JP7475371B2 - 低誘電率膜及びその製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 46
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 82
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 74
- -1 alkane compound Chemical class 0.000 claims description 55
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 53
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 53
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 53
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 53
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N monobenzene Natural products C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 52
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 51
- LVTJOONKWUXEFR-FZRMHRINSA-N protoneodioscin Natural products O(C[C@@H](CC[C@]1(O)[C@H](C)[C@@H]2[C@]3(C)[C@H]([C@H]4[C@@H]([C@]5(C)C(=CC4)C[C@@H](O[C@@H]4[C@H](O[C@H]6[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](C)O6)[C@@H](O)[C@H](O[C@H]6[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](C)O6)[C@H](CO)O4)CC5)CC3)C[C@@H]2O1)C)[C@H]1[C@H](O)[C@H](O)[C@H](O)[C@@H](CO)O1 LVTJOONKWUXEFR-FZRMHRINSA-N 0.000 claims description 45
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 42
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 42
- JNGZXGGOCLZBFB-IVCQMTBJSA-N compound E Chemical compound N([C@@H](C)C(=O)N[C@@H]1C(N(C)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=N1)=O)C(=O)CC1=CC(F)=CC(F)=C1 JNGZXGGOCLZBFB-IVCQMTBJSA-N 0.000 claims description 40
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 34
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 31
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 26
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 150000003961 organosilicon compounds Chemical class 0.000 claims description 22
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 claims description 19
- RGSFGYAAUTVSQA-UHFFFAOYSA-N Cyclopentane Chemical compound C1CCCC1 RGSFGYAAUTVSQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229940126062 Compound A Drugs 0.000 claims description 16
- NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N Heterophylliin A Natural products O1C2COC(=O)C3=CC(O)=C(O)C(O)=C3C3=C(O)C(O)=C(O)C=C3C(=O)OC2C(OC(=O)C=2C=C(O)C(O)=C(O)C=2)C(O)C1OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims description 16
- VMAWODUEPLAHOE-UHFFFAOYSA-N 2,4,6,8-tetrakis(ethenyl)-2,4,6,8-tetramethyl-1,3,5,7,2,4,6,8-tetraoxatetrasilocane Chemical compound C=C[Si]1(C)O[Si](C)(C=C)O[Si](C)(C=C)O[Si](C)(C=C)O1 VMAWODUEPLAHOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 14
- ALDMVIIDWKZIHB-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,9-nonadecafluorononoxy-(1,1,2,2,2-pentafluoroethyl)-(2,3,4,5,6-pentafluorophenyl)-(trifluoromethoxy)silane Chemical compound FC(O[Si](OC(F)(F)F)(C1=C(C(=C(C(=C1F)F)F)F)F)C(C(F)(F)F)(F)F)(C(C(C(C(C(C(C(C(F)(F)F)(F)F)(F)F)(F)F)(F)F)(F)F)(F)F)(F)F)F ALDMVIIDWKZIHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 150000001282 organosilanes Chemical class 0.000 claims description 12
- 125000005375 organosiloxane group Chemical group 0.000 claims description 12
- GCSJLQSCSDMKTP-UHFFFAOYSA-N ethenyl(trimethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C=C GCSJLQSCSDMKTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 11
- URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N Para-Xylene Chemical group CC1=CC=C(C)C=C1 URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 claims description 10
- FGZFESWHQXSPJU-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-2-(3,3,3-trifluoropropyl)-1,3,5,2,4,6-trioxatrisilinane Chemical compound FC(F)(F)CC[Si]1(C)O[SiH2]O[SiH2]O1 FGZFESWHQXSPJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 9
- BITPLIXHRASDQB-UHFFFAOYSA-N ethenyl-[ethenyl(dimethyl)silyl]oxy-dimethylsilane Chemical compound C=C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C=C BITPLIXHRASDQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- DMEGYFMYUHOHGS-UHFFFAOYSA-N heptamethylene Natural products C1CCCCCC1 DMEGYFMYUHOHGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims description 9
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims description 8
- GXBYFVGCMPJVJX-UHFFFAOYSA-N Epoxybutene Chemical compound C=CC1CO1 GXBYFVGCMPJVJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims description 8
- HMMGMWAXVFQUOA-UHFFFAOYSA-N octamethylcyclotetrasiloxane Chemical compound C[Si]1(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O1 HMMGMWAXVFQUOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000005054 phenyltrichlorosilane Substances 0.000 claims description 8
- ORVMIVQULIKXCP-UHFFFAOYSA-N trichloro(phenyl)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)C1=CC=CC=C1 ORVMIVQULIKXCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- FBMMUDXTKZQSAF-UHFFFAOYSA-N triethyl-[phenyl-bis(triethylsilyl)silyl]silane Chemical compound CC[Si](CC)(CC)[Si]([Si](CC)(CC)CC)([Si](CC)(CC)CC)C1=CC=CC=C1 FBMMUDXTKZQSAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- IDYHGSXNTVTKAC-UHFFFAOYSA-N 2-methoxyethenyl(dimethyl)silane Chemical compound COC=C[SiH](C)C IDYHGSXNTVTKAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- PMPVIKIVABFJJI-UHFFFAOYSA-N Cyclobutane Chemical compound C1CCC1 PMPVIKIVABFJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- CVQVSVBUMVSJES-UHFFFAOYSA-N dimethoxy-methyl-phenylsilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)C1=CC=CC=C1 CVQVSVBUMVSJES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 7
- STMDPCBYJCIZOD-UHFFFAOYSA-N 2-(2,4-dinitroanilino)-4-methylpentanoic acid Chemical compound CC(C)CC(C(O)=O)NC1=CC=C([N+]([O-])=O)C=C1[N+]([O-])=O STMDPCBYJCIZOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- MKJMQETZXQNIRD-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,2,2-pentafluoroethyl-(2,3,4,5,6-pentafluorophenyl)-(trifluoromethoxy)-(1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,5-undecafluoropentoxy)silane Chemical compound FC1=C(F)C(F)=C([Si](OC(F)(F)F)(OC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F)C(F)(F)C(F)(F)F)C(F)=C1F MKJMQETZXQNIRD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- LOVAYMCIQJOWGS-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-heptadecafluorooctyl-bis(1,1,2,2,2-pentafluoroethoxy)-(2,3,4,5,6-pentafluorophenyl)silane Chemical compound C1(=C(C(=C(C(=C1F)F)[Si](C(C(C(C(C(C(C(C(F)(F)F)(F)F)(F)F)(F)F)(F)F)(F)F)(F)F)(F)F)(OC(C(F)(F)F)(F)F)OC(C(F)(F)F)(F)F)F)F)F LOVAYMCIQJOWGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- JEIWEXKBTDWVLO-UHFFFAOYSA-N CO[Si](OC)(OC)[Si](C1=CC=CC=C1)([Si](OC)(OC)OC)[Si](OC)(OC)OC Chemical compound CO[Si](OC)(OC)[Si](C1=CC=CC=C1)([Si](OC)(OC)OC)[Si](OC)(OC)OC JEIWEXKBTDWVLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- BIRRYOLBQNAIAH-UHFFFAOYSA-N FC(C(C(C(C(C(F)(F)F)(F)[Si](C(C(F)=C(C(F)=C1F)F)=C1F)(Cl)Cl)(F)F)(F)F)(F)F)(C(C(C(C(F)(F)F)(F)F)(F)F)(F)F)F Chemical compound FC(C(C(C(C(C(F)(F)F)(F)[Si](C(C(F)=C(C(F)=C1F)F)=C1F)(Cl)Cl)(F)F)(F)F)(F)F)(C(C(C(C(F)(F)F)(F)F)(F)F)(F)F)F BIRRYOLBQNAIAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- BLMIOUSSLMRGOS-UHFFFAOYSA-N FC(C(C(C(F)(F)F)(F)[Si](C(C(F)=C(C(F)=C1F)F)=C1F)(Cl)Cl)(F)F)(C(C(F)(F)F)(F)F)F Chemical compound FC(C(C(C(F)(F)F)(F)[Si](C(C(F)=C(C(F)=C1F)F)=C1F)(Cl)Cl)(F)F)(C(C(F)(F)F)(F)F)F BLMIOUSSLMRGOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- QZGSLTWDWCYCME-UHFFFAOYSA-N but-3-enyl(trimethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)CCC=C QZGSLTWDWCYCME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- YPWQFMVLUGJNIQ-UHFFFAOYSA-N dichloro-(1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-heptadecafluorooctyl)-(2,3,4,5,6-pentafluorophenyl)silane Chemical compound C1(=C(C(=C(C(=C1F)F)[Si](C(C(C(C(C(C(C(C(F)(F)F)(F)F)(F)F)(F)F)(F)F)(F)F)(F)F)(F)F)(Cl)Cl)F)F)F YPWQFMVLUGJNIQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C=C FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- LFRDHGNFBLIJIY-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(prop-2-enyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CC=C LFRDHGNFBLIJIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- IEJIMKONGVKPGH-UHFFFAOYSA-N triphenyl(1,2,2-trifluoroethenyl)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](C=1C=CC=CC=1)(C(F)=C(F)F)C1=CC=CC=C1 IEJIMKONGVKPGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- VSIKJPJINIDELZ-UHFFFAOYSA-N 2,2,4,4,6,6,8,8-octakis-phenyl-1,3,5,7,2,4,6,8-tetraoxatetrasilocane Chemical compound O1[Si](C=2C=CC=CC=2)(C=2C=CC=CC=2)O[Si](C=2C=CC=CC=2)(C=2C=CC=CC=2)O[Si](C=2C=CC=CC=2)(C=2C=CC=CC=2)O[Si]1(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 VSIKJPJINIDELZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- VCYDUTCMKSROID-UHFFFAOYSA-N 2,2,4,4,6,6-hexakis-phenyl-1,3,5,2,4,6-trioxatrisilinane Chemical compound O1[Si](C=2C=CC=CC=2)(C=2C=CC=CC=2)O[Si](C=2C=CC=CC=2)(C=2C=CC=CC=2)O[Si]1(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 VCYDUTCMKSROID-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- GCFSZYMVQAVHPW-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-2-phenyl-1,3,5,2,4,6-trioxatrisilinane Chemical compound C[Si]1(O[SiH2]O[SiH2]O1)c1ccccc1 GCFSZYMVQAVHPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- SLJFKNONPLNAPF-UHFFFAOYSA-N 3-Vinyl-7-oxabicyclo[4.1.0]heptane Chemical compound C1C(C=C)CCC2OC21 SLJFKNONPLNAPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- XMSXQFUHVRWGNA-UHFFFAOYSA-N Decamethylcyclopentasiloxane Chemical compound C[Si]1(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O1 XMSXQFUHVRWGNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- YQULWRCMYAXEAV-UHFFFAOYSA-N chloro-[chloro(diphenyl)silyl]oxy-diphenylsilane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](C=1C=CC=CC=1)(Cl)O[Si](Cl)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 YQULWRCMYAXEAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PQRFRTCWNCVQHI-UHFFFAOYSA-N chloro-dimethyl-(2,3,4,5,6-pentafluorophenyl)silane Chemical compound C[Si](C)(Cl)C1=C(F)C(F)=C(F)C(F)=C1F PQRFRTCWNCVQHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- KWYZNESIGBQHJK-UHFFFAOYSA-N chloro-dimethyl-phenylsilane Chemical compound C[Si](C)(Cl)C1=CC=CC=C1 KWYZNESIGBQHJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- GNEPOXWQWFSSOU-UHFFFAOYSA-N dichloro-methyl-phenylsilane Chemical compound C[Si](Cl)(Cl)C1=CC=CC=C1 GNEPOXWQWFSSOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- OLLFKUHHDPMQFR-UHFFFAOYSA-N dihydroxy(diphenyl)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](O)(O)C1=CC=CC=C1 OLLFKUHHDPMQFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- VOZRXNHHFUQHIL-UHFFFAOYSA-N glycidyl methacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC1CO1 VOZRXNHHFUQHIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- HTDJPCNNEPUOOQ-UHFFFAOYSA-N hexamethylcyclotrisiloxane Chemical compound C[Si]1(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O1 HTDJPCNNEPUOOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- BCNZYOJHNLTNEZ-UHFFFAOYSA-N tert-butyldimethylsilyl chloride Chemical compound CC(C)(C)[Si](C)(C)Cl BCNZYOJHNLTNEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- QUJHWGZPSFBJAP-UHFFFAOYSA-N trichloro-(2,3,4,5,6-pentafluorophenyl)silane Chemical compound FC1=C(F)C(F)=C([Si](Cl)(Cl)Cl)C(F)=C1F QUJHWGZPSFBJAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- JCVQKRGIASEUKR-UHFFFAOYSA-N triethoxy(phenyl)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C1=CC=CC=C1 JCVQKRGIASEUKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- QALDFNLNVLQDSP-UHFFFAOYSA-N triethoxy-(2,3,4,5,6-pentafluorophenyl)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C1=C(F)C(F)=C(F)C(F)=C1F QALDFNLNVLQDSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- CDDLDLRMXLVXOP-UHFFFAOYSA-N triethyl(ethylsilyloxy)silane Chemical compound CC[SiH2]O[Si](CC)(CC)CC CDDLDLRMXLVXOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- KGWNTHHPMKEAIK-UHFFFAOYSA-N trifluoro(phenyl)silane Chemical compound F[Si](F)(F)C1=CC=CC=C1 KGWNTHHPMKEAIK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(phenyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C1=CC=CC=C1 ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- XFFHTZIRHGKTBQ-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-(2,3,4,5,6-pentafluorophenyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C1=C(F)C(F)=C(F)C(F)=C1F XFFHTZIRHGKTBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- TUQLLQQWSNWKCF-UHFFFAOYSA-N trimethoxymethylsilane Chemical compound COC([SiH3])(OC)OC TUQLLQQWSNWKCF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- FIONWRDVKJFHRC-UHFFFAOYSA-N trimethyl(2-phenylethenyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C=CC1=CC=CC=C1 FIONWRDVKJFHRC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- UZIXCCMXZQWTPB-UHFFFAOYSA-N trimethyl(2-phenylethynyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C#CC1=CC=CC=C1 UZIXCCMXZQWTPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- KXFSUVJPEQYUGN-UHFFFAOYSA-N trimethyl(phenyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C1=CC=CC=C1 KXFSUVJPEQYUGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- LINXHFKHZLOLEI-UHFFFAOYSA-N trimethyl-[phenyl-bis(trimethylsilyloxy)silyl]oxysilane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](O[Si](C)(C)C)(O[Si](C)(C)C)C1=CC=CC=C1 LINXHFKHZLOLEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- DXJZZRSMGLGFPW-UHFFFAOYSA-N triphenyl(prop-2-enyl)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](C=1C=CC=CC=1)(CC=C)C1=CC=CC=C1 DXJZZRSMGLGFPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- NLSXASIDNWDYMI-UHFFFAOYSA-N triphenylsilanol Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](C=1C=CC=CC=1)(O)C1=CC=CC=C1 NLSXASIDNWDYMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- SOPXVWFVFREYPL-UHFFFAOYSA-N 2,2,4,4-tetramethyl-6,6,8,8-tetraphenyl-1,3,5,7,2,4,6,8-tetraoxatetrasilocane Chemical compound O1[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C=2C=CC=CC=2)(C=2C=CC=CC=2)O[Si]1(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 SOPXVWFVFREYPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- PARWUHTVGZSQPD-UHFFFAOYSA-N phenylsilane Chemical compound [SiH3]C1=CC=CC=C1 PARWUHTVGZSQPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 208
- 239000010408 film Substances 0.000 description 146
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 63
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 49
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 28
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 28
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 23
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 20
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 19
- 230000008569 process Effects 0.000 description 19
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 14
- 239000002103 nanocoating Substances 0.000 description 13
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 12
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 8
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 7
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 5
- 229920005573 silicon-containing polymer Polymers 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 4
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 4
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 4
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 3
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- MTEZSDOQASFMDI-UHFFFAOYSA-N 1-trimethoxysilylpropan-1-ol Chemical compound CCC(O)[Si](OC)(OC)OC MTEZSDOQASFMDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Chemical group 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000007334 copolymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 150000004759 cyclic silanes Chemical class 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C=C NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 2
- UKRDPEFKFJNXQM-UHFFFAOYSA-N vinylsilane Chemical compound [SiH3]C=C UKRDPEFKFJNXQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YHQGMYUVUMAZJR-UHFFFAOYSA-N α-terpinene Chemical compound CC(C)C1=CC=C(C)CC1 YHQGMYUVUMAZJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RXXCIBALSKQCAE-UHFFFAOYSA-N 3-methylbutoxymethylbenzene Chemical compound CC(C)CCOCC1=CC=CC=C1 RXXCIBALSKQCAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WSTYNZDAOAEEKG-UHFFFAOYSA-N Mayol Natural products CC1=C(O)C(=O)C=C2C(CCC3(C4CC(C(CC4(CCC33C)C)=O)C)C)(C)C3=CC=C21 WSTYNZDAOAEEKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018540 Si C Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018557 Si O Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008284 Si—F Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002421 anti-septic effect Effects 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- CREMABGTGYGIQB-UHFFFAOYSA-N carbon carbon Chemical compound C.C CREMABGTGYGIQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001924 cycloalkanes Chemical class 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- YQGOWXYZDLJBFL-UHFFFAOYSA-N dimethoxysilane Chemical compound CO[SiH2]OC YQGOWXYZDLJBFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010892 electric spark Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 150000004757 linear silanes Chemical class 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000002052 molecular layer Substances 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000069 nitrogen hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- SJYNFBVQFBRSIB-UHFFFAOYSA-N norbornadiene Chemical compound C1=CC2C=CC1C2 SJYNFBVQFBRSIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003755 preservative agent Substances 0.000 description 1
- 230000002335 preservative effect Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Inorganic materials [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004447 silicone coating Substances 0.000 description 1
- 229920006268 silicone film Polymers 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
- 230000003075 superhydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- 125000003944 tolyl group Chemical group 0.000 description 1
- QQQSFSZALRVCSZ-UHFFFAOYSA-N triethoxysilane Chemical compound CCO[SiH](OCC)OCC QQQSFSZALRVCSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
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Description
オルガノシラン及び/又はオルガノシロキサン化合物Cとアルカン化合物及び/又はベンゼン化合物Eとのプラズマ強化化学気相成長により形成された多孔質層と、
アリールフルオロシランDのプラズマ強化化学気相成長により形成されたフッ素含有層と、を含む低誘電率膜を提供する。
(A)基体の表面に防食層を気相成長させるステップと、
(B)多孔質層を気相成長させるステップと、を含む低誘電率膜の製造方法を提供する。
(A1)ビニルエポキシアルカン化合物Aとビニルオルガノシリコン化合物Bとを反応装置のチャンバーに導入することと、
(A2)不活性ガスを反応装置のチャンバーに導入することと、
(A3)所定の電力で、上記化合物Aと化合物Bを反応させて上記基体の表面に成長させることにより上記防食層を形成することと、を含む低誘電率膜の製造方法。
(B1)オルガノシリコン化合物を含む化合物Cと、アルカン化合物及びベンゼン化合物を含む化合物Eとを導入することと、
(B2)窒素ガスと、水素ガス及びアンモニアガスからなる群より選ばれる1種又は複数種との組み合わせであるガスを導入することと、
(B3)酸素ガスを導入することと、
(B4)所定の電力で、上記化合物Cと上記化合物Eとの気相成長反応により上記多孔質層を形成することと、を含む低誘電率膜の製造方法。
(B1)オルガノシリコン化合物を含む化合物Cとアルカン化合物を含む化合物Eとを供給することと、
(B2)窒素ガスと、水素ガス及びアンモニアガスからなる群より選ばれる1種又は複数種との組み合わせであるガスを導入することと、
(B3)酸素ガスを導入すること、
(B4)所定の電力で、上記化合物Cと上記化合物Eとの気相成長反応により上記多孔質層を形成することと、を含む低誘電率膜の製造方法。
(B1)オルガノシリコン化合物を含む化合物Cとベンゼン化合物を含む化合物Eとを導入することと、
(B2)窒素ガスと、水素ガス及びアンモニアガスからなる群より選ばれる1種又は複数種との組み合わせであるガスを導入することと、
(B3)酸素ガスを導入することと、
(B4)所定の電力で、上記化合物Cと上記化合物Eとの気相成長反応により上記多孔質層を形成することと、を含む低誘電率膜の製造方法。
(C1)不活性ガスを導入することと、
(C2)アリールフルオロシランDを導入することと、
(C3)所定の電力で、アリールフルオロシランDを気相成長反応させて上記フッ素含有層を形成することと、を含む低誘電率膜製造方法。
101:基体の表面に防食層を気相成長させるステップと、
102:多孔質層を気相成長させるステップと、
103:フッ素含有層を気相成長させるステップと、を含む方法であり、
ここで、上記ステップ101で、ビニルエポキシ化合物Aとビニルオルガノシリコン化合物Bとを供給して気相成長させることにより上記防食層を形成することを必要として、具体的に、上記防食層の形成過程は、
1011:エポキシアルカン化合物Aとシロキサン又はシラン化合物Bとを反応装置のチャンバー内に供給するステップと、
1012:不活性ガスを反応装置のチャンバーに導入するステップと、
1013:上記基体を操作するステップと、
1014:所定の電力で、上記化合物Aと化合物Bとを反応させて上記基体の表面に成長させることにより上記防食層を形成するステップを、含む製造方法。
(1001)基体への超音波洗浄:基体を脱イオン水が入れた容器に投入し、超音洗浄し、洗浄時間は10~30分間であり、その後、取り出してオーブンに入れて乾燥するステップと、
(1002)アセトンによる基材表面への洗浄:きれいなガーゼでアセトンを含浸させて部品の表面に3回拭いて、オーブンに入れて乾燥するステップと、を含む。
1021:オルガノシラン及び/又はオルガノシロキサン化合物Cとアルカン化合物及び/又はベンゼン化合物Eとを供給するステップと、
1022:窒素ガス/水素ガス及び/又はアンモニアガスを導入するステップと、
1023:酸素ガスを間欠的に導入するステップと、
1024:所定の電力で、オルガノシラン及び/又はオルガノシロキサン化合物Cとアルカン化合物及び/又はベンゼン化合物Eとの気相成長反応により上記多孔質層を形成するステップと、を含む。
1031:不活性ガスを導入するステップと、
1032:アリールフルオロシランDを供給するステップと
1033:所定の電力で、アリールフルオロシランDの気相成長反応により上記フッ素含有層を形成するステップと、を含む。
きれいなPCB基板1枚を採用し、プラズマ強化化学気相成長反応装置であるプラズマ蒸着装置の冶具に置いて、プログラムにより各パラメーターを設定し、電力100W、蒸着時間1800s、気化温度95℃、チャンバー温度は室温であり、He雰囲気下、He流量は10sccmであり、反応ガスA及びBを導入し、反応ガスA及びBは、それぞれビニルオキシラン及びトリメチルビニルシランであり、流量がそれぞれ100sccm及び100sccmである。下地層の成長が完了した後、単量体であるビニルオキシラン及びトリメチルビニルシランの供給を停止し、Heを導入し続けながら、N2を流量5sccmで導入し、反応物C及びEを供給し、反応物C及びEは、それぞれヘキサメチルジシロキサン及び単量体であるシクロヘキサンであり、流量がぞれぞれ100sccm及び100sccmである。O2を導入頻度300秒1回で間欠的に導入し、電力は50Wに改変され、蒸着時間は3600sであり、気化温度は110℃であり、チャンバー温度は25℃であり、O2の流量は10sccmであり、蒸着終了後、O2、N2 の導入を停止し、反応物Dであるパーフルオロオクチルジクロロフェニルシランを供給し、他のパラメーターは改変されなく、蒸着完了後、気体の圧力を常圧に上昇させ、サンプルを取り出して、本発明に係る多孔質構造を有する低誘電率ナノコート層が得られ、つまり、基体に上記低誘電率膜を形成すした。
きれいなPCB基板1枚を採用し、プラズマ蒸着装置の冶具に置いて、プログラムにより各パラメーターを設定し、電力100W、蒸着時間1800s、気化温度95℃、チャンバー温度は室温であり、He雰囲気下、He流量は10sccmであり、反応物A及びBを導入し、反応物A及びBは、それぞれビニルオキシラン及びトリメトキシビニルシランであり、流量がぞれぞれ100sccm及び100sccmである。下地層の成長が完了した後、反応物であるビニルオキシラン及びトリメトキシビニルシランの供給を停止し、Heを導入し続けながら、N2を導入し、N2の流量は5sccmであり、反応物C及びEを導入し、反応物C及びEはそれぞれトリス-(トリメトキシシリル)フェニルシラン及びシクロブタンであり、流量がそれぞれ100sccm及び100sccmである。O2を導入頻度300秒1回で間欠的に導入し、電力は50Wに改変され、蒸着時間は3600sであり、気化温度は110℃であり、チャンバー温度は25℃であり、O2の流量は10sccmであり、蒸着終了後、O2、N2の導入を停止し、反応物Dであるパーフルオロオクチルジエトキシフェニルシランを供給し、他のパラメーターは改変されなく、蒸着が完了した後、気体圧力を常圧に上昇させ、サンプルを取り出し、本発明に係る多孔質構造を有する低誘電率ナノコート層が得られた。
きれいなPCB1枚を採用し、プラズマ蒸着装置の冶具に置いて、プログラムにより各パラメーターを設定し、電力100W、蒸着時間1800s、気化温度95℃、チャンバー温度は室温であり、He雰囲気下、He流量10sccm、反応物A及びBを供給し、反応物A及びBは、それぞれアリルグリシジルエーテル及びトリメチルビニルシランであり、流量がそれぞれ100sccm及び100sccmである。下地層の成長が完了した後、反応物アリルグリシジルエーテル及びトリメチルビニルシランの供給を停止し、Heを導入し続けながら、NH3を導入し、NH3の流量は100sccmであり、反応物C及びEを供給し、反応物C及びEは、それぞれトリス-(トリエトキシシリル)フェニルシラン及びトルエンであり、流量がそれぞれ100sccm及び100sccmである。O2を導入頻度150秒1回で間欠的に導入し、電力は50Wに改変され、蒸着時間は3600sであり、気化温度は110℃であり、チャンバー温度は25℃であり、蒸着終了後、O2及びNH3の導入を停止し、反応物Dであるパーフルオロオクチルエチルペンタフルオロフェニルジクロロシランを供給し、電力は50Wに改変され、蒸着時間は1800sに改変され、圧力は100mTorrであり、気化温度は110℃であり、チャンバー温度は30℃であり、O2の流量は50sccmであり、蒸着が完了した後、気体圧力を常圧に上昇させ、サンプルを取り出し、本発明に係る多孔質構造を有する低誘電率ナノコート層が得られた。
きれいなPCB1枚を採用し、プラズマ蒸着装置の冶具に置いて、プログラムにより各パラメーターを設定し、電力100W、蒸着時間1800s、圧力80mTorr、気化温度95℃で、チャンバー温度は室温であり、Ar雰囲気下、Ar流量10sccmで、反応物A及びBを供給し、反応物A及びBは、それぞれ2,3-エポキシプロピルジメチルビニルシラン及びジメチルメトキシビニルシランであり、流量がそれぞれ80sccm及び120sccmである。下地層の成長が完了した後に、反応物2,3-エポキシプロピルジメチルビニルシランおよびジメチルメトキシビニルシランの導入を停止し、Arを導入し続けながら、反応物CおよびEを導入し、反応物CおよびEは、それぞれトリス-(トリエチルシリル)フェニルシラン及びシクロヘキサンであり、流量がそれぞれ20sccm及び180sccmである。O2を導入頻度150秒1回で間欠的に導入し、電力は50Wに改変され、蒸着時間は3600sであり、気化温度は110℃であり、チャンバー温度は25℃であり、O2の流量は30sccmであり、蒸着終了後、O2の導入を停止し、反応物Dであるパーフルオロオクチルエチルペンタフルオロフェニルジメトキシシランを供給し、電力は50Wに改変され、蒸着時間は1800sに改変され、圧力は120mTorrであり、気化温度は110℃であり、チャンバー温度は30℃であり、蒸着が終了した後、気体圧力を常圧に上昇させ、サンプルを取り出し、本発明に係る多孔質構造を有する低誘電率ナノコート層が得られた。
きれいなPCB1枚を採用し、プラズマ蒸着装置の冶具に置いて、プログラムにより各パラメーターを設定し、電力80W、蒸着時間3600s、圧力80mTorr、気化温度95℃で、チャンバー温度は室温であり、Ar雰囲気下、Arの流量20sccmで、反応物A及びBを導入し、反応物A及びBは、それぞれ2,3-エポキシプロピルジメチルビニルシラン及びトリメチルビニルシランであり、流量がそれぞれ80sccm及び120sccmである。下地層の成長が完了した後、反応物である2,3-エポキシプロピルジメチルビニルシラン及びトリメチルビニルシランの供給を停止し、Arを導入し続けながら、N2、H2を導入し、N2及びH2の流量はそれぞれ30sccm及び90sccmであり、反応物C及びEを供給し、反応物C及びEは、それぞれトリス-(トリエチルシリル)フェニルシラン及びパラキシレンであり、流量がそれぞれ20sccm及び180sccmである。O2を導入頻度120秒1回で間欠的に導入、電力は90Wに改変され、蒸着時間は3600sであり、気化温度は110℃であり、チャンバー温度は50℃であり、O2の流量は80sccmであり、蒸着終了後、O2、N2及びH2の導入を停止し、反応物Dであるパーフルオロオクチルエチルペンタフルオロフェニルジメトキシシランを供給し、電力は80Wに改変され、蒸着時間は1800sに改変され、圧力は120mTorrであり、気化温度は110℃であり、チャンバー温度は30℃であり、蒸着が完了した後、気体圧力を常圧に上昇させ、サンプルを取り出し、本発明に係る多孔質構造を有する低誘電率ナノコート層が得られた。
きれいなPCB1枚を採用し、プラズマ蒸着装置の冶具に置いて、プログラムにより各パラメーターを設定し、電力80W、蒸着時間3600s、圧力80mTorr、気化温度95℃、チャンバー温度は室温であり、Ar雰囲気下、Ar流量20sccmで、反応物A及びBを供給し、反応物A及びBはそれぞれ2,3-エポキシプロピルジメチルビニルシラン及び4-スチリル(トリメトキシシロキシ)シランであり、流量がそれぞれ80sccm及び120sccmである。下地層の成長が完了した後、反応物である2,3-エポキシプロピルジメチルビニルシラン及び4-スチリル(トリメトキシシロキシ)シランの供給を停止し、Arを導入し続けながら、N2、H2を導入し、N2及びH2の流量はそれぞれ30sccm及び90sccmであり、反応物C及びEを導入し、反応物C及びEはそれぞれトリス-(トリエチルシリル)フェニルシラン及びシクロペンタンであり、流量がそれぞれ20sccm及び180sccmである。O2を導入頻度100秒1回で間欠的に導入し、電力は90Wに改変され、蒸着時間は3600sであり、気化温度は110℃であり、チャンバー温度は50℃であり、O2の流量は20sccmであり、蒸着時間が完了した後、O2、N2及びH2の導入を停止し、反応物Dであるパーフルオロブチルエチルペンタフルオロフェニルジクロロシランを供給し、電力は80Wに改変され、蒸着時間は1800sに改変され、圧力は120mTorrであり、気化温度は110℃であり、チャンバー温度は30℃であり、蒸着が完了した後、気体圧力を常圧に上昇させ、サンプルを取り出し、本発明に係る多孔質構造を有する低誘電率ナノコート層が得られた。
きれいなPCB1枚を採用し、プラズマ蒸着装置の冶具に置いて、プログラムにより各パラメーターを設定し、電力80W、蒸着時間3600s、圧力80mTorr、気化温度95℃、チャンバー温度は室温であり、Ar雰囲気、Ar流量20sccmで、反応物A及びBを供給し、反応物A及びBはそれぞれ2,3-エポキシプロピルジクロロビニルシラン及びテトラメチルテトラビニルシクロテトラシロキサンであり、流量がそれぞれ150sccm及び50sccmである。下地層の成長が完了した後、反応物である2,3-エポキシプロピルジクロロビニルシラン及びテトラメチルテトラビニルシクロテトラシロキサンの供給を停止し、Arを導入し続けながら、N2、H2を導入し、N2及びH2の流量はそれぞれ30sccm及び90sccmであり、反応物C及びEを導入し、反応物C及びEはそれぞれトリフルオロプロピルメチルシクロトリシロキサン及びベンゼンであり、流量がそれぞれ50sccm及び150sccmである。O2を導入頻度600秒1回で間欠的に導入し、電力は90Wに改変され、蒸着時間は3600sであり、気化温度は110℃であり、チャンバー温度は50℃であり、O2の流量は60sccmであり、蒸着時間が完了した後、O2、N2及びH2の導入を停止し、反応物Dであるパーフルオロブチルエチルペンタフルオロフェニルジメトキシシランを供給し、電力は80Wに改変され、蒸着時間は3600sに改変され、圧力は100mTorrであり、気化温度は110℃であり、チャンバー温度は30℃であり、蒸着が完了した後、気体圧力を常圧に上昇させ、サンプルを取り出し、本発明に係る多孔質構造を有する低誘電率ナノコート層が得られた。
きれいなPCB1枚を採用し、プラズマ蒸着装置の冶具に置いて、プログラムにより各パラメーターを設定し、電力80W、蒸着時間3600s、圧力80mTorr、気化温度95℃、チャンバー温度は室温であり、Ar雰囲気下、Ar流量20sccmで、反応物A及びBを供給し、反応物A及びBはそれぞれ2,3-エポキシプロピルジクロロビニルシラン及びテトラメチルテトラビニルシクロテトラシロキサンであり、流量がそれぞれ150sccm及び50sccmである。下地層の成長が完了した後、反応物である2,3-エポキシプロピルジクロロビニルシランとテトラメチルテトラビニルシクロテトラシロキサンの供給を停止し、Arを導入し続けながら、N2、H2を導入し、N2及びH2の流量はそれぞれ30sccm及び90sccmであり、反応物C及びEを導入し、反応物C及びEは、それぞれトリス-(トリエチルシリル)フェニルシラン及びシクロヘキサンであり、流量がそれぞれ20sccm及び180sccmである。O2を導入頻度180秒1回で間欠的に導入し、電力は90Wに改変され、蒸着時間は3600sであり、気化温度は110℃であり、チャンバー温度は50℃であり、O2の流量は30sccmであり、蒸着時間が完了した後、O2、N2及びH2の導入を停止し、反応物Dであるパーフルオロオクチルエチルペンタフルオロフェニルジメトキシシランを供給し、電力は80Wに改変され、蒸着時間は1800sに改変され、圧力は120mTorrであり、気化温度は110℃であり、チャンバー温度は30℃であり、蒸着が完了した後、気体圧力を常圧に上昇させ、サンプルを取り出し、最後に、450℃で90min焼鈍処理し、本発明に係る多孔質構造を有する低誘電率ナノコート層が得られた。
きれいなPCB1枚を採用し、プラズマ蒸着装置の冶具に置いて、プログラムにより各パラメーターを設定し、電力80W、蒸着時間3600s、圧力80mTorr、気化温度95℃、チャンバー温度は室温であり、Ar雰囲気下、Ar流量20sccmで、反応物A及びBを供給し、反応物A及びBは、それぞれ2,3-エポキシプロピルジクロロビニルシラン及びテトラメチルテトラビニルシクロテトラシロキサンであり、流量がそれぞれ150sccm及び50sccmである。下地層の成長が完了した後、反応物である2,3-エポキシプロピルジクロロビニルシラン及びテトラメチルテトラビニルシクロテトラシロキサンの供給を停止し、Arを導入し続けながら、反応物C及びEを供給し、反応物C及びEは、それぞれヘキサメチルジシラザン及びとシクロペンタンであり、流量がそれぞれ50sccm及び150sccmである。O2を導入頻度150秒1回で間欠的に導入し、電力は90Wに改変され、蒸着時間は3600sであり、O2の流量は20sccmであり、気化温度は110℃であり、チャンバー温度は50℃であり、蒸着終了後、O2の導入を停止し、反応物Dであるパーフルオロオクチルエチルペンタフルオロフェニルジメトキシシランを供給し、電力は80Wに改変され、蒸着時間は1800sに改変され、圧力は100mTorrであり、気化温度は110℃であり、チャンバー温度は30℃であり、蒸着が完了した後、気体圧力を常圧に上昇させ、サンプルを取り出し、本発明に係る多孔質構造を有する低誘電率ナノコート層が得られた。
実施例9と比較しては、上記防食層を作製していない。きれいなPCB1枚を採用し、プラズマ蒸着装置の冶具に置いて、Arを導入し、反応物C及びEを直接供給し、反応物C及びEは、それぞれヘキサメチルジシラザン及びシクロペンタンであり、流量がそれぞれ100sccm及び150sccmである。O2を導入頻度150秒1回で間欠的に導入し、電力は90Wに改変され、蒸着時間は3600sであり、O2の流量は20sccmであり、気化温度は110℃であり、チャンバー温度は50℃であり、蒸着終了後、O2の導入を停止し、反応物Dであるパーフルオロオクチルエチルペンタフルオロフェニルジメトキシシランを供給し、電力は80Wに改変され、蒸着時間は1800sに改変され、圧力は100mTorrであり、気化温度は110℃であり、チャンバー温度は30℃であり、蒸着が完了した後、気体圧力を常圧に上昇させ、サンプルを取り出し、本発明に係る多孔質構造を有する低誘電率ナノコート層が得られた。
Claims (31)
- 多孔質層及び防食層を含み、前記多孔質層が、化合物Cと化合物Eとのプラズマ強化化学気相成長法により形成され、前記化合物Cがオルガノシリコン化合物を含み、前記化合物Eがアルカン化合物及びベンゼン化合物の1種又は複数種を含み、前記防食層が、不飽和二重結合を含むエポキシ化合物Aと、不飽和二重結合を含むシロキサン及び不飽和二重結合を含むシランからなる群より選ばれる1種又は複数種の化合物Bとのプラズマ強化化学気相成長法により基体の表面に形成され、前記多孔質層が前記防食層上に形成された、低誘電率膜。
- 前記化合物Cが、オルガノシラン及びオルガノシロキサンの1種又は複数種を含む、請求項1に記載の低誘電率膜。
- 多孔質層及びフッ素含有層を含み、前記多孔質層が、化合物Cと化合物Eとのプラズマ強化化学気相成長法により形成され、前記化合物Cがオルガノシリコン化合物を含み、前記化合物Eがアルカン化合物及びベンゼン化合物の1種又は複数種を含み、前記フッ素含有層がアリールフルオロシランDのプラズマ強化化学気相成長法により形成された、低誘電率膜。
- 多孔質層及び防食層を含み、前記多孔質層が、化合物Cと化合物Eとのプラズマ強化化学気相成長法により形成され、前記化合物Cがオルガノシリコン化合物を含み、前記化合物Eがアルカン化合物及びベンゼン化合物の1種又は複数種を含み、前記防食層がビニルエポキシ化合物とビニルオルガノシリコン化合物とのプラズマ強化化学気相成長法により基体の表面に形成された、低誘電率膜。
- 前記化合物Aが、ビニルオキシラン、メタクリル酸グリシジル、アリルグリシジルエーテル、1,2-エポキシ-4-ビニルシクロヘキサン、2,3-エポキシプロピルジメチルビニルシラン、2,3-エポキシプロピルジクロロビニルシランからなる群より選ばれる1種又は複数種を含む、請求項1に記載の低誘電率膜。
- 前記化合物Bが、アリルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、トリメチルビニルシラン、3-ブテニルトリメチルシラン、ビニルトリブチルケトキシムシラン、テトラメチルジビニルジシロキサン、テトラメチルテトラビニルシクロテトラシロキサン、1,2,2-トリフルオロビニルトリフェニルシラン、ジメチルメトキシビニルシラン、4-スチリル(トリメトキシ)シランからなる群より選ばれる1種又は複数種を含む、請求項1に記載の低誘電率膜。
- 前記化合物Cが、γ-グリシジルオキシプロピルトリメトキシシラン;D4Hシクロテトラシロキサン、ヘキサメチルシクロトリシロキサン、トリス-(トリメトキシシリル)フェニルシラン、tert-ブチルジメチルクロロシラン、フェニルエチニルトリメチルシラン、ビフェニルビニルトリメチルシラン、オクタフェニルシクロテトラシロキサン、トリフェニルヒドロキシシラン、トリフルオロプロピルメチルシクロトリシロキサン、2,2,4,4-テトラメチル-6,6,8,8-テトラフェニルシクロテトラシロキサン、テトラメチルテトラビニルシクロテトラシロキサン、3-グリシジルエーテルオキシプロピルトリエトキシシラン、テトラメチルジビニルジシロキサン、テトラエチルジシロキサン、ヘキサメチルジシロキサン、トリス(トリメチルシロキシ)フェニルシラン、トリメチルフェニルシラン、ヘキサメチルジシラザン、アリルトリフェニルシラン、フェニルトリクロロシラン、フェニルトリフルオロシラン、フェニルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、メチルフェニルジメトキシシラン、ジメトキシメチルフェニルシラン、1,3-ジクロロテトラフェニルジシロキサン、フェニルビニルトリメチルシラン、ナフチルビニルトリメチルシラン、ジフェニルジヒドロキシシラン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、ヘキサフェニルシクロトリシロキサン、デカメチルシクロペンタシロキサン、フェニルトリクロロシラン、メチルフェニルジクロロシラン、フェニルジメチルクロロシラン、メチルフェニルシクロトリシロキサン、トリメトキシメチルシラン、トリフルオロプロピルメチルシクロトリシロキサン、トリス-(トリエトキシシリル)フェニルシラン、パーフルオロオクチルエチルペンタフルオロフェニルジメトキシシラン、トリス-(トリエチルシリル)フェニルシランからなる群より選ばれる1種又は複数種を含む、請求項1又は2に記載の低誘電率膜。
- 前記化合物Eが、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、ベンゼン、トルエン、パラキシレンからなる群より選ばれる1種又は複数種を含む、請求項1又は2に記載の低誘電率膜。
- 前記化合物Dが、ペンタフルオロフェニルトリエトキシシラン、ペンタフルオロフェニルトリメトキシシラン、ペンタフルオロフェニルトリクロロシラン、ペンタフルオロフェニルジメチルクロロシラン、パーフルオロオクチルエチルペンタフルオロフェニルジクロロシラン、ペンタフルオロジクロロフェニルパーフルオロヘキシルエチルシラン、パーフルオロオクチルジクロロフェニルシラン、パーフルオロオクチルジエトキシフェニルシラン、パーフルオロオクチルエチルペンタフルオロフェニルジメトキシシラン、パーフルオロブチルエチルペンタフルオロフェニルジクロロシラン、パーフルオロブチルエチルペンタフルオロフェニルジメトキシシランからなる群より選ばれる1種又は複数種を含む、請求項3に記載の低誘電率膜。
- 前記防食層のプラズマ強化化学気相成長過程でHe、Arからなる群より選ばれる1種又は複数種を含む補助ガスを導入して反応させる、請求項1、2及び4~8のいずれか1項に記載の低誘電率膜。
- 前記多孔質層のプラズマ強化化学気相成長過程で窒素ガスと水素ガスとの組み合わせ、アンモニアガス、酸素ガス、及び炭化水素有機化合物からなる群より選ばれる1種又は複数種とを含む補助ガスを導入して反応させる、請求項1~10のいずれか1項に記載の低誘電率膜。
- 前記低誘電率膜の誘電率値の範囲が、2.1~2.2、2.2~2.3、2.4~2.5、2.5~2.6又は2.6~2.7である、請求項1~11のいずれか1項に記載の低誘電率膜。
- 前記低誘電率膜のヤング率の範囲が、10~11GPa、11~12GPa、12~13GPa、23~24GPa、26~27GPa、27~28GPa、29~30GPa、31~32GPa又は33~34GPaである、請求項1~11のいずれか1項に記載の低誘電率膜。
- 前記低誘電率膜の静的接触角の範囲が、110°~115°、115°~120°、120°~125°、125°~130°、130°~135°、135°~140°、140°~145°、145°~150°又は150°~155°である、請求項1~11のいずれか1項に記載の低誘電率膜。
- 前記低誘電率膜の厚さの範囲が10~2000nmである、請求項1~11のいずれか1項に記載の低誘電率膜。
- 多孔質層及びフッ素含有層を含み、前記多孔質層が、化合物Cと化合物Eとのプラズマ強化化学気相成長法により形成され、前記化合物Cがオルガノシリコン化合物を含み、前記化合物Eがアルカン化合物及びベンゼン化合物の1種又は複数種を含み、前記多孔質層が基体の表面に直接成長され、前記フッ素含有層が前記多孔質層表面に成長された、低誘電率膜。
- フッ素含有層が前記多孔質層表面に成長された、請求項1に記載の低誘電率膜。
- (A)基体の表面に防食層を気相成長させるステップを含み、(B)多孔質層を気相成長させるステップを含む低誘電率膜の製造方法であって、
前記ステップ(B)が、(B1)化合物Cと、化合物Eとを供給することを含み、前記化合物Cがオルガノシリコン化合物を含み、前記化合物Eがアルカン化合物及びベンゼン化合物の1種又は複数種を含み、前記アルカン化合物がシクロブタン、シクロペンタン、及びシクロヘキサンからなる群より選ばれ、前記ステップ(A)が、
(A1)不飽和二重結合を含むエポキシ化合物と不飽和二重結合を含むオルガノシリコン化合物とを反応装置のチャンバーに供給することと、
(A2)不活性ガスを反応装置のチャンバーに導入することと、
(A3)所定の電力で、前記不飽和二重結合を含むエポキシ化合物と前記不飽和二重結合を含むオルガノシリコン化合物とを前記基体の前記表面に反応させて成長させることにより前記防食層を形成することと、を含み、前記多孔質層が前記防食層上に形成された、製造方法。 - 前記ステップ(B)が、
(B2)窒素ガスと水素ガスとの組み合わせ及びアンモニアガスからなる群より選ばれる1種又は複数種を含むガスを導入することと、
(B3)酸素ガスを導入することと、
(B4)所定の電力で、前記化合物Cと前記化合物Eとの気相成長反応により前記多孔質層を形成することと、を含む、請求項18に記載の製造方法。 - 前記化合物Cがオルガノシロキサン、オルガノシランの1種又は複数種を含む、請求項18に記載の製造方法。
- 低誘電率膜の製造方法であって、
(B)多孔質層を気相成長させるステップであって、前記ステップ(B)が、(B1)化合物Cと、化合物Eとを供給することを含み、前記化合物Cがオルガノシリコン化合物を含み、前記化合物Eがアルカン化合物及びベンゼン化合物の1種又は複数種を含み、前記アルカン化合物がシクロブタン、シクロペンタン、及びシクロヘキサンからなる群より選ばれ、
(C)フッ素含有層を前記多孔質層上に気相成長させるステップであって、
前記ステップ(C)が、
(C1)不活性ガスを導入することと、
(C2)アリールフルオロシランDを供給することと、
(C3)所定の電力で、アリールフルオロシランDの気相成長反応により前記フッ素含有層を形成することを含む、製造方法。 - 前記基体をチャンバーで移動するように操作するステップをさらに含む、請求項18~20のいずれか1項に記載の製造方法。
- 前記不飽和二重結合を含むエポキシ化合物が、ビニルオキシラン、メタクリル酸グリシジル、アリルグリシジルエーテル、1,2-エポキシ-4-ビニルシクロヘキサン、2,3-エポキシプロピルジメチルビニルシラン、2,3-エポキシプロピルジクロロビニルシランからなる群より選ばれる1種又は複数種を含む、請求項18に記載の製造方法。
- 前記不飽和二重結合を含むオルガノシリコン化合物が、アリルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、トリメチルビニルシラン、3-ブテニルトリメチルシラン、ビニルトリブチルケトキシムシラン、テトラメチルジビニルジシロキサン、テトラメチルテトラビニルシクロテトラシロキサン、1,2,2-トリフルオロビニルトリフェニルシラン、ジメチルメトキシビニルシラン、4-スチリル(トリメトキシ)シランからなる群より選ばれる1種又は複数種を含む、請求項18に記載の製造方法。
- 前記化合物Cが、γ-グリシジルオキシプロピルトリメトキシシラン;D4Hシクロテトラシロキサン、ヘキサメチルシクロトリシロキサン、トリス-(トリメトキシシリル)フェニルシラン、tert-ブチルジメチルクロロシラン、フェニルエチニルトリメチルシラン、ビフェニルビニルトリメチルシラン、オクタフェニルシクロテトラシロキサン、トリフェニルヒドロキシシラン、トリフルオロプロピルメチルシクロトリシロキサン、2,2,4,4-テトラメチル-6,6,8,8-テトラフェニルシクロテトラシロキサン、テトラメチルテトラビニルシクロテトラシロキサン、3-グリシジルエーテルオキシプロピルトリエトキシシラン、テトラメチルジビニルジシロキサン、テトラエチルジシロキサン、ヘキサメチルジシロキサン、トリス(トリメチルシロキシ)フェニルシラン、トリメチルフェニルシラン、ヘキサメチルジシラザン、アリルトリフェニルシラン、フェニルトリクロロシラン、フェニルトリフルオロシラン、フェニルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、メチルフェニルジメトキシシラン、ジメトキシメチルフェニルシラン、1,3-ジクロロテトラフェニルジシロキサン、フェニルビニルトリメチルシラン、ナフチルビニルトリメチルシラン、ジフェニルジヒドロキシシラン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、ヘキサフェニルシクロトリシロキサン、デカメチルシクロペンタシロキサン、フェニルトリクロロシラン、メチルフェニルジクロロシラン、フェニルジメチルクロロシラン、メチルフェニルシクロトリシロキサン、トリメトキシメチルシラン、トリフルオロプロピルメチルシクロトリシロキサン、トリス-(トリエトキシシリル)フェニルシラン、パーフルオロオクチルエチルペンタフルオロフェニルジメトキシシラン、トリス-(トリエチルシリル)フェニルシランからなる群より選ばれる1種又は複数種を含む、請求項18に記載の製造方法。
- 前記化合物Eが、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、ベンゼン、トルエン、パラキシレンからなる群より選ばれる1種又は複数種を含む、請求項18に記載の製造方法。
- 前記化合物Dが、ペンタフルオロフェニルトリエトキシシラン、ペンタフルオロフェニルトリメトキシシラン、ペンタフルオロフェニルトリクロロシラン、ペンタフルオロフェニルジメチルクロロシラン、パーフルオロオクチルエチルペンタフルオロフェニルジクロロシラン、ペンタフルオロジクロロフェニルパーフルオロヘキシルエチルシラン、パーフルオロオクチルジクロロフェニルシラン、パーフルオロオクチルジエトキシフェニルシラン、パーフルオロオクチルエチルペンタフルオロフェニルジメトキシシラン、パーフルオロブチルエチルペンタフルオロフェニルジクロロシラン、パーフルオロブチルエチルペンタフルオロフェニルジメトキシシランからなる群より選ばれる1種又は複数種を含む、請求項21に記載の製造方法。
- 前記低誘電率膜の誘電率値の範囲が、2.1~2.2、2.2~2.3、2.4~2.5、2.5~2.6又は2.6~2.7である、請求項18~27のいずれか1項に記載の製造方法。
- 前記低誘電率膜のヤング率の範囲が、10~11GPa、11~12GPa、12~13GPa、23~24GPa、26~27GPa、27~28GPa、29~30GPa、31~32GPa又は33~34GPaである、請求項18~28のいずれか1項に記載の製造方法。
- 前記低誘電率膜の静的接触角の範囲が、110°~115°、115°~120°、120°~125°、125°~130°、130°~135°、135°~140°、140°~145°、145°~150°又は150°~155°である、請求項18~29のいずれか1項に記載の製造方法。
- 前記低誘電率膜の厚さの範囲が10~2000nmである、請求項18~30のいずれか1項に記載の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910413247.9A CN110158052B (zh) | 2019-05-17 | 2019-05-17 | 低介电常数膜及其制备方法 |
CN201910413247.9 | 2019-05-17 | ||
PCT/CN2020/090119 WO2020233480A1 (zh) | 2019-05-17 | 2020-05-14 | 低介电常数膜及其制备方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022532755A JP2022532755A (ja) | 2022-07-19 |
JPWO2020233480A5 JPWO2020233480A5 (ja) | 2023-05-16 |
JP7475371B2 true JP7475371B2 (ja) | 2024-04-26 |
Family
ID=67631273
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021568365A Active JP7475371B2 (ja) | 2019-05-17 | 2020-05-14 | 低誘電率膜及びその製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11904352B2 (ja) |
EP (1) | EP3971320A4 (ja) |
JP (1) | JP7475371B2 (ja) |
KR (1) | KR20220008319A (ja) |
CN (1) | CN110158052B (ja) |
TW (1) | TWI743790B (ja) |
WO (1) | WO2020233480A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110158052B (zh) | 2019-05-17 | 2021-05-14 | 江苏菲沃泰纳米科技股份有限公司 | 低介电常数膜及其制备方法 |
US11898248B2 (en) * | 2019-12-18 | 2024-02-13 | Jiangsu Favored Nanotechnology Co., Ltd. | Coating apparatus and coating method |
CN114438478B (zh) * | 2022-01-27 | 2024-04-26 | 深圳市技高美纳米科技有限公司 | 硅基纳米涂层的制备方法、硅基纳米涂层和印制电路板组件 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002252228A (ja) | 2000-12-19 | 2002-09-06 | Canon Sales Co Inc | 半導体装置及びその製造方法 |
Family Cites Families (41)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5244730A (en) | 1991-04-30 | 1993-09-14 | International Business Machines Corporation | Plasma deposition of fluorocarbon |
JP3435186B2 (ja) | 1993-04-15 | 2003-08-11 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
US6149987A (en) | 1998-04-07 | 2000-11-21 | Applied Materials, Inc. | Method for depositing low dielectric constant oxide films |
US6458718B1 (en) * | 2000-04-28 | 2002-10-01 | Asm Japan K.K. | Fluorine-containing materials and processes |
SG98468A1 (en) | 2001-01-17 | 2003-09-19 | Air Prod & Chem | Organosilicon precursors for interlayer dielectric films with low dielectric constants |
US6716770B2 (en) * | 2001-05-23 | 2004-04-06 | Air Products And Chemicals, Inc. | Low dielectric constant material and method of processing by CVD |
KR20030002993A (ko) | 2001-06-29 | 2003-01-09 | 학교법인 포항공과대학교 | 저유전체 박막의 제조방법 |
JP3778045B2 (ja) | 2001-10-09 | 2006-05-24 | 三菱電機株式会社 | 低誘電率材料の製造方法および低誘電率材料、並びにこの低誘電率材料を用いた絶縁膜および半導体装置 |
US7423166B2 (en) * | 2001-12-13 | 2008-09-09 | Advanced Technology Materials, Inc. | Stabilized cyclosiloxanes for use as CVD precursors for low-dielectric constant thin films |
EP1504138A2 (en) * | 2002-05-08 | 2005-02-09 | Applied Materials, Inc. | Method for using low dielectric constant film by electron beam |
US20040137757A1 (en) | 2003-01-13 | 2004-07-15 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus to improve cracking thresholds and mechanical properties of low-k dielectric material |
US7288292B2 (en) | 2003-03-18 | 2007-10-30 | International Business Machines Corporation | Ultra low k (ULK) SiCOH film and method |
US20040197474A1 (en) | 2003-04-01 | 2004-10-07 | Vrtis Raymond Nicholas | Method for enhancing deposition rate of chemical vapor deposition films |
JP4344841B2 (ja) | 2003-05-30 | 2009-10-14 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 低誘電率絶縁膜の形成方法 |
US7646081B2 (en) | 2003-07-08 | 2010-01-12 | Silecs Oy | Low-K dielectric material |
US7030468B2 (en) | 2004-01-16 | 2006-04-18 | International Business Machines Corporation | Low k and ultra low k SiCOH dielectric films and methods to form the same |
US7049247B2 (en) | 2004-05-03 | 2006-05-23 | International Business Machines Corporation | Method for fabricating an ultralow dielectric constant material as an intralevel or interlevel dielectric in a semiconductor device and electronic device made |
US7422776B2 (en) | 2004-08-24 | 2008-09-09 | Applied Materials, Inc. | Low temperature process to produce low-K dielectrics with low stress by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) |
US7135402B2 (en) | 2005-02-01 | 2006-11-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Sealing pores of low-k dielectrics using CxHy |
WO2007061134A1 (ja) | 2005-11-24 | 2007-05-31 | Nec Corporation | 多孔質絶縁膜の形成方法、半導体装置の製造装置、半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
US20070172666A1 (en) | 2006-01-24 | 2007-07-26 | Denes Ferencz S | RF plasma-enhanced deposition of fluorinated films |
CN101393865B (zh) * | 2007-09-17 | 2010-10-13 | 联华电子股份有限公司 | 超低介电常数介电层及其形成方法 |
TWI510665B (zh) | 2009-02-17 | 2015-12-01 | Tokyo Electron Ltd | 使用電漿反應製程來形成氟碳化物層的方法 |
JP2013520841A (ja) | 2010-02-25 | 2013-06-06 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | プラズマ化学気相堆積による、有機官能基と共にシリコンを含有するハイブリッド前駆体を使用する超低誘電材料 |
US8178439B2 (en) | 2010-03-30 | 2012-05-15 | Tokyo Electron Limited | Surface cleaning and selective deposition of metal-containing cap layers for semiconductor devices |
US8216861B1 (en) | 2011-06-28 | 2012-07-10 | Applied Materials, Inc. | Dielectric recovery of plasma damaged low-k films by UV-assisted photochemical deposition |
US9714463B2 (en) | 2011-12-30 | 2017-07-25 | Gvd Corporation | Coatings for electrowetting and electrofluidic devices |
TWI449802B (zh) | 2012-06-06 | 2014-08-21 | Univ Nat Chiao Tung | 掺碳氮化矽薄膜及其製造方法與裝置 |
US9352891B2 (en) * | 2012-12-28 | 2016-05-31 | Ade, Inc. | Suspension packaging structures and methods of making and using the same |
US20140183087A1 (en) | 2012-12-31 | 2014-07-03 | Funai Electric Co., Ltd. | Fluid Level Sensing Tank Materials |
GB201305500D0 (en) | 2013-03-26 | 2013-05-08 | Semblant Ltd | Coated electrical assembly |
US9607825B2 (en) | 2014-04-08 | 2017-03-28 | International Business Machines Corporation | Hydrogen-free silicon-based deposited dielectric films for nano device fabrication |
KR20160029985A (ko) | 2014-09-05 | 2016-03-16 | 성균관대학교산학협력단 | 유전체에 균일하게 플라즈마를 발생시키는 방법 |
CN105280816A (zh) | 2015-09-22 | 2016-01-27 | 复旦大学 | 一种使用等离子体交联技术制备有机场效应晶体管介电层的方法 |
CN106291911B (zh) | 2016-08-10 | 2019-06-11 | 华南师范大学 | 复合层结构的疏水性介电层、其制备方法和电润湿器件 |
CN106496529B (zh) | 2016-11-17 | 2019-01-18 | 北京航空航天大学 | 一种低介电常数二乙炔基聚合物、其制备方法及其用途 |
CN106958012A (zh) | 2017-05-21 | 2017-07-18 | 无锡荣坚五金工具有限公司 | 一种基材运动式等离子体放电制备纳米涂层的设备及方法 |
CN107587120B (zh) | 2017-08-23 | 2018-12-18 | 江苏菲沃泰纳米科技有限公司 | 一种具有调制结构的高绝缘纳米防护涂层的制备方法 |
CN109277269B (zh) | 2018-10-24 | 2020-07-14 | 江苏菲沃泰纳米科技有限公司 | 一种环氧纳米涂层及其制备方法 |
CN110158052B (zh) | 2019-05-17 | 2021-05-14 | 江苏菲沃泰纳米科技股份有限公司 | 低介电常数膜及其制备方法 |
CN110129769B (zh) | 2019-05-17 | 2021-05-14 | 江苏菲沃泰纳米科技股份有限公司 | 疏水性的低介电常数膜及其制备方法 |
-
2019
- 2019-05-17 CN CN201910413247.9A patent/CN110158052B/zh active Active
-
2020
- 2020-05-14 JP JP2021568365A patent/JP7475371B2/ja active Active
- 2020-05-14 EP EP20809129.8A patent/EP3971320A4/en active Pending
- 2020-05-14 US US17/595,436 patent/US11904352B2/en active Active
- 2020-05-14 KR KR1020217040802A patent/KR20220008319A/ko not_active Application Discontinuation
- 2020-05-14 WO PCT/CN2020/090119 patent/WO2020233480A1/zh active Application Filing
- 2020-05-18 TW TW109116440A patent/TWI743790B/zh active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002252228A (ja) | 2000-12-19 | 2002-09-06 | Canon Sales Co Inc | 半導体装置及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN110158052B (zh) | 2021-05-14 |
EP3971320A1 (en) | 2022-03-23 |
US20220314271A1 (en) | 2022-10-06 |
EP3971320A4 (en) | 2023-11-15 |
WO2020233480A1 (zh) | 2020-11-26 |
TWI743790B (zh) | 2021-10-21 |
TW202043541A (zh) | 2020-12-01 |
US11904352B2 (en) | 2024-02-20 |
CN110158052A (zh) | 2019-08-23 |
JP2022532755A (ja) | 2022-07-19 |
KR20220008319A (ko) | 2022-01-20 |
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