JP7820165B2 - 貼り合わせウェーハの加工方法 - Google Patents
貼り合わせウェーハの加工方法Info
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- H10P90/12—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H10P90/124—Preparing bulk and homogeneous wafers by processing the backside of the wafers
Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
4 :θテーブル
6 :チャックテーブル(6a:枠体)
8 :切削ユニット
10:スピンドル
11:ウェーハ(11a:表面、11b:側面、11c:裏面)
12:切削ブレード
13:デバイス
14:洗浄装置
15:支持ウェーハ(15a:表面、15b:裏面)
16:スピンドル
17:貼り合わせウェーハ
18:チャックテーブル(18a:枠体)
19:接着剤
20:ノズルユニット(20a:腕部、20b:ノズル)
21:第2ウェーハ(21a:表面、21b:裏面)
22:研削装置
23:貼り合わせウェーハ
24:チャックテーブル(24a:枠体、24b:ポーラス板)
25:接着剤
26:スピンドル
28:ベアリング
30:支持板
32:テーブルベース
34:傾き調整ユニット
(34a:固定支持機構、34b:第1可動支持機構、34c:第2可動支持機構)
36:支柱
38:上部支持体
40:ベアリング
42:支持板
44:モータ
46:研削ユニット
48:スピンドル
50:ホイールマウント
52:研削ホイール
54:ホイール基台
56:研削砥石
Claims (1)
- 表面側に複数のデバイスが形成され、かつ、外周縁に面取り部を有するウェーハと、該ウェーハの該表面と貼り合わせられる表面を有する支持ウェーハと、を含む貼り合わせウェーハの加工方法であって、
該支持ウェーハの裏面を吸引することによって該貼り合わせウェーハを保持した状態で該ウェーハの該面取り部を除去するように該ウェーハを切削する切削ステップと、
該切削ステップの後に、該ウェーハの裏面を洗浄する第1洗浄ステップと、
該第1洗浄ステップの後に、該ウェーハの該裏面側を吸引することによって該貼り合わせウェーハを保持した状態で該支持ウェーハの該裏面を洗浄する第2洗浄ステップと、
該第2洗浄ステップの後に、該支持ウェーハの該裏面を吸引することによって該貼り合わせウェーハを保持した状態で該ウェーハの該裏面側を研削する研削ステップと、
を備える貼り合わせウェーハの加工方法。
Priority Applications (4)
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|---|---|---|---|
| JP2022007768A JP7820165B2 (ja) | 2022-01-21 | 2022-01-21 | 貼り合わせウェーハの加工方法 |
| CN202310005504.1A CN116487243A (zh) | 2022-01-21 | 2023-01-04 | 贴合晶片的加工方法 |
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| KR1020230003774A KR20230113155A (ko) | 2022-01-21 | 2023-01-11 | 접합 웨이퍼의 가공 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP2022007768A JP7820165B2 (ja) | 2022-01-21 | 2022-01-21 | 貼り合わせウェーハの加工方法 |
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Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP2022007768A Active JP7820165B2 (ja) | 2022-01-21 | 2022-01-21 | 貼り合わせウェーハの加工方法 |
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Citations (4)
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| JP2020108908A (ja) | 2019-01-07 | 2020-07-16 | 株式会社ディスコ | ワークの保持方法及びワークの処理方法 |
| JP2020136329A (ja) | 2019-02-14 | 2020-08-31 | 株式会社ニコン | 積層半導体装置を製造する製造方法、トリミングする領域の大きさを決定する決定方法、電極を形成する位置を決定する決定方法、積層半導体装置を製造する製造システム、トリミング装置、および積層装置 |
Family Cites Families (4)
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| JP3515917B2 (ja) | 1998-12-01 | 2004-04-05 | シャープ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
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| JP6890495B2 (ja) * | 2017-07-26 | 2021-06-18 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
-
2022
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-
2023
- 2023-01-04 CN CN202310005504.1A patent/CN116487243A/zh active Pending
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- 2023-01-11 KR KR1020230003774A patent/KR20230113155A/ko active Pending
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Also Published As
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|---|---|
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| KR20230113155A (ko) | 2023-07-28 |
| CN116487243A (zh) | 2023-07-25 |
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