JP7450061B2 - キャパシタとインダクタ埋め込み構造及びその製造方法並びに基板 - Google Patents
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Description
金属板を提供するステップと、
前記金属板の上面に順に第1保護層、薄膜誘電体層、第2保護層及び上部電極層を堆積し、且つ前記第1保護層、前記薄膜誘電体層、前記第2保護層及び前記上部電極層をエッチングして薄膜キャパシタ及びキャパシタ上部電極を形成するステップと、
前記薄膜キャパシタ及び前記キャパシタ上部電極を覆う上部誘電体層を前記金属板の上面に圧着し、前記金属板をエッチングして、キャパシタ下部電極を形成するステップであって、前記キャパシタ上部電極、前記薄膜キャパシタ及び前記キャパシタ下部電極が順に接続されてキャパシタを構成するステップと、
下部誘電体層を前記金属板の下面に圧着し、前記上部誘電体層及び前記下部誘電体層に穴をあけ、インダクタ用貫通孔及びキャパシタ電極用貫通孔を形成するステップと、
金属をメッキしてインダクタ及び線路層を形成するステップであって、前記インダクタが前記インダクタ用貫通孔に設置され、前記線路層が前記インダクタと前記キャパシタに連通するステップと、
上下面にソルダーレジスト層を堆積し、前記ソルダーレジスト層にフォトリソグラフィを行って前記線路層の電極窓を形成するステップと、を含む。
上部誘電体層及び下部誘電体層を含む誘電体層であって、前記上部誘電体層及び前記下部誘電体層にそれぞれ上部電極導通孔及び下部電極導通孔が設置される誘電体層と、
前記誘電体層の内部に設置されるキャパシタであって、前記キャパシタが、上から下へ順に接続されるキャパシタ上部電極、薄膜キャパシタ及びキャパシタ下部電極を含み、前記キャパシタ上部電極及び前記キャパシタ下部電極の表面が、それぞれ前記上部電極導通孔及び前記下部電極導通孔に連通するキャパシタと、
前記誘電体層を貫通するインダクタと、
前記誘電体層の上面及び下面に設置され、前記インダクタ及び前記キャパシタに接続される線路層と、
上部誘電体層及び下部誘電体層の表面に設置され、前記線路層を覆い、線路層電極の引出しに用いられる電極窓が設置されるソルダーレジスト層と、を含む。
120 第1保護層
130 薄膜誘電体層
140 第2保護層
150 上部電極シード層
160 上部電極層
170 薄膜キャパシタ
180 キャパシタ上部電極
190 キャパシタ下部電極
100 キャパシタ
200 誘電体層
210 上部誘電体層
220 下部誘電体層
230 インダクタ用貫通孔
241 上部電極導通孔
242 下部電極導通孔
400 インダクタ
500 線路層
600 ソルダーレジスト層
610 電極窓
300 シード層
700 保護膜
800 感光バリア層
Claims (6)
- 金属板を提供するステップと、
前記金属板の上面に順に第1保護層、薄膜誘電体層、第2保護層及び上部電極層を堆積し、且つ前記第1保護層、前記薄膜誘電体層、前記第2保護層及び前記上部電極層をエッチングして薄膜キャパシタ及びキャパシタ上部電極を形成するステップと、
前記薄膜キャパシタ及び前記キャパシタ上部電極を覆う上部誘電体層を前記金属板の上面に圧着し、前記金属板をエッチングして、キャパシタ下部電極を形成するステップであって、前記キャパシタ上部電極、前記薄膜キャパシタ及び前記キャパシタ下部電極が順に接続されてキャパシタを構成するステップと、
下部誘電体層を前記金属板の下面に圧着し、前記上部誘電体層及び前記下部誘電体層に穴をあけ、インダクタ用貫通孔及びキャパシタ電極用貫通孔を形成するステップと、
金属をメッキしてインダクタ及び線路層を形成するステップであって、前記インダクタが前記インダクタ用貫通孔に設置され、前記線路層が前記インダクタと前記キャパシタに連通するステップと、
上下面にソルダーレジスト層を堆積し、前記ソルダーレジスト層にフォトリソグラフィを行って前記線路層の電極窓を形成するステップと、を含むことを特徴とするキャパシタとインダクタ埋め込み構造の製造方法。 - 前記電極窓の表面を酸化防止処理して保護膜を形成するステップを更に含むことを特徴とする請求項1に記載のキャパシタとインダクタ埋め込み構造の製造方法。
- 前記インダクタの外壁、前記キャパシタの上面と下面、及び前記線路層の下面を覆うシード層を堆積するステップを更に含む、ことを特徴とする請求項1に記載のキャパシタとインダクタ埋め込み構造の製造方法。
- 前記キャパシタ電極用貫通孔は、それぞれ前記キャパシタ上部電極と前記キャパシタ下部電極の表面に対応して設置される上部電極導通孔と下部電極導通孔を含むことを特徴とする請求項1に記載のキャパシタとインダクタ埋め込み構造の製造方法。
- 前記薄膜誘電体層は、酸化アルミニウム、二酸化ケイ素、チタン酸カルシウム、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、窒化ケイ素、酸化チタンと酸化タンタルという誘電特性が良い化合物を含むことを特徴とする請求項1に記載のキャパシタとインダクタ埋め込み構造の製造方法。
- 前記第1保護層及び前記第2保護層は金属材料であり、前記第1保護層及び前記第2保護層の厚さは200nm以上であることを特徴とする請求項1に記載のキャパシタとインダクタ埋め込み構造の製造方法。
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