JPH01108121A - 超電導体の製造方法 - Google Patents
超電導体の製造方法Info
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- JPH01108121A JPH01108121A JP62265677A JP26567787A JPH01108121A JP H01108121 A JPH01108121 A JP H01108121A JP 62265677 A JP62265677 A JP 62265677A JP 26567787 A JP26567787 A JP 26567787A JP H01108121 A JPH01108121 A JP H01108121A
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Classifications
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
皮呈上曳肌凰光互。
本発明は、超電導体の製造方法に関し、詳しくは、アル
カリ土類元素、イツトリウム及び/又はランタニド元素
、及び銅の酸化物からなる超電導体を低温での焼成によ
って製造する方法に関する。
カリ土類元素、イツトリウム及び/又はランタニド元素
、及び銅の酸化物からなる超電導体を低温での焼成によ
って製造する方法に関する。
災来夏肢■
従来、超電導体の製造原料である粉末、例えば、Y+B
azCusOt−J等を製造する方法として、酸化イツ
トリウム、炭酸バリウム、酸化銅等の粉末をボールミル
で混合した後、通常、900℃を越える高温で焼成する
固相反応法が知られている。このほか、所要の金属のそ
れぞれのアルコキシドのアルコール溶液を調製し、これ
らの所定量を混合した後、加水分解して、それぞれの金
属の水酸化物を沈殿として得、これを超電導体製造の原
料粉末とするアルコキシド法も知られている。
azCusOt−J等を製造する方法として、酸化イツ
トリウム、炭酸バリウム、酸化銅等の粉末をボールミル
で混合した後、通常、900℃を越える高温で焼成する
固相反応法が知られている。このほか、所要の金属のそ
れぞれのアルコキシドのアルコール溶液を調製し、これ
らの所定量を混合した後、加水分解して、それぞれの金
属の水酸化物を沈殿として得、これを超電導体製造の原
料粉末とするアルコキシド法も知られている。
が”しようとする、 壱
しかし、上記固相反応法によれば、高温度での焼成を行
なうために、得られた焼成物を粉砕することが容易でな
いの・:みならず、得られた原料粉末が組成において不
均一である。更に、このようにして得られた原料粉末を
用いて、特性にすぐれる超電導体を製造するには、原料
粉末の製造において採用した高温の焼成温度付近で焼成
を行なうことが必要であるので、多大の熱エネルギー費
用を必要とする。
なうために、得られた焼成物を粉砕することが容易でな
いの・:みならず、得られた原料粉末が組成において不
均一である。更に、このようにして得られた原料粉末を
用いて、特性にすぐれる超電導体を製造するには、原料
粉末の製造において採用した高温の焼成温度付近で焼成
を行なうことが必要であるので、多大の熱エネルギー費
用を必要とする。
他方、前記アルコキシド法によれば、均一な組成を有す
る微粒子として原料粉末を得ることができ、従って、こ
れを低温で焼成することによって、超電導体を得ること
ができるものの、粉末の焼結による寸法収縮が大きいた
めに、製品としての超電導体が寸法安定性に欠ける。更
に、製造コストも高い。
る微粒子として原料粉末を得ることができ、従って、こ
れを低温で焼成することによって、超電導体を得ること
ができるものの、粉末の焼結による寸法収縮が大きいた
めに、製品としての超電導体が寸法安定性に欠ける。更
に、製造コストも高い。
本発明者らは、複数種類の成分を含む原料粉末の製造に
ついて広範な研究を重ねた結果、従来の方法においては
、複数種類の成分を含む原料粉末を同時に高温処理する
点に前述したような問題が発生する原因があることを見
出した。
ついて広範な研究を重ねた結果、従来の方法においては
、複数種類の成分を含む原料粉末を同時に高温処理する
点に前述したような問題が発生する原因があることを見
出した。
そこで、本発明者らはかかる問題を解決するために鋭意
研究した結果、アルカリ土類元素とイツトリウム及び/
又はランタニド元素の酸化物又は炭酸塩を予め分散媒中
に分散させた後、シュウ鍍銅をこの分散媒中でその場で
生成させ、このようにして得られる固形分若しくは共沈
殿を分散媒から分離し、これを焼成することによって、
均一な組成を存する原料粉末を得ることができ、しかも
、これを900℃以下の低温で焼成することによって、
特性がすぐれ、且つ、安定な超電導体を製造し得ること
を見出して、本発明に至ったものである。
研究した結果、アルカリ土類元素とイツトリウム及び/
又はランタニド元素の酸化物又は炭酸塩を予め分散媒中
に分散させた後、シュウ鍍銅をこの分散媒中でその場で
生成させ、このようにして得られる固形分若しくは共沈
殿を分散媒から分離し、これを焼成することによって、
均一な組成を存する原料粉末を得ることができ、しかも
、これを900℃以下の低温で焼成することによって、
特性がすぐれ、且つ、安定な超電導体を製造し得ること
を見出して、本発明に至ったものである。
従って、本発明は、アルカリ土類元素、イツトリウム及
び/又はランタニド元素、及び銅の酸化物からなる均一
な組成を有する特性にすぐれる超電導体を低温での焼成
によって容易に製造する方法を提供することを目的とす
る。
び/又はランタニド元素、及び銅の酸化物からなる均一
な組成を有する特性にすぐれる超電導体を低温での焼成
によって容易に製造する方法を提供することを目的とす
る。
−占を”ンするための
本発明は、アルカリ土類元素、イツトリウム及び/又は
ランタニド元素、及び銅の酸化物からなる超電導体を製
造する方法において、アルカリ土類元素とイツトリウム
及び/又はランタニド元素の酸化物又は炭酸塩を有機溶
剤からなる分散媒中に分散させた後、シュウ鍍銅を上記
分散媒中で生成させ、次いで、固形分若しくは共沈殿を
分散媒より分離し、これを焼成することを特徴とする。
ランタニド元素、及び銅の酸化物からなる超電導体を製
造する方法において、アルカリ土類元素とイツトリウム
及び/又はランタニド元素の酸化物又は炭酸塩を有機溶
剤からなる分散媒中に分散させた後、シュウ鍍銅を上記
分散媒中で生成させ、次いで、固形分若しくは共沈殿を
分散媒より分離し、これを焼成することを特徴とする。
本発明においては、アルカリ土類元素とイツトリウム及
び/又はランタニド元素の酸化物又は炭酸塩の粉末を含
む有機溶剤からなる分散媒中でその場でシュウ鍍銅を生
成させるには、予め、上記酸化物又は炭酸塩の粉末を所
定のモル比にて分散媒中に分散させてスラリーとし、こ
のスラリーに、用いる銅に対して当量以上のシュウ酸を
加え、更に、これに所定量の銅塩を加えて、分散媒中で
シュウ酸と銅塩とを反応させればよい。
び/又はランタニド元素の酸化物又は炭酸塩の粉末を含
む有機溶剤からなる分散媒中でその場でシュウ鍍銅を生
成させるには、予め、上記酸化物又は炭酸塩の粉末を所
定のモル比にて分散媒中に分散させてスラリーとし、こ
のスラリーに、用いる銅に対して当量以上のシュウ酸を
加え、更に、これに所定量の銅塩を加えて、分散媒中で
シュウ酸と銅塩とを反応させればよい。
また、別の方法として、アルカリ土類元素とイツトリウ
ム及び/又はランタニド元素の酸化物又は炭酸塩の粉末
とシュウ酸とを所定のモル比にて分散媒に加えてスラリ
ーとし、このスラリーに所定量の銅塩を加えて、分散媒
中でシュウ酸と銅塩とを反応させてもよい。
ム及び/又はランタニド元素の酸化物又は炭酸塩の粉末
とシュウ酸とを所定のモル比にて分散媒に加えてスラリ
ーとし、このスラリーに所定量の銅塩を加えて、分散媒
中でシュウ酸と銅塩とを反応させてもよい。
銅塩としては、通常、硝酸銅が好ましく用いられる。硝
酸銅は、シュウ鍍銅が生成される分散媒と同じ有機溶剤
に溶解させ、溶液として、分散媒に加えられる。
酸銅は、シュウ鍍銅が生成される分散媒と同じ有機溶剤
に溶解させ、溶液として、分散媒に加えられる。
本発明の方法においては、前記分散媒としてはアルカリ
土類元素とイツトリウム及び/又はランタニド元素の酸
化物又は炭酸塩を溶解させないが、シュウ酸を溶解させ
、更に、シュウ#1銅を溶解させず、且つ、分解させな
い有機溶剤であれば、特に限定されるものではないが、
通常、メタノール、エタノール、プロパツール等のアル
コール類、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン類
、カルピトールアセテート等のエステル類が好ましく用
いられる。しかし、分散媒は、上記例示した有機溶剤に
何ら限定されるものではない。
土類元素とイツトリウム及び/又はランタニド元素の酸
化物又は炭酸塩を溶解させないが、シュウ酸を溶解させ
、更に、シュウ#1銅を溶解させず、且つ、分解させな
い有機溶剤であれば、特に限定されるものではないが、
通常、メタノール、エタノール、プロパツール等のアル
コール類、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン類
、カルピトールアセテート等のエステル類が好ましく用
いられる。しかし、分散媒は、上記例示した有機溶剤に
何ら限定されるものではない。
本発明の方法においては、アルカリ土類元素としては、
例えば、バリウムやストロンチウムが好ましく用いられ
、また、ランタニド元素としては、特に、限定されるも
のではないが、例えば、ユーロピウムやセリウムが好ま
しく用いられる。
例えば、バリウムやストロンチウムが好ましく用いられ
、また、ランタニド元素としては、特に、限定されるも
のではないが、例えば、ユーロピウムやセリウムが好ま
しく用いられる。
尚、本発明の方法においては、超電4性に有害な影響を
与えない限りは、原料粉末は、前記した以外の成分を含
んでいてもよい。更に、アルカリ土類元素や、イツトリ
ウム及び/又はランクニド元素の一部をシュウ酸塩の形
態で用い、他方、銅の一部をシュウ酸以外の形態、例え
ば、酸化銅として用いることもできる。
与えない限りは、原料粉末は、前記した以外の成分を含
んでいてもよい。更に、アルカリ土類元素や、イツトリ
ウム及び/又はランクニド元素の一部をシュウ酸塩の形
態で用い、他方、銅の一部をシュウ酸以外の形態、例え
ば、酸化銅として用いることもできる。
第1図に、原料粉末の製造までの本発明の方法の代表的
な一例のフロー・シートを示す。
な一例のフロー・シートを示す。
このようにして、分散媒中で形成されたシュウ鍍銅は、
アルカリ土類元素とイツトリウム及び/又はランタニド
元素の酸化物又は炭酸塩の粒子に対して、その表面に付
着し、或いは微粉末状態で共存するので、これらを固形
分若しくは共沈殿として分散媒から分離する。
アルカリ土類元素とイツトリウム及び/又はランタニド
元素の酸化物又は炭酸塩の粒子に対して、その表面に付
着し、或いは微粉末状態で共存するので、これらを固形
分若しくは共沈殿として分散媒から分離する。
本発明によれば、このような固形分若しくは共沈殿は、
これを分散媒から分離し、乾燥した後、好ましくは更に
800℃以下の温度で焼成し、微粉砕することによって
、ペロブスカイト構造を有すると共に、均一な化学組成
を有し、更に、900℃以下の温度にて超電導体に焼結
し得る原料粉末を得ることができる。しかしながら、本
発明によれば、前記固形分若しくは共沈殿を分散媒から
分離し、乾燥して得られる混合粉末も、超電導体製造の
原料とすることができる。即ち、これを直ちに成形し、
焼成することによっても、超電導体を製造することがで
きる。
これを分散媒から分離し、乾燥した後、好ましくは更に
800℃以下の温度で焼成し、微粉砕することによって
、ペロブスカイト構造を有すると共に、均一な化学組成
を有し、更に、900℃以下の温度にて超電導体に焼結
し得る原料粉末を得ることができる。しかしながら、本
発明によれば、前記固形分若しくは共沈殿を分散媒から
分離し、乾燥して得られる混合粉末も、超電導体製造の
原料とすることができる。即ち、これを直ちに成形し、
焼成することによっても、超電導体を製造することがで
きる。
以上のようにして得られる原料粉末は、均一な成分組成
を有するのみならず、後述するように低温で、しかも、
短時間、焼成することによって、特性にすぐれる超電導
体を与える。更に、かかる原料粉末を用いるときは、超
電導体への焼成を行なう雰囲気も、低酸素分圧の雰囲気
、代表的には空気でよい。しかし、酸素雰囲気中で焼成
することは、何ら差支えない。
を有するのみならず、後述するように低温で、しかも、
短時間、焼成することによって、特性にすぐれる超電導
体を与える。更に、かかる原料粉末を用いるときは、超
電導体への焼成を行なう雰囲気も、低酸素分圧の雰囲気
、代表的には空気でよい。しかし、酸素雰囲気中で焼成
することは、何ら差支えない。
本発明の方法において、原料粉末の焼結超電導体への焼
成温度は、通常、720〜850℃の範囲であり、好ま
しくは、750〜850℃の範囲である。また、焼成時
間は、15分間以上、好ましくは30分以上である。焼
成時間はどのように長くとも、得られる超電導体の特性
には有害な影響は与えないが、15時間を越えても、特
に利益がなく、むしろ熱エネルギー経済的に不利である
ので、通常、15時間以内で十分である。
成温度は、通常、720〜850℃の範囲であり、好ま
しくは、750〜850℃の範囲である。また、焼成時
間は、15分間以上、好ましくは30分以上である。焼
成時間はどのように長くとも、得られる超電導体の特性
には有害な影響は与えないが、15時間を越えても、特
に利益がなく、むしろ熱エネルギー経済的に不利である
ので、通常、15時間以内で十分である。
m1果
以上のように、本発明の方法によれば、アルカリ土類元
素とイツトリウム及び/又はランタニド元素の酸化物又
は炭酸塩を予め分散媒中に分散させた後、シュウ鍍銅を
分散媒中で生成させるので、このシュウ鍍銅は、上記酸
化物又は炭酸塩の粒子に対して、その表面に付着し、或
いは微粉末状態で共存する。
素とイツトリウム及び/又はランタニド元素の酸化物又
は炭酸塩を予め分散媒中に分散させた後、シュウ鍍銅を
分散媒中で生成させるので、このシュウ鍍銅は、上記酸
化物又は炭酸塩の粒子に対して、その表面に付着し、或
いは微粉末状態で共存する。
本発明によれば、このような固形分若しくは共沈殿を分
散媒から分離し、乾燥し、好ましくは、この後に更に焼
成し、微粉砕して、原料粉末とし、これを超電導体製造
の原料粉末として用いることによって、従来の方法に比
べて、50〜100℃も低い焼成温度での焼成によって
容易に特性が安定な超電導体を得ることができ、更に、
焼成雰囲気及び温度についても、厳密な管理制御を必要
とせず、低酸素分圧雰囲気下で、100℃以上もの広い
温度範囲を採用することができる。かくして、本発明の
方法によれば、従来の方法にくらべて、大幅に製造費用
を低減しながら、特性にすぐれる超電導体を製造するこ
とができる。
散媒から分離し、乾燥し、好ましくは、この後に更に焼
成し、微粉砕して、原料粉末とし、これを超電導体製造
の原料粉末として用いることによって、従来の方法に比
べて、50〜100℃も低い焼成温度での焼成によって
容易に特性が安定な超電導体を得ることができ、更に、
焼成雰囲気及び温度についても、厳密な管理制御を必要
とせず、低酸素分圧雰囲気下で、100℃以上もの広い
温度範囲を採用することができる。かくして、本発明の
方法によれば、従来の方法にくらべて、大幅に製造費用
を低減しながら、特性にすぐれる超電導体を製造するこ
とができる。
2隻皿
以下に実施例を挙げて本発明を説明すりが、本発明□は
これら実施例により何ら限定されるものではない。
これら実施例により何ら限定されるものではない。
実施例1
平均粒径1.08m1純度99.5%の炭酸バリウムと
平均粒径1.28m1純度99.9%の酸化イツ
゛トリウムとをBa/Yモル比が271となるように秤
量混合し、ボールミルにて10時時間式混合した後、乾
燥して、混合粉末を得た。
平均粒径1.28m1純度99.9%の酸化イツ
゛トリウムとをBa/Yモル比が271となるように秤
量混合し、ボールミルにて10時時間式混合した後、乾
燥して、混合粉末を得た。
次いで、上記混合粉末にBa/Y/シュウ酸モル比が2
/1/3となるようにシュウ酸を加え、スリーワンモー
ターにて攪拌混合して、スラリーを調製した。
/1/3となるようにシュウ酸を加え、スリーワンモー
ターにて攪拌混合して、スラリーを調製した。
別”に、純度99.3%の硝酸銅1モルをエタノール1
000IIllに加え、溶液とした。
000IIllに加え、溶液とした。
前記スラリーにBa/Y/シュウ酸/ Cuモル比が2
/1/3/3となるように、上記硝酸銅のエタノール溶
液を毎分150m1の割合にて滴下して、沈殿を生成さ
せた。
/1/3/3となるように、上記硝酸銅のエタノール溶
液を毎分150m1の割合にて滴下して、沈殿を生成さ
せた。
沈殿を熟成するために約12時間、放置した後、過剰の
エタノールにて固形分を洗浄し、次いで、ジルコニア・
ボールを用いて、3時間粉砕混合して、平均粒径1.0
μmのバリウム、イツトリウム及びシュウ鍍銅を含む混
合粉末を得た。この混合粉末にアクリル樹脂系バインダ
ーを3重量%加え、混合した後、乾燥し、顆粒に造粒し
た。
エタノールにて固形分を洗浄し、次いで、ジルコニア・
ボールを用いて、3時間粉砕混合して、平均粒径1.0
μmのバリウム、イツトリウム及びシュウ鍍銅を含む混
合粉末を得た。この混合粉末にアクリル樹脂系バインダ
ーを3重量%加え、混合した後、乾燥し、顆粒に造粒し
た。
次いで、上記顆粒を室温にて圧力1000kg/crl
にて直径10n、厚み1.51mの円板に成形し、これ
を100℃/時の速度で加熱し、720〜850℃の範
囲の所定の温度で15分間から15時間の範囲の種々の
時間、焼成した後、100℃/時の速度で冷却して、円
板状の超電導体磁器を得た。但し、超電導体の原料粉末
の特性は、前記反応後の固形分を分散媒から分離し、乾
燥した後、う00〜900℃の温度で15分間から15
時間の範囲で焼成し、X線回折によって評価した。また
、超電導体としての特性は、得られた超電導体の室温か
ら液体窒素温度までの抵抗率の温度変化を四端子法にて
測定して、評価した。
にて直径10n、厚み1.51mの円板に成形し、これ
を100℃/時の速度で加熱し、720〜850℃の範
囲の所定の温度で15分間から15時間の範囲の種々の
時間、焼成した後、100℃/時の速度で冷却して、円
板状の超電導体磁器を得た。但し、超電導体の原料粉末
の特性は、前記反応後の固形分を分散媒から分離し、乾
燥した後、う00〜900℃の温度で15分間から15
時間の範囲で焼成し、X線回折によって評価した。また
、超電導体としての特性は、得られた超電導体の室温か
ら液体窒素温度までの抵抗率の温度変化を四端子法にて
測定して、評価した。
第2図及び第3図に、それぞれ前記のようにして得られ
た原料粉末の焼成温度及び焼成時間による構造変化の典
型例を示す。
た原料粉末の焼成温度及び焼成時間による構造変化の典
型例を示す。
図示しないが、BazY+Ot4なる組成をもつ結晶構
造の単一相は、750℃以上での3時間の焼成によって
得ることができる。また、表面の電子顕微鏡写真による
観察及びEDX (エネルギー分散型X線マイクロ分析
)によれば、得られた超電導体は、緻密な組織を有する
と共に、バリウム、イツトリウム及び銅の比率は、組織
中にわたって一定であることが確認された。
造の単一相は、750℃以上での3時間の焼成によって
得ることができる。また、表面の電子顕微鏡写真による
観察及びEDX (エネルギー分散型X線マイクロ分析
)によれば、得られた超電導体は、緻密な組織を有する
と共に、バリウム、イツトリウム及び銅の比率は、組織
中にわたって一定であることが確認された。
第4図及び第5図は、超電導体における電気抵抗率ρの
温度(絶対温度T(”K))特性を示す。
温度(絶対温度T(”K))特性を示す。
超電導体への焼成を810℃で3時間行なった場合、第
5図に示すように、抵抗率が零になる遷移温度は88に
であり、他方、焼成を780℃で3時間行なったときは
、第4図に示すように、遷移温度は104にである。
5図に示すように、抵抗率が零になる遷移温度は88に
であり、他方、焼成を780℃で3時間行なったときは
、第4図に示すように、遷移温度は104にである。
従来、バリウム、イツトリウム及び銅をそれぞれ含む原
料粉末から製造された超電導体は、その特性の経時変化
が大きいとされているが、本発明による超電導体は、空
気中、室温で湿度60%の雰囲気中に90日間放置して
も、超電導体状態となる遷移温度は、焼成温度810℃
の場合は変化がなく、780℃の場合は104Kから9
5Kに変化したのみであって、超電導体特性が極めて安
定であることが理解される。このように、本発明による
超電導体がその特性における安定であるのは、組織が均
一であって、経時変化が少ないためである。
料粉末から製造された超電導体は、その特性の経時変化
が大きいとされているが、本発明による超電導体は、空
気中、室温で湿度60%の雰囲気中に90日間放置して
も、超電導体状態となる遷移温度は、焼成温度810℃
の場合は変化がなく、780℃の場合は104Kから9
5Kに変化したのみであって、超電導体特性が極めて安
定であることが理解される。このように、本発明による
超電導体がその特性における安定であるのは、組織が均
一であって、経時変化が少ないためである。
第6図は、本発明による前記原料粉末の焼成温度と得ら
れた超電導体の密度との関係を示し、第7図は、焼成温
度と得られた超電導体における遷移温度との関係を示す
。また、第8図は、本発明に従って分散媒としてエタノ
ールを用いて得た原料粉末を830℃で6時間焼成した
ときのX線回折図(A)と、比較のために、分散媒とし
て水を用いて得られた原料粉末を830℃で6時間焼成
して得た焼成物のX線回折図(B)を示す。
れた超電導体の密度との関係を示し、第7図は、焼成温
度と得られた超電導体における遷移温度との関係を示す
。また、第8図は、本発明に従って分散媒としてエタノ
ールを用いて得た原料粉末を830℃で6時間焼成した
ときのX線回折図(A)と、比較のために、分散媒とし
て水を用いて得られた原料粉末を830℃で6時間焼成
して得た焼成物のX線回折図(B)を示す。
第8図に示すように、水を媒体としたときは、次式に示
すように、 Cu(NOs)z・3H20+ HtCtOa#CuC
zOa + HNO3硝酸銅とシュウ酸とが反応して、
硝酸を生成し、この酸性下にシュウ鍍銅が分解し、その
結果、原料粉末がその組成においてずれを生じたために
、組成がずれるために、単一相を得る。ことができない
。
すように、 Cu(NOs)z・3H20+ HtCtOa#CuC
zOa + HNO3硝酸銅とシュウ酸とが反応して、
硝酸を生成し、この酸性下にシュウ鍍銅が分解し、その
結果、原料粉末がその組成においてずれを生じたために
、組成がずれるために、単一相を得る。ことができない
。
比較例1
平均粒径1.0μm、純度99.5%の炭酸バリウム、
平均粒径1.28m1純度99.9%の酸化イツトリウ
ム、及び平均粒径0.6μmの酸化銅をBa/ Y /
Cuモル比が2/1/3となるように秤量混合し、ボ
ールミルにて10時時間式混合した後、乾燥して、平均
粒径0.9μmの混合粉末を得た。
平均粒径1.28m1純度99.9%の酸化イツトリウ
ム、及び平均粒径0.6μmの酸化銅をBa/ Y /
Cuモル比が2/1/3となるように秤量混合し、ボ
ールミルにて10時時間式混合した後、乾燥して、平均
粒径0.9μmの混合粉末を得た。
この混合粉末にアクリル樹脂系バインダーを3重量%加
え、混合した後、乾燥し、顆粒に造粒した。
え、混合した後、乾燥し、顆粒に造粒した。
次いで、上記顆粒を室温にて圧力1000kg/dにて
直径10鰭、厚み1.5mmの円板に成形し、これを9
10℃まで100℃/時の速度で加熱し、910℃で1
3時間、空気中で焼成した後、100℃/時の速度で冷
却して、セラミックス体を得た。
直径10鰭、厚み1.5mmの円板に成形し、これを9
10℃まで100℃/時の速度で加熱し、910℃で1
3時間、空気中で焼成した後、100℃/時の速度で冷
却して、セラミックス体を得た。
第9図において、(A)は、このセラミックス体のX線
回折図を示し、図中、破線(a)にて示すように、空気
中で焼成したセラミックス体は2θが30近傍にBa0
Y、が共存することを示している。
回折図を示し、図中、破線(a)にて示すように、空気
中で焼成したセラミックス体は2θが30近傍にBa0
Y、が共存することを示している。
一方、酸素中で焼成したセラミックス体は、第9図にお
いて、(A)に実線山)にて示すように、Ba1Y+C
uzOy−5の単相を得ることができた。
いて、(A)に実線山)にて示すように、Ba1Y+C
uzOy−5の単相を得ることができた。
尚、第9図(B)は、本発明による原料粉末を空気中、
810℃で13時間焼成して得られた超電導体のXvA
回折図を示し、Ba1Y+CuzOy弓の単相を有する
ことが示される。
810℃で13時間焼成して得られた超電導体のXvA
回折図を示し、Ba1Y+CuzOy弓の単相を有する
ことが示される。
第1図は、本発明の方法の代表的な一例を示すフロー・
シート、第2図は、本発明の方法において、焼成温度に
よる原料粉末の構造変化の典型例を示すX線回折図、第
3図は、本発明の方法において、焼成時間による原料粉
末の構造変化の典型例を示すXvA回折図、第4図及び
第5図は、本発明の方法によって得られた超電導体の電
気抵抗率の温度特性の一例を示すグラフ、第6図は、本
発明の方法によって得られた超電導体における焼成温度
と密度との関係を示すグラフ、第7図は、本発明の方法
によって超電導体を製造した場合の焼成温度と遷移温度
との関係を示すグラフ、第8図は、分散媒としてエタノ
ール(A)及び水(B)をそれぞれ用いて得られた原料
粉末を焼成したときのX線回折図、第9図は、比較例と
して得られた超電導体のX線回折図(A)と本発明の方
法によって得られた超電導体のXvA回折図(B)を示
す。 特許出願人 三菱鉱業セメント株式会社図面の浄書(内
容に変更なし) 第1図 性成(Too −750”e ) 説婿(yzo’(、) 第2図 第3図 第8図 e 空度(g7cm3) 手続補正書(自発) 昭和63年 1月18日
シート、第2図は、本発明の方法において、焼成温度に
よる原料粉末の構造変化の典型例を示すX線回折図、第
3図は、本発明の方法において、焼成時間による原料粉
末の構造変化の典型例を示すXvA回折図、第4図及び
第5図は、本発明の方法によって得られた超電導体の電
気抵抗率の温度特性の一例を示すグラフ、第6図は、本
発明の方法によって得られた超電導体における焼成温度
と密度との関係を示すグラフ、第7図は、本発明の方法
によって超電導体を製造した場合の焼成温度と遷移温度
との関係を示すグラフ、第8図は、分散媒としてエタノ
ール(A)及び水(B)をそれぞれ用いて得られた原料
粉末を焼成したときのX線回折図、第9図は、比較例と
して得られた超電導体のX線回折図(A)と本発明の方
法によって得られた超電導体のXvA回折図(B)を示
す。 特許出願人 三菱鉱業セメント株式会社図面の浄書(内
容に変更なし) 第1図 性成(Too −750”e ) 説婿(yzo’(、) 第2図 第3図 第8図 e 空度(g7cm3) 手続補正書(自発) 昭和63年 1月18日
Claims (2)
- (1)アルカリ土類元素、イットリウム及び/又はラン
タニド元素、及び銅の酸化物からなる超電導体を製造す
る方法において、アルカリ土類元素とイットリウム及び
/又はランタニド元素の酸化物又は炭酸塩を有機溶剤か
らなる分散媒中に分散させた後、シュウ酸銅を上記分散
媒中で生成させ、次いで、固形分又は共沈殿を分散媒よ
り分離し、これを焼成することを特徴とする超電導体の
製造方法。 - (2)焼成を720〜850℃の範囲の温度で行なうこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の超電導体の
製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62265677A JP2651681B2 (ja) | 1987-10-20 | 1987-10-20 | 超電導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62265677A JP2651681B2 (ja) | 1987-10-20 | 1987-10-20 | 超電導体の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01108121A true JPH01108121A (ja) | 1989-04-25 |
JP2651681B2 JP2651681B2 (ja) | 1997-09-10 |
Family
ID=17420465
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62265677A Expired - Lifetime JP2651681B2 (ja) | 1987-10-20 | 1987-10-20 | 超電導体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2651681B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5517711A (en) * | 1993-08-05 | 1996-05-21 | Byong Duk Choi | Toothbrush |
-
1987
- 1987-10-20 JP JP62265677A patent/JP2651681B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5517711A (en) * | 1993-08-05 | 1996-05-21 | Byong Duk Choi | Toothbrush |
US5538410A (en) * | 1993-08-05 | 1996-07-23 | Byong Duk Choi | Toothbrush body preform molding device and toothbrush body preform to be provided with buffer cap |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2651681B2 (ja) | 1997-09-10 |
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