JPH01115130A - 半導体装置の樹脂封止装置 - Google Patents
半導体装置の樹脂封止装置Info
- Publication number
- JPH01115130A JPH01115130A JP62274559A JP27455987A JPH01115130A JP H01115130 A JPH01115130 A JP H01115130A JP 62274559 A JP62274559 A JP 62274559A JP 27455987 A JP27455987 A JP 27455987A JP H01115130 A JPH01115130 A JP H01115130A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- gate
- section
- semiconductor device
- cavity
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229920005989 resin Polymers 0.000 title claims abstract description 45
- 239000011347 resin Substances 0.000 title claims abstract description 45
- 238000007789 sealing Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 18
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 claims abstract description 12
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/17—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
- B29C45/26—Moulds
- B29C45/27—Sprue channels ; Runner channels or runner nozzles
- B29C45/2701—Details not specific to hot or cold runner channels
- B29C45/2708—Gates
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、リードフレーム上の半導体素子を樹脂封止す
る場合に使用する半導体装置の樹脂封止装置に関する。
る場合に使用する半導体装置の樹脂封止装置に関する。
従来、この種半導体装置の樹脂封止装置は第4図に示す
ように構成されている。これを同図に基づいて説明する
と、同図において、符号1で示すものは外装用の合成樹
脂を充填可能なキャビティ2およびこのキャビティ2に
ゲート3を介して連通ずるランナ4を有する型板である
ゆ このように構成された半導体装置の樹脂封止装置におい
ては、上下2つの型板1 (一方のみ図示)が型締めさ
れた後、ポット(図示せず)内からランナ4.ゲート3
を通過してキャビティ2内に合成樹脂が流入することに
よりパッケージ(図示せず)が形成される。そして、型
開き後に樹脂ばりの除去、タイバー切断およびリード成
形等の工程を経て半導体装置が形成される。ここで、パ
ッケージとは、例えばシリコーンあるいはエポキシ系の
合成樹脂によって成形される容器のことである。
ように構成されている。これを同図に基づいて説明する
と、同図において、符号1で示すものは外装用の合成樹
脂を充填可能なキャビティ2およびこのキャビティ2に
ゲート3を介して連通ずるランナ4を有する型板である
ゆ このように構成された半導体装置の樹脂封止装置におい
ては、上下2つの型板1 (一方のみ図示)が型締めさ
れた後、ポット(図示せず)内からランナ4.ゲート3
を通過してキャビティ2内に合成樹脂が流入することに
よりパッケージ(図示せず)が形成される。そして、型
開き後に樹脂ばりの除去、タイバー切断およびリード成
形等の工程を経て半導体装置が形成される。ここで、パ
ッケージとは、例えばシリコーンあるいはエポキシ系の
合成樹脂によって成形される容器のことである。
ところで、この種半導体装置の樹脂封止装置においては
、樹脂封止後のゲート部に切断箇所が設定されているも
のではなく、このため所定の箇所でゲート部樹脂を切断
することができず、切断後にゲート部分に残留樹脂が生
じたり、パフケージ(図示せず)が欠けたりして安定し
た品質をもつ成形品を得ることができないという問題が
あった。
、樹脂封止後のゲート部に切断箇所が設定されているも
のではなく、このため所定の箇所でゲート部樹脂を切断
することができず、切断後にゲート部分に残留樹脂が生
じたり、パフケージ(図示せず)が欠けたりして安定し
た品質をもつ成形品を得ることができないという問題が
あった。
本発明はこのような事情に鑑みなされたもので、残留樹
脂の発生を抑制することができると共に、パッケージの
欠落を防止することができ、もって安定した品質をもつ
成形品を得ることができる半導体装置の樹脂封止装置を
提供するものである。
脂の発生を抑制することができると共に、パッケージの
欠落を防止することができ、もって安定した品質をもつ
成形品を得ることができる半導体装置の樹脂封止装置を
提供するものである。
本発明に係る半導体装置の樹脂封止装置は、型板のキャ
ビティ近傍に合成樹脂の充填状態においてゲートの内部
に臨む突子を設けたものである。
ビティ近傍に合成樹脂の充填状態においてゲートの内部
に臨む突子を設けたものである。
本発明においては、樹脂封止後に成形されるゲート部樹
脂に容量が小さい樹脂部分を形成することができ、ゲー
ト部樹脂の切断時にこの部分に切断応力を集中させるこ
とができる。
脂に容量が小さい樹脂部分を形成することができ、ゲー
ト部樹脂の切断時にこの部分に切断応力を集中させるこ
とができる。
第1図は本発明に係る半導体装置の樹脂封止装置の要部
を示す斜視図で、同図以下において第4図と同一の部材
については同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
を示す斜視図で、同図以下において第4図と同一の部材
については同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
同図において、符号11で示すものはピンからなる突子
で、パッケージ用の合成樹脂の充填状態において前記ゲ
ート3の内部に臨み前記型板1のキャビティ近傍に設け
られている。この突子11は全体が例えば5KD−11
゜HAPあるいは超硬質材等の断面円形状の材料によっ
て形成されており、その径は直径1.5鶴程度の寸法に
設定されている。
で、パッケージ用の合成樹脂の充填状態において前記ゲ
ート3の内部に臨み前記型板1のキャビティ近傍に設け
られている。この突子11は全体が例えば5KD−11
゜HAPあるいは超硬質材等の断面円形状の材料によっ
て形成されており、その径は直径1.5鶴程度の寸法に
設定されている。
このように構成された半導体装置の樹脂封止装置におい
ては、樹脂封止後に成形されるゲート部樹脂に小さい樹
脂容量をもつ部分を形成することができる。
ては、樹脂封止後に成形されるゲート部樹脂に小さい樹
脂容量をもつ部分を形成することができる。
したがって、樹脂封止時に突子11が臨むゲート樹脂部
分すなわちゲート樹脂部の所定箇所に切断時に切断応力
を集中させることができるから、残留樹脂の発生を抑制
することができると共に、パフケージ(図示せず)の欠
落を防止することができる。
分すなわちゲート樹脂部の所定箇所に切断時に切断応力
を集中させることができるから、残留樹脂の発生を抑制
することができると共に、パフケージ(図示せず)の欠
落を防止することができる。
因に、本発明における半導体装置の樹脂封止装置による
半導体装置の製造は、従来技術と同様にして行うことが
できる。すなわち、上下2つの型板1が型締めされた後
、ポット(図示せず)内からランナ4.ゲート3を通過
してキャビティ2内に合成樹脂が流入することによりパ
ッケージ(図示せず)が形成され、型開き後に樹脂ばり
の除去。
半導体装置の製造は、従来技術と同様にして行うことが
できる。すなわち、上下2つの型板1が型締めされた後
、ポット(図示せず)内からランナ4.ゲート3を通過
してキャビティ2内に合成樹脂が流入することによりパ
ッケージ(図示せず)が形成され、型開き後に樹脂ばり
の除去。
タイバー切断およびリード成形等の工程を経て半導体装
置が形成されるのである。
置が形成されるのである。
なお、本実施例においては、突子11の形状を断面円形
状である場合を示したが、本発明はこれに限定されるも
のではなく、第2図に示すように板状の突子21として
も実施例と同様の効果を奏する。この場合、突子21の
外形寸法をゲート3の幅寸法より小さい寸法に設定する
ことは勿論である。
状である場合を示したが、本発明はこれに限定されるも
のではなく、第2図に示すように板状の突子21として
も実施例と同様の効果を奏する。この場合、突子21の
外形寸法をゲート3の幅寸法より小さい寸法に設定する
ことは勿論である。
また、本実施例においては、突子11が固定式である場
合を示したが、本発明はこれに限定されず、第3図に示
すように可動式の突子22としても差し支えなく、この
突子22が合成樹脂の充填状態においてゲート3に臨む
ものであればよいのである。そして、その駆動力は例え
ば油圧によるものあるいは電動によるものでもよい。
合を示したが、本発明はこれに限定されず、第3図に示
すように可動式の突子22としても差し支えなく、この
突子22が合成樹脂の充填状態においてゲート3に臨む
ものであればよいのである。そして、その駆動力は例え
ば油圧によるものあるいは電動によるものでもよい。
以上説明したように本発明によれば、型板のキャビティ
近傍に合成樹脂の充填状態においてゲートの内部に臨む
突子を設けたので、樹脂封止後に成形されるゲート部樹
脂に小さい容量をもつ樹脂部分を形成することができる
。したがって、樹脂封止時に突子に対応する樹脂部分に
切断応力を集中させることができるから、残留樹脂の発
生を抑制することができると共に、バフケージの欠落を
防止することができ、安定した品質をもつ成形品を得る
ことができる。
近傍に合成樹脂の充填状態においてゲートの内部に臨む
突子を設けたので、樹脂封止後に成形されるゲート部樹
脂に小さい容量をもつ樹脂部分を形成することができる
。したがって、樹脂封止時に突子に対応する樹脂部分に
切断応力を集中させることができるから、残留樹脂の発
生を抑制することができると共に、バフケージの欠落を
防止することができ、安定した品質をもつ成形品を得る
ことができる。
第1図は本発明に係る半導体装置の樹脂封止装置の要部
を示す斜視図、第2図および第3図は他の実施例を示す
斜視図、第4図は従来の半導体装置の樹脂封止装置の要
部を示す斜視図である。 1・・・・型板、2・・・・キャビティ、3・・・・ゲ
ート、4・・・・ランナ、11・・・・突子。 代 理 人 大 岩 増 雄 第1図 第2図 第3図 第4図
を示す斜視図、第2図および第3図は他の実施例を示す
斜視図、第4図は従来の半導体装置の樹脂封止装置の要
部を示す斜視図である。 1・・・・型板、2・・・・キャビティ、3・・・・ゲ
ート、4・・・・ランナ、11・・・・突子。 代 理 人 大 岩 増 雄 第1図 第2図 第3図 第4図
Claims (1)
- 外装用の合成樹脂を充填可能なキャビティおよびこの
キャビティにゲートを介して連通するランナを有する型
板を備え、この型板のキャビティ近傍に合成樹脂の充填
状態において前記ゲートの内部に臨む突子を設けたこと
を特徴とする半導体装置の樹脂封止装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62274559A JPH01115130A (ja) | 1987-10-28 | 1987-10-28 | 半導体装置の樹脂封止装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62274559A JPH01115130A (ja) | 1987-10-28 | 1987-10-28 | 半導体装置の樹脂封止装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01115130A true JPH01115130A (ja) | 1989-05-08 |
Family
ID=17543414
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62274559A Pending JPH01115130A (ja) | 1987-10-28 | 1987-10-28 | 半導体装置の樹脂封止装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01115130A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20160339616A1 (en) * | 2015-05-22 | 2016-11-24 | Infineon Technologies Ag | Method and Apparatus for Simultaneously Encapsulating Semiconductor Dies with Layered Lead Frame Strips |
-
1987
- 1987-10-28 JP JP62274559A patent/JPH01115130A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20160339616A1 (en) * | 2015-05-22 | 2016-11-24 | Infineon Technologies Ag | Method and Apparatus for Simultaneously Encapsulating Semiconductor Dies with Layered Lead Frame Strips |
US10099411B2 (en) * | 2015-05-22 | 2018-10-16 | Infineon Technologies Ag | Method and apparatus for simultaneously encapsulating semiconductor dies with layered lead frame strips |
DE102016109227B4 (de) * | 2015-05-22 | 2020-07-09 | Infineon Technologies Ag | Verfahren und Vorrichtung zum simultanen Verkapseln von Halbleiter-Dies mit geschichteten Leadframe-Streifen |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040623 |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060801 |
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Effective date: 20070911 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
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A02 | Decision of refusal |
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