JPH01100408A - 複数組の出力電極を有する半導体位置検出装置の制御法 - Google Patents

複数組の出力電極を有する半導体位置検出装置の制御法

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JPH01100408A
JPH01100408A JP25860587A JP25860587A JPH01100408A JP H01100408 A JPH01100408 A JP H01100408A JP 25860587 A JP25860587 A JP 25860587A JP 25860587 A JP25860587 A JP 25860587A JP H01100408 A JPH01100408 A JP H01100408A
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Masanori Idesawa
正徳 出澤
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、複数組の出力端子を有する半導体装置検出装
置の制御法に係わり、特に、出力端子切換スイッチの設
定と所望の位置情報を高速かつ高精度で取得するシステ
ムの構成を簡単化するのに適した、複数組の出力端子を
有する半導体装置検出装置の制御法に関する。
(従来の技術) 光ビームの入射位置や輝点像位置の検出には、光感層、
抵抗層、バイアス層および抵抗層上に形成された出力端
子より構成された半導体装置検出素子を用いた半導体装
置検出装置が広く使用されている。近年、広い検出範囲
と高い検出精度を実現するため、あるいは、特定の部位
での計測精度を向上させる目的で、いくつかの異なる特
性の半導体装置検出素子を併置し、適宜、切換使用した
り、抵抗層上に多数の出力電極を設け、それらのうち適
当な組を選択使用する型の半導体装置検出装置が提案さ
れている。
第4へ図に、測定範囲の異なる2つの半導体装置検出素
子からなる半導体装置検出装置の概略図を示し、第4B
図に、この装置に使用される位置算出回路のブロックを
示す。各半導体装置検出素子41.42は光感層P1抵
抗層R,バイアス層Cから構成されており、抵抗層R上
にそれぞれ出力端子T、  、 TbおよびT□、’r
mbが設けられている。この従来装置においては、先ず
、出力端子切換スイッチSwを幅の広い位置検出素子4
1の出力端子T、  、 T、を接続されるように切り
換えられた状態で光りビームLの照射を受ける。端子T
、  、 T、から得られ、増幅器B+ ’+ 82 
において−旦増幅された出力電流1.  、 1.の差
1b−■、および和1.+Ib が演算増幅器A、  
、 A2において求められ、更にこれらの値の除算(I
b−1,)/ (L +Ib )が割算器÷によって行
われ、位置情報Xを表すアナログ信号が求められる。こ
のアナログ信号はアナログ・デジタル変換器A/Dによ
って通常デジタル信号化され、光りビームの大まかな入
射位置が算出される。これによって、幅の狭い半導体検
出素子42内に光りビームの入射位置が入ることが判定
されると、出力端子切換スイッチSwが幅の狭い位置検
出素子42の出力端子T□+ Tfibと接続すように
切り換えられこれらの電極からの出力電流により、光り
ビームの入射位置が高い精度で検出される。
第3A図は抵抗層R上に多数の出力電極T+。
・・・、Toを設けた半導体装置検出素子31の断面を
示しており、第3B図はこの装置に使用される位置算出
回路のブロック図を示す。この装置においては、先ず、
出力端子切換スイッチSw により、両端の出力端子T
、  、 T、が選択され、光ビームLのおおよその入
射位置が、上述の実施例と同様にして算出される。この
ように算出された値に基づいて、光ビームLの入射した
1区間あるいは連続する区間が算出され、この区間の両
端の出力端子T3.・・・、T、、が出力端子切換スイ
ッチSw により選択され、下流の演算回路○Pにより
光ビームLの入射位置が高精度により求められる。
(発明が解決しようとする問題点) さて、このような構成の半導体装置検出装置においては
、広い範囲が検出可能となるような出力端子を選択し、
光ビームがどの区間に入射しているかを知り、次に、光
ビームの入射位置を含む狭い区間の出力端子を選択して
、その狭い区間内での入射位置を確定し、その区間位置
情報により、光ビーム入射位置検出精度を著しく高める
ことができる。
広い範囲が検出可能となるような出力端子を選択したと
きの出力信号より、次のステップでどの′出力端子のス
イッチをONにすべきかを決定するには、通常、出力信
号より得られる位置情報が、どの出力端子の位置より大
きく、また、どの出力端子の位置より小さいかを順次比
較して定めるなどの操作が必要となり、その判定があま
り簡単でないばかりでなく、ある場合にな少し時間を要
し、スイッチの設定が遅くなる恐れがある。また、ある
区間を選定した後の出力信号および選択区間の位置情報
とから最終的に必要とされる情報を得るには、いくつか
の演算操作が必要とされ、これも計測速度の低下につな
がる。
(問題点を解決するための手段) 上記問題点を解決するため、本発明では、広い範囲での
位置を検出できる出力端子が選択された時の出力信号よ
り、アドレス信号を生成し、出力端子切換スイッチ設定
表にあらかじめ記憶されている内容により出力端子切換
スイッチを設定することを特徴とする。
なお、選択された区間内での位置出力信号も合わせて、
新たなアドレスを生成し、位置データ表の内容を読み出
すことにより、最終的に所望のデータが得られるよ′う
にすることも好ましい。
(作 用) 出力端子切換スイッチ設定表には、広い範、囲での位置
検出可能な出力端子が選択された場合の出力信号から生
成されるアドレスの内容として、選択すべき出力端子に
応じた切換スイッチの0N10FF状態をあらかじめ記
憶しておくので、その都度、。
判断する必要がない。また、位置データ表の選択された
出力端子とその区間での位置出力信号とで定まるアドレ
スの内容としては、それに対応した所望のデータをあら
かじめ記憶しておくので、その都度、演算する必要がな
くなる。
(発明の効果) 本発明によれば、多数組の出力端子を有する半導体装置
検出装置の出力端子の設定を出力信号より生成されるア
ドレス信号でメモリーを読み出す操作に帰着できるので
出力端子切換スイッチの高速設定と装置の簡単化が行え
る。また、最終的に必要とされる情報も、メモリーの読
み出し操作で取得できるので装置の簡単化と計測の高速
化が図れる。
(実施例) 以下、本発明を実施例に従ってより詳細に説明する。第
1図および第2図に、第3A図に示されるような複数組
の出力端子を有する半導体装置検出装置を用いた場合の
本発明に従う演算処理回路を示す。第1図に示される実
施例において、計測は2ステツプで行われ、最初のステ
ップで出力端子切換スイッチの制御が行われる。先ず、
出力端子T、  、 T、、からの出力電流r、  、
  Ib を出力端子切換スイッチSvを介して演算回
路OPへ送り、光ビームLの入射位置に関連する値X=
(1,−Ia) / (1,+ Ib )が算出される
。次のアナログ・デジタル変換器A/Dによって、デジ
タル信号化された値X、内の上位ビットから区間゛選択
に必要とされるビット数だけが抽出され、アドレス・レ
ジスタADSに記憶される。この記憶値を、スイッチ設
定表C2wのアドレスとして用い、その内容によって、
出力端子切換スイッチのON/6FFが制御され、光ビ
ーム入射位置を挟むより狭い間隔を作り出す出力端子が
選択される。アドレス・レジスタADSに記憶されたX
o の上位ビットの内容は、同時に出力端子位置データ
表FTに人力され、スイッチ設定表Cs wによって選
ばれた出力端子の設定位置データが読み出される。選択
されたより狭い間隔の出力端子対からの出力電流に対し
ても、演算回路OPおよびアナログ・デジタル変換器A
/Dによって同様にデジタル化された位置関連信号Xo
が得られ、−旦位置アドレス・レジスタADPに記憶さ
れた後、位置データ表PSのアドレスとして用いられる
。この位置データ表PSから出力される選択された出力
端子間内における位置データと、出力端子位置データ表
FTからの選択された出力端子の設定位置データとによ
り最終的に必要とされる光入射位置情報PDが得られる
第2図に示された実施例の場合には、スイッチ設定表C
SW用のアドレスと第2ステツプで得られた出力信号の
A/D変換値とを組み合わせて新たなアドレスを生成し
、位置データ表PSをアクセスするようにした場合の例
である。第1図の実施例と同様に、スイッチ設定表Cg
wには、第1ステツプでの出力値をアドレスとした部分
にスイッチの設定状態をあらかじめ記憶しておく。また
、位置データ表PSには、第2ステツプでの出力信号の
A/D変換値をアドレスとした、あるいは、第1のステ
ップのスイッチ設定表用アドレスと第2ステツプの出力
信号のA/D変換値とにより位置データ・アドレス生成
部ADPによって新たに生成される値をアドレスとする
位置に、対応する位置データをあらかじめ記憶しておく
。また、これらは、必ずしも位置データに限定されず、
最終的に必要とされる値を記憶しておくことができる。
例えば、弾性体の変位を光位置で検出し、荷重を計測す
るような場合には、位置情報ではなく、対応した荷重値
を記憶しておくことにより、後の演算の必要がなくなり
、計測の高速化のみならず特性の非線形の補正などにも
有効に利用できる。
なお、その他の構成および動作は第1図に示されたもの
と同じである。
【図面の簡単な説明】
第1図および第2図は、本発明に基づいて構成された複
数組の出力端子を有する半導体装置検出装置のブロック
図を示す、 第3A図は、複数組の出力端子を有する半導体装置検出
素子の断面構造を示す概念図、第3B図は、そのための
位置演算回路の構成を示す、第4A図は、複数の半導体
装置検出素子の組み合わせとして構成された複数組の出
力端子を有する半導体装置検出装置の検出センサ一部の
断面槽造の概念図、第4B→は、そのための位置演算回
路の構成図を示す。 (符号の説明) L・・・・・・光ビーム PSD・・・・・・半導体装置検出素子Sw  ・・・
・・・出力端子切換スイッチC8w・・・・・・出力端
子切換スイッチ設定表OP ・・・・・・演算回路 A/D・・・・・・アナログ・デジタル変換器ADS・
・・・・・アドレス・レジスタPT  ・・・・・・出
力端子位置データ表ADP・・・・・・位置データ・ア
ドレス・レジスタPS ・・・・・・位置データ表 FD  ・・・・・・位置データ ADG・・・・・・位置データ・アドレス・生成部T’
+  、 T2 ・・・−T−、T−、Tb 、 T−
、T−b・・・・・・半導体装置検出素子出力端子I−
、Ib・・・・・・半導体装置検出素子出力電流P・・
・・・・抵抗層 D・・・・・・光感層 C・・・・・・バイアス層 B+  、 B2・・・・・・バッファ増幅器A、  
、 A2・・・・・・演算増幅器÷・・・・・・除算器 手続補正書(方式) 63.2.−2 昭和  年  月   日;コ 特許庁長官 小 川 邦 夫 殿 ■、事件の表示   昭和62年特許願第258605
号2・発明0名″r    Iii:mi!i為!”半
導体3、補正をする者 事件との関係  出願人 名称 (679)理化学研究所 4、代理人 5、補正命令の日付  舎;モジ年 g176奔tim
e6、補正の対象    全図面 手続補正書 2、発明の名称   複数組の出力電極を有する半導体
装置検出装置の制御法 3、補正をする者 事件との関係  出願人 名称 (679)理化学研究所 4、代理人 5、補正命令の日付  自 発 6、補正の対象    図 面 7、補正の内容 第4A図を別紙の通り訂正する。    /−−x  
 −i、−):’cS−s

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)複数組の出力端子および出力端子切換スイッチを
    備えた半導体装置検出装置の制御法において、先ず、広
    い範囲の位置を検出できる出力端子の組を選択した時の
    出力信号によりアドレス信号を生成し、この信号のアド
    レスにおける出力端子切換スイッチ設定表の内容により
    、出力端子切換スイッチを設定し、選択された区間内で
    の位置出力信号を得ることを特徴とした半導体装置検出
    装置の制御法。
  2. (2)前記アドレス信号を用い、出力端子位置表より、
    選択された出力端子位置情報を読み出し、前記選定され
    た区間内での位置出力信号とにより、位置情報を得るこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第(1)項記載の半導体
    装置検出装置の制御法。
  3. (3)前記アドレス信号と前記選択された区間内での位
    置信号とにより、新たなアドレスを生成し、位置データ
    表の内容を読み出して、最終的に所望の情報を得ること
    を特徴とする特許請求の範囲第(1)項記載の半導体装
    置検出装置の制御法。
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6410108A (en) * 1987-07-02 1989-01-13 Rikagaku Kenkyusho Constitution of semiconductor image position detecting element and image position detecting method

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6410108A (en) * 1987-07-02 1989-01-13 Rikagaku Kenkyusho Constitution of semiconductor image position detecting element and image position detecting method

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