JP7381279B2 - 露光方法 - Google Patents
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Description
また近年、製造する物品の大型化に伴って露光領域を広げるために、基板上において複数のショット領域の各々の一部の領域を互いに重ね合わせるように露光を行うことによって、複数のショット領域を繋ぎ合わせる露光方法が用いられている。
特許文献1は、繋ぎ領域及びそれ以外の非繋ぎ領域それぞれの積算露光量を互いに等しくするために、繋ぎ領域を露光する際にメカブレードを移動させて露光光の幅を調整することによって積算露光量を制御する露光方法を開示している。
そこで本発明は、高精度に複数のショット領域を繋ぎ合わせると共に、用いる装置も小型化することができる露光方法を提供することを目的とする。
また、以下の説明では、マスクM及びプレートPそれぞれの表面に垂直な方向をz方向、マスクM及びプレートPそれぞれが走査される方向をy方向、そしてz方向及びy方向に垂直な方向をx方向としている。
図1(a)、(b)及び(c)は、第一実施形態に係る露光方法に用いられる走査型露光装置である露光装置50の概略図を示している。
投影光学系200には光束絞り10が設けられており、光束絞り10を通過した光束はプレートP(基板)上に集光される。
露光装置50では、マスクMが載置されるマスクステージ20(原版ステージ)とプレートPが載置されるプレートステージ30(基板ステージ)とがそれぞれ図1(a)中のsm方向及びsp方向に沿って、互いに同期して走査される。
その結果、x方向における所定の露光幅及びy方向における所定のスキャン長に応じたショットサイズのパネル(以下、ショット領域と称する。)がプレートP上に露光される。
また、露光装置50では、照明ユニット100、マスクステージ20及びプレートステージ30それぞれの駆動が制御部40によって制御される。
また、照明ユニット100は、露光スリット6、第一マスキング結像レンズ7、折り曲げミラー8及び第二マスキング結像レンズ9を備えている。
そして、LED光源ユニット1から出射した照明光束は、第一コンデンサーレンズ2の作用によって平行光束に変換された後、ハエの目ユニット3を照明する。
このため、LED光源ユニット1の出射面及びハエの目ユニット3の入射面はそれぞれ、第一コンデンサーレンズ2の前側焦点面近傍及び後側焦点面近傍に配置されている。
そして、ハエの目ユニット3を通過した光束は、第二コンデンサーレンズ4の作用によって平行光束に変換された後、露光スリット6を照明する。
このため、ハエの目ユニット3の出射面及び露光スリット6の露光スリット面5はそれぞれ、第二コンデンサーレンズ4の前側焦点面近傍及び後側焦点面近傍に配置されている。
そして、露光スリット6は、マスクM上の照明領域が後続する投影光学系200の良像域だけになるように、光束を制限する機能を有している。
露光装置50では、以上の構成により、マスクM上の露光に必要な領域だけが均一且つ選択的に照明される。
そして、反射した光束はプレートP上に到達し、マスクM上のパターンがプレートP上に結像される。
また、マスクMからプレートPへの結像倍率は、等倍、拡大、縮小のいずれもが含まれる。
また、露光装置50では、光源としてLED素子群からなるLED光源ユニット1を用いているが、これに限られず、同様な小型の半導体レーザー(LD)群からなる光源ユニットを用いても構わない。
また、光源として後述するような水銀ランプを用いて、その出力を直接変更させても構わない。しかしながら、光源として水銀ランプを用い、ランプ出力を短時間に変更する場合には、その電気特性や寿命の観点から実用性に課題が残ることに注意すべきである。
また、図2(b)は、本実施形態に係る露光方法における第1のショット領域80及び第2のショット領域90を繋ぎ合わせて示した上面図である。
なおここで、ショット領域とは、露光装置50における1回の走査露光で露光されるプレートP上の領域のことを指す。
そして、プレートP上において走査方向(y方向)に沿って配列されている第1のショット領域80及び第2のショット領域90は、繋ぎ領域80a及び繋ぎ領域90aが互いに重なるように繋ぎ合わされる。
そのようにメカブレードの移動誤差が大きい場合には、露光光の幅の調整誤差が大きくなる。すなわち繋ぎ領域80aの積算露光量と繋ぎ領域90aの積算露光量との和が非繋ぎ領域80b又は90bの積算露光量とは異なるように露光が行われ、それにより露光線幅の異常が引き起こされる虞がある。
これは、そのような位置には露光シャッターに加えて、露光領域を二次元的に設定するXYマスキング機構等も設けられているからである。
そして、それらの複数の機構を露光装置内の所定の箇所に集中して配置する事は、互いの空間的干渉や互いに対する発熱の影響等の問題を引き起こし、露光装置全体の性能低下に繋がる。
一方、繋ぎ領域80a及び90aの走査方向における幅が短すぎると、プロセスによっては積算露光量のむら等が発生しやすくなり、像性能が低下する虞がある。
このように、繋ぎ領域80a及び90aの走査方向における幅を可変にすることで最適化できる事が求められるが、メカブレードの機構や設定精度に限界があるため、従来の繋ぎ方式では困難である。
すなわち、プレートP上に塗布される感光剤の感光特性が非線形である場合には、繋ぎ領域80aの積算露光量と繋ぎ領域90aの積算露光量との和が非繋ぎ領域80b又は90bの積算露光量に対して異なるように意図的に露光を行う。それにより、繋ぎ領域80a(90a)と非繋ぎ領域80b及び90bとで露光線幅を互いに等しくできる場合がある。
このとき、従来の繋ぎ方式では、繋ぎ領域80a及び90aを露光する際にメカブレードの走行速度を変更する必要が生じるが、それに伴って走行速度にむら等が発生し、それにより積算露光量の誤差が生じる虞がある。
LEDは、発光を制御する基板回路に電流を流してから発光出力が安定するまでの時間が水銀ランプに比べて短く、また水銀ランプのように常時発光させる必要がないため、長寿命でもある。
また、LEDの1個当たりの発光出力は水銀ランプと比べて極めて小さいが、複数のLEDを配列させて総出力を十分に大きくすることもできる。
そして、図3(a)における矩形の網掛け領域は、露光スリット6によって決定されるプレートP上の照明領域Sを示しており、例えば時刻T1では、プレートP上の位置P10乃至P14が照明されることを意味している。
従って、時刻T1乃至T9それぞれでの位置P6における照度は、以下の表1のように表され、時刻T1から時刻T9までの位置P6における積算露光量は、100+75+50+25=250となる。
従って、時刻T1乃至T9それぞれでの位置P10における照度は、上記の表1のように表され、時刻T1から時刻T9までの位置P10における積算露光量は、100+100+100+100+100=500となる。
なお、図3(c)には、プレートP上における繋ぎ領域Cも示されている。すなわち、繋ぎ領域Cは、第1のショット領域80の繋ぎ領域80a及び第2のショット領域90の繋ぎ領域90aに対応する。
本実施形態に係る露光方法では、繋ぎ領域Cは、位置P2と位置P10との間であり、繋ぎ領域C内の位置では、第一走査露光及び第二走査露光それぞれにおいて、積算露光量は0より大きく500より小さい値となる。
そして、図4(a)における矩形の網掛け領域は、露光スリット6によって決定されるプレートP上の照明領域Sを示しており、例えば時刻T1’では、プレートP上の位置P1及びP2が照明されることを意味している。
なおここで、プレートP上の照度は正規化されており、時刻T1’より前の時刻では、プレートP上の照明領域Sの照度は100で固定されている一方で、時刻T9’より後の時刻では、プレートP上の照明領域Sの照度は0で固定されているとする。
従って、時刻T1’乃至T9’それぞれでの位置P6における照度は、以下の表2のように表され、時刻T1’から時刻T9’までの位置P6における積算露光量は、100+75+50+25=250となる。
従って、時刻T1’乃至T9’それぞれでの位置P2における照度は、上記の表2のように表され、時刻T1’から時刻T9’までの位置P2における積算露光量は、100+100+100+100+100=500となる。
そして、第一走査露光及び第二走査露光それぞれの積算露光量の合算も図3(c)に示されており、位置P1乃至P15のいずれにおいても積算露光量が500となっていることがわかる。
そして第一走査露光の際には、繋ぎ領域80aが照明領域Sを通過する際の所定の時間における照明領域Sの照度が、非繋ぎ領域80bが照明領域Sを通過する際の照度とは異なるように、第1のショット領域80を露光する。
また第二走査露光の際には、繋ぎ領域80aに重なる繋ぎ領域90aが照明領域Sを通過する際の所定の時間における照度が、非繋ぎ領域90bが照明領域Sを通過する際の照度とは異なるように、第2のショット領域90を露光する。
このようにして、繋ぎ領域Cとそれ以外の非繋ぎ領域とで積算露光量を互いに等しくすることができる。
また、それに限らず、LED光源ユニット1内に設けられている複数のLED素子の少なくとも一つ以上の電流値を変更する事により、プレートP上における照度を変更してもよい。
また、LED光源ユニット1の代わりにレーザーダイオード(LD)のような固体発光素子を有する光源を用いて、プレートP上における照度を変更してもよい。
その場合、露光スリット6の開口形状に対応した領域に複数のLED素子の発光面が配列される。例えば、図1(b)に示されるような投影光学系200を設けた場合には、図1(c)に示されるような露光スリット6の円弧状開口の開口面にLED素子群が配置されることになる。
一方、本実施形態に係る露光方法では、プレートP上の照明領域Sの幅は時間変化させずに、プレートP上における照度(すなわち、図3(a)における照明領域Sの高さ)を時間変化させることによって、繋ぎ領域Cの積算露光量を調整している。
そして、光源としてLED光源ユニット1を用いることによって、発光量を電気的に制御することができ、これにより、照度を高精度かつ自在に設定することが可能である。
これにより、従来の露光装置におけるメカブレードの駆動誤差に伴う像性能への影響と比べて、像性能も向上させることができる。
図5は、第二実施形態に係る露光方法に用いられる露光装置60の概略図を示している。
なお、露光装置60は、LED光源ユニット1の代わりに水銀ランプユニット25を用いると共に、水銀ランプユニット25の焦点面s1の近傍に可変虹彩絞りVIを設けている以外は、露光装置50と同一の構成である。そのため、同一の部材には同一の符番を付して、説明を省略する。
これにより、ハエの目ユニット3を照明する光束の光量は減衰するが、ハエの目ユニット3は露光スリット面5を均一に照明する機能を有しているため、露光スリット面5の照度分布は均一に保たれたまま、露光スリット面5全体の照度が低下することになる。
位置s2では、光束が広がっているため、可変虹彩絞りVIを絞っていく際の駆動量は大きくなるが、一方、その分駆動敏感度が低くなるため、光量の制御を高精度で行なうことができる。
さらに、可変虹彩絞りVIを位置s2に配置すると、水銀ランプユニット25の焦点面s1に配置した場合と比べて、可変虹彩絞りVIが水銀ランプユニット25から離れる分、水銀ランプユニット25の発熱の影響を受けにくくなるという利点もある。
また、可変虹彩絞りVIに用いられる遮光部材としては、メカブレードに限らず、誘電体反射膜が塗布された硝子部材でも構わない。そのような硝子部材を用いた場合には、熱の吸収が小さくなるため、耐久性が向上する。
図6は、第三実施形態に係る露光方法に用いられる露光装置70の概略図を示している。
なお、露光装置70は、可変虹彩絞りVIの代わりに走行シャッター部材RSを用いている以外は、露光装置60と同一の構成であるため、同一の部材には同一の符番を付して、説明を省略する。
これにより、ハエの目ユニット3を照明する光束の光量は減衰するが、ハエの目ユニット3は露光スリット面5を均一に照明する機能を有しているため、露光スリット面5の照度分布は均一に保たれたまま、露光スリット面5全体の照度が低下することになる。
また、走行シャッター部材RSに用いられる遮光部材としては、メカブレードに限らず、誘電体反射膜が塗布された硝子部材でも構わない。そのような硝子部材を用いた場合には、熱の吸収が小さくなるため、耐久性が向上する。
図7(a)及び(b)はそれぞれ、第四実施形態に係る露光方法における第一走査露光の様子及びその際の照度の時間変化を示している。また、図7(c)は、第四実施形態に係る露光方法の第一走査露光及び第二走査露光それぞれにおける積算露光量分布及びそれらの合算を示している。
なお、本実施形態に係る露光方法に用いられる露光装置は、第一乃至第三実施形態のいずれかに係る露光方法に用いられる露光装置と同一の構成であるため、同一の部材には同一の符番を付して、説明を省略する。
そして、図7(a)における矩形の網掛け領域は、露光スリット6によって決定されるプレートP上の照明領域Sを示しており、例えば時刻T1では、プレートP上の位置P10乃至P14が照明されることを意味している。
なおここで、プレートP上の照度は正規化されており、時刻T1より前の時刻では、プレートP上の照明領域Sの照度は100で固定されている一方で、時刻T9より後の時刻では、プレートP上の照明領域Sの照度は0で固定されているとする。
従って、時刻T1乃至T9それぞれでの位置P6における照度は、以下の表3のように表され、時刻T1から時刻T9までの位置P6における積算露光量は、100+85+35+5=225となる。
従って、時刻T1乃至T9それぞれでの位置P10における照度は、上記の表3のように表され、時刻T1から時刻T9までの位置P10における積算露光量は、100+100+100+100+100=500となる。
なお、図7(c)には、プレートP上における繋ぎ領域Cも示されている。すなわち、繋ぎ領域Cは、第1のショット領域80の繋ぎ領域80a及び第2のショット領域90の繋ぎ領域90aに対応する。
本実施形態に係る露光方法では、繋ぎ領域Cは、位置P2と位置P10との間であり、繋ぎ領域C内の位置では、第一走査露光及び第二走査露光それぞれにおいて、積算露光量は0より大きく500より小さい値となる。
そして、図8(a)における矩形の網掛け領域は、露光スリット6によって決定されるプレートP上の照明領域Sを示しており、例えば時刻T1’では、プレートP上の位置P1及びP2が照明されることを意味している。
なおここで、プレートP上の照度は正規化されており、時刻T1’より前の時刻では、プレートP上の照明領域Sの照度は100で固定されている一方で、時刻T9’より後の時刻では、プレートP上の照明領域Sの照度は0で固定されているとする。
従って、時刻T1’乃至T9’それぞれでの位置P6における照度は、以下の表4のように表され、時刻T1’から時刻T9’までの位置P6における積算露光量は、100+85+35+5=225となる。
従って、時刻T1’乃至T9’それぞれでの位置P2における照度は、上記の表4のように表され、時刻T1’から時刻T9’までの位置P2における積算露光量は、100+100+100+100+100=500となる。
そして、第一走査露光及び第二走査露光それぞれの積算露光量の合算も図7(c)に示されている。
その結果、第一走査露光及び第二走査露光の往復2回の走査露光による積算露光量は、繋ぎ領域Cとそれ以外の非繋ぎ領域とで互いに等しくしている。
例えば、照度が変化している間の時刻T7におけるプレートP上の照明領域Sの照度は、第一乃至第三実施形態に係る露光方法では50であったのに対し、本実施形態に係る露光方法では35と小さくなっている。
そのため、本実施形態に係る露光方法では、繋ぎ領域Cの積算露光量がそれ以外の非繋ぎ領域の積算露光量に比べて小さくなる。
換言すると、マスクM上のパターンが転写されるプレートP上の感光性レジストには、一回露光されると、その後の露光に対する敏感度が大きくなる化学特性を有するものがある。
そのため、そのような感光性レジストを用いた場合には、繋ぎ領域Cとそれ以外の非繋ぎ領域とで露光線幅が互いに異なってしまう。
図9(a)及び(b)はそれぞれ、第五実施形態に係る露光方法における第一走査露光の様子及びその際の照度の時間変化を示している。また、図9(c)は、第五実施形態に係る露光方法の第一走査露光及び第二走査露光それぞれにおける積算露光量分布及びそれらの合算を示している。
なお、本実施形態に係る露光方法に用いられる露光装置は、第一乃至第三実施形態のいずれかに係る露光方法に用いられる露光装置と同一の構成であるため、同一の部材には同一の符番を付して、説明を省略する。
そして、図9(a)における矩形の網掛け領域は、露光スリット6によって決定されるプレートP上の照明領域Sを示しており、例えば時刻T1では、プレートP上の位置P10乃至P14が照明されることを意味している。
なおここで、プレートP上の照度は正規化されており、時刻T1より前の時刻では、プレートP上の照明領域Sの照度は100で固定されている一方で、時刻T9より後の時刻では、プレートP上の照明領域Sの照度は0で固定されているとする。
従って、時刻T1乃至T9それぞれでの位置P6における照度は、以下の表5のように表され、時刻T1から時刻T9までの位置P6における積算露光量は、100+95+60+20=275となる。
従って、時刻T1乃至T9それぞれでの位置P10における照度は、上記の表5のように表され、時刻T1から時刻T9までの位置P10における積算露光量は、100+100+100+100+100=500となる。
なお、図9(c)には、プレートP上における繋ぎ領域Cも示されている。すなわち、繋ぎ領域Cは、第1のショット領域80の繋ぎ領域80a及び第2のショット領域90の繋ぎ領域90aに対応する。
本実施形態に係る露光方法では、繋ぎ領域Cは、位置P2と位置P10との間であり、繋ぎ領域C内の位置では、第一走査露光及び第二走査露光それぞれにおいて、積算露光量は0より大きく500より小さい値となる。
そして、図10(a)における矩形の網掛け領域は、露光スリット6によって決定されるプレートP上の照明領域Sを示しており、例えば時刻T1’では、プレートP上の位置P1及びP2が照明されることを意味している。
なおここで、プレートP上の照度は正規化されており、時刻T1’より前の時刻では、プレートP上の照明領域Sの照度は100で固定されている一方で、時刻T9’より後の時刻では、プレートP上の照明領域Sの照度は0で固定されているとする。
従って、時刻T1’乃至T9’それぞれでの位置P6における照度は、以下の表6のように表され、時刻T1’から時刻T9’までの位置P6における積算露光量は、100+95+60+20=275となる。
従って、時刻T1’乃至T9’それぞれでの位置P2における照度は、上記の表6のように表され、時刻T1’から時刻T9’までの位置P2における積算露光量は、100+100+100+100+100=500となる。
そして、第一走査露光及び第二走査露光それぞれの積算露光量の合算も図9(c)に示されている。
その結果、第一走査露光及び第二走査露光の往復2回の走査露光による積算露光量は、繋ぎ領域Cとそれ以外の非繋ぎ領域とで互いに等しくしている。
例えば、照度が変化している間の時刻T7におけるプレートP上の照明領域Sの照度は、第一乃至第三実施形態に係る露光方法では50であったのに対し、本実施形態に係る露光方法では60と大きくなっている。
そのため、本実施形態に係る露光方法では、繋ぎ領域Cの積算露光量がそれ以外の非繋ぎ領域の積算露光量に比べて大きくなる。
換言すると、マスクM上のパターンが転写されるプレートP上の感光性レジストには、一回露光されると、その後の露光に対する敏感度が小さくなる化学特性を有するものがある。
そのため、そのような感光性レジストを用いた場合には、繋ぎ領域Cとそれ以外の非繋ぎ領域とで露光線幅が互いに異なってしまう。
図11(a)及び(b)はそれぞれ、第六実施形態に係る露光方法における第一走査露光の様子及びその際の照度の時間変化を示している。また、図11(c)は、第六実施形態に係る露光方法の第一走査露光及び第二走査露光それぞれにおける積算露光量分布及びそれらの合算を示している。
なお、本実施形態に係る露光方法に用いられる露光装置は、第一乃至第三実施形態のいずれかに係る露光方法に用いられる露光装置と同一の構成であるため、同一の部材には同一の符番を付して、説明を省略する。
そして、図11(a)における矩形の網掛け領域は、露光スリット6によって決定されるプレートP上の照明領域Sを示しており、例えば時刻T1では、プレートP上の位置P10乃至P14が照明されることを意味している。
なおここで、プレートP上の照度は正規化されており、時刻T1より前の時刻では、プレートP上の照明領域Sの照度は100で固定されている一方で、時刻T8より後の時刻では、プレートP上の照明領域Sの照度は0で固定されているとする。
従って、時刻T1乃至T9それぞれでの位置P6における照度は、以下の表7のように表され、時刻T1から時刻T9までの位置P6における積算露光量は、100+100+50=250となる。
従って、時刻T1乃至T9それぞれでの位置P10における照度は、上記の表7のように表され、時刻T1から時刻T9までの位置P10における積算露光量は、100+100+100+100+100=500となる。
なお、図11(c)には、プレートP上における繋ぎ領域Cも示されている。すなわち、繋ぎ領域Cは、第1のショット領域80の繋ぎ領域80a及び第2のショット領域90の繋ぎ領域90aに対応する。
本実施形態に係る露光方法では、繋ぎ領域Cは、位置P3と位置P9との間であり、繋ぎ領域C内の位置では、第一走査露光及び第二走査露光それぞれにおいて、積算露光量は0より大きく500より小さい値となる。
そして、図12(a)における矩形の網掛け領域は、露光スリット6によって決定されるプレートP上の照明領域Sを示しており、例えば時刻T1’では、プレートP上の位置P1及びP2が照明されることを意味している。
なおここで、プレートP上の照度は正規化されており、時刻T1’より前の時刻では、プレートP上の照明領域Sの照度は100で固定されている一方で、時刻T8’より後の時刻では、プレートP上の照明領域Sの照度は0で固定されているとする。
従って、時刻T1’乃至T9’それぞれでの位置P6における照度は、以下の表8のように表され、時刻T1’から時刻T9’までの位置P6における積算露光量は、100+100+50=250となる。
従って、時刻T1’乃至T9’それぞれでの位置P2における照度は、上記の表8のように表され、時刻T1’から時刻T9’までの位置P2における積算露光量は、100+100+100+100+100=500となる。
そして、第一走査露光及び第二走査露光それぞれの積算露光量の合算も図11(c)に示されている。
その結果、第一乃至第三実施形態に係る露光方法では、走査方向においてプレートP上の位置P2と位置P10との間の領域を繋ぎ領域Cとして設ける必要があった。
そのため、本実施形態に係る露光方法では、走査方向においてプレートP上の位置P3と位置P9との間の領域を繋ぎ領域Cとして設ければよい。
一方、本実施形態に係る露光方法では、繋ぎに要する露光時間を短縮するために、繋ぎ幅を短くすることによって、ステージが走行する全体距離を短縮する事も可能である。これにより、繋ぎ露光時のプレートの処理時間(タクト)を短縮することができ、製造工程の効率化、すなわち高スループット化をもたらすことができる。
次に、第一乃至第六実施形態のいずれかに係る露光方法を用いた物品の製造方法について説明する。
例えば、半導体デバイスは、プレートに回路パターンを作るための前工程と、前工程で作られた回路チップを製品として完成させるための、加工工程を含む後工程とを経ることにより製造される。
前工程は、第一乃至第六実施形態のいずれかに係る露光方法を使用して感光剤が塗布されたプレートを露光する露光工程と、感光剤を現像する現像工程とを含む。
現像された感光剤のパターンをマスクとしてエッチング工程やイオン注入工程等が行われ、プレート上に回路パターンが形成される。
これらの露光、現像、エッチング等の工程を繰り返して、プレート上に複数の層からなる回路パターンが形成される。
後工程で、回路パターンが形成されたプレートに対してダイシングを行い、チップのマウンティング、ボンディング、検査工程を行う。
80a 繋ぎ領域(第1の繋ぎ領域)
80b 非繋ぎ領域(第1の非繋ぎ領域)
90 第2のショット領域
90a 繋ぎ領域(第2の繋ぎ領域)
90b 非繋ぎ領域(第2の非繋ぎ領域)
M マスク(原版)
P プレート(基板)
Claims (16)
- 原版及び基板を走査方向に走査しながら、前記原版に描画されたパターンを前記基板に転写するように前記基板を露光する露光方法であって、
前記基板上の第1のショット領域に含まれる第1の繋ぎ領域が照明領域を通過する際の所定の時間における該照明領域の照度が、前記第1のショット領域に含まれる第1の非繋ぎ領域が前記照明領域を通過する際の前記照度とは異なるように、前記第1のショット領域を露光する工程と、
前記第1のショット領域に対して前記走査方向に配列される第2のショット領域に含まれると共に前記第1の繋ぎ領域に重なる第2の繋ぎ領域が前記照明領域を通過する際の所定の時間における前記照度が、前記第2のショット領域に含まれる第2の非繋ぎ領域が前記照明領域を通過する際の前記照度とは異なるように、前記第2のショット領域を露光する工程と、
を含み、
前記第1のショット領域を露光する工程は、前記基板を前記走査方向の第1の向きに移動させながら前記第1の繋ぎ領域が前記照明領域を通過する際に、前記照度を単調変化させる工程を含み、
前記第2のショット領域を露光する工程は、前記基板を前記第1の向きとは逆向きに移動させながら前記第2の繋ぎ領域が前記照明領域を通過する際に、前記照度を単調変化させる工程を含むことを特徴とする露光方法。 - 前記照度を単調変化させる工程は、前記照度を線形的に単調減少させる工程を含むことを特徴とする請求項1に記載の露光方法。
- 前記第1の非繋ぎ領域及び前記第2の非繋ぎ領域それぞれの積算露光量と前記第1の繋ぎ領域及び前記第2の繋ぎ領域それぞれの積算露光量の和とは、互いに等しいことを特徴とする請求項2に記載の露光方法。
- 前記照度を単調変化させる工程は、前記照度を非線形的に単調減少させる工程を含むことを特徴とする請求項1に記載の露光方法。
- 前記第1の非繋ぎ領域及び前記第2の非繋ぎ領域それぞれの積算露光量と前記第1の繋ぎ領域及び前記第2の繋ぎ領域それぞれの積算露光量の和とは、互いに異なることを特徴とする請求項4に記載の露光方法。
- 前記照度を単調変化させる工程の開始から終了までの所要時間を変更することができることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の露光方法。
- 前記第1の繋ぎ領域及び前記第2の繋ぎ領域の前記走査方向における幅を変更することができることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載の露光方法。
- 前記第1のショット領域を露光する工程は、前記第1の繋ぎ領域が前記照明領域を通過する際に、光源の発光量を変化させる工程を含み、
前記第2のショット領域を露光する工程は、前記第2の繋ぎ領域が前記照明領域を通過する際に、前記光源の発光量を変化させる工程を含むことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか一項に記載の露光方法。 - 前記光源は、複数の固体発光素子を備えることを特徴とする請求項8に記載の露光方法。
- 前記光源の発光量を変化させる工程は、前記複数の固体発光素子のうちの少なくとも一部の固体発光素子の発光量を変更する工程を含むことを特徴とする請求項9に記載の露光方法。
- 前記光源の発光量を変化させる工程は、前記複数の固体発光素子のうちの少なくとも一部の固体発光素子を発光させない工程を含むことを特徴とする請求項9または10に記載の露光方法。
- 前記第1のショット領域を露光する工程は、前記第1の繋ぎ領域が前記照明領域を通過する際に、光源とインテグレーターとの間に設けられる減光部材を駆動する工程を含み、
前記第2のショット領域を露光する工程は、前記第2の繋ぎ領域が前記照明領域を通過する際に、前記減光部材を駆動する工程を含むことを特徴とする請求項1乃至11のいずれか一項に記載の露光方法。 - 前記減光部材は、虹彩絞りであることを特徴とする請求項12に記載の露光方法。
- 前記減光部材は、遮光ブレードが直線移動する絞りであることを特徴とする請求項12に記載の露光方法。
- 請求項1乃至14のいずれか一項に記載の露光方法によって前記基板を露光する工程と、
露光された前記基板を現像する工程と、
現像された前記基板を加工して物品を得る工程と、
を有することを特徴とする物品の製造方法。 - 原版及び基板を走査方向に走査しながら、前記原版に描画されたパターンを前記基板に転写するように前記基板を露光する露光装置であって、
照明領域を照明する照明ユニットと、
載置される前記原版を移動させる原版ステージと、
載置される前記基板を移動させる基板ステージと、
前記基板上の前記走査方向に沿って配列される第1のショット領域及び第2のショット領域を露光する際に、前記第1のショット領域に含まれる第1の繋ぎ領域が前記照明領域を通過する際の所定の時間における前記照明領域の照度が、前記第1のショット領域に含まれる第1の非繋ぎ領域が前記照明領域を通過する際の前記照度とは異なり、且つ、前記第2のショット領域に含まれると共に前記第1の繋ぎ領域に重なる第2の繋ぎ領域が前記照明領域を通過する際の所定の時間における前記照度が、前記第2のショット領域に含まれる第2の非繋ぎ領域が前記照明領域を通過する際の前記照度とは異なるように、前記照明ユニット、前記原版ステージ及び前記基板ステージを制御する制御部と、
を備え、
前記制御部は、前記第1のショット領域の前記露光において前記基板を前記走査方向の第1の向きに移動させながら前記第1の繋ぎ領域が前記照明領域を通過する際に前記照度が単調変化し、且つ、前記第2のショット領域の前記露光において前記基板を前記第1の向きとは逆向きに移動させながら前記第2の繋ぎ領域が前記照明領域を通過する際に前記照度が単調変化するように、前記照明ユニット、前記原版ステージ及び前記基板ステージを制御することを特徴とする露光装置。
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