JPS63188922A - 強磁性体金属薄膜の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の利用分鼾コ 本発明は強磁性体金属薄膜に関するものであり、特にス
パッタリング法による一軸磁気異方性を有する強磁性体
金属薄膜の製造方法に関するものである。

［従来の技術］ 例えば、記録【！１生用の電磁誂導型の薄膜磁気ヘッド
においては、再生時には記録媒体より濡れた磁束が、強
磁性体膜に入り、この磁束の変化によりフィルに誘起さ
れた再生電流が流れる。

さて、このとき強磁性体膜の磁化反転は、強磁性体膜の
初期磁化曲線に沿って起こるが、これは磁性薄膜の磁気
異方性と関係が深いことに起因している。

容易軸方向の磁化過程は、微少磁区の磁壁移動によるも
のであるため、初期磁化曲線における最大透磁率は大き
いものの、磁化反転速度が遅いために高周波磁場におけ
る透磁率はかえって小さくなる。

また、困難軸方向の磁化過程は、回転磁化によるもので
あるため、磁化反転速度は、容易軸に比べ、はるかに速
い。このため、初期磁化曲線における最大透磁率は、容
易軸に比べ小さいものの、高周波での透磁率の低下は小
さい。

一方、再生時の強磁性体膜に受木される特性は、磁化反
転速度が速く、透磁率が大きいことであるから、困難軸
のほうが有利である。

したかって、記録媒体から強磁性体膜に磁束の入る方向
を困難軸の方向にとる必要がある。

従来は、この方向を磁化困難軸とするため、スパッタ法
、蒸着法により作成された強磁性体膜をトランク幅方向
に磁界を印加しながら、アニールし、トラック幅方向を
、磁化容易軸とし、これと９０度をなす方向を磁化困難
軸になるようにしていた。

［発明が解決しようとする問題点コ ところが、この方法では、強磁性休校作成時における環
境の影響が、アニール後も残り、思った方向に異方性を
制御することが困難であるという問題があった。

［問題点を解決するための手段コ そこで、この問題に注目し、ＲＦマグネトロンスパンタ
リング装置によって、センダスト薄膜を形成する際に、
基板を円形のターゲットの中心より離して配置すること
により、センダスト膜の磁化容易軸方向がターゲットの
半径方向に一致して形成されることを見い出した。

［作用］ この異方性分布の原因については、またはっきりわかっ
ていないが、スパッタ原子の基板への斜め入射効果によ
って生じた傾いた柱状構造のような膜の特別な微細構造
にあるのではないかと推定している。実際、上記の方法
によって成膜されたセンダスト膜の柱状晶は、基板の法
線方向に対してターゲットの中心側に傾いて形成されて
いる。

（第２図参照） ［実施例コ 第１図に示したように、ターゲット２の中心点Ｏよりの
ばした法線が、基板ホルダー３と交わる点を０′とし、
基板１の中心をＰ、Ｑ、Ｒ，Ｓとする。このとき、Ｐ、
Ｑ、Ｒ，Ｓが、それぞれＯ′より離れて配置され、しか
もＯ’Ｐ、　Ｏ’Ｑ、　Ｏ’Ｒ，Ｏ’Ｓの方向が形成す
る磁気ヘッドのトラック幅方向と一致させて配置させる
。

次に下記のようなスパッタ条件にスパッタを行う。

次に形成する磁気ヘッドのトラック幅方向に磁場を印加
しながらか、或いは磁場を印加しないで、５００°Ｃ〜
７５０°Ｃの温度にてアニール処理をすれば、トラック
幅方向が容易軸、媒体走行方向が困難軸となるような強
磁性体金属薄膜であるセンダスト膜５が形成できる。

［発明の効果コ この発明を実施すれば、従来外部からトラック幅方向に
印加していた磁場を用いることなく、トラック幅方向に
容易軸をもった強磁性体金属薄膜を容易に成膜すること
ができ、成膜装置の構造も簡単で経済的になる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、この発明の一実施例を示すターゲットと基板
の平面固視配置図とその断面図、第２図は、従来よりの
ターゲットと基板を備えたＲ−Ｆスパッタリング装置の
断面図である。 １・・・・基板、　　　　　２・・・・ターゲット、３
・・・・基板ホールダ、４・・・・マグネット、５・・
・・センダスト膜。 特許出願人　　関西日本電気株式会社　　。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 　基板上にスパッタリング法により強磁性体金属薄膜を
   形成する際に、 上記基板をターゲットの中心より離して、かつ上記強磁
   性体金属薄膜の磁化容易方向を、スパッタターゲットの
   半径方向と一致させて配置させることを特徴とする強磁
   性体金属薄膜の製造方法。