TW202242987A - 晶圓的切割方法 - Google Patents

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Abstract

[課題]提供一種晶圓的切割方法，其能適當地切割具有凹部之晶圓。[解決手段]一種晶圓的切割方法，其切割在中央部具備圓形的凹部且在外周部具備圍繞凹部之環狀的凸部之晶圓，且包含：膠膜黏貼步驟，其沿著凹部及凸部黏貼黏著膠膜；保持步驟，其藉由在具有直徑比凹部更小的保持面之卡盤台的保持面吸引黏貼於凹部之黏著膠膜，而透過黏著膠膜，藉由卡盤台保持晶圓；以及切割步驟，其在凸部未被固定之狀態下，使旋轉之切割刀片以到達黏貼於凹部之黏著膠膜之方式切入晶圓，並使卡盤台旋轉，藉此將凹部與凸部分離。

Description

晶圓的切割方法
本發明關於晶圓的切割方法。
在元件晶片的製造程序中，使用在正面側具備元件區域之晶圓，所述元件區域係在由排列成格子狀之多條切割道（分割預定線）所劃分之多個區域分別形成有元件。藉由沿著切割道分割此晶圓，而得到分別具備元件之多個元件晶片。元件晶片被裝配於行動電話、個人電腦等各式各樣的電子設備。
近年來，隨著電子設備的小型化，而要求元件晶片的薄型化。於此，有時會在晶圓的分割前實施將晶圓薄化之加工。在晶圓的薄化中，例如使用研削裝置。研削裝置具備：卡盤台，其保持被加工物；以及研削單元，其對被加工物施行研削加工，並且，在研削單元裝設包含研削磨石之研削輪。研削裝置藉由使研削磨石與被卡盤台保持之晶圓的背面側接觸，而將晶圓進行研削、薄化。
若將晶圓進行研削並薄化，則晶圓的剛性降低，其後的晶圓的處理（搬送、保持等）會變得困難。於是，已提案一種方法，其僅將晶圓的背面側之中與元件區域重疊之區域進行研削並薄化。若使用此手法，則在晶圓的中央部形成凹部，另一方面，晶圓的外周部未經薄化而維持在厚的狀態，並殘留作為環狀的凸部。其結果，晶圓的外周部（凸部）發揮作為補強部的功能，能抑制研削後的晶圓的剛性降低。
經薄化之晶圓最後會被分割成多個元件晶片。此時，殘留於晶圓的外周部之環狀的凸部係以不妨礙分割之方式被預先去除。在晶圓的凸部的去除中，例如能使用以環狀的切割刀片切割被加工物之切割裝置。藉由以切割刀片環狀地切割晶圓，而將晶圓的中央部（凹部）與外周部（凸部）分離。
在藉由切割裝置而將具有凹部之晶圓進行加工之際，藉由裝配於切割裝置之專用的卡盤台保持晶圓。在專利文獻1中公開了一種卡盤台，其具備嵌入晶圓的凹部之豎起部（凸部）。若將晶圓配置於此卡盤台上，則晶圓的凹部被豎起部支撐，並晶圓的外周部被設置於豎起部的周圍之間隔件支撐。藉此，晶圓在平坦的狀態下被卡盤台保持。 [習知技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2013-98248號公報
[發明所欲解決的課題] 一般而言，為了以切割裝置適當地加工具有凹部之晶圓，認為不可缺少要藉由卡盤台保持晶圓的整體。而且，具代表性的是使用具備凸部（豎起部）之卡盤台，所述凸部（豎起部）係與如前述般的晶圓的凹部對應。但是，若晶圓的凹部的深度與卡盤台的凸部的突出量（高度）存在差異，則晶圓無法保持平坦而成為彎曲之狀態，尤其會在晶圓的凹部與外周部的邊界附近施加局部性的應力。若在此狀態下以切割刀片切割晶圓，則容易發生崩裂（崩缺）等加工不良。
因此，卡盤台的凸部被形成為其突出量盡可能地與晶圓的凹部的深度一致。然而，晶圓的厚度、晶圓的凹部的深度、黏貼於晶圓之膠膜（切割膠膜）的厚度、卡盤台的尺寸等存在偏差，用於在卡盤台形成凸部之加工的精度亦存在極限。由於此種各式各樣的原因，而難以使晶圓的凹部的深度與卡盤台的凸部的突出量嚴謹地一致，事實上多為在兩者之間產生10μm以上的誤差。其結果，有時具有凹部之晶圓會在略微彎曲之狀態下固定於卡盤台，而無法充分地抑制加工不良的發生。
並且，晶圓的凹部的深度係因應晶圓的種類（直徑、厚度、材質等）而異。因此，每當成為加工對象之晶圓的種類被變更時，也需要變更卡盤台的凸部的突出量。藉此，卡盤台的準備或更換會耗費人工與成本，由切割裝置所進行之晶圓的加工效率也會降低。
本發明係鑑於此問題所完成者，且目的在於提供一種晶圓的切割方法，其能適當地切割具有凹部之晶圓。
[解決課題的技術手段] 根據本發明之一態樣，提供一種晶圓的切割方法，其切割在中央部具備圓形的凹部且在外周部具備圍繞該凹部之環狀的凸部之晶圓，所述晶圓的切割方法包含：膠膜黏貼步驟，其沿著該凹部及該凸部黏貼黏著膠膜；保持步驟，其藉由在具有直徑比該凹部更小的保持面之卡盤台的該保持面吸引黏貼於該凹部之該黏著膠膜，而透過該黏著膠膜並藉由該卡盤台保持該晶圓；以及切割步驟，其在該凸部未被固定之狀態下，使旋轉之切割刀片以到達黏貼於該凹部之該黏著膠膜之方式切入該晶圓，並使該卡盤台旋轉，藉此將該凹部與該凸部分離。
此外，較佳為，在該膠膜黏貼步驟中，透過該黏著膠膜而以環狀的框架支撐該晶圓，在該切割步驟中，在該凸部及該框架未被固定之狀態下，使該切割刀片切入該晶圓。
[發明功效] 在本發明的一態樣之晶圓的切割方法中，在晶圓的凸部（外周部）未被固定之狀態下，使切割刀片切入晶圓而將凹部（中央部）與凸部（外周部）分離。藉此，減低在切割時之晶圓的應力，並抑制加工不良的發生。
以下，一邊參照隨附圖式，一邊說明本發明的一態樣之實施方式。首先，說明能使用本實施方式之晶圓的切割方法進行加工之晶圓的構成例。圖1（A）係表示晶圓11的正面側之立體圖，圖1（B）係表示晶圓11的背面側之立體圖。
例如晶圓11為以矽等半導體而成之圓盤狀的基板，且具備相互大致平行的正面11a及背面11b。晶圓11係藉由以相互交叉之方式排列成格子狀之多條切割道（分割預定線）13而被劃分成多個矩形狀的區域。並且，在藉由切割道13所劃分之區域的正面11a側分別形成有IC（Integrated Circuit，積體電路）、LSI（Large Scale Integration，大型積體電路）、LED（Light Emitting Diode，發光二極體）、MEMS（Micro Electro Mechanical Systems，微機電系統）元件等元件15。
晶圓11在正面11a側具備：大致圓形的元件區域17A，其形成有多個元件15；以及環狀的外周剩餘區域17B，其包圍元件區域17A。外周剩餘區域17B相當於包含正面11a的外周緣之預定的寬度（例如2mm左右）的環狀的區域。在圖1（A）中，以二點鏈線表示元件區域17A與外周剩餘區域17B的邊界。
此外，晶圓11的材質、形狀、構造、大小等並無限制。例如晶圓11亦可為以矽以外的半導體（GaAs、InP、GaN、SiC等）、玻璃、陶瓷、樹脂、金屬等而成之基板。並且，元件15的種類、數量、形狀、構造、大小、配置等亦無限制。
藉由沿著切割道13格子狀地分割晶圓11，而製造分別具備元件15之多個元件晶片。並且，藉由對分割前的晶圓11施行薄化處理，而得到經薄型化之元件晶片。
在晶圓11的薄化中，例如能使用研削裝置。研削裝置具備：卡盤台（保持台），其保持被加工物；以及研削單元，其對被加工物施行研削加工，並且，在研削單元裝設包含研削磨石之研削輪。若藉由卡盤台保持晶圓11，一邊使卡盤台及研削輪分別旋轉一邊使研削磨石與晶圓11的背面11b側接觸，則晶圓11的背面11b側被研削，晶圓11被薄化。
但是，若晶圓11的背面11b側的整體被研削，則晶圓11的整體被薄化而晶圓11的剛性降低，其後的晶圓11的處理（搬送、保持等）變得困難。因此，薄化處理（研削加工）有時僅在晶圓11的背面11b側的一部分區域施行。
例如晶圓11僅中央部被研削、薄化。此情形，如圖1（B）所示，在晶圓11的背面11b形成圓形的凹部（槽）19。凹部19設置於與元件區域17A對應之位置。具體而言，凹部19的大小（直徑）被設定成與元件區域17A的大小（直徑）大致相同，凹部19形成於與元件區域17A重疊之位置。
凹部19包含：圓形的底面19a，其與晶圓11的正面11a及背面11b大致平行；以及環狀的側面（內壁）19b，其與晶圓11的厚度方向大致平行且與背面11b及底面19a連接。並且，在晶圓11的外周部殘留有環狀的凸部（補強部）21，所述環狀的凸部21相當於未施行薄化處理（研削加工）之區域。凸部21包含外周剩餘區域17B，且圍繞元件區域17A及凹部19。
若僅將晶圓11的中央部薄化，則將晶圓11的外周部（凸部21）維持在厚的狀態。藉此，能抑制晶圓11的剛性的降低，而變得不易發生在處理晶圓11之際的晶圓11的變形、破損等。亦即，凸部21發揮作為補強晶圓11之補強區域的功能。
接著，說明用於將具有凹部19之晶圓11分割成多個元件晶片之晶圓的切割方法的具體例。在本實施方式中，首先，將黏著膠膜黏貼於晶圓11（膠膜黏貼步驟）。圖2（A）係表示黏貼有黏著膠膜23之晶圓11之立體圖，圖2（B）係表示黏貼有黏著膠膜23之晶圓11之剖面圖。
在晶圓11的背面11b側黏貼有尺寸能覆蓋晶圓11的背面11b側的整體之黏著膠膜23。例如，直徑大於晶圓11之圓形的黏著膠膜23係以覆蓋晶圓11的背面11b側之方式進行黏貼。作為黏著膠膜23，可使用包含圓形的基材與設置於基材上之黏著層（糊層）之柔軟的薄膜。例如，基材係以聚烯烴、聚氯乙烯、聚對苯二甲酸乙二酯等樹脂而成，黏著層係以環氧樹脂系、丙烯酸系或橡膠系的接著劑等而成。並且，作為黏著層，亦可使用藉由紫外線的照射而硬化之紫外線硬化型的樹脂。
黏著膠膜23係沿著晶圓11的背面11b側的輪廓進行黏貼。亦即，如圖2（B）所示，黏著膠膜23係沿著（順著）凹部19的底面19a及側面19b與凸部21的背面（下表面）進行黏貼。此外，圖2（B）中，圖示在凹部19的外周部於底面19a及側面19b與黏著膠膜23之間存在略微的間隙（空間）之情形，但黏著膠膜23亦可以與底面19a及側面19b密接之方式進行黏貼。
在黏著膠膜23的外周部黏貼有以SUS（不鏽鋼）等金屬而成之環狀的框架25。在框架25的中央部設置有將框架25在厚度方向貫通之圓形的開口25a。此外，開口25a的直徑大於晶圓11的直徑。然後，將黏著膠膜23的中央部黏貼在配置於開口25a的內側之晶圓11的背面11b側，並將黏著膠膜23的外周部黏貼在框架25。藉此，晶圓11透過黏著膠膜23而被框架25支撐，構成晶圓11、黏著膠膜23及框架25已一體化之框架單元（工件套組）。
藉由切割裝置將黏貼有黏著膠膜23之晶圓11進行切割。圖3係表示切割裝置2之立體圖。在圖3中，X軸方向（加工進給方向、第一水平方向）與Y軸方向（分度進給方向、第二水平方向）係相互垂直的方向。並且，Z軸方向（垂直方向、上下方向、高度方向）係與X軸方向及Y軸方向垂直的方向。切割裝置2具備：卡盤台（保持台）4，其保持晶圓11；以及切割單元10，其切割被卡盤台4保持之晶圓11。
卡盤台4的上表面為與水平方向（XY平面方向）大致平行的平坦面，且構成保持晶圓11之圓形的保持面4a（參照圖4）。並且，在卡盤台4連結有：滾珠螺桿式的移動機構（未圖示），其使卡盤台4沿著X軸方向移動；以及馬達等旋轉驅動源（未圖示），其使卡盤台4繞著與Z軸方向大致平行的旋轉軸旋轉。
在卡盤台4的上方配置有切割單元10。切割單元10具備筒狀的外殼12，在外殼12容納有沿著Y軸方向配置之圓柱狀的主軸14（參照圖4）。主軸14的前端部（一端部）在外殼12的外部露出，在主軸14的基端部（另一端部）連結有馬達等旋轉驅動源。
在主軸14的前端部裝設環狀的切割刀片16。切割刀片16藉由從旋轉驅動源透過主軸14所傳達之動力，而以預定的旋轉速度繞著與Y軸方向大致平行的旋轉軸旋轉。
作為切割刀片16，例如能使用輪轂型的切割刀片（輪轂刀片）。輪轂刀片係環狀的基台與環狀的切刃成為一體所構成，所述環狀的基台係以金屬等而成，所述環狀的切刃係沿著基台的外周緣而形成。輪轂刀片的切刃係藉由電鑄磨石所構成，所述電鑄磨石係藉由鍍鎳層等結合材固定以金剛石等而成之磨粒而成。但是，亦可使用墊圈型的切割刀片（墊圈刀片）作為切割刀片16。墊圈刀片係僅藉由環狀的切刃所構成，所述環狀的切刃係藉由以金屬、陶瓷、樹脂等而成之結合材固定磨粒而成。
裝設於切割單元10之切割刀片16被固定於外殼12之刀片蓋18所覆蓋。刀片蓋18具備：一對連接部20，其等係與供給純水等液體（切割液）之導管（未圖示）連接；以及一對噴嘴22，其等係與一對連接部20連接且分別配置於切割刀片16的兩面側（正背面側）。在一對噴嘴22分別形成有朝向切割刀片16開口之供給口（未圖示）。
若將切割液供給至連接部20，則切割液流入一對噴嘴22，從一對噴嘴22的供給口朝向切割刀片16的兩面（正背面）供給切割液。藉由此切割液而冷卻晶圓11及切割刀片16且沖洗藉由切割加工所生成之屑（切割屑）。
在切割單元10連結有滾珠螺桿式的移動機構（未圖示）。移動機構使切割單元10沿著Y軸方向及Z軸方向移動。藉由移動機構而調節切割刀片16在分度進給方向之位置、切割刀片16往晶圓11切入的深度等。
以切割裝置2將晶圓11進行加工之際，首先，透過黏著膠膜23，藉由卡盤台4保持晶圓11（保持步驟）。圖4係表示被卡盤台4保持晶圓11之剖面圖。
卡盤台4具備以SUS等金屬、玻璃、陶瓷、樹脂等而成之圓柱狀的框體（主體部）6。在框體6的中央部的上表面6a側形成有圓柱狀的凹部（槽）6b，在凹部6b嵌入有圓盤狀的保持構件8。保持構件8係以多孔陶瓷等多孔質材料而成之構件，在其內部包含從保持構件8的上表面連通至下表面之空孔（流路）。
保持構件8透過形成於框體6的內部之流路（未圖示）、閥（未圖示）等而與噴射器等吸引源（未圖示）連接。並且，保持構件8的上表面構成吸引晶圓11之圓形的吸引面8a。框體6的上表面6a與保持構件8的吸引面8a配置於大致同一平面上，並構成卡盤台4的保持面4a。
晶圓11以正面11a側在上方露出之方式配置於卡盤台4上。此外，卡盤台4被構成為能以保持面4a保持晶圓11的凹部19的底面19a。具體而言，保持面4a的直徑小於凹部19的直徑。然後，若將晶圓11配置於卡盤台4上，則卡盤台4的保持面4a側嵌入凹部19。藉此，凹部19的底面19a透過黏著膠膜23而被保持面4a支撐。
在晶圓11配置於卡盤台4上之狀態下，若使吸引源的負壓（吸引力）作用於保持構件8，則黏著膠膜23之中黏貼於凹部19的底面19a之區域被吸引面8a吸引。藉此，晶圓11透過黏著膠膜23而被卡盤台4吸引保持。
此外，若在吸引力未作用於吸引面8a之狀態下將晶圓11配置於保持面4a上，則有時藉由晶圓11的凸部21的本身重量，而晶圓11成為往上彎曲成凸狀之狀態。然而，若使吸引力作用於吸引面8a，則凹部19的底面19a沿著保持面4a而被平坦地支撐。其結果，晶圓11的彎曲被矯正，晶圓11成為整體大致平坦的狀態。
在此，在比卡盤台4的保持面4a的外周緣更靠保持面4a的半徑方向外側的區域，未設置有保持晶圓11、黏著膠膜23或框架25之構件（卡盤台4的一部分、其他保持構件等）。因此，藉由卡盤台4保持晶圓11之際，晶圓11的凸部21、黏著膠膜23的外周部及框架25成為未被固定而浮起之狀態。
但是，切割裝置2有時具備設置於卡盤台4的周圍且握持並固定框架25之多個夾具（未圖示）。此情形，在保持步驟及後述的切割步驟中，設為未以夾具握持框架25而放開之狀態。
接著，藉由切割刀片16而切割晶圓11，並將晶圓11的凹部19與凸部21分離（切割步驟）。在切割步驟中，在使切割刀片16切入晶圓11之狀態下使卡盤台4旋轉，藉此環狀地切割晶圓11。此外，在切割步驟中，維持在晶圓11的凸部21、黏著膠膜23的外周部及框架25未被固定而浮起之狀態（參照圖4）。
首先，使旋轉之切割刀片16切入晶圓11。圖5（A）係表示切割刀片16已切入之狀態的晶圓11之立體圖，圖5（B）係表示切割刀片16已切入之狀態的晶圓11之剖面圖。使切割刀片16切入晶圓11之際，將卡盤台4配置於切割單元10的下方。然後，以切割刀片16與晶圓11的凹部19的外周部重疊之方式，調節卡盤台4及切割單元10的位置。
接著，一邊使切割刀片16旋轉，一邊使切割單元10朝向卡盤台4下降。藉此，切割刀片16切入晶圓11的正面11a側。然後，切割單元10下降直至切割刀片16的下端到達黏貼於凹部19的底面19a之黏著膠膜23為止。此時的晶圓11的正面11a與切割刀片16的下端的高度之差相當於切割刀片16往晶圓11切入的深度。
圖6係表示晶圓11的外周部之放大剖面圖。晶圓11中包含與晶圓11的凹部19重疊之區域A～D。區域A為與保持構件8的吸引面8a重疊之區域，區域B為與框體6的上表面6a重疊之區域，區域C、D為未與保持面4a重疊之區域。並且，區域C為與凹部19的底面19a及黏著膠膜23接觸之區域重疊之區域。區域D為與凹部19的底面19a及黏著膠膜23未接觸之區域（底面19a及側面19b與黏著膠膜23之間的間隙）重疊之區域。
例如切割刀片16切入晶圓11的區域B。藉此，可一邊在晶圓11的中央部確保大面積的元件區域17A，一邊切割晶圓11之中被框體6確實地支撐之區域。但是，亦可使切割刀片16切入區域A、區域C或區域D。
接著，使切割刀片16維持旋轉並使卡盤台4旋轉。圖7（A）係表示卡盤台4旋轉之際的晶圓11之立體圖，圖7（B）係表示卡盤台4旋轉之際的晶圓11之剖面圖。
若在切割刀片16已切入晶圓11之狀態下使卡盤台4旋轉一圈，則晶圓11被環狀地切割。其結果，在元件區域17A與外周剩餘區域17B的邊界附近，形成從晶圓11的正面11a至凹部19的底面19a之環狀的切口（kerf）11c。其結果，將晶圓11的中央部（凹部19）與外周部（凸部21）分離。
此外，以切割刀片16切割晶圓11之際，假設若晶圓11的凸部21固定於特定的位置，則藉由卡盤台4的保持面4a與凸部21的固定位置之位置關係的誤差，而晶圓11有時會非預期地彎曲。此情形，應力作用於晶圓11，在使切割刀片16切入晶圓11之際變得容易發生崩裂（崩缺）等加工不良。
另一方面，在本實施方式中，實施切割步驟之際，維持晶圓11的凸部21、黏著膠膜23的外周部及框架25未被固定而浮起之狀態。因此，避免在凸部21固定於特定的位置之情形中會發生之晶圓11的非預期彎曲。並且，切割刀片16與晶圓11接觸之際，凸部21可因應施加於晶圓11之負荷而略微位移。藉此，相較於凸部21被固定之情形，晶圓11的應力減低。其結果，抑制以切割刀片16切割晶圓11之際的加工不良的發生。
若將已從晶圓11分離之環狀的凸部21去除，則在卡盤台4上殘留經薄化之元件區域17A。其後，例如以切割刀片16將晶圓11沿著切割道13進行切割並分割，藉此得到分別具備元件15之多個元件晶片。
如同以上，在本實施方式之晶圓的切割方法中，在晶圓11的凸部21未被固定之狀態下，使切割刀片16切入晶圓11而將凹部19與凸部21分離。藉此，減低在切割時之晶圓11的應力，抑制加工不良的發生。
此外，上述實施方式之構造、方法等，只要在不背離本發明目的之範圍內，即可進行適當變更並實施。
（實施例） 接著，針對使用本發明之晶圓的切割方法所切割之晶圓的評價結果進行說明。在本實施例中，將在以習知的方法保持之狀態下藉由切割刀片16所切割之比較例的晶圓11、與在以本發明的方法保持之狀態下藉由切割刀片16所切割之實施例的晶圓11進行觀察並比較。
使用八吋矽晶圓（厚度0.725mm）作為晶圓11。此外，晶圓11在事前施行薄化處理（研削加工）而形成有凹部19（參照圖1（B）等）。凹部19係以下述方式形成：在晶圓11的外周部殘留寬度2.1mm的環狀的凸部（補強部）21，且晶圓11的元件區域17A之厚度成為0.1mm。準備四片上述的晶圓11，將兩片使用作為比較例之晶圓（晶圓A1、A2），將剩餘的兩片使用作為實施例之晶圓（晶圓B1、B2）。
接著，分別將黏著膠膜23黏貼於晶圓A1、A2、B1、B2（參照圖2（A）及圖2（B））。其後，分別使用切割裝置2（參照圖3）切割晶圓A1、A2、B1、B2。
比較例之晶圓A1、A2係以習知的方法保持並切割。具體而言，晶圓A1、A2的凹部19的底面19a係以卡盤台4的保持面4a（參照圖4）保持。並且，在卡盤台4的保持面4a的外側設置支撐晶圓A1、A2的凸部21的下表面側之環狀的支撐構件（間隔件），並以支撐構件的上表面（保持面）保持凸部21。
此外，支撐構件的保持面定位於比卡盤台4的保持面4a更下方，使保持面4a與支撐構件的保持面之高度差與凹部19的深度一致。然後，以支撐構件的保持面吸引保持黏著膠膜23之中黏貼於凸部21的下面側之區域。亦即，比較例之晶圓A1、A2設為凹部19的底面19a及凸部21被保持之狀態。
另一方面，實施例之晶圓B1、B2係以本發明之方法進行保持並切割。具體而言，如圖4所示，晶圓B1、B2的凹部19的底面19a係以卡盤台4的保持面4a保持，晶圓B1、B2的凸部21設為未保持而浮起之狀態。
接著，分別以切割刀片切割晶圓A1、A2、B1、B2。具體而言，首先，使切割刀片16切入晶圓A1、A2、B1、B2（參照圖5（A）及圖5（B））。此外，使切割刀片16切入與卡盤台4的框體6重疊之區域（圖6的區域B）。並且，切割刀片16的旋轉數（主軸14的旋轉數）設定成30000rpm。
其後，維持切割刀片16的旋轉，使卡盤台4旋轉一圈，環狀地切割晶圓A1、A2、B1、B2（參照圖7（A）及圖7（B））。此外，在切割比較例之晶圓A1及實施例之晶圓B1之際，將卡盤台4的旋轉速度設定成低速（3deg／s）。另一方面，在切割比較例之晶圓A2及實施例之晶圓B2之際，將卡盤台4的旋轉速度設定成高速（15deg／s）。
然後，觀察殘留於切割後的晶圓A1、A2、B1、B2的底面19a側之主要的八個崩裂（崩缺），並測量崩裂的尺寸。具體而言，測量從切口11c（參照圖7（A）及圖7（B））沿著底面19a進展之崩裂在與切口11c垂直的方向（晶圓的直徑方向）的長度，作為崩裂尺寸。並且，從所測量之八個崩裂的尺寸，計算崩裂尺寸的最大值（最大崩裂尺寸）與平均值（平均崩裂尺寸）。
圖8係表示崩裂尺寸的測量結果之圖表。此外，圖表中的點（黑圓標記）、×標記、白圓標記分別表示崩裂尺寸、最大崩裂尺寸、平均崩裂尺寸。
如圖8所示，若與將卡盤台4的旋轉速度設定成低速（3deg／s）而切割之晶圓A1、B1相比較，則藉由以本發明之切割方法切割晶圓，最大崩裂尺寸從55μm減低至30μm，平均崩裂尺寸從39μm減低至20μm。並且，若與將卡盤台4的旋轉速度設定成高速（15deg／s）而切割之晶圓A2、B2相比較，則最大崩裂尺寸從88μm減低至29μm，平均崩裂尺寸從65μm減低至17μm。
以往，為了不使加工不良發生地切割具有凹部19之晶圓11，認為較佳為在保持晶圓11的凹部19及凸部21這兩者之狀態下切割晶圓11。然而，由上述的結果確認到，若在凸部21未被固定而浮起之狀態下切割晶圓11，則有效地減低晶圓11的應力，使崩裂的尺寸大幅地減低。
並且，以習知的方法保持晶圓11之情形，若卡盤台4的旋轉速度上升，則加工時間雖變短，但有崩裂的尺寸增加之傾向（參照晶圓A1、A2）。另一方面，若在凸部21未被固定而浮起之狀態下切割晶圓11，則即使使卡盤台4的旋轉速度上升，亦未發現崩裂的尺寸增大（參照晶圓B1、B2）。藉此，確認本發明之晶圓的切割方法對於加工進給速度的高速化也極有效。
11:晶圓 11a:正面 11b:背面 11c:切口（kerf） 13:切割道（分割預定線） 15:元件 17A:元件區域 17B:外周剩餘區域 19:凹部（槽） 19a:底面 19b:側面（內壁） 21:凸部（補強部） 23:黏著膠膜 25:框架 25a:開口 2:切割裝置 4:卡盤台（保持台） 4a:保持面 6:框體（主體部） 6a:上表面 6b:凹部（槽） 8:保持構件 8a:吸引面 10:切割單元 12:外殼 14:主軸 16:切割刀片 18:刀片蓋 20:連接部 22:噴嘴
圖1（A）係表示晶圓的正面側之立體圖，圖1（B）係表示晶圓的背面側之立體圖。 圖2（A）係表示黏貼有黏著膠膜之晶圓之立體圖，圖2（B）係表示黏貼有黏著膠膜之晶圓之剖面圖。 圖3係表示切割裝置之立體圖。 圖4係表示被卡盤台保持之晶圓之剖面圖。 圖5（A）係表示切割刀片已切入之狀態的晶圓之立體圖，圖5（B）係表示切割刀片已切入之狀態的晶圓之剖面圖。 圖6係表示晶圓的外周部之放大剖面圖。 圖7（A）係表示卡盤台旋轉之際的晶圓之立體圖，圖7（B）係卡盤台旋轉之際的晶圓之剖面圖。 圖8係表示崩裂尺寸的測量結果之圖表。
11:晶圓
11a:正面
11b:背面
13:切割道(分割預定線)
15:元件
17A:元件區域
17B:外周剩餘區域
19:凹部(槽)
19a:底面
19b:側面(內壁)
21:凸部(補強部)

Claims (2)

  1. 一種晶圓的切割方法，其切割在中央部具備圓形的凹部且在外周部具備圍繞該凹部之環狀的凸部之晶圓，且特徵在於包含： 膠膜黏貼步驟，其沿著該凹部及該凸部黏貼黏著膠膜； 保持步驟，其藉由在具有直徑比該凹部更小的保持面之卡盤台的該保持面吸引黏貼於該凹部之該黏著膠膜，而透過該黏著膠膜，藉由該卡盤台保持該晶圓；以及 切割步驟，其在該凸部未被固定之狀態下，使旋轉之切割刀片以到達黏貼於該凹部之該黏著膠膜之方式切入該晶圓，並使該卡盤台旋轉，藉此將該凹部與該凸部分離。
  2. 如請求項1之晶圓的切割方法，其中，在該膠膜黏貼步驟中，透過該黏著膠膜而以環狀的框架支撐該晶圓， 在該切割步驟中，在該凸部及該框架未被固定之狀態下，使該切割刀片切入該晶圓。
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