JP7449842B2 - 多孔質ガラス母材の製造方法及び製造装置 - Google Patents

多孔質ガラス母材の製造方法及び製造装置 Download PDF

Info

Publication number
JP7449842B2
JP7449842B2 JP2020183929A JP2020183929A JP7449842B2 JP 7449842 B2 JP7449842 B2 JP 7449842B2 JP 2020183929 A JP2020183929 A JP 2020183929A JP 2020183929 A JP2020183929 A JP 2020183929A JP 7449842 B2 JP7449842 B2 JP 7449842B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
temperature
vaporizer
wall
heater
porous glass
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2020183929A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2022073751A (ja
Inventor
直人 野田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shin Etsu Chemical Co Ltd filed Critical Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority to JP2020183929A priority Critical patent/JP7449842B2/ja
Priority to US17/510,778 priority patent/US20220135461A1/en
Priority to EP21205419.1A priority patent/EP3992159A1/en
Priority to CN202111265447.8A priority patent/CN114436522A/zh
Priority to KR1020210146908A priority patent/KR20220059420A/ko
Publication of JP2022073751A publication Critical patent/JP2022073751A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7449842B2 publication Critical patent/JP7449842B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B19/00Other methods of shaping glass
    • C03B19/14Other methods of shaping glass by gas- or vapour- phase reaction processes
    • C03B19/1415Reactant delivery systems
    • C03B19/1423Reactant deposition burners
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B37/00Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
    • C03B37/01Manufacture of glass fibres or filaments
    • C03B37/012Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
    • C03B37/014Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
    • C03B37/01413Reactant delivery systems
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B19/00Other methods of shaping glass
    • C03B19/14Other methods of shaping glass by gas- or vapour- phase reaction processes
    • C03B19/1415Reactant delivery systems
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B37/00Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
    • C03B37/01Manufacture of glass fibres or filaments
    • C03B37/012Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
    • C03B37/014Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
    • C03B37/018Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD] by glass deposition on a glass substrate, e.g. by inside-, modified-, plasma-, or plasma modified- chemical vapour deposition [ICVD, MCVD, PCVD, PMCVD], i.e. by thin layer coating on the inside or outside of a glass tube or on a glass rod
    • C03B37/01807Reactant delivery systems, e.g. reactant deposition burners
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01BBOILING; BOILING APPARATUS ; EVAPORATION; EVAPORATION APPARATUS
    • B01B1/00Boiling; Boiling apparatus for physical or chemical purposes ; Evaporation in general
    • B01B1/005Evaporation for physical or chemical purposes; Evaporation apparatus therefor, e.g. evaporation of liquids for gas phase reactions
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B37/00Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
    • C03B37/01Manufacture of glass fibres or filaments
    • C03B37/012Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
    • C03B37/014Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
    • C03B37/01413Reactant delivery systems
    • C03B37/0142Reactant deposition burners
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B37/00Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
    • C03B37/01Manufacture of glass fibres or filaments
    • C03B37/012Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
    • C03B37/014Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
    • C03B37/018Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD] by glass deposition on a glass substrate, e.g. by inside-, modified-, plasma-, or plasma modified- chemical vapour deposition [ICVD, MCVD, PCVD, PMCVD], i.e. by thin layer coating on the inside or outside of a glass tube or on a glass rod
    • C03B37/01807Reactant delivery systems, e.g. reactant deposition burners
    • C03B37/01815Reactant deposition burners or deposition heating means
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B2207/00Glass deposition burners
    • C03B2207/30For glass precursor of non-standard type, e.g. solid SiH3F
    • C03B2207/32Non-halide
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B2207/00Glass deposition burners
    • C03B2207/30For glass precursor of non-standard type, e.g. solid SiH3F
    • C03B2207/34Liquid, e.g. mist or aerosol
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B2207/00Glass deposition burners
    • C03B2207/46Comprising performance enhancing means, e.g. electrostatic charge or built-in heater
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B2207/00Glass deposition burners
    • C03B2207/70Control measures
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B2207/00Glass deposition burners
    • C03B2207/80Feeding the burner or the burner-heated deposition site
    • C03B2207/85Feeding the burner or the burner-heated deposition site with vapour generated from liquid glass precursors, e.g. directly by heating the liquid
    • C03B2207/87Controlling the temperature

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Glass Melting And Manufacturing (AREA)
  • Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)

Description

本発明は、有機シロキサン原料を用いた多孔質ガラス母材の製造方法及び製造装置に関する。
ガラスロッドなどの出発材にガラス微粒子を堆積させてスートを形成する多孔質ガラス微粒子体(多孔質ガラス母材)の製造方法が従来から知られている。多孔質ガラス母材は、脱水し焼結させることで、光ファイバの製造などに用いるガラス母材とすることができる。
光ファイバ製造用のガラス母材は、具体的には例えば、VAD法などにより製造されたコア母材上に、有機シロキサンなどのケイ素化合物原料を燃焼させて生成したSiO微粒子をOVD法などにより外付け堆積させて多孔質ガラス母材を製造し、これを焼結して透明ガラス化することにより得ることができる。
多孔質ガラス母材の製造方法に関しては、特許文献1に、150℃以上250℃以下の温度に加熱した気化器内に液体ケイ素化合物原料を導入して気化させ、気化した原料ガスをバーナで燃焼させて生成したSiO微粒子を堆積して製造する方法が記載されている。また、特許文献2に、気化器内に導入した液体原料を、150℃以上230℃以下の高温キャリアガスと接触させることによって気化させ、気化した原料ガスをバーナで燃焼させて生成したSiO微粒子を堆積して製造する方法が記載されている。
特開2013-177297号公報 特開2015-502316号公報
オクタメチルシクロテトラシロキサン(OMCTS)に代表される液体状態の有機シロキサンをガラス微粒子の原料とする場合、気化させて反応系に供給する方法がある。液体状態の原料を気化させる方法としては、例えば、気化器内に原料を導入し、気化器内で原料を加熱して気化させる方法が挙げられる。しかし、内壁を高温に加熱した気化器に原料を導入すると、気化する際に原料の一部が分解重合するなどして、気化器の内壁や配管にゲル状の重合物質が堆積するおそれがある。気化器の内壁や配管に重合物質が堆積すると、気化器内の圧力の上昇や、最悪の場合、配管の閉塞を引き起こす。重合物質を取り除くためには気化器の洗浄が必要になるが、設備をしばらく停止させる必要があるため、生産プロセスが非効率となる。また、気化器の内壁に重合物質が堆積することで、気化器の内壁の表面状態が変わり、気化器の気化能力が低下するおそれがある。
本発明の目的は、ガラス微粒子の原料として、液体状態の有機シロキサンを用いる場合に、気化器内で気化させた際の重合物質の生成を抑制可能な多孔質ガラス母材の製造方法及び製造装置を提供することにある。
本発明の多孔質ガラス母材の製造方法は、原料である液体状態の有機シロキサンをキャリアガスと気化器内で混合し、ヒータにより加熱された気化器の内壁から生じる熱により気化させて、気体原料としてバーナに供給し、気体原料の燃焼により生成されたガラス微粒子を出発材に堆積させることにより多孔質ガラス母材を製造する多孔質ガラス母材の製造方法であって、気化器の内壁の最高温度が230℃以下であるという温度要件を満たすようにヒータの加熱出力を制御する。
最高温度が210℃以下となるようにヒータの加熱出力を制御してもよい。
更に、気化器の内壁の最高温度と最低温度との温度差が30℃以内であるという温度要件を満たすようにヒータの加熱出力を制御してもよい。
最高温度と最低温度との温度差が15℃以内となるようにヒータの加熱出力を制御してもよい。
温度要件を満たすために、更に、気化器に供給する有機シロキサン原料液の流量に応じて、キャリアガスの流量と予熱温度を制御してもよい。
気化器の内壁の温度を計測するための温度計測点を複数の位置に備え、予め、多孔質ガラス母材製造時の気化器の運転条件の下で、ヒータの加熱出力を変化させつつ、同じ計測タイミングにおける各温度計測点の計測値の組を複数収集し、温度要件を満たす計測値の組を抽出して、抽出した組を構成するいずれかの温度計測点の計測値を目標温度とし、多孔質ガラス母材の製造時に、いずれかの温度計測点の計測値が目標温度になるように、ヒータの加熱出力を制御してもよい。
ヒータを、気化器の内壁の複数の領域ごとに設けられた、互いに独立した系統の複数のヒータとし、領域の内壁の温度を計測するための温度計測点を、それぞれの領域に備え、多孔質ガラス母材の製造時に、それぞれの温度計測点の計測値が温度要件を満たすように、それぞれの系統のヒータの加熱出力を制御してもよい。
気化器の内壁の複数の領域に対応して発熱密度を調整可能なヒータを備え、領域の内壁の温度を計測するための温度計測点を、それぞれの領域に設け、予め、多孔質ガラス母材製造時の気化器の運転条件の下で、ヒータにより内壁を加熱して、それぞれの温度計測点において温度要件を満たす計測値となるように、それぞれの領域におけるヒータの発熱密度を調整しておいた上で、多孔質ガラス母材の製造を実行してもよい。
有機シロキサン原料として、例えば、オクタメチルシクロテトラシロキサンを用いてもよい。
本発明の多孔質ガラスの製造装置は、原料である液体状態の有機シロキサンをキャリアガスと気化器内で混合し、ヒータにより加熱された気化器の内壁から生じる熱により気化させて、気体原料としてバーナに供給し、気体原料の燃焼により生成されたガラス微粒子を出発材に堆積させることにより多孔質ガラス母材を製造する多孔質ガラス母材の製造装置であって、気化器の内壁の最高温度が230℃以下であるという温度要件を満たすようにヒータの加熱出力を制御する。
制御部は、最高温度が210℃以下となるようにヒータの加熱出力を制御してもよい。
制御部は、更に、気化器の内壁の最高温度と最低温度との温度差が30℃以内であるという温度要件を満たすようにヒータの加熱出力を制御してもよい。
制御部は、最高温度と最低温度との温度差が15℃以内となるようにヒータの加熱出力を制御してもよい。
制御部は、温度要件を満たすために、更に、気化器に供給する有機シロキサン原料液の流量に応じて、キャリアガスの流量と予熱温度を制御してもよい。
気化器の内壁の温度を計測するための温度計測部を複数の位置に備え、予め、多孔質ガラス母材製造時の気化器の運転条件の下で、ヒータの加熱出力を変化させつつ、同じ計測タイミングにおける各温度計測部の計測値の組を複数収集し、温度要件を満たす計測値の組を抽出して、抽出した組を構成するいずれかの温度計測部の計測値を目標温度とし、多孔質ガラス母材の製造時に、制御部が、いずれかの温度計測部の計測値が目標温度になるように、ヒータの加熱出力を制御してもよい。
ヒータを、気化器の内壁の複数の領域ごとに設けられた、互いに独立した系統の複数のヒータとし、領域の内壁の温度を計測するための温度計測部を、それぞれの領域に備え、多孔質ガラス母材の製造時に、制御部が、それぞれの温度計測部の計測値が温度要件を満たすように、それぞれの系統のヒータの加熱出力を制御してもよい。
気化器の内壁の複数の領域に対応して発熱密度を調整可能なヒータを備え、領域の内壁の温度を計測するための温度計測部を、それぞれの領域に備え、予め、多孔質ガラス母材製造時の気化器の運転条件の下で、ヒータにより内壁を加熱して、それぞれの温度計測部において温度要件を満たす計測値となるように、それぞれの領域におけるヒータの発熱密度が調整しておいてもよい。
有機シロキサン原料として、例えば、オクタメチルシクロテトラシロキサンを用いてもよい。
気化器の内壁の表面材質として、例えば、ステンレス鋼、ハステロイ、アルミニウム、銀、銅、石英ガラス、耐熱性のあるフッ素樹脂のいずれかを用いてもよい。
本発明の多孔質ガラス母材の製造方法及び製造装置によれば、ガラス微粒子の原料として、液体状態の有機シロキサンを用いる場合に、気化器内で気化させた際の重合物質の生成を抑制することができる。
多孔質ガラス母材製造装置の原料供給系の一例を示す図である。 本発明の多孔質ガラス母材製造方法の実施に使用する気化器の構成の一例を示す図である。 アトマイザに対向する側にキャリアガス供給配管を設けた気化器の一例を示す図である。 ヒータを領域ごとに分割して設けた気化器の一例を示す図である。 ヒータを電熱線により構成した気化器の一例を示す図である。
以下、本発明の実施形態について説明する。背景技術の説明に用いた図も含め、各図面における共通の構成要素については同じ符号を付す。
図1に、本発明の多孔質ガラス母材製造方法の実施に用いる多孔質ガラス母材製造装置の原料供給系の一例を示す。
液体状態の有機シロキサン(以下「原料液」という。)は、原料液注入配管から原料液タンク1に注入され貯蔵された上で、気化器6に向けて送液される。原料液タンク1からの原料液の送液方法としては、例えば送液ポンプやガス圧送などを採用することができる。図1では送液ポンプ2を採用する場合を例示している。送液ポンプ2を経た原料液は送液配管3に送液される。送液配管3は、途中で循環配管3aと気化器6に向かう原料液供給配管3bとに分かれている。原料液供給配管3bの途中には、原料液を精密に流量制御する液体マスフローコントローラ4が設けられる。なお、送液配管3は、送液される原料液が凝固しない程度に加熱するのが好ましい。気化器6には、原料液供給配管3bを経て供給された原料液とともに、キャリアガス供給配管8を経たキャリアガスが供給される。キャリアガス供給配管8の途中にはガス(気体)マスフローコントローラ5が設けられる。原料液が気化器6内でキャリアガスと混合され加熱されることにより生じた原料混合ガスは、原料混合ガス配管3cを経てバーナ9に供給される。
図2に、本発明の多孔質ガラス母材製造方法の実施に使用する気化器6の構成の一例を示す。
気化器6は、原料液とキャリアガスを気化器6内に噴出させるアトマイザ10と、内壁を加熱するヒータ11と、を備える。気化器6の形状は、アトマイザ10の噴出方向の延長軸線に対して対称型になっていると、原料液を安定的に気化させることができる。好ましい形状としては、例えば、円筒形状、角柱形状、球体形状などが挙げられる。
アトマイザ10は、中央から原料液を噴出させるとともに、その周囲からキャリアガスを噴出させる。原料液は、キャリアガスの流れにより粉砕され、微細な液滴となってアトマイザ10を起点に所定の噴霧角度で円錐状に噴霧される。
噴霧された原料液の液滴は、気化器6を取り囲むヒータ11が発する熱に基づき気化される。具体的には、噴霧された原料液の液滴は、気化器6の内壁からの熱輻射及び液滴が内壁に付着して受ける熱伝導により加熱されて気化が進行する。液滴の気化を促進するために、図3に示すように、気化器6のアトマイザ10に対向する側にキャリアガス供給配管8を更に設けて、加熱したキャリアガスを追加的に導入してもよい。
気化器6の内壁に付着した原料液の液滴が過度に加熱されると、原料由来の分解重合反応が進行し、内壁等に重合物質が堆積しやすくなる。このため、気化器6の内壁の温度は、原料液を効率よく気化させる観点から、(原料液の沸点-25)℃以上とするのが好ましく、かつ、原料液の気化速度を液滴の分解重合反応速度が上回ることによる重合物質の堆積を防ぐ観点から、(原料液の沸点+55)℃以下とするのが好ましい。例えば、有機シロキサン原料として沸点175℃のオクタメチルシクロテトラシロキサン(OMCTS)を用いる場合、気化器6の内壁の温度は150℃以上230℃以下に制御するのが好ましく、180℃以上210℃以下に制御できればより好ましい。
気化器6の内壁のうち、アトマイザ10から噴霧された液滴が直接当たる領域では、液滴の気化に伴う気化熱によって熱が奪われ温度が下がりやすい。このように温度が低下した領域で計測された温度に基づきヒータ11の加熱出力を制御すると、液滴が直接当たっていない領域は、元々温度が低下していない又は温度の低下が相対的に小さいため過熱状態になりやすく、液滴が付着することで原料の分解重合反応が促進されるおそれがある。
すなわち、内壁の或る位置では適切な温度でも、他の位置で過熱状態になる可能性があるため、原料の分解重合反応を抑えるには、加熱出力の制御の基準となる位置の温度が適切な温度範囲にあるように制御する必要があるのみならず、同一のタイミングにおいて、位置による温度の差異がなるべく小さくなるように制御するのが好ましい。内壁の位置による温度の差異は、例えば、最高温度と最低温度との差を30℃以内になるように制御するのが好ましく、15℃以内に制御できればより好ましい。
そこで、例えば温度計測点を内壁に複数設け、予め、多孔質ガラス母材製造時の気化器6の運転条件(原料液及びキャリアガスの投入量や投入温度など)の下で、ヒータ11の加熱出力を変化させつつ、同じ計測タイミングにおける各温度計測点の計測値の組を複数収集し、その中から、例えば各計測値が180℃以上210以下で、かつ、最高温度と最低温度との差が15℃以内となっているいずれかの組を抽出する。
そして、抽出した組のいずれかの温度計測点の計測値を目標温度として、多孔質ガラス母材の製造時に、ヒータ11の加熱出力を、当該いずれかの温度計測点の計測値が当該目標温度になるように制御する。例えば、第1計測点、第2計測点、第3計測点の3つの温度計測点での或る計測タイミングにおけるそれぞれの計測値の組が、183℃、185℃、180℃のとき、第2計測点の計測値を目標温度とすると、ヒータ11の加熱出力を、第2計測点の計測値が185℃になるように制御する。
これにより、気化器6の内壁の温度を、180℃以上210以下で、かつ、最高温度と最低温度との差が15℃以内に制御できるため、気化器6内での原料の分解重合反応を抑制し、気化器6の内壁や配管への重合物質の堆積を防ぐことができる。
気化器6の内壁に設ける複数の温度計測点は、アトマイザ10の噴霧角度と気化器6の形状に応じて設けるとよい。
具体的には、例えば、アトマイザ10から所定の噴霧角度で円錐状に噴霧された原料液の液滴が直接当たる内壁領域に少なくとも1点、液滴が直接当たらない内壁領域に少なくとも1点、設定するのが好ましい。より好ましくは、液滴が直接当たる内壁領域である第1内壁領域、アトマイザ10の近傍の内壁領域である第2内壁領域、及びその他の内壁領域である第3内壁領域のそれぞれの領域間で温度差が生じやすいため、これら3つの内壁領域のそれぞれに、少なくとも1点ずつ設定するとよい。これら3つの領域は、例えば、気化器6の内壁が円柱形状で、アトマイザ10が円柱の一方の底面に設けられ、液滴が他方の底面に向かって円錐状に噴霧される場合、他方の底面から液滴が直接当たる最高高さまでの高さ範囲の内壁を第1内壁領域12a、当該最高高さから一方の底面の高さまでを二等分して下半分の高さ範囲の内壁を第2内壁領域12b、上半分の高さ範囲の内壁を第3内壁領域12cとしてもよい。図2に、このように定義した第1内壁領域12a、第2内壁領域12b及び第3内壁領域12c、並びにこれらのそれぞれに第1内壁計測点13a、第2内壁計測点13b及び第3内壁計測点13cを設ける例を示す。
気化器6の内壁の位置による温度の差異を容易に小さくできるようにするために、ヒータ11の加熱出力を、内壁を複数に分割した領域ごとに相違可能に構成してもよい。
例えば、ヒータ11を、内壁を複数に分割した領域ごとに分割して設けてもよいし、一体的なヒータ11を位置に応じて発熱密度が異なるように構成してもよい。
ヒータ11を領域ごとに分割して設ける方法の場合、例えば、領域が3つのとき、図4に示すように、第1内壁領域12a、第2内壁領域12b及び第3内壁領域12cのそれぞれを加熱する第1ヒータ11a、第2ヒータ11b及び第3ヒータ11cを設ける。各ヒータの系統は独立している。また、第1内壁領域12a、第2内壁領域12b及び第3内壁領域12cのそれぞれに対応する第1内壁計測点13a、第2内壁計測点13b及び第3内壁計測点13cを設ける。そして、それぞれの計測点での計測値が所定の温度(例えば185℃)になるように各ヒータの加熱出力を制御する。これにより、気化器6の内壁の位置による温度の差異を容易に小さくすることができる。
領域ごとに設けられた各ヒータの加熱出力を、1点の計測点での計測値のみに基づき制御することも可能である。例えば、予め、多孔質ガラス母材製造時の気化器6の運転条件(原料液及びキャリアガスの投入量や投入温度など)の下で、各ヒータに対応する温度計測点での計測値が所定の温度(例えば185℃)になるように各ヒータ系統に電力を投入し、このときの各ヒータ系統への投入電力の比を求めておく。これにより、或るヒータに対応する温度計測点での計測値が所定の温度になるように当該ヒータへの投入電力を制御するとともに、予め求めた各ヒータ系統への投入電力の比に基づき、他のヒータへの投入電力を制御することで、各ヒータの加熱出力を制御し、気化器6の内壁の位置による温度の差異を小さくすることができる。
一方、一体的なヒータ11を位置に応じて発熱密度が異なるように構成する方法としては、例えば、抵抗加熱を用いる方法が挙げられる。具体的には、例えばコイル状の電熱線を用い、相対的に高温にしたい部分は巻きを相対的に密にし、相対的に低温にしたい部分は巻きを疎にする方法が挙げられる。具体的には、予め、多孔質ガラス母材製造時の気化器6の運転条件(原料液及びキャリアガスの投入量や投入温度など)の下で、いずれかの温度計測点での計測値が所定の温度(例えば185℃)になるようにヒータ11の加熱出力を制御し、他の温度計測点でも同程度の計測値となるように電熱線の巻き密度を調整しておく。
例えば、図5に示すように、気化器6の内壁を第1内壁領域12a、第2内壁領域12b及び第3内壁領域12cの3つの領域に分け、それぞれの領域に対応して設けられた第1内壁計測点13a、第2内壁計測点13b及び第3内壁計測点13cのうち、第3内壁計測点13cでの計測値が所定の温度となるようにヒータ11の加熱出力を制御する。このとき、第1内壁計測点13aでの計測値が所定の温度より低く、第2内壁計測点13bでの計測値が所定の温度より高かったとすると、第1内壁領域12aの近傍の電熱線の巻き密度をより密にし、第2内壁領域12bの近傍の電熱線の巻き密度をより疎にして、第1内壁計測点13a及び第2内壁計測点13bでの計測値が所定の温度になるべく近づくように調整する。
このようにして調整したヒータ11の加熱出力を、予め決定した温度計測点(例えば第3内壁計測点13c)での計測値が所定の温度となるように制御することで、その他の温度計測点も概ね同様の温度に制御されるため、気化器6の内壁の位置による温度の差異を容易に小さくすることができる。
なお、以上においては、内壁の温度制御に用いる計測値として、内壁に設けられた温度計測点での計測値を用いる場合を説明したが、内壁から離れた位置に温度計測点を設け、その位置における計測値を用いて制御してもよい。例えば、図2及び図5の例では、ヒータ11の近傍にヒータ計測点14を設ける。また、図4の例では、第1ヒータ11a、第2ヒータ11b及び第3ヒータ11cの近傍にそれぞれ第1ヒータ計測点14a、第2ヒータ計測点14b及び第3ヒータ計測点14cを設ける。
この場合、内壁の温度は間接的に制御されることになるが、ヒータの近傍の温度計測点における計測値に基づいて制御すると、ヒータの温度がオーバーシュートしにくくなり、安定した制御が可能になる。
気化器6において、接液および接ガスする内壁の材質は、高温下で原料の分解重合反応の触媒となりにくい材質であることが好ましい。具体的には、ステンレス鋼(例えば、SUS316L、SUS316、SUS304L、SUS304)、ハステロイ、アルミニウム、銀、銅、石英ガラス、耐熱性のあるフッ素樹脂(例えば、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)、パーフルオロアルコキシアルカン(PFA))のいずれかであるのが好ましい。特に、ステンレス鋼は表面を不動態化処理したものが好ましい。
なお、気化器6の内壁の温度の制御は、ヒータ11への投入電力の調節により加熱出力を調整することのみにより行ってもよいし、更に原料液の流量に応じて、キャリアガスの流量と予熱温度を調整することにより行ってもよい。これにより、より柔軟に温度を制御することが可能となる。
気化器6の内壁の温度を制御するための、ヒータ11による加熱出力の調整や、原料液とキャリアガスの導入量や予熱温度の調整に関する制御は、例えば、多孔質ガラス母材製造装置が備える制御部(図示略)が行ってもよい。
原料液は、液体マスフローコントローラ4により気化器6に供給される。液体マスフローコントローラ4は、多孔質ガラス母材製造時の堆積状態によって原料液の供給流量を、例えば、0g/分から100g/分までといった範囲で変化させる。この供給流量の変化に応じ、気化器6内の温度が一時的に変動する。具体的には、供給流量が増えるタイミングでは一時的に下がり、供給流量が減るタイミングでは一時的に上がる。
有機シロキサン原料としてOMCTSを用いる場合、純度が99質量%以上、好ましくは99.5質量%以上、さらに好ましくは99.9質量%以上であるとよい。OMCTSには、三量体の環状シロキサンであるヘキサメチルシクロトリシロキサン(HMCTS)や五量体の環状シロキサンであるデカメチルシクロペンタシロキサン(DMCPS)が不純物成分として含有されやすい。これらの不純物成分はOMCTSとは反応性や沸点が異なる。OMCTSの純度を高めることによって、反応性が高いHMCTSの反応が進んで重合生成物が生じたりすることも防げ、また、高沸点のDMCPSに合わせて、原料ガス用配管の加熱温度を過度に高める必要もなくなる。
また、キャリアガスは、ガス(気体)マスフローコントローラ5により気化器6により気化器6に供給される。多孔質ガラス母材作製時の堆積状態によって、例えば15リットル/分(0℃、1気圧換算値)から40リットル/分(0℃、1気圧換算値)まで供給流量を変化させながら供給される。キャリアガスを増やすと、アトマイザ10から噴霧される原料液の液滴径が小さくなり、液滴の気化が進行しやすくなる。そのため、噴霧された原料液の液滴の多くは内壁からの熱輻射によって気化し、気化器の内壁に付着して気化する液滴量は減少する傾向となるため、気化器6の内壁の温度分布のばらつきが小さくなる。キャリアガスは、予め加熱してから気化器6に供給しても良い。これにより、原料液の液滴の気化が更に促進させるため、気化器6の内壁に付着して気化する液滴量は更に減少し、気化器6の内壁の温度分布のばらつきが更に小さくなる。
キャリアガスは、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガスまたは、酸素や、酸素と不活性ガスの混合ガスを用いることができる。キャリアガスとして、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガスを用いることで安全に原料を移送することができる。一方で、反応に無関係な不活性ガスの割合をあまり増やすのは好ましくない。キャリアガスとして、酸素や、酸素と不活性ガスの混合ガスを用いる場合、気化器で原料と予混合しておくことにより完全燃焼が促進される。なお、酸素の供給量としては、逆火が生じない程度にするのが好ましい。
気化器6で気化された原料ガスとキャリアガスとが混合された原料混合ガスは、原料混合ガス配管3cを通ってバーナ9に供給される。原料混合ガス配管3cは、原料ガス成分の再液化を防ぐために、原料混合ガスの分圧から計算される液化温度以上に加熱するのが好ましい。具体的には、原料がOMCTSの場合、分圧が1気圧のとき液化温度は175℃、0.3気圧のとき134℃になる。原料混合ガス配管3cの加熱には、例えば電気ヒータを用いることができる。
バーナ9において、原料の燃焼反応が不十分であると、不完全燃焼により生成されたゲルや炭素微粒子等の不純物がバーナ9に付着して燃焼反応を更に妨げたり、多孔質ガラス母材に混入したりする。多孔質ガラス母材に混入した不純物は、焼結した際に気泡となり、多孔質ガラス母材に生じる欠陥の原因となる。そこで、キャリアガスとして酸素を使用し、予め原料と酸素を予混合してバーナ9に供給することにより、原料の反応性を高めることができる。このように、キャリアガスとして酸素を用い、気化器6内で原料と酸素とを混合してもよいし、キャリアガスとして窒素等の不活性ガスを用い、気化器6の下流で酸素を原料混合ガスと混合してもよい。気化器6の下流で酸素を原料混合ガスと混合する場合には、原料ガス成分の再液化を防ぐため、酸素に予熱を加えた上で原料混合ガスと混合してもよい。
バーナ9として、複数のノズルを並べたマルチノズルバーナや、ノズルを同心多重に配置した多重管バーナ等を用いることができる。バーナ9に供給されるガスには、予混合された原料混合ガスのほかに、シールガス、燃焼用可燃性ガス、燃焼用酸素ガス等が挙げられる。燃焼用可燃性ガスとしては、例えば、水素やメタン、エタン、プロパン等を用いることができる。
<実施例1>
図2に示す気化器6を用いてガラス母材の作製を実施した。具体的には、気化器6の内壁が直径40mm、高さ120mmの円柱状であり、アトマイザ10が円柱の一方の底面に設けられており、液滴が他方の底面方向に向けて噴霧角度θ=30°で噴出される。温度計測点は、円柱状の内壁の同一母線上に3ヶ所設け、それぞれアトマイザ10の反対側の底面から30mm(第1内壁計測点13a)、65mm(第2内壁計測点13b)、100mm(第3内壁計測点13c)の位置とした。ヒータ11の加熱出力は、第2内壁計測点13bでの計測値が185℃になるように制御した。
続いて、有機シロキサン原料のOMCTSを流量50g/分で気化器6に供給した。あわせて、キャリアガスのNガスを270℃で予熱した状態で流量30リットル/分(0℃、1気圧換算値)で気化器6に供給した。そして、気化器6で発生した原料混合ガスをバーナ9に供給し、バーナ9で生成されたSiO微粒子を出発材に堆積して多孔質ガラス母材とし、それを焼結してガラス母材を作製した。
作製時の第1内壁計測点13a、第2内壁計測点13b及び第3内壁計測点13cの温度計測値は、それぞれ183℃、185℃及び180℃であり、最高温度と最低温度との差は5℃であった。
気化器6や下流配管にゲル状物質が堆積していく場合、気化器6の入口側の圧力が次第に上昇していく。そこで、気化器6の上流に設置した圧力計7をモニタし、ゲル状物質の堆積がない定常状態での圧力に対し、0.1MPaの圧力上昇が確認された場合は、ゲル状物質の堆積が進行し、気化器6や配管の洗浄が必要であると判断した。
上記の条件の下でガラス母材を継続的に作製したが、気化器6の内壁へのゲル状物質の付着はほとんどなく、気化器6の累積運転時間が3000時間を経過した後においても、0.1MPa以上の圧力上昇は確認されなかった。
<実施例2>
図4に示す気化器6を用いてガラス母材の作製を実施した。気化器6の内壁形状およびサイズ、アトマイザ10の設置位置及び噴射角度、並びに温度計測点の配置は実施例1と同様とした。ヒータに関しては、円柱状の内壁を高さ方向について3等分した、第1内壁領域12a、第2内壁領域12b、第3内壁領域12cに対応して、それぞれ系統が独立した第1ヒータ11a、第2ヒータ11b、第3ヒータ11cを設けた。第1内壁計測点13a、第2内壁計測点13b、第3内壁計測点13cは、それぞれ第1内壁領域12a、第2内壁領域12b、第3内壁領域12cの温度計測点である。各ヒータの加熱出力は、各計測点での計測値が185℃になるように制御した。
続いて、有機シロキサン原料のOMCTSを流量65g/分で気化器6に供給した。あわせて、キャリアガスのNガスを270℃で予熱した状態で流量30リットル/分(0℃、1気圧換算値)で気化器6に供給した。そして、気化器6で発生した原料混合ガスをバーナ9に供給し、バーナ9で生成されたSiO微粒子を出発材に堆積して多孔質ガラス母材とし、それを焼結してガラス母材を作製した。
作製時の第1内壁計測点13a、第2内壁計測点13b及び第3内壁計測点13cの温度計測値は、全て185℃であり、最高温度と最低温度との差は0℃であった。
上記の条件の下でガラス母材を継続的に作製したが、気化器6の内壁へのゲル状物質の付着はほとんどなく、気化器6の累積運転時間が3000時間を経過した後においても、0.1MPa以上の圧力上昇は確認されなかった。
<実施例3>
実施例1と同様に、図2に示す気化器6を用いてガラス母材の作製を実施した。ヒータ11の加熱出力は、第1内壁計測点13aの計測値が185℃になるように制御した。
続いて、有機シロキサン原料のOMCTSを流量65g/分で気化器6に供給した。あわせて、キャリアガスのNガスを270℃で予熱した状態で流量25リットル/分(0℃、1気圧換算値)で気化器6に供給した。そして、気化器6で発生した原料混合ガスをバーナ9に供給し、バーナ9で生成されたSiO微粒子を出発材に堆積して多孔質ガラス母材とし、それを焼結してガラス母材を作製した。
作製時の第1内壁計測点13a、第2内壁計測点13b及び第3内壁計測点13cの温度計測値は、それぞれ185℃、203℃及び187℃であり、最高温度と最低温度との差は18℃であった。
上記の条件の下でガラス母材を継続的に作製したところ、気化器6の累積運転時間が3000時間を経過した時点において、0.1MPaの圧力上昇が確認され、気化器6の内壁にゲル状物質が付着していた。
<実施例4>
実施例2と同様に、図4に示す気化器6を用いてガラス母材の作製を実施した。ただし、温度計測点については、内壁に設けた第1内壁計測点13a、第2内壁計測点13b及び第3内壁計測点13cとは別に、更に、第1ヒータ11a、第2ヒータ11b及び第3ヒータ11cの近傍に、それぞれのヒータに対応する第1ヒータ計測点14a、第2ヒータ計測点14b及び第3ヒータ計測点14cを設け、これらにおける計測値により各ヒータの加熱出力を制御した。各ヒータの加熱出力は、第1ヒータ計測点14a、第2ヒータ計測点14b及び第3ヒータ計測点14cでの計測値が全て187℃になるように制御した。
続いて、有機シロキサン原料のOMCTSを流量65g/分で気化器6に供給した。あわせて、キャリアガスのNガスを270℃で予熱した状態で流量30リットル/分(0℃、1気圧換算値)で気化器6に供給した。そして、気化器6で発生した原料混合ガスをバーナ9に供給し、バーナ9で生成されたSiO微粒子を出発材に堆積して多孔質ガラス母材とし、それを焼結してガラス母材を作製した。
作製時の第1内壁計測点13a、第2内壁計測点13b及び第3内壁計測点13cの温度計測値は、それぞれ183℃、187℃及び186℃であり、最高温度と最低温度との差は4℃であった。
上記の条件の下でガラス母材を継続的に作製したが、気化器6の内壁へのゲル状物質の付着はほとんどなく、気化器6の累積運転時間が3000時間を経過した後においても、0.1MPa以上の圧力上昇は確認されなかった。
<実施例5>
図5に示す気化器6を用いてガラス母材の作製を実施した。気化器6の内壁形状およびサイズ、アトマイザ10の設置位置及び噴射角度、並びに温度計測点の配置は実施例1と同様とした。ヒータ11については、気化器6の内壁を取り囲むコイル状の電熱線を採用し、巻き密度は、円柱状の内壁を高さ方向について3等分した3領域に対応して、上部のアトマイザ10側から粗、粗、密とした。なお、温度計測点については、内壁に設けた第3内壁計測点13c、第2内壁計測点13b及び第1内壁計測点13aとは別に、更に、ヒータ11の下部の近傍にヒータ計測点14を設けた。
予め、ヒータ11による加熱を行いながら、有機シロキサン原料のOMCTSを流量65g/分、キャリアガスの270℃に予熱したNガスを流量30リットル/分(0℃、1気圧換算値)で気化器6に供給して、第1内壁計測点13a、第2内壁計測点13b、第3内壁計測点13cのそれぞれにおいて温度を計測し、最高温度と最低温度との差が10℃以内に収まるように電熱線の巻き密度を調整した。
続いて、ヒータ11の加熱出力を、ヒータ計測点14における計測値が190℃になるように制御しつつ、有機シロキサン原料のOMCTSを流量65g/分、また、キャリアガスのNガスを270℃で予熱した状態で流量30リットル/分(0℃、1気圧換算値)で、それぞれ気化器6に供給した。そして、気化器6で発生した原料混合ガスをバーナ9に供給し、バーナで生成したSiO微粒子を出発材に堆積して多孔質ガラス母材とし、それを焼結してガラス母材を作製した。
作製時の第1内壁計測点13a、第2内壁計測点13b及び第3内壁計測点13cの温度計測値は、それぞれ185℃、188℃及び189℃であり、最高温度と最低温度との差は4℃であった。
上記の条件の下でガラス母材を継続的に作製したが、気化器6の内壁へのゲル状物質の付着はほとんどなく、気化器6の累積運転時間が3000時間経過した後においても、0.1MPa以上の圧力上昇は確認されなかった。
<比較例1>
実施例1と同様に、図2に示す気化器6を用いてガラス母材の作製を実施した。ヒータ11の加熱出力は、第1内壁計測点13aの計測値が200℃になるように制御した。
続いて、有機シロキサン原料のOMCTSを流量65g/分で気化器6に供給した。あわせて、キャリアガスのNガスを200℃で予熱した状態で流量20リットル/分(0℃、1気圧換算値)で気化器6に供給した。そして、気化器6で発生した原料混合ガスをバーナ9に供給し、バーナ9で生成されたSiO微粒子を出発材に堆積して多孔質ガラス母材とし、それを焼結してガラス母材を作製した。
作製時の第1内壁計測点13a、第2内壁計測点13b及び第3内壁計測点13cの温度計測値は、それぞれ200℃、225℃及び194℃であり、最高温度と最低温度との差は31℃であった。
上記の条件の下でガラス母材を継続的に作製したところ、気化器6の累積運転時間が1500時間を経過した時点において、0.1MPaの圧力上昇が確認され、気化器6の内壁にゲル状物質が付着していた。
<比較例2>
実施例1と同様に、図2に示す気化器6を用いてガラス母材の作製を実施した。ヒータ11の加熱出力は、第1内壁計測点13aの計測値が220℃になるように制御した。
続いて、有機シロキサン原料のOMCTSを流量65g/分で気化器6に供給した。あわせて、キャリアガスのNガスを200℃で予熱した状態で流量20リットル/分(0℃、1気圧換算値)で気化器6に供給した。そして、気化器6で発生した原料混合ガスをバーナ9に供給し、バーナ9で生成されたSiO微粒子を出発材に堆積して多孔質ガラス母材とし、それを焼結してガラス母材を作製した。
作製時の第1内壁計測点13a、第2内壁計測点13b及び第3内壁計測点13cの温度計測値は、それぞれ211℃、248℃及び219℃であり、最高温度と最低温度との差は37℃であった。
上記の条件の下でガラス母材を継続的に作製したところ、気化器6の累積運転時間が1000時間を経過した時点において、0.1MPaの圧力上昇が確認され、気化器6の内壁にゲル状物質が付着していた。
表1は、実施例1~5及び比較例1~2のそれぞれについて、各種条件と気化器6の内壁へのゲル状物質付着状況をまとめた表である。ゲル状物質付着状況については、気化器6の累積運転時間が3000時間を経過した時点で付着がほとんど無かった場合をA、明らかに付着があった場合をB、累積運転時間が1500時間を経過した時点でC、累積運転時間が1000時間を経過した時点で明らかに付着があった場合をDとして示している。
この表からわかるように、気化器6の内壁等へのゲル状物質の付着を抑えるには、気化器6の内壁の温度は、少なくとも230℃以下に制御するのが好ましく、より好ましくは210℃以下に制御するとよい。更に、内壁の最高温度と最低温度との差は、少なくとも30℃以内にするのが好ましく、より好ましくは15℃以内にするとよい。
Figure 0007449842000001
なお、本発明は上記の実施形態や実施例に限定されるものではなく、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一の構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる変更がされたものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
1 原料液タンク
2 送液ポンプ
3a 循環配管
3b 原料液供給配管
3c 原料混合ガス配管
4 液体マスフローコントローラ
5 ガスマスフローコントローラ
6 気化器
7 圧力計
8 キャリアガス供給配管
9 バーナ
10 アトマイザ
11 ヒータ
11a 第1ヒータ
11b 第2ヒータ
11c 第3ヒータ
12a 第1内壁領域
12b 第2内壁領域
12c 第3内壁領域
13a 第1内壁計測点
13b 第2内壁計測点
13c 第3内壁計測点
14 ヒータ計測点
14a 第1ヒータ計測点
14b 第2ヒータ計測点
14c 第3ヒータ計測点

Claims (15)

  1. 原料である液体状態のオクタメチルシクロテトラシロキサンをキャリアガスと気化器内で混合し、ヒータにより加熱された前記気化器の内壁から生じる熱により気化させて、気体原料としてバーナに供給し、前記気体原料の燃焼により生成されたガラス微粒子を出発材に堆積させることにより多孔質ガラス母材を製造する多孔質ガラス母材の製造方法であって、
    前記気化器の内壁の最高温度が230℃以下で、かつ最高温度と最低温度との温度差が30℃以内であるという温度要件を満たすように前記ヒータの加熱出力を制御する多孔質ガラス母材の製造方法。
  2. 前記最高温度が210℃以下であるという温度要件を満たすように前記ヒータの加熱出力を制御することを特徴とする、請求項1に記載の多孔質ガラス母材の製造方法。
  3. 前記温度差が15℃以内であるという温度要件を満たすように前記ヒータの加熱出力を制御することを特徴とする、請求項1又は2に記載の多孔質ガラス母材の製造方法。
  4. 前記温度要件を満たすように、更に、前記気化器に供給する前記液体状態のオクタメチルシクロテトラシロキサンの流量に応じて、前記キャリアガスの流量と予熱温度を制御することを特徴とする請求項1からのいずれか1項に記載の多孔質ガラス母材の製造方法。
  5. 前記気化器の内壁の温度を計測するための温度計測点が複数の位置に設けられ、
    予め、多孔質ガラス母材製造時の前記気化器の運転条件の下で、前記ヒータの加熱出力を変化させつつ、同じ計測タイミングにおける各温度計測点の計測値の組を複数収集し、前記温度要件を満たす計測値の組を抽出して、抽出した組を構成するいずれかの温度計測点の計測値を目標温度とし、
    多孔質ガラス母材の製造時に、前記いずれかの温度計測点の計測値が前記目標温度になるように、前記ヒータの加熱出力を制御する
    ことを特徴とする請求項1からのいずれか1項に記載の多孔質ガラス母材の製造方法。
  6. 前記ヒータは、前記気化器の内壁の複数の領域ごとに設けられた、互いに独立した系統の複数のヒータであり、
    前記領域の内壁の温度を計測するための温度計測点が、それぞれの前記領域に設けられ、
    多孔質ガラス母材の製造時に、それぞれの前記温度計測点の計測値が前記温度要件を満たすように、それぞれの系統の前記ヒータの加熱出力を制御する
    ことを特徴とする請求項1からのいずれか1項に記載の多孔質ガラス母材の製造方法。
  7. 前記ヒータは、前記気化器の内壁の複数の領域に対応して発熱密度を調整可能であり、
    前記領域の内壁の温度を計測するための温度計測点が、それぞれの前記領域に設けられ、
    予め、多孔質ガラス母材製造時の前記気化器の運転条件の下で、前記ヒータにより前記内壁を加熱して、それぞれの前記温度計測点において前記温度要件を満たす計測値となるように、それぞれの前記領域における前記ヒータの発熱密度を調整しておいた上で、多孔質ガラス母材の製造を実行する
    ことを特徴とする請求項1からのいずれか1項に記載の多孔質ガラス母材の製造方法。
  8. 原料である液体状態のオクタメチルシクロテトラシロキサンをキャリアガスと気化器内で混合し、ヒータにより加熱された前記気化器の内壁から生じる熱により気化させて、気体原料としてバーナに供給し、前記気体原料の燃焼により生成されたガラス微粒子を出発材に堆積させることにより多孔質ガラス母材を製造する多孔質ガラス母材の製造装置であって、
    前記気化器の内壁の最高温度が230℃以下で、かつ最高温度と最低温度との温度差が30℃以内であるという温度要件を満たすように前記ヒータの加熱出力を制御する制御部を備える多孔質ガラス母材の製造装置。
  9. 前記制御部は、前記最高温度が210℃以下であるという温度要件を満たすように前記ヒータの加熱出力を制御することを特徴とする請求項に記載の多孔質ガラス母材の製造装置。
  10. 前記制御部は、前記温度差が15℃以内であるという温度要件を満たすように前記ヒータの加熱出力を制御することを特徴とする請求項8又は9に記載の多孔質ガラス母材の製造装置。
  11. 前記制御部は、前記温度要件を満たすように、更に、前記気化器に供給する前記液体状態のオクタメチルシクロテトラシロキサンの流量に応じて、前記キャリアガスの流量と予熱温度を制御することを特徴とする請求項から10のいずれか1項に記載の多孔質ガラス母材の製造装置。
  12. 前記気化器の内壁の温度を計測するための温度計測部を複数の位置に備え、
    予め、多孔質ガラス母材製造時の前記気化器の運転条件の下で、前記ヒータの加熱出力を変化させつつ、同じ計測タイミングにおける各温度計測部の計測値の組を複数収集し、前記温度要件を満たす計測値の組を抽出して、抽出した組を構成するいずれかの温度計測部の計測値を目標温度とし、
    多孔質ガラス母材の製造時に、前記制御部は、前記いずれかの温度計測部の計測値が前記目標温度になるように、前記ヒータの加熱出力を制御する
    ことを特徴とする請求項から11のいずれか1項に記載の多孔質ガラス母材の製造装置。
  13. 前記ヒータは、前記気化器の内壁の複数の領域ごとに設けられた、互いに独立した系統の複数のヒータであり、
    前記領域の内壁の温度を計測するための温度計測部を、それぞれの前記領域に備え、
    多孔質ガラス母材の製造時に、前記制御部は、それぞれの前記温度計測部の計測値が前記温度要件を満たすように、それぞれの系統の前記ヒータの加熱出力を制御する
    ことを特徴とする請求項から11のいずれか1項に記載の多孔質ガラス母材の製造装置。
  14. 前記ヒータは、前記気化器の内壁の複数の領域に対応して発熱密度を調整可能であり、
    前記領域の内壁の温度を計測するための温度計測部を、それぞれの前記領域に備え、
    予め、多孔質ガラス母材製造時の前記気化器の運転条件の下で、前記ヒータにより前記内壁を加熱して、それぞれの前記温度計測部において前記温度要件を満たす計測値となるように、それぞれの前記領域における前記ヒータの発熱密度が調整されている
    ことを特徴とする請求項から11のいずれか1項に記載の多孔質ガラス母材の製造装置。
  15. 前記気化器の内壁の表面材質が、ステンレス鋼、ハステロイ(登録商標)、アルミニウム、銀、銅、石英ガラス、耐熱性のあるフッ素樹脂のいずれかであることを特徴とする請求項8から14のいずれか1項に記載の多孔質ガラス母材の製造装置。
JP2020183929A 2020-11-02 2020-11-02 多孔質ガラス母材の製造方法及び製造装置 Active JP7449842B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020183929A JP7449842B2 (ja) 2020-11-02 2020-11-02 多孔質ガラス母材の製造方法及び製造装置
US17/510,778 US20220135461A1 (en) 2020-11-02 2021-10-26 Manufacturing method and manufacturing apparatus of porous glass base material
EP21205419.1A EP3992159A1 (en) 2020-11-02 2021-10-28 Manufacturing method and manufacturing apparatus of porous glass base material
CN202111265447.8A CN114436522A (zh) 2020-11-02 2021-10-28 多孔玻璃基材的制造方法和制造设备
KR1020210146908A KR20220059420A (ko) 2020-11-02 2021-10-29 다공질 유리 모재의 제조 방법 및 제조 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020183929A JP7449842B2 (ja) 2020-11-02 2020-11-02 多孔質ガラス母材の製造方法及び製造装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2022073751A JP2022073751A (ja) 2022-05-17
JP7449842B2 true JP7449842B2 (ja) 2024-03-14

Family

ID=78414436

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020183929A Active JP7449842B2 (ja) 2020-11-02 2020-11-02 多孔質ガラス母材の製造方法及び製造装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20220135461A1 (ja)
EP (1) EP3992159A1 (ja)
JP (1) JP7449842B2 (ja)
KR (1) KR20220059420A (ja)
CN (1) CN114436522A (ja)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013177297A (ja) 2012-02-09 2013-09-09 Asahi Glass Co Ltd ドープ石英ガラスの製造方法
WO2020039893A1 (ja) 2018-08-23 2020-02-27 信越化学工業株式会社 光ファイバ用多孔質ガラス母材の製造方法および製造装置

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4529427A (en) * 1977-05-19 1985-07-16 At&T Bell Laboratories Method for making low-loss optical waveguides on an industrial scale
US4314837A (en) * 1979-03-01 1982-02-09 Corning Glass Works Reactant delivery system method
US5078092A (en) * 1989-12-22 1992-01-07 Corning Incorporated Flash vaporizer system for use in manufacturing optical waveguide fiber
US5558687A (en) * 1994-12-30 1996-09-24 Corning Incorporated Vertical, packed-bed, film evaporator for halide-free, silicon-containing compounds
US5632797A (en) * 1994-12-30 1997-05-27 Corning Incorporated Method of providing vaporized halide-free, silicon-containing compounds
US5703191A (en) * 1995-09-01 1997-12-30 Corning Incorporated Method for purifying polyalkylsiloxanes and the resulting products
DE69927121T2 (de) * 1998-12-28 2006-06-14 Pirelli & C Spa Verfahren zur Herstellung von Siliciumdioxyd durch Zersetzung eines Organosilans
JP2004509041A (ja) * 2000-05-25 2004-03-25 コーニング インコーポレイテッド チタニアドープ石英ガラスプリフォームの作成方法
JP4172178B2 (ja) * 2002-01-28 2008-10-29 トヨタ自動車株式会社 蒸気発生装置の制御
US6734405B2 (en) * 2002-06-12 2004-05-11 Steris Inc. Vaporizer using electrical induction to produce heat
AU2002313486A1 (en) * 2002-06-28 2004-01-19 Pirelli & C. S.P.A. Method and device for vaporizing a liquid reactant in manufacturing a glass preform
WO2009109423A1 (de) * 2008-02-29 2009-09-11 Emitec Gesellschaft Für Emissionstechnologie Mbh Verdampfungseinheit zur erzeugung gasförmigen ammoniaks
JP5374317B2 (ja) * 2009-10-30 2013-12-25 三菱重工業株式会社 蒸気タービンおよび蒸気タービンの運転方法
US8495973B2 (en) * 2009-11-03 2013-07-30 Protonex Technology Corporation Thin film vaporizer
DE102011119374A1 (de) * 2011-11-25 2013-05-29 Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg Verfahren zur Herstellung von synthetischem Quarzglas
JP6236866B2 (ja) * 2013-05-15 2017-11-29 住友電気工業株式会社 ガラス微粒子堆積体の製造方法およびガラス微粒子堆積体製造用バーナー
DE102013209673B3 (de) * 2013-05-24 2014-05-22 Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg Verfahren und Verdampfer zur Herstellung von synthetischem Quarzglas
CN206828385U (zh) * 2017-05-18 2018-01-02 长飞光纤潜江有限公司 一种用于光纤预制棒外部沉积的omcts蒸发装置
CN113439074A (zh) * 2019-02-13 2021-09-24 康宁股份有限公司 蒸发器及包含该蒸发器的用于形成玻璃光纤预制件的设备

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013177297A (ja) 2012-02-09 2013-09-09 Asahi Glass Co Ltd ドープ石英ガラスの製造方法
WO2020039893A1 (ja) 2018-08-23 2020-02-27 信越化学工業株式会社 光ファイバ用多孔質ガラス母材の製造方法および製造装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20220135461A1 (en) 2022-05-05
JP2022073751A (ja) 2022-05-17
EP3992159A1 (en) 2022-05-04
CN114436522A (zh) 2022-05-06
KR20220059420A (ko) 2022-05-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11155488B2 (en) Apparatus and method for manufacturing porous glass preform for optical fiber
KR101614339B1 (ko) 합성 석영 유리의 제조 방법
US20130133377A1 (en) Method for producing synthetic quartz glass
CN103946168B (zh) 通过由蒸汽相沉积和借助液体硅氧烷原料制造合成石英玻璃的方法
US10167543B2 (en) Method for manufacturing optical fiber preform
EP0978486A1 (en) Method and burner for forming silica-containing soot
CN113227000B (zh) 玻璃微粒沉积体的制造装置以及制造方法
JP7058627B2 (ja) 光ファイバ用多孔質ガラス母材の製造装置および製造方法
JP7449842B2 (ja) 多孔質ガラス母材の製造方法及び製造装置
US20230227345A1 (en) Apparatus and method for producing porous glass preform
JP6086168B2 (ja) ガラス微粒子堆積体の製造方法およびガラス母材の製造方法
JP7171639B2 (ja) 光ファイバ用多孔質ガラス母材の製造方法
JP2019172527A (ja) 配管装置
JP2022093384A (ja) 光ファイバ用多孔質ガラス母材の製造方法
JP2005060118A (ja) ガラス微粒子堆積体の製造方法及びガラスの製造方法
JP2014062022A (ja) ガラス微粒子堆積体の製造方法およびガラス母材の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20211012

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20221122

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20230714

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20230725

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20230904

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20231128

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20231207

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20240213

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20240304

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7449842

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150