JP7368336B2 - 紫外線発光素子用金属貼り合わせ基板の製造方法、及び紫外線発光素子の製造方法 - Google Patents
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Description
その為、高出力、高効率の殺菌用深紫外発光ダイオードの普及に問題があった。
該第一支持基板の少なくとも上面に設けられた、厚み0.5~3μmの平坦化層と、
該平坦化層の上面に貼り合わせにより接合された、厚み0.1~1.5μmのIII族窒化物単結晶の種結晶層と、
該種結晶層上に、少なくとも、AlxGa1-xN(0.5<x≦1)を主成分とする第一導電型クラッド層と、AlGaN系活性層と、AlyGa1-yN(0.5<y≦1)を主成分とする第二導電型クラッド層が順に積層成長されたエピタキシャル層を有するものであることを特徴とする紫外線発光素子用エピタキシャルウェーハを提供する。
前記不純物封入層は、SiOxNy(x=0~2、y=0~1.5、x+y>0)の組成式で表されるものとすることができる。
このようなものであれば、より確実に結晶欠陥の抑制された高品質の紫外線発光素子を製造可能なものとなる。
このようなものであれば、耐熱性や安定性に優れ、大口径サイズのものを安価に入手することができるので好ましい。
このようなものであれば、平坦化時の研削や研磨が容易で、かつ、第一支持基板を分離するための犠牲層になり易いので好ましい。
このようなものであれば、その上にエピタキシャル成長させる層の組成と一致させることができるので好ましい。
このようなものであれば、より効率良く発光させることができるので好ましい。
このようなものであれば、深紫外線領域の光をより確実に得ることができる。
このようなものであれば、より効率良く光を取り出すことができるため好ましい。
このようなものであれば、より効率良く発光させることができるので好ましい。
前記エピタキシャル層の一部を前記第二導電型クラッド層側から少なくとも前記AlGaN系活性層まで除去して前記第一導電型クラッド層を部分的に露出させ、
該部分的に露出した第一導電型クラッド層上と、除去せずに残された前記第二導電型クラッド層上とにそれぞれオーミック電極を配し、
前記第一支持基板上にある前記平坦化層を除去することにより、前記種結晶層と該種結晶層上に残されたエピタキシャル層を前記第一支持基板から分離して、紫外線発光素子を製造することを特徴とする紫外線発光素子の製造方法を提供する。
このような紫外線発光素子の製造方法であれば、簡単な構造で、反りや格子ミスマッチによる欠陥が発生のない高品質な紫外線発光素子を製造できる。また、高価な種結晶層を極めて薄くすることができるため、極めて安価に製造することができる。
このような紫外線発光素子アレイの製造方法であれば、極めて高品質で安価な紫外線発光素子アレイを製造することができる。
前記エピタキシャル層の前記第二導電型クラッド層側を仮支持基板と仮接合し、
前記第一支持基板上にある前記平坦化層を除去することにより、前記種結晶層と該種結晶層上の前記エピタキシャル層および前記仮支持基板を前記第一支持基板から分離し、
前記種結晶層の前記エピタキシャル層とは反対側に反射金属層を形成し、該反射金属層を、導電性を有する第二支持基板と金属接合で貼り合わせた後、
前記第二支持基板、前記反射金属層、前記種結晶層および前記エピタキシャル層を含む構造体を前記仮支持基板から分離して、紫外線発光素子用金属貼り合わせ基板を製造することを特徴とする紫外線発光素子用金属貼り合わせ基板の製造方法を提供する。
このようにすれば、より簡便に紫外線発光素子用金属貼り合わせ基板を製造することができる。
Auは金属接合でよく用いられる材料であるため好ましい。
Alは発光素子において反射金属としてよく用いられる材料であるため好ましい。
前記エピタキシャル層の一部を前記第二導電型クラッド層側から少なくとも前記AlGaN系活性層まで除去して前記第一導電型クラッド層を部分的に露出させ、
該部分的に露出した第一導電型クラッド層上と、除去せずに残された前記第二導電型クラッド層上とにそれぞれオーミック電極を配して、紫外線発光素子を製造することを特徴とする紫外線発光素子の製造方法を提供する。
または、上記の紫外線発光素子用金属貼り合わせ基板の製造方法により製造した紫外線発光素子用金属貼り合わせ基板を用意し、
前記エピタキシャル層上と、前記第二支持基板の前記エピタキシャル層とは反対側とにそれぞれオーミック電極を配して、紫外線発光素子を製造することを特徴とする紫外線発光素子の製造方法を提供する。
また、本発明の紫外線発光素子アレイの製造方法であれば、極めて高品質で安価な紫外線発光素子アレイを製造することができる。
最初に、本発明の第一の実施形態に係る紫外線発光素子用エピタキシャルウェーハ、及び紫外線発光素子の製造方法について説明する。
上述のように、深紫外線領域(UVC:200~250nm)の発光ダイオード用に好適な、安価で高品質なエピタキシャルウェーハが求められていた。
本発明者らは、鋭意検討を重ねた結果、耐熱性の第一支持基板と、該第一支持基板の少なくとも上面に設けられた、厚み0.5~3μmの平坦化層と、該平坦化層の上面に貼り合わせにより接合された、厚み0.1~1.5μmのIII族窒化物単結晶の種結晶層と、該種結晶層上に、少なくとも、AlxGa1-xN(0.5<x≦1)を主成分とする第一導電型クラッド層と、AlGaN系活性層と、AlyGa1-yN(0.5<y≦1)を主成分とする第二導電型クラッド層が順に積層成長されたエピタキシャル層を有する紫外線発光素子用エピタキシャルウェーハにより、安価で高品質なエピタキシャルウェーハを提供することができることを見出し、この発明を完成させた。
図1に示す本発明の紫外線発光素子用エピタキシャルウェーハ100は、貼り合わせによって作製された基板(貼り合わせ基板)1と窒化物半導体からなる紫外発光素子層2を有する。貼り合わせ基板1は、耐熱性支持基板(第一支持基板)3に、少なくとも上面に厚み0.5~3μmの平坦化層7が設けられ、さらに厚み0.1~1.5μmのIII族窒化物単結晶が種結晶層4として貼り合わせて作製される。
セラミックスコア層5は、例えば、AlNを主成分とするセラミックスで作製される。耐熱性や安定性、入手し易さの点で優れている。
また種結晶層4の厚みを上記数値範囲とすることで高品質なものとすることができる。材質としては、その上にエピタキシャル成長させる膜(紫外発光素子層2)を考慮すると、特には、AlxGa1-xN(0.5<X≦1)の単結晶とすることが好ましい。
さらには、種結晶層4のバンドギャップが、後述するAlGaN系活性層のバンドギャップよりも大きいのが好ましい。より効率良く光を取り出すことができるためである。また、より効率良く発光させるため、種結晶層4は、エピタキシャル成長面がC面であるのが好ましい。
貼り合わせ基板1上に第一導電型クラッド層8(AlxGa1-xN(0.5<x≦1)を主成分)を形成する。第一導電型クラッド層8はAlGaN系活性層9へ電子を供給するために形成され、特に膜厚は限定されないが、例えば1.0~5.6μmとすることができる。一例として2.5μmとすることができる。
AlGaN系活性層9は、量子井戸構造を有しており、障壁層10と井戸層11が交互に積層されている。なお、例えば、Al、Ga、N以外の構成元素としてInが存在しており、該Inの割合が1%未満のものとすることができ、より効率良く発光させることができるので好ましい。また、AlGaN系活性層は、25℃、0.2A/mm2の電流注入時に発光するスペクトルのピーク波長λpが235nmより短波長のものとすることができ、このようなものであれば深紫外線領域の光をより確実に得ることができる。AlGaN系活性層9の膜厚としては、例えば0.2~0.6μmとすることができる。
第二導電型クラッド層12(AlyGa1-yN(0.5<y≦1)を主成分)は、AlGaN系活性層9へ正孔を供給するために形成される。第二導電型クラッド層12の膜厚としては、例えば0.5~2.5μmとすることができる。
電極との接触抵抗を低減するため、p型GaNコンタクト層13を形成する。p型GaNコンタクト層13の膜厚としては、例えば0.05~0.3μmとすることができる。
なお、上記の第一導電型クラッド層8~p型コンタクト層13を、以下ではエピタキシャル層22と言うことがある。
[1]反応炉への導入
貼り合わせ基板1をMOVPE装置の反応炉内に導入する。貼り合わせ基板1を反応炉に導入する前に、薬品によりクリーニングを行う。貼り合わせ基板1を反応炉内に導入後、窒素などの高純度不活性ガスで炉内を満たして、炉内のガスを排気する。
貼り合わせ基板1を反応炉内で加熱して、基板の表面をクリーニングする。クリーニングを行う温度は、貼り合わせ基板表面の温度で1000℃から1200℃の間で決めることができるが、特に1050℃でクリーニングを行うことで清浄な表面を得ることができる。
クリーニングは、炉内の圧力が減圧された後に実施し、炉内圧力は200mbarから30mbarの間で決めることができる。炉内には、水素あるいは窒素を供給した状態で例えば10分間クリーニングを行う。
この工程は、貼り合わせ基板1上に第一導電型クラッド層8を成長する工程である。
この工程では、反応炉内を規定の炉内圧力、基板温度に保持した後、原料のTMAl,TMGa,NH3,およびn型導電性にするための不純物ガスを、炉内に供給して第一導電型クラッド層8を成長する。第一導電型クラッド層8は、AlxGa1-xN(0.5<x≦1)で表される組成で自由に作製することができるが、一例としてAl0.95Ga0.05Nと設計した。組成を変えて複数層形成されてもよい。
この工程の炉内圧力は例えば75mbar,基板温度は1100℃とすることができる。所望のAl組成の混晶を得るために、原料ガスの材料効率を考慮して、薄膜中に取り込まれるAl/Ga比が設定している比率になるように、原料のTMAl,TMGaの流量を設定する。
n型導電性にするための不純物ガスは、モノシラン(SiH4)を用いることができる。また、原料ガスを輸送するためのキャリアガスは、水素とすることができる。不純物ガスとして、テトラエチルシランを用いても良い。
この工程は、第一導電型クラッド層8の上にAlGaN系活性層9を成長する工程である。この工程では、反応炉内を規定の炉内圧力、基板温度に保持した後、原料のTMAl,TMGa,NH3を炉内に供給してAlGaN系活性層9を成長する。AlGaN系活性層9は、一例として障壁層10:Al0.75Ga0.25N,井戸層11:Al0.6Ga0.4Nを交互に積層したものとすることができる。また、この工程の炉内圧力は例えば75mbar,基板温度は1100℃とすることができる。各層で所望のAl組成の混晶を得るために、原料ガスの材料効率を考慮して、薄膜中に取り込まれるAl/Ga比が設定している比率になるように、原料のTMAl,TMGaの流量を設定する。
この工程は、AlGaN系活性層9の上に第二導電型クラッド層12を成長する工程である。この工程では、反応炉内を規定の炉内圧力、基板温度に保持した後、原料のTMAl,TMGa,NH3,およびp型導電性にするための不純物原料を、炉内に供給して第二導電型クラッド層12を成長する。第二導電型クラッド層12は、AlyGa1-yN(0.5<y≦1)で表される組成で自由に作製することができるが、一例としてAl0.95Ga0.05Nとすることができる。組成を変えて複数層形成されてもよい。
この工程の炉内圧力は例えば75mbar,基板温度は1100℃とすることができる。所望のAl組成の混晶を得るために、原料ガスの材料効率を考慮して、薄膜中に取り込まれるAl/Ga比が設定している比率になるように、原料のTMAl,TMGaの流量を設定する。
p型導電性にするための不純物原料は、ビスシクロペンタジエニルマグネシウム(Cp2Mg)を用いることができる。
この工程は、第二導電型クラッド層12の上にp型GaNコンタクト層13を成長する工程である。この工程では、反応炉内を規定の炉内圧力、基板温度に保持した後、原料のTMGa,NH3,およびp型導電性にするための不純物原料を、炉内に供給してp型GaNコンタクト層13を成長する。この工程の炉内圧力は例えば200mbar,基板温度は1000℃とすることができる。
p型導電性にするための不純物原料は、ビスシクロペンタジエニルマグネシウム(Cp2Mg)を用いることができる。また、原料ガスを輸送するためのキャリアガスは、水素を用いることができる。
この工程では、加熱炉内で所定の温度、時間でウェーハをアニールすることで、第二導電型クラッド層12、p型GaNコンタクト層13のp型不純物を活性化させた。加熱炉内での活性化は、例えば750℃、10分とすることができる。
また、例えば高価なAlN単結晶自立基板から薄い種結晶層を剥離して、安価なセラミックス基板に貼り合わせることにより、深紫外線領域の発光ダイオード用エピタキシャル基板を安価に製造することができる。
最初に図4に示すように、紫外線発光素子用エピタキシャルウェーハ(エピタキシャル基板)100上に厚膜系フォトレジスト(PR)をスピンコートし、3μm以上のレジストを表面に形成し、フォトリソグラフィー法により、PRパターン14を形成する。PRパターンは例えば15μmピッチ、10μm角とすることができるが、このサイズに限定されるものではなく、求める要求品種によって変更することができる。
PRパターンとピッチのサイズは、種結晶層4からp型GaNコンタクト層13までの厚さによって下限が決まり、ピッチ間隔からパターン寸法の差分の1/20以上を設けるべきである。すなわち、15μmピッチ、10μm角のパターンを形成した際には、前記差分は0.4μm以上が必要となる。
ICP処理時間を調整し、n型AlGaN層(第一導電型クラッド層)8を0.5~1.5μm程度残存させた領域17を形成する(第一導電型クラッド層の部分的な露出)。領域17形成後はアッシングにてPRパターン16を除去する。
薄膜系PR(厚さ3μm以下)のPRをスピンコートし、フォトリソグラフィー法により、領域17の一部が開口し、他の領域がPRで被覆されたパターンを形成する。開口パターンは例えば4μm角のパターンとすることができるが、このサイズに限定されるものではない。
また、表面保護膜(PSV)膜形成後に、開口パターンをウェットエッチング処理にて形成し、蒸着後、リフトオフを行うセルフアライン工程を採用しても同様の効果が得られる。
開口パターン形成後、蒸着機にウェーハを導入し、蒸着を行う。蒸着膜は例えばAl層1,000μmで形成することができる。蒸着膜形成後、リフトオフ法により開口部以外の領域の金属膜を除去し、p型GaNコンタクト層13の一部(すなわち、除去せずに残された第二導電型クラッド層上)にp側電極19を形成する。
また、表面保護膜(PSV)膜形成後に、開口パターンをウェットエッチング処理にて形成し、蒸着後、リフトオフを行うセルフアライン工程を採用しても同様の効果が得られる。
n側電極18,p側電極19形成後、窒素雰囲気で例えば700℃、5分の熱処理を行い、エピタキシャル層の電気的コンタクトを形成する。
独立チップをシリコーン等の適切な転写素材に転写し、実装基板へ実装する。
次に本発明の第二の実施形態に係る紫外線発光素子用金属貼り合わせ基板の製造方法及び紫外線発光素子の製造方法について図11~20を用いて説明する。
最初に図11に示すようにエピタキシャル基板100上にベンゾシクロブテン(BCB)膜20をスピンコートにて例えば1μm厚塗布する。仮支持基板21を準備し、エピタキシャル基板100のBCB膜20塗布面と対向させ、熱圧着して仮接合し、仮接合基板101を得る。仮支持基板はどのような材料の選択も可能だが、例えば平坦加工性に優れたシリコンを用いることができる。その他、サファイア、石英、GaAs、InP、SiC、Ge、InSbなどの材料を選択しても良い。仮接合の条件は例えば5N/cm 2 以上、温度は150℃前後とすることができる。
なお、第二支持基板としては、Si、Ge、GaAsの単結晶、Cu、Alの金属、およびカーボンのうちのいずれか、又はそれらを複合した材料とすることができる。このような材質であればより簡便である。
真空蒸着法での蒸着以外に、スパッタ法やPLD,ALDその他の堆積法を用いて蒸着膜を形成してもよい。また。例示した膜厚より厚くても、あるいは薄くても同様の効果が得られる。ただ、Ti層29はAu層30とシリコン基板との接着を企図して設けている層であり、最少の効果を有する0.05μm以上を設けることが望ましい。また、その後のチップ工程での加工容易性から5μm以下であることが望ましい。Au層30に関しては金属接合の機能を企図して設けられた層であり、接合容易性を担保するために、0.3μm以上の膜厚を有することが望ましい。また、その後のチップ工程での加工容易性から5μm以下であることが望ましい。
構成基板32の表面に残置したBCB膜20は、ICP法にてNF3ガスプラズマ処理にて除去することができる。BCB膜20の除去方法はこれに限るものではなく、BCB膜を除去できる方法であればどのような方法でもよい。例えば、BCB薄め液による洗浄、酸素プラズマ処理でも同様に除去することができる。
最初に構成基板32の表面に厚膜系フォトレジスト(PR)をスピンコートし、3μm以上のレジストを表面に形成し、フォトリソグラフィー法により、PRパターンを構成する。PRパターンは例えば350μmピッチ、350μm角で構成することができるが、このサイズに限定されるものではなく、求める要求品種によって変更することができる。
ICP処理時間を調整し、n型AlGaN層8を0.5~1.5μm程度残存させた領域34を形成する。領域34形成後はアッシングにてPRパターンを除去する。
開口パターン形成後、蒸着機にウェーハを導入し、蒸着を行う。蒸着膜は例えば順に、Ni層100nm,Au層1,000μmで蒸着することができる。蒸着膜形成後、リフトオフ法により開口部以外の領域の金属膜を除去し、領域34の一部にn側電極35を形成する。
また、表面保護(PSV)膜形成後、開口パターンをウェットエッチング処理にて形成し、蒸着後、リフトオフを行うセルフアライン工程を採用してもよい。
開口パターン形成後、蒸着機にウェーハを導入し、蒸着を行う。蒸着膜は例えばAl層1,000μmとすることができる。蒸着膜形成後、リフトオフ法により開口部以外の領域の金属膜を除去し、p型GaNコンタクト層13の一部にp側電極36を形成する。
また、表面保護(PSV)膜形成後、開口パターンをウェットエッチング処理にて形成し、蒸着後、リフトオフを行うセルフアライン工程を採用してもよい。
n側電極35およびp型電極36形成後、窒素雰囲気700℃5分の熱処理を実施し、エピ層の電気的コンタクトを形成する。
金属膜除去にレーザーアブレーション法を用いることができるが、これに限定されるものではなく、素子領域を被覆したウェットエッチング法を採用してもよい。ウェット法を用いる場合は王水を使用することが好ましい。
また、スクライブ・ブレーキング法に限定されるものではなく、他の方法を用いてもよい。たとえば、ブレードダイシング法を用いることもできる。また、スクライブ法に関してもダイヤモンドスクライブ法あるいはステルス法のどちらも採用可能である。
次に本発明の第三の実施形態に係る紫外線発光素子用金属貼り合わせ用基板の製造方法及び紫外線発光素子の製造方法について図21~31を用いて説明する。
最初に図21に示すようにエピタキシャル基板100上にベンゾシクロブテン(BCB)膜20をスピンコートにて例えば1μm厚塗布する。仮支持基板21を準備し、エピタキシャル基板100のBCB膜20塗布面と対向させ、熱圧着して仮接合し、仮接合基板101を得る。仮支持基板はどのような材料の選択も可能だが、例えば平坦加工性に優れたシリコンを用いることができる。その他、サファイア、石英、GaAs、InP、SiC、Ge、InSbなどの材料を選択しても良い。仮接合の条件は例えば5N/cm 2 以上、温度は150℃前後とすることができる。
真空蒸着法での蒸着以外に、スパッタ法やPLD,ALDその他の堆積法を用いて蒸着膜を形成してもよい。また。例示した膜厚より厚くても、あるいは薄くても同様の効果が得られる。
Al層24は活性層で生じた光反射の機能を有することを企図して設けられるため、0.05μm以上有ることが望ましく、その後のチップ工程での加工容易性から5μm以下であることが望ましい。Ti層25はAl層24とAu層26の混合を防止するために設けている層であり、最少の効果を有する0.05μm以上を設けることが望ましい。また、その後のチップ工程での加工容易性から5μm以下であることが望ましい。Au層26に関しては金属接合の機能を企図して設けられた層であり、接合容易性を担保するために、0.3μm以上の膜厚を有することが望ましい。また、その後のチップ工程での加工容易性から5μm以下であることが望ましい。
真空蒸着法での蒸着以外に、スパッタ法やPLD,ALDその他の堆積法を用いて蒸着膜を形成してもよい。また。例示した膜厚より厚くても、あるいは薄くても同様の効果が得られる。ただ、Ti層29はAu層30とシリコン基板との接着を企図して設けている層であり、最少の効果を有する0.05μm以上を設けることが望ましい。また、その後のチップ工程での加工容易性から5μm以下であることが望ましい。Au層30に関しては金属接合の機能を企図して設けられた層であり、接合容易性を担保するために、0.3μm以上の膜厚を有することが望ましい。また、その後のチップ工程での加工容易性から5μm以下であることが望ましい。
構成基板32の表面に残置したBCB膜20は、ICP法にてNF3ガスプラズマ処理にて除去することができる。BCB膜20の除去方法はこれに限るものではなく、BCB膜を除去できる方法であればどのような方法でもよい。例えば、BCB薄め液による洗浄、酸素プラズマ処理でも同様に除去することができる。
最初に構成基板32の表面に厚膜系フォトレジスト(PR)をスピンコートし、3μm以上のレジストを表面に形成し、フォトリソグラフィー法により、PRパターンを構成する。PRパターンは例えば250μmピッチ、250μm角で構成することができるが、このサイズに限定されるものではなく、求める要求品種によって変更することができる。
ICP処理にて、Al層24が露出するまでエピタキシャル層が除去された素子分離予定領域33を形成する。素子分離予定領域33形成後はアッシングにてPRパターンを除去する。
開口パターン形成後、蒸着機にウェーハを導入し、蒸着を行う。蒸着膜は例えば順に、Ni層100nm,Au層1,000μmで蒸着することができる。蒸着膜形成後、リフトオフ法により開口部以外の領域の金属膜を除去し、領域34にp側電極36を形成する。
蒸着膜は、NiとAu層の積層構造に限定されるものではなく、Al層単層としても良いし、Au層単層としても良く、オーミックコンタクト形成可能な金属材料であれば、どのような金属あるいはどの様な積層構造を選択してもよい。
なお、Al層の単層構造に限定されるものではなく、NiとAu層の積層構造としても良いし、Au層単層としても良く、オーミックコンタクト形成可能な金属材料であれば、どのような金属あるいはどの様な積層構造を選択してもよい。
p側電極36および下部電極38形成後、窒素雰囲気700℃5分の熱処理を実施し、エピタキシャル層及び永久基板との電気的コンタクトを形成する。
金属膜除去にレーザーアブレーション法を用いることができるが、これに限定されるものではなく、素子領域を被覆したウェットエッチング法を採用しても同様の効果が得られる。ウェット法を用いる場合は王水を使用することが好ましい。
また、スクライブ・ブレーキング法に限定されるものではなく、他の方法を用いてもよい。たとえば、ブレードダイシング法を用いることもできる。また、スクライブ法に関してもダイヤモンドスクライブ法あるいはステルス法のどちらも採用可能である。
(実施例)
図1-2に示すような本発明のエピタキシャルウェーハを製造する(前述した第一の実施形態の工程を参照。)
AlNのセラミックスで作製された基板上に、SiO2からなる平坦化層7を2μm成長し、Al0.95Ga0.05N単結晶からなる種結晶を貼り合わせた基板を準備した。
基板上に、MOVPE法でAl0.95Ga0.05Nを100nm成長し、その上にn型Al0.95Ga0.05Nを2.5μm成長した。その上に、3層の障壁層10:Al0.75Ga0.25N,井戸層11:Al0.6Ga0.4Nからなる量子井戸構造を形成した。その後、p型Al0.95Ga0.05N層とp型GaNコンタクト層を形成した。
以下に、サファイヤ基板115を用いた深紫外線領域の発光ダイオード用エピタキシャル層の製造方法を示す(図3参照)。
[1]反応炉への導入
サファイヤ基板115をMOVPE装置の反応炉内に導入する。サファイヤ基板115を反応炉に導入する前に、薬品によりクリーニングを行う。サファイヤ基板115を反応炉内に導入後、窒素などの高純度不活性ガスで炉内を満たして、炉内のガスを排気する。
サファイヤ基板115を反応炉内で加熱して、基板の表面をクリーニングする。クリーニングを行う温度は、サファイヤ基板115表面の温度で1000℃から1200℃の間で決めることができるが、特に1030℃でクリーニングを行うことで清浄な表面を得ることができる。
クリーニングは、炉内の圧力が減圧された後に実施し、炉内圧力は200mbarから30mbarの間で決めることができる。本形態では、炉内圧力を150mbarに設定してクリーニングを実施した。炉内には、水素あるいは窒素を供給した状態で10分間クリーニングを行う。
この工程では、規定の炉内圧力および基板温度において、原料であるAl,Ga,N源となるガスを導入することによって、サファイヤ基板上に、エピタキシャル層の結晶性を改善するためのバッファー層116を成長する。基板上の核形成層117と成長条件を調整し、低速で成長する低速成長層118と高速成長層119を繰り返すことにより転位を低減する層を形成した。紫外LEDとして好適な基板を得るために、バッファー層116を3μm成長した。
また、成長中に格子定数差や熱膨張係数差による反りによって、面内不均一やクラックの不良が発生しやすく、エピタキシャル層の設計の自由度が低かった。成長後の反りもBowが124μmと大きく、デバイス工程の歩留まりが低下した。
3…耐熱性基板(第一支持基板)、 4…種結晶層、 5…セラミックスコア層、
6…不純物封入層、 7…平坦化層、 8…第一導電型クラッド層、
9…AlGaN系活性層、 10…障壁層、 11…井戸層、
12…第二導電型クラッド層、 13…p型GaNコンタクト層、
14、16…フォトレジスト(PR)パターン、
15、33…素子分離予定領域、 17、34、37…領域、
18、35…n側電極、 19、36…p側電極、 20…BCB膜、
21…仮支持基板、 22…エピタキシャル層、 23…剥離基板、
24…Al層(反射金属層)、 25、29…Ti層、 26、30…Au層、
27…剥離接合基板、 28…永久基板(第二支持基板)、 31…永久接合基板、
32…構成基板(紫外線発光素子用金属貼り合わせ基板)、 38…下部電極、
100…本発明の紫外線発光素子用エピタキシャルウェーハ(エピタキシャル基板)、
101…仮接合基板、 102…接合基板、
108…第一導電型クラッド層、 109…AlGaN系活性層、
110…障壁層、 111…井戸層、 112…第二導電型クラッド層、
113…p型GaNコンタクト層、 115…サファイア基板、
116…バッファー層、 117…核形成層、 118…低速成長層、
119…高速成長層、 200…従来の紫外線発光素子用エピタキシャルウェーハ。
Claims (14)
- 耐熱性の第一支持基板と、
該第一支持基板の少なくとも上面に設けられた、厚み0.5~3μmの平坦化層と、
該平坦化層の上面に貼り合わせにより接合された、厚み0.1~1.5μmのIII族窒化物単結晶の種結晶層と、
該種結晶層上に、少なくとも、Al x Ga 1-x N(0.5<x≦1)を主成分とする第一導電型クラッド層と、AlGaN系活性層と、Al y Ga 1-y N(0.5<y≦1)を主成分とする第二導電型クラッド層が順に積層成長されたエピタキシャル層を有する紫外線発光素子用エピタキシャルウェーハを用意し、
前記エピタキシャル層の前記第二導電型クラッド層側を仮支持基板と仮接合し、
前記第一支持基板上にある前記平坦化層を除去することにより、前記種結晶層と該種結晶層上の前記エピタキシャル層および前記仮支持基板を前記第一支持基板から分離し、
前記種結晶層の前記エピタキシャル層とは反対側に反射金属層を形成し、該反射金属層を、導電性を有する第二支持基板と金属接合で貼り合わせた後、
前記第二支持基板、前記反射金属層、前記種結晶層および前記エピタキシャル層を含む構造体を前記仮支持基板から分離して、紫外線発光素子用金属貼り合わせ基板を製造することを特徴とする紫外線発光素子用金属貼り合わせ基板の製造方法。 - 前記第一支持基板を、セラミックスコア層と該セラミックスコア層を封入する不純物封入層とで構成し、
前記不純物封入層を、SiOxNy(x=0~2、y=0~1.5、x+y>0)の組成式で表されるものとすることを特徴とする請求項1に記載の紫外線発光素子用金属貼り合わせ基板の製造方法。 - 前記セラミックスコア層を、多結晶AlNセラミックスが主成分のものとすることを特徴とする請求項2に記載の紫外線発光素子用金属貼り合わせ基板の製造方法。
- 前記平坦化層を、SiO2、酸窒化珪素(SixOyNz)、Si、およびAlAsのうち少なくとも1種類の材料からなるものとすること特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の紫外線発光素子用金属貼り合わせ基板の製造方法。
- 前記種結晶層を、AlxGa1-xN(0.5<X≦1)の単結晶とすることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の紫外線発光素子用金属貼り合わせ基板の製造方法。
- 前記AlGaN系活性層をMQW構造で形成し、Al、Ga、N以外の構成元素としてInが存在しており、該Inの割合が1%未満のものとすることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の紫外線発光素子用金属貼り合わせ基板の製造方法。
- 前記AlGaN系活性層を、25℃、0.2A/mm2の電流注入時に発光するスペクトルのピーク波長λpが235nmより短波長のものとすることを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか一項に記載の紫外線発光素子用金属貼り合わせ基板の製造方法。
- 前記種結晶層のバンドギャップが前記AlGaN系活性層のバンドギャップよりも大きいものとすることを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか一項に記載の紫外線発光素子用金属貼り合わせ基板の製造方法。
- 前記種結晶層を、エピタキシャル成長面がC面のものとすることを特徴とする請求項1から請求項8のいずれか一項に記載の紫外線発光素子用金属貼り合わせ基板の製造方法。
- 前記第二支持基板を、Si、Ge、GaAsの単結晶、Cu、Alの金属、およびカーボンのうちのいずれか、又はそれらを複合した材料とすることを特徴とする請求項1から請求項9のいずれか一項に記載の紫外線発光素子用金属貼り合わせ用基板の製造方法。
- 前記反射金属層と前記第二支持基板を金属接合で貼り合わせるとき、少なくともAuを使用することを特徴とする請求項1から請求項10のいずれか一項に記載の紫外線発光素子用金属貼り合わせ基板の製造方法。
- 前記反射金属層を、Alとすることを特徴とする請求項1から請求項11のいずれか一項に記載の紫外線発光素子用金属貼り合わせ基板の製造方法。
- 請求項1から請求項12のいずれか一項に記載の紫外線発光素子用金属貼り合わせ基板の製造方法により製造した紫外線発光素子用金属貼り合わせ基板を用意し、
前記エピタキシャル層の一部を前記第二導電型クラッド層側から少なくとも前記AlGaN系活性層まで除去して前記第一導電型クラッド層を部分的に露出させ、
該部分的に露出した第一導電型クラッド層上と、除去せずに残された前記第二導電型クラッド層上とにそれぞれオーミック電極を配して、紫外線発光素子を製造することを特徴とする紫外線発光素子の製造方法。 - 請求項1から請求項12のいずれか一項に記載の紫外線発光素子用金属貼り合わせ基板の製造方法により製造した紫外線発光素子用金属貼り合わせ基板を用意し、
前記エピタキシャル層上と、前記第二支持基板の前記エピタキシャル層とは反対側とにそれぞれオーミック電極を配して、紫外線発光素子を製造することを特徴とする紫外線発光素子の製造方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7484773B2 (ja) | 2021-03-04 | 2024-05-16 | 信越半導体株式会社 | 紫外線発光素子用エピタキシャルウェーハの製造方法、紫外線発光素子用基板の製造方法及び紫外線発光素子用エピタキシャルウェーハ |
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---|---|---|---|---|
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WO2024080013A1 (ja) * | 2022-10-12 | 2024-04-18 | 信越半導体株式会社 | 接合ウェーハの接合不良部除去方法及び接合ウェーハの製造方法 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005259912A (ja) | 2004-03-10 | 2005-09-22 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 発光素子の製造方法 |
WO2006126330A1 (ja) | 2005-04-04 | 2006-11-30 | Tohoku Techno Arch Co., Ltd. | GaN単結晶成長方法,GaN基板作製方法,GaN系素子製造方法およびGaN系素子 |
JP2007184503A (ja) | 2006-01-10 | 2007-07-19 | Mitsubishi Chemicals Corp | 半導体部材及びその製造方法 |
JP2012142385A (ja) | 2010-12-28 | 2012-07-26 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体デバイスの製造方法 |
US20140070166A1 (en) | 2009-09-10 | 2014-03-13 | Micron Technology, Inc. | Epitaxial formation structures and associated methods of manufacturing solid state lighting devices |
US20140183442A1 (en) | 2013-01-02 | 2014-07-03 | Micron Technology, Inc. | Engineered substrate assemblies with epitaxial templates and related systems, methods, and devices |
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JP2020109817A (ja) | 2019-01-07 | 2020-07-16 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法 |
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Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005259912A (ja) | 2004-03-10 | 2005-09-22 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 発光素子の製造方法 |
WO2006126330A1 (ja) | 2005-04-04 | 2006-11-30 | Tohoku Techno Arch Co., Ltd. | GaN単結晶成長方法,GaN基板作製方法,GaN系素子製造方法およびGaN系素子 |
JP2007184503A (ja) | 2006-01-10 | 2007-07-19 | Mitsubishi Chemicals Corp | 半導体部材及びその製造方法 |
US20140070166A1 (en) | 2009-09-10 | 2014-03-13 | Micron Technology, Inc. | Epitaxial formation structures and associated methods of manufacturing solid state lighting devices |
JP2012142385A (ja) | 2010-12-28 | 2012-07-26 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体デバイスの製造方法 |
US20140183442A1 (en) | 2013-01-02 | 2014-07-03 | Micron Technology, Inc. | Engineered substrate assemblies with epitaxial templates and related systems, methods, and devices |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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