JPH0235614A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は薄膜磁気ヘッドの新規な構成に関するものであ
り、更に詳しくは、非晶質磁性薄膜を用いた薄膜磁気ヘ
ッドの磁気異方性を適切に保つのが容易な構成に関する
ものである。

従来の技術 第２図は従来の薄膜磁気ヘッドの代表的な構成例を示す
ものであり、下部磁性体１、上部磁性体２、動作ギャッ
プ３、薄膜コイル４などで構成されている。この様な薄
膜磁気ヘッドの構成自体はすでに良く知られたものであ
るので詳しい説明は省略する。

同図（ｂ）断面図に現れた１、２．３で示される部分が
信号磁束の流れるリング状磁路である。

通常はこの磁路に沿っての高周波透磁率が大きくなる様
に、１および２の磁性層には上記磁路方向に直交する方
向５に磁化容易軸を持つ磁気異方性（以下適宜異方性と
略記）が与えられる。

既に知られたように、非晶質磁性膜は磁界中の熱処理に
よって誘導磁気異方性与えるのが容易であるから、薄膜
ヘッド磁路として用いる用途には向いている。しかし反
面、非晶質磁性膜は結晶化温度が低いのでその後の比較
的低湿の熱履歴で異方性がとれてしまう問題がある。

例えば第２図の例では、各薄膜層を下から順次形成して
いって、２の上部磁性体を形成し、そのための磁界中熱
処理を行う時、その熱処理は下部磁性層１のすでに付与
された磁気異方性を乱す様に働く。さらに、その他のヘ
ッド作成上の熱処理工程があれば、それも又すでに付与
された磁気異方性を乱す様に働く。例えば４のコイル層
を蒸着するとき基板温度を上げる必要があれば、それは
磁性ｗＪ１のすでに付与された磁気異方性を乱す様に動
く。

ところで一般に非晶質磁性体では飽和磁束密度を大きく
するほど結晶化温度は低下するから、高密度記録のため
に飽和磁束密度の大きい磁性体が要望されるほど、上記
の開開は大きくなるものである。

発明が解決しようとする課題 この様に、非晶質磁性膜を用いた薄膜ヘッドでは、磁性
膜に付与された磁気異方性が種々の熱処理によって乱さ
れる問題点がある。

課題を問題を解決するための手段 本発明においては、ヘッド磁路を構成する磁性層の少な
くとも一部に面接触するべ（配された異方性保持層を設
け、この異方性保持層をヘッド磁路を構成する磁性層の
結晶化温度より高い結晶化温度を有する非晶質磁性層に
よって形成し、かつ上記異方性保持層にはヘッド磁路の
磁性層の持つべき異方性の方向と同じ方向の異方性をも
たせる。

作用 異方性保持層の存在は基本的にヘッド磁路の磁性層の異
方性の方向を保持するように働く。ヘッド磁路の磁性層
の異方性が乱されることがあっても、異方性保持層の異
方性が保持されていれば、これはヘッド磁路の磁性層の
異方性の方向を保持するように働く。

ここで異方性保持層はヘッド磁路の磁性層より高い結晶
化温度を持つから、より高い温度における磁界中熱処理
が出来るので、ヘッド磁路の磁性層に付与される異方性
の耐熱性より高い耐熱ｆ１を持たせることができる。従
って、ヘッド磁路の磁性層が乱される様なｆＡ度下にあ
っても、異方性保持層の異方性は乱され難い。

この様にして、ヘッド磁路の磁性層の異方性は適正に保
持される。

実施例 以下実施例の図面に従って、本発明の更に詳しい説明を
行う。

第１図は本発明の第１の実施例である。本実施例のｙ！
ｌ膜磁気ヘッドとしての基本的な構成要素は、下部磁性
層１、上部磁性層２、動作ギャップ３、薄膜コイル４、
基板６などであり、第１の非晶質磁性層よりなる上記上
下各磁性層にはトラック幅方向５の異方性が与えられる
。

７は下部磁性層１の下面の少な（とも一部に隣接面接触
するよう配された第２の非晶質磁性層よりなる異方性保
持層であり、この層にもトラック幅方向５の異方性が与
えられている。そしてこの異方性保持層の存在によって
下部磁性層１のトラック幅方向５の異方性が保たれ易く
なる。望ましくほこの異方性保持層のパターン形状はト
ラック幅方向に異方性を付は易い形状、すなわちトラッ
ク幅方向に長い形状とする。

第２の非晶質磁性層の結晶化温度は第１の非晶質磁性層
のそれより高いものが用いられている。

そして異方性保持層の磁界中熱処理は上下各磁性層２．
１のための磁界中熱処理温度より高い温度で、下部磁性
層１を形成する前に実施されている。従って異方性保持
層の異方性の耐熱性は上下各磁性層のそれより大きくな
っている。

ここで、一般に非晶質磁性層の磁界中熱処理においては
、より高温での熱処理を行った方がより耐熱性の大きな
異方性を与えることができることが知られている。すな
わち、より高温で付与された異方性のメモリはその後の
熱ＰＩ歴でより消され難い。しかし、当然、その熱処理
温度は材料の結晶化温度を越えることは出来ない。した
がって結晶化温度の高い非晶質磁性層はど耐熱性の大き
な異方性を与えることができる。

この様にして本発明においては、上部磁性層２のだめの
熱処理その他による熱履歴が下部磁性層ｌの異方性を乱
す程度のものであっても、異方性保持層７の異方性は乱
されない。そしてこの様なＵ方性保持層の存在によって
下部磁性層１の異方性は保たれることになる。

なお一般に非晶質磁性体では結晶化温度を高（するほど
飽を口磁束密度は低下するから、本発明では、異方性保
持層の飽和磁束密度は上下磁性層部分の飽和磁束密度よ
り低くなる。しかしながら本発明の構成では異方性保持
層は主要なヘッド信号磁束径路には含まれないので特に
大きな問題は生じない。

第３図は本発明の第２の実施例を示すものである。これ
は本発明を垂直記録用単磁極ヘッドに応用したものであ
る。、国中８は垂直記録用主磁極、９はリターンヨーク
、４−はコイル、６は基板であり、７が異方性保持層で
ある。

第１の実施例と同様に、主磁極およびリターンヨークは
第１の非晶質磁性層から、また異方性保持層は第２の非
晶質磁性層からなっており、これらはすべてトラック幅
方向の磁気異方性が付けられている。異方性保持層の磁
界中熱処理は主磁極、および、リターンヨークのための
磁界中熱処理温度より高い温度で、主磁極８を形成する
前に実施されている。このような構成によって、異方ｉ
生保持層の異方性はそれより上部の各薄膜層のプロセス
に含まれる熱履歴によって乱されることがな（、またこ
の異方性保持層の存在によって主磁極の異方性は正しく
保たれることになる。

発明の効果 本発明によれば、非晶質磁性薄膜を用いた薄膜磁気ヘッ
ドの磁気異方性を適切に保つのが容易であり、高性能な
薄膜磁気ヘッドを得ることが出来る。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）および（ｂ）は、各々本発明の第１の実施
例を示す平面図と断面図、第３図は、本発明の第２の実
施例を示す断面図、第２図（ａ）および（ｂ）は、各々
従来技術を示す平面図と断面図である。 ■・・・・下部磁性層、２・・・・上部磁性層、３・・
・・ギャップ、４・・・・コイル、５・・・・トラ・ン
ク幅方向、６・・・・非磁性基板、７・・・・異方性保
持層。 代理人の氏名　弁理士　栗野重孝　はか１２纂 ■ 図 −コイル 一トラ・ツク申方向 一井息性幕板 異方性保持層 ＣＱ） 第 図 ＜ａ〕 （−ｆ＞） ８−８’　１ｍ面 コイ ル 第 図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 磁界中熱処理によってトラック幅方向に実質的に一軸の
   磁気異方性を持たせた第１の非晶質磁性薄膜によって主
   要なヘッド磁路を構成した薄膜磁気ヘッドであって、前
   記ヘッド磁路の少なくとも一部には第２の非晶質磁性薄
   膜よりなる異方性保持層が隣接面接触しており、前記第
   ２の非晶質磁性膜の結晶化温度は前記第１の非晶質磁性
   膜の結晶化温度より高く、前記異方性保持層は、前記第
   １の非晶質磁性薄膜の磁界中熱処理の温度より高い温度
   での磁界中熱処理によって前記トラック幅方向に実質的
   に一軸の磁気異方性が付与されていることを特徴とする
   薄膜磁気ヘッド。