JP7441286B2 - フォトレジスト工程に使用される高純度アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボン酸エステルの精製方法 - Google Patents
フォトレジスト工程に使用される高純度アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボン酸エステルの精製方法 Download PDFInfo
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 53
- 230000008569 process Effects 0.000 title claims description 40
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 title claims description 32
- -1 alkylene glycol monoalkyl ether carboxylic acid ester Chemical class 0.000 title claims description 26
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 21
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 21
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical group COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 68
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 55
- 239000003463 adsorbent Substances 0.000 claims description 45
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 40
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 36
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 35
- 238000004821 distillation Methods 0.000 claims description 28
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 23
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 23
- NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(ethenyl)benzene;1-ethenyl-2-ethylbenzene;styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1.CCC1=CC=CC=C1C=C.C=CC1=CC=CC=C1C=C NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 239000003456 ion exchange resin Substances 0.000 claims description 20
- 229920003303 ion-exchange polymer Polymers 0.000 claims description 20
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 claims description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 14
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 claims description 12
- 229910021536 Zeolite Inorganic materials 0.000 claims description 9
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000010457 zeolite Substances 0.000 claims description 9
- ZCSHNCUQKCANBX-UHFFFAOYSA-N lithium diisopropylamide Chemical compound [Li+].CC(C)[N-]C(C)C ZCSHNCUQKCANBX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 6
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- WMFOQBRAJBCJND-UHFFFAOYSA-M Lithium hydroxide Chemical compound [Li+].[OH-] WMFOQBRAJBCJND-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- HUCVOHYBFXVBRW-UHFFFAOYSA-M caesium hydroxide Chemical compound [OH-].[Cs+] HUCVOHYBFXVBRW-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- 239000012621 metal-organic framework Substances 0.000 claims description 4
- CPRMKOQKXYSDML-UHFFFAOYSA-M rubidium hydroxide Chemical compound [OH-].[Rb+] CPRMKOQKXYSDML-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- 125000004209 (C1-C8) alkyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910003514 Sr(OH) Inorganic materials 0.000 claims description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000004927 clay Substances 0.000 claims description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- DLEDOFVPSDKWEF-UHFFFAOYSA-N lithium butane Chemical compound [Li+].CCC[CH2-] DLEDOFVPSDKWEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- AHNJTQYTRPXLLG-UHFFFAOYSA-N lithium;diethylazanide Chemical compound [Li+].CC[N-]CC AHNJTQYTRPXLLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 2
- MZRVEZGGRBJDDB-UHFFFAOYSA-N n-Butyllithium Substances [Li]CCCC MZRVEZGGRBJDDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 14
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 7
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 7
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- XESZUVZBAMCAEJ-UHFFFAOYSA-N 4-tert-butylcatechol Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=C(O)C(O)=C1 XESZUVZBAMCAEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004322 Butylated hydroxytoluene Substances 0.000 description 4
- NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N Butylhydroxytoluene Chemical compound CC1=CC(C(C)(C)C)=C(O)C(C(C)(C)C)=C1 NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229940095259 butylated hydroxytoluene Drugs 0.000 description 4
- 235000010354 butylated hydroxytoluene Nutrition 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 3
- 238000000655 nuclear magnetic resonance spectrum Methods 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- MYRTYDVEIRVNKP-UHFFFAOYSA-N 1,2-Divinylbenzene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1C=C MYRTYDVEIRVNKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000006538 C11 alkyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N Hydroquinone Chemical compound OC1=CC=C(O)C=C1 QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000005292 vacuum distillation Methods 0.000 description 2
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 2
- 235000013162 Cocos nucifera Nutrition 0.000 description 1
- 244000060011 Cocos nucifera Species 0.000 description 1
- RVOVWQHDIUDZOR-UHFFFAOYSA-N OP(O)(=O)OP(=O)(O)O.C(C)(C)(C)C1=C(C=CC(=C1)C(C)(C)C)C(O)C(CO)(CO)CO Chemical compound OP(O)(=O)OP(=O)(O)O.C(C)(C)(C)C1=C(C=CC(=C1)C(C)(C)C)C(O)C(CO)(CO)CO RVOVWQHDIUDZOR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JKIJEFPNVSHHEI-UHFFFAOYSA-N Phenol, 2,4-bis(1,1-dimethylethyl)-, phosphite (3:1) Chemical compound CC(C)(C)C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1OP(OC=1C(=CC(=CC=1)C(C)(C)C)C(C)(C)C)OC1=CC=C(C(C)(C)C)C=C1C(C)(C)C JKIJEFPNVSHHEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- XPSGBCLYLJIYOB-UHFFFAOYSA-N bis(2,4-ditert-butylphenyl) hydrogen phosphite Chemical compound CC(C)(C)C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1OP(O)OC1=CC=C(C(C)(C)C)C=C1C(C)(C)C XPSGBCLYLJIYOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003610 charcoal Substances 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 1
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- NWVVVBRKAWDGAB-UHFFFAOYSA-N p-methoxyphenol Chemical compound COC1=CC=C(O)C=C1 NWVVVBRKAWDGAB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002530 phenolic antioxidant Substances 0.000 description 1
- OJMIONKXNSYLSR-UHFFFAOYSA-N phosphorous acid Chemical compound OP(O)O OJMIONKXNSYLSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N trimethylamine Chemical compound CN(C)C GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C67/00—Preparation of carboxylic acid esters
- C07C67/48—Separation; Purification; Stabilisation; Use of additives
- C07C67/52—Separation; Purification; Stabilisation; Use of additives by change in the physical state, e.g. crystallisation
- C07C67/54—Separation; Purification; Stabilisation; Use of additives by change in the physical state, e.g. crystallisation by distillation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C67/00—Preparation of carboxylic acid esters
- C07C67/48—Separation; Purification; Stabilisation; Use of additives
- C07C67/56—Separation; Purification; Stabilisation; Use of additives by solid-liquid treatment; by chemisorption
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C67/00—Preparation of carboxylic acid esters
- C07C67/48—Separation; Purification; Stabilisation; Use of additives
- C07C67/62—Use of additives, e.g. for stabilisation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C69/00—Esters of carboxylic acids; Esters of carbonic or haloformic acids
- C07C69/66—Esters of carboxylic acids having esterified carboxylic groups bound to acyclic carbon atoms and having any of the groups OH, O—metal, —CHO, keto, ether, acyloxy, groups, groups, or in the acid moiety
- C07C69/67—Esters of carboxylic acids having esterified carboxylic groups bound to acyclic carbon atoms and having any of the groups OH, O—metal, —CHO, keto, ether, acyloxy, groups, groups, or in the acid moiety of saturated acids
- C07C69/708—Ethers
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0048—Photosensitive materials characterised by the solvents or agents facilitating spreading, e.g. tensio-active agents
-
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/161—Coating processes; Apparatus therefor using a previously coated surface, e.g. by stamping or by transfer lamination
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Description
活性炭を120℃で24時間乾燥させた後、乾燥された活性炭10gを20wt.%NaOH水溶液20gに入れ、2時間撹拌する。NaOHが十分に吸収された活性炭を窒素雰囲気下で100℃で2時間保持した後、10℃/min昇温して600℃で3時間保持した後に常温に冷却して吸着剤として使用した。
塩基性物質としてNaOHの代わりに、20wt.%KOH水溶液20gを使用したことを除いては、上記実施例1と同様の方法でPGMEAを製造した。
ゼオライトを140℃で24時間乾燥させた後、乾燥されたゼオライト10gを20wt.%NaOH水溶液20gに入れ、2時間撹拌する。NaOHが十分に吸収されたゼオライトを窒素雰囲気下で400℃で2時間保持した後、10℃/min昇温して600℃で3時間保持した後に常温に冷却して吸着剤として使用した。
NaOHが十分に吸収された粒状活性炭を窒素雰囲気下で400℃で2時間保持したことを除いては、実施例1と同様の方法でPGMEAを製造した。
NaOHの代わりに、水20gを活性炭に含浸したことを除いては、実施例1と同様の方法でPGMEAを製造した。
Claims (8)
- 塩基性物質を多孔性吸着剤に含浸させる段階;
塩基性物質が含浸された前記多孔性吸着剤に原料であるアルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボン酸エステル(以下、AGAECEと称する)を通過させて酸価を下げる段階;および
前記多孔性吸着剤を通過したAGAECEを蒸留する段階を含み、
前記AGAECEは、下記化学式1で示され、
前記蒸留段階で酸化防止剤を投入し、
前記塩基性物質は、KOH、NaOH、Ba(OH) 2 、CsOH、Sr(OH) 2 、Ca(OH) 2 、LiOH、RbOH、n‐BuLi、Na 2 CO 3 、NaH、NaHCO 3 、K 2 CO 3 、KHCO 3 、CaCO 3 、CaHCO 2 、LDA(Lithium diisopropylamide)、LDEA(Lithium diethylamide)および((CH 3 ) 3 Si) 2 NLi(Lithium bis(trimethylsilyl)amide)からなる群より選択され、そして
前記多孔性吸着剤は、メソポーラスシリカ、ゼオライト、多孔性金属酸化物、多孔性クレイ、活性炭、多孔性活性アルミナ、エアロゲルおよびMOF(metal‐organic framework)からなる群より1つ以上が選択されることを特徴とする、
フォトレジスト工程用の精製されたアルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボン酸エステルの製造方法:
前記化学式1において、
R1は、水素またはC1~C8のアルキル基であり、
R2およびR3は、互いに独立して水素またはC1~C11のアルキル基であり、
nは1ないし11の整数であり、 但し、nが2以上の整数である場合、R2それぞれは、互いに同一であるか、相異する。 - 前記蒸留されたAGAECEを塩基性イオン交換樹脂に通過させる段階をさらに含むことを特徴とする、請求項1に記載のフォトレジスト工程用の精製されたアルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボン酸エステルの製造方法。
- 前記AGAECEは、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート(以下、PGMEAと表記する)であることを特徴とする、請求項1に記載のフォトレジスト工程用の精製されたアルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボン酸エステルの製造方法。
- 前記原料であるAGAECEの純度は、99.90~99.95%であり、酸価は、20ppm以上であることを特徴とする、請求項1に記載のフォトレジスト工程用の精製されたアルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボン酸エステルの製造方法。
- 前記蒸留段階以後のAGAECEの酸価は、20ppm未満であることを特徴とする、請求項1に記載のフォトレジスト工程用の精製されたアルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボン酸エステルの製造方法。
- 前記AGAECEは、PGMEAであり、
原料であるPGMEAには、不純物であるプロピレングリコールメチルエーテルが45ppm以上含有されており、酸価が100ppmを超過し、
前記蒸留段階以後のPGMEAの酸価は、20ppm未満であり、前記塩基性イオン交換樹脂の通過後、PGMEAの酸価は、10ppm未満であり、
前記蒸留段階以後のPGMEAに含有されたプロピレングリコールメチルエーテルの含量は、25ppm以下であり、前記塩基性イオン交換樹脂の通過後には、20ppm以下であることを特徴とする、
請求項2に記載のフォトレジスト工程用の精製されたアルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボン酸エステルの製造方法。 - 前記の塩基性物質が含侵された多孔性吸着剤に前記AGAECEを通過させるが、前記多孔性吸着剤の体積(m3)対比時間当たりの通過量が1倍ないし4倍の速度を維持して通過させることを特徴とする、請求項1に記載のフォトレジスト工程用の精製されたアルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボン酸エステルの製造方法。
- 前記蒸留段階における蒸留温度は、80~140℃であることを特徴とする、請求項1に記載のフォトレジスト工程用の精製されたアルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボン酸エステルの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020210127311A KR102598771B1 (ko) | 2021-09-27 | 2021-09-27 | 포토레지스트 공정에 사용되는 고순도 알킬렌글리콜 모노알킬 에테르 카르복실산 에스테르의 정제방법 |
KR10-2021-0127311 | 2021-09-27 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2023048153A JP2023048153A (ja) | 2023-04-06 |
JP7441286B2 true JP7441286B2 (ja) | 2024-02-29 |
Family
ID=85718780
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022152939A Active JP7441286B2 (ja) | 2021-09-27 | 2022-09-26 | フォトレジスト工程に使用される高純度アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボン酸エステルの精製方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20230095681A1 (ja) |
JP (1) | JP7441286B2 (ja) |
KR (1) | KR102598771B1 (ja) |
CN (1) | CN115872868A (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010501124A (ja) | 2007-09-05 | 2010-01-14 | コレックス コーポレーション | フォトレジストストリッパー廃液の再生方法及び再生装置 |
WO2018051716A1 (ja) | 2016-09-15 | 2018-03-22 | 富士フイルム株式会社 | 有機溶剤の精製方法および有機溶剤の精製装置 |
WO2018192195A1 (zh) | 2017-04-20 | 2018-10-25 | 江苏华伦化工有限公司 | 一种半导体级丙二醇甲醚醋酸酯的制备方法 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1063427C (zh) * | 1996-10-22 | 2001-03-21 | 中国石油化工总公司上海石油化工研究院 | 催化蒸馏制备丙二醇单烷基醚羧酸酯工艺 |
JP2003048866A (ja) * | 2001-03-26 | 2003-02-21 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | カルボン酸エステルの精製方法 |
KR100485737B1 (ko) * | 2001-11-27 | 2005-04-27 | 주식회사 동진쎄미켐 | 레지스트 제거용 신너 조성물 |
KR20040075431A (ko) * | 2003-02-21 | 2004-08-30 | 황갑성 | 다공성흡착제 및 그 제조방법 |
JP5044947B2 (ja) * | 2005-03-10 | 2012-10-10 | 三菱瓦斯化学株式会社 | カルボン酸あるいはカルボン酸エステルの製造方法 |
CN101049550B (zh) * | 2006-04-04 | 2010-04-07 | 中国石油大学(华东) | 用于液体有机酸酯类物质脱酸精制过程的固体碱吸附剂 |
JP5096907B2 (ja) * | 2007-12-25 | 2012-12-12 | オルガノ株式会社 | エステルの精製方法 |
US7439405B1 (en) * | 2008-01-14 | 2008-10-21 | Lyondell Chemical Technology, L.P. | Purification of propylene glycol monoalkyl ether |
KR100869333B1 (ko) * | 2008-02-11 | 2008-11-18 | 재원산업 주식회사 | 폐 pgmea의 재생방법 |
KR100992437B1 (ko) * | 2008-06-18 | 2010-11-08 | 재원산업 주식회사 | 레지스트 박리폐액의 정제장치 및 정제방법 |
KR101134659B1 (ko) * | 2010-09-06 | 2012-04-09 | 이수화학 주식회사 | 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트의 제조방법 |
KR101282799B1 (ko) * | 2012-06-08 | 2013-07-04 | 주식회사 코원이노텍 | Pma를 재생하기 위한 유기용제의 정제 방법 |
KR101274477B1 (ko) | 2012-10-19 | 2013-06-17 | 재원산업 주식회사 | 유기용제의 정제방법 |
KR101306336B1 (ko) | 2013-01-03 | 2013-09-09 | 재원산업 주식회사 | 유기용제의 정제방법 |
DE102013015289A1 (de) * | 2013-09-14 | 2015-03-19 | Oxea Gmbh | Verfahren zur Nachbehandlung von Polyolestern |
CN110305012A (zh) * | 2019-08-16 | 2019-10-08 | 南通百川新材料有限公司 | 一种半导体级丙二醇甲醚乙酸酯的合成工艺 |
-
2021
- 2021-09-27 KR KR1020210127311A patent/KR102598771B1/ko active IP Right Grant
-
2022
- 2022-09-20 CN CN202211148278.4A patent/CN115872868A/zh active Pending
- 2022-09-21 US US17/934,099 patent/US20230095681A1/en active Pending
- 2022-09-26 JP JP2022152939A patent/JP7441286B2/ja active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010501124A (ja) | 2007-09-05 | 2010-01-14 | コレックス コーポレーション | フォトレジストストリッパー廃液の再生方法及び再生装置 |
WO2018051716A1 (ja) | 2016-09-15 | 2018-03-22 | 富士フイルム株式会社 | 有機溶剤の精製方法および有機溶剤の精製装置 |
WO2018192195A1 (zh) | 2017-04-20 | 2018-10-25 | 江苏华伦化工有限公司 | 一种半导体级丙二醇甲醚醋酸酯的制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20230044773A (ko) | 2023-04-04 |
CN115872868A (zh) | 2023-03-31 |
KR102598771B1 (ko) | 2023-11-06 |
US20230095681A1 (en) | 2023-03-30 |
JP2023048153A (ja) | 2023-04-06 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230810 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20231115 |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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