JP7424274B2 - 貼り合わせウェーハ及び貼り合わせウェーハの製造方法 - Google Patents
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Description
(1)支持基板用ウェーハを準備する工程と、
活性層用ウェーハを準備する工程と、
前記支持基板用ウェーハと前記活性層用ウェーハとを、ウェーハ内部に1nm~10nmの厚さのアモルファス層が存在するように、真空常温接合により貼り合わせて真空常温接合ウェーハを作製する工程と、
前記真空常温接合ウェーハに対し、水素及び窒素のうち少なくとも1種類の雰囲気下において、100℃以上650℃以下の熱処理温度で、10分以上1時間以下の熱処理時間で熱処理する工程と、を含むことを特徴とする、貼り合わせウェーハの製造方法。
前記アモルファス層内に、SIMS分析による深さ方向のピーク濃度が、1×1019atoms/cm3以上の窒素又は水素が存在することを特徴とする、貼り合わせウェーハ。
図1は、本発明の一実施形態にかかる貼り合わせウェーハの製造方法のフローチャートである。
以下、本実施形態の貼り合わせウェーハの製造方法の作用効果について説明する。
上記の実施形態では、熱処理工程(工程(D))の後に、研削・研磨工程(工程(E))を行っていたが、熱処理工程(工程(D))の前に研削・研磨工程(工程(E))を行っても良い。活性層用ウェーハ2を薄厚化してから熱処理を行うと、薄厚化された活性層用ウェーハ21の表面からアモルファス層3までの距離が短くなるため、水素や窒素がアモルファス層3に取り込まれる量を増大させて、パッシベーション効果を向上し、デバイス不良の発生をより一層抑制し得るからである。
以下、本発明の一実施形態にかかる貼り合わせウェーハについて説明する。図2は、本発明の一実施形態にかかる貼り合わせウェーハの断面図である。図2に示すように、この貼り合わせウェーハ6は、支持基板用ウェーハ1と(研削・研磨工程により)薄厚化された活性層用ウェーハ21とが貼り合わされてなる。薄厚化された活性層用ウェーハ21は、デバイス形成領域となる。上述したように、支持基板用ウェーハ1は、例えばシリコンウェーハとすることができる。支持基板用ウェーハ1に、n型又はp型とすることができる。支持基板用ウェーハの抵抗率は、特には限定されないが、例えば10~1000Ω・cmとすることができる。活性層用ウェーハ21も、例えばシリコンウェーハとすることができる。活性層用ウェーハ21に、n型又はp型とすることができる。活性層用ウェーハ21の抵抗率は、特には限定されないが、例えば1~10Ω・cmとすることができる。活性層用ウェーハ21の(薄厚化された)厚さは、特には限定されないが、例えば2~10μmとすることができる。
以下、本発明の実施例について説明するが、本発明は以下の実施例に何ら限定されない。
本発明の効果を確かめるため、支持基板用ウェーハとして、p型、抵抗率10Ωcm、厚さ750μmのCZシリコンウェーハ、及び活性層用ウェーハとして、p型、抵抗率1ΩcmのFZウェーハをそれぞれ作製した。これらを真空常温接合で貼り合わせて厚さ5nmのアモルファス層を有する真空常温接合ウェーハを作製した後、水素100%雰囲気下で、それぞれ100℃(発明例1-1、1-2)、400℃(発明例2-1、2-2)、650℃(発明例3-1、3-2)、700℃(比較例1-1、1-2)の熱処理温度で1時間の熱処理を実施した。従来例では熱処理をスキップして行わなかった(従来例1-1、1-2)。熱処理後、活性層用ウェーハを研削研磨し、厚さ5μmに仕上げた。
実施例1の熱処理工程における水素雰囲気を窒素雰囲気に変更し、同様の実験を実施し、同様の評価を行った。評価結果を表2に示している。表2に示すように、窒素雰囲気下での熱処理でも、発明例では逆リーク電流を抑制可能であることがわかった。
真空常温接合時のアルゴンイオン照射条件(イオンビームの加速電圧)を調整し、アモルファス層の厚さを10nmとして、水素雰囲気下で実施例1と同様の実験を実施し、同様の評価を行った。評価結果を表3に示している。アモルファス層の厚さが10nmの場合でも、発明例では逆リーク電流を抑制可能であることがわかった。
2:活性層用ウェーハ、
3:アモルファス層、
4:真空常温接合ウェーハ、
5:領域、
6:貼り合わせウェーハ
Claims (4)
- 支持基板用シリコンウェーハを準備する工程と、
活性層用シリコンウェーハを準備する工程と、
前記支持基板用シリコンウェーハの貼り合わせ面及び前記活性層用シリコンウェーハの貼り合わせ面のそれぞれに真空常温下で活性化処理を施してアモルファス層を形成する工程と、
前記アモルファス層が形成された両方の面を真空常温下で接触させてウェーハ内部に1nm~10nmの厚さのアモルファス層を形成した真空常温接合ウェーハを作製する工程と、
前記真空常温接合ウェーハに対し、水素及び窒素のうち少なくとも1種類の雰囲気下において、100℃以上650℃以下の熱処理温度で、10分以上1時間以下の熱処理時間で熱処理する工程と、を含み、
前記アモルファス層内に、SIMS分析による深さ方向のピーク濃度が、1×10 19 atoms/cm 3 以上の窒素又は水素が存在する貼り合わせウェーハを得ることを特徴とする、貼り合わせウェーハの製造方法。 - 活性層用シリコンウェーハと支持基板用シリコンウェーハとが接合された貼り合わせウェーハであって、
前記活性層用シリコンウェーハと前記支持基板用シリコンウェーハとの間に1nm~10nmのアモルファス層を有し、
前記アモルファス層内に、SIMS分析による深さ方向のピーク濃度が、1×1019atoms/cm3以上の窒素又は水素が存在することを特徴とする、貼り合わせウェーハ。 - 前記活性層用シリコンウェーハの厚さが2~10μmであり、前記アモルファス層が前記活性層用シリコンウェーハ側の表面から深さ1μm以上の位置に存在する、請求項2に記載の貼り合わせウェーハ。
- 前記活性層用シリコンウェーハの厚さが2~10μmであり、窒素及び水素のうち少なくとも1種類が、前記活性層用シリコンウェーハ側の表面から深さ1μm以上の位置に存在する、請求項2又は3に記載の貼り合わせウェーハ。
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