CN116487243A - 贴合晶片的加工方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供贴合晶片的加工方法，在以通过对支承晶片的背面进行吸引而保持着贴合晶片的状态对晶片进行了切削之后以同样的状态对晶片的背面侧进行磨削时，能够防止在该晶片的背面上形成凹痕且/或使该晶片破损。在以通过对支承晶片的背面进行吸引而保持着贴合晶片的状态对晶片进行切削的切削步骤与以同样的状态对晶片的背面侧进行磨削的磨削步骤之间，进行对支承晶片的背面进行清洗的清洗步骤。由此，能够在磨削步骤之前的清洗步骤中将附着于支承晶片的背面的切削屑冲掉。其结果是，能够防止在磨削步骤中在晶片的背面上形成凹痕且/或使晶片破损。

Description

贴合晶片的加工方法
技术领域
本发明涉及贴合晶片的加工方法，该贴合晶片包含：晶片，其在正面侧形成有多个器件且在外周缘具有倒角部；以及支承晶片，其具有与该晶片的该正面贴合的正面。
背景技术
IC(Integrated Circuit，集成电路)等器件的芯片是在移动电话和个人计算机等各种电子设备中不可欠缺的构成要素。这样的芯片例如在将在正面侧形成有多个器件的晶片磨削至期望的厚度之后沿着多个器件的边界按照贯通晶片的方式进行切削而制造。
晶片容易在外周缘产生裂纹。因此，在芯片的制造工序中，大多在各种工序之前将晶片的外周缘倒角即在晶片的外周缘形成倒角部。不过，当对在外周缘具有倒角部的晶片的背面侧进行磨削时，外周缘的背面侧成为刀刃那样的形状。
并且，在该部分，应力集中而容易产生裂纹。因此，在芯片的制造工序中，有时在按照将形成于晶片的外周缘的倒角部的正面侧的一部分去除的方式对晶片进行了切削之后，按照将该倒角部的余部去除的方式对晶片的背面侧进行磨削(例如参照专利文献1)。
专利文献1：日本特开2000-173961号公报
在芯片的制造工序中，有时在使用粘接剂将晶片贴合于其他晶片而形成贴合晶片之后，将该贴合晶片分割而制造芯片。例如为了实现制造出的芯片的小型化等，有时将分别在正面侧形成有多个器件的多个晶片(以下也称为“器件晶片”)使用粘接剂而贴合于支承晶片。
具体而言，首先将支承晶片的正面与器件晶片的正面借助粘接剂贴合而形成贴合晶片。接着，在通过对支承晶片的背面进行吸引而保持着贴合晶片的状态下，按照将形成于器件晶片的外周缘的倒角部和附着于倒角部的粘接剂去除的方式对器件晶片进行切削。接着，对器件晶片的背面侧进行磨削。
接着，将磨削后的器件晶片的背面与其他器件晶片的正面借助粘接剂贴合而形成包含层叠的两张器件晶片的贴合晶片。接着，在通过对支承晶片的背面进行吸引而保持着贴合晶片的状态下，按照将形成于该其他器件晶片的外周缘的倒角部和附着于倒角部的粘接剂去除的方式对该其他器件晶片进行切削。接着，对该其他器件晶片的背面侧进行磨削。
以下，根据需要重复同样的处理，由此能够形成包含层叠的三张以上的器件晶片的贴合晶片。在这样形成贴合晶片的情况下，在将附着于形成在器件晶片的外周缘的倒角部的粘接剂去除之后，对器件晶片的背面侧进行磨削。由此，能够防止粘接剂伴随该磨削被拉出而使贴合晶片破损。
不过，当在通过对支承晶片的背面进行吸引而保持着贴合晶片的状态下对器件晶片进行切削时，有时因该切削而产生的切削屑被吸到支承晶片的背面侧而附着于支承晶片的背面。并且，当在支承晶片的背面上附着有切削屑的状态下对器件晶片的背面侧进行磨削时，有可能在器件晶片的背面上形成凹痕且/或使器件晶片破损。
发明内容
鉴于该点，本发明的目的在于提供贴合晶片的加工方法，在以通过对支承晶片的背面进行吸引而保持着贴合晶片的状态对器件晶片进行了切削之后，在以同样的状态对器件晶片的背面侧进行磨削时，能够防止在器件晶片的背面上形成凹痕且/或使器件晶片破损。
根据本发明，提供贴合晶片的加工方法，该贴合晶片包含：晶片，其在正面侧形成有多个器件且在外周缘具有倒角部；以及支承晶片，其具有与该晶片的该正面贴合的正面，其中，该贴合晶片的加工方法具有如下的步骤：切削步骤，在通过对该支承晶片的背面进行吸引而保持着该贴合晶片的状态下按照将该晶片的该倒角部去除的方式对该晶片进行切削；清洗步骤，在该切削步骤之后，对该支承晶片的该背面进行清洗；以及磨削步骤，在该清洗步骤之后，在通过对该支承晶片的该背面进行吸引而保持着该贴合晶片的状态下对该晶片的背面侧进行磨削。
本发明具有如下的清洗步骤：在以通过对支承晶片的背面进行吸引而保持着贴合晶片的状态对晶片进行切削的切削步骤与以同样的状态对晶片的背面侧进行磨削的磨削步骤之间，对支承晶片的背面进行清洗。
因此，在该本发明中，能够在磨削步骤之前的清洗步骤中将附着于支承晶片的背面的切削屑冲掉。其结果是，在本发明中，能够防止在磨削步骤中在器件晶片的背面上形成凹痕且/或使器件晶片破损。
附图说明
图1的(A)是示意性示出晶片的一例的俯视图，图1的(B)是示意性示出晶片的一例的剖视图。
图2是示意性示出贴合晶片的加工方法的一例的流程图。
图3的(A)是示意性示出贴合晶片的一例的剖视图，图3的(B)是示意性示出切削步骤的情况的局部剖视侧视图。
图4的(A)是示意性示出晶片清洗步骤的情况的局部剖视侧视图，图4的(B)是示意性示出支承晶片清洗步骤的情况的局部剖视侧视图。
图5的(A)是示意性示出磨削步骤的情况的局部剖视侧视图，图5的(B)是示意性示出磨削步骤完成后的贴合晶片的剖视图。
图6是示意性示出贴合晶片的加工方法的其他例的流程图。
图7的(A)是示意性示出贴合晶片的其他例的剖视图，图7的(B)是示意性示出第2磨削步骤完成后的贴合晶片的剖视图。
标号说明
2：切削装置；4：θ台；6：卡盘工作台(6a：框体)；8：切削单元；10：主轴；11：晶片(11a：正面、11b：侧面、11c：背面)；12：切削刀具；13：器件；14：清洗装置；15：支承晶片(15a：正面、15b：背面)；16：主轴；17：贴合晶片；18：卡盘工作台(18a：框体)；19：粘接剂；20：喷嘴单元(20a：臂部、20b：喷嘴)；21：第2晶片(21a：正面、21b：背面)；22：磨削装置；23：贴合晶片；24：卡盘工作台(24a：框体、24b：多孔板)；25：粘接剂；26：主轴；28：轴承；30：支承板；32：工作台基座；34：倾斜调整单元(34a：固定支承机构、34b：第1可动支承机构、34c：第2可动支承机构)；36：支柱；38：上部支承体；40：轴承；42：支承板；44：电动机；46：磨削单元；48：主轴；50：磨轮安装座；52：磨削磨轮；54：磨轮基台；56：磨削磨具。
具体实施方式
参照附图，对本发明的实施方式进行说明。图1的(A)是示意性示出晶片的一例的俯视图，图1的(B)是示意性示出晶片的一例的剖视图。图1的(A)和图1的(B)所示的晶片11例如由硅(Si)形成。
在该晶片11的正面11a侧形成有多个器件13。多个器件13分别包含例如用于构成IC、半导体存储器或CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体)图像传感器的元件。另外，多个器件13的边界例如呈格子状延伸。
另外，可以在晶片11上形成设置硅贯通电极(TSV(Through-Silicon Via))等布线的开口(从正面11a延伸到背面11c的贯通孔)或槽。另外，将晶片11的外周缘进行倒角，即在晶片11的外周缘形成有倒角部。换言之，晶片11的侧面11b按照向外侧呈凸状的方式弯曲。
另外，对于晶片11的材质、形状、构造或大小等没有限制。晶片11例如可以由硅以外的半导体材料(例如碳化硅(SiC)或氮化镓(GaN)等)形成。同样地，对于器件13的种类、数量、形状、构造、大小或配置等也没有限制。
图2是示意性示出包含晶片11的贴合晶片的加工方法的一例的流程图。另外，图3的(A)是示意性示出该贴合晶片的一例的剖视图。
在图2所示的方法中，首先将晶片11的正面11a与支承晶片15的正面15a贴合而形成贴合晶片17(贴合步骤：S1)。在该贴合步骤(S1)中，例如将晶片11的正面11a按压于设置有粘接剂19的支承晶片15的正面15a，由此形成贴合晶片17(参照图3的(A))。
另外，支承晶片15具有与晶片11大致相等的直径，例如由硅等半导体材料形成。另外，支承晶片15可以是裸晶片，也可以是形成有某些器件的晶片。
例如在使用该贴合晶片17制造BSI(Back Side Illumination，背光照度技术)型CMOS图像传感器的情况下，可以在支承晶片15的正面15a侧形成图像传感器的像素电路。另外，粘接剂19例如是丙烯酸系粘接剂或环氧系粘接剂。
接着，在通过对支承晶片15的背面15b进行吸引而保持着贴合晶片17的状态下，按照将晶片11的倒角部去除的方式对晶片11进行切削(切削步骤：S2)。图3的(B)是示意性示出在切削装置中实施的切削步骤(S2)的情况的局部剖视侧视图。
图3的(B)所示的切削装置2具有圆柱状的θ台4。在θ台4的上部设置有圆盘状的卡盘工作台6。另外，θ台4与电动机等旋转驱动源(未图示)连结。并且，当使该旋转驱动源进行动作时，θ台4和卡盘工作台6以通过卡盘工作台6的中心且沿着铅垂方向的直线为旋转轴线而旋转。
另外，卡盘工作台6具有由不锈钢等金属材料形成的框体6a。该框体6a具有：圆盘状的底壁；以及从该底壁的周缘部朝向上方而设置的圆环状的侧壁。并且，在由框体6a的底壁和侧壁划分的凹部中固定有圆盘状的多孔板(未图示)，该多孔板由多孔质陶瓷形成且具有与凹部的内径大致相同的直径。
另外，卡盘工作台6的多孔板经由形成于框体6a的流路而与喷射器等吸引源(未图示)连通。并且，当使该吸引源进行动作时，多孔板的上表面(卡盘工作台6的保持面)附近的空间成为负压。因此，当在支承晶片15的背面15b与卡盘工作台6的保持面接触的状态下使该吸引源进行动作时，支承晶片15的背面15b被吸引而通过卡盘工作台6保持贴合晶片17。
另外，θ台4和卡盘工作台6与第1水平方向移动机构(未图示)连结。当使该第1水平方向移动机构进行动作时，θ台4和卡盘工作台6沿着与铅垂方向垂直的方向(第1水平方向)移动。
另外，在卡盘工作台6的上方设置有切削单元8。切削单元8与第2水平方向移动机构和铅垂方向移动机构连结。当使该第2水平方向移动机构进行动作时，切削单元8沿着与铅垂轴方向和第1水平方向这双方垂直的方向(第2水平方向)移动。另外，当使该铅垂方向移动机构进行动作时，切削单元8沿着铅垂方向移动，即切削单元8进行升降。
切削单元8具有沿着第2水平方向延伸的圆柱状的主轴10。并且，在主轴10的一个端部安装有具有圆环状的切刃的切削刀具12。另外，切削刀具12所包含的切刃的宽度(沿着第2水平方向的长度)比形成于晶片11的外周缘的倒角部的宽度宽。
切削刀具12例如是轮毂型的切削刀具。轮毂型的切削刀具包含由金属等形成的圆环状的基台以及沿着基台的外周缘的圆环状的切刃。另外，该切刃例如由电铸磨具构成，该电铸磨具是将由金刚石或立方晶氮化硼(cBN：cubic Boron Nitride)等形成的磨粒利用镍等结合材料固定而得的。
或者，切削刀具12可以是垫圈型的切削刀具。垫圈型的切削刀具例如由圆环状的切刃构成，该圆环状的切刃是通过由金属、陶瓷或树脂等形成的结合材料固定磨粒而得的。
另外，主轴的另一端部与电动机等旋转驱动源(未图示)连结。当该旋转驱动源进行动作时，主轴10和切削刀具12以通过主轴10的中心且沿着第2水平方向的直线为旋转轴线而旋转。
当在切削装置2中按照将晶片11的倒角部去除的方式对晶片11进行切削时，首先按照使支承晶片15的背面15b的中心与卡盘工作台6的保持面的中心一致的方式将贴合晶片17搬入至卡盘工作台6的保持面。接着，按照通过卡盘工作台6保持贴合晶片17的方式使与卡盘工作台6的多孔板连通的吸引源进行动作。
接着，按照在形成于晶片11的外周缘的倒角部的正上方定位切削刀具12的方式，调整第1水平方向上的卡盘工作台6的位置和/或第2水平方向上的切削单元8的位置。接着，一边使主轴10旋转一边使切削单元8下降，直至切削刀具12的下端到达比晶片11的正面11a低且比支承晶片15的正面15a高的位置。
接着，在保持使主轴10旋转的状态下，按照使卡盘工作台6至少旋转一周的方式使与θ台4连结的旋转驱动源进行动作(参照图3的(B))。由此，将形成于晶片11的外周缘的倒角部和附着于倒角部的粘接剂19去除。通过以上，完成切削步骤(S2)。
另外，在该切削步骤(S2)中，产生切削屑。并且，该切削屑不仅附着于晶片11的背面11c，而且有时从卡盘工作台6侧被吸引而附着于支承晶片15的背面15b。因此，在图2所示的方法中，在切削步骤(S2)之后，对贴合晶片17的两个面进行清洗。
具体而言，对晶片11的背面11c进行清洗(第1清洗步骤：S3)，然后对支承晶片15的背面15b进行清洗(第2清洗步骤：S4)。图4的(A)是示意性示出在清洗装置中实施的第1清洗步骤(S3)的情况的局部剖视侧视图，图4的(B)是示意性示出在清洗装置中实施的第2清洗步骤(S4)的情况的局部剖视侧视图。
图4的(A)和图4的(B)所示的清洗装置14具有圆柱状的主轴16。在该主轴16的上部设置有圆盘状的卡盘工作台18。另外，主轴16与电动机等旋转驱动源(未图示)连结。并且，当使该旋转驱动源进行动作时，主轴16和卡盘工作台18以通过卡盘工作台18的中心且沿着铅垂方向的直线为旋转轴线而旋转。
另外，卡盘工作台18具有由不锈钢等金属材料形成的框体18a。该框体18a具有圆盘状的底壁以及从该底壁的周缘部朝向上方而设置的圆环状的侧壁。并且，在由框体18a的底壁和侧壁划分的凹部中固定有圆盘状的多孔板(未图示)，该多孔板由多孔质陶瓷形成且具有与凹部的内径大致相同的直径。
另外，卡盘工作台18的多孔板经由形成于框体18a的流路而与喷射器等吸引源(未图示)连通。并且，当使该吸引源进行动作时，多孔板的上表面(卡盘工作台18的保持面)附近的空间成为负压。因此，当在支承晶片15的背面15b与卡盘工作台18的保持面接触的状态下使该吸引源进行动作时，支承晶片15的背面15b被吸引而通过卡盘工作台18保持贴合晶片17。
另外，在卡盘工作台18的上方设置有喷嘴单元20。喷嘴单元20具有位于卡盘工作台18的外侧且沿着铅垂方向延伸的筒状的轴部(未图示)。在该轴部的下端部连结有用于使轴部旋转的电动机等旋转驱动源(未图示)。
另外，在该轴部的上端部连接有从轴部的上端部沿着与卡盘工作台18的保持面平行的方向延伸的筒状的臂部20a。在该臂部20a的前端部(未与轴部连接的侧的臂部20a的端部)设置有朝向下方的清洗喷嘴20b。另外，清洗喷嘴20b经由臂部20a和轴部而与清洗用的流体提供源(未图示)连通。
因此，当在将清洗喷嘴20b定位于卡盘工作台18的上方的状态下从流体提供源向清洗喷嘴20b提供清洗用的流体时，从清洗喷嘴20b朝向卡盘工作台18的保持面提供清洗用的流体。该流体包含水。另外，该流体可以是水与空气的混合流体。
在清洗装置14中对晶片11的背面11c进行清洗时，首先按照使支承晶片15的背面15b的中心与卡盘工作台18的保持面的中心一致的方式将贴合晶片17搬入至卡盘工作台18的保持面。另外，可以根据需要，在贴合晶片17的搬入之前，按照使清洗喷嘴20b从卡盘工作台18离开的方式，使与喷嘴单元20的轴部的下端部连结的旋转驱动源进行动作而使该轴部旋转。
接着，按照通过卡盘工作台18保持贴合晶片17的方式使与卡盘工作台18的多孔板连通的吸引源进行动作。接着，按照将清洗喷嘴20b定位于贴合晶片17的上方的期望的位置的方式使与喷嘴单元20的轴部的下端部连结的旋转驱动源进行动作。
接着，一边按照使主轴16和卡盘工作台18旋转的方式使与主轴16连结的旋转驱动源进行动作一边从清洗喷嘴20b朝向晶片11的背面11c提供清洗用的流体(参照图4的(A))。由此，完成第1清洗步骤(S3)，能够将附着于晶片11的背面11c的切削屑去除。
接着，使与卡盘工作台18的多孔板连通的吸引源的动作停止。接着，按照使晶片11的背面11c的中心与卡盘工作台18的保持面的中心一致的方式使贴合晶片17翻转。另外，可以根据需要，在贴合晶片17的翻转之前，按照使清洗喷嘴20b从卡盘工作台18离开的方式使与喷嘴单元20的轴部的下端部连结的旋转驱动源进行动作而使该轴部旋转。
接着，按照通过卡盘工作台18保持贴合晶片17的方式使与卡盘工作台18的多孔板连通的吸引源进行动作。接着，按照将清洗喷嘴20b定位于贴合晶片17的上方的期望的位置的方式使与喷嘴单元20的轴部的下端部连结的旋转驱动源进行动作。
接着，一边按照使主轴16和卡盘工作台18旋转的方式使与主轴16连结的旋转驱动源进行动作，一边从清洗喷嘴20b朝向支承晶片15的背面15b提供清洗用的流体(参照图4的(B))。由此，完成第2清洗步骤(S4)，能够将附着于支承晶片15的背面15b的切削屑去除。
另外，在第2清洗步骤(S4)中，在晶片11的背面11c被吸引的状态下对支承晶片15的背面15b进行清洗，因此有时在晶片11的背面11c上形成损伤且/或附着切削屑等异物。但是，晶片11的背面11c侧在后述的磨削步骤(S5)中被磨削，因此这些情况不会成为问题。
接着，以通过对支承晶片15的背面15b进行吸引而保持着贴合晶片17的状态，对晶片11的背面11c侧进行磨削(磨削步骤：S5)。图5的(A)是示意性示出在磨削装置中实施的磨削步骤(S5)的情况的局部剖视侧视图。
图5的(A)所示的磨削装置22具有圆盘状的卡盘工作台24。该卡盘工作台24具有由陶瓷等形成的框体24a。该框体24a具有圆盘状的底壁以及从该底壁的周缘部朝向上方而设置的圆环状的侧壁。
并且，在由框体24a的底壁和侧壁划分的凹部中固定有圆盘状的多孔板24b，该多孔板24b由多孔质陶瓷形成且具有与凹部的内径大致相同的直径。该多孔板24b的下表面大致平坦，其上表面成为中央比外周缘略微突出的形状、即成为相当于圆锥的侧面的形状。
另外，多孔板24b经由形成于框体24a的流路而与喷射器等吸引源(未图示)连通。并且，当使该吸引源进行动作时，多孔板24b的上表面(卡盘工作台24的保持面)附近的空间成为负压。因此，当在支承晶片15的背面15b与卡盘工作台24的保持面接触的状态下使该吸引源进行动作时，支承晶片15的背面15b被吸引而通过卡盘工作台24保持贴合晶片17。
另外，在卡盘工作台24的下部连结有圆柱状的主轴26的上部。另外，卡盘工作台24能够从主轴26取下。该主轴26的下部与电动机等旋转驱动源(未图示)连结。并且，当使该旋转驱动源进行动作时，主轴26和卡盘工作台24以通过卡盘工作台24的保持面的中心且沿着主轴26延伸的方向的直线为旋转轴线而旋转。
在卡盘工作台24的下方设置有对卡盘工作台24进行支承的环状的轴承28。在该轴承28的下方固定有环状的支承板30。并且，轴承28以卡盘工作台24能够相对于支承板30旋转的方式支承卡盘工作台24。另外，在支承板30的下方设置有环状的工作台基座32。
主轴26位于设置于轴承28、支承板30和工作台基座32各自的中央的开口。另外，在工作台基座32的下表面侧按照沿着工作台基座32的下表面的周向相互分开的方式设置有三个支承机构(固定支承机构34a、第1可动支承机构34b和第2可动支承机构34c)。另外，在本说明书中，将这三个支承机构统称为倾斜调整单元34。
工作台基座32支承于固定支承机构34a、第1可动支承机构34b和第2可动支承机构34c。固定支承机构34a具有规定的长度的支柱(固定轴)。该支柱的上部对固定于工作台基座32的下表面的上部支承体进行支承，该支柱的下部固定于支承基座。
第1可动支承机构34b和第2可动支承机构34c分别具有在前端部形成有外螺纹的支柱(可动轴)36。该支柱36的前端部(上部)以能够旋转的方式连结于固定在工作台基座32的下表面的上部支承体38。具体而言，上部支承体38是具有内螺纹的杆等金属制柱状部件，支柱36的外螺纹以能够旋转的方式与上部支承体38的内螺纹螺合。
在第1可动支承机构34b和第2可动支承机构34c的支柱36的基端部(下部)设置有具有规定的直径的圆环状的轴承40。该轴承40的一部分支承于阶梯状的支承板42。并且，第1可动支承机构34b和第2可动支承机构34c分别支承于支承板42。
另外，在支柱36的下部连结有使支柱36旋转的电动机44。并且，当按照使与上部支承体38螺合的支柱36旋松的方式使电动机44进行动作时，上部支承体38上升。另外，当按照使与上部支承体38螺合的支柱36旋紧的方式使电动机44进行动作时，上部支承体38下降。
因此，在磨削装置22中，分别通过第1可动支承机构34b和第2可动支承机构34c使上部支承体38升降，由此能够调整工作台基座32(即、卡盘工作台24)的倾斜。
另外，卡盘工作台24与水平方向移动机构(未图示)连结。并且，当使该水平方向移动机构进行动作时，卡盘工作台24沿着与铅垂方向垂直的方向(水平方向)移动。
在卡盘工作台24的上方设置有磨削单元46。该磨削单元46与铅垂方向移动机构(未图示)连结。并且，当使该铅垂方向移动机构进行动作时，磨削单元46沿着铅垂方向移动。另外，磨削单元46具有沿着铅垂方向延伸的圆柱状的主轴48。
在该主轴48的前端部(下端部)固定有由不锈钢等形成的圆盘状的磨轮安装座50的上表面。另外，在磨轮安装座50的下部以能够取下的方式安装有直径与磨轮安装座50大致相等的圆环状的磨削磨轮52。
磨削磨轮52具有圆环状的磨轮基台54。该磨轮基台54例如由不锈钢等形成，在其下表面侧沿着磨轮基台54的周向大致以等间隔配置有多个磨削磨具56。
另外，主轴48的基端部(上端部)与电动机等旋转驱动源(未图示)连结。并且，当该旋转驱动源进行动作时，主轴48、磨轮安装座50和磨削磨轮52以通过主轴48的中心且沿着铅垂方向的直线为旋转轴线而旋转。
在磨削装置22中对晶片11的背面11c侧进行磨削时，首先按照将卡盘工作台24定位于远离磨削磨轮52且能够将贴合晶片17搬入至卡盘工作台24的保持面的位置的方式通过水平方向移动机构使卡盘工作台24移动。
接着，按照使支承晶片15的背面15b的中心与卡盘工作台24的保持面的中心一致的方式将贴合晶片17搬入至卡盘工作台24的保持面。接着，按照通过卡盘工作台24保持贴合晶片17的方式使与多孔板24b连通的吸引源进行动作。
接着，对卡盘工作台24的倾斜进行调整。具体而言，按照使将卡盘工作台24的保持面的外周中的最高的点与保持面的中心连结的线段与铅垂方向垂直的方式，通过倾斜调整单元34对卡盘工作台24的倾斜进行调整。
接着，按照俯视时使磨削磨轮52旋转时的多个磨削磨具56的轨迹与上述线段的一端和另一端重叠的方式，通过水平方向移动机构使卡盘工作台24移动。接着，按照使磨削磨轮52旋转的方式使与主轴48的基端部连结的旋转驱动源进行动作且按照使卡盘工作台24旋转的方式使与主轴26的下部连结的旋转驱动源进行动作。
接着，在保持使磨削磨轮52和卡盘工作台24旋转的状态下，按照使多个磨削磨具56的下表面与晶片11的背面11c接触的方式，通过铅垂方向移动机构使磨削单元46下降。由此，通过多个磨削磨具56对晶片11的背面11c侧进行磨削。
并且，该磨削持续至贴合晶片17成为期望的厚度为止。即，铅垂方向移动机构使磨削单元46下降直至贴合晶片17成为期望的厚度为止。通过以上，完成磨削步骤(S5)。
图5的(B)是示意性示出磨削步骤(S5)完成后的贴合晶片17的剖视图。该磨削步骤(S5)在将附着于形成在晶片11的外周缘的倒角部的粘接剂19去除之后进行。因此，能够防止粘接剂19伴随该磨削被拉出而使贴合晶片17破损。
图2所示的贴合晶片的加工方法具有如下的第2清洗步骤(S4)：在以通过对支承晶片15的背面15b进行吸引而保持着贴合晶片17的状态对晶片11进行切削的切削步骤(S2)与以同样的状态对晶片11的背面11c侧进行磨削的磨削步骤(S5)之间，对支承晶片15的背面15b进行清洗。
因此，在该方法中，能够在磨削步骤(S5)之前的第2清洗步骤(S4)中将附着于支承晶片15的背面15b的切削屑冲掉。其结果是，在该方法中，能够防止在磨削步骤(S5)中在晶片11的背面11c上形成凹痕且/或使晶片11破损。
图6是示意性示出包含与晶片11不同的晶片(第2晶片)的贴合晶片的加工方法的一例的流程图。具体而言，图6是示意性示出包含层叠的两张晶片(晶片11和第2晶片)的贴合晶片的加工方法的一例的流程图。另外，图7的(A)是示意性示出这样的贴合晶片的一例的剖视图。
在图6所示的方法中，首先将第2晶片21的正面21a与贴合磨削后的晶片11的背面11c贴合而形成贴合晶片23(第2贴合步骤：S6)。在该第2贴合步骤(S1)中，例如将第2晶片21的正面21a按压于粘贴有粘接剂25的晶片11的背面11c，由此形成贴合晶片23(参照图7的(A))。
另外，第2晶片21具有与贴合于支承晶片15前的晶片11同样的构造。另外，在第2晶片21的正面21a侧可以形成有与形成于晶片11的正面11a侧的器件连接的器件，也可以形成有与形成于晶片11的正面11a侧的器件独立的器件。另外，粘接剂25例如是丙烯酸系粘接剂或环氧系粘接剂。
接着，以通过对支承晶片15的背面15b进行吸引而保持着贴合晶片23的状态按照将第2晶片21的倒角部去除的方式对第2晶片21进行切削(第2切削步骤：S7)。另外，第2切削步骤(S7)例如与上述切削步骤(S2)同样地进行。因此，省略对第2切削步骤(S7)的详细说明。
另外，在该第2切削步骤(S7)中产生切削屑。并且，该切削屑不仅附着于第2晶片21的背面21b，而且有时附着于支承晶片15的背面15b。因此，在图6所示的方法中，在第2切削步骤(S7)之后对贴合晶片17的两个面进行清洗。
具体而言，对第2晶片21的背面21b进行清洗(第3清洗步骤：S8)，然后对支承晶片15的背面15b进行清洗(第4清洗步骤：S9)。另外，第3清洗步骤(S8)和第4清洗步骤(S9)例如与上述的第1清洗步骤(S3)和第2清洗步骤(S4)同样地进行。因此，省略对第3清洗步骤(S8)和第4清洗步骤(S9)的详细说明。
接着，以通过对支承晶片15的背面15b进行吸引而保持着贴合晶片23的状态对第2晶片21的背面21b侧进行磨削(第2磨削步骤：S10)。另外，第2磨削步骤(S10)例如与上述磨削步骤(S5)同样地进行。因此，省略对第2磨削步骤(S10)的详细说明。
图7的(B)是示意性示出第2磨削步骤(S10)完成后的贴合晶片23的剖视图。该第2磨削步骤(S10)在将附着于形成在第2晶片21的外周缘的倒角部的粘接剂25去除之后进行。因此，能够防止粘接剂25伴随该磨削被拉出而使贴合晶片23破损。
另外，在图6所示的贴合晶片的加工方法中，与图2所示的贴合晶片的加工方法同样地，能够防止在第2磨削步骤(S10)中在第2晶片21的背面21b上形成凹痕且/或使第2晶片21破损。
另外，在本发明中，通过重复图6所示的方法，也能够形成包含层叠的三张以上的晶片的贴合晶片。除此以外，上述实施方式的构造和方法等只要不脱离本发明的目的的范围，则可以适当地变更并实施。

Claims (1)

1.一种贴合晶片的加工方法，该贴合晶片包含：
晶片，其在正面侧形成有多个器件且在外周缘具有倒角部；以及
支承晶片，其具有与该晶片的该正面贴合的正面，
其中，
该贴合晶片的加工方法具有如下的步骤：
切削步骤，在通过对该支承晶片的背面进行吸引而保持着该贴合晶片的状态下按照将该晶片的该倒角部去除的方式对该晶片进行切削；
清洗步骤，在该切削步骤之后，对该支承晶片的该背面进行清洗；以及
磨削步骤，在该清洗步骤之后，在通过对该支承晶片的该背面进行吸引而保持着该贴合晶片的状态下对该晶片的背面侧进行磨削。
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