JPH01112993A - 5−ヒドロキシ−l−トリプトファンの製造法及び微生物 - Google Patents
5−ヒドロキシ−l−トリプトファンの製造法及び微生物Info
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- Preparation Of Compounds By Using Micro-Organisms (AREA)
- Micro-Organisms Or Cultivation Processes Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は生理活性アミンの1つであるセロトニンの前駆
物質として、或いは必須アミノ酸の1つであるL−トリ
プトファンの類縁物質として医薬品や化学工業原料等と
して有用な化合物である5−ヒドロキシ−L、−)リゾ
トファン(以下51(TPと略称する。)の製造法及び
該方法に於いて効果的に用い得る微生物に関する。
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該方法に於いて効果的に用い得る微生物に関する。
(従来技術と問題点)
微生物を用い′fI:、5 )ITPの製造法としては
、従来、例えばインドール誘導体をぶ料とする方法(特
開昭59−45900、同57−83288、同57−
8791等)やアントラニル酸誘導体を原料とする方法
(特開昭60−34195等)が知られており、これら
の方法にて使用すべき微生物として、アクロモバクタ−
属、コリネバクテリア属、サツカロミセス属、セラチア
属、エアロモナス属、バチルス属、エシェリヒア属、プ
レバクテリア属等が提案されている。しかし、これら従
来公知の方法はいずれも5 )ITPの収率が必ずしも
充分なものとは言い難く、更には、培養物中にL−トリ
プトファンが生成蓄積する場合も多い。培養物中にL−
)リデトファンが生成蓄積した場合、目的とする5 H
TPとの分離が難しく、5 HTPO分離精梨工程に於
ける損失が大きくなり経済的な不利は逃れない。
、従来、例えばインドール誘導体をぶ料とする方法(特
開昭59−45900、同57−83288、同57−
8791等)やアントラニル酸誘導体を原料とする方法
(特開昭60−34195等)が知られており、これら
の方法にて使用すべき微生物として、アクロモバクタ−
属、コリネバクテリア属、サツカロミセス属、セラチア
属、エアロモナス属、バチルス属、エシェリヒア属、プ
レバクテリア属等が提案されている。しかし、これら従
来公知の方法はいずれも5 )ITPの収率が必ずしも
充分なものとは言い難く、更には、培養物中にL−トリ
プトファンが生成蓄積する場合も多い。培養物中にL−
)リデトファンが生成蓄積した場合、目的とする5 H
TPとの分離が難しく、5 HTPO分離精梨工程に於
ける損失が大きくなり経済的な不利は逃れない。
(発明の課題及び解決手段)
本発明者らは培養物中の5 HTPの蓄積濃度が高く且
り一トリグトファン等の好ましくない副生物の生成を出
来る限り抑えi 5 HTPの工業上有利な製造法を開
発すべく種々検討を重ねた結果本発明を完成するに至っ
几。
り一トリグトファン等の好ましくない副生物の生成を出
来る限り抑えi 5 HTPの工業上有利な製造法を開
発すべく種々検討を重ねた結果本発明を完成するに至っ
几。
即ち、本発明によれば5−ヒドロキシ−L−トリプトフ
ァン生産能を有し、且生育必要量以上のL−トリプトフ
ァンまたはその前駆体の合成酵素系を持たないバチルス
属に属する微生物を5−ヒドロキシインドールもしくは
5−ヒドロキシアントラニル酸ま几はそれらの塩を含み
、友だし、L−トリプトファンt7tはその前駆体を含
まない栄養培地で培養し、培養物より5−ヒドロキシ−
し−トリプトファンを採取することを特徴とする5−ヒ
ドロキシ−L−トリプトファンの姿造法及び該方法の実
施にあ友す効果的に使用し得る微生物として、バチルス
SD−58ま之はバチルスSD−59が提供される。
ァン生産能を有し、且生育必要量以上のL−トリプトフ
ァンまたはその前駆体の合成酵素系を持たないバチルス
属に属する微生物を5−ヒドロキシインドールもしくは
5−ヒドロキシアントラニル酸ま几はそれらの塩を含み
、友だし、L−トリプトファンt7tはその前駆体を含
まない栄養培地で培養し、培養物より5−ヒドロキシ−
し−トリプトファンを採取することを特徴とする5−ヒ
ドロキシ−L−トリプトファンの姿造法及び該方法の実
施にあ友す効果的に使用し得る微生物として、バチルス
SD−58ま之はバチルスSD−59が提供される。
従来かかる製造法としてアントラニル陵要求性株を用い
る方法(特開昭6l−52277)が提唱され最良の方
法とされていたが菌の生育のkめトリプトファン又はそ
の前駆体例えばアントラニル酸を必要として培地中に適
当I、適宜供給する操作が必要であっ友が本発明ではか
かる操作は必要でないなどのメリットがある。本発明に
従ったアントラニル酸合成酵素活性を減少せしめ念5−
ヒドロキシ−L−トリプトファン生産能を有する・ぐチ
ルス属に属する微生物は以下のようにして取得した。
る方法(特開昭6l−52277)が提唱され最良の方
法とされていたが菌の生育のkめトリプトファン又はそ
の前駆体例えばアントラニル酸を必要として培地中に適
当I、適宜供給する操作が必要であっ友が本発明ではか
かる操作は必要でないなどのメリットがある。本発明に
従ったアントラニル酸合成酵素活性を減少せしめ念5−
ヒドロキシ−L−トリプトファン生産能を有する・ぐチ
ルス属に属する微生物は以下のようにして取得した。
すなわち、発明者らは、バチルス属に属する菌を、例え
ば常法に従ってN−メチル−N′−ニトロ−N−ニトロ
ングアニジン(NTG )処理あるいは紫外線照射処理
などで人工突然変異を誘発せしめ、微生物固有のL−ト
リプトファンによるフィードバック阻害機構を解除した
菌を選抜する目的で、変異処理菌を生育最低阻止濃度以
上にトリプトファンアナログ体である5−フルオロトリ
プトファンを含んだ寒天平板培地(スビデイゼン培地)
に撒き、生育した数百のコロニーについてそれぞれ5−
ビ゛ロキシーL−トリグトファン生産能の高い5−フル
オロトリプトファン耐性菌株(即ち、L−トリゾトファ
/によるフィードバック抑制が解除し7’C)1に得た
。例えばこのようにして生産性の高い菌として、バチル
ス・ズプチルスからはSD−56(原株は東京大学応用
微生物研究所より入手し几■AM1026)、バチルス
・アミロリクエファシェンスからはSD−57(原株は
東京大学応用微生物研究所より入手したIAM−152
1である)が得られる。
ば常法に従ってN−メチル−N′−ニトロ−N−ニトロ
ングアニジン(NTG )処理あるいは紫外線照射処理
などで人工突然変異を誘発せしめ、微生物固有のL−ト
リプトファンによるフィードバック阻害機構を解除した
菌を選抜する目的で、変異処理菌を生育最低阻止濃度以
上にトリプトファンアナログ体である5−フルオロトリ
プトファンを含んだ寒天平板培地(スビデイゼン培地)
に撒き、生育した数百のコロニーについてそれぞれ5−
ビ゛ロキシーL−トリグトファン生産能の高い5−フル
オロトリプトファン耐性菌株(即ち、L−トリゾトファ
/によるフィードバック抑制が解除し7’C)1に得た
。例えばこのようにして生産性の高い菌として、バチル
ス・ズプチルスからはSD−56(原株は東京大学応用
微生物研究所より入手し几■AM1026)、バチルス
・アミロリクエファシェンスからはSD−57(原株は
東京大学応用微生物研究所より入手したIAM−152
1である)が得られる。
次に、この5−フルオロトリプトファン耐性及び5−ヒ
ドロキシ−し−トリプトファン生産能を有する変異菌株
を親株とし再び上と同様にして人工突然変異誘発処理し
て、処理後、NTG処理した場合は菌体を遠心分離(l
oo00GX5分)し、次にトリス緩衝液(pH7,0
)に懸濁し再度遠心分離して、NTG t−除去し、最
終的に菌をアントラニル酸20〜50 ppm ′f、
含むスピデイゼン培地のような枯草菌用最小培地にて3
0〜40℃で数時間培養する。
ドロキシ−し−トリプトファン生産能を有する変異菌株
を親株とし再び上と同様にして人工突然変異誘発処理し
て、処理後、NTG処理した場合は菌体を遠心分離(l
oo00GX5分)し、次にトリス緩衝液(pH7,0
)に懸濁し再度遠心分離して、NTG t−除去し、最
終的に菌をアントラニル酸20〜50 ppm ′f、
含むスピデイゼン培地のような枯草菌用最小培地にて3
0〜40℃で数時間培養する。
次に対数増殖前〜中期に、アントラニル酸要求性菌を濃
縮すべく、ペニシリン200〜1000−Lニット/―
ヲ添加して30〜40℃で30〜90分振盪し、上と同
様に集菌洗浄し、アントラニル酸20〜s o ppm
含有枯草菌用最小培地では生育するが、アントラニル酸
無添加枯草菌用最小培地では生育しないアントラニル酸
要求性菌株をスクリーニングする。
縮すべく、ペニシリン200〜1000−Lニット/―
ヲ添加して30〜40℃で30〜90分振盪し、上と同
様に集菌洗浄し、アントラニル酸20〜s o ppm
含有枯草菌用最小培地では生育するが、アントラニル酸
無添加枯草菌用最小培地では生育しないアントラニル酸
要求性菌株をスクリーニングする。
次に、上のようにして得られるアントラニル酸要求性株
を前記したような方法で人工突然変異誘発処理した後、
集菌(NTG処理の場合は菌体を洗浄しNTGを除去)
し、栄養培地で30〜40℃3時間培養した後、遠心分
離により集菌しトリス緩衝液に菌濃度1×lO8個/
mlになるように懸濁し、アントラニル酸を含まない枯
草用最小寒天培地に塗布し、30〜40℃で1〜3日間
静置培養する。
を前記したような方法で人工突然変異誘発処理した後、
集菌(NTG処理の場合は菌体を洗浄しNTGを除去)
し、栄養培地で30〜40℃3時間培養した後、遠心分
離により集菌しトリス緩衝液に菌濃度1×lO8個/
mlになるように懸濁し、アントラニル酸を含まない枯
草用最小寒天培地に塗布し、30〜40℃で1〜3日間
静置培養する。
生育したコロニーに関して、各々30℃〜40℃でスぎ
デイゼン培地で液体培養し同時に親株のSD−56、S
D−57も培養し、集菌後、アントラニル酸合成酵素活
性(伊藤らの方法に従った。
デイゼン培地で液体培養し同時に親株のSD−56、S
D−57も培養し、集菌後、アントラニル酸合成酵素活
性(伊藤らの方法に従った。
genetics、52.1303〜1316(196
5))’!z比較した所親株(SD−56またはSD−
57)に比較しアントラニル酸合成酵素活性が顕著に低
下し几菌株が選択出来た。このようにしてSD−56か
らはSD−58(微工研菌寄第9601号)、SD−5
7からはSD−59(微工研菌寄第9602号)が取得
できた。
5))’!z比較した所親株(SD−56またはSD−
57)に比較しアントラニル酸合成酵素活性が顕著に低
下し几菌株が選択出来た。このようにしてSD−56か
らはSD−58(微工研菌寄第9601号)、SD−5
7からはSD−59(微工研菌寄第9602号)が取得
できた。
これら菌の菌学的性質は菌株SD−58の場合原株、p
4チルス・ズプチルスIMA 1026株(東京大学応
用微生物研究所より入手)と比較し、またSD−59の
場合原株バチルス・アミロリクイファシェンスIAM1
52)と比較すると、トリブトファンによるフィードバ
ック抑制解除、5−ヒドロキシ−L−)リゾトファン生
産能およびトリクトファン合成系酵素活性の点で相違す
る以外は原株と実質的に同じである。
4チルス・ズプチルスIMA 1026株(東京大学応
用微生物研究所より入手)と比較し、またSD−59の
場合原株バチルス・アミロリクイファシェンスIAM1
52)と比較すると、トリブトファンによるフィードバ
ック抑制解除、5−ヒドロキシ−L−)リゾトファン生
産能およびトリクトファン合成系酵素活性の点で相違す
る以外は原株と実質的に同じである。
以上、バチルス属に属する菌としてノ9チルス・ズブチ
ルスとバチルス・アミロリクイファシェンスを用い念が
、各種前駆体から5−ヒドロキシ−L−トリプトファン
をつくる能力があるものならどの菌でも使用できること
は言うまでもない。
ルスとバチルス・アミロリクイファシェンスを用い念が
、各種前駆体から5−ヒドロキシ−L−トリプトファン
をつくる能力があるものならどの菌でも使用できること
は言うまでもない。
本発明に従って、5−ヒドロキシ−L−トリプトファン
を製造するには、バチルスSD−58またはSD−59
t−5−ヒドロキシアンスラニル酸又は5−ヒドロキシ
インドール又はその塩を添加した培地中で培養すること
により実施する。栄養培地中の5−ヒドロキシアンスラ
ニル酸又は5−ヒドロキシインドール又はその塩の濃度
には特に限定はないが、目的5−ヒドロキシ−L−トリ
プトファンの収量、培養条件及ば経済的観点から一般に
は0.1〜30001n9/l、好ましくは10〜10
001n9Aの濃度を保持し乍ら培養する。
を製造するには、バチルスSD−58またはSD−59
t−5−ヒドロキシアンスラニル酸又は5−ヒドロキシ
インドール又はその塩を添加した培地中で培養すること
により実施する。栄養培地中の5−ヒドロキシアンスラ
ニル酸又は5−ヒドロキシインドール又はその塩の濃度
には特に限定はないが、目的5−ヒドロキシ−L−トリ
プトファンの収量、培養条件及ば経済的観点から一般に
は0.1〜30001n9/l、好ましくは10〜10
001n9Aの濃度を保持し乍ら培養する。
本発明方法において使用することのできる培地としては
、前記微生物が培養により増殖し得るものであれば任意
のものでよく、例えば炭素源としてはブドウ糖、糖密、
蔗糖、デン粉、デン粉糖化液、セルロース分解物などの
糖類、酢酸、エタノール等が用いられる。窒素源として
はアンモニア、硫安、塩安、硝安、燐安などのアンモニ
ウム塩や尿素、硝酸塩等が適宜用いられる。無機塩とじ
ては燐酸、カリウム、マグネシウム、マンガン等の塩類
、例えば燐酸アンモニウム、燐酸カリ、燐酸ソーダ、硫
酸マグネシウム、硫酸第一鉄、硫酸マンガン、苛性カリ
等の通常の工業用薬品で良く、他に微1元素としてカル
シウム、亜鉛、硼素、銅、コバルト、モリブデン等の塩
類を加えても良い。
、前記微生物が培養により増殖し得るものであれば任意
のものでよく、例えば炭素源としてはブドウ糖、糖密、
蔗糖、デン粉、デン粉糖化液、セルロース分解物などの
糖類、酢酸、エタノール等が用いられる。窒素源として
はアンモニア、硫安、塩安、硝安、燐安などのアンモニ
ウム塩や尿素、硝酸塩等が適宜用いられる。無機塩とじ
ては燐酸、カリウム、マグネシウム、マンガン等の塩類
、例えば燐酸アンモニウム、燐酸カリ、燐酸ソーダ、硫
酸マグネシウム、硫酸第一鉄、硫酸マンガン、苛性カリ
等の通常の工業用薬品で良く、他に微1元素としてカル
シウム、亜鉛、硼素、銅、コバルト、モリブデン等の塩
類を加えても良い。
また微I有機栄養素としてビタミン、アミノ酸、核酸関
連物質等は菌の生育上は特別に必要とするものではない
が、これらを添加し几り、コーンスチープリカー、肉エ
キス、酵母エキス、ペプトン等の有機物を加えても良い
。5−ヒドロキシアンスラニル酸又は5−ヒドロキシイ
ンドールハソのまま又はメタノール、エタノール、酢酸
等の有機溶媒の溶液の形で使用してもよいが、ナ) I
Jウム、カリウム、アンモニウムなどのアルカリ塩や硫
酸、塩酸、酢酸等の酸塩の水溶液として使用するのが好
ましい。
連物質等は菌の生育上は特別に必要とするものではない
が、これらを添加し几り、コーンスチープリカー、肉エ
キス、酵母エキス、ペプトン等の有機物を加えても良い
。5−ヒドロキシアンスラニル酸又は5−ヒドロキシイ
ンドールハソのまま又はメタノール、エタノール、酢酸
等の有機溶媒の溶液の形で使用してもよいが、ナ) I
Jウム、カリウム、アンモニウムなどのアルカリ塩や硫
酸、塩酸、酢酸等の酸塩の水溶液として使用するのが好
ましい。
本発明方法における培養は好気的条件下に、例えば通気
攪拌や往復振盪方法によって培養することができる。培
養条件は、特に限定はないが、−船釣に言えば、温度3
0〜40℃、pH6,8〜8.0及び10〜72時間程
度の条件で実施する。
攪拌や往復振盪方法によって培養することができる。培
養条件は、特に限定はないが、−船釣に言えば、温度3
0〜40℃、pH6,8〜8.0及び10〜72時間程
度の条件で実施する。
培養液又は培養物からの目的の5−ヒドロキシ−L −
) IJ f )ファンの採取方法は慣用方法に従って
行うことができる。例えば、遠心分離により菌体・部を
除い友培養液上清からイオン交換樹脂処理法、活性炭処
理法等の操作を適宜組み合せて5−ヒドロキシ−L−ト
リプトファンを単離晶析することができる。
) IJ f )ファンの採取方法は慣用方法に従って
行うことができる。例えば、遠心分離により菌体・部を
除い友培養液上清からイオン交換樹脂処理法、活性炭処
理法等の操作を適宜組み合せて5−ヒドロキシ−L−ト
リプトファンを単離晶析することができる。
実施例
以下に本発明の詳細な説明するが、本発明の範囲をこれ
らの実施例に限定するものでないことはいうまでもない
。
らの実施例に限定するものでないことはいうまでもない
。
例1(5−ヒドロキシ−L−トリプトファンの製造例)
グルコース10チ、硫安0.2%、 Na2s040.
1%、KH2PO40,5%、MgSO4・4〜6H2
00,05%、Fe++lppm、Mn++lppmの
組成の液体培地21jc51ジャーファーメンタ−に入
れ、115℃で20分間加熱滅菌した。
1%、KH2PO40,5%、MgSO4・4〜6H2
00,05%、Fe++lppm、Mn++lppmの
組成の液体培地21jc51ジャーファーメンタ−に入
れ、115℃で20分間加熱滅菌した。
この培養槽に、予じめブイヨン培地中で30℃で12時
間振盪培養したバチルスSD−58又はSD−59を5
%接種し、35℃で通気攪拌培養を行っ几。
間振盪培養したバチルスSD−58又はSD−59を5
%接種し、35℃で通気攪拌培養を行っ几。
培養は、10%の5−ヒドロキシアンスラニル酸アンモ
ニウム塩溶液を培養液中の5−ヒドロキシアンスラニル
酸濃度が50〜100 ppmになるように連続的に添
加し、培養液のpH@ 7.0に保ちながら15時間実
施し友。
ニウム塩溶液を培養液中の5−ヒドロキシアンスラニル
酸濃度が50〜100 ppmになるように連続的に添
加し、培養液のpH@ 7.0に保ちながら15時間実
施し友。
得られた培養液中からSD−58では9.7 lI、
SD−59では13゜89の5−ヒドロキシ−L−トリ
プトファンが回収できた。なお、両画とも培地中のL−
トリプトファンの濃度は0゜021/を以下であった。
SD−59では13゜89の5−ヒドロキシ−L−トリ
プトファンが回収できた。なお、両画とも培地中のL−
トリプトファンの濃度は0゜021/を以下であった。
なお、上記培養実験と並行して前記し7t SD−58
又はSD−59の親株である非アンスラニル酸要求性菌
株を上と同様にして15時間培養したところ、培養液中
の5−ヒドロキシ−L−トリプトファンとしてSD−5
6では°9.1.9 、SD−57では12.8.9回
収でき、L−トリプトファンの蓄積濃度は0.1.9〜
0.511/lであり几。
又はSD−59の親株である非アンスラニル酸要求性菌
株を上と同様にして15時間培養したところ、培養液中
の5−ヒドロキシ−L−トリプトファンとしてSD−5
6では°9.1.9 、SD−57では12.8.9回
収でき、L−トリプトファンの蓄積濃度は0.1.9〜
0.511/lであり几。
例2(5−ヒドロキシ−L−トリプトファンの製造例)
SD−58、SD−59を例1で用いた培地で51ジャ
ーファーメンタ−にて20時間培養し、この培養物2ノ
を同じ培地2001を含む5001シャーファーメンタ
−に接種し、溶存酸素f 0.5 ppm以上に保ち乍
ら35℃で15時間通気攪拌培養を行なり九。培養中、
培養液中の5−ヒドロキシアンスラニル酸の濃度が50
〜100 ppmになるようK、20%05−ヒドロキ
シアンスラニル酸アンモニウム塩溶液を連続的に添加し
、培養液の−は7、0に保持した。培養完了後培養液か
ら5−ヒドロキシ−L−トリプトファンとしてSD−5
8では0.96kIPでSD−59では1.35ゆ回収
できた。尚、L−トリプトファンの蓄積濃度は0.01
と0.0151であった。
ーファーメンタ−にて20時間培養し、この培養物2ノ
を同じ培地2001を含む5001シャーファーメンタ
−に接種し、溶存酸素f 0.5 ppm以上に保ち乍
ら35℃で15時間通気攪拌培養を行なり九。培養中、
培養液中の5−ヒドロキシアンスラニル酸の濃度が50
〜100 ppmになるようK、20%05−ヒドロキ
シアンスラニル酸アンモニウム塩溶液を連続的に添加し
、培養液の−は7、0に保持した。培養完了後培養液か
ら5−ヒドロキシ−L−トリプトファンとしてSD−5
8では0.96kIPでSD−59では1.35ゆ回収
できた。尚、L−トリプトファンの蓄積濃度は0.01
と0.0151であった。
特許出願人 昭和電工株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)5−ヒドロキシ−L−トリプトファン生産能を有し
、且生育必要量以上のL−トリプトファンまたはその前
駆体の合成酵素系を持たないバチルス属に属する微生物
を5−ヒドロキシインドールもしくは5−ヒドロキシア
ントラニル酸またはそれらの塩を含み、ただし、L−ト
リプトファンまたはその前駆体を含まない栄養培地で培
養し、培養物より5−ヒドロキシ−L−トリプトファン
を採取することを特徴とする5−ヒドロキシ−L−トリ
プトファンの製造法。 2)バチルスSD−58またはバチルスSD−59
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27006687A JPH01112993A (ja) | 1987-10-28 | 1987-10-28 | 5−ヒドロキシ−l−トリプトファンの製造法及び微生物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27006687A JPH01112993A (ja) | 1987-10-28 | 1987-10-28 | 5−ヒドロキシ−l−トリプトファンの製造法及び微生物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01112993A true JPH01112993A (ja) | 1989-05-01 |
Family
ID=17481044
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27006687A Pending JPH01112993A (ja) | 1987-10-28 | 1987-10-28 | 5−ヒドロキシ−l−トリプトファンの製造法及び微生物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01112993A (ja) |
-
1987
- 1987-10-28 JP JP27006687A patent/JPH01112993A/ja active Pending
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