JPH01109710A - 磁界中熱処理方法 - Google Patents
磁界中熱処理方法Info
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- JPH01109710A JPH01109710A JP26618587A JP26618587A JPH01109710A JP H01109710 A JPH01109710 A JP H01109710A JP 26618587 A JP26618587 A JP 26618587A JP 26618587 A JP26618587 A JP 26618587A JP H01109710 A JPH01109710 A JP H01109710A
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/32—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying conductive, insulating or magnetic material on a magnetic film, specially adapted for a thin magnetic film
- H01F41/34—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying conductive, insulating or magnetic material on a magnetic film, specially adapted for a thin magnetic film in patterns, e.g. by lithography
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は磁気へ′ラド、トランスなどに使用する磁性薄
膜に磁気異方性を付与するための磁界中熱処理方法に関
する。
膜に磁気異方性を付与するための磁界中熱処理方法に関
する。
従来の技術
従来より磁気ヘッド、トランスなどの磁心として使用さ
れる磁性薄膜は、磁束の方向に対して略垂直な方向が磁
化容易軸となる磁気異方性を付与することにより、換言
すると、磁束の方向を磁化困難軸とすることにより、そ
の磁化困難軸方向で高い高周波透磁率を得ている。これ
は磁心を磁化困難軸方向で用いると、外部磁界変化に対
する応答が主に磁化の回転によって行なわれるために高
い高周波透磁率が得られるのである。
れる磁性薄膜は、磁束の方向に対して略垂直な方向が磁
化容易軸となる磁気異方性を付与することにより、換言
すると、磁束の方向を磁化困難軸とすることにより、そ
の磁化困難軸方向で高い高周波透磁率を得ている。これ
は磁心を磁化困難軸方向で用いると、外部磁界変化に対
する応答が主に磁化の回転によって行なわれるために高
い高周波透磁率が得られるのである。
従来、このような特定の磁気異方性を付与する方法とし
ては、磁界中蒸着法、磁界中スパッタ法あるいは成膜後
の磁界中熱処理法が知られている。
ては、磁界中蒸着法、磁界中スパッタ法あるいは成膜後
の磁界中熱処理法が知られている。
そして、磁気異方性を付与するにあたっては、磁化容易
軸となるべき方向に上記磁界の方向が向けられる。
軸となるべき方向に上記磁界の方向が向けられる。
ところで、磁気ヘッドなどで用いられる磁心は、磁束が
常にループをつくる性格上、略リング状に形成されるの
が通常である。そのようなリング状磁心が、例えば第２
図のように構成された薄膜磁気ヘッドの磁心１である場
合（コイルは図示を省略）は、矢印Ａで示した単一方向
の直流磁界によって磁気異方性を付与すれば、磁束の経
Ｉ￥８２のいずれの部分をみても磁心１は磁化困難軸方
向で動作することができ、好都合である。
常にループをつくる性格上、略リング状に形成されるの
が通常である。そのようなリング状磁心が、例えば第２
図のように構成された薄膜磁気ヘッドの磁心１である場
合（コイルは図示を省略）は、矢印Ａで示した単一方向
の直流磁界によって磁気異方性を付与すれば、磁束の経
Ｉ￥８２のいずれの部分をみても磁心１は磁化困難軸方
向で動作することができ、好都合である。
ところが、例えば第３図に示したように、１つの薄膜形
成面内でループを描くように形成された磁心３の場合は
、その磁束の経路４のすべての位置で磁化困難軸方向の
動作を得るためには、磁化容易軸５を放射状に分布させ
る必要がある。しかしながら、従来の磁界印加手段によ
ってこのような磁気異方性を付与するのは容易ではない
。
成面内でループを描くように形成された磁心３の場合は
、その磁束の経路４のすべての位置で磁化困難軸方向の
動作を得るためには、磁化容易軸５を放射状に分布させ
る必要がある。しかしながら、従来の磁界印加手段によ
ってこのような磁気異方性を付与するのは容易ではない
。
発明が解決しようとする問題点
このように従来においては、第３図で示されるような、
あるいはもっと複雑な形状をした磁性薄膜の磁束経路の
すべての位置で磁化困難軸方向の動作を得、高周波にお
いて高い透磁率が得られるような磁気異方性を付与する
ことは困難であった。
あるいはもっと複雑な形状をした磁性薄膜の磁束経路の
すべての位置で磁化困難軸方向の動作を得、高周波にお
いて高い透磁率が得られるような磁気異方性を付与する
ことは困難であった。
本発明はこのような事情に孟みてなされたもので、任意
形状の磁性１ＪＩｉにおける所望の位置に、所望方向が
磁化容易軸となる磁気異方性を付与し得る磁界中熱処理
方法を提供することを目的とする。
形状の磁性１ＪＩｉにおける所望の位置に、所望方向が
磁化容易軸となる磁気異方性を付与し得る磁界中熱処理
方法を提供することを目的とする。
問題点を解決するための手段
本発明は、直流磁界中に、例えば磁心として使用する非
晶質合金からなる磁性薄膜を置き、その表面にレーザー
ビームを照射して、前記磁性薄膜を局部的に加熱するこ
とにより、前記レーザービーム照射部分にのみ、略前記
直流磁界方向が磁化容易軸となる磁気異方性を付与する
ものである。
晶質合金からなる磁性薄膜を置き、その表面にレーザー
ビームを照射して、前記磁性薄膜を局部的に加熱するこ
とにより、前記レーザービーム照射部分にのみ、略前記
直流磁界方向が磁化容易軸となる磁気異方性を付与する
ものである。
さらに、前記直流磁界の方向を変化させながら、前記レ
ーザービーム照射位置を前記磁性薄膜上で移動させるこ
とによって、磁性薄膜の異なる位置に所望方向の磁気異
方性を付与するものである。
ーザービーム照射位置を前記磁性薄膜上で移動させるこ
とによって、磁性薄膜の異なる位置に所望方向の磁気異
方性を付与するものである。
作用
磁性薄膜を直流磁界中に置き、磁性薄膜の表面に絞り込
んだレーザービームを照射すると、レーザービーム照射
部分のみが急速に加熱されるが、他の部分の温度は低い
ままである。このため磁性薄膜全体に磁界が印加されて
いる状態でレーザービーム照射部分のみが熱処理を受け
ることになり、磁界方向が磁化容易軸となる磁気異方性
が付与される。さらに、直流磁界の方向を変化させなが
らレーザービーム照射位置を移動させることによって、
磁性薄膜の任意の位置に任意の方向の磁気異方性を付与
することが可能となる。
んだレーザービームを照射すると、レーザービーム照射
部分のみが急速に加熱されるが、他の部分の温度は低い
ままである。このため磁性薄膜全体に磁界が印加されて
いる状態でレーザービーム照射部分のみが熱処理を受け
ることになり、磁界方向が磁化容易軸となる磁気異方性
が付与される。さらに、直流磁界の方向を変化させなが
らレーザービーム照射位置を移動させることによって、
磁性薄膜の任意の位置に任意の方向の磁気異方性を付与
することが可能となる。
従って本発明によれば任意の形状の薄膜磁心に任意の磁
化容易軸分布をもたせることができるので、磁束の経路
のすべての位置で困難軸方向の動作とすることができる
。
化容易軸分布をもたせることができるので、磁束の経路
のすべての位置で困難軸方向の動作とすることができる
。
実施例
以下、本発明の一実施例を第１図に基づいて説明する。
スパッタ法によって非晶質合金よりなる磁性薄膜を形成
し、フォトリソグラフィー技術を用いて第１図に示すよ
うなリング状の磁心６を形成する。
し、フォトリソグラフィー技術を用いて第１図に示すよ
うなリング状の磁心６を形成する。
その後矢印Ｘ方向の直流磁界を印加し、レーザービーム
を前記磁心６の表面に対して前記磁心６の幅方向略全体
に及ぶジグザグ状の経路８に沿うよう照射する。ここで
、照射位置の周方向の移動範囲は前記直流磁界の方向を
中心に略±１５°とする。
を前記磁心６の表面に対して前記磁心６の幅方向略全体
に及ぶジグザグ状の経路８に沿うよう照射する。ここで
、照射位置の周方向の移動範囲は前記直流磁界の方向を
中心に略±１５°とする。
次に、直流磁界の方向を矢印Ｘ方向から３０°回転した
矢印Ｙ方向に印加し、前述と同様にレーザービームを照
射して、その照射位置を経路１０に沿って移動させる。
矢印Ｙ方向に印加し、前述と同様にレーザービームを照
射して、その照射位置を経路１０に沿って移動させる。
以後、直流磁界の方向を３０°づつ回転させて同様のこ
とを繰返し行なうことによって、リング状の磁心６全体
に略放射状の磁化容易軸分布を持たせた磁気異方性を付
与することができる。
とを繰返し行なうことによって、リング状の磁心６全体
に略放射状の磁化容易軸分布を持たせた磁気異方性を付
与することができる。
このようにして磁束の経路１２のいずれの部分をとって
も略磁化困難軸方向の動作となり、高周波特性に優れた
磁心６が得られる。
も略磁化困難軸方向の動作となり、高周波特性に優れた
磁心６が得られる。
なお、本発明は、膜形成が終了した後の磁界中熱処理に
よって有効に磁気異方性を付与できる材料において特徴
がより発揮される。従って本発明の実施にあたっては、
パーマロイやセンダストのように成膜中に磁界を印加し
ないと磁気異方性を付与しにくい材料よりも、非晶質合
金のように成Ｍ後、磁界中熱処理により容易に磁気異方
性が付与できる材料を用いることが望ましい、また、磁
心６の形状がリング状に限らないことはもちろんである
。
よって有効に磁気異方性を付与できる材料において特徴
がより発揮される。従って本発明の実施にあたっては、
パーマロイやセンダストのように成膜中に磁界を印加し
ないと磁気異方性を付与しにくい材料よりも、非晶質合
金のように成Ｍ後、磁界中熱処理により容易に磁気異方
性が付与できる材料を用いることが望ましい、また、磁
心６の形状がリング状に限らないことはもちろんである
。
発明の効果
本発明によれば、リング状などの任意の形状の磁性薄膜
に対して、磁束の経路のいずれの部分においても磁化困
難軸方向の動作となるように磁気異方性を付与すること
が容易であり、この磁性薄膜を磁心として用いれば、高
周波特性に優れた磁気ヘッドやトランスを製作すること
ができる。
に対して、磁束の経路のいずれの部分においても磁化困
難軸方向の動作となるように磁気異方性を付与すること
が容易であり、この磁性薄膜を磁心として用いれば、高
周波特性に優れた磁気ヘッドやトランスを製作すること
ができる。
第１図は本発明の実施例を示す図、第２図、第３図は従
来の技術を説明する斜視図である。 ６・・・磁心 ８，１０・・・レーザービーム移動経路
１２・・・磁束の経路 ６−−− ’ルグ状訪１も Ｘ、Ｙ−−−１ＬｆＬＡｌ、Ｑ相 ８．１０−−ルージ′°ニヒコー／〈＃重力Ｉ平」闘ト
１２−／１５＆Ｊ−の張オ 第１図
来の技術を説明する斜視図である。 ６・・・磁心 ８，１０・・・レーザービーム移動経路
１２・・・磁束の経路 ６−−− ’ルグ状訪１も Ｘ、Ｙ−−−１ＬｆＬＡｌ、Ｑ相 ８．１０−−ルージ′°ニヒコー／〈＃重力Ｉ平」闘ト
１２−／１５＆Ｊ−の張オ 第１図
Claims (3)
- （１）直流磁界中に置かれた磁性薄膜の表面にレーザー
ビームを照射して、前記磁性薄膜を局部的に加熱するこ
とにより、前記磁性薄膜のレーザービーム照射部分にの
み、略前記直流磁界方向が磁化容易軸となる磁気異方性
を付与することを特徴とする磁界中熱処理方法。 - （２）前記磁性薄膜が非晶質合金であることを特徴とす
る特許請求の範囲第（１）項に記載の磁界中熱処理方法
。 - （３）前記直流磁界の方向を変化させながら、前記レー
ザービーム照射位置を前記磁性薄膜上で移動させること
により、磁性薄膜の異なる位置に所望方向の磁気異方性
を付与することを特徴とする特許請求の範囲第（１）項
または第（２）項に記載の磁界中熱処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26618587A JPH01109710A (ja) | 1987-10-23 | 1987-10-23 | 磁界中熱処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26618587A JPH01109710A (ja) | 1987-10-23 | 1987-10-23 | 磁界中熱処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01109710A true JPH01109710A (ja) | 1989-04-26 |
Family
ID=17427439
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26618587A Pending JPH01109710A (ja) | 1987-10-23 | 1987-10-23 | 磁界中熱処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01109710A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0406004A2 (en) * | 1989-06-30 | 1991-01-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of introducing magnetic anisotropy into magnetic material |
-
1987
- 1987-10-23 JP JP26618587A patent/JPH01109710A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0406004A2 (en) * | 1989-06-30 | 1991-01-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of introducing magnetic anisotropy into magnetic material |
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