JP7367685B2 - 磁気記録媒体 - Google Patents

Description

本開示は、磁気記録媒体に関する。

テープ状の磁気記録媒体では、環境による寸法変化が生じると、オフトラックが発生する虞がある。このため、環境による寸法変化を抑制するために、基体に補強層（金属層）を設けることが提案されている（例えば特許文献１、２参照）。

特開２００５－３１７１５９号公報 特開２００８－８４５０９号公報

近年、テープ状の磁気記録媒体の大容量化が望まれているため、基体の厚みを薄くし、磁気記録媒体全体の厚みを薄くすることで、一巻のデータカートリッジに記録できる記録容量を高めている。しかしながら、このように厚みの薄くした基体に補強層を設けると、磁気記録媒体の記録面の欠陥が増加する。

本開示の目的は、環境による寸法変化を抑制することができると共に、記録面の欠陥の発生も抑制することができる磁気記録媒体を提供することにある。

上述の課題を解決するために、本開示は、テープ状の磁気記録媒体であって、補強基体と、補強基体上に設けられた記録層とを備え、補強基体が、対向する第１の面および第２の面を有する、平均厚み４μｍ以下の基体と、第１の面に設けられ、コバルトを含む金属層とを備え、基体は、ポリエステル類を含み、補強基体の状態において、第２の面に直径０．７ｍｍの剛球を押し当て、５．０ｇｆで１０秒間の荷重をかけたときに形成される圧痕の深さが０．２５μｍ以下である。

本開示によれば、環境による寸法変化を抑制することができると共に、記録面の欠陥の発生も抑制することができる。なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれかの効果またはそれらと異質な効果であってもよい。

記録面の欠陥の発生原因を説明するための断面図である。 本開示の一実施形態に係る磁気記録媒体の断面図である。 磁性粒子の断面図である。 図４Ａは、圧痕試験に用いられる治具の側面図である。図４Ｂは、圧痕試験に用いられる治具の正面図である。 圧痕試験を説明するための治具の正面図である。 変形例における磁性粒子の断面図である。

本技術の実施形態について以下の順序で説明する。
１ 概要
２ 磁気記録媒体の構成
３ 磁気記録媒体の製造方法
４ 効果
５ 変形例

［１ 概要］
本発明者らは、鋭意検討の結果、厚みを薄くした基体に補強層を設けると、記録面の欠陥が増加する原因は、以下の点にあることを見出した。すなわち、磁気記録媒体の製造工程には、図１に示すように、走行される磁気記録媒体１１０を挟持するローラ１０１、１０２のペアが複数設けられている。基体１１１の厚みが薄い磁気記録媒体１１０では、記録層１１３の記録面１１０Ｓ_Aとローラ１０２との間に異物１０３が挟み込まれ、記録面１１０Ｓ_Aに窪み（圧痕）１１４が形成されると、この窪み１１４の形成に応じて、記録面１１０Ｓ_Aとは反対側の裏面１１０Ｓ_Bに盛り上がり１１５が形成されやすい。基体１１１に補強層１１２が設けられていると、裏面１１０Ｓ_Bの盛り上がり１１５により補強層１１２が塑性変形し、記録面１１０Ｓ_Aの窪み１１４が保持された状態となり、欠陥として残る。特に、基体１１１の平均厚みが４μｍ以下である場合には、記録面１１０Ｓ_Aに対する窪み１１４の形成に応じて、裏面１１０Ｓ_Bに盛り上がり１１５が形成されやすいため、欠陥の発生が著しくなる。

そこで、本発明者らは、上記の記録面の欠陥増加の原因を鑑みて、鋭意検討した結果、対向する第１の面および第２の面を有する、平均厚み４μｍ以下の基体と、第１の面に設けられ、コバルトを含む金属層とを備える補強基体を磁気記録媒体に備え、補強基体の状態において、第２の面に直径０．７ｍｍの剛球を押し当て、５．０ｇｆで１０秒間の荷重をかけたときに形成される圧痕の深さを０．２５μｍ以下にすることで、記録面の欠陥の発生を抑制することができることを見出すに至った。

［２ 磁気記録媒体の構成］
図２を参照して、一実施形態に係る磁気記録媒体１０の構成について説明する。磁気記録媒体１０は、長尺状の補強基体１１と、補強基体１１の一方の面上に設けられた下地層１２と、下地層１２上に設けられた記録層１３と、補強基体１１の他方の面上に設けられたバック層１４とを備える。なお、下地層１２およびバック層１４は、必要に応じて備えられるものであり、無くてもよい。

磁気記録媒体１０は長尺のテープ状を有し、記録再生の際には長手方向に走行される。なお、記録層１３の表面が、磁気ヘッドが走行される表面となる。磁気記録媒体１０は、好ましくは５０ｎｍ以下、より好ましくは４６ｎｍ以下の最短記録波長で信号を記録可能に構成されており、最短記録波長が好ましくは５０ｎｍ以下、より好ましくは４６ｎｍ以下である記録再生装置に用いられる。最短記録波長の下限値は特に限定されるものではないが、例えば１６ｎｍ以上である。

磁気記録媒体１０は、記録用ヘッドとしてリング型ヘッドを備える記録再生装置で用いられることが好ましい。磁気記録媒体１０は、ライブラリ装置に用いられてもよい。この場合、ライブラリ装置は、上述の記録再生装置を複数備えるものであってもよい。

なお、本明細書において、“垂直方向”とは、平坦な状態の磁気記録媒体１０の表面に対して垂直な方向（磁気記録媒体１０の厚み方向）を意味し、“長手方向”とは、磁気記録媒体１０の長手方向（走行方向）を意味する。

（補強基体）
補強基体１１が、対向する第１の面１１Ｓ_Aおよび第２の面１１Ｓ_Bを有する基体１１Ａと、第１の面１１Ｓ_Aに設けられた補強層１１Ｂとを備える。補強層１１Ｂが設けられた第１の面１１Ｓ_A側にバック層１４が設けられ、補強層１１Ｂが設けられた側とは反対の第２の面１１Ｓ_B側に下地層１２および記録層１３が設けられる。なお、以下の説明において、補強基体１１の両面のうち、補強層１１Ｂが設けられた側の面を補強面という場合がある。

（基体）
基体１１Ａは、下地層１２および記録層１３を支持する非磁性支持体である。基体１１Ａは、長尺のフィルム状を有する。基体１１Ａの平均厚みの上限値は、好ましくは４μｍ以下、より好ましくは３．８μｍ以下、さらにより好ましくは３．４μｍ以下である。基体１１Ａの平均厚みの上限値が４μｍ以下であると、１巻のデータカートリッジに記録できる記録容量を一般的な磁気記録媒体よりも高めることができる。基体１１Ａの平均厚みの下限値は、好ましくは３μｍ以上である。基体１１Ａの平均厚みの下限値が３μｍ以上であると、基体１１Ａの強度低下を抑制することができる。

基体１１Ａの平均厚みは以下のようにして求められる。まず、１／２インチ幅の磁気記録媒体１０を準備し、それを２５０ｍｍの長さに切り出し、サンプルを作製する。続いて、サンプルの基体１１Ａ以外の層（すなわち下地層１２、記録層１３およびバック層１４）をＭＥＫ（メチルエチルケトン）または希塩酸等の溶剤で除去する。次に、測定装置としてMitutoyo社製レーザーホロゲージ（LGH-110C）を用いて、サンプル（基体１１Ａ）の厚みを５点以上の位置で測定し、それらの測定値を単純に平均（算術平均）して、基体１１Ａの平均厚みを算出する。なお、測定位置は、サンプルから無作為に選ばれるものとする。

基体１１Ａは、例えば、ポリエステル類、ポリオレフィン類、セルロース誘導体、ビニル系樹脂、およびその他の高分子樹脂のうちの少なくとも１種を含む。基体１１Ａが上記材料のうちの２種以上を含む場合、それらの２種以上の材料は混合されていてもよいし、共重合されていてもよいし、積層されていてもよい。

ポリエステル類は、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）、ＰＢＮ（ポリブチレンナフタレート）、ＰＣＴ（ポリシクロヘキシレンジメチレンテレフタレート）、ＰＥＢ（ポリエチレン－ｐ－オキシベンゾエート）およびポリエチレンビスフェノキシカルボキシレートのうちの少なくとも１種を含む。

ポリオレフィン類は、例えば、ＰＥ（ポリエチレン）およびＰＰ（ポリプロピレン）のうちの少なくとも１種を含む。セルロース誘導体は、例えば、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、ＣＡＢ（セルロースアセテートブチレート）およびＣＡＰ（セルロースアセテートプロピオネート）のうちの少なくとも１種を含む。ビニル系樹脂は、例えば、ＰＶＣ（ポリ塩化ビニル）およびＰＶＤＣ（ポリ塩化ビニリデン）のうちの少なくとも１種を含む。

その他の高分子樹脂は、例えば、ＰＡ（ポリアミド、ナイロン）、芳香族ＰＡ（芳香族ポリアミド、アラミド）、ＰＩ（ポリイミド）、芳香族ＰＩ（芳香族ポリイミド）、ＰＡＩ（ポリアミドイミド）、芳香族ＰＡＩ（芳香族ポリアミドイミド）、ＰＢＯ（ポリベンゾオキサゾール、例えばザイロン（登録商標））、ポリエーテル、ＰＥＫ（ポリエーテルケトン）、ポリエーテルエステル、ＰＥＳ（ポリエーテルサルフォン）、ＰＥＩ（ポリエーテルイミド）、ＰＳＦ（ポリスルフォン）、ＰＰＳ（ポリフェニレンスルフィド）、ＰＣ（ポリカーボネート）、ＰＡＲ（ポリアリレート）およびＰＵ（ポリウレタン）のうちの少なくとも１種を含む。

（補強層）
補強層１１Ｂは、基体１１Ａを補強するためのものであり、基体１１Ａに補強層１１Ｂが設けられていることで、環境による寸法変化を抑制することができる。補強層１１Ｂは、コバルトを含む金属層である。補強層１１Ｂとしてコバルトを含む金属層を用いることで、補強層１１Ｂの塑性変形を抑制し、記録面の欠陥の発生を抑制することができる。補強層１１Ｂは、スパッタリング法により成膜されるスパッタ層であることが好ましい。スパッタリング法により補強層１１Ｂを成膜した場合には、蒸着法等により補強層１１Ｂを成膜した場合に比べて高い密度を得ることができる。したがって、補強層１１Ｂがスパッタリング層であることで、補強層１１Ｂの塑性変形を抑制し、記録面の欠陥の発生を抑制することができる。

補強層１１Ｂの平均厚みが、好ましくは２００ｎｍ以上４００ｎｍ以下、より好ましくは２００ｎｍ以上３７０ｎｍ以下、さらにより好ましくは２００ｎｍ以上３５０ｎｍ以下である。補強層１１Ｂの平均厚みが２００ｎｍ以上であると、補強層１１Ｂの塑性変形をさらに抑制し、記録面の欠陥の発生をさらに抑制することができる。一方、補強層１１Ｂの平均厚みが３５０ｎｍ以下であると、磁気記録媒体１０の厚みの増加を抑制し、１巻のデータカートリッジに記録できる記録容量の低下を抑制することができる。

補強層１１Ｂの平均厚みは以下のようにして求められる。まず、磁気記録媒体１０を、その一方の面に対して垂直に薄く加工して試料片を作製し、その試験片の断面を透過型電子顕微鏡（Transmission Electron Microscope：ＴＥＭ）により観察を行う。

上記試料片はＦＩＢ法で作製される。ＦＩＢ法を使用する場合には、上記の断面のＴＥＭ像を観察する前処理として、保護膜としてカーボン層およびタングステン層を形成する。当該カーボン層は蒸着法により磁気記録媒体１０の記録層１３側の表面およびバック層１４側の表面に形成され、そして、当該タングステン層は蒸着法またはスパッタリング法により記録層１３側の表面にさらに形成される。試料片の作製は磁気記録媒体１０の長さ方向（長手方向）に沿って行われる。すなわち、試料片の作製によって、磁気記録媒体１０の長手方向および厚み方向の両方に平行な断面が形成される。

以下に、断面観察に用いられる装置および観察条件を示す。なお、装置の種類に応じて、倍率および加速電圧は適宜調整されてよい。
装置：ＴＥＭ（日立製作所製、Ｈ９０００ＮＡＲ）
加速電圧：３００ｋＶ
倍率：１００，０００倍
次に、得られたＴＥＭ像を用い、磁気記録媒体１０の長手方向に少なくとも１０点以上の位置で補強層１１Ｂの厚みを測定した後、それらの測定値を単純に平均（算術平均）して補強層１１Ｂの平均厚みを求める。なお、測定位置は、試験片から無作為に選ばれるものとする。

（記録層）
記録層１３は、信号を記録するための磁性層である。記録層１３は、例えば、磁性粉および結着剤を含む。記録層１３が、必要に応じて、潤滑剤、帯電防止剤、研磨剤、硬化剤、防錆剤および非磁性補強粒子等のうちの少なくとも１種の添加剤をさらに含んでいてもよい。

記録層１３の平均厚みの上限値は、好ましくは９０ｎｍ以下、より好ましくは７０ｎｍ以下、さらにより好ましくは５０ｎｍ以下である。記録層１３の平均厚みの上限値が９０ｎｍ以下であると、記録ヘッドとしてリング型ヘッドを用いた場合に、記録層１３の厚み方向に均一に磁化を記録できるため、電磁変換特性（例えばＳＮＲ（Signal-to-Noise Ratio））を向上することができる。

記録層１３の平均厚みの下限値は、好ましくは３０ｎｍ以上、より好ましくは３５ｎｍ以上である。記録層１３の平均厚みの上限値が３０ｎｍ以上であると、再生ヘッドとしてはＭＲ型ヘッドを用いた場合に、出力を確保できるため、電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を向上することができる。なお、記録層１３の平均厚みは、補強層１１Ｂの平均厚みと同様にして求められる。但し、ＴＥＭ像の倍率は、記録層１３の厚みに応じて適宜調整される。

（磁性粉）
磁性粉は、ε酸化鉄を含有するナノ粒子（以下「ε酸化鉄粒子」という。）の粉末を含む。ε酸化鉄粒子は、微粒子でも高保磁力を得ることができる硬磁性粒子である。ε酸化鉄粒子に含まれるε酸化鉄は、垂直方向に優先的に結晶配向していることが好ましい。

ε酸化鉄粒子は、球状もしくはほぼ球状を有しているか、または立方体状もしくはほぼ立方体状を有している。ε酸化鉄粒子が上記のような形状を有しているため、磁性粒子としてε酸化鉄粒子を用いた場合、磁性粒子として六角板状のバリウムフェライト粒子を用いた場合に比べて、磁気記録媒体１０の厚み方向における粒子同士の接触面積を低減し、粒子同士の凝集を抑制することができる。したがって、磁性粉の分散性を高め、より優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。

ε酸化鉄粒子は、コアシェル型構造を有する。具体的には、ε酸化鉄粒子は、図３に示すように、コア部２１と、このコア部２１の周囲に設けられた２層構造のシェル部２２とを備える。２層構造のシェル部２２は、コア部２１上に設けられた第１シェル部２２ａと、第１シェル部２２ａ上に設けられた第２シェル部２２ｂとを備える。

コア部２１は、ε酸化鉄を含む。コア部２１に含まれるε酸化鉄は、ε－Ｆｅ₂Ｏ₃結晶を主相とするものが好ましく、単相のε－Ｆｅ₂Ｏ₃からなるものがより好ましい。

第１シェル部２２ａは、コア部２１の周囲のうちの少なくとも一部を覆っている。具体的には、第１シェル部２２ａは、コア部２１の周囲を部分的に覆っていてもよいし、コア部２１の周囲全体を覆っていてもよい。コア部２１と第１シェル部２２ａの交換結合を十分なものとし、磁気特性を向上する観点からすると、コア部２１の表面全体を覆っていることが好ましい。

第１シェル部２２ａは、いわゆる軟磁性層であり、例えば、α－Ｆｅ、Ｎｉ－Ｆｅ合金またはＦｅ－Ｓｉ－Ａｌ合金等の軟磁性体を含む。α－Ｆｅは、コア部２１に含まれるε酸化鉄を還元することにより得られるものであってもよい。

第２シェル部２２ｂは、酸化防止層としての酸化被膜である。第２シェル部２２ｂは、α酸化鉄、酸化アルミニウムまたは酸化ケイ素を含む。α酸化鉄は、例えばＦｅ₃Ｏ₄、Ｆｅ₂Ｏ₃およびＦｅＯのうちの少なくとも１種の酸化鉄を含む。第１シェル部２２ａがα－Ｆｅ（軟磁性体）を含む場合には、α酸化鉄は、第１シェル部２２ａに含まれるα－Ｆｅを酸化することにより得られるものであってもよい。

ε酸化鉄粒子が、上述のように第１シェル部２２ａを有することで、熱安定性を確保するためにコア部２１単体の保磁力Ｈｃを大きな値に保ちつつ、ε酸化鉄粒子（コアシェル粒子）全体としての保磁力Ｈｃを記録に適した保磁力Ｈｃに調整できる。また、ε酸化鉄粒子が、上述のように第２シェル部２２ｂを有することで、磁気記録媒体１０の製造工程およびその工程前において、ε酸化鉄粒子が空気中に暴露されて、粒子表面に錆び等が発生することにより、ε酸化鉄粒子の特性が低下することを抑制することができる。したがって、磁気記録媒体１０の特性劣化を抑制することができる。

磁性粉の平均粒子サイズは、好ましくは２５ｎｍ以下、より好ましくは２３ｎｍ以下である。磁気記録媒体１０では、記録波長の１／２のサイズの領域が実際の磁化領域となる。このため、磁性粉の平均粒子サイズを最短記録波長の半分以下に設定することで、特に良好な電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。磁性粉の平均粒子サイズが２５ｎｍ以下である場合には、５０ｎｍ以下の最短記録波長で信号を記録可能に構成された磁気記録媒体１０において、特に良好な電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。磁性粉の平均粒子サイズの下限値は特に限定されるものではないが、例えば８ｎｍ以上である。

磁性粉の平均アスペクト比が、好ましくは１．０以上３．０以下、より好ましくは１．０以上２．５以下、さらにより好ましくは１．０以上２．１以下、特に好ましくは１．０以上１．８以下である。磁性粉の平均アスペクト比が１．０以上３．０以下の範囲内であると、磁性粉の凝集を抑制することができると共に、記録層１３の形成工程において磁性粉を垂直配向させる際に、磁性粉に加わる抵抗を抑制することができる。したがって、磁性粉の垂直配向度を高めることができる。よって、電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を向上することができる。

上記の磁性粉の平均粒子サイズおよび平均アスペクト比は、以下のようにして求められる。まず、測定対象となる磁気記録媒体１０をＦＩＢ（Focused Ion Beam）法等により加工して薄片を作製し、ＴＥＭにより薄片の断面観察を行う。具体的には、日立ハイテクノロジーズ社製 H-9500を用いて、加速電圧：200kV、総合倍率500,000倍で記録層１３の厚み方向に対して記録層１３全体が含まれるように断面観察を行い、ＴＥＭ写真を撮影する。ＦＩＢ法を使用する場合には、上記の断面のＴＥＭ像を観察する前処理として、保護膜としてカーボン層およびタングステン層を形成する。当該カーボン層は蒸着法により磁気記録媒体１０の記録層１３側の表面およびバック層１４側の表面に形成され、そして、当該タングステン層は蒸着法またはスパッタリング法により記録層１３側の表面にさらに形成される。薄片化は磁気記録媒体１０の長さ方向（長手方向）に沿って行われる。すなわち、薄片化によって、磁気記録媒体１０の長手方向および厚み方向の両方に平行な断面が形成される。

次に、撮影したＴＥＭ写真から、粒子の形状を明らかに確認することができる５０個のε酸化鉄粒子を無作為に選び出し、各ε酸化鉄粒子の長軸長ＤＬと短軸長ＤＳを測定する。ここで、長軸長ＤＬとは、ε酸化鉄粒子の輪郭に接するように、あらゆる角度から引いた２本の平行線間の距離のうち最大のもの（いわゆる最大フェレ径）を意味する。一方、短軸長ＤＳとは、ε酸化鉄粒子の長軸と直交する方向におけるε酸化鉄粒子の長さのうち最大のものを意味する。

続いて、測定した５０個のε酸化鉄粒子の長軸長ＤＬを単純に平均（算術平均）して平均長軸長ＤＬaveを求める。このようにして求めた平均長軸長ＤＬaveを磁性粉の平均粒子サイズとする。また、測定した５０個のε酸化鉄粒子の短軸長ＤＳを単純に平均（算術平均）して平均短軸長ＤＳaveを求める。そして、平均長軸長ＤＬaveおよび平均短軸長ＤＳaveからε酸化鉄粒子の平均アスペクト比（ＤＬave／ＤＳave）を求める。

（結着剤）
結着剤としては、例えば、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、反応型樹脂等が挙げられる。熱可塑性樹脂としては、例えば、塩化ビニル、酢酸ビニル、塩化ビニル－酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル－塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル－アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル－アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル－塩化ビニル－塩化ビニリデン共重合体、アクリル酸エステル－アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル－塩化ビニリデン共重合体、メタクリル酸エステル－塩化ビニリデン共重合体、メタクリル酸エステル－塩化ビニル共重合体、メタクリル酸エステル－エチレン共重合体、ポリフッ化ビニル、塩化ビニリデン－アクリロニトリル共重合体、アクリロニトリル－ブタジエン共重合体、ポリアミド樹脂、ポリビニルブチラール、セルロース誘導体（セルロースアセテートブチレート、セルロースダイアセテート、セルローストリアセテート、セルロースプロピオネート、ニトロセルロース）、スチレンブタジエン共重合体、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、アミノ樹脂、合成ゴム等が挙げられる。

熱硬化性樹脂としては、例えば、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン硬化型樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、アルキッド樹脂、シリコーン樹脂、ポリアミン樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂等が挙げられる。

上記の全ての結着剤には、磁性粉の分散性を向上させる目的で、－ＳＯ₃Ｍ、－ＯＳＯ₃Ｍ、－ＣＯＯＭ、Ｐ＝Ｏ（ＯＭ）₂（但し、式中Ｍは水素原子またはリチウム、カリウム、ナトリウム等のアルカリ金属を表す）や、－ＮＲ１Ｒ２、－ＮＲ１Ｒ２Ｒ３⁺Ｘ^-で表される末端基を有する側鎖型アミン、＞ＮＲ１Ｒ２⁺Ｘ^-で表される主鎖型アミン（但し、式中Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は水素原子または炭化水素基を表し、Ｘ^-はフッ素、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン元素イオン、無機イオンまたは有機イオンを表す。）、さらに－ＯＨ、－ＳＨ、－ＣＮ、エポキシ基等の極性官能基が導入されていてもよい。これら極性官能基の結着剤への導入量は、１０^-1～１０^-8モル／ｇであるのが好ましく、１０^-2～１０^-6モル／ｇであるのがより好ましい。

（潤滑剤）
潤滑剤としては、例えば、炭素数１０～２４の一塩基性脂肪酸と、炭素数２～１２の１価～６価アルコールのいずれかとのエステル、これらの混合エステル、ジ脂肪酸エステル、トリ脂肪酸エステル等が挙げられる。潤滑剤の具体例としては、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、ベヘン酸、オレイン酸、リノール酸、リノレン酸、エライジン酸、ステアリン酸ブチル、ステアリン酸ペンチル、ステアリン酸ヘプチル、ステアリン酸オクチル、ステアリン酸イソオクチル、ミリスチン酸オクチル等が挙げられる。

（帯電防止剤）
帯電防止剤としては、例えば、カーボンブラック、天然界面活性剤、ノニオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤等が挙げられる。

（研磨剤）
研磨剤としては、例えば、α化率９０％以上のα－アルミナ、β－アルミナ、γ－アルミナ、炭化ケイ素、酸化クロム、酸化セリウム、α－酸化鉄、コランダム、窒化珪素、チタンカ－バイト、酸化チタン、二酸化珪素、酸化スズ、酸化マグネシウム、酸化タングステン、酸化ジルコニウム、窒化ホウ素、酸化亜鉛、炭酸カルシウム、硫酸カルシウム、硫酸バリウム、２硫化モリブデン、磁性酸化鉄の原料を脱水、アニール処理した針状α酸化鉄、必要によりそれらをアルミおよび／またはシリカで表面処理したもの等が挙げられる。

（硬化剤）
硬化剤としては、例えば、ポリイソシアネート等が挙げられる。ポリイソシアネートとしては、例えば、トリレンジイソシアネート（ＴＤＩ）と活性水素化合物との付加体等の芳香族ポリイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート（ＨＭＤＩ）と活性水素化合物との付加体等の脂肪族ポリイソシアネート等が挙げられる。これらポリイソシアネートの重量平均分子量は、１００～３０００の範囲であることが望ましい。

（防錆剤）
防錆剤としては、例えばフェノール類、ナフトール類、キノン類、窒素原子を含む複素環化合物、酸素原子を含む複素環化合物、硫黄原子を含む複素環化合物等が挙げられる。

（非磁性補強粒子）
非磁性補強粒子として、例えば、酸化アルミニウム（α、βまたはγアルミナ）、酸化クロム、酸化珪素、ダイヤモンド、ガーネット、エメリー、窒化ホウ素、チタンカーバイト、炭化珪素、炭化チタン、酸化チタン（ルチル型またはアナターゼ型の酸化チタン）等が挙げられる。

（下地層）
下地層１２は、基体１１Ａの表面の凹凸を緩和し、記録層１３の表面の凹凸を調整するためのものである。下地層１２が、潤滑剤を含み、記録層１３の表面に潤滑剤を供給するようにしてもよい。下地層１２は、非磁性粉および結着剤を含む非磁性層である。下地層１２が、必要に応じて、潤滑剤、帯電防止剤、硬化剤および防錆剤等のうちの少なくとも１種の添加剤をさらに含んでいてもよい。

下地層１２の平均厚みは、好ましくは０．６μｍ以上２．０μｍ以下、より好ましくは０．８μｍ以上１．４μｍ以下である。なお、下地層１２の平均厚みは、補強層１１Ｂの平均厚みと同様にして求められる。但し、ＴＥＭ像の倍率は、下地層１２の厚みに応じて適宜調整される。

（非磁性粉）
非磁性粉は、例えば無機粒子粉または有機粒子粉の少なくとも１種を含む。また、非磁性粉は、カーボンブラック等の炭素粉を含んでいてもよい。なお、１種の非磁性粉を単独で用いてもよいし、２種以上の非磁性粉を組み合わせて用いてもよい。無機粒子は、例えば、金属、金属酸化物、金属炭酸塩、金属硫酸塩、金属窒化物、金属炭化物または金属硫化物等を含む。非磁性粉の形状としては、例えば、針状、球状、立方体状、板状等の各種形状が挙げられるが、これらの形状に限定されるものではない。

（結着剤）
結着剤は、上述の記録層１３と同様である。

（添加剤）
潤滑剤、帯電防止剤、硬化剤および防錆剤はそれぞれ、上述の記録層１３と同様である。

（バック層）
バック層１４は、結着剤および非磁性粉を含む。バック層１４が、必要に応じて潤滑剤、硬化剤および帯電防止剤等のうちの少なくとも１種の添加剤をさらに含んでいてもよい。潤滑剤および帯電防止剤は、上述の記録層１３と同様である。また、非磁性粉は、上述の下地層１２と同様である。

非磁性粉の平均粒子サイズは、好ましくは１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下、より好ましくは１５ｎｍ以上１１０ｎｍ以下である。非磁性粉の平均粒子サイズは、上記の磁性粉の平均粒子サイズと同様にして求められる。非磁性粉が、２以上の粒度分布を有する非磁性粉を含んでいてもよい。

バック層１４の平均厚みの上限値は、好ましくは０．６μｍ以下である。バック層１４の平均厚みの上限値が０．６μｍ以下であると、磁気記録媒体１０の平均厚みが５．１５μｍ以下である場合でも、下地層１２や基体１１Ａの厚みを厚く保つことができるので、磁気記録媒体１０の記録再生装置内での走行安定性を保つことができる。バック層１４の平均厚みの下限値は特に限定されるものではないが、例えば０．２μｍ以上である。

バック層１４の平均厚みは以下のようにして求められる。まず、１／２インチ幅の磁気記録媒体１０を準備し、それを２５０ｍｍの長さに切り出し、サンプルを作製する。次に、測定装置としてMitutoyo社製レーザーホロゲージ（LGH-110C）を用いて、サンプルの厚みを５点以上で測定し、それらの測定値を単純に平均（算術平均）して、磁気記録媒体１０の平均厚みＴ［μｍ］を算出する。なお、測定位置は、サンプルから無作為に選ばれるものとする。続いて、サンプルのバック層１４をＭＥＫ（メチルエチルケトン）または希塩酸等の溶剤で除去する。その後、再び上記のレーザーホロゲージを用いてサンプルの厚みを５点以上で測定し、それらの測定値を単純に平均（算術平均）して、バック層１４を除去した磁気記録媒体１０の平均厚みＴ₁［μｍ］を算出する。なお、測定位置は、サンプルから無作為に選ばれるものとする。その後、以下の式よりバック層１４の平均厚みｔ［μｍ］を求める。
ｔ［μｍ］＝Ｔ［μｍ］－Ｔ₁［μｍ］

（圧痕の深さ）
補強基体１１単独の状態において、第２の面１１Ｓ_Bに直径０．７ｍｍの剛球を押し当て、５．０ｇｆで１０秒間の荷重をかけたときの第２の面１１Ｓ_Bの圧痕の深さが、０．２５μｍ以下、好ましくは０．２０μｍ以下、より好ましくは０．１５μｍ以下である。第２の面１１Ｓ_Bの圧痕の深さが、０．２５μｍ以下であると、磁気記録媒体の製造工程において、ローラのニップ等により記録面に欠陥が発生することを抑制することができる。

上記の圧痕の深さは、以下のようにして求められる。まず、１／２インチ幅の磁気記録媒体１０を準備し、それを長さ１８０ｍｍに切り出し、サンプルを作製する。続いて、下地層１２、記録層１３およびバック層１４をＭＥＫ（メチルエチルケトン）または希塩酸等の溶剤で除去する。これにより、測定サンプルとしての補強基体１１が得られる。続いて、図４Ａ、図４Ｂに示すように、ステンレスの棒３１に、Φ（直径）０．７ｍｍの剛球３２を付けた治具３０を準備する。続いて、図５に示すように、準備した補強基体（測定サンプル）１１を、基体１１Ａの第２の面（補強面とは逆側の面）１１Ｓ_Bに剛球３２があたるようにして、ステンレスの棒３１に吊るしたのち、吊るした補強基体１１の先端にクリップを介して５ｇの重り３３を取り付け、補強基体１１に５ｇｆの荷重をかける。そして、荷重をかけた状態を１０秒間保持し、補強基体１１を外す。次に、補強基体１１に圧痕が形成されていることを確認したのち、非接触表面・層断面形状計測システム（株式会社菱化システム製、Vert Scan）を用いて、圧痕の深さを測定する。
以下に、非接触表面・層断面形状計測システムの測定条件を示す。
対物レンズ：２０倍（約２３７μｍ×１７８μｍ視野）
分解能：６４０points×４８０points
測定モード：ｐｈａｓｅ
波長フィルター：５２０ｎｍ
面補正：２次多項式近似面にて補正

（厚み１００ｎｍ換算の補強層の水蒸気透過度）
温度２８℃、飽和水蒸気状態の環境下における、厚み１００ｎｍ換算の補強層１１Ｂの水蒸気透過度が、好ましくは８．３６ｇ／ｍ²・ｄａｙ以下、より好ましくは５．８６ｇ／ｍ²・ｄａｙ以下、さらにより好ましくは３．３６ｇ／ｍ²・ｄａｙ以下、特に好ましくは１．０５７ｇ／ｍ²・ｄａｙ以下である。厚み１００ｎｍ換算の補強層１１Ｂの水蒸気透過度が８．３６ｇ／ｍ²・ｄａｙ以下であると、磁気記録媒体の製造工程において、ローラのニップ等により記録面に欠陥が発生することを抑制することができる。厚み１００ｎｍ換算の補強層１１Ｂの水蒸気透過度の下限値は特に限定されるものではないが、例えば０．１ｇ／ｍ²・ｄａｙ以上である。

上記の厚み１００ｎｍ換算の補強層１１Ｂの水蒸気透過度は、以下のようにして求められる。

（補強基体の水蒸気透過度の測定）
まず、１／２インチ幅の磁気記録媒体１０を準備し、それを所定の長さに切り出し、サンプルを作製する。続いて、下地層１２、記録層１３およびバック層１４をＭＥＫ（メチルエチルケトン）または希塩酸等の溶剤で除去する。これにより、測定サンプルとしての補強基体１１が得られる。

次に、１／２インチテープ専用ホルダーに補強基体１１を挟み込み、温度２８℃、飽和水蒸気状態の環境下において補強基体１１の水蒸気透過度Ｗ_Aを測定する。なお、測定機としては、WATER VAPOR PERMEABILITY TESTER（LYSSY L80-5000）を用いる。

（基体の水蒸気透過度の測定）
まず、上述の補強基体１１の水蒸気透過度の測定と同様にして、補強基体１１を得る。次に、酸性溶媒で払拭することにより、補強層１１Ｂを除去する。これにより、測定サンプルとしての基体１１Ａが得られる。

次に、上述のようにして準備した基体１１Ａの水蒸気透過度Ｗ_Bを、上述の補強基体１１の水蒸気透過度の測定と同様にして測定する。

（厚み１００ｎｍ換算の補強層の水蒸気透過度の算出）
まず、補強基体１１の水蒸気透過係数Ｐと基体１１Ａの水蒸気透過係数Ｐ_aを求める。
水蒸気透過係数は以下の式（１）で与えられる
水蒸気透過係数＝水蒸気透過度×平均膜厚 ・・・（１）

続いて、式（１）で求めた補強基体１１の水蒸気透過係数Ｐ、基体１１Ａの水蒸気透過係数Ｐ_aを用いて、補強層１１Ｂの水蒸気透過係数Ｐ_bを以下の式（２）により求める。
Ｐ_b＝Ｌ×Ｐ×Ｐ_a／（Ｌ×Ｐ_a－Ｌ_a×Ｐ） ・・・（２）
なお、Ｌは補強基体１１の平均厚み、Ｌ_aは基体１１Ａの平均厚み、Ｌ_bは補強層１１Ｂの平均厚みを表す。

次に、式（２）で求めた水蒸気透過係数Ｐ_bを用いて、１００ｎｍ厚の補強層１１Ｂの水蒸気透過度Ｗ_Cを以下の式（３）により求める。
Ｗ_C＝Ｐ_b／１００ ・・・（３）
なお、上述の式（１）、（２）で用いられる各層の平均厚みは、上述した平均厚みの測定方法により求められる。

（補強層の厚みを１００ｎｍに換算したときの補強基体の水蒸気透過度）
温度２８℃、飽和水蒸気状態の環境下における、補強層１１Ｂの厚みを１００ｎｍに換算したときの補強基体１１の水蒸気透過度が、好ましくは２．４６ｇ／ｍ²・ｄａｙ以下、より好ましくは１．６０ｇ／ｍ²・ｄａｙ以下、さらにより好ましくは０．８１ｇ／ｍ²・ｄａｙ以下、特に好ましくは０．１０ｇ／ｍ²・ｄａｙ以下である。補強層１１Ｂの厚みを１００ｎｍに換算したときの補強基体１１の水蒸気透過度の下限値は特に限定されるものではないが、例えば０．１０ｇ／ｍ²・ｄａｙ以上である。ここで、“補強層１１Ｂの厚みを１００ｎｍに換算したときの補強基体１１の水蒸気透過度”とは、基体１１Ａの第１の面１１Ｓ_Aに設けられた補強層１１Ｂの厚みが１００ｎｍであると仮定したときの水蒸気透過度を意味する。

（磁気記録媒体の平均厚み）
磁気記録媒体１０の平均厚み（平均全厚）の上限値が、好ましくは５．１５μｍ以下、より好ましくは５．０μｍ以下、さらにより好ましくは４．４μｍ以下である。磁気記録媒体１０の平均厚みが５．１５μｍ以下であると、１巻のデータカートリッジに記録できる記録容量を一般的な磁気記録媒体よりも高めることができる。磁気記録媒体１０の平均厚みの下限値は特に限定されるものではないが、例えば３．５μｍ以上である。

磁気記録媒体１０の平均厚みは、上述のバック層１４の平均厚みの求め方において説明した手順により求められる。

（保磁力Ｈｃ）
磁気記録媒体１０の長手方向における保磁力Ｈｃの上限値が、好ましくは２０００Ｏｅ以下、より好ましくは１９００Ｏｅ以下、さらにより好ましくは１８００Ｏｅ以下である。長手方向における保磁力Ｈｃが２０００Ｏｅ以下であると、高記録密度であっても優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。

磁気記録媒体１０の長手方向に測定した保磁力Ｈｃの下限値が、好ましくは１０００Ｏｅ以上である。長手方向に測定した保磁力Ｈｃが１０００Ｏｅ以上であると、記録ヘッドからの漏れ磁束による減磁を抑制することができる。

上記の保磁力Ｈｃは以下のようにして求められる。まず、長尺状の磁気記録媒体１０から測定サンプルを切り出し、両面テープで３枚重ね合わせた後、φ６．３９ｍｍのパンチで打ち抜き、振動試料型磁力計(Vibrating Sample Magnetometer：ＶＳＭ)を用いて、打ち抜いた測定サンプルの長手方向（走行方向）に対応する測定サンプル全体のＭ－Ｈループを測定する。この際に、磁気記録媒体１０の長手方向（走行方向）が認識できるように、磁性を持たない任意のインクでマーキングを行う。次に、長尺状の磁気記録媒体１０から測定サンプルを切り出し、アセトンまたはエタノール等を用いて塗膜（下地層１２、記録層１３およびバック層１４等）を払拭し、補強基体１１のみを残した後、両面テープで３枚重ね合わせ、φ６．３９ｍｍのパンチで打ち抜いて、バックグラウンド補正用のサンプル（以下、単に「補正用サンプル」という。）とする。そして、ＶＳＭを用いて補強基体１１の長手方向（走行方向）に対応する補正用サンプル（補強基体１１）のＭ－Ｈループを測定する。測定サンプル（磁気記録媒体１０の全体）のＭ－Ｈループ、補正用サンプル（補強基体１１）のＭ－Ｈループの測定においては、東英工業社製の高感度振動試料型磁力計「ＶＳＭ－Ｐ７－１５型」が用いられる。測定条件は、測定モード：フルループ、最大磁界：１５ｋＯｅ、磁界ステップ：４０ｂｉｔ、Time constant of Locking amp：０．３ｓｅｃ、Waiting time：１ｓｅｃ、ＭＨ平均数：２０とされる。

その後、測定サンプル全体のＭ－Ｈループから補強基体１１のＭ－Ｈループを引き算して、バックグラウンド補正後のＭ－Ｈループを得る。このバックグラウンド補正の計算には、「ＶＳＭ－Ｐ７－１５型」に付属されている測定・解析プログラムが用いられる。得られたＭ－Ｈループから保磁力Ｈｃを求める。この計算には、「ＶＳＭ－Ｐ７－１５型」に付属されている測定・解析プログラムが用いられる。なお、上記のＭ－Ｈループの測定はいずれも、室温（２５℃）にて行われるものとする。また、Ｍ－Ｈループを磁気記録媒体１０の長手方向に測定する際の“反磁界補正”は行わないものとする。

（角形比）
磁気記録媒体１０の垂直方向（厚み方向）における角形比Ｓ₁が、６５％以上、好ましくは７０％以上、より好ましくは７５％以上である。角形比Ｓ₁が６５％以上であると、磁性粉の垂直配向性が十分に高くなるため、より優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。

角形比Ｓ₁は以下のようにして求められる。まず、Ｍ－Ｈループを磁気記録媒体１０および補強基体１１の垂直方向（厚み方向）に測定すること以外は保磁力Ｈｃと同様にして、バックグラウンド補正後のＭ－Ｈループを得る。但し、Ｍ－Ｈループを磁気記録媒体１０の垂直方向に測定する際の“反磁界補正”は行わないものとする。次に、得られたＭ－Ｈループの飽和磁化Ｍｓ（ｅｍｕ）および残留磁化Ｍｒ（ｅｍｕ）を以下の式に代入して、角形比Ｓ₁（％）を算出する。なお、この計算には、「ＶＳＭ－Ｐ７－１５型」に付属されている測定・解析プログラムが用いられる。
角形比Ｓ₁（％）＝（Ｍｒ／Ｍｓ）×１００

磁気記録媒体１０の長手方向（走行方向）における角形比Ｓ₂が、好ましくは３５％以下、より好ましくは３０％以下、さらにより好ましくは２５％以下である。角形比Ｓ₂が３５％以下であると、磁性粉の垂直配向性が十分に高くなるため、より優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。

角形比Ｓ₂は、Ｍ－Ｈループを磁気記録媒体１０および補強基体１１の長手方向（走行方向）に測定すること以外は角形比Ｓ₁と同様にして求められる。

［３ 磁気記録媒体の製造方法］
上述の構成を有する磁気記録媒体１０の製造方法について説明する。まず、スパッタリング法により、基体１１Ａの第１の面１１Ｓ_Aに補強層１１Ｂを形成する。これにより、補強基体１１が得られる。

次に、非磁性粉および結着剤等を溶剤に混練、分散させることにより、下地層形成用塗料を調製する。次に、磁性粉および結着剤等を溶剤に混練、分散させることにより、記録層形成用塗料を調製する。記録層形成用塗料および下地層形成用塗料の調製には、例えば、以下の溶剤、分散装置および混練装置を用いることができる。

上述の塗料調製に用いられる溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、メタノール、エタノール、プロパノール等のアルコール系溶媒、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸プロピル、乳酸エチル、エチレングリコールアセテート等のエステル系溶媒、ジエチレングリコールジメチルエーテル、２－エトキシエタノール、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、メチレンクロライド、エチレンクロライド、四塩化炭素、クロロホルム、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素系溶媒等が挙げられる。これらは単独で用いてもよく、適宜混合して用いてもよい。

上述の塗料調製に用いられる混練装置としては、例えば、連続二軸混練機、多段階で希釈可能な連続二軸混練機、ニーダー、加圧ニーダー、ロールニーダー等の混練装置を用いることができるが、特にこれらの装置に限定されるものではない。また、上述の塗料調製に用いられる分散装置としては、例えば、ロールミル、ボールミル、横型サンドミル、縦型サンドミル、スパイクミル、ピンミル、タワーミル、パールミル（例えばアイリッヒ社製「ＤＣＰミル」等）、ホモジナイザー、超音波分散機等の分散装置を用いることができるが、特にこれらの装置に限定されるものではない。

次に、補強基体１１の両面のうち補強層１１Ｂが形成されていない一方の面に、下地層形成用塗料を塗布して乾燥させることにより、下地層１２を形成する。続いて、この下地層１２上に記録層形成用塗料を塗布して乾燥させることにより、記録層１３を下地層１２上に形成する。なお、乾燥の際に、例えばソレノイドコイルにより、磁性粉を基体１１Ａの厚み方向に磁場配向させる。また、乾燥の際に、例えばソレノイドコイルにより、磁性粉を基体１１Ａの走行方向（長手方向）に磁場配向させたのちに、基体１１Ａの厚み方向に磁場配向させるようにしてもよい。記録層１３の形成後、補強基体１１の両面のうち補強層１１Ｂが形成されている他方の面にバック層１４を形成する。これにより、磁気記録媒体１０が得られる。

その後、得られた磁気記録媒体１０を大径コアに巻き直し、硬化処理を行う。最後に、磁気記録媒体１０に対してカレンダー処理を行った後、所定の幅（例えば１／２インチ幅）に裁断する。以上により、目的とする細長い長尺状の磁気記録媒体１０が得られる。

［４ 効果］
一実施形態に係るテープ状の磁気記録媒体１０は、補強基体１１と、補強基体１１上に設けられた下地層１２と、下地層１２上に設けられた記録層１３とを備える。補強基体１１が、対向する第１の面１１Ｓ_Aおよび第２の面１１Ｓ_Bを有する、平均厚み４μｍ以下の基体１１Ａと、第１の面１１Ｓ_Aに設けられ、コバルトを含む補強層１１Ｂとを備える。補強基体１１の状態において、第２の面１１Ｓ_Bに直径０．７ｍｍの剛球を押し当て、５．０ｇｆで１０秒間の荷重をかけたときに形成される圧痕の深さが０．２５μｍ以下である。これにより、環境による寸法変化を抑制することができると共に、記録面の欠陥の発生も抑制することができる。

［５ 変形例］
（変形例１）
上述の一実施形態では、補強層１１Ｂが、基体１１Ａの第１、第２の面１１Ｓ_A、１１Ｓ_Bのうち、下地層１２および記録層１３が設けられる側とは反対側の第１の面１１Ｓ_Aに設けられた例について説明したが、補強層１１Ｂが、基体１１Ａの第１、第２の面１１Ｓ_A、１１Ｓ_Bのうち、下地層１２および記録層１３が設けられる側の第２の面１１Ｓ_Bに設けられていてもよい。すなわち、補強層１１Ｂが、基体１１Ａと下地層１２との間に設けられていてもよい。

（変形例２）
上述の一実施形態では、下地層１２および記録層１３が塗布工程（ウエットプロセス）により作製される薄膜である例について説明したが、真空薄膜の作製技術（ドライプロセス）により作製される薄膜であってもよい。真空薄膜の作製技術により作製される薄膜のうちでも、スパッタリング法により作製されるスパッタ層が特に好ましい。

（変形例３）
上述の一実施形態では、ε酸化鉄粒子が２層構造のシェル部２２を有している場合について説明したが、図６に示すように、ε酸化鉄粒子が単層構造のシェル部２３を有していてもよい。この場合、シェル部２３は、第１シェル部２２ａと同様の構成を有する。但し、ε酸化鉄粒子の特性劣化を抑制する観点からすると、上述した一実施形態におけるように、ε酸化鉄粒子が２層構造のシェル部２２を有していることが好ましい。

（変形例４）
上述の一実施形態では、ε酸化鉄粒子がコアシェル構造を有している場合について説明したが、ε酸化鉄粒子が、コアシェル構造に代えて添加剤を含んでいてもよいし、コアシェル構造を有すると共に添加剤を含んでいてもよい。この場合、ε酸化鉄粒子のＦｅの一部が添加剤で置換される。ε酸化鉄粒子が添加剤を含むことによっても、ε酸化鉄粒子全体としての保磁力Ｈｃを記録に適した保磁力Ｈｃに調整できるため、記録容易性を向上することができる。添加剤は、鉄以外の金属元素、好ましくは３価の金属元素、より好ましくはＡｌ、ＧａおよびＩｎのうちの少なくとも１種、さらにより好ましくはＡｌおよびＧａのうちの少なくとも１種である。

具体的には、添加剤を含むε酸化鉄は、ε－Ｆｅ_2-xＭ_xＯ₃結晶（但し、Ｍは鉄以外の金属元素、好ましくは３価の金属元素、より好ましくはＡｌ、ＧａおよびＩｎのうちの少なくとも１種、さらにより好ましくはＡｌおよびＧａのうちの少なくとも１種である。ｘは、例えば０＜ｘ＜１である。）である。

（変形例５）
磁性粉が、ε酸化鉄粒子の粉末に代えて、六方晶フェライトを含有するナノ粒子（以下「六方晶フェライト粒子」という。）の粉末を含むようにしてもよい。六方晶フェライト粒子は、例えば、六角板状またはほぼ六角板状を有する。六方晶フェライトは、好ましくはＢａ、Ｓｒ、ＰｂおよびＣａのうちの少なくとも１種、より好ましくはＢａおよびＳｒのうちの少なくとも１種を含む。六方晶フェライトは、具体的には例えばバリウムフェライトまたはストロンチウムフェライトであってもよい。バリウムフェライトは、Ｂａ以外にＳｒ、ＰｂおよびＣａのうちの少なくとも１種をさらに含んでいてもよい。ストロンチウムフェライトは、Ｓｒ以外にＢａ、ＰｂおよびＣａのうちの少なくとも１種をさらに含んでいてもよい。

より具体的には、六方晶フェライトは、一般式ＭＦｅ₁₂Ｏ₁₉で表される平均組成を有する。但し、Ｍは、例えばＢａ、Ｓｒ、ＰｂおよびＣａのうちの少なくとも１種の金属、好ましくはＢａおよびＳｒのうちの少なくとも１種の金属である。Ｍが、Ｂａと、Ｓｒ、ＰｂおよびＣａからなる群より選ばれる１種以上の金属との組み合わせであってもよい。また、Ｍが、Ｓｒと、Ｂａ、ＰｂおよびＣａからなる群より選ばれる１種以上の金属との組み合わせであってもよい。上記一般式においてＦｅの一部が他の金属元素で置換されていてもよい。

磁性粉が六方晶フェライト粒子の粉末を含む場合、磁性粉の平均粒子サイズは、好ましくは５０ｎｍ以下、より好ましくは１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下、さらにより好ましくは１５ｎｍ以上３０ｎｍ以下である。磁性粉が六方晶フェライト粒子の粉末を含む場合、磁性粉の平均アスペクト比は上述の一実施形態と同様である。

なお、磁性粉の平均アスペクト比は以下のようにして求められる。まず、測定対象となる磁気記録媒体１０をＦＩＢ法等により加工して薄片を作製し、ＴＥＭにより薄片の断面観察を行う。具体的には、日立ハイテクノロジーズ社製 H-9500を用いて、加速電圧：200kV、総合倍率500,000倍で記録層１３の厚み方向に対して記録層１３全体が含まれるように断面観察を行い、ＴＥＭ写真を撮影する。ＦＩＢ法を使用する場合には、後述の断面のＴＥＭ像を観察する前処理として、保護膜としてカーボン層およびタングステン層を形成する。当該カーボン層は蒸着法により磁気記録媒体１０の記録層１３側の表面およびバック層１４側の表面に形成され、そして、当該タングステン層は蒸着法またはスパッタリング法により記録層１３側の表面にさらに形成される。薄片化は磁気記録媒体１０の長さ方向（長手方向）に沿って行われる。すなわち、薄片化によって、磁気記録媒体１０の長手方向および厚み方向の両方に平行な断面が形成される。

次に、撮影したＴＥＭ写真から、観察面の方向に側面を向けており、且つ、粒子の厚みが明らかに確認できる粒子を５０個無作為に選び出し、各粒子の最大板厚ＤＡを測定する。続いて、測定した５０個の粒子の最大板厚ＤＡを単純に平均（算術平均）して平均最大板厚ＤＡaveを求める。

次に、撮影したＴＥＭ写真から５０個の粒子を無作為に選び出し、各粒子の板径ＤＢを測定する。続いて、測定した５０個の粒子の板径ＤＢを単純に平均（算術平均）して平均板径ＤＢaveを求める。次に、平均最大板厚ＤＡaveおよび平均板径ＤＢaveから磁性粉の平均アスペクト比（ＤＢave／ＤＡave）を求める。

（変形例６）
磁性粉は、ε酸化鉄粒子の粉末に代えて、Ｃｏ含有スピネルフェライトを含有するナノ粒子（以下「コバルトフェライト粒子」という。）の粉末を含むようにしてもよい。コバルトフェライト粒子は、一軸異方性を有することが好ましい。コバルトフェライト粒子は、例えば、立方体状またはほぼ立方体状を有している。Ｃｏ含有スピネルフェライトが、Ｃｏ以外にＮｉ、Ｍｎ、Ａｌ、ＣｕおよびＺｎのうちの少なくとも１種をさらに含んでいてもよい。

Ｃｏ含有スピネルフェライトは、例えば以下の式（ａ）で表される平均組成を有する。
Ｃｏ_xＭ_yＦｅ₂Ｏ_Z ・・・（ａ）
（但し、式（ａ）中、Ｍは、例えば、Ｎｉ、Ｍｎ、Ａｌ、ＣｕおよびＺｎのうちの少なくとも１種の金属である。ｘは、０．４≦ｘ≦１．０の範囲内の値である。ｙは、０≦ｙ≦０．３の範囲内の値である。但し、ｘ、ｙは（ｘ＋ｙ）≦１．０の関係を満たす。ｚは３≦ｚ≦４の範囲内の値である。Ｆｅの一部が他の金属元素で置換されていてもよい。）

磁性粉がコバルトフェライト粒子の粉末を含む場合、磁性粉の平均粒子サイズは、好ましくは２５ｎｍ以下、より好ましくは２３ｎｍ以下である。この磁性粉の平均粒子サイズの算出方法は、上述の一実施形態における磁性粉の平均粒子サイズの算出方法と同様である。磁性粉がコバルトフェライト粒子の粉末を含む場合、磁性粉の平均アスペクト比は上述の一実施形態における磁性粉の平均アスペクト比と同様である。この磁性粉の平均アスペクト比の算出方法も上述の一実施形態における磁性粉の平均アスペクト比の算出方法と同様である。

以下、実施例により本開示を具体的に説明するが、本開示はこれらの実施例のみに限定されるものではない。

本実施例において、ＰＥＮフィルム（基体）の平均厚み、記録層の平均厚み、下地層の平均厚み、補強層（Ｃｏ薄膜、Ｃｕ薄膜）の平均厚み、バック層の平均厚み、磁気テープ（磁気記録媒体）の平均厚み、補強フィルム（補強基体）の圧痕の深さ、１００ｎｍ換算の補強層（Ｃｏ薄膜、Ｃｕ薄膜）の水蒸気透過度、および補強層の厚みを１００ｎｍに換算したときの補強基体の水蒸気透過度は、上述の一実施形態にて説明した測定方法により求められたものである。

［実施例１］
（補強フィルムの作製工程）
補強基体を以下のようにして作製した。まず、基体として、長尺状を有する、平均厚み３．２μｍのＰＥＮフィルムを準備した。次に、スパッタリング法により、ＰＥＮフィルムの一方の面（第１の面）に補強層として平均厚み２７０ｎｍのＣｏ薄膜を成膜した。この際、膜厚１００ｎｍ換算のＣｏ薄膜の水蒸気透過度が１．０５７ｇ／ｍ²・ｄａｙとなるように、Ｃｏ薄膜の成膜条件を調整した。これにより、補強フィルム（補強基体）が得られた。

上述のようにして得られた補強フィルムの、補強面とは逆側の面に直径０．７ｍｍの剛球を押し当て、５．０ｇｆで１０秒間の荷重をかけたときに形成される圧痕の深さを測定したところ、０．２５μｍであった。

（記録層形成用塗料の調製工程）
記録層形成用塗料を以下のようにして調製した。まず、下記配合の第１組成物をエクストルーダで混練した。次に、ディスパーを備えた攪拌タンクに、混練した第１組成物と、下記配合の第２組成物を加えて予備混合を行った。続いて、さらにサンドミル混合を行い、フィルター処理を行い、記録層形成用塗料を調製した。

（第１組成物）
ε酸化鉄磁性粉：１００質量部
塩化ビニル系樹脂（シクロヘキサノン溶液３０質量％）：１０質量部
（重合度３００、Ｍｎ＝１００００、極性基としてＯＳＯ₃Ｋ＝０．０７ｍｍｏｌ／ｇ、２級ＯＨ＝０．３ｍｍｏｌ／ｇを含有する。）
酸化アルミニウム粉末：５質量部
（α－Ａｌ₂Ｏ₃、平均粒径０．２μｍ）
カーボンブラック：２質量部
（東海カーボン社製、商品名：シーストＴＡ）

（第２組成物）
塩化ビニル系樹脂：１．１質量部
（樹脂溶液：樹脂分３０質量％、シクロヘキサノン７０質量％）
ｎ－ブチルステアレート：２質量部
メチルエチルケトン：１２１．３質量部
トルエン：１２１．３質量部
シクロヘキサノン：６０．７質量部

最後に、上述のようにして調製した記録層形成用塗料に、硬化剤として、ポリイソシアネート（商品名：コロネートＬ、東ソー株式会社製）：４質量部と、ミリスチン酸：２質量部とを添加した。

（下地層形成用塗料の調製工程）
下地層形成用塗料を以下のようにして調製した。まず、下記配合の第３組成物をエクストルーダで混練した。次に、ディスパーを備えた攪拌タンクに、混練した第３組成物と、下記配合の第４組成物を加えて予備混合を行った。続いて、さらにサンドミル混合を行い、フィルター処理を行い、下地層形成用塗料を調製した。

（第３組成物）
針状酸化鉄粉末：１００質量部
（α－Ｆｅ₂Ｏ₃、平均長軸長０．１５μｍ）
塩化ビニル系樹脂：５５．６質量部
（樹脂溶液：樹脂分３０質量％、シクロヘキサノン７０質量％）
カーボンブラック：１０質量部
（平均粒径２０ｎｍ）

（第４組成物）
ポリウレタン系樹脂ＵＲ８２００（東洋紡績製）：１８．５質量部
ｎ－ブチルステアレート：２質量部
メチルエチルケトン：１０８．２質量部
トルエン：１０８．２質量部
シクロヘキサノン：１８．５質量部

最後に、上述のようにして調製した下地層形成用塗料に、硬化剤として、ポリイソシアネート（商品名：コロネートＬ、東ソー株式会社製）：４質量部と、ミリスチン酸：２質量部とを添加した。

（バック層形成用塗料の調製工程）
バック層形成用塗料を以下のようにして調製した。下記原料を、ディスパーを備えた攪拌タンクで混合を行い、フィルター処理を行うことで、バック層形成用塗料を調製した。
カーボンブラック（旭社製、商品名：＃８０）：１００質量部
ポリエステルポリウレタン：１００質量部
（日本ポリウレタン社製、商品名：Ｎ－２３０４）
メチルエチルケトン：５００質量部
トルエン：４００質量部
シクロヘキサノン：１００質量部

（成膜工程）
上述のようにして調製した塗料を用いて、磁気テープを以下のようにして作製した。まず、補強フィルムの両面のうち、補強層が形成されていない一方の面上に下地層形成用塗料を塗布し、乾燥させることにより、平均厚み１．１μｍの下地層を形成した。次に、下地層上に記録層形成用塗料を塗布し、乾燥させることにより、下地層上に平均厚み０．０８μｍの記録層を形成した。なお、記録層形成用塗料の乾燥の際に、ソレノイドコイルにより、磁性粉をＰＥＮフィルムの厚み方向に磁場配向させた。

続いて、補強フィルムの両面のうち、補強層が形成されている他方の面上にバック層形成用塗料を塗布し、乾燥させることにより、平均厚み０．４μｍのバック層を形成した。そして、下地層、記録層、補強層およびバック層が形成されたＰＥＮフィルムに対して硬化処理を行った。その後、カレンダー処理を行い、記録層表面を平滑化した。なお、磁気テープの製造装置としては、走行される磁気テープを挟持するローラのペアが磁気記録媒体の搬送経路に複数設けられているものを用いた。

（裁断の工程）
上述のようにして得られた磁気テープを１／２インチ（１２．６５ｍｍ）幅に裁断した。これにより、長尺状を有する、平均厚み５．１μｍの磁気テープが得られた。

（比較例１）
補強フィルムの作製工程において、蒸着法により、ＰＥＮフィルムの一方の面（第１の面）に補強層として平均厚み３５０ｎｍのＣｏ薄膜を成膜したこと以外は実施例１と同様にして磁気テープを得た。なお、Ｃｏ薄膜の成膜の際には、膜厚１００ｎｍ換算のＣｏ薄膜の水蒸気透過度が８．３７２ｇ／ｍ²・ｄａｙとなるように、Ｃｏ薄膜の成膜条件を調整した。また、補強フィルムの作製工程にて得られた補強フィルムの、補強面とは逆側の面に直径０．７ｍｍの剛球を押し当て、５．０ｇｆで１０秒間の荷重をかけたときに形成される圧痕の深さを測定したところ、１．４μｍであった。

（比較例２）
補強フィルムの作製工程において、蒸着法により、ＰＥＮフィルムの一方の面（第１の面）に補強層として平均厚み７５ｎｍのＣｕ薄膜を成膜したこと以外は実施例１と同様にして磁気テープを得た。なお、Ｃｕ薄膜の成膜の際には、膜厚１００ｎｍ換算のＣｕ薄膜の水蒸気透過度が２５．９００ｇ／ｍ²・ｄａｙとなるように、Ｃｕ薄膜の成膜条件を調整した。また、補強フィルムの作製工程にて得られた補強フィルムの、補強面とは逆側の面に直径０．７ｍｍの剛球を押し当て、５．０ｇｆで１０秒間の荷重をかけたときに形成される圧痕の深さを測定したところ、２．５μｍであった。

（欠陥個数の測定）
上述のようにして得られた実施例１、比較例１、２の磁気テープの記録面の欠陥個数を以下のようにして測定した。磁気テープをスライドガラスに貼り、４０ｍｍ×１０ｍｍの範囲で、光学顕微鏡で表面を観察し、記録面上の凹凸の個数を計測した。

表１は、実施例１および比較例１、２の磁気テープの構成および評価結果を示す。

なお、表１中、“膜厚１００ｎｍ換算の補強フィルムの水蒸気透過度”とは、補強層（Ｃｏ薄膜、Ｃｕ薄膜）の厚みを１００ｎｍに換算したときの補強フィルムの水蒸気透過度（すなわちフィルムに１００ｎｍの補強層（Ｃｏ薄膜、Ｃｕ薄膜）をつけたときの水蒸気透過度）を意味する。

表１から以下のことがわかる。すなわち、補強層としてＣｏ薄膜を用い、補強フィルムの補強面とは逆側の面に直径０．７ｍｍの剛球を押し当て、５．０ｇｆで１０秒間の荷重をかけたときに形成される圧痕の深さを０．２５μｍ以下とすることで、記録面の欠陥の発生を抑制することができる。

なお、ＰＥＮフィルム単体の一方の面に直径０．７ｍｍの剛球を押し当て、５．０ｇｆで１０秒間の荷重をかけたときに形成される圧痕の深さを測定したところ、０．１μｍであった。この結果から、実施例１の補強フィルムでは、補強層を設けたことによるＰＥＮフィルムの圧痕の深さの増加を抑制できることがわかる。一方、比較例１、２の補強フィルムでは、補強層を設けたことによるＰＥＮフィルムの圧痕の深さの増加が著しいことがわかる。

以上、本開示の実施形態およびその変形例について具体的に説明したが、本開示は、上述の実施形態およびその変形例に限定されるものではなく、本開示の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。

例えば、上述の実施形態およびその変形例において挙げた構成、方法、工程、形状、材料および数値等はあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料および数値等を用いてもよい。また、化合物等の化学式は代表的なものであって、同じ化合物の一般名称であれば、記載された価数等に限定されない。

また、上述の実施形態およびその変形例の構成、方法、工程、形状、材料および数値等は、本開示の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。

また、本開示は以下の構成を採用することもできる。
（１）
テープ状の磁気記録媒体であって、
補強基体と、
前記補強基体上に設けられた記録層と
を備え、
前記補強基体が、
対向する第１の面および第２の面を有する、平均厚み４μｍ以下の基体と、
前記第１の面に設けられ、コバルトを含む金属層と
を備え、
前記補強基体の状態において、前記第２の面に直径０．７ｍｍの剛球を押し当て、５．０ｇｆで１０秒間の荷重をかけたときに形成される圧痕の深さが０．２５μｍ以下である磁気記録媒体。
（２）
温度２８℃、飽和水蒸気状態の環境下における、厚み１００ｎｍ換算の前記金属層の水蒸気透過度が、８．３６ｇ／ｍ²・ｄａｙ以下である（１）に記載の磁気記録媒体。
（３）
温度２８℃、飽和水蒸気状態の環境下における、厚み１００ｎｍ換算の前記金属層の水蒸気透過度が、１．０５７ｇ／ｍ²・ｄａｙ以下である（１）または（２）に記載の磁気記録媒体。
（４）
前記磁気記録媒体の平均厚みが、５．１５μｍ以下である（１）から（３）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（５）
前記金属層の平均厚みが、２００ｎｍ以上４００ｎｍ以下である（１）から（４）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（６）
前記記録層が、磁性粉および結着剤を含む（１）から（５）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（７）
前記磁性粉が、六方晶フェライト、ε酸化鉄またはＣｏ含有スピネルフェライトを含む（６）に記載の磁気記録媒体。
（８）
前記記録層が、スパッタ層である（１）から（５）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（９）
前記記録層は、前記第２の面に設けられ、
前記金属層上に設けられたバック層をさらに備える（１）から（８）のいずれかに記載の磁気記録媒体。

１０ 磁気記録媒体
１１ 補強基体
１１Ａ 基体
１１Ｂ 補強層
１２ 下地層
１３ 記録層
１４ バック層
２１ コア部
２２ シェル部
２２ａ 第１シェル部
２２ｂ 第２シェル部

Claims (9)

1. テープ状の磁気記録媒体であって、
   補強基体と、
   前記補強基体上に設けられた記録層と
   を備え、
   前記補強基体が、
   対向する第１の面および第２の面を有する、平均厚み４μｍ以下の基体と、
   前記第１の面に設けられ、コバルトを含む金属層と
   を備え、
   前記基体は、ポリエステル類を含み、
   前記補強基体の状態において、前記第２の面に直径０．７ｍｍの剛球を押し当て、５．０ｇｆで１０秒間の荷重をかけたときに形成される圧痕の深さが０．２５μｍ以下である磁気記録媒体。
2. 温度２８℃、飽和水蒸気状態の環境下における、厚み１００ｎｍ換算の前記金属層の水蒸気透過度が、８．３６ｇ／ｍ^２・ｄａｙ以下である請求項１に記載の磁気記録媒体。
3. 温度２８℃、飽和水蒸気状態の環境下における、厚み１００ｎｍ換算の前記金属層の水蒸気透過度が、１．０５７ｇ／ｍ^２・ｄａｙ以下である請求項１に記載の磁気記録媒体。
4. 前記磁気記録媒体の平均厚みが、５．１５μｍ以下である請求項１に記載の磁気記録媒体。
5. 前記金属層の平均厚みが、２００ｎｍ以上４００ｎｍ以下である請求項１に記載の磁気記録媒体。
6. 前記記録層が、磁性粉および結着剤を含む請求項１に記載の磁気記録媒体。
7. 前記磁性粉が、六方晶フェライト、ε酸化鉄またはＣｏ含有スピネルフェライトを含む請求項６に記載の磁気記録媒体。
8. 前記記録層が、スパッタ層である請求項１に記載の磁気記録媒体。
9. 前記記録層は、前記第２の面に設けられ、
   前記金属層上に設けられたバック層をさらに備える請求項１に記載の磁気記録媒体。

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