー素子と呼ぶ）とがあ
る。蒸着フィルムコンデンサー素子は、特にコンデンサ
ーの小型化の為に賞月されているが、コンデンサーの製
造工程で要求される重要な特性の一つは、該素子の巻回
性とつぶれ性が良好なことである。すなわち、蒸着後の
フィルムは巻芯に巻回した（巻回工程）°後、芯から扱
きとり、プレスして素子を偏平につぶしくプレス工程）
、リード線をつけるためにハンダ付けができるように、
偏平にした素子の両端面に金属粒子を吹きつける工程（
メタリコン工程）を経なければならない。また箔巻きコ
ンデンサー素子でも、プレス工程やメタリコン工程を経
るものもあるので、巻回性とつぶれ性が良好であること
が要求される。

ここで、巻回性が良好とは、巻回機にてフィルムをコン
デンサー素子に巻取る際、フィルムの蛇行や端面ずれを
生じないことを意味し、つぶれ性が良好とは、プレスが
均一にでき、且つ余り大きな加重をかけることなく偏平
にでき、しかもプレス後の素子の端面部にメタリコン工
程で金属粒子の入りこむ隙間のないことである。

巻回性が悪かったり、つぶれ性が悪く端面に空隙がある
と、メタリコン粒子の侵入により、絶縁抵抗や誘電正接
の劣化がおこり、製品は不良品となる。

巻回性やつぶれ性を改良するためには、誘電体として用
いられているフィルムの滑り性をよくすることが必須要
件であって、この要件をみたすために、従来からポリマ
ー中に無機の微細な粒子を添加含有させたり、ポリマー
中に不溶性の触媒残渣を形成せしめたりして、フィルム
面に突起を付与することが行なわれている。

上記のごとくポリマー中に不活性無機微粒子を添加した
り、不溶性の触媒残渣を形成せしめ、フィルム表面に多
くの突起を形成せしめることによって加工性（例えばフ
ィルムの巻回性、つぶれ性）はある程度良好となるが、
その反面絶縁破壊電圧が低下し、絶縁破壊異常率が高く
なり、コンデンサー素子としての性能を低下せしめる。

逆に、絶縁破壊電圧を高め、絶縁破壊異常率を抑えるた
めフィルム表面を平滑にしようとすると加工性が低下す
る。

即ち、巻回性、つぶれ性等の加工性を改良するためにポ
リマー中に添加含有させる無機の微細な粒子又は重合過
程においてポリマー中に形成される触媒残渣粒子の電気
絶縁性が低いこと、及び二軸延伸製膜時に該粒子の周囲
に形成されるボイド（空隙）に起因して絶縁欠陥が生じ
ること等が、加工性とコンデンサー素子としての電気的
性質の両立を妨げている。

これらの特性を両立させる方法について種々検討され、
また多くの提案がされている。

その中でも大小２種の粒子をポリエステル中に分散含有
させることで、上述特性を満足させようとするものとし
て、例えば特開昭５２−７８９５３＠がある。゛この方
法は比較的好ましい方法ではあるが、必ずしも満足出来
るものではなく、特に６μｍ以下の薄いフィルムの場合
、大粒子の添加はコンデンサー素子の電気的性質の低下
をもたらす。

［発明の目的］ 本発明の目的は、大小２種の粒子を用いる利点　　゛を
保持しながら、上述の問題を解決し、加工性に優れ、し
かも絶縁破壊電圧が高くかつ絶縁欠陥の少いコンデンサ
ー誘電体用二軸配向ポリエステルフィルムを使用した高
品質のコンデンサーを提供することである。

［発明の構成・効果］ 本発明の目的は、本発明によれば、厚み１〜１６μｍの
二軸配向ポリエステルフィルムを誘電体とするコンデン
サーにおいて、該フィルムがポリエステル中に、第１成
分として平均粒径が０．４〜４μｍでありかつ粒径比（
長径／短径）が１．０〜１．３である球状シリカ粒子を
０．００５〜１６０重但％含有し、かつ第２成分として
平均粒径が第１成分より小ざいが０．０１〜３μｍの範
囲にある他の不活性微粒子を０．００５〜１゜０重量％
含有する二軸配向フィルムであることを特徴とする絶縁
破壊電圧の高いコンデンサーによって達成される。

ここで、球状シリカ粒子の長径、短径９面積円相当径は
粒子表面に金属を蒸着してのち電子顕微鏡にて１万〜３
万倍に拡大した像から求め、平均粒径２粒径比は次式で
求める。

平均粒径 ＝測定粒子の面積円相光径の総和／測定粒子の総粒径比 ＝シリカ粒子の平均長径／該粒子の平均短径本発明にお
けるポリエステルとは芳香族ジカルボン酸を主たる酸成
分とし、脂肪族グリコールを主たるグリコール成分とす
るポリエステルである。

かかるポリエステルは実質的に線状であり、そしてフィ
ルム形成性特に溶融成形によるフィルム形成性を有する
。芳香族ジカルボン酸としては、例えばテレフタル酸、
ナフタレンジカルボン酸、イソフタル酸、ジフェニルエ
タンジカルボン酸、ジフェニルジカルボン酸、ジフェニ
ルエーテルジカルボン酸、ジフェニルスルホンジカルボ
ンフェニルケトンジカルボン酸，アンスラセンジカルボ
ン酸等を挙げることができる。脂肪族グリコールとして
は、例えばエチレングリコール、トリメチレングリコー
ル、テトラメチレングリコール。

ペンタメチレングリコール、ヘキサメチレングリコール
、デカメチレングリコール等の如き炭素数２〜１０のア
ルキレングリコール、ポリエチレングリコール、あるい
はシクロヘキサンジメタツールの如き脂環族ジオール等
を挙げることができる。

本発明において、ポリエステルとしては例えばアルキレ
ンテレフタレート及び／又はアルキレンナフタレートを
主たる構成成分とするものが好ましく用いられる。

かかるポリエステルのうちでも、例えばポリエチレンテ
レフタレート、ポリエチレン−２，６−ナフタレートは
もちろんのこと、例えば全ジカルボン酸成分の８０モル
％以上がテレフタル酸及び／又は２，６−ナフタレンジ
カルボン酸であり、全グリ。

コール成分の８０モル％以上がエチレングリコールであ
る共重合体が好ましい。その際全酸成分の２０モル％以
下はテレフタル酸及び／又はナフタレンジカルボン酸以
外の上記芳香族ジカルボン酸であることができ、また例
えばアジピン酸，セパチン酸等の如き脂肪族ジカルボン
酸；シクロヘキサン−１，４−ジカルボン酸の如き脂環
族ジカルボン酸等であることができる。また、全グリコ
ール成分の２０モル％以下はエチレングリコール以外の
上記グリコールであることができ、あるいは例えばハイ
ドロキノン、レゾルシン、２，２−ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）プロパン等の如き芳香族ジオール；１，４
−ジヒドロキシメチルベンゼンの如き芳香族を含む脂肪
族ジオール；ポリエチレングリコール、ポリプロピレン
グリコール、ポリテトラメチレングリコール等の如きポ
リアルキレングリコール（ポリオキシアルキレングリコ
ール）等であることもできる。

また、本発明で用いるポリエステルには、例えばヒドロ
キシ安息香酸の如き芳香族オキシ酸：ω−ヒドロキシカ
プロン酸の如き脂肪族オキシ酸等のオキシカルボン酸に
由来する成分を、ジカルボン酸成分およびオキシカルボ
ン酸成分の総量に対し２０モル％以下で共重合或いは結
合するものも包含される。

ざらに本発明におけるポリエステルには実質的に線状で
ある範囲の量、例えば全酸成分に対し２モル％以下の量
で、３官能以上のポリカルボン酸又はポリヒドロキシ化
合物、例えばトリメリット酸，ペンタエリスリトール等
を共重合したものをも包含される。

上記ポリエステルは、それ自体公知であり、且つそれ自
体公知の方法で製造することができる。

上記ポリエステルとしては、０−クロロフェノール中の
溶液として３５℃で測定して求めた固有粘度が約０．４
〜約０．９のものが好ましい。

本発明の二軸配向ポリエステルフィルムはそのフィルム
表面に多数の微細な突起を有している。

それらの多数の微細な突起は本発明によればポリエステ
ル中に分散して含有される多数の球状シリカ粒子と他の
不活性微粒子とに由来する。

球状シリカ粒子と他の不活性微粒子とを分散含有するポ
リエステルは、通常ポリエステルを形成するための反応
時、例えばエステル交換法による場合のエステル交換反
応中あるいは重縮合反応中の任意の時期、又は直接重合
法による場合の任意の時期に、球状シリカ粒子（好まし
くはグリコール中のスラリーとして）と他の不活性微粒
子（好ましくはグリコール中のスラリーとして）を反応
系中に添加することにより製造することができる。

好ましくは、重縮合反応の初期例えば固有粘度が約０．
３に至るまでの間に、これら不活性粒子を反応系中に添
加するのが好ましい。

本発明においてポリエステル中に分散含有させる第１成
分としての球状シリカ粒子は平均粒径が０．４〜４μｍ
でありかつ粒径比（長径／短径）が１．０〜１．３であ
るシリカ粒子である。この球状シリカ粒子は個々の形状
が極めて真球に近い球状であって、従来から滑剤として
知られているシリカ粒子が１０止程度の超微細な塊状粒
子か、これらが凝集して０．５μｍ程度の凝集物（凝集
粒子）を形成しているのとは著しく異なる点に特徴があ
る。

球状シリカ粒子の平均粒径は好ましくは０．５〜３．０
μｍ１更に好ましくは０．６〜２゜０μｍである。

この平均粒径が０．４μｍ未満では滑り性や、耐削れ性
の向上効果が不充分であり、好ましくない。

また平均粒径が４μｍを越えるとフィルム表面が粗れす
ぎて好ましくない。また球状シリカ粒子の粒径比は、好
ましくは１、Ｏ〜１．２、更に好ましくは１．０〜１．
１５である。

また、球状シリカ粒子は粒径分布がシャープであること
が好ましく、分布の急峻度を表わす相対標準偏差が０．
５以下、更には０．４以下、特に０．３以下であること
が好ましい。この相対標準偏差は次式で表わされる。

ここで、旧：個々の粒子の面積円相当径（μｍ）σ；面
面積円相径径平均値 （＝Σ　旧／ｎ）　（μｍ） ｉ＝１ ｎ：粒子の個数 を表わす。

相対標準偏差がＯ２５以下の球状シリカ粒子を用いると
、該粒子が球状で且つ粒度分布が極めて急峻でおること
から、フィルム表面の大突起の高さが極めて均一となる
。更にフィルム表面の個々の大突起は、滑剤周辺のボイ
ドが小ざいために、突起形状が非常にシャープであり、
従って、同じ大・　突起の数であっても他の滑剤による
ものに比して滑り性が極めて良好となる。

球状シリカ粒子は、上述の条件を満たせば、その製法そ
の伯に何ら限定されるものではない。例えば球状シリカ
粒子は、オルトケイ酸エチル［Ｓｉ　（ＯＣｚＨｓ）　
４１の加水分解から含水シリカ［５ｉ（ＯＨ）４１単分
散球をつくり、更にこの含水シリカ単分散法を脱水化処
理してシリカ結合［＝Ｓｉ−Ｑ＝Ｓｉミ１を三次元的に
成長させることにより製造できる（日本化学会誌’８１
．　ＮＯ，９゜Ｐ１５０’３）。

Ｓｉ　（ＯＣ２Ｈ５）　４　＋４８ｚＯ→Ｓｉ　（ＯＨ
）４　＋４Ｃ２）１５０Ｈ＝Ｓｉ−ＯＨ＋ＨＯ−３ｉ＝ →＝Ｓｉ−０−３ｉ＝＋）ｌｚ。

本発明において第１成分としての球状シリカ粒子の添加
量は、ポリエステルに対して０．００５〜１．０重量％
とする必要があり、好ましくは０．０３〜１．０重量％
、更に好ましくは０．０５〜０．８重量％である。添加
量が０．００５重量％未満では、滑り性や加工性の向上
効果が不充分となり、一方１．０重量％を越えるとコン
デンサーとしての電気的性質が低下し、好ましくない。

本発明においてポリエステル中に分散含有させる第２成
分としての他の不活性微粒子は、平均粒径が第１成分よ
り小ざ″いがｏ、　ｏｉ〜３μｍの範囲にあるものであ
れば特に限定されない。この他の不活性微粒子は、触媒
残渣からポリマー中に析出させた不活性無機微粒子をも
含むものであるが、例えば炭酸カルシウム、炭酸マグネ
シウム、カオリン、クレー、ベントナイト、酸化チタン
、多孔質シリカ、硫酸バリウム、チタン酸カルシウム、
チタン酸バリウム、ホタル石、クロム酸バリウム。

ガラスピーズ等が挙げられる。これらは１種または２種
以上を用いることができる。

かかる不活性微粒子の平均粒径は０．１〜２．０μ、更
には０．１〜０．９μであることが好ましい。

所定の平均粒径の粒子を得るためには従来から知られて
いる粒子調製法を用いることができ、例えば粉砕処理２
分級操作等を施して所定の平均粒径。

粒度分布にすることが好ましい。

本発明において第２成分としての不活性微粒子の含有量
は、ポリエステルに対してｏ、　ｏｏｓ〜１．０重量％
とする必要があり、好ましくは０．０１〜０．８重量％
、更に好ましくは０．０２〜０．５重量％である。

この含有量が０．００５重量％未満では滑り性や加工性
の向上効果が不充分となり、一方１．０重量％を越える
とコンデンサーとしての電気的性質が低下し、°好まし
くない。

本発明の二軸配向ポリエステルフィルムは従来から蓄積
された二軸配向フィルムの製造法に準じて製造できる。

例えば、球状シリカ粒子及び他の不活性微粒子を含有す
るポリエステルを溶融製膜して非晶質の未延伸フィルム
とし、次いで該未延伸フィルムを二輪方向に延伸し、熱
固定し、必要であれば弛緩熱処理することによって製造
される。

その際、フィルム表面特性は、球状シリカ粒子や他の不
活性微粒子の粒径、量等によって、また延伸条件によっ
て変化するので従来の延伸条件から適宜選択する。また
密度、熱収縮率等も延伸、熱処理時の温度２倍率、速度
等によって変化するので、これらの特性を同時に満足す
る条件を定める。

例えば、延伸温度は１段目延伸部度（例えば縦方向延伸
温度：Ｔ１）が（Ｔｏ−１０）〜（ＩＪ＋４５）　”Ｃ
の範囲（但し、■ｇ：ポリエステルのガラス転移温度）
から、２段目延伸部度（例えば横方向延伸温度：Ｔｚ　
＞が（Ｔ＋＋１５）〜（Ｔｔ＋４０）’Ｃの範囲から選
択するとよい。また、延伸倍率は一軸方向の延伸倍率が
２．５以上、特に３倍以上でかつ面積倍率が８倍以上、
特に１０倍以上となる範囲から選択するとよい。更にま
た、熱固定温度は１８０　ヘ２５０℃、更には２００〜
２３０℃の範囲から選択するとよい。

かくして得られるポリエステルフィルムは、その内部に
平均粒径の異る２種の粒子を含有し、表面には比較的大
きい突起とより小さい突起が存在するにもかかわらず、
従来のフィルムにみられるボイド特に大きい粒子すなわ
ち球状シリカ粒子に起因するボイドが実質的にないとい
う特徴を有する。

この球状シリカ粒子周辺のボイドが小さい理由は球状シ
リカ粒子のポリエステルへの親和性の良さと、更に粒子
そのものが極めて真球に近いことから、延伸において滑
剤周辺の応力が均等に伝播し、ポリエステルと滑剤の界
面の一部に応力が集中しないことによると推測される。

一般にポリエステルと無機微粒子とは親和性がない。こ
のため溶融製膜したポリエステル未延伸フィルムを二輪
延伸すると、該粒子とポリエステルの境界に剥離が生じ
、該微粒子の囲りにボイドが形成される。そして、厚み
６μｍ以下のごとき薄い二輪延伸フィルムにおいては無
機微粒子とポリエステルの境界における剥離はピンホー
ル等になる場合も多い。そして、無機微粒子の粒径が大
きいほど該剥離によるボイドは大きく、ピンホールにな
る可能性も大きい。そして該ボイドはピンホールになら
ない場合にも必ず絶縁破壊電圧の低下をもたらす。

本発明のポリエステルフィルムの表面の比較的大きい突
起を形成する球状シリカ粒子は、上述のごと〈従来の無
機微粒子と異り、該粒子の囲りにボイドが形成されずピ
ンホールの増加、絶縁破壊電圧の低下等電気的性質の低
下をひきおこさない。

また本発明のポリエステルフィルムの表面の比較的小さ
い突起を形成する微粒子は、その粒径が小さいので該粒
子とポリエステルの境界に剥離が生じボイドが形成され
ても電気的性質の低下は著しくない。

ポリエステルフィルム の製造は従来から知られている方法で行うことができる
。

本発明のコンデンサーは上述した特徴，利点を有するポ
リエステルフィルムを誘電体としたものであり、電気的
性質に優れ且つ品質のバラツキの少い、優れたコンデン
サーである。

［実施例］ 以下、実施例を掲げて本発明を更に説明する。

なお本発明における種々の物性値および特性は以下の如
く測定されたものである。

（１）粒子の粒径等 （１−１）シリカ粒子について 粒子粒径の測定には次の状態がある。

１）シリカ粉体から、平均粒径，粒径比等を求める場合 ２）フィルム中のシリカ粒子の平均粒径，粒径比等を求
める場合 １）シリカ粉体からの場合： 電顕試料台上にシリカ粉体を個々の粒子ができるだけ重
ならないように散在せしめ、金スパツタ−装置によりこ
の表面に金薄膜蒸着層を厚み２００人〜３００人で形成
せしめ、走査型電子顕微鏡にてｉｏｏｏｏ〜３００００
倍で観察し、日本レギュレーター■製ルーゼツクス５０
０にて、少くとも１００個の粒子の長径（Ｄｌｉ）、短
径（Ｄｓｉ）及び面積円相高径（Ｄｉ）を求める。

そして、これらの次式で表わされる数平均値をもって、
シリカ粒子の長径（０＋）　、短径（ＯＳ）　、平均粒
径（０）を表わす。

旧＝（Σ　Ｄｌｉ　）／ｎ。

ｉ＝１ Ｏｓ＝　（Σ　ｏｓｔ）／ｎ。

ｉ＝１ ０＝（Σ　Ｄｉ）／ｎ ｉ＝１ ２）フィルム中のシリカ粒子の場合： 試料フィルム小片を走査型電子顕微鏡用試料台に固定し
、日本電子■製スパッターリング装置（ＪＦＣ−１１０
０型イオンスパツターリング装置）を用いてフィルム表
面に下記条件にてイオンエツチング処理を施す。条件は
ペルジャー内に試料を設置し、約１０−３　ＴＯｒｒの
真空状態まで真空度を上げ、電圧０．２５にＶ，電流１
２．５ｍＡにて約１０分間イオンエツチングを実施す把
。

更に同装置にてフィルム表面に金スパツタ−を施し、走
査型電子顕微鏡にて１００００〜３００００倍で観察し
、日本レギュレーター■製ルーゼツクス５００にて少く
とも１００個の粒子の長径（Ｄｌｉ）、短径（Ｄｓｉ）
及び面積円相高径（Ｄｉ）を求める。以下、上記１）と
同様に行う。

（１−２）他の不活性微粒子について １）　粒子の平均粒径 島津製作所ＣＰ−５０型セントリフニゲル　パーティク
ル　サイズ　アナライザー （Ｃｅｎｔｒｉｆｕｇａｌ　Ｐａｒｔｉｃｌｅ　Ｓｉｚ
ｅ　Ａｎａｌｙｓｅｒ）を用いて測定する。得られた遠
心沈降曲線を基に算出した各粒径の粒子とその存在量と
の累積曲線から、５０マスパーセント（ｍａｓｓｐｅｒ
ｃｅｎｔ）に相当する粒径を読み取り、この値を上記平
均粒径とする（「粒度測定技術」日刊工業新聞社発行，
　１９７５年，頁２４２〜２４７参照）。

２）粒子粒径比 フィルム小片をエポキシ樹脂にて約５ｍｍφ棒状に固定
成形し、ミクロトームにて約６００＾の厚みの超薄切片
を作製する。この試料を、日立製作剛製の透過電子顕微
鏡Ｈ−８００型を用い、加速電圧１００ｋＶにてフィル
ムの断面に存在する不活性微粒子を観察する。この粒子
の長径と短径を求め、粒径比を算出する。

観察する粒子個数は２０個とし、各々の粒径比を求め、
それらの平均値をもって粒径比として示す。

３）相対標準偏差 １）項の累積曲線より差分粒度分布を求め、相対標準偏
差の下記の定義式にもとづいて相対標準偏差を算出する
。

ここで、Ｄｉ　：　１）項で求める各々の粒径（μｍ）
ｏ：１）項で求める平均径（μｍ） ｎ：１）項で累積曲線を求めるときの 分割数 φｉ：各粒径粒径子の存在確率 （マスパーセント） を表わす。

（２）フィルム表面粗さ（Ｒａ） 中心線平均粗さ（Ｒａ）としてＪＩＳ−ＢＯ６０１テ定
義される値であり、本発明では■小板研究所の触針式表
面粗’ｉａ計（ＳｔｌＲＦＣＯＲＤＥＲ５Ｅ−３０Ｃ）
を用いて測定する。測定条件等は次の通りである。

（ａ）触針先端半径　＝　　２μｍ （ｂ）測定圧力　　　：　　３０ｍ。

（Ｃ）カットオフ　　：　　０．２５ｍｍ（ｄ）測定長
　　　　：　　２．５ｍｍ（ｅ）データーのまとめ方 同−試料について５回繰返し測定し、最も大きい値を１
つ除き、残り４つのデーターの平均値の少数点以下４桁
目を四捨五入し、少数点以下３行目まで表示する。

（３）絶縁酸゛壊電圧及び絶縁欠陥率 絶縁破壊電圧はＪＩＳ−Ｃ−２３１８に示される方法で
測定する。

（４）熱収縮率 フィルム試料の大きさ３５０ｍｍ　ｘ３５０ｍｍのちの
の縦及び横方向につき中央部に３００ｍ１ｉの距離をお
いて標点を付け、１５０℃に設定したテスター産業製熱
風式恒温槽内に試Ｆ１１０枚を無緊張下につりさげ、２
時間保持後取り出し、標点間の距離を再び測定し、熱収
縮率を下記の式により算出し、ｎ＝１０の平均値で表わ
す。

ｏ　　　Ｌ 熱収縮率（％）　＝　−Ｘ　１００ （５）蒸着加工性の評価 フィルム巾ｓｏｏｍｍ　、巻長さ２０．０００ｍの原フ
ィルムに対してアルミニウム蒸着をアルミニウム純度９
９．９９％、蒸着源温度１４００℃、蒸着面とフィルム
面との距離３５０ｍｍ　、入射角４０°、真空度５　ｘ
　１０−５　Ｔｏｒｒ、蒸着速度３００ｍ／１ｍ　、蒸
着テンション２０ＫＯ，蒸着厚さ１００ｍμの条件でア
ルミニウム蒸着を行い、原フィルムの蒸着加工性につい
て蒸着加工時に横しわが全く発生しないものを◎、やや
横しわが発生するが蒸着斑や蒸着後のスリット不良まで
には到らないものをＯ２横しわ、あるい１よ場合により
縦しわが発生し、蒸着線や蒸着後のスリット不良が頻繁
に起こり、使用に供し得ないものをＸとする。

（６）素子端面不揃い、及び偏平化後の素子端面形状の
評価 ４〜１２μのフィルムをアルミニウム蒸着し、２０ｍｍ
ｒｉコにスリットしたものを、外径３ｍｍの巻芯に巻張
力４０ｇ、巻取速度３０ｃｍ／ｓｅｃで４ｍの長さを巻
回した素子を作り、素子端面不揃いについては、端面が
全て完全に揃っているものをＯとし、一部にやや不揃い
のものもあるがその程度も小で、実用上何ら差支えない
ものをΔ、使用できないものをＸとする。

該素子をプレスにより偏平につぶした時の偏平化後の素
子端面形状評価は、フィルム層間が一直線で均一につぶ
れて隙間のないものを○。

一部に僅かの隙間が認められるが実用上何ら問題のない
ものをΔ、つぶれが不均一でフィルム層間に隙間ができ
て使用できないものを×とする。

（７）総合評価 つぶれ性２巻同性等の取扱い作業性、蒸着加工性、絶縁
破壊電圧及び絶縁破壊異常率等の電気特性について総合
的に評価して、い°ずれも良好なものを◎、若干劣る面
を有するが実用上問題ないものＱ、実用上問題のあるも
のをΔ、使用に耐えないものをＸとする。

比較例１〜７ ジメチルテレフタレートとエチレングリコールを、エス
テル交換触媒として酢酸マンガンを、重合触媒として三
酸化アンチモンを、°安定剤として亜燐酸を、更に滑剤
（添加粒子）として第１表に示すものを用いて、エステ
ル交換および重縮合を行い、固有粘度（［η］）０．６
５のポリエチレンテレフタレートを得た。

なお、上記滑剤はエチレングリコールに添加し、超音波
分散処理して得られたグリコール分散液として添加した
。

このポリエチレンテレフタレートのペレットを１７０℃
、３時間乾燥後押出機ホッパーに供給し、溶融温度２８
０〜３００℃で溶融し、この溶融ポリマーを開度１ｍ１
ｌｌのスリット状ダイを通して表面仕上げ０．３Ｓ程度
、表面温度２０℃の回転冷却ドラム上に押出成形し、８
０μｍの未延伸フィルムを得た。

このようにして得られた未延伸フィルムを１５℃に予熱
し、更に低速、高速のロール間で１５ｍｍ上方より９０
０℃の表面温度のＩＲヒーター１本にて加熱し、縦方向
に３．６倍に延伸後急冷し、続いてステンターに供給し
１０５℃にて横方向に３．７倍に延伸した。得られた二
輪延伸フィルムを２２０℃の温度で５秒間熱固定し、厚
み６μｍの熱固定二軸配向フィルムを得た。このフィル
ムを用いて蒸着フィルムコンデンサーを製造した。

上記フィルムの１５０℃、　３０分間における熱収縮率
は縦方向１．５％、横方向１．７％であり、蒸着加工性
はすべて良好であった。

更に他の特性を第１表に示す。

実施例１〜７ 滑剤（添加粒子）を第２表に示したものに変更する以外
は比較例１〜７と同様に行なってポリエチレンテレフタ
レートのベレットを得た。該ペレットを用いる以外は比
較例１〜７と同様に行なって、厚みθμｌの熱固定二軸
配向フィルムを得た。

更にこのフィルムを用いて蒸着フィルムコンデンサーを
製造した。このフィルムの１５０℃、３０分間における
熱収縮率は縦方向１．５％、横方向１．７％であり、蒸
着加工性が良好であった。

このフィルムおよびコンデンサーの特性を第２表に示す
。

これら実施例で得たフィルムおよびコンデンサーはいず
れも優れた品質のものであった。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. １．厚み１〜１６μｍの二軸配向ポリエステルフィルム
   を誘電体とするコンデンサーにおいて、該フィルムがポ
   リエステル中に、第１成分として平均粒径が０．４〜４
   μｍでありかつ粒径比（長径／短径）が１．０〜１．３
   である球状シリカ粒子を０．００５〜１．０重量％含有
   し、かつ第２成分として平均粒径が第１成分より小さい
   が０．０１〜３μｍの範囲にある他の不活性微粒子を ０．００５〜１．０重量％含有する二軸配向フィルムで
   あることを特徴とする絶縁破壊電圧の高いコンデンサー
   。
2. ２．球状シリカ粒子の下記式で表わされる相対標準偏差
   が０．５以下である特許請求の範囲第１項記載のコンデ
   ンサー。 相対標準偏差＝▲数式、化学式、表等があります▼ ここで、Ｄｉ：個々の粒子の面積円相当径（μｍ）■：
   面積円相当径の平均値 ▲数式、化学式、表等があります▼ ｎ：粒子の個数 を表わす。
3. ３．他の不活性微粒子がカオリン，ベントナイト，酸化
   チタン，炭酸カルシウム及び多孔質シリカよりなる群か
   ら選ばれる少くとも一種である特許請求の範囲第１項記
   載のコンデンサー。