JP7484926B2 - ポリイミド前駆体、樹脂組成物、感光性樹脂組成物、パターン硬化膜の製造方法、硬化膜、層間絶縁膜、カバーコート層、表面保護膜及び電子部品 - Google Patents
ポリイミド前駆体、樹脂組成物、感光性樹脂組成物、パターン硬化膜の製造方法、硬化膜、層間絶縁膜、カバーコート層、表面保護膜及び電子部品 Download PDFInfo
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Description
近年、電子機器の高性能化やネットワーク技術の飛躍的な進歩に伴い、データ伝送の大容量化、高速化が急速に進み、取り扱われる信号周波数が高周波数化する傾向にある。一般的に周波数が高くなるほど信号の伝送性が損なわれるため、低伝送損失材料の要求が高まっている。しかしながら、特許文献1等に記載の従来のポリイミドでは、そのような要求に十分に応えることができなかった。
本発明によれば、以下のポリイミド前駆体等が提供される。
1.下記式(1)で表される構造単位を有する、ポリイミド前駆体。
式(22)中、R12及びR13は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1~4の脂肪族炭化水素基、又はハロゲン原子を有する炭素数1~4の脂肪族炭化水素基である。
式(23)中、Cyは、炭素数3~10の環状脂肪族炭化水素基である。
式(24)中、X11は、酸素原子又は硫黄原子である。)
Y1に含まれる式(21)で表される2価の基の数をe、式(22)で表される2価の基の数をf、式(23)で表される2価の基の数をg、式(24)で表される2価の基の数をhとしたときに、e≧1、f≧0、g≧0、h≧0であり、e+f+g+h≧4である。
R1及びR2は、それぞれ独立に、水素原子、下記式(2)で表される基、又は炭素数1~4の脂肪族炭化水素基である。
-COOR1基と-CO-基とは互いにオルト位置にあり、-COOR2基と-CONH-基とは互いにオルト位置にある。)
2.Y1が前記式(21)で表される2価の基と、前記式(22)で表される2価の基とを含む、1に記載のポリイミド前駆体。
3.Y1が前記式(21)で表される2価の基と、前記式(24)で表される2価の基とを含む、1又は2に記載のポリイミド前駆体。
4.Y1が前記式(21)で表される2価の基と、前記式(22)で表される2価の基と、前記式(24)で表される2価の基とを含む、1~3のいずれかに記載のポリイミド前駆体。
5.前記式(1)において、e≧3である、1~4のいずれかに記載のポリイミド前駆体。
6.前記式(1)において、e≧3であり、f≧2である、1~5のいずれかに記載のポリイミド前駆体。
7.前記式(1)において、e≧3であり、h≧2である、1~6のいずれかに記載のポリイミド前駆体。
8.前記式(1)において、e≧4である、1~7のいずれかに記載のポリイミド前駆体。
9.前記式(1)において、e+f+g+h≧5である、1~8のいずれかに記載のポリイミド前駆体。
10.前記式(21)において、n=0である、1~9のいずれかに記載のポリイミド前駆体。
11.前記式(22)において、R12及びR13が、それぞれ独立に、メチル基又はトリフルオロメチル基である、1~10のいずれかに記載のポリイミド前駆体。
12.前記式(24)において、X11が酸素原子である、1~11のいずれかに記載のポリイミド前駆体。
13.Y1が、下記式(31)又は(32)で表される2価の基を含む、1~12のいずれかに記載のポリイミド前駆体。
14.Y1が、下記式で表される2価の基のいずれかを含む、1~13のいずれかに記載のポリイミド前駆体。
16.Z3が、エーテル結合(-O-)又はスルフィド結合(-S-)を含む、1~15のいずれかに記載のポリイミド前駆体。
17.Z3が、芳香族炭化水素基を有する2価の基を含む、1~16のいずれかに記載のポリイミド前駆体。
18.Z3が、-O-Ar-O-、-S-Ar-S-、又は-COO-Ar-OOC-(Arは、ベンゼン環を含む2価の基、ナフタレン環を含む2価の基、又はアントラセン環を含む2価の基である。)で表される2価の基を含む、1~17のいずれかに記載のポリイミド前駆体。
19.前記式(1)において、R1及びR2が、それぞれ独立に、水素原子、又は炭素数1~4の脂肪族炭化水素基である、1~18のいずれかに記載のポリイミド前駆体。
20.前記式(1)において、R1及びR2の少なくとも一方が式(2)で表される1価の基である、1~18のいずれかに記載のポリイミド前駆体。
21.1~20のいずれかに記載のポリイミド前駆体を含む樹脂組成物。
22.(A)1~20のいずれかに記載のポリイミド前駆体と、
(B)重合性モノマーと、
(C)光重合開始剤と、
を含む感光性樹脂組成物。
23.22に記載の感光性樹脂組成物を基板上に塗布、乾燥して感光性樹脂膜を形成する工程と、
前記感光性樹脂膜をパターン露光して、樹脂膜を得る工程と、
前記パターン露光後の樹脂膜を、有機溶剤を用いて現像し、パターン樹脂膜を得る工程と、
前記パターン樹脂膜を加熱処理する工程と、
を含むパターン硬化膜の製造方法。
24.前記加熱処理の温度が200℃以下である23に記載のパターン硬化膜の製造方法。
25.22に記載の感光性樹脂組成物を硬化した硬化膜。
26.パターン硬化膜である25に記載の硬化膜。
27.25又は26に記載の硬化膜を用いて作製された層間絶縁膜、カバーコート層又は表面保護膜。
28.27に記載の層間絶縁膜、カバーコート層又は表面保護膜を含む電子部品。
「~」を用いて示された数値範囲は、「~」の前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示す。また、本明細書において組成物中の各成分の含有量は、組成物中に各成分に該当する物質が複数存在する場合、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数の物質の合計量を意味する。さらに、例示材料は特に断らない限り単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
本明細書における「(メタ)アクリル基」とは、「アクリル基」及び「メタクリル基」を意味する。
本発明のポリイミド前駆体は、式(1)で表される構造単位を有する。
式(22)中、R12及びR13は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1~4の脂肪族炭化水素基、又はハロゲン原子を有する炭素数1~4の脂肪族炭化水素基である。
式(23)中、Cyは、炭素数3~10の環状脂肪族炭化水素基である。
式(24)中、X11は、酸素原子又は硫黄原子である。)
Y1に含まれる式(21)で表される2価の基の数をe、式(22)で表される2価の基の数をf、式(23)で表される2価の基の数をg、式(24)で表される2価の基の数をhとしたときに、e≧1、f≧0、g≧0、h≧0であり、e+f+g+h≧4である。
R1及びR2は、それぞれ独立に、水素原子、下記式(2)で表される基、又は炭素数1~4の脂肪族炭化水素基である。
-COOR1基と-CO-基とは互いにオルト位置にあり、-COOR2基と-CONH-基とは互いにオルト位置にある。)
Y1は、式(21)で表される2価の基と、式(22)で表される2価の基とを含んでもよいし、式(21)で表される2価の基と、式(24)で表される2価の基とを含んでもよいし、式(21)で表される2価の基と、式(22)で表される2価の基と、式(24)で表される2価の基とを含んでもよい。
eは好ましくは3以上であり、4以上としてもよい。
Y1に含まれる式(22)で表される2価の基の数fは、例えば、0以上、1以上、2以上又は3以上であり、また、10以下、又は8以下であり得る。fは、1、2、3、4、5、6、7、8、9又は10であり得る。
Y1に含まれる式(23)で表される2価の基の数gは、例えば、0以上、1以上、2以上又は3以上であり、また、10以下、又は8以下であり得る。gは、1、2、3、4、5、6、7、8、9又は10であり得る。
Y1に含まれる式(24)で表される2価の基の数hは、例えば、0以上、1以上、2以上又は3以上であり、また、10以下、又は8以下であり得る。hは、1、2、3、4、5、6、7、8、9又は10であり得る。
Y1において、式(21)で表される2価の基と、式(24)で表される2価の基とが含まれる場合、eを3以上、かつhを2以上としてもよい。
Y1は、下記式(34)又は(35)で表される2価の基を含んでもよい。
他の一実施形態において、Z3は、芳香族炭化水素から形成される2価の基を含むことが好ましく、ベンゼン環から形成される2価の基、ナフタレン環から形成される2価の基及びアントラセン環からから形成される2価の基からなる群から選択される1以上を含むことが好ましい。
(A)成分の重量平均分子量は、例えばゲルパーミエーションクロマトグラフィー法によって測定することができ、標準ポリスチレン検量線を用いて換算することによって求めることができる。
本発明の樹脂組成物(硬化性樹脂組成物)は、上述した本発明のポリアミド前駆体を含む。
樹脂組成物としては、非感光性樹脂組成物及び感光性樹脂組成物が挙げられる。感光性樹脂組成物は、ポジ型感光性樹脂組成物及びネガ型感光性樹脂組成物のいずれであってもよい。
本発明の樹脂組成物は、電子部品用材料として好適に使用できる。
本発明の感光性樹脂組成物は、上述した本発明のポリアミド前駆体(以下、「(A)成分」ともいう。)、(B)重合性モノマー(以下、「(B)成分」ともいう。)、及び(C)光重合開始剤(以下、「(C)成分」ともいう。)を含有し、他の成分も含有し得る。以下、(A)成分以外の各成分について説明する。
(B)成分は、(A)成分と架橋し、又は(B)成分同士が重合して架橋ネットワークを形成する。(B)成分は、重合性の不飽和二重結合を含む基を有することが好ましく、架橋密度向上、光感度向上、及び現像後のパターンの膨潤の抑制のため、2~4(好ましくは2又は3)の重合性の不飽和二重結合を含む基を有することが好ましい。当該基は、好ましくは、光重合開始剤により重合可能である観点から(メタ)アクリル基又はアリル基である。
上記範囲内である場合、実用的なレリ-フパターンが得られやすく、未露光部の現像後残滓を抑制しやすい。
(C)成分としては、例えば、ベンゾフェノン、o-ベンゾイル安息香酸メチル、4-ベンゾイル-4’-メチルジフェニルケトン、ジベンジルケトン、フルオレノン等のベンゾフェノン誘導体;2,2’-ジエトキシアセトフェノン、2-ヒドロキシ-2-メチルプロピオフェノン、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等のアセトフェノン誘導体;チオキサントン、2-メチルチオキサントン、2-イソプロピルチオキサントン、ジエチルチオキサントン等のチオキサントン誘導体;ベンジル、ベンジルジメチルケタール、ベンジル-β-メトキシエチルアセタール等のベンジル誘導体;ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル等のベンゾイン誘導体;1-フェニル-1,2-ブタンジオン-2-(o-メトキシカルボニル)オキシム、1-フェニル-1,2-プロパンジオン-2-(o-メトキシカルボニル)オキシム、1-フェニル-1,2-プロパンジオン-2-(o-エトキシカルボニル)オキシム、1-フェニル-1,2-プロパンジオン-2-(o-ベンゾイル)オキシム、1,3-ジフェニルプロパントリオン-2-(o-エトキシカルボニル)オキシム、1-フェニル-3-エトキシプロパントリオン-2-(o-ベンゾイル)オキシム、エタノン,1-[9-エチル-6-(2-メチルベンゾイル)-9H-カルバゾール-3-イル]-,1-(O-アセチルオキシム)、下記式で表される化合物等のオキシムエステル類等が好ましく挙げられるが、これらに限定されるものではない。光感度の点で、オキシムエステル類が好ましい。
溶剤としては、N-メチル-2-ピロリドン、γ-ブチロラクトン、乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、酢酸ベンジル、n-ブチルアセテート、エトキシエチルプロピオネート、3-メチルメトキシプロピオネート、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホリルアミド、テトラメチレンスルホン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、ジエチルケトン、ジイソブチルケトン、メチルアミルケトン、N-ジメチルモルホリン等が挙げられ、通常、他の成分を充分に溶解できるものであれば特に制限はない。
この中でも、各成分の溶解性と感光性樹脂膜形成時の塗布性に優れる観点から、N-メチル-2-ピロリドン、γ-ブチロラクトン、乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミドを用いることが好ましい。
本発明の感光性樹脂組成物は、さらに、カップリング剤(接着助剤)、界面活性剤又はレベリング剤、防錆剤、及び重合禁止剤等を含有してもよい。
カップリング剤は、通常、現像後の加熱処理において、(A)成分と反応して架橋する、又は加熱処理する工程においてカップリング剤自身が重合する。これにより、得られる硬化物と基板との接着性をより向上させることができる。
低温での硬化を行った際の接着性の発現に優れるため、下記式(61)で表される化合物がより好ましい。
さらにアミノ基を有するシランカップリング剤としては、ビス(2-ヒドロキシメチル)-3-アミノプロピルトリエトキシシラン、ビス(2-ヒドロキシメチル)-3-アミノプロピルトリメトキシシラン、ビス(2-グリシドキシメチル)-3-アミノプロピルトリエトキシシラン、ビス(2-ヒドロキシメチル)-3-アミノプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。
R66-(CH2)q-CO-NH-(CH2)r-Si(OR67)3 (63)
(式(63)中、R66はヒドロキシ基又はグリシジル基であり、q及びrは、それぞれ独立に、1~3の整数であり、R67はメチル基、エチル基又はプロピル基である。)
硬化性樹脂組成物は、界面活性剤又はレベリング剤を含むことで、塗布性(例えばストリエーション(膜厚のムラ)の抑制)及び現像性を向上させることができる。
硬化性樹脂組成物は、防錆剤を含むことで、銅及び銅合金の腐食の抑制や変色の防止ができる。
防錆剤としては、例えば、トリアゾール誘導体及びテトラゾール誘導体等が挙げられる。
硬化性樹脂組成物は、重合禁止剤を含有することで、良好な保存安定性を確保することができる。
重合禁止剤としては、ラジカル重合禁止剤、ラジカル重合抑制剤等が挙げられる。
本発明の感光性樹脂組成物の、例えば、80質量%以上、90質量%以上、95質量%以上、98質量%以上、99質量%以上、99.5質量%以上、99.9質量%以上又は100質量%が、(A)~(C)成分、又は、(A)~(C)成分並びに任意に溶剤、カップリング剤、界面活性剤、レベリング剤、防錆剤、及び重合禁止剤であってもよい。
本発明の硬化物は、本発明の樹脂組成物の硬化することで得ることができる。本発明の硬化物は、パターン硬化膜として用いてもよく、パターンがない硬化膜として用いてもよい。本発明の硬化膜の膜厚は、5~20μmが好ましい。
本発明のパターン硬化膜の製造方法では、上述の感光性樹脂組成物を基板上に塗布、乾燥して感光性樹脂膜を形成する工程と、感光性樹脂膜をパターン露光して、樹脂膜を得る工程と、パターン露光後の樹脂膜を、有機溶剤を用いて現像し、パターン樹脂膜を得る工程と、パターン樹脂膜を加熱処理する工程と、を含む。これにより、パターン硬化膜を得ることができる。
乾燥温度は90~150℃が好ましく、溶解コントラスト確保の観点から、90~120℃がより好ましい。
乾燥時間は、30秒間~5分間が好ましい。
乾燥は、2回以上行ってもよい。
これにより、上述の感光性樹脂組成物を膜状に形成した感光性樹脂膜を得ることができる。
照射する活性光線は、i線、広帯域(BB)等の紫外線、可視光線、放射線等が挙げられるが、i線であることが好ましい。
露光装置としては、平行露光機、投影露光機、ステッパ、スキャナ露光機等を用いることができる。
現像液として用いる有機溶剤は、現像液としては、感光性樹脂膜の良溶媒を単独で、又は良溶媒と貧溶媒を適宜混合して用いることができる。
良溶媒としては、N-メチル-2-ピロリドン、N-アセチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルアセトアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ガンマブチロラクトン、α-アセチル-ガンマブチロラクトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン等が挙げられる。
貧溶媒としては、トルエン、キシレン、メタノール、エタノール、イソプロパノール、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル及び水等が挙げられる。
現像時間は、用いる(A)成分によっても異なるが、10秒間~15分間が好ましく、10秒間~5分間より好ましく、生産性の観点からは、20秒間~5分間がさらに好ましい。
リンス液としては、蒸留水、メタノール、エタノール、イソプロパノール、トルエン、キシレン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル等を単独又は適宜混合して用いてもよく、また段階的に組み合わせて用いてもよい。
(A)成分のポリイミド前駆体が、加熱処理工程によって、閉環反応を起こし、通常対応するポリイミドとなる。
上記範囲内であることにより、基板やデバイスへのダメージを小さく抑えることができ、デバイスを歩留り良く生産することが可能となり、プロセスの省エネルギー化を実現することができる。
加熱処理の雰囲気は大気中であっても、窒素等の不活性雰囲気中であってもよいが、パターン樹脂膜の酸化を防ぐことができる観点から、窒素雰囲気下が好ましい。
本発明の硬化物は、パッシベーション膜、バッファーコート膜、層間絶縁膜、カバーコート層又は表面保護膜等として用いることができる。
上記パッシベーション膜、バッファーコート膜、層間絶縁膜、カバーコート層及び表面保護膜等からなる群から選択される1以上を用いて、信頼性の高い、半導体装置、多層配線板、各種電子デバイス、積層デバイス(マルチダイファンアウトウエハレベルパッケージ等)等の電子部品等を製造することができる。
図1は、本発明の一実施形態に係る電子部品である多層配線構造の半導体装置の製造工程図である。
図1において、回路素子を有するSi基板等の半導体基板1は、回路素子の所定部分を除いてシリコン酸化膜等の保護膜2などで被覆され、露出した回路素子上に第1導体層3が形成される。その後、前記半導体基板1上に層間絶縁膜4が形成される。
次いで、窓6Bから露出した第1導体層3を腐食することなく、感光樹脂層5を腐食するようなエッチング溶液を用いて感光樹脂層5が除去される。
3層以上の多層配線構造を形成する場合には、上述の工程を繰り返して行い、各層を形成することができる。
尚、前記例において、層間絶縁膜を本発明の感光性樹脂組成物を用いて形成することも可能である。
下記の合成実施例及び合成比較例で得られたポリイミド前駆体について、下記の方法で重量平均分子量の測定又は推定を行った。
(重量平均分子量の推定)
重量平均分子量の推定値は、ポリイミド前駆体の合成時における原料アミン成分と原料酸成分の仕込みモル比、各分子量、合成方法及び合成条件に基づいて推定した。
(重量平均分子量の測定)
重量平均分子量(測定値)は、ゲルパーミエーションクロマトグラフ(GPC)法を用いて、標準ポリスチレン換算により、以下の条件で求める。
測定装置:検出器 株式会社日立製作所製L4000UV
ポンプ:株式会社日立製作所製L6000
株式会社島津製作所製C-R4A Chromatopac
測定条件:カラムGelpack GL-S300MDT-5×2本
溶離液:THF/DMF=1/1(容積比)
LiBr(0.03mol/L)、H3PO4(0.06mol/L)
流速:1.0mL/分、検出器:UV270nm
3,3’,4,4’-ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物(ODPA)5.00gをN-メチル-2-ピロリドン(NMP)64.0gに溶解した。2,2-ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]プロパン(BAPP)6.29gを添加した後、室温(23℃、以下同じ)で3時間撹拌してポリイミド前駆体A1を得た。A1の重量平均分子量(推定値)は75,000であった。
ODPA5.00gをNMP58.2gに溶解した。1,3-ビス[2-(4-アミノフェニル)―2-プロピル]ベンゼン(Bisaniline P)5.27gを添加した後、室温で3時間撹拌してポリイミド前駆体A2を得た。ポリイミド前駆体A2の重量平均分子量(推定値)は75,000であった。
ビス(1,3-ジオキソ-1,3-ジヒドロイソベンゾフラン-5-カルボン酸)1,4-フェニレン(TAHQ)5.00gをNMP 52.4gに溶解した。BAPP 4.25gを添加した後、室温で3時間撹拌してポリイミド前駆体A3を得た。また、ポリイミド前駆体A3の重量平均分子量(推定値)は75,000であった。
TAHQ 5.00gをNMP 58.8gに溶解した。2,2-ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]ヘキサフルオロプロパン(6F-BAPP)5.37gを添加した後、室温で5時間撹拌してポリイミド前駆体A4を得た。また、ポリイミド前駆体A4の重量平均分子量(推定値)は75,000であった。
TAHQ 5.00gをNMP 50.0gに溶解した。4,4’-ビス(4-アミノフェノキシ)ビフェニル(BAPB)3.82gを添加した後、室温で5時間撹拌してポリイミド前駆体A5を得た。ポリイミド前駆体A5の重量平均分子量(推定値)は75,000であった。
BAPP 12.1gと、1,3-ビス(3-アミノプロピル)テトラメチルジシロキサン(LP-7100)0.08gをNMP 90gに溶解した。その後、3,3’,4,4’-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物(BTDA)10.00gを加え、60分間撹拌してポリイミド前駆体A6を得た。ポリイミド前駆体A6の重量平均分子量(実測値)を合成実施例1に記載の方法で測定したところ、95,000であった。
1,3-フェニレンジアミン(MPD)1.51gと4,4’-ジアミノジフェニルエーテル(ODA)3.42gをNMP 60gに溶解した。その後、BTDA 10.00gを加え、60分間撹拌してポリイミド前駆体A7を得た。ポリイミド前駆体A7の重量平均分子量(実測値)を合成実施例1に記載の方法で測定したところ、53,000であった。
4,4’-オキシジアニリン(ODA)13.00gと、4,4’-ジアミノ-3-カルボキサミド-ジフェニルエーテル(DDEC)0.88gと、LP-7100 0.90gをNMP 140gに溶解した。その後、ピロメリット酸無水物(PMDA)7.88gと、BTDA 11.64gを加え、60分間撹拌し、ポリイミド前駆体A8を得た。ポリイミド前駆体A8の重量平均分子量(実測値)を合成実施例1に記載の方法で測定したところ、108,000であった。
PMDA 5.00gをNMP 41.7gに溶解した。1,4-フェニレンジアミン(PPD)2.35gを添加した後、室温で3時間撹拌してポリイミド前駆体A9を得た。ポリイミド前駆体A9の重量平均分子量(推定値)は75,000であった。
4,4’-ビフタル酸無水物(S-BPDA)5.00gをNMP 38.2gに溶解した。PPD 1.75gを添加した後、室温で3時間撹拌してポリイミド前駆体A10を得た。ポリイミド前駆体A10の重量平均分子量(測定値)を合成実施例1に記載の方法で測定したところ、52,000であった。
ODPA 47.08g、メタクリル酸2-ヒドロキシエチル(HEMA)5.54gと1,4-ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン0.24gをNMP 380gに溶解し、30℃で1時間撹拌した。BAPP 53.04gをNMP 145gに溶解した溶液を加えた後、30℃で3時間撹拌した。その後室温下で一晩撹拌し、反応溶液を得た。この反応溶液に無水トリフルオロ酢酸を59.70g加え、45℃で3時間撹拌し、HEMA 40.37g及びベンゾキノン0.08gを加え45℃で20時間撹拌した。この反応液を蒸留水に滴下し、沈殿物をろ別して集め、減圧乾燥することによってポリイミド前駆体A11を得た。ポリイミド前駆体A11の重量平均分子量(測定値)を合成実施例1に記載の方法で測定したところ、29,692であった。
ポリイミド前駆体A11のエステル化率(ODPAのカルボキシ基のHEMAとの反応率)を、以下の条件でNMR測定を行い、算出した。エステル化率は、全カルボキシ基及び全カルボキシエステルに対し56モル%又は68モル%であった(残部はカルボキシ基であった)。
測定機器:ブルカー・バイオスピン社製 AV400M
磁場強度:400MHz
基準物質:テトラメチルシラン(TMS)
溶剤:ジメチルスルホキシド(DMSO)
ODPA 46.53g、メタクリル酸2-ヒドロキシエチル(HEMA)5.46gと1,4-ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン0.24gをNMP501.68gに溶解し、30℃で1時間撹拌した。Bisaniline P 38.76gを加えた後、30℃で3時間撹拌した。その後室温下で一晩撹拌し、反応溶液を得た。この反応溶液に無水トリフルオロ酢酸を58.91g加え、45℃で3時間撹拌し、HEMA39.81g及びベンゾキノン0.09gを加え45℃で20時間撹拌した。この反応液を蒸留水に滴下し、沈殿物をろ別して集め、減圧乾燥することによってポリイミド前駆体A12を得た。ポリイミド前駆体A12の重量平均分子量(測定値)は24,800であった。ポリイミド前駆体A12のエステル化率を合成実施例6と同じ方法で測定したところ、53モル%であった。
ODPA 23.54g、メタクリル酸2-ヒドロキシエチル(HEMA)2.77gと1,4-ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン0.12gをNMP 250.00gに溶解し、30℃で1時間撹拌した。1,3-ビス[2-(4-アミノフェニル)-2-プロピル]ベンゼン(Bisaniline M)22.21gをNMP 108.75gに溶解した溶液を加えた後、30℃で3時間撹拌した。その後室温下で一晩撹拌し、反応溶液を得た。この反応溶液に無水トリフルオロ酢酸を29.86g加え、45℃で3時間撹拌し、HEMA20.19g及びベンゾキノン0.04gを加え45℃で20時間撹拌した。この反応液を蒸留水に滴下し、沈殿物をろ別して集め、減圧乾燥することによってポリイミド前駆体A13を得た。ポリイミド前駆体A13の重量平均分子量(測定値)は23,500であった。ポリイミド前駆体A13のエステル化率を合成実施例6と同じ方法で測定したところ、73モル%であった。
ODPA 47.08g、メタクリル酸2-ヒドロキシエチル(HEMA)5.56gと1,4-ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン0.24gをNMP 380.00gに溶解し、30℃で1時間撹拌した。m-トリジン(DMAP)27.44gをNMP 145.00gに溶解した溶液を加えた後、30℃で3時間撹拌した。その後室温下で一晩撹拌し、反応溶液を得た。この反応溶液に無水トリフルオロ酢酸を59.71g加え、45℃で3時間撹拌し、HEMA40.37g及びベンゾキノン0.08gを加え45℃で20時間撹拌した。この反応液を蒸留水に滴下し、沈殿物をろ別して集め、減圧乾燥することによってポリイミド前駆体A14を得た。ポリイミド前駆体A14の重量平均分子量(測定値)を合成実施例1に記載の方法で測定したところ、27,000であった。ポリイミド前駆体A14のエステル化率を合成実施例6と同じ方法で測定したところ、81モル%であった。
・ポリイミド前駆体A1~A14:合成実施例及び合成比較例で得られたポリイミド前駆体A1~A14
・NMP
・「UCT-801」(3-ウレイドプロピルトリエトキシシラン、United Chemical Technologies社製)
・「Taobn」(1,4,4-トリメチル-2,3-ジアザビシクロ[3.2.2]-ノナ-2-エン-N,N-ジクソイド、Hampford Research社製)
合成実施例1~5及び合成比較例1~5における合成完了時の溶液(非感光性樹脂組成物)を以下の各工程で用いた。
得られた樹脂組成物をウエハ(アドバンテック社製)上に塗布し、乾燥して樹脂膜を形成した。次いで、樹脂膜を表1に示す硬化温度で加熱することで硬化して硬化膜を作製した。硬化時間は、硬化温度が200℃、230℃、250℃又は320℃の場合は2時間とし、硬化温度が375℃の場合は1時間とした。
次いで、ウエハに成膜した硬化膜(フィルム)を、カッターを用いて所定の大きさで方形状に切り込みを入れた後、ウエハから硬化膜を剥離して測定用サンプルとした。切り出した硬化膜のサイズは、測定周波数が5GHz又は10GHzの場合は6cm×10cmの方形状に切り出し、20GHzの場合は3cm×7cmの方形状に切り出した。測定用サンプルの膜厚は表1に示す通りである。
(比誘電率Dk及び誘電正接Dfの測定方法)
得られた測定用サンプルを、アジレント・テクノロジー株式会社製「SPDR誘電体共振器」にセットし、測定器にはAgilent Technologies社製ベクトル型ネットワークアナライザE8364Bを、測定プログラムにはCPMA-V2をそれぞれ使用し、SPDR法(スプリットポスト誘電体共振器法)によって、周波数5GHz、10GHz及び20GHzにおいて、比誘電率Dk及び誘電正接Dfを測定した。なお、測定温度は25℃とした。表1に示す比誘電率Dk及び誘電正接Dfは、3回の測定により得られた測定値の平均値である。
[感光性樹脂組成物の調製]
表2に示す成分及び配合量にて、実施例6~14及び比較例6の感光性樹脂組成物を調製した。表2における配合量は、100質量部の(A)成分に対する各成分の質量部である。
この明細書に記載の文献の内容を全て援用する。
Claims (21)
- 下記式(1)で表される構造単位を有する、ポリイミド前駆体。
式(22)中、R12及びR13は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1~4の脂肪族炭化水素基、又はハロゲン原子を有する炭素数1~4の脂肪族炭化水素基である。
式(24)中、X11は、酸素原子又は硫黄原子である。)
Y1に含まれる式(21)で表される2価の基の数をe、式(22)で表される2価の基の数をf、式(24)で表される2価の基の数をhとしたときに、e≧3、f≧2、h≧0であり、e+f+h≧5である。
R1及びR2は、それぞれ独立に、水素原子、下記式(2)で表される基、又は炭素数1~4の脂肪族炭化水素基である。R1及びR2の少なくとも一方が式(2)で表される1価の基である。
-COOR1基と-CO-基とは互いにオルト位置にあり、-COOR2基と-CONH-基とは互いにオルト位置にある。) - Y1がさらに前記式(24)で表される2価の基を含む、請求項1に記載のポリイミド前駆体。
- 前記式(1)において、h≧2である、請求項1又は2に記載のポリイミド前駆体。
- 前記式(1)において、e≧4である、請求項1~3のいずれかに記載のポリイミド前駆体。
- 前記式(21)において、n=0である、請求項1~4のいずれかに記載のポリイミド前駆体。
- 前記式(22)において、R12及びR13が、それぞれ独立に、メチル基又はトリフルオロメチル基である、請求項1~5のいずれかに記載のポリイミド前駆体。
- 前記式(24)において、X11が酸素原子である、請求項1~6のいずれかに記載のポリイミド前駆体。
- Z3が、エーテル結合(-O-)又はスルフィド結合(-S-)を含む、請求項10に記載のポリイミド前駆体。
- Z3が、芳香族炭化水素基を有する2価の基を含む、請求項10又は11に記載のポリイミド前駆体。
- Z3が、-O-Ar-O-、-S-Ar-S-、又は-COO-Ar-OOC-(Arは、ベンゼン環を含む2価の基、ナフタレン環を含む2価の基、又はアントラセン環を含む2価の基である。)で表される2価の基を含む、請求項10~12のいずれかに記載のポリイミド前駆体。
- 請求項1~13のいずれかに記載のポリイミド前駆体を含む樹脂組成物。
- (A)請求項1~13のいずれかに記載のポリイミド前駆体と、
(B)重合性モノマーと、
(C)光重合開始剤と、
を含む感光性樹脂組成物。 - 請求項15に記載の感光性樹脂組成物を基板上に塗布、乾燥して感光性樹脂膜を形成する工程と、
前記感光性樹脂膜をパターン露光して、樹脂膜を得る工程と、
前記パターン露光後の樹脂膜を、有機溶剤を用いて現像し、パターン樹脂膜を得る工程と、
前記パターン樹脂膜を加熱処理する工程と、
を含むパターン硬化膜の製造方法。 - 前記加熱処理の温度が200℃以下である請求項16に記載のパターン硬化膜の製造方法。
- 請求項15に記載の感光性樹脂組成物を硬化した硬化膜。
- パターン硬化膜である請求項18に記載の硬化膜。
- 請求項18又は19に記載の硬化膜を用いて作製された層間絶縁膜、カバーコート層又は表面保護膜。
- 請求項20に記載の層間絶縁膜、カバーコート層又は表面保護膜を含む電子部品。
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