JP7463967B2 - ガラス微粒子堆積体の製造装置及び製造方法 - Google Patents
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- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims description 70
- 239000004071 soot Substances 0.000 title claims description 51
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 15
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 64
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 54
- 239000006200 vaporizer Substances 0.000 claims description 45
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 20
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 17
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 15
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 13
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 claims description 7
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 claims description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 62
- HMMGMWAXVFQUOA-UHFFFAOYSA-N octamethylcyclotetrasiloxane Chemical compound C[Si]1(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O1 HMMGMWAXVFQUOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- XMSXQFUHVRWGNA-UHFFFAOYSA-N Decamethylcyclopentasiloxane Chemical compound C[Si]1(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O1 XMSXQFUHVRWGNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- HTDJPCNNEPUOOQ-UHFFFAOYSA-N hexamethylcyclotrisiloxane Chemical compound C[Si]1(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O1 HTDJPCNNEPUOOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
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- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
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- C03B37/01406—Deposition reactors therefor
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- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/01413—Reactant delivery systems
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- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
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- C03B2207/34—Liquid, e.g. mist or aerosol
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2207/00—Glass deposition burners
- C03B2207/60—Relationship between burner and deposit, e.g. position
- C03B2207/62—Distance
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Description
本開示は、ガラス微粒子堆積体の製造装置及び製造方法に関する。
本出願は、２０１８年１２月４日出願の日本国特許出願第２０１８－２２７１１５号に基づく優先権を主張し、当該出願に記載された全ての記載内容を援用するものである。
本出願は、２０１８年１２月４日出願の日本国特許出願第２０１８－２２７１１５号に基づく優先権を主張し、当該出願に記載された全ての記載内容を援用するものである。
特許文献１には、シロキサンを原料として用いてガラス微粒子堆積体を形成するガラス微粒子堆積体製造用バーナとガラス微粒子堆積体の製造方法が記載されている。
特許文献２には、ガラス微粒子堆積体が成長してその径が増大するにしたがってバーナを後退させることが記載されている。
特許文献２には、ガラス微粒子堆積体が成長してその径が増大するにしたがってバーナを後退させることが記載されている。
本開示の一態様に係るガラス微粒子堆積体の製造装置は、
反応容器内に配置された出発ロッドにガラス微粒子を堆積してガラス微粒子堆積体を作製するガラス微粒子堆積体の製造装置であって、
原料ガスを噴射して前記ガラス微粒子を合成するバーナと、
前記バーナが配置され、前記ガラス微粒子堆積体の径が増大するに伴って前記バーナを後退させる移動機構と、
前記バーナと共に一体的に後退するように前記移動機構に配置され、液体のシロキサンを気化させて前記原料ガスにする気化器と、
前記原料ガスを前記気化器から前記バーナまで供給する配管と、
前記配管を２３０℃以上の加熱温度で加熱する加熱機構と、
制御部と、
を備え、
前記配管内に前記原料ガスの圧力を測定する圧力センサを備え、
前記制御部は、前記圧力センサによって測定された前記原料ガスの圧力に基づいて前記原料ガスが液化しているか否かを判定し、判定の結果に基づいて前記加熱温度を制御する。
反応容器内に配置された出発ロッドにガラス微粒子を堆積してガラス微粒子堆積体を作製するガラス微粒子堆積体の製造装置であって、
原料ガスを噴射して前記ガラス微粒子を合成するバーナと、
前記バーナが配置され、前記ガラス微粒子堆積体の径が増大するに伴って前記バーナを後退させる移動機構と、
前記バーナと共に一体的に後退するように前記移動機構に配置され、液体のシロキサンを気化させて前記原料ガスにする気化器と、
前記原料ガスを前記気化器から前記バーナまで供給する配管と、
前記配管を２３０℃以上の加熱温度で加熱する加熱機構と、
制御部と、
を備え、
前記配管内に前記原料ガスの圧力を測定する圧力センサを備え、
前記制御部は、前記圧力センサによって測定された前記原料ガスの圧力に基づいて前記原料ガスが液化しているか否かを判定し、判定の結果に基づいて前記加熱温度を制御する。
また、本開示の一態様に係るガラス微粒子堆積体の製造方法は、
反応容器内に配置した出発ロッドにガラス微粒子を堆積してガラス微粒子堆積体を作製するガラス微粒子堆積体の製造方法であって、
液体のシロキサンを気化器により気化させて原料ガスにする気化工程と、
気化した前記原料ガスを前記気化器からバーナまで供給する配管を２３０℃以上の加熱温度で加熱する加熱工程と、
前記バーナと前記気化器とを移動機構内に配置して、前記ガラス微粒子堆積体の径が増大するに伴って前記移動機構により前記バーナおよび前記気化器を一体的に後退させ、前記バーナが噴射した前記原料ガスから合成された前記ガラス微粒子を前記出発ロッドに堆積する堆積工程と、
を有し、
気化した前記原料ガスの圧力の変動を前記配管内の圧力センサによって測定することにより前記原料ガスが液化しているか否かを判定し、前記判定の結果に基づいて前記加熱温度を制御する。
反応容器内に配置した出発ロッドにガラス微粒子を堆積してガラス微粒子堆積体を作製するガラス微粒子堆積体の製造方法であって、
液体のシロキサンを気化器により気化させて原料ガスにする気化工程と、
気化した前記原料ガスを前記気化器からバーナまで供給する配管を２３０℃以上の加熱温度で加熱する加熱工程と、
前記バーナと前記気化器とを移動機構内に配置して、前記ガラス微粒子堆積体の径が増大するに伴って前記移動機構により前記バーナおよび前記気化器を一体的に後退させ、前記バーナが噴射した前記原料ガスから合成された前記ガラス微粒子を前記出発ロッドに堆積する堆積工程と、
を有し、
気化した前記原料ガスの圧力の変動を前記配管内の圧力センサによって測定することにより前記原料ガスが液化しているか否かを判定し、前記判定の結果に基づいて前記加熱温度を制御する。
（本開示が解決しようとする課題）
シロキサンを用いてガラス微粒子堆積体を形成する際には、シロキサンを気化させてバーナに供給するが、シロキサンの沸点は従来の原料として用いられてきた四塩化珪素よりも高く、原料ガスが、バーナ内やバーナへ原料を供給する配管内で冷却され、液化しやすい。このため、例えば特許文献１では、バーナを加熱するとともに、気化した原料ガスを供給する配管も加熱して液化を防止している。
ところが、原料ガスを供給する配管は配管長が長いため、この配管全長に亘ってシロキサンの沸点以上の温度となるように温度を保持することは難しい。また、配管の温度を上げ過ぎるとシロキサンが重合反応で粒子化し、配管詰まりの原因となってしまう。
また、ガラス微粒子堆積体が成長してその径が大きくなると、バーナと堆積面との距離が変化して堆積面の温度や堆積効率が変化してしまう。そのため、例えば特許文献２のように、ガラス微粒子堆積体の径が増大するにしたがってバーナを後退させる必要があるが、バーナを後退させる機構における原料ガスを供給する配管についても、液化や配管詰まりしないようにする必要がある。
シロキサンを用いてガラス微粒子堆積体を形成する際には、シロキサンを気化させてバーナに供給するが、シロキサンの沸点は従来の原料として用いられてきた四塩化珪素よりも高く、原料ガスが、バーナ内やバーナへ原料を供給する配管内で冷却され、液化しやすい。このため、例えば特許文献１では、バーナを加熱するとともに、気化した原料ガスを供給する配管も加熱して液化を防止している。
ところが、原料ガスを供給する配管は配管長が長いため、この配管全長に亘ってシロキサンの沸点以上の温度となるように温度を保持することは難しい。また、配管の温度を上げ過ぎるとシロキサンが重合反応で粒子化し、配管詰まりの原因となってしまう。
また、ガラス微粒子堆積体が成長してその径が大きくなると、バーナと堆積面との距離が変化して堆積面の温度や堆積効率が変化してしまう。そのため、例えば特許文献２のように、ガラス微粒子堆積体の径が増大するにしたがってバーナを後退させる必要があるが、バーナを後退させる機構における原料ガスを供給する配管についても、液化や配管詰まりしないようにする必要がある。
そこで、本開示は、バーナに供給する配管内での原料の液化および配管詰まりを抑制することができるガラス微粒子堆積体の製造装置及び製造方法を提供することを目的とする。
（本開示の効果）
本開示に係るガラス微粒子堆積体の製造装置及び製造方法によれば、バーナに供給する配管内での原料の液化および配管詰まりを抑制することができる。
本開示に係るガラス微粒子堆積体の製造装置及び製造方法によれば、バーナに供給する配管内での原料の液化および配管詰まりを抑制することができる。
（本開示の実施形態の説明）
最初に本開示の実施態様を列記して説明する。
本開示の一態様に係るガラス微粒子堆積体の製造装置は、
（１）反応容器内に配置された出発ロッドにガラス微粒子を堆積してガラス微粒子堆積体を作製するガラス微粒子堆積体の製造装置であって、
原料ガスを噴射して前記ガラス微粒子を合成するバーナと、
前記バーナが配置され、前記ガラス微粒子堆積体の径が増大するに伴って前記バーナを後退させる移動機構と、
前記バーナと共に一体的に後退するように前記移動機構に配置され、液体のシロキサンを気化させて前記原料ガスにする気化器と、
前記原料ガスを前記気化器から前記バーナまで供給する配管と、
前記配管を２３０℃以上の加熱温度で加熱する加熱機構と、
制御部と、
を備え、
前記配管内に前記原料ガスの圧力を測定する圧力センサを備え、
前記制御部は、前記圧力センサによって測定された前記原料ガスの圧力に基づいて前記原料ガスが液化しているか否かを判定し、判定の結果に基づいて前記加熱温度を制御する。
上記構成によれば、移動機構にバーナと気化器とが一体的に後退するように配置されているので、気化器から気化された原料ガスをバーナまで供給する配管の長さを短くできる。これにより、加熱機構によって２３０℃以上の加熱温度で加熱する領域を狭くすることができるので、気化した原料をバーナに供給する配管を適温に保持しておくことが容易にでき、バーナに供給する配管内での原料の液化および配管詰まりを抑制することができる。また、上記構成によれば、配管内の原料ガスの圧力を圧力センサによって測定することで、その圧力の変動により原料ガスが液化しているか否かを判定して加熱温度を制御することができる。
最初に本開示の実施態様を列記して説明する。
本開示の一態様に係るガラス微粒子堆積体の製造装置は、
（１）反応容器内に配置された出発ロッドにガラス微粒子を堆積してガラス微粒子堆積体を作製するガラス微粒子堆積体の製造装置であって、
原料ガスを噴射して前記ガラス微粒子を合成するバーナと、
前記バーナが配置され、前記ガラス微粒子堆積体の径が増大するに伴って前記バーナを後退させる移動機構と、
前記バーナと共に一体的に後退するように前記移動機構に配置され、液体のシロキサンを気化させて前記原料ガスにする気化器と、
前記原料ガスを前記気化器から前記バーナまで供給する配管と、
前記配管を２３０℃以上の加熱温度で加熱する加熱機構と、
制御部と、
を備え、
前記配管内に前記原料ガスの圧力を測定する圧力センサを備え、
前記制御部は、前記圧力センサによって測定された前記原料ガスの圧力に基づいて前記原料ガスが液化しているか否かを判定し、判定の結果に基づいて前記加熱温度を制御する。
上記構成によれば、移動機構にバーナと気化器とが一体的に後退するように配置されているので、気化器から気化された原料ガスをバーナまで供給する配管の長さを短くできる。これにより、加熱機構によって２３０℃以上の加熱温度で加熱する領域を狭くすることができるので、気化した原料をバーナに供給する配管を適温に保持しておくことが容易にでき、バーナに供給する配管内での原料の液化および配管詰まりを抑制することができる。また、上記構成によれば、配管内の原料ガスの圧力を圧力センサによって測定することで、その圧力の変動により原料ガスが液化しているか否かを判定して加熱温度を制御することができる。
また、本開示の一態様に係るガラス微粒子堆積体の製造方法は、
（２）反応容器内に配置した出発ロッドにガラス微粒子を堆積してガラス微粒子堆積体を作製するガラス微粒子堆積体の製造方法であって、
液体のシロキサンを気化器により気化させて原料ガスにする気化工程と、
気化した前記原料ガスを前記気化器からバーナまで供給する配管を２３０℃以上の加熱温度で加熱する加熱工程と、
前記バーナと前記気化器とを移動機構内に配置して、前記ガラス微粒子堆積体の径が増大するに伴って前記移動機構により前記バーナおよび前記気化器を一体的に後退させ、前記バーナが噴射した前記原料ガスから合成された前記ガラス微粒子を前記出発ロッドに堆積する堆積工程と、
を有し、
気化した前記原料ガスの圧力の変動を前記配管内の圧力センサによって測定することにより前記原料ガスが液化しているか否かを判定し、前記判定の結果に基づいて前記加熱温度を制御する。
上記方法によれば、バーナと気化器とが移動機構によって一体的に後退するので、気化器から気化された原料ガスをバーナまで供給する配管の長さを短くできる。これにより、加熱機構によって２３０℃以上の加熱温度で加熱する領域を狭くすることができるので、気化した原料をバーナに供給する配管を適温に保持しておくことが容易にでき、バーナに供給する配管内での原料の液化および配管詰まりを抑制することができる。また、上記方法によれば、気化した原料ガスの圧力の変動を圧力センサによって測定することにより、原料ガスが液化しているか否かを判定し、判定の結果に基づいて加熱温度を制御することができる。
（２）反応容器内に配置した出発ロッドにガラス微粒子を堆積してガラス微粒子堆積体を作製するガラス微粒子堆積体の製造方法であって、
液体のシロキサンを気化器により気化させて原料ガスにする気化工程と、
気化した前記原料ガスを前記気化器からバーナまで供給する配管を２３０℃以上の加熱温度で加熱する加熱工程と、
前記バーナと前記気化器とを移動機構内に配置して、前記ガラス微粒子堆積体の径が増大するに伴って前記移動機構により前記バーナおよび前記気化器を一体的に後退させ、前記バーナが噴射した前記原料ガスから合成された前記ガラス微粒子を前記出発ロッドに堆積する堆積工程と、
を有し、
気化した前記原料ガスの圧力の変動を前記配管内の圧力センサによって測定することにより前記原料ガスが液化しているか否かを判定し、前記判定の結果に基づいて前記加熱温度を制御する。
上記方法によれば、バーナと気化器とが移動機構によって一体的に後退するので、気化器から気化された原料ガスをバーナまで供給する配管の長さを短くできる。これにより、加熱機構によって２３０℃以上の加熱温度で加熱する領域を狭くすることができるので、気化した原料をバーナに供給する配管を適温に保持しておくことが容易にでき、バーナに供給する配管内での原料の液化および配管詰まりを抑制することができる。また、上記方法によれば、気化した原料ガスの圧力の変動を圧力センサによって測定することにより、原料ガスが液化しているか否かを判定し、判定の結果に基づいて加熱温度を制御することができる。
（本開示の実施形態の詳細）
本開示の実施形態に係るガラス微粒子堆積体の製造装置及び製造方法の具体例を、図面を参照しつつ説明する。
なお、本発明はこれらの例示に限定されるものではなく、請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
本開示の実施形態に係るガラス微粒子堆積体の製造装置及び製造方法の具体例を、図面を参照しつつ説明する。
なお、本発明はこれらの例示に限定されるものではなく、請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
図１は、本開示の実施形態に係るガラス微粒子堆積体の製造装置の一例を示す概略構成図である。
図１に示すように、製造装置１は、バーナ２と、気化器３と、配管４と、圧力センサ５と、加熱機構６と、移動機構７と、制御部８と、を備えている。製造装置１は、反応容器１００内に配置された出発ロッド１１１にガラス微粒子２１を堆積させてガラス微粒子堆積体Ｍを作製する装置である。
図１に示すように、製造装置１は、バーナ２と、気化器３と、配管４と、圧力センサ５と、加熱機構６と、移動機構７と、制御部８と、を備えている。製造装置１は、反応容器１００内に配置された出発ロッド１１１にガラス微粒子２１を堆積させてガラス微粒子堆積体Ｍを作製する装置である。
バーナ２は、原料ガスを噴射してガラス微粒子２１を合成させる。例えば、バーナ２は、助燃性ガス（酸素）および可燃性ガス（水素）により発生した酸水素火炎中に気化された原料ガスを噴出させ、酸化反応させることによってガラス微粒子２１を合成させる。バーナ２は、合成されたガラス微粒子２１を出発ロッド１１１に向けて噴き付ける。バーナ２は、金属材料、例えば、耐腐食性に優れたステンレス等で構成されている。
原料ガスには、液体のシロキサンを気化させたものが用いられる。シロキサンとしては、融点が１７．５℃であり沸点が１７５℃であるオクタメチルシクロテトラシロキサン（ＯＭＣＴＳ）、融点が－３８℃であり沸点が２１０℃であるデカメチルシクロペンタシロキサン（ＤＭＣＰＳ）、融点が６４℃であり沸点が１３４℃であるヘキサメチルシクロトリシロキサン、融点が－６８℃であり沸点が１００℃であるヘキサメチルジシロキサンなどを用いることができるが、ＯＭＣＴＳが最も望ましい。
なお、図１において、バーナ２に火炎形成用ガスを供給するガス供給装置は省略されている。
なお、図１において、バーナ２に火炎形成用ガスを供給するガス供給装置は省略されている。
気化器３は、液体のシロキサンを気化させて気体のシロキサン（原料ガス）を生成する装置である。気化器３には、チューブ３１，３２を介して、ＭＦＣ（Ｍａｓｓ Ｆｌｏｗ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）３３，３４が接続されている。ＭＦＣ３３は、液体のシロキサンの流量を制御するための液体用コントローラである。ＭＦＣ３４は、原料ガスを運搬するキャリアガス（本例では、窒素ガス）の流量を制御するためのコントローラである。ＭＦＣ３３は、チューブ３１を介して、液体のシロキサンを気化器３へ供給する。ＭＦＣ３４は、チューブ３２を介して、窒素ガスを気化器３へ供給する。チューブ３１，３２は、ＭＦＣ３３，３４と気化器３との距離が変化した場合にも対応可能な、例えば、フレキシブルなテフロン（登録商標）チューブで形成されている。ＭＦＣ３３には、液体のシロキサンが貯留されている原料タンク３５が配管３６を介して接続されている。また、ＭＦＣ３４には、キャリアガスを供給する配管３７が接続されている。ＭＦＣ３３，３４は、電気的に制御部８に接続されている。
配管４は、気化器３で気化された原料ガスをバーナ２へ導くための配管である。配管４は、気化器３とバーナ２との間に接続されている。
圧力センサ５は、配管４内における原料ガスの圧力を測定するためのセンサである。圧力センサ５は、耐熱性が高いセンサであって、配管４内に設けられている。圧力センサ５は、電気的に制御部８に接続されている。
加熱機構６は、配管４を加熱するための機構である。加熱機構６は、例えば、金属発熱体やカーボン製繊維状面発熱体の極細撚線を保護材で覆ったテープヒータで構成されている。テープヒータは、例えば、配管４の外周に巻き付けられている。このテープヒータが通電されることで、加熱機構６は、例えば、２３０℃以上の加熱温度で配管４を加熱することが可能である。配管４が加熱されることで、原料ガスであるシロキサンは、沸点温度以上となるように加熱される。これにより、配管４内でシロキサンが液化しないように、かつ重合反応で粒子化しないように原料ガスの温度が維持されている。加熱機構６は、電気的に制御部８に接続されている。
移動機構７は、反応容器１００内の出発ロッド１１１に対して、矢印Ａ，Ｂで示す方向に移動することが可能な機構である。移動機構７としては、直線的に移動することが可能な、例えば、リニアモータやステッピングモータを使用することができる。移動機構７は、電気的に制御部８に接続されている。
移動機構７内には、バーナ２と、気化器３と、配管４とが配置されている。バーナ２、気化器３、および配管４は、移動機構７と共に一体的に、反応容器１００内の出発ロッド１１１に対して後退（矢印Ａ方向）または前進（矢印Ｂ方向）するように構成されている。
反応容器１００には、バーナ２と対向する側壁に排気管１０１が設けられている。排気管１０１は、所定量のガスの排気を行う管であり、ガラス微粒子堆積体Ｍに堆積せずに反応容器１００内に浮遊するガラス微粒子２１を排除する。出発ロッド１１１には、支持棒１１２を介して、回転トラバース装置１１０が接続されている。回転トラバース装置１１０は、出発ロッド１１１の上部を支持棒１１２で保持して、反応容器１００内で出発ロッド１１１を回転させながらその軸方向に往復移動させる。回転トラバース装置１１０は、電気的に制御部８に接続されている。
制御部８は、加熱機構６、移動機構７、ＭＦＣ３３，３４、および回転トラバース装置１１０等の各動作を制御する。例えば、制御部８は、圧力センサ５によって測定された原料ガスの圧力に基づいて、原料ガスの圧力が所定の圧力となるように加熱機構６およびＭＦＣ３３，３４を制御する。また、制御部８は、ガラス微粒子堆積体Ｍの堆積面とバーナ２の先端との間隔が所定の距離となるように移動機構７を制御する。また、制御部８は、出発ロッド１１１を回転させながらその軸方向に沿って往復移動させることにより、ガラス微粒子堆積体Ｍの堆積面にガラス微粒子を均一に堆積させるように回転トラバース装置１１０を制御する。
次に、製造装置１を用いたガラス微粒子堆積体の製造方法について説明する。なお、下記のガラス微粒子堆積体の製造方法では、原料のシロキサンとしてＯＭＣＴＳを用いている。
（気化工程）
原料タンク３５に貯留されている液体のＯＭＣＴＳをＭＦＣ３３によりチューブ３１を介して気化器３へ供給する。また、キャリアガスとしての窒素ガスをＭＦＣ３４によりチューブ３２を介して気化器３へ供給し、高速で噴射されるキャリアガスにＯＭＣＴＳを滴下することにより、液体のＯＭＣＴＳを気化器３で気化させ原料ガスを生成する。
（気化工程）
原料タンク３５に貯留されている液体のＯＭＣＴＳをＭＦＣ３３によりチューブ３１を介して気化器３へ供給する。また、キャリアガスとしての窒素ガスをＭＦＣ３４によりチューブ３２を介して気化器３へ供給し、高速で噴射されるキャリアガスにＯＭＣＴＳを滴下することにより、液体のＯＭＣＴＳを気化器３で気化させ原料ガスを生成する。
（加熱工程）
生成された原料ガスは、気化器３からバーナ２へ配管４を介して供給される。加熱機構６により、原料ガスが流れる配管４を２３０℃以上の加熱温度で加熱する。圧力センサ５により、配管内における原料ガスの圧力を測定し、測定された圧力値を制御部８へ送信する。制御部８は、測定された圧力値と予め定められている所定の圧力値とを対比して、原料ガスが液化しているか否かを判定する。制御部８は、判定の結果に基づいて、加熱機構６の加熱温度を制御する。加熱機構６は、制御部８から送信されてくる加熱制御信号に基づいて、配管４を加熱する加熱温度を変化させる。
生成された原料ガスは、気化器３からバーナ２へ配管４を介して供給される。加熱機構６により、原料ガスが流れる配管４を２３０℃以上の加熱温度で加熱する。圧力センサ５により、配管内における原料ガスの圧力を測定し、測定された圧力値を制御部８へ送信する。制御部８は、測定された圧力値と予め定められている所定の圧力値とを対比して、原料ガスが液化しているか否かを判定する。制御部８は、判定の結果に基づいて、加熱機構６の加熱温度を制御する。加熱機構６は、制御部８から送信されてくる加熱制御信号に基づいて、配管４を加熱する加熱温度を変化させる。
制御部８は、測定された圧力値に基づいて、ＭＦＣ３３から供給される液体のＯＭＣＴＳの流量を変化させることにより原料ガスの圧力値を制御するようにしてもよい。例えば、測定された圧力値が上記所定の圧力値よりも低い場合は、ＯＭＣＴＳの流量を増やしてもよい。
（堆積工程）
出発ロッド１１１は、回転トラバース装置１１０によって、回転しながらその軸方向に往復移動する。この出発ロッド１１１に対して、バーナ２が噴射した原料ガスから合成されたガラス微粒子２１を堆積させる。これにより、出発ロッド１１１の外周にガラス微粒子２１が堆積され、ガラス微粒子堆積体Ｍが径方向に成長していく。一方、製造装置１の移動機構７内には、バーナ２、気化器３、および配管４が配置されている。上記のように、ガラス微粒子堆積体Ｍの径が増大するに伴って移動機構７により、バーナ２、気化器３、および配管４を一体的に矢印Ａ方向に後退させ、バーナ２とガラス微粒子堆積体Ｍ間の距離を所定の距離（例えば、ほぼ一定の距離）に維持する。そのための具体的な方法は、例えば以下のようにする。距離センサ等（図示省略）によりバーナ２の先端とガラス微粒子堆積体Ｍの堆積面までの距離を測定する。制御部８は、バーナ２の先端とガラス微粒子堆積体Ｍの堆積面との距離が所定の距離に維持されるように、移動機構７を制御する。移動機構７は、制御部８から送信されてくる移動制御信号に基づいて、移動機構７内に配置されているバーナ２、気化器３、および配管４をガラス微粒子堆積体Ｍに対して一体的に移動させる。
出発ロッド１１１は、回転トラバース装置１１０によって、回転しながらその軸方向に往復移動する。この出発ロッド１１１に対して、バーナ２が噴射した原料ガスから合成されたガラス微粒子２１を堆積させる。これにより、出発ロッド１１１の外周にガラス微粒子２１が堆積され、ガラス微粒子堆積体Ｍが径方向に成長していく。一方、製造装置１の移動機構７内には、バーナ２、気化器３、および配管４が配置されている。上記のように、ガラス微粒子堆積体Ｍの径が増大するに伴って移動機構７により、バーナ２、気化器３、および配管４を一体的に矢印Ａ方向に後退させ、バーナ２とガラス微粒子堆積体Ｍ間の距離を所定の距離（例えば、ほぼ一定の距離）に維持する。そのための具体的な方法は、例えば以下のようにする。距離センサ等（図示省略）によりバーナ２の先端とガラス微粒子堆積体Ｍの堆積面までの距離を測定する。制御部８は、バーナ２の先端とガラス微粒子堆積体Ｍの堆積面との距離が所定の距離に維持されるように、移動機構７を制御する。移動機構７は、制御部８から送信されてくる移動制御信号に基づいて、移動機構７内に配置されているバーナ２、気化器３、および配管４をガラス微粒子堆積体Ｍに対して一体的に移動させる。
上記のようなガラス微粒子堆積体の製造装置１および製造方法によれば、バーナ２と気化器３とが一つの移動機構７内に配置されているので、移動機構７が移動（後退）すると、バーナ２と気化器３とが一体的に移動（後退）するように構成されている。このため、気化器３とバーナ２との間の距離は変化しないので、気化器３とバーナ２とを接続する配管４を、例えばフレキシブルな配管（チューブ）で構成する必要がなく、その配管４の長さを短くすることができる。これにより、加熱機構６によって２３０℃以上の加熱温度で加熱する領域を狭くすることができるため、気化した原料ガスをバーナ２に供給する配管４を適温に保持しておくことが容易になる。よって、気化器３からバーナ２までの配管４内における原料ガスの液化および原料ガスの粒子化による配管詰まりを抑制することができる。
また、配管４内の原料ガスの圧力を圧力センサ５によって測定することができるので、測定された圧力の変動により原料ガスが液化しているか否かを判定することができる。このため、圧力の変動に基づいて加熱機構６の加熱温度やＭＦＣ３３から供給されるシロキサンの流量を制御することができ、配管４内における原料ガスの液化および原料ガスの粒子化による配管詰まりを抑制することができる。
以上、本発明を詳細にまた特定の実施態様を参照して説明したが、本発明の精神と範囲を逸脱することなく様々な変更や修正を加えることができることは当業者にとって明らかである。また、上記説明した構成部材の数、位置、形状等は上記実施の形態に限定されず、本発明を実施する上で好適な数、位置、形状等に変更することができる。
１：製造装置
２：バーナ
３：気化器
４：配管
５：圧力センサ
６：加熱機構
７：移動機構
８：制御部
２１：ガラス微粒子
３１，３２：チューブ
３３，３４：ＭＦＣ
３５：原料タンク
３６、３７：配管
１００：反応容器
１１１：出発ロッド
Ｍ：ガラス微粒子堆積体
２：バーナ
３：気化器
４：配管
５：圧力センサ
６：加熱機構
７：移動機構
８：制御部
２１：ガラス微粒子
３１，３２：チューブ
３３，３４：ＭＦＣ
３５：原料タンク
３６、３７：配管
１００：反応容器
１１１：出発ロッド
Ｍ：ガラス微粒子堆積体
Claims (2)
- 反応容器内に配置された出発ロッドにガラス微粒子を堆積してガラス微粒子堆積体を作製するガラス微粒子堆積体の製造装置であって、
原料ガスを噴射して前記ガラス微粒子を合成するバーナと、
前記バーナが配置され、前記ガラス微粒子堆積体の径が増大するに伴って前記バーナを後退させる移動機構と、
前記バーナと共に一体的に後退するように前記移動機構に配置され、液体のシロキサンを気化させて前記原料ガスにする気化器と、
前記原料ガスを前記気化器から前記バーナまで供給する配管と、
前記配管を２３０℃以上の加熱温度で加熱する加熱機構と、
制御部と、
を備え、
前記配管内に前記原料ガスの圧力を測定する圧力センサを備え、
前記制御部は、前記圧力センサによって測定された前記原料ガスの圧力に基づいて前記原料ガスが液化しているか否かを判定し、判定の結果に基づいて前記加熱温度を制御する、ガラス微粒子堆積体の製造装置。 - 反応容器内に配置した出発ロッドにガラス微粒子を堆積してガラス微粒子堆積体を作製するガラス微粒子堆積体の製造方法であって、
液体のシロキサンを気化器により気化させて原料ガスにする気化工程と、
気化した前記原料ガスを前記気化器からバーナまで供給する配管を２３０℃以上の加熱温度で加熱する加熱工程と、
前記バーナと前記気化器とを移動機構内に配置して、前記ガラス微粒子堆積体の径が増大するに伴って前記移動機構により前記バーナおよび前記気化器を一体的に後退させ、前記バーナが噴射した前記原料ガスから合成された前記ガラス微粒子を前記出発ロッドに堆積する堆積工程と、
を有し、
気化した前記原料ガスの圧力の変動を前記配管内の圧力センサによって測定することにより前記原料ガスが液化しているか否かを判定し、前記判定の結果に基づいて前記加熱温度を制御する、ガラス微粒子堆積体の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018227115 | 2018-12-04 | ||
| JP2018227115 | 2018-12-04 | ||
| PCT/JP2019/047458 WO2020116523A1 (ja) | 2018-12-04 | 2019-12-04 | ガラス微粒子堆積体の製造装置及び製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2020116523A1 JPWO2020116523A1 (ja) | 2021-10-14 |
| JP7463967B2 true JP7463967B2 (ja) | 2024-04-09 |
Family
ID=70973916
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2020559975A Active JP7463967B2 (ja) | 2018-12-04 | 2019-12-04 | ガラス微粒子堆積体の製造装置及び製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20220081344A1 (ja) |
| JP (1) | JP7463967B2 (ja) |
| CN (1) | CN113227000B (ja) |
| WO (1) | WO2020116523A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023038124A1 (ja) * | 2021-09-10 | 2023-03-16 | 住友電気工業株式会社 | 光ファイバ用ガラス母材の製造装置および光ファイバ用ガラス母材の製造方法 |
| CN115583791B (zh) * | 2022-10-18 | 2023-12-01 | 长飞光纤光缆股份有限公司 | 一种适用于ovd工艺的d4快速气化装置 |
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| JP2003073131A (ja) | 2001-06-19 | 2003-03-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ガラス微粒子堆積体の製造方法 |
| JP2006516525A (ja) | 2003-01-24 | 2006-07-06 | ヘレウス・クアルツグラース・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング・ウント・コンパニー・コマンディット・ゲゼルシャフト | 合成シリカガラスの製造方法 |
| JP2014224007A (ja) | 2013-05-15 | 2014-12-04 | 住友電気工業株式会社 | ガラス微粒子堆積体の製造方法およびガラス微粒子堆積体製造用バーナー |
| JP2015113259A (ja) | 2013-12-12 | 2015-06-22 | 住友電気工業株式会社 | ガラス微粒子堆積体の製造方法およびガラス母材の製造方法 |
| JP2015505291A5 (ja) | 2012-12-13 | 2016-01-28 | ||
| WO2017187915A1 (ja) | 2016-04-27 | 2017-11-02 | 株式会社フジクラ | ガラス母材の製造方法及び製造装置 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS593942B2 (ja) * | 1981-05-15 | 1984-01-26 | 日本電信電話株式会社 | ガラスフアイバ母材の製造法 |
| JPS6483666A (en) * | 1987-09-25 | 1989-03-29 | Furukawa Electric Co Ltd | Liquid raw material evaporating device |
| JPWO2002102729A1 (ja) * | 2001-06-14 | 2004-09-30 | 住友電気工業株式会社 | ガラス微粒子堆積体の製造装置及び製造方法 |
| JP5691325B2 (ja) * | 2010-09-14 | 2015-04-01 | 住友電気工業株式会社 | 多孔質ガラス母材の製造装置および多孔質ガラス母材の製造方法 |
| JP5348201B2 (ja) * | 2011-08-12 | 2013-11-20 | 住友電気工業株式会社 | ガラス微粒子堆積体の製造装置及び製造方法 |
| WO2013047834A1 (ja) * | 2011-09-29 | 2013-04-04 | 住友電気工業株式会社 | ガラス微粒子堆積体及びガラス母材の製造方法 |
| DE102011121190A1 (de) * | 2011-12-16 | 2013-06-20 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | OMCTS-Verdampfungsverfahren |
| CN104125933B (zh) * | 2012-12-28 | 2017-07-28 | 住友电气工业株式会社 | 玻璃微粒沉积体的制造方法以及玻璃母材的制造方法 |
| JP2015093816A (ja) * | 2013-11-13 | 2015-05-18 | 住友電気工業株式会社 | ガラス微粒子堆積体の製造方法およびガラス母材の製造方法 |
| JP6086168B2 (ja) * | 2016-04-01 | 2017-03-01 | 住友電気工業株式会社 | ガラス微粒子堆積体の製造方法およびガラス母材の製造方法 |
| JP6793676B2 (ja) * | 2018-04-02 | 2020-12-02 | 信越化学工業株式会社 | 光ファイバ用多孔質ガラス母材の製造装置および製造方法 |
-
2019
- 2019-12-04 CN CN201980079132.9A patent/CN113227000B/zh active Active
- 2019-12-04 JP JP2020559975A patent/JP7463967B2/ja active Active
- 2019-12-04 WO PCT/JP2019/047458 patent/WO2020116523A1/ja active Application Filing
- 2019-12-04 US US17/299,439 patent/US20220081344A1/en active Pending
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| JP2015505291A5 (ja) | 2012-12-13 | 2016-01-28 | ||
| JP2014224007A (ja) | 2013-05-15 | 2014-12-04 | 住友電気工業株式会社 | ガラス微粒子堆積体の製造方法およびガラス微粒子堆積体製造用バーナー |
| JP2015113259A (ja) | 2013-12-12 | 2015-06-22 | 住友電気工業株式会社 | ガラス微粒子堆積体の製造方法およびガラス母材の製造方法 |
| WO2017187915A1 (ja) | 2016-04-27 | 2017-11-02 | 株式会社フジクラ | ガラス母材の製造方法及び製造装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20220081344A1 (en) | 2022-03-17 |
| CN113227000B (zh) | 2022-10-21 |
| WO2020116523A1 (ja) | 2020-06-11 |
| CN113227000A (zh) | 2021-08-06 |
| JPWO2020116523A1 (ja) | 2021-10-14 |
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