JP7828169B2 - ウェーハの加工方法及びチップの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、ウェーハの加工方法及びウェーハに関する。

ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）等のデバイスのチップは、携帯電話及びパーソナルコンピュータ等の各種電子機器において不可欠の構成要素である。このようなチップは、例えば、半導体材料からなるウェーハの表面側に複数のデバイスを形成した後、このウェーハを個々のデバイスを含む領域毎に分割することで製造される。

ウェーハは、その外周領域においてクラックが生じやすい。そのため、チップの製造工程においては、各種工程に先立って、ウェーハの外周領域が面取りされることが一般的である。さらに、チップの製造工程においては、製造されるチップの小型化等を目的として、ウェーハの分割に先立って、ウェーハの裏面側が研削されることも多い。

ただし、外周領域が面取りされたウェーハの裏面側を研削すると、外周領域の裏面側がナイフエッジのような形状になる。そして、この部分には、応力が集中してクラックが生じやすい。そのため、チップの製造工程においては、ウェーハの外周領域の表面側の一部を除去して段差を形成する処理（エッジトリミング）が行われた後に、この外周領域の残部を除去するようにウェーハの裏面側が研削されることがある（例えば、特許文献１参照）。

特開２０００－１７３９６１号公報

表面側に複数のデバイスが形成されたウェーハ（デバイスウェーハ）は、製造されるチップの高集積化等を目的として、その表面側がデバイスウェーハと同径のウェーハ（支持ウェーハ）の表面側に貼り合わせられることがある。そして、このように貼り合わせられた一対のウェーハ（貼り合わせウェーハ）においては、デバイスウェーハの裏面側が研削されることもある。

しかしながら、デバイスウェーハの裏面側が研削されると、デバイスウェーハの裏面が損傷することがある。そのため、このような場合には、デバイスウェーハの裏面側を研削した後に、デバイスウェーハの裏面側に対してウェットエッチングが行われることがある。

ここで、このウェットエッチングの際に用いられるエッチング液がデバイスウェーハと支持ウェーハとの界面に侵入すると、デバイスウェーハの表面側に形成されているデバイスが破損するおそれがある。そのため、このような場合には、デバイスウェーハの表面側と支持ウェーハの表面側との貼り合わせに先立って、支持ウェーハの外周領域の表面側に段差を形成するエッジトリミングが行われることがある。

ただし、このような段差が支持ウェーハの外周領域の表面側に形成されている場合には、エッチング液が当該段差の下部に残留するおそれがある。そして、この段差の下部にエッチング液が残留すると、支持ウェーハの表面側がエッチングされてデバイスウェーハの表面側に形成されているデバイスが損傷するおそれがある。

この点に鑑み、本発明の目的は、貼り合わせウェーハに含まれるデバイスウェーハの裏面側に対するウェットエッチングの際に用いられるエッチング液によるデバイスの損傷を抑制できるウェーハの加工方法及びウェーハを提供することである。

本発明によれば、保持面に垂直であり、かつ、該保持面の中心を通る直線を回転軸として回転可能なチャックテーブルの該保持面で円板状のウェーハを保持する保持ステップと、該保持ステップ後、該保持面に平行な方向に沿った直線を回転軸として回転可能な第１スピンドルの先端部に第１切削ブレードが装着された状態で該第１スピンドルを回転させながら、該ウェーハの外周領域に該第１切削ブレードを切り込ませるとともに、該チャックテーブルを回転させることによって、該保持面からの距離が一定な平坦面を該外周領域に形成する第１加工ステップと、該第１加工ステップ後、該保持面に非平行な方向に沿った直線を回転軸として回転可能な第２スピンドルの先端部に第２切削ブレードが装着された状態で該第２スピンドルを回転させながら、該平坦面が形成された該外周領域に該第２切削ブレードを切り込ませるとともに、該チャックテーブルを回転させることによって、該ウェーハの外周縁に近付くにつれて該保持面からの距離が短くなるように傾斜する傾斜面を該外周領域に形成する第２加工ステップと、を備えるウェーハの加工方法が提供される。なお、このウェーハの加工方法は、該第２加工ステップ後、エッチング液が該傾斜面を経て該ウェーハから流れ落ちるウェットエッチングステップをさらに備えてもよい。また、該ウェットエッチングステップにおいては、該ウェーハの該エッチング液が滴下された面よりも外側に広がった該エッチング液が該傾斜面を経て該ウェーハから流れ落ちてもよい。また、該傾斜面は、該ウェーハの該外周縁に近付くにつれて該ウェーハの厚さ方向における該ウェーハの表面からの距離が長くなるように傾斜し、該ウェットエッチングステップにおいては、デバイスウェーハの表面側のエッジトリミングと該デバイスウェーハの該表面側及び該ウェーハの該表面側を貼り合わせることによる貼り合わせウェーハの形成と該デバイスウェーハの裏面側の研削とが順に実施されることによって面取りされた外周領域が除去された該デバイスウェーハの該裏面側がウェットエッチングに供されてもよい。さらに、本発明は、このウェーハの加工方法を実施した後、該デバイスウェーハの分割予定ラインに沿って該貼り合わせウェーハを分割してチップを製造するチップの製造方法であってもよい。

本発明によれば、外周領域に傾斜面が形成されているウェーハが提供される。そして、この外周領域に液体（例えば、ウェットエッチングの際に用いられるエッチング液）が供給されると、液体が傾斜面上を流れてウェーハの外側に流れ出やすい。

そのため、このウェーハが支持ウェーハとして適用された貼り合わせウェーハにおいては、デバイスウェーハの裏面側に対してウェットエッチングの際に用いられるエッチング液によるデバイスの損傷を抑制できる。

図１（Ａ）は、ウェーハの一例を模式的に示す上面図であり、図１（Ｂ）は、ウェーハの一例を模式的に示す断面図である。 図２は、切削装置の一例を模式的に示す正面図である。 図３は、ウェーハの加工方法の一例を模式的に示すフローチャートである。 図４（Ａ）、図４（Ｂ）及び図４（Ｃ）のそれぞれは、図３に示されるウェーハの加工方法に含まれる第１加工ステップの様子を模式的に示す一部断面正面図である。 図５（Ａ）は、第１加工ステップ後のウェーハの一例を模式的に示す上面図であり、図５（Ｂ）は、第１加工ステップ後のウェーハの一例を模式的に示す断面図である。 図６（Ａ）、図６（Ｂ）及び図６（Ｃ）のそれぞれは、図３に示されるウェーハの加工方法に含まれる第２加工ステップの様子を模式的に示す一部断面正面図である。 図７（Ａ）は、第２加工ステップ後のウェーハの一例を模式的に示す上面図であり、図７（Ｂ）は、第２加工ステップ後のウェーハの一例を模式的に示す断面図である。 図８（Ａ）は、デバイスウェーハの一例を模式的に示す上面図であり、図８（Ｂ）は、デバイスウェーハの一例を模式的に示す断面図である。 図９は、チップの製造方法の一例を模式的に示すフローチャートである。 図１０（Ａ）は、エッジトリミングが行われたデバイスウェーハを模式的に示す断面図であり、図１０（Ｂ）は、貼り合わせウェーハの一例を模式的に示す断面図であり、図１０（Ｃ）は、デバイスウェーハの裏面側が研削された貼り合わせウェーハの一例を模式的に示す断面図であり、図１０（Ｄ）は、デバイスウェーハの裏面側に対してウェットエッチングを行う様子を模式的に示す断面図である。

添付図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。図１（Ａ）は、ウェーハの一例を模式的に示す上面図であり、図１（Ｂ）は、ウェーハの一例を模式的に示す断面図である。図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示されるウェーハ１１は、例えば、シリコン（Ｓｉ）等の半導体材料からなる。また、ウェーハ１１は、互いに概ね平行な表面１１ａ及び裏面１１ｂを含む円板状の形状を有する。

また、ウェーハ１１の外周領域は、面取りされている。すなわち、ウェーハ１１の側面１１ｃは、外側に凸になるように湾曲している。さらに、ウェーハ１１の外周領域には、ウェーハ１１を構成する半導体材料の特定の結晶方位を示すノッチ１１ｄが形成されている。

なお、ウェーハ１１の材質、形状、構造及び大きさ等に制限はない。ウェーハ１１は、例えば、シリコン以外の半導体材料（例えば、炭化シリコン（ＳｉＣ）又は窒化ガリウム（ＧａＮ）等）からなっていてもよい。また、ウェーハ１１の外周領域には、ノッチ１１ｄに換えて、オリエンテーションフラットが形成されていてもよい。

図２は、ウェーハ１１の加工が可能な切削装置の一例を模式的に示す正面図である。なお、図２に示されるＸ軸方向（前後方向）及びＹ軸方向（左右方向）は、水平面上において互いに直交する方向であり、また、Ｚ軸方向（上下方向）は、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に直交する方向（鉛直方向）である。

図２に示される切削装置２は、円柱状のテーブルベース４を有する。このテーブルベース４の上部には、ウェーハ１１が置かれる円板状のチャックテーブル６が設けられている。このチャックテーブル６は、ステンレス鋼等からなる枠体６ａを有する。

枠体６ａは、円盤状の底壁と、この底壁の周縁部から上方に向かって設けられている円環状の側壁とを有する。そのため、枠体６ａの上部には、底壁及び側壁によって画定される凹部が存在する。

この凹部には、多孔質セラミックスからなり、凹部の内径と概ね同じ径を有する円板状のポーラス板（不図示）が固定されている。このポーラス板は、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に概ね平行な上面を有し、また、枠体６ａに形成されている流路を介して真空ポンプ等の吸引源（不図示）に連通する。

そして、この吸引源を動作させると、ポーラス板の上面（チャックテーブル６の保持面）近傍の空間が負圧になる。そのため、チャックテーブル６の保持面にウェーハ１１が置かれた状態で吸引源を動作させることで、チャックテーブル６によってウェーハ１１が吸引保持される。

さらに、テーブルベース４の内部には、チャックテーブル６に連結するモータ等の回転駆動源（不図示）が設けられている。そして、この回転駆動源を動作させると、チャックテーブル６の保持面に垂直であり、かつ、この保持面の中心を通る直線を回転軸としてチャックテーブル６が回転する。

また、テーブルベース４は、Ｘ軸方向移動機構（不図示）に連結されている。このＸ軸方向移動機構は、例えば、ボールねじ等を含む。そして、このＸ軸方向移動機構を動作させると、テーブルベース４及びチャックテーブル６がＸ軸方向に沿って移動する。

チャックテーブル６の上方には、Ｙ軸方向において対向するように一対の切削ユニット８ａ，８ｂが設けられている。切削ユニット８ａは、Ｙ軸方向に平行な方向に沿って延在する円柱状のスピンドル（第１スピンドル）１０ａを有する。

そして、スピンドル１０ａの先端部（切削ユニット８ｂ側の端部）には、円環状の切刃を有する切削ブレード（第１切削ブレード）１２ａが装着されている。この切削ブレード１２ａは、例えば、金属等からなる円環状の基台と、基台の外周縁に沿う円環状の切刃とが一体となって構成された、ハブタイプの切削ブレードである。

ハブタイプの切削ブレードの切刃は、ダイヤモンド又は立方晶窒化ホウ素（ｃＢＮ：ｃｕｂｉｃ Ｂｏｒｏｎ Ｎｉｔｒｉｄｅ）等からなる砥粒がニッケル等の結合材によって固定された電鋳砥石によって構成される。

また、切削ブレード１２ａとして、金属、セラミックス又は樹脂等からなる結合材によって砥粒が固定された円環状の切刃によって構成される、ワッシャータイプの切削ブレードが用いられてもよい。さらに、切削ブレード１２ａの近傍には、ウェーハ１１の切削される領域に切削液（例えば、水）を供給するノズル（不図示）が設けられている。

また、スピンドル１０ａの他端部（基端部）は、モータ等の回転駆動源（不図示）に連結されている。そして、この回転駆動源が動作すると、スピンドル１０ａとともに切削ブレード１２ａが回転する。すなわち、この回転駆動源が動作すると、Ｙ軸方向に沿った直線を回転軸として切削ブレード１２ａが回転する。

さらに、切削ユニット８ａは、Ｙ軸方向移動機構（不図示）及びＺ軸方向移動機構（不図示）に連結されている。Ｘ軸方向移動機構及びＺ軸方向移動機構のそれぞれは、例えば、ボールねじ等を含む。そして、このＹ軸方向移動機構を動作させると、切削ユニット８ａがＹ軸方向に沿って移動する。また、このＺ軸方向移動機構を動作させると、切削ユニット８ａがＺ軸方向に沿って移動する。

また、切削ユニット８ｂは、チャックテーブル６の保持面に非平行な方向に沿って延在する円柱状のスピンドル（第２スピンドル）１０ｂを有する。このスピンドル１０ｂは、例えば、平面視においてＹ軸方向と重なり、かつ、正面視においてＹ軸方向に対してなす角θが０°超５°以下となる方向に沿って延在する。

そして、スピンドル１０ｂの先端部（切削ユニット８ａ側の端部）には、円環状の切刃を有する切削ブレード（第２切削ブレード）１２ｂが装着されている。この切削ブレード１２ｂは、ハブタイプ又はワッシャータイプの切削ブレードである。さらに、切削ブレード１２ｂの近傍には、ウェーハ１１の切削される領域に切削液（例えば、水）を供給するノズル（不図示）が設けられている。

また、スピンドル１０ｂの他端部（基端部）は、モータ等の回転駆動源（不図示）に連結されている。そして、この回転駆動源が動作すると、スピンドル１０ｂとともに切削ブレード１２ｂが回転する。すなわち、この回転駆動源が動作すると、スピンドル１０ｂが延在する方向に沿った直線を回転軸として切削ブレード１２ｂが回転する。

さらに、切削ユニット８ｂは、Ｙ軸方向移動機構（不図示）及びＺ軸方向移動機構（不図示）に連結されている。Ｘ軸方向移動機構及びＺ軸方向移動機構のそれぞれは、例えば、ボールねじ等を含む。そして、このＹ軸方向移動機構を動作させると、切削ユニット８ｂがＹ軸方向に沿って移動する。また、このＺ軸方向移動機構を動作させると、切削ユニット８ｂがＺ軸方向に沿って移動する。

図３は、切削装置２においてウェーハ１１を加工するウェーハの加工方法の一例を模式的に示すフローチャートである。具体的には、この方法は、ウェーハ１１のエッジトリミングを行う方法の一例である。

図３に示されるウェーハの加工方法においては、まず、チャックテーブル６の保持面において円板状のウェーハ１１を保持する（保持ステップ：Ｓ１）。具体的には、この保持ステップ（Ｓ１）においては、表面１１ａが上を向き、かつ、裏面１１ｂの中心をチャックテーブル６の保持面の中心に一致させるようにウェーハ１１をチャックテーブル６の保持面に搬入する。そして、チャックテーブル６のポーラス板と連通する吸引源を動作させる。

次いで、チャックテーブル６の保持面からの距離が一定な平坦面をウェーハ１１の外周領域に形成する（第１加工ステップ：Ｓ２）。図４（Ａ）、図４（Ｂ）及び図４（Ｃ）のそれぞれは、第１加工ステップ（Ｓ２）の様子を模式的に示す一部断面正面図である。

この第１加工ステップ（Ｓ２）においては、まず、ウェーハ１１の外周領域の直上に切削ブレード１２ａが位置付けられるように、Ｘ軸方向におけるチャックテーブル６の位置及び／又はＹ軸方向における切削ユニット８ａの位置を調整する（図４（Ａ）参照）。

次いで、スピンドル１０ａを回転させながら、ウェーハ１１の表面１１ａよりも低く、かつ、チャックテーブル６の保持面よりも高い位置に切削ブレード１２ａの下端が至るまで切削ユニット８ａを下降させる（図４（Ｂ）参照）。次いで、スピンドル１０ａを回転させたまま、チャックテーブル６を少なくとも一回転させる（図４（Ｃ）参照）。

図５（Ａ）は、第１加工ステップ（Ｓ２）後のウェーハ１１を模式的に示す上面図であり、図５（Ｂ）は、加工ステップ（Ｓ２）後のウェーハ１１を模式的に示す断面図である。第１加工ステップ（Ｓ２）後のウェーハ１１の外周領域においては、その表面１１ａ側の一部が除去されて段差１３が形成される。

この段差１３は、ウェーハ１１の表面１１ａに垂直な方向に沿って表面１１ａの外周縁から下方に延在する立設面１３ａと、立設面１３ａの下端からウェーハ１１の外周縁まで延在する平坦面１３ｂとを含む。なお、この平坦面１３ｂは、チャックテーブル６の保持面からの距離が一定な面である。

次いで、ウェーハ１１の外周縁に近付くにつれて保持面からの距離が短くなるように傾斜する傾斜面をウェーハ１１の外周領域に形成する（第２加工ステップ：Ｓ３）。図６（Ａ）、図６（Ｂ）及び図６（Ｃ）のそれぞれは、第２加工ステップ（Ｓ３）の様子を模式的に示す一部断面正面図である。

この第２加工ステップ（Ｓ３）においては、まず、ウェーハ１１の外周領域の直上であって、この外周領域に形成されている段差１３の立設面１３ａよりも外側に切削ブレード１２ｂの下端が位置付けられるように、Ｘ軸方向におけるチャックテーブル６の位置及び／又はＹ軸方向における切削ユニット８ｂの位置を調整する（図６（Ａ）参照）。

次いで、スピンドル１０ｂを回転させながら、ウェーハ１１の外周領域に形成されている段差１３の平坦面１３ｂよりも低く、かつ、チャックテーブル６の保持面よりも高い位置に切削ブレード１２ｂの下端が至るまで切削ユニット８ｂを下降させる（図６（Ｂ）参照）。次いで、スピンドル１０ｂを回転させたまま、チャックテーブル６を少なくとも一回転させる（図６（Ｃ）参照）。

図７（Ａ）は、第２加工ステップ（Ｓ３）後のウェーハ１１を模式的に示す上面図であり、図７（Ｂ）は、第２加工ステップ（Ｓ３）後のウェーハ１１を模式的に示す断面図である。この第２加工ステップ（Ｓ３）においては、ウェーハ１１の外周領域の段差１３がさらに研削されて傾斜面１３ｃが形成される。

例えば、この第２加工ステップ（Ｓ３）においては、ウェーハ１１の表面１１ａの外周縁から下方に延在する立設面１３ａと、立設面１３ａの下端からウェーハ１１の外周縁まで延在する傾斜面１３ｃとを含む段差１３が形成される。なお、この傾斜面１３ｃは、ウェーハ１１の外周縁に近付くにつれてウェーハ１１の厚さ方向におけるウェーハ１１の表面１１ａからの距離が長くなるように傾斜する。

図８（Ａ）は、ウェーハ１１に貼り合わせられるデバイスウェーハの一例を模式的に示す上面図であり、図８（Ｂ）は、ウェーハ１１に貼り合わせられるデバイスウェーハの一例を模式的に示す断面図である。

図８（Ａ）及び図８（Ｂ）に示されるデバイスウェーハ２１は、例えば、シリコン（Ｓｉ）等の半導体材料からなる。また、デバイスウェーハ２１は、互いに概ね平行な表面２１ａ及び裏面２１ｂを含む、ウェーハ１１と同径の円板状の形状を有する。

また、デバイスウェーハ２１の外周領域は、面取りされている。すなわち、デバイスウェーハ２１の側面２１ｃは、外側に凸になるように湾曲している。さらに、デバイスウェーハ２１の外周領域には、デバイスウェーハ２１を構成する半導体材料の特定の結晶方位を示すノッチ２１ｄが形成されている。

さらに、デバイスウェーハ２１は、互いに交差する複数の分割予定ラインで複数の領域に区画されており、各領域の表面２１ａ側にはＩＣ、ＬＳＩ、半導体メモリ又はＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）イメージセンサ等のデバイス２３が形成されている。

また、デバイスウェーハ２１には、シリコン貫通電極（ＴＳＶ（Ｔｈｒｏｕｇｈ－Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｖｉａ））等の配線が設けられる開口（表面２１ａから裏面２１ｂまで延在する貫通孔）又は溝が形成されていてもよい。

なお、デバイスウェーハ２１の材質、形状、構造及び大きさ等に制限はない。デバイスウェーハ２１は、例えば、シリコン以外の半導体材料（例えば、炭化シリコン（ＳｉＣ）又は窒化ガリウム（ＧａＮ）等）からなっていてもよい。また、デバイスウェーハ２１の外周領域には、ノッチ２１ｄに換えて、オリエンテーションフラットが形成されていてもよい。

図９は、支持ウェーハとして利用されるウェーハ１１とデバイスウェーハ２１とからチップを製造するチップの製造方法の一例を模式的に示すフローチャートである。この方法においては、まず、デバイスウェーハ２１のエッジトリミングを行う（Ｓ１１）。

図１０（Ａ）は、エッジトリミングが行われたデバイスウェーハ２１を模式的に示す断面図である。なお、デバイスウェーハ２１のエッジトリミングは、上述したウェーハ１１のエッジトリミングと同様に実施されてもよいし、その他の公知の方法によって実施されてもよい。

次いで、デバイスウェーハ２１とウェーハ（支持ウェーハ）１１とを貼り合わせて貼り合わせウェーハを形成する（Ｓ１２）。図１０（Ｂ）は、貼り合わせウェーハの一例を模式的に示す断面図である。図１０（Ｂ）に示される貼り合わせウェーハ３１は、例えば、接着剤を介して、デバイスウェーハ２１の表面２１ａ側をウェーハ１１の表面１１ａ側に貼り合わせることによって形成される。

次いで、デバイスウェーハ２１の裏面２１ｂ側に残存する面取りされた外周領域が除去されるまでデバイスウェーハ２１の裏面２１ｂ側を研削する（Ｓ１３）。図１０（Ｃ）は、デバイスウェーハ２１の裏面２１ｂ側が研削された貼り合わせウェーハ３１を模式的に示す断面図である。なお、この研削は、公知の研削装置において行われる。

次いで、デバイスウェーハ２１の裏面２１ｂ側に対するウェットエッチングを行う（Ｓ１４）。図１０（Ｄ）は、デバイスウェーハ２１の裏面２１ｂ側に対してウェットエッチングを行う様子を模式的に示す断面図である。このウェットエッチングは、例えば、デバイスウェーハ２１の裏面２１ｂに公知のエッチング液Ｌを滴下しながら、貼り合わせウェーハ３１の周方向に沿って貼り合わせウェーハ３１を回転させることによって行われる。

これにより、エッチング液Ｌに遠心力が作用して、デバイスウェーハ２１の裏面２１ｂがエッチング液Ｌに覆われるようにエッチング液Ｌが広がる。また、デバイスウェーハ２１の裏面２１ｂよりも外側に広がったエッチング液Ｌは、段差１３を経てウェーハ１１から流れ落ちる。

次いで、デバイスウェーハ２１の分割予定ラインに沿って貼り合わせウェーハ３１を分割してチップを製造する（Ｓ１５）。この分割は、例えば、公知の切削装置において行われる。

上述したチップの製造方法においては、外周領域に傾斜面１３ｃを含む段差１３が形成されているウェーハ１１が支持ウェーハとして利用されている。そして、このチップの製造方法においては、デバイスウェーハ２１の裏面２１ｂ側に対するウェットエッチングを行う際に、デバイスウェーハ２１の裏面２１ｂに供給されるエッチング液Ｌが段差１３を経てウェーハ１１から流れ落ちる。

ここで、傾斜面１３ｃは、ウェーハ１１の外周縁に近付くにつれてウェーハ１１の厚さ方向におけるウェーハ１１の表面１１ａからの距離が長くなるように傾斜している。そのため、段差１３に供給されたエッチング液Ｌは、傾斜面１３ｃ上を流れてウェーハ１１の外側に流れやすい。その結果、上述したチップの製造方法においては、デバイスウェーハ２１の表面２１ａ側に形成されているデバイス２３のエッチング液Ｌによる損傷を抑制することができる。

なお、上述した内容は本発明の一態様であって、本発明の内容は上述した内容に限定されない。例えば、本発明においては、水平面に平行な方向に延在するスピンドルと、水平面に非平行な保持面を有するチャックテーブルとを備える切削装置においてウェーハ１１のエッジトリミングが行われてもよい。

すなわち、本発明においては、チャックテーブルの保持面に非平行な方向に延在するスピンドルの先端部に装着された切削ブレードを、この保持面において保持されたウェーハ１１に切り込めればよく、それを行う切削装置の構造に制限はない。

また、本発明においては、ウェーハ１１の外周領域に立設面１３ａを形成することなく、傾斜面１３ｃを形成してもよい。すなわち、本発明には、図３に示されるウェーハの加工方法から第１加工ステップ（Ｓ２）が省略されたウェーハの加工方法も含まれる。

図３に示されるウェーハの加工方法から第１加工ステップ（Ｓ２）が省略されたウェーハの加工方法においては、ウェーハ１１のエッジトリミングに必要な工程数を低減できる点で好ましい。他方、図３に示されるウェーハの加工方法においては、ウェーハ１１の表面１１ａに垂直な方向に沿って表面１１ａの外周縁から下方に延在する立設面１３ａを含む段差１３をウェーハ１１の外周領域に形成できる点で好ましい。

その他、上述した実施形態にかかる構造及び方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。

２ ：切削装置
４ ：テーブルベース
６ ：チャックテーブル（６ａ：枠体）
８ａ ：切削ユニット
８ｂ ：切削ユニット
１０ａ：スピンドル（第１スピンドル）
１０ｂ：スピンドル（第２スピンドル）
１１ ：ウェーハ（１１ａ：表面、１１ｂ：裏面、１１ｃ：側面、１１ｄ：ノッチ）
１２ａ：切削ブレード（第１切削ブレード）
１２ｂ：切削ブレード（第２切削ブレード）
１３ ：段差（１３ａ：立設面、１３ｂ：平坦面、１３ｃ：傾斜面）
２１ ：デバイスウェーハ
（２１ａ：表面、２１ｂ：裏面、２１ｃ：側面２１ｄ：ノッチ）
２３ ：デバイス
３１ ：貼り合わせウェーハ

Claims (5)

1. 保持面に垂直であり、かつ、該保持面の中心を通る直線を回転軸として回転可能なチャックテーブルの該保持面で円板状のウェーハを保持する保持ステップと、
   該保持ステップ後、該保持面に平行な方向に沿った直線を回転軸として回転可能な第１スピンドルの先端部に第１切削ブレードが装着された状態で該第１スピンドルを回転させながら、該ウェーハの外周領域に該第１切削ブレードを切り込ませるとともに、該チャックテーブルを回転させることによって、該保持面からの距離が一定な平坦面を該外周領域に形成する第１加工ステップと、
   該第１加工ステップ後、該保持面に非平行な方向に沿った直線を回転軸として回転可能な第２スピンドルの先端部に第２切削ブレードが装着された状態で該第２スピンドルを回転させながら、該平坦面が形成された該外周領域に該第２切削ブレードを切り込ませるとともに、該チャックテーブルを回転させることによって、該ウェーハの外周縁に近付くにつれて該保持面からの距離が短くなるように傾斜する傾斜面を該外周領域に形成する第２加工ステップと、
   を備えることを特徴とするウェーハの加工方法。
2. 該第２加工ステップ後、エッチング液が該傾斜面を経て該ウェーハから流れ落ちるウェットエッチングステップをさらに備えることを特徴とする請求項１に記載のウェーハの加工方法。
3. 該ウェットエッチングステップにおいては、該ウェーハの該エッチング液が滴下された面よりも外側に広がった該エッチング液が該傾斜面を経て該ウェーハから流れ落ちることを特徴とする請求項２に記載のウェーハの加工方法。
4. 該傾斜面は、該ウェーハの該外周縁に近付くにつれて該ウェーハの厚さ方向における該ウェーハの表面からの距離が長くなるように傾斜し、
   該ウェットエッチングステップにおいては、デバイスウェーハの表面側のエッジトリミングと該デバイスウェーハの該表面側及び該ウェーハの該表面側を貼り合わせることによる貼り合わせウェーハの形成と該デバイスウェーハの裏面側の研削とが順に実施されることによって面取りされた外周領域が除去された該デバイスウェーハの該裏面側がウェットエッチングに供されることを特徴とする請求項２又は３に記載のウェーハの加工方法。
5. 請求項４に記載のウェーハの加工方法を実施した後、該デバイスウェーハの分割予定ラインに沿って該貼り合わせウェーハを分割してチップを製造することを特徴とするチップの製造方法。