JP6737415B2 - 磁気記録テープとその製造方法、磁気記録テープカートリッジ - Google Patents

Description

本技術は、磁気記録テープ等に関する。より詳しくは、磁気記録テープを磁気ヘッドに対して安定走行させることができる磁気記録テープ、該テープが収容されたカートリッジ、および該テープの製造方法に関する。

近年、インターネットの普及、クラウドコンピューティング、ビッグデータの蓄積や解析が進んでいるため、長期的に記録すべき情報量が爆発的に増加している。このため、大量の情報をデータとしてバックアップし、あるいはアーカイブ化しておくための記録媒体には高記録容量化が求められている。この記録媒体の中でも「磁気記録テープ」（ときに「テープ」と略称）は、コスト、省エネルギー、長寿命、信頼性、容量などの観点から改めて注目されている。

この磁気記録テープは、磁気層を備える長尺状のテープがリールに巻かれた状態でケース内に収容されている。この磁気記録テープは、磁気抵抗型ヘッド（以下、磁気ヘッド）を用いて該テープが走行する方向に記録又は再生が行われる。２０００年には、オープン規格のLTO（Linear-Tape-Open）が登場し、現在までその後世代の更新が進んできた。

磁気記録テープの記録容量は、磁気記録テープの表面積（テープ長×テープ幅）とテープの単位面積当たりの記録密度に依存している。該記録密度は、テープ幅方向のトラック密度と線記録密度（テープ長尺方向の記録密度）に依存している。すなわち、磁気記録テープの高記録容量化は、テープ長、トラック密度、線記録密度をいかに増加させることができるかにかかっている。なお、テープ幅は、規格の関係から変えることは困難である。

前記トラック密度を高めた場合、磁気記録テープが高速走行する時のオフトラック現象の防止は、より重要な課題となる。このオフトラック現象は、磁気ヘッドが読み取るべきトラック位置に対象のトラックが存在しなかったり、間違ったトラック位置を読み取ってしまったりする現象を言う。

ここで、高記録容量化のためにテープをより長くすると、テープ厚がより薄くなる。一方、今後、ますますテープの高速走行化が進展する可能性もある。そうすると、高速走行させる際のテープ走行が不安定化し、それにより前記オフトラック現象が発生し易くなる。特に、テープの高速走行を長時間、あるいは多数回にわたって繰り返し行う際には、磁気ヘッドと走行するテープとの間に過剰な距離（スペーシング）が発生したり、摩擦が上昇してテープを変形させたりする。このことにより、磁気ヘッドに対するテープの好適なコンタクト状態が得られず、テープの磁気記録又は再生の特性を悪化させてしまうおそれがある。

このような問題を解決するために、特許文献１では、磁性層の表面に潤滑剤層を設けることによって磁気ヘッドと磁気記録テープの間に生じ得るスペーシングを抑制する技術や該潤滑層の厚みを評価する技術が開示されている。特許文献２では、磁性面と反対側の突起個数／粒子個数を限定し、テープ層間摩擦を制御しようとする磁気記録テープが開示されている。該テープによって、初期の動摩擦係数に比べて繰り返し走行後の動摩擦係数の上昇が少なく、テープの走行時の蛇行を抑制できると説明されている。

特開２０１７−４１２９３号公報 特開平６−３２５３４９号公報

本技術は、磁気ヘッドに対するテープの接触面積を少なくして摩擦を低減するとともに、かつスペーシングを抑制する。それにより、本技術は、磁気ヘッドとテープの間の距離を狭くした状態を維持したままでテープを安定的に高速走行させることができる磁気記録テープ等を提供することを主な目的とする。

本発明者らは、鋭意研究を重ねた結果、テープと磁気ヘッドの間に発生し得る空気溜りに存在する空気がテープと磁気ヘッドの間にスペーシングを発生させたり、摩擦上昇の要因となっていたりすることを新規に見出し、この現象に着目し、本技術を提供するに至った。具体的には、本技術では、磁性層を少なくとも含む複層構造を備えるテープであり、該テープの全厚が５．６μｍ以下、すなわち高記録容量化が図られた薄いテープであって、前記磁性層の表面に凹部が複数配設されている、磁気記録テープ等を提供する。磁性層の凹部の深さや単位面積あたりの個数についても適正な範囲を特定することができた。また、垂直配向度が高く摩擦上昇が起こり易い磁性層を有する場合、テープが高速走行される場合に本技術は特に有効である。また、本技術では、磁性層と、バック層を少なくとも備える複層構造をなす磁気記録テープを巻き付けながら、前記バック層の表面に形成した凸部を前記磁性層の表面に押し付け、該磁性層に凹部を形成する転写工程を含む、磁気記録テープの製造方法についても提供する。
例えば、本技術は、磁性層を少なくとも含む複層構造を備えるテープであり、
該テープの全厚が５．６μｍ以下であり、
前記磁性層は磁性粒子を有し、該磁性粒子は垂直配向されており、反磁界補正なしで測定した垂直配向度が６５％以上であり、且つ、垂直方向の配向度と長手方向の配向度との比が１．８６以上であり、
前記磁性層に、深さが当該磁性層の厚みの２０％以上である凹部が複数形成されており、且つ、当該凹部の個数が、前記磁性層の６，４００μｍ^２の表面積あたり５５個以上１０１個以下である、
磁気記録テープを提供する。
また、本技術は テープ走行時に磁気記録ヘッドに対向する側から順に、磁性層、非磁性層、ベースフィルム層、バック層を備えるテープであって、
前記磁性層は六方晶フェライト、バリウムフェライト（ＢａＦｅ）、Ｃｏフェライト、ストロンチウムフェライト、及びイプシロン型酸化鉄（ε酸化鉄）のいずれかである磁性粒子を有し、
該テープの全厚が５．６μｍ以下であって、
前記磁性層の表面に凹部が複数配設されており、
前記凹部の深さＤ１を前記磁性層の厚さＤ２で除した値が１５％以上であり、
前記磁性層の垂直方向の配向度と長手方向の配向度との比が１．８６以上であり、且つ、
前記磁性層表面の非接触光学式干渉粗度測定によるＳｓｋ値がマイナス値である、
磁気記録テープも提供する。
また、本技術は、磁性層とバック層を少なくとも備える複層構造の磁気記録テープをロールに巻き付けながら、前記バック層の表面に形成した凸部を前記磁性層の表面に押し付け、該磁性層に凹部を形成する転写工程を行い、 前記転写工程は、前記凸部を前記磁性層の表面に押し付けた状態で加熱処理を行うことを含み、その後、
一度巻き付けたテープを逆方向に引き出して別のロールに巻き付けることによって該磁性層に凹部を形成する転写工程と前記加熱処理をさらに行う、
磁気記録テープの製造方法も提供する。

本技術は、磁気記録テープと磁気ヘッドの間に生じる摩擦やスペーシング現象を有効に抑制し、テープを高速で安定して走行させることができる。本技術に係る磁気記録テープは、繰り返しの高速走行による摩擦上昇を防止等して、磁気ヘッドによる記録や再生を高精度に行うことができる。

本技術に関わる磁気記録テープ（Ｔ）の基本的な層構造を示す図である。 同磁気記録テープ（Ｔ）の断面層構造を示す図である。 磁気ヘッド（Ｈ）上を一般的な磁気記録テープ（Ｔ）が理想的に走行する様子を示す図である。 磁気ヘッド（Ｈ）上を従来の一般的な磁気記録テープが走行する際に生じる問題(課題)を説明するための模式図である。 同磁気記録テープ（Ｔ）の磁性層（１）表面の凹部（１１）の概念を説明するための簡易な模式図である。 同テープ（Ｔ）の磁性層（１）の表面に対してバック層（４）の凸部（４１）から転写され凹部（１１）が形成される様子を示す簡易な模式拡大図である。 本技術に係るテープ製造工程の基本フロー図である。 本技術に関わる磁気記録テープ（Ｔ）がケース（５１）に収容されたテープカートリッジ（５）の一実施形態例を示す図である。 同磁気記録テープ（Ｔ）の転写工程の好適な一例を説明するための概念図である。 同転写工程において、ロール（Ｒ１）にテープＴが巻き付けられていき、磁性層１に表面にバック層４の凸部４１が当接する様子を示す図である。 二回目の転写工程の概念を示す図である。 同磁性層（１）の表面の原子間力顕微鏡写真の一例である（図面代用写真）。（ａ）は転写なし、（ｂ）は一回転写あり。

以下、本技術を実施するための好適な実施形態について、添付の図面を参照しながら説明する。なお、以下に説明する実施形態は、本技術の好適な実施形態を例示するものであるため、これによって本技術が狭く解釈されることはない。説明は、以下の順序で行う。

（１）本技術に係る磁気記録テープの基本層構造などについて。
（２）各層の構成や役割について。
（２−１）磁性層。
（２−２）非磁性層。
（２−３）ベースフィルム層。
（２−４）バック層。
（３）本技術に係る磁気記録テープの基本的な製造方法について。
（４）磁性層表面に凹部を形成する転写工程の好適な一例について。

（１）本技術に係る磁気記録テープの基本層構造などについて。
図１は、本技術に係る磁気記録テープの基本層構造を示す図であり、図２は、同磁気記録テープの断面層構造を示す図である。まず、これら図１、図２に示す符号Tは、磁気記録テープ（以下、「テープＴ」と称する）を表している。

このテープＴは、長尺のテープ状の形態を備え、記録再生の際には長手方向に走行される。テープＴは、好ましくは９６ｎｍ以下、より好ましくは７５ｎｍ以下、さらにより好ましくは６０ｎｍ以下、特に好ましくは５０ｎｍ以下の最短記録波長で信号を記録可能に構成されている。テープＴは、記録用ヘッドとしてリング型ヘッドを備える記録再生装置に用いられるものであることが好ましい。

このテープＴは、上から（磁気ヘッドに対向する側から）順に、磁性を備える磁性層１と、該磁性層の下部に位置する非磁性層２と、該非磁性層２の下部に位置するベースフィルム層３と、該ベースフィルム層３の下部に位置し、最下層となるバック層４と、から構成されている。すなわち、テープＴは、計４層の基本層構造を備えている。これら４層に加えて必要に応じて、別の層を追加するのは自由である。テープＴの全厚は、高記録容量化の観点で、５．６μｍ以下を前提とする。テープＴの全厚は、より好ましくは５．０μｍ以下、より好ましくは４．８μ以下、特に好ましくは４．６μｍ以下である。

なお、本技術に係るテープＴは、一例ではあるが、テープ走行速度４ｍ／秒以上、サーボトラックが５ｃｈ以上で、好ましくは５＋４ｎ（ｎは正の整数）を満たす構成、各サーボトラックの幅が９５μｍ以下、ビット長が４８ｎｍ以下、トラック幅が３．０μ以下の構成を備えている。すなわち、本技術に係るテープＴは、４ｍ／秒以上のテープ速度での記録又は再生のために用いられるものであってよい。

テープＴの平均厚み（平均全厚）の上限値は、好ましくは５．６μｍ以下、より好ましくは５．０μｍ以下、さらにより好ましくは４．４μｍ以下である。テープＴの平均厚みｔ_Ｔが５．６μｍ以下であると、１データカートリッジ内に記録できる記録容量を一般的な磁気記録テープよりも高めることができる。テープＴの平均厚みの下限値、は特に限定されるものではないが、例えば３．５μｍ以上である。

テープＴの平均厚みは、後述のバック層４の平均厚みの求め方において説明する手順により求められる。保磁力Ｈｃは、テープＴの長手方向における保磁力Ｈｃの上限値が、好ましくは２０００Ｏｅ以下、より好ましくは１９００Ｏｅ以下、さらにより好ましくは１８００Ｏｅ以下である。

テープＴの長手方向に測定した保磁力Ｈｃの下限値が、好ましくは、１０００Ｏｅ以上、であると、記録ヘッドからの漏れ磁束による減磁を押さえることができる。この保磁力Ｈｃは以下のようにして求められる。

まず、長尺状のテープＴから測定サンプルを切り出し、振動試料型磁力計（Vibrating Sample Magnetometer：ＶＳＭ）を用いて測定サンプルの長手方向（テープＴの走行方向）に測定サンプル全体のＭ−Ｈループを測定する。次に、アセトンまたはエタノール等を用いて塗膜（非磁性層２、磁性層１およびバック層４等）を払拭し、ベースフィルム層３のみを残してバックグラウンド補正用のサンプルとし、ＶＳＭを用いてベースフィルム層３の長手方向（テープＴの走行方向）にベースフィルム層３のＭ−Ｈループを測定する。その後、測定サンプル全体のＭ−Ｈループからベースフィルム層３のＭ−Ｈループを引き算して、バックグラウンド補正後のＭ−Ｈループを得る。得られたＭ−Ｈループから保磁力Ｈｃを求める。なお、上記のＭ−Ｈループの測定はいずれも、２５℃にて行われるものとする。また、Ｍ−ＨループをテープＴの長手方向に測定する際の“反磁界補正”は行わないものとする。

角形比について。
テープＴの垂直方向（厚み方向）における角形比（配向度ともいう）Ｓ１が、６５％以上、好ましくは７０％以上、より好ましくは７５％以上である。垂直方向における角形比（以下、垂直配向度ともいう）Ｓ１が６５％以上であると、磁性粉の角形比が十分に高くなるため、より優れたＳＮＲを得ることができる。

垂直方向における角形比Ｓ１は、以下のようにして求められる。まず、長尺状のテープＴから測定サンプルを切り出し、ＶＳＭを用いてテープＴの垂直方向（厚み方向）に測定サンプル全体のＭ−Ｈループを測定する。次に、アセトンまたはエタノール等を用いて塗膜（非磁性層２、磁性層１およびバック層４等）を払拭し、ベースフィルム層３のみを残して、バックグラウンド補正用のサンプルとし、ＶＳＭを用いてベースフィルム層３の垂直方向（テープＴの垂直方向）にベースフィルム層３のＭ−Ｈループを測定する。その後、測定サンプル全体のＭ−Ｈループからベースフィルム層３のＭ−Ｈループを引き算して、バックグラウンド補正後のＭ−Ｈループを得る。得られたＭ−Ｈループの飽和磁化Ｍｓ（ｅｍｕ）および残留磁化Ｍｒ（ｅｍｕ）を以下の式に代入して、垂直方向における角形比Ｓ１（％）を計算する。なお、上記のＭ−Ｈループの測定はいずれも、２５℃にて行われるものとする。また、Ｍ−ＨループをテープＴの垂直方向に測定する際の“反磁界補正”は行わないものとする。
垂直方向における角形比Ｓ１（％）＝（Ｍｒ／Ｍｓ）×１００

テープＴの長手方向（走行方向）における角形比Ｓ２が、好ましくは３５％以下、より好ましくは３０％以下、さらにより好ましくは２５％以下である。角形比Ｓ２が３５％以下であると、磁性粉の垂直方向における角形比が十分に高くなるため、より優れたＳＮＲを得ることができる。角形比Ｓ２は、測定サンプル全体のＭ−Ｈループの測定及びベースフィルム層３のＭＨループの測定がテープＴおよびベースフィルム層３の長手方向（走行方向）に行われること以外は、垂直方向における角形比Ｓ１と同様にして測定される。

本技術の好ましい実施態様に従い、前記磁性層の垂直方向の角形比と長手方向の角形比との比は、好ましくは１．８以上であり、より好ましくは２以上であり、さらにより好ましくは２．０５以上でありうる。当該値以上の比が、記録再生特性の観点から好ましい。

（２）各層（磁性層、非磁性層、ベースフィルム層、バック層）の構成や役割について。
（２−１）磁性層。
上記したような基本層構成を備えるテープＴでは、最表層に存在する磁性層１が信号記録層として機能している。近年、テープＴに対する情報記録容量を高めることが重要な課題になってきている。このため、例えば、テープＴをより薄くして、カートリッジ１巻き当たりのテープ長を増加させて記録面積（記録容量）を増やすことが求められている。

磁性層１は、長手方向記録層又は垂直記録層であり、例えば、磁性粉、結着剤および潤滑剤を含む。磁性層１が、必要に応じて、導電性粒子、研磨剤、防錆剤等の添加剤をさらに含んでいてもよい。磁性層１は、潤滑剤を蓄えるための多数の孔部（図示せず。）を設けてもよい。多数の孔は、磁性層１の表面に対して垂直方向に延設されていることが好ましい。

ここで、磁性層１の厚みの好適な範囲は、２０ｎｍ〜１００ｎｍである。下限厚みの２０ｎｍは、磁性層１の塗布を均一に、かつ安定的に行う観点での限界厚みであり、上限厚みの１００ｎｍは、高記録密度テープのビット長の設定の観点から、この厚みを超える厚みは弊害となる。

磁性層１は、複数のサーボバンドＳＢと複数のデータバンドＤＢとを予め有していることが好ましい。複数のサーボバンドＳＢは、テープＴの幅方向に等間隔で設けられている。隣り合うサーボバンドＳＢの間には、データバンドＤＢが設けられている。サーボバンドＳＢには、磁気ヘッドのトラッキング制御をするためのサーボ信号が予め書き込まれている。データバンドＤＢには、ユーザデータが記録される。サーボバンドＳＢの数は、好ましくは５以上、より好ましくは５＋４ｎ（但し、ｎは正の整数である。）以上である。サーボバンドＳＢの数が５以上であると、テープＴの幅方向の寸法変化によるサーボ信号への影響を抑制し、オフトラックが少ない安定した記録再生特性を確保できる。

磁性層１の平均厚みは以下のようにして求めることができる。まず、テープＴを、その主面に対して垂直に薄く加工して試料片を作製し、その試験片の断面を透過型電子顕微鏡（Transmission Electron Microscope：ＴＥＭ）により観察を行う。以下に、装置および観察条件を示す。
装置：ＴＥＭ（日立製作所製Ｈ９０００ＮＡＲ）
加速電圧：３００ｋＶ
倍率：１００，０００倍
次に、得られたＴＥＭ像を用い、テープＴの長手方向に少なくとも１０点以上の位置で磁性層１の厚みを測定した後、それらの測定値を単純に平均（算術平均）して磁性層１の平均厚みを求める。なお、測定位置は、試験片から無作為に選ばれるものとする。

この磁性層１は、少なくとも磁性粉（粉状の磁性粒子）が配合された層として形成されている。この磁性層１は、公知の面内磁気記録方法、あるいは公知の垂直磁気記録方式を用いて、磁気によって磁性を変化させることにより信号の記録が行われる。前者の面内磁気記録方式では、例えば、磁化機能を発揮する金属磁性粉を配合した磁性層１に対してテープ長手方向に記録する。後者の垂直記録方式では、例えば、磁化機能を発揮するＢａＦｅ（バリウムフェライト）磁性粉などを配合した磁性層１に対してテープ１の垂直方向に磁気記録が行われる。いずれにしても、信号の記録は、磁気ヘッドＨから磁界が加えられることにより、磁性層１中の磁性粒子が磁化されることによって行われる。

磁性層１の磁性粉をなす磁性粒子は、例えば、ガンマヘマタイト、マグネタイト、二酸化クロム、コバルト被着酸化鉄、六方晶フェライト、バリウムフェライト（ＢａＦｅ）、Ｃｏフェライト、ストロンチウムフェライト、メタル（金属）、イプシロン型酸化鉄（ε酸化鉄）などを挙げることができ、特に狭く限定されない。なお、ε酸化鉄はＧａやＡｌのいずれかを含んでいてもよい。これらの磁性粒子については、磁性層１の製造方法、テープ規格、機能などに基づいて自由に選択される。

磁性粒子の形状は、磁性粒子のその結晶構造に依拠している。例えば、ＢａＦｅは六角板状、ε酸化鉄は球状、コバルトフェライトは立方状、メタルは紡錘状である。磁性層1は、テープＴの製造工程においてこれらの磁性粒子が配向される。なお、ＢａＦｅは、高温多湿環境でも抗磁力が落ちないなどの点からデータ記録の信頼性が高いため、本技術においても好適な磁性材料となり得る。

磁性粉は、例えば、ε酸化鉄を含有するナノ粒子（以下「ε酸化鉄粒子」という。）の粉末を含む。ε酸化鉄粒子は微粒子でも高保磁力を得ることができる。ε酸化鉄粒子に含まれるε酸化鉄は、テープＴの厚み方向（垂直方向）に優先的に結晶配向していることが好ましい。

ε酸化鉄粒子は、球状もしくはほぼ球状を有しているか、または立方体状もしくはほぼ立方体状を有している。ε酸化鉄粒子が上記のような形状を有しているため、磁性粒子としてε酸化鉄粒子を用いた場合、磁性粒子として六角板状のバリウムフェライト粒子を用いた場合に比べて、テープＴの厚み方向における粒子同士の接触面積を低減し、粒子同士の凝集を抑制することができる。したがって、磁性粉の分散性を高め、より良好なＳＮＲ（Signal-to-Noise Ratio）を得ることができる。

ε酸化鉄粒子は、コアシェル型構造を有する。具体的には、ε酸化鉄粒子は、コア部と、このコア部の周囲に設けられた２層構造のシェル部とを備える。２層構造のシェル部は、コア部上に設けられた第１シェル部と、第１シェル部上に設けられた第２シェル部とを備える。コア部は、ε酸化鉄を含む。コア部に含まれるε酸化鉄は、ε−Ｆｅ_２Ｏ_３結晶を主相とするものが好ましく、単相のε−Ｆｅ_２Ｏ_３からなるものがより好ましい。

第１シェル部は、コア部の周囲のうちの少なくとも一部を覆っている。具体的には、第１シェル部は、コア部の周囲を部分的に覆っていてもよいし、コア部の周囲全体を覆っていてもよい。コア部と第１シェル部の交換結合を十分なものとし、磁気特性を向上する観点からすると、コア部の表面全体を覆っていることが好ましい。

第１シェル部は、いわゆる軟磁性層であり、例えば、α−Ｆｅ、Ｎｉ−Ｆｅ合金またはＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金等の軟磁性体を含む。α−Ｆｅは、コア部２１に含まれるε酸化鉄を還元することにより得られるものであってもよい。第２シェル部は、酸化防止層としての酸化被膜である。第２シェル部は、α酸化鉄、酸化アルミニウムまたは酸化ケイ素を含む。α酸化鉄は、例えばＦｅ_３Ｏ_４、Ｆｅ_２Ｏ_３およびＦｅＯのうちの少なくとも１種の酸化鉄を含む。第１シェル部がα−Ｆｅ（軟磁性体）を含む場合には、α酸化鉄は、第１シェル部に含まれるα−Ｆｅを酸化することにより得られるものであってもよい。

ε酸化鉄粒子が、上述のように第１シェル部を有することで、熱安定性を確保するためにコア部単体の保磁力を大きな値に保ちつつ、ε酸化鉄粒子（コアシェル粒子）全体としての保磁力を記録に適した保磁力に調整できる。また、ε酸化鉄粒子が、上述のように第２シェル部を有することで、テープＴの製造工程およびその工程前において、ε酸化鉄粒子が空気中に暴露されて、粒子表面に錆び等が発生することにより、ε酸化鉄粒子の特性が低下することを抑制することができる。したがって、テープＴの特性劣化を抑制することができる。

ε酸化鉄粒子が２層構造のシェル部を有している場合について説明したが、ε酸化鉄粒子が単層構造のシェル部を有していてもよい。この場合、シェル部は、第１シェル部と同様の構成を有する。但し、ε酸化鉄粒子の特性劣化を抑制する観点からすると、上述した一実施形態におけるように、ε酸化鉄粒子が２層構造のシェル部を有していることが好ましい。

以上では、ε酸化鉄粒子がコアシェル構造を有している場合について説明したが、ε酸化鉄粒子が、コアシェル構造に代えて添加剤を含んでいてもよいし、コアシェル構造を有すると共に添加剤を含んでいてもよい。この場合、ε酸化鉄粒子のＦｅの一部が添加剤で置換される。ε酸化鉄粒子が添加剤を含むことによっても、ε酸化鉄粒子全体としての保磁力Ｈｃを記録に適した保磁力Ｈｃに調整できるため、記録容易性を向上することができる。添加剤は、鉄以外の金属元素、好ましくは３価の金属元素、より好ましくはＡｌ、ＧａおよびＩｎのうちの少なくとも１種、さらにより好ましくはＡｌおよびＧａのうちの少なくとも１種である。

具体的には、添加剤を含むε酸化鉄は、ε−Ｆｅ_２−ｘＭ_ｘＯ_３結晶（但し、Ｍは鉄以外の金属元素、好ましくは３価の金属元素、より好ましくはＡｌ、ＧａおよびＩｎのうちの少なくとも１種、さらにより好ましくはＡｌおよびＧａのうちの少なくとも１種である。ｘは、例えば０＜ｘ＜１である。）である。

磁性粉は、六方晶フェライトを含有するナノ粒子（以下「六方晶フェライト粒子」という。）の粉末を使用してもよい。六方晶フェライト粒子は、例えば、六角板状またはほぼ六角板状を有する。六方晶フェライトは、好ましくはＢａ、Ｓｒ、ＰｂおよびＣａのうちの少なくとも１種、より好ましくはＢａおよびＳｒのうちの少なくとも１種を含む。六方晶フェライトは、具体的には例えばバリウムフェライトまたはストロンチウムフェライトであってもよい。バリウムフェライトは、Ｂａ以外にＳｒ、ＰｂおよびＣａのうちの少なくとも１種をさらに含んでいてもよい。ストロンチウムフェライトは、Ｓｒ以外にＢａ、ＰｂおよびＣａのうちの少なくとも１種をさらに含んでいてもよい。

より具体的には、六方晶フェライトは、一般式ＭＦｅ_１２Ｏ_１９で表される平均組成を有する。但し、Ｍは、例えばＢａ、Ｓｒ、ＰｂおよびＣａのうちの少なくとも１種の金属、好ましくはＢａおよびＳｒのうちの少なくとも１種の金属である。Ｍが、Ｂａと、Ｓｒ、ＰｂおよびＣａからなる群より選ばれる１種以上の金属との組み合わせであってもよい。また、Ｍが、Ｓｒと、Ｂａ、ＰｂおよびＣａからなる群より選ばれる１種以上の金属との組み合わせであってもよい。上記一般式においてＦｅの一部が他の金属元素で置換されていてもよい。

磁性粉が六方晶フェライト粒子の粉末を含む場合、磁性粉の平均粒子サイズは、好ましくは５０ｎｍ以下、より好ましくは１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下、さらにより好ましくは１５ｎｍ以上３０ｎｍ以下である。磁性粉が六方晶フェライト粒子の粉末を含む場合、磁性粉の平均アスペクト比は上述の一実施形態と同様である。

磁性粉の平均粒子サイズおよび平均アスペクト比は、以下のようにして求められる。
まず、測定対象となるテープＴをＦＩＢ（Focused Ion Beam）法等により加工して薄片を作製し、ＴＥＭにより薄片の断面観察を行う。次に、撮影したＴＥＭ写真から５０個の磁性粉粒子を無作為に選び出し、各粒子の長軸長ＤＬを測定する。ここで、長軸長ＤＬとは、粒子の輪郭に接するように、あらゆる角度から引いた２本の平行線間の距離のうち最大のもの（いわゆる最大フェレ径）を意味する。続いて、測定した５０個の粒子のＤＬを単純に平均（算術平均）して平均長軸長ＤＬaveを求める。このようにして求めた平均長軸長ＤＬaveを磁性粉の平均粒子サイズとする。また、同様に最小の距離を測定し短軸長とし、５０個の粒子の短軸長ＤＳを単純に平均（算術平均）して平均短軸長ＤＳaveを求める。そして、平均長軸長ＤＬaveおよび平均短軸長ＤＳaveから次製粉の平均アスペクト比（ＤＬave／ＤＳave）を求める。

粒子が板状である場合は、板厚をＤＳとし上記同様に測定方向に板面の出ていない50個の粒子を無作為に選び、その最短軸ＤＳaveとし、平均体積は、以下の式により求められる。
平均体積＝３√３/８ｘＤＬaveｘＤＬaveｘＤＳave
粒子が球状である場合は、50個の粒子のDLを求め、平均体積は以下の式により求められる。
平均体積＝π/６ｘＤＬave^３
粒子が立方体である場合は、50個の粒子の辺の長さDLを求め、平均体積は以下の式により求められる。
平均体積＝ＤＬave^3

磁性粉は、Ｃｏ含有スピネルフェライトを含有するナノ粒子（以下「コバルトフェライト粒子」という。）の粉末を使用してもよい。コバルトフェライト粒子は、一軸異方性を有することが好ましい。コバルトフェライト粒子は、例えば、立方体状またはほぼ立方体状を有している。Ｃｏ含有スピネルフェライトが、Ｃｏ以外にＮｉ、Ｍｎ、Ａｌ、ＣｕおよびＺｎのうちの少なくとも１種をさらに含んでいてもよい。

Ｃｏ含有スピネルフェライトは、例えば以下の式（１）で表される平均組成を有する。
Ｃｏ_ｘＭ_ｙＦｅ_２Ｏ_Ｚ ・・・（１）
（但し、式（１）中、Ｍは、例えば、Ｎｉ、Ｍｎ、Ａｌ、ＣｕおよびＺｎのうちの少なくとも１種の金属である。ｘは、０．４≦ｘ≦１．０の範囲内の値である。ｙは、０≦ｙ≦０．３の範囲内の値である。但し、ｘ、ｙは（ｘ＋ｙ）≦１．０の関係を満たす。ｚは３≦ｚ≦４の範囲内の値である。Ｆｅの一部が他の金属元素で置換されていてもよい。）

磁性粉がコバルトフェライト粒子の粉末を含む場合、磁性粉の平均粒子サイズは、好ましくは２５ｎｍ以下、より好ましくは２３ｎｍ以下である。磁性粉がコバルトフェライト粒子の粉末を含む場合、磁性粉の平均アスペクト比は上述の一実施形態と同様である。また、磁性粉の平均アスペクト比も上述と同様にして求められる。

磁性粉の平均粒子サイズ（平均最大粒子サイズ）は、好ましくは２２ｎｍ以下、より好ましくは８ｎｍ以上２２ｎｍ以下、さらにより好ましくは１２ｎｍ以上２２ｎｍ以下である。 磁性粉の平均アスペクト比が、好ましくは１以上２．５以下、より好ましくは１以上２．１以下、さらにより好ましくは１以上１．８以下である。磁性粉の平均アスペクト比が１以上２．５以下の範囲内であると、磁性粉の凝集を抑制することができると共に、磁性層１の形成工程において磁性粉を垂直配向させる際に、磁性粉に加わる抵抗を抑制することができる。したがって、磁性粉の垂直配向性を向上することができる。

この磁性層１には、通常、該磁性層１の強度や耐久性を高めるための非磁性の添加剤が含まれている。例えば、磁性層１には、結着剤、分散剤、研磨剤などが必要に応じて配合されている。この磁性層１は、磁性粉とこれらの選択された添加剤が配合された磁性塗料として準備され、下の層に対して塗布により形成されることになる。

磁性層１に配合される前記結着剤としては、ポリウレタン系樹脂、塩化ビニル系樹脂等に架橋反応を付与した構造の樹脂が好ましい。しかしながら結着剤はこれらに限定されるものではなく、テープＴに対して要求される物性等に応じて、その他の樹脂を適宜配合してもよい。配合する樹脂としては、通常、塗布型のテープＴにおいて一般的に用いられる樹脂であれば、特に限定されない。

例えば、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル−アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル−アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル−塩化ビニル−塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル−アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル−アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル−塩化ビニリデン共重合体、メタクリル酸エステル−塩化ビニリデン共重合体、メタクリル酸エステル−塩化ビニル共重合体、メタクリル酸エステル−エチレン共重合体、ポリ弗化ビニル、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、ポリアミド樹脂、ポリビニルブチラール、セルロース誘導体（セルロースアセテートブチレート、セルロースダイアセテート、セルローストリアセテート、セルロースプロピオネート、ニトロセルロース）、スチレンブタジエン共重合体、ポリエステル樹脂、アミノ樹脂、合成ゴム等が挙げられる。また、熱硬化性樹脂、または反応型樹脂の例としては、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、アルキッド樹脂、シリコーン樹脂、ポリアミン樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂等が挙げられる。

また、上述した各結着剤には、磁性粉の分散性を向上させる目的で、−ＳＯ_３Ｍ、−ＯＳＯ_３Ｍ、−ＣＯＯＭ、Ｐ＝Ｏ（ＯＭ）_２等の極性官能基が導入されていてもよい。ここで、式中Ｍは、水素原子、またはリチウム、カリウム、ナトリウム等のアルカリ金属である。さらに、極性官能基としては、−ＮＲ１Ｒ２、−ＮＲ１Ｒ２Ｒ３^＋Ｘ⁻の末端基を有する側鎖型のもの、＞ＮＲ１Ｒ２^＋Ｘ⁻の主鎖型のものが挙げられる。ここで、式中Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は、水素原子、または炭化水素基であり、Ｘ⁻は弗素、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン元素イオン、または無機もしくは有機イオンである。また、極性官能基としては、−ＯＨ、−ＳＨ、−ＣＮ、エポキシ基等も挙げられる。

磁性層１の潤滑剤は、下記の一般式（１）で示される化合物、および下記の一般式（２）で示される化合物を含むことが好ましい。潤滑剤がこれらの化合物を含むことで、磁性層１の表面の動摩擦係数を特に低減することができる。したがって、テープＴの走行性をさらに向上することができる。

ＣＨ_３（ＣＨ_２）_ｎＣＯＯＨ ・・・（１）
（但し、一般式（１）において、ｎは１４以上２２以下の範囲から選ばれる整数である。）
ＣＨ_３（ＣＨ_２）_ｐＣＯＯ（ＣＨ_２）_ｑＣＨ_３ ・・・（２）
（但し、一般式（２）において、ｐは１４以上２２以下の範囲から選ばれる整数であり、ｑは２以上５以下の範囲から選ばれる整数である。）

磁性層１は、添加剤として非磁性補強粒子として、酸化アルミニウム（α、βまたはγアルミナ）、酸化クロム、酸化珪素、ダイヤモンド、ガーネット、エメリー、窒化ホウ素、チタンカーバイト、炭化珪素、炭化チタン、酸化チタン（ルチル型またはアナターゼ型の酸化チタン）等をさらに含んでいてもよい。

本技術では、この磁性層１の表面１ａに対してナノオーダーの微小な凹部構造が形成される。具体的には、本技術は、所定の深さ以上の深さを備える凹部を単位面積当たり所定個数以上となるように、積極的、あるいは意図的に配設したことを一つの特徴となしている。この凹部１１は、磁性層１の表面にその組成材料に起因して自然に形成される、より極微小な粗面構造とは明確に区別できるサイズを有している。

なお、本技術では、磁性層１を塗工（塗布）によって形成する例が開示されているが、この磁性層１を蒸着などの真空製膜法その他の製法によって磁性層１が形成された場合においても、該磁性層１の表面に凹部１１を形成してもよい。

ここで、図３、図４を参照して、磁性層１に凹部１１を形成する理由や目的について説明する。図３は、磁気ヘッド上を一般的な磁気記録テープが理想的に走行する様子を示す図、図４は、磁気ヘッド上を一般的な磁気記録テープが走行する際に生じる問題（課題）を説明するための模式図である。

まず、図３に示されているように、テープＴの最上層に位置する磁性層１は、磁気記録装置（図示せず。）内に設けられている磁気ヘッドＨに対向する層である。該磁気ヘッドＨからの磁気によって磁性層１の磁性が変化させられて信号の記録が行われ、また、磁気ヘッドＨがその磁性の変化を読み取ることで信号記録の再生が行われる。なお、本技術においては、磁気ヘッドＨの種類は、特に狭く限定されない。

理想のテープＴの走行は、繰り返し走行されるときにも、磁気ヘッドＨとの距離が極力狭い状態を維持しながら安定的に高速走行することである。磁気ヘッドＨとテープＴの間が過剰に大きな距離になってしまうと、いわゆるスペーシング現象となり、磁気ヘッドＨに対するテープＴの好適なコンタクト状態が維持できず、オフトラック現象等によってテープの磁気記録又は再生の特性を悪化させてしまうことになる。

一方、磁気ヘッドＨに対するテープＴの接触が強すぎると、繰り返しの使用により摩擦が次第に上昇し、これによりテープＴを変形させるなどの問題が発生してしまう。この問題によりテープの磁気記録又は再生の特性を悪化させてしまうことになる。

図４は、本発明者らが見出した新しい技術上の課題を説明するための模式図である。この図４に示されているように、テープＴが磁気ヘッドＨへ侵入したその直後の領域において、テープＴがやや浮いた状態となって「空気溜り部」(符号Ａで示す)が形成されてしまう現象が発生し得る。

この空気溜り部Ａやこの空気溜り部Ａに内包されている空気は、テープＴが走行している最中に磁気ヘッドＨ上にずっと残留してしまう傾向がある。そして、この空気溜りＡに内包された空気が、磁気ヘッドＨとテープＴの間にスペーシング現象の発生を誘発する。あるいは、この空気溜りＡによって磁気ヘッドＨ上のテープＴの走行が不安定化し、これにより磁気ヘッドＨに対する接触が強くなって摩擦上昇を生む原因となる。

本技術において、磁性層１の表面１ａに広く均一に配設された多数の凹部１１は、上記空気溜りＡに存在する空気を収容するために設けられている。図５は、磁性層１の表面の凹部の概念を説明するための簡易な模式図である。

この図５、そして図２にも示されているように、磁性層１の表面１ａには下方側（非磁性層２側）へ向けて凹んだ形状を備える微小な凹部１１が広く均一に形成されている。この凹部１１の一つ一つが、上記空気溜りＡ（図４参照）の空気を収容する空間として機能している。また、一つの凹部１１の容積、並びに、テープの表面に存在する凹部１１の総容積、特には任意の時点におけるテープＴと磁気ヘッドＨとの接触面に存在する凹部１１の総容積は、その空気収容量に密接に関係している。

磁性層１の表面１ａに多数形成された微小な該凹部１１が設けられたテープＴは、空気溜りＡ（図３再参照）の空気を該凹部１１の中に収容しながら走行することができる。換言すると、磁性層１に設けられた凹部１１は、空気の逃げ場所として機能する。このことは、磁気ヘッドＨとテープＴに働く負圧を制御することにもなる。これにより、この空気溜りＡによって生じるスペーシング現象を抑制するとともに、テープＡが磁気ヘッドＨ上を繰り返し走行する際に生じる摩擦の上昇を抑制し、ひいてはテープＴのＳＮ特性を維持または向上させることができる。

ここで、この凹部１１の（最深部の）深さＤ１（図５参照）は、本技術に係る検証に基づくと７．８ｎｍ以上が好適であり、さらには１０ｎｍ以上がより好適である。凹部１１の深さが７．８ｎｍ未満となってしまうと、空気溜りＡに存在する空気を収容する空間として機能し難くなってしまうからである。

さらに、磁性層１の全厚Ｄ２との関係で、凹部１１が該全厚Ｄ２に対してどのくらいの深さがあるかということも重要である。具体的には、磁性層１の全厚Ｄ２（図５参照）との相対関係において、凹部１１の深さは、凹部１１の深さＤ１値を磁性層１の全厚Ｄ２値を除した割合値、すなわち、Ｄ１／Ｄ２値が少なくとも１５％以上であることが望ましく、さらには、このＤ１／Ｄ２値が２０％以上であることがより好適である。

磁性層１の全厚Ｄ２に対するＤ１の深さの割合が１５％未満であると、上記空気溜りＡに存在する空気を収容する機能が低下し、一方、同割合が５０％を超えてしまうと、磁性層１の厚みが薄くなり過ぎる箇所が発生し、この磁性層１自体の機能に悪影響が生じる可能性があるので望ましくない。

磁性層１の表面１ａにおける凹部１１の個数も上記した空気を収容するための凹部１１の全容積との関係から重要である。例えば、テープＴの所定面積：８０μｍ×８０μｍ＝６，４００μｍ^２を単位面積（テープＴが静止時の磁気ヘッドＨとの接触面積に相当）として規定した場合、磁性層１の全厚Ｄ２に対する凹部１１の深さが１５％である場合には、前記単位面積に対して１２０個以上が望ましい。また、磁性層１の全厚Ｄ２に対する凹部１１の深さが２０％である場合には、前記単位面積に対して６０個以上の個数が好適である。これらの個数を有する場合には、空気溜りＡに存在する空気を充分に収容可能な凹部１１の全容積を確保することができる。
本技術の好ましい実施態様に従い、前記磁性層に、当該磁性層の厚みの２０％以上である凹部が複数形成されており、且つ、当該凹部の個数が、前記磁性層の６，４００μｍ^２の表面積あたり好ましくは５５個以上であり、より好ましくは６０個以上でありうる。当該個数以上の当該凹部を有することが、ヘッド動摩擦係数を抑制すること寄与する。

磁性層１は、磁性粒子が垂直配向されていてもよい。一般に、垂直配向の場合、テープＴと磁気ヘッドＨとの摩擦が上昇し易い。その理由は、垂直配向により磁性粒子が一方向に整列するため、磁性粒子レベルの表面形状が平滑化するからである。本技術のように、磁性層１に凹部１１を広く均一に形成しておくことで、該磁性層１が垂直配向された場合であってもテープＴが多数回にわたり繰り返し使用されても、摩擦の上昇を抑えることができる。例えば、反磁界補正なしの垂直配向度が６５％以上の磁性層１を備えるテープであっても本技術の有利な効果を得ることができる。

テープＴの動摩擦係数。走行時にテープＴに加わる張力が１．２Ｎであるときの磁性層１の表面と磁気ヘッドＨの間の動摩擦係数μ_Ａと、テープＴに加わる張力が０．４Ｎであるときの磁性層１の表面と磁気ヘッドＨの間の動摩擦係数μ_Ｂとの比率（μ_Ｂ／μ_Ａ）が、好ましくは１．０以上で２．０以下であると、走行時の張力変動による動摩擦係数の変化を小さくできるためテープの走行を安定させることができる。テープＴに加わる張力が０．６であるときの磁性層１の表面と磁気ヘッドの間の動摩擦係数μ_Ａが走行５回目の値μ５と１０００回目の値μ１０００との比率（μ₁₀₀₀／μ₅）が、好ましくは１．０以上２．０以下、より好ましくは１．０以上１．７以下である。比率（μ_Ｂ／μ_Ａ）が１．０以上２．０以下であると、多数回走行による動摩擦係数の変化を小さくできるためテープの走行を安定させることができる。

本技術の好ましい実施態様に従う磁気記録テープは、当該テープに含まれる磁性層の表面に凹部が複数配設されており、前記凹部の深さＤ１を前記磁性層の厚さＤ２で除した値が１５％以上であり、前記磁性層は垂直配向であり、反磁界補正なし条件の垂直配向度が６５％以上であり、且つ、前記磁性層に、当該磁性層の厚みの２０％以上である凹部が複数形成されており、且つ、当該凹部の個数が、前記磁性層の６，４００μｍ^２の表面積あたり５５個以上でありうる。この磁性層によって、低いヘッド動摩擦係数及び良好なＳＮＲ比を磁気記録テープに付与することができる。当該磁性層を有する磁気記録テープは、４ｍ/秒以上で走行される記録又は再生に特に適している。

本技術の他の実施態様に従い、磁気記録テープは、磁性層を少なくとも含む複層構造を備えており、該テープの全厚が５．６μｍ以下であり、前記磁性層の表面に凹部が複数配設されており、前記凹部の深さＤ１を前記磁性層の厚さＤ２で除した値が１５％以上であり、且つ、前記磁性層は垂直配向であり、反磁界補正なし条件の垂直配向度が６５％以上であってよい。
本技術のさらに他の実施態様に従い、磁気記録テープは、磁性層を少なくとも含む複層構造を備えており、該テープの全厚が５．６μｍ以下であり、前記磁性層の表面に凹部が複数配設されており、前記凹部の深さＤ１を前記磁性層の厚さＤ２で除した値が１５％以上であり、前記磁性層は垂直配向であり、反磁界補正なし条件の垂直配向度が６５％以上であり、且つ、前記磁性層の垂直方向の配向度と長手方向の配向度との比が２以上であってよい。
本技術のさらに他の実施態様に従い、該テープの全厚が５．６μｍ以下であり、前記磁性層の表面に凹部が複数配設されており、前記凹部の深さＤ１を前記磁性層の厚さＤ２で除した値が１５％以上であり、前記磁性層は垂直配向であり、反磁界補正なし条件の垂直配向度が６５％以上であり、且つ、前記凹部の深さＤ１が、７．８ｎｍ以上であってよい。
このような構成を有する磁気記録テープによっても、低いヘッド動摩擦係数及び良好なＳＮＲ比を達成することができる。

（２−２）非磁性層。
次に、磁性層１の下部に設けられる非磁性層２（図１参照）は、中間層や下地層とも称される場合がある。この非磁性層２は、磁性層１に対する磁力の作用を該磁性層１に留める目的や、磁性層１に求められる平坦性を確保するために設けられる層である。また、この非磁性層２は、磁性層１に添加される潤滑剤や非磁性層２自体に添加される潤滑剤を保持する役割も果たしている。

この非磁性層２は、非磁性粉および結着剤を含む非磁性の層である。非磁性層２が、必要に応じて、潤滑剤、導電性粒子、硬化剤および防錆剤等のうちの少なくとも１種の添加剤をさらに含んでいてもよい。非磁性粉は、例えば無機粒子粉または有機粒子粉の少なくとも１種を含む。また、非磁性粉は、カーボンブラック等の炭素材料を含んでいてもよい。なお、１種の非磁性粉を単独で用いてもよいし、２種以上の非磁性粉を組み合わせて用いてもよい。無機粒子は、例えば、金属、金属酸化物、金属炭酸塩、金属硫酸塩、金属窒化物、金属炭化物または金属硫化物等を含む。非磁性粉の形状としては、例えば、針状、球状、立方体状、板状等の各種形状が挙げられるが、これに限定されるものではない。結着剤は、上述の磁性層１と同様である。

この非磁性層２の平均厚みは、好ましくは０．６μｍ以上２．０μｍ以下、より好ましくは０．８μｍ以上１．４μｍ以下である。なお、非磁性層２の平均厚みは、磁性層１の平均厚みと同様にして求められる。但し、ＴＥＭ像の倍率は、非磁性層２の厚みに応じて適宜調整される。０．６μｍ未満であると、磁性層１や非磁性層２自体に配合される 添加剤（例えば、潤滑剤）の保持機能が失われてしまい、一方２．０μｍを超える厚みになると、テープＴの全厚が過剰に厚くなってしまい、テープＴを薄くして高記録容量化を追求する流れに逆行する。

この非磁性層２は、次に説明する「ベースフィルム層３」の上に塗布によって形成することができる。この非磁性層２は、目的や必要に応じて複層構造としてもよい。この非磁性層２は、非磁性材料を使用することが重要である。その理由は、磁性層１以外が磁化してしまうとノイズの発生源となってしまうからである。

非磁性層２に使用される非磁性材料は、無機物質でも有機物質でもよい。無機物質の例としては、オキシ水酸化鉄、ヘマタイト、酸化チタン、カーボンラック、金属窒化物、金属硫化物などを使用できる。場合によっては、これらの非磁性材料にその他の添加剤を配合してもよい。非磁性材料（非磁性粉）の形状は、例えば、針状、球状、立方体状、板状などの各種形状が挙げられるが、狭く限定されない。

(２−３）ベースフィルム層。
次に、図１、図２に示されたベースフィルム層３は、テープＴの土台となる層としての機能を主に果たしている。ベースフィルム層３は、単にベース層、あるいは非磁性支持体とも称される。ベースフィルム層３は、非磁性層２、この上層の磁性層１を支持する非磁性の支持体である。このベースフィルム層３は、長尺のフィルム状を有している。該ベースフィルム層３の平均厚みの上限値は、４．５μｍ未満、より好ましくは４．２μｍ以下、より好ましくは３．８μｍ以下、さらにより好ましくは３．４μｍ以下である。ベースフィルム層の平均厚みの上限値が４．２μｍ以下であると、１データカートリッジ内に記録できる記録容量を一般的な磁気記録媒体よりも高めることができる。なお、ベースフィルム層３の下限の厚みは、フィルムの製膜上の限界や当該ベースフィルム層３の機能の観点から定められる。

ベースフィルム層３の平均厚みは、以下のようにして求めることができる。まず、１／２インチ幅のテープＴを準備し、それを２５０ｍｍの長さに切り出し、サンプルを作製する。続いて、サンプルのベースフィルム層３以外の層（すなわち非磁性層１２、磁性層１およびバック層４）をＭＥＫ（メチルエチルケトン）または希塩酸等の溶剤で除去する。次に、測定装置としてMitsutoyo社製レーザーホロゲージを用いて、サンプル（ベースフィルム層３）の厚みを５点以上の位置で測定し、それらの測定値を単純に平均（算術平均）して、ベースフィルム層３の平均厚みを算出する。なお、測定位置は、サンプルから無作為に選ばれるものとする。

ベースフィルム層３は、例えば、ポリエステル類、ポリオレフィン類、セルロース誘導体、ビニル系樹脂、およびその他の高分子樹脂のうちの少なくとも１種を含む。ベースフィルム層３が上記材料のうちの２種以上を含む場合、それらの２種以上の材料は混合されていてもよいし、共重合されていてもよいし、積層されていてもよい。ポリエステル類は、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）、ＰＢＮ（ポリブチレンナフタレート）、ＰＣＴ（ポリシクロヘキシレンジメチレンテレフタレート）、ＰＥＢ（ポリエチレン−ｐ−オキシベンゾエート）およびポリエチレンビスフェノキシカルボキシレートのうちの少なくとも１種を含む。ポリオレフィン類は、例えば、ＰＥ（ポリエチレン）およびＰＰ（ポリプロピレン）のうちの少なくとも１種を含む。セルロース誘導体は、例えば、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、ＣＡＢ（セルロースアセテートブチレート）およびＣＡＰ（セルロースアセテートプロピオネート）のうちの少なくとも１種を含む。ビニル系樹脂は、例えば、ＰＶＣ（ポリ塩化ビニル）およびＰＶＤＣ（ポリ塩化ビニリデン）のうちの少なくとも１種を含む。その他の高分子樹脂は、例えば、ＰＡ（ポリアミド、ナイロン）、芳香族ＰＡ（芳香族ポリアミド、アラミド）、ＰＩ（ポリイミド）、芳香族ＰＩ（芳香族ポリイミド）、ＰＡＩ（ポリアミドイミド）、芳香族ＰＡＩ（芳香族ポリアミドイミド）、ＰＢＯ（ポリベンゾオキサゾール、例えばザイロン（登録商標））、ポリエーテル、ＰＥＫ（ポリエーテルケトン）、ポリエーテルエステル、ＰＥＳ（ポリエーテルサルフォン）、ＰＥＩ（ポリエーテルイミド）、ＰＳＦ（ポリスルフォン）、ＰＰＳ（ポリフェニレンスルフィド）、ＰＣ（ポリカーボネート）、ＰＡＲ（ポリアリレート）およびＰＵ（ポリウレタン）のうちの少なくとも１種を含む。このベースフィルム層３の材料は、特に狭く限定はされないが、テープの規格によって定められる場合がある。例えば、ＬＴＯ規格では、ＰＥＮが指定されている。

（２−４）バック層。
図１、図２に示されたバック層４は、テープＴが磁気ヘッドに対向しながら高速走行する際に発生する摩擦を制御する役割、巻き乱れを防止する役割などを担っている。すなわち、バック層４は、テープＴを高速で安定走行させるための基本的な役割を担っている。

バック層４は、結着剤および非磁性粉を含む。バック層４は、必要に応じて潤滑剤、硬化剤および帯電防止剤等のうちの少なくとも１種の添加剤をさらに含んでいてもよい。結着剤および非磁性粉は、上述の非磁性層１２の場合と同様である。

非磁性粉の平均粒子サイズは、好ましくは１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下、より好ましくは１５ｎｍ以上１１０ｎｍ以下である。非磁性粉の平均粒子サイズは、上記の磁性粉の平均粒子サイズと同様にして求められる。非磁性粉が、２以上の粒度分布を有する非磁性粉を含んでいてもよい。

バック層４の平均厚みの上限値は、好ましくは０．６μｍ以下である。バック層４の平均厚みの上限値が０．６μｍ以下であると、テープＴの平均厚みが５．６μｍである場合でも、非磁性層２やベースフィルム層３の厚みを厚く保つことができる。これにより、テープＴの記録再生装置内での走行安定性を保つことができる。バック層４の平均厚みの下限値は特に限定されるものではないが、例えば、０．２μｍ以上である。

バック層４の平均厚みは、以下のようにして求めることができる。まず、１／２インチ幅のテープＴを準備し、それを２５０ｍｍの長さに切り出し、サンプルを作製する。次に、測定装置としてMitsutoyo社製レーザーホロゲージを用いて、サンプルの厚みを５点以上で測定し、それらの測定値を単純に平均（算術平均）して、テープＴの平均値ｔ_Ｔ［μｍ］を算出する。なお、測定位置は、サンプルから無作為に選ばれるものとする。続いて、サンプルのバック層４をＭＥＫ（メチルエチルケトン）または希塩酸等の溶剤で除去する。その後、再び上記のレーザーホロゲージを用いてサンプルの厚みを５点以上で測定し、それらの測定値を単純に平均（算術平均）して、バック層４を除去したテープＴの平均値ｔ_Ｂ［μｍ］を算出する。なお、測定位置は、サンプルから無作為に選ばれるものとする。その後、以下の式よりバック層４の平均厚みｔ_ｂ［μｍ］を求める。
ｔ_ｂ［μｍ］＝ｔ_Ｔ［μｍ］−ｔ_Ｂ［μｍ］

このバック層４の厚みは、１００ｎｍ以上が望ましい。１００ｎｍ未満であると、電気抵抗が高くなり、磁気ヘッドＨとの相性が悪くなってしまうという問題が発生してしまう。上限の厚みについては、バック層３の機能を発揮できる最低限の厚み、特に、テープＴの記録再生装置内での高速安定走行に必要十分な厚みが確保されていればよいのであって、この観点で、１μｍ以上の厚みにする必要は特にない。

バック層４は、結着剤および非磁性粉を含んだ組成で形成し、必要に応じて、潤滑剤、硬化剤を加えてもよい。また、帯電防止剤を添加し、このバック層４に帯電防止機能を持たせて、ゴミや埃の付着を防止してもよい。

本技術では、このバック層４の表面４ａに、ナノオーダーの微小な凸部（突起状部）４１を多数配設しておくようにする（図２参照）。この凸部４１は、磁性層１の表面１ａに上述した凹部１１を形成するために使用される。この目的を果たすため、該凸部４１に関しては、所定以上の高さであることやテープの単位面積当たりの必要な個数が要求されることになる（後述）。

図６は、テープＴの磁性層１の表面１ａに対して、バック層４の凸部４１を転写することによって凹部１１が形成される様子を示す模式拡大図である。この図６が示すように、テープ１の磁性層１の表面１ａをバック層４の表面１ａに対向させて押し付けるようにする（図６（ａ）参照）。所定時間押し付けた後に、磁性層１をバック層４から引き離すと、磁性層１の表面に凹部１１が転写されて残る（図６（ｂ）参照）。すなわち、本技術において、最上層の磁性層に設けられた前記凹部は、最下層に設けられたバック層の表面に形成された凸部を押し付けることによって形成されたものであってよい。

例えば、磁性層１を塗工した後に、まだ未乾燥状態にある磁性層１を有するテープ１をロール（巻芯）に巻き付ける。そうすると、必然的に一つ外側に巻き付いてきたテープ１のバック層４の凸部４１を備える表面４ａが、磁性層１の表面１ａに押し付けられる（締め付けられる）。この時の押し付け圧力を利用して、磁性層１の表面１ａに対して凹部１１を転写させることができる。

バック層４の凸部４１は、例えば、カーボン粒子の小さい粒径サイズの粒子（以下、小粒子）と、それよりも相対的に大きな粒径サイズのカーボン粒子（以下、大粒子）を所定の割合で混合することによって形成することができる。バック層４の表面に凹凸構造を形成し、その構造の凸部４１部分を磁性層１に凹部１１を形成するために利用する。なお、大粒子については、アルミナ、シリカ、酸化チタンなどの材料を使用してもよい。

ここで、小粒子は、平均粒径が１５〜３０ｎｍの範囲の粒子であって、一方の大粒子は、平均粒径が２００〜３５０ｎｍの範囲の粒子を選択することが好適である。小粒子と大粒子の粒径差は、１７０〜３３５ｎｍの範囲が必要である。この大粒子と小粒子の平均粒径の差が少なすぎるとバック層４における凹凸が平坦化してしまうため、磁性層１に対して凹部１１を形成することが困難となる。一方、大粒子と小粒子の平均粒径差が大きすぎると、凹凸構造が極端になり過ぎて、凹部１１の深さが過剰になってしまうなどの問題が生じる。

また、大粒子及び小粒子を混合したときの組成割合も重要である。大粒子１０〜２０質量％に対して、小粒子を８０〜９０質量％配合することが望ましい。大粒子を１０質量％未満にすると、凸部４１の形成が不充分となり、大粒子が２０質量％を超えると、凸部４１が多くなりすぎて（谷部が少なくなり過ぎて）、磁性層１に凹部１１が形成され難くなってしまう。

凸部４１の高さは、磁性層１に対して目的のサイズの深さの凹部１１を形成できる高さであればよく、狭く限定はされないが、例えば、４０ｎｍ以上、より好適には６０ｎｍ以上の高さが望ましい。４０ｎｍ未満の高さであると、凸部４１が磁性層１の表面に刺さり難くなり、凹部１１が形成されにくくなってしまう。なお、この程度の高さの凸部４１であれば、転写工程後にバック層４の表面を平滑化処理する必要性も特にない。

また、高さが６０ｎｍ以上である凸部４１の個数が、例えば、バック層４の単位面積８０μｍ×８０μｍ＝６，４００μｍ^２で規定した場合に、３０個以上であると、磁性層１の表面に対して広く均一に凹部１１を形成できるので望ましい。

（３）本技術に係るテープＴの基本的な製造方法について。
次に、上述の構成を有するテープＴの製造方法について説明する（図７参照）。

（塗料調製工程）。
まず、非磁性粉、結着剤および潤滑剤等を溶剤に混練及び／又は分散させることにより、非磁性層形成用塗料を調製する。次に、磁性粉、結着剤および潤滑剤等を溶剤に混練及び／又は分散させることにより、磁性層形成用塗料を調製する。次に、結着剤および非磁性粉等を溶剤に混練及び／又は分散させることにより、バック層形成用塗料を調製する。磁性層形成用塗料、非磁性層形成用塗料およびバック層形成用塗料の調製には、例えば、以下の溶剤、分散装置および混練装置を用いることができる。

上述の塗料調製に用いられる溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、メタノール、エタノール、プロパノール等のアルコール系溶媒、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸プロピル、乳酸エチル、エチレングリコールアセテート等のエステル系溶媒、ジエチレングリコールジメチルエーテル、２−エトキシエタノール、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、メチレンクロライド、エチレンクロライド、四塩化炭素、クロロホルム、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素系溶媒等が挙げられる。これらは単独で用いてもよく、適宜混合して用いてもよい。

上述の塗料調製に用いられる混練装置としては、例えば、連続二軸混練機、多段階で希釈可能な連続二軸混練機、ニーダー、加圧ニーダー、ロールニーダー等の混練装置を用いることができるが、特にこれらの装置に限定されるものではない。また、上述の塗料調製に用いられる分散装置としては、例えば、ロールミル、ボールミル、横型サンドミル、縦型サンドミル、スパイクミル、ピンミル、タワーミル、パールミル（例えばアイリッヒ社製「ＤＣＰミル」等）、ホモジナイザー、超音波分散機等の分散装置を用いることができるが、特にこれらの装置に限定されるものではない。

例えば、磁性層形成用塗料を以下のようにして調製する。まず、下記配合の第１組成物をエクストルーダで混練する。次に、ディスパーを備えた攪拌タンクに、混練した第１組成物と、下記配合の第２組成物を加えて予備混合を行なう。続いて、さらにサンドミル混合を行い、フィルター処理を行い、磁性層形成用塗料を調製する。

（第１組成物）
バリウムフェライト（ＢａＦｅ_１２Ｏ_１９）粒子の粉末（六角板状、アスペクト比２．８、粒子体積１９５０ｎｍ^３）：１００質量部
塩化ビニル系樹脂（シクロヘキサノン溶液３０質量％）：１０質量部
（重合度３００、Ｍｎ＝１００００、極性基としてＯＳＯ_３Ｋ＝０．０７ｍｍｏｌ／ｇ、２級ＯＨ＝０．３ｍｍｏｌ／ｇを含有する。）
酸化アルミニウム粉末：５質量部
（α−Ａｌ_２Ｏ_３、平均粒径０．２μｍ）
カーボンブラック：２質量部
（東海カーボン社製、商品名：シーストＴＡ）

（第２組成物）
塩化ビニル系樹脂：１．１質量部
（樹脂溶液：樹脂分３０質量％、シクロヘキサノン７０質量％）
ｎ−ブチルステアレート：２質量部
メチルエチルケトン：１２１．３質量部
トルエン：１２１．３質量部
シクロヘキサノン：６０．７質量部

最後に、上述のようにして調製した磁性層形成用塗料に、硬化剤として、ポリイソシアネート（商品名：コロネートＬ、日本ポリウレタン社製）：４質量部と、ミリスチン酸：２質量部とを添加する。

次に、非磁性層用塗料の調製工程は、以下のようにして調製することができる。
まず、下記配合の第３組成物をエクストルーダで混練する。次に、ディスパーを備えた攪拌タンクに、混練した第３組成物と、下記配合の第４組成物を加えて予備混合を行う。続いて、さらにサンドミル混合を行い、フィルター処理を行い、非磁性層形成用塗料を調製する。

（第３組成物）
針状酸化鉄粉末：１００質量部
（α−Ｆｅ_２Ｏ_３、平均長軸長０．１５μｍ）
塩化ビニル系樹脂：５５．６質量部
（樹脂溶液：樹脂分３０質量％、シクロヘキサノン７０質量％）
カーボンブラック：１０質量部
（平均粒径２０ｎｍ）

（第４組成物）
ポリウレタン系樹脂ＵＲ８２００（東洋紡績製）：１８．５質量部
ｎ−ブチルステアレート：２質量部
メチルエチルケトン：１０８．２質量部
トルエン：１０８．２質量部
シクロヘキサノン：１８．５質量部

最後に、上述のようにして調製した非磁性層形成用塗料に、硬化剤として、ポリイソシアネート（商品名：コロネートＬ、日本ポリウレタン社製）：４質量部と、ミリスチン酸：２質量部とを添加する。

（バック層形成用塗料の調製工程）
バック層形成用塗料を以下のようにして調製した。下記原料を、ディスパーを備えた攪拌タンクで混合を行い、フィルター処理を行うことで、バック層形成用塗料を調製した。
カーボンブラック粒子の粉末（平均粒径２０ｎｍ）：９０質量部
カーボンブラック粒子の粉末（平均粒径２７０ｎｍ）：１０質量部
ポリエステルポリウレタン：１００質量部
（日本ポリウレタン社製、商品名：Ｎ−２３０４）
メチルエチルケトン：５００質量部
トルエン：４００質量部
シクロヘキサノン：１００質量部
なお、カーボンブラック粒子の粉末（平均粒径２０ｎｍ）を８０質量部、同粉末（平均粒径２７０ｎｍ）：２０質量部としてもよい。カーボンブラック粒子の粉末（平均粒径２７０ｎｍ）を１００質量部とするのはベック層４への凸部形成の観点で好ましくない。

（塗布工程）。
次に、非磁性層形成用塗料をベースフィルム層３の一方の主面に塗布して乾燥（硬化）させることにより、非磁性層２を形成する。続いて、この非磁性層２上に磁性層形成用塗料を塗布して乾燥させることにより、磁性層１を非磁性層２上に形成する。なお、乾燥の際に、例えばソレノイドコイルにより、磁性粉をベースフィルム層３の厚み方向に磁場配向させることが好ましい。また、乾燥の際に、例えばソレノイドコイルにより、磁性粉をベースフィルム層３の走行方向（長手方向）に磁場配向させたのちに、ベースフィルム層３の厚み方向に磁場配向させるようにしてもよい。磁性層１の形成後、バック層形成用塗料をベースフィルム層３の他方の主面に塗布して乾燥させることにより、バック層４を形成する。これにより、テープＴが得られる。

上述のようにして調製した磁性層形成用塗料および非磁性層形成用塗料を用いて、ベースフィルム層をなす長尺のポレエチレンナフタレートフィルム（以下「ＰＥＮフィルム」という。）の一方の主面上に平均厚み１．０μｍ〜１．１μｍの非磁性層２および平均厚み４０ｎｍ〜１００ｎｍの磁性層１を以下のようにして形成する。まず、ＰＥＮフィルムの一方の主面上に非磁性層形成用塗料を塗布及び乾燥させることにより、非磁性層２を形成する。次に、非磁性層２上に磁性層形成用塗料を塗布及び乾燥させることにより、磁性層１を形成する。

なお、磁性層形成用塗料の乾燥の際に、ソレノイドコイルにより、磁性粉をフィルムの厚み方向に磁場配向させる。角形比（配向度）は、例えばソレノイドコイルから出る磁界の強さ（例えば磁性粉の保磁力の２〜３倍）を調整することにより、磁性層形成用塗料の固形分を調整することにより、若しくは、乾燥条件（乾燥温度および乾燥時間）を調整することにより、又は、これらの調整の組み合わせにより、調整することができる。また、磁場中で磁性粉が配向するための時間を調整することによっても、角形比を調整することができる。例えば、角形比を高くするために、塗料中の磁性粉の分散状態をよくすることが好ましい。また、垂直方向の配向のために、配向器に入る前に事前に磁性粉を磁化させておく方法も有効であり、この方法が用いられてもよい。このような調整を行うことによって、垂直方向（磁気テープの厚み方向）及び／又は長手方向（磁気テープの長さ方向）における角形比を所望の値に設定することができる。続いて、ＰＥＮフィルムの他方の主面上にバック層形成用塗料を塗布及び乾燥させることにより、非磁性層２を形成する。このような方法例により、テープＴが得られる。

（カレンダー工程）。
次に、カレンダー処理を行い、磁性層の表面を平滑化する。このカレンダー工程は、一般にカレンダーと称される装置を用いて鏡面加工する工程であり、本技術では、転写工程の前処理工程として位置付けられる。カレンダー工程は、対向する金属製ロールにテープＴを挟み込みながら、必要な温度と圧力をかけて磁性層１の表面を平滑に仕上げる工程である。転写工程は、このカレンダー工程の後に行う。

（転写工程）。
カレンダー処理が施されたテープＴをロール状に巻き取ったのち、この状態でテープＴに加熱処理を行ってバック層４の表面の多数の凸部４１を磁性層１の表面１ａに転写し、その後硬化させる。これにより、磁性層１の表面１ａに多数の凹部１１が形成される。なお、バック層４の表面に設けられた多数の凸部４１を、磁性層１の表面１ａに転写することにより、磁性層１の表面１ａに多数の凹部１１を好適に形成することができるが、多数の凹部１１の形成方法は、これに限定されるものではない。例えば、磁性層形成用塗料に含まれる溶剤の種類および磁性層形成用塗料の乾燥条件等を調整することで、磁性層１の表面に多数の凹部１１を形成するようにしてもよい。

（裁断工程）。
上述のようにして得られた磁気テープを例えば１／２インチ（１２．６５ｍｍ）幅に裁断する。これにより、目的とする長尺状のテープＴを得ることができる。

（４）磁性層表面に凹部を形成する転写工程の一例。
本技術に係るテープＴは、ベースフィルム層３に対して塗布される磁性層１、非磁性層２、及びバック層４のそれぞれの塗料を調製しておき（塗料調製工程）、これらの塗料を所定の順番でベースフィルム層３に対し、それぞれの層の厚みをモニターしながら塗布を行なう（塗布工程）。続いて、配向工程（磁性層を構成する磁性粉の向きを合わせる工程）、カレンダー工程、転写工程、及び硬化処理工程を順に経てドラムに巻き取られる。

そして、テープの品種に合わせたテープ幅に裁断され（裁断工程）、製品規格に合わせたテープ長に切断される（切断工程）。最終的には、目的の製品に対応したカートリッジケース内にテープを組み込んで磁気記録テープカートリッジとされ（組み込み工程）、所定の検査工程を経て出荷される。図７は、本技術に係る製造工程の基本フロー図である。

図８は、本技術に関わるテープＴがケース５１に収容されたテープカートリッジ５の一実施形態例を示す図である。ケース５１は、磁気記録テープの用途や目的により選択される。テープＴは、ケース５１内に設けられたリール５２に所定長巻き付けられており、テープＴへの記録又は再生の際に、該ケース５１から引き出されて使用される。すなわち、本技術は、本技術に従う磁気記録テープがリールに巻き付けられた状態でケースに収容された構成である、磁気記録テープカートリッジも提供する。

ここで、図９は、テープＴの製造方法例を説明するための基本的な概念図である。本技術に係る磁性層１の表面１ａに対する凹部１１形成する転写工程は、磁性層１が塗布により形成された後、磁性層１を硬化する前の段階で行う。

具体的には、塗布された磁性層１の表面を平滑化処理（カレンダー工程）した後、ロールＲ１にテープＴを巻き取った状態にして、６０〜７０℃の雰囲気温度条件（テープ周辺の環境温度条件）下で、転写工程（バック層４の凸部４１を磁性層１に押し付ける工程）を行う。図１０は、同転写工程において、ロール（Ｒ１）にテープＴが巻き付けられていき、磁性層１の表面にバック層４の凸部４１が当接されていく様子を示している。

転写工程での加熱処理の温度は、５５℃以上７５℃以下であることが好ましい。加熱処理の温度が５５℃以上であると、良好な転写性を得ることができる。一方、加熱処理の温度が７５℃以上であると、細孔量が多くなり過ぎ、表面の潤滑剤が過多になってしまう。ここで、加熱処理の温度は、テープＴを保持する雰囲気の温度である。また、転写工程の温度条件は、磁性層１とバック層４の粘着が生じてしまう温度未満を上限とすることもできる。

加熱処理の時間は、１５時間以上４０時間以下であることが好ましい。加熱処理の時間が１５時間以上であると、良好な転写性を得ることができる。一方、加熱処理の時間が４０時間以下であると、生産性の低下を抑制することができる。

ここで、１回だけの転写工程の場合では、例えば、雰囲気温度が６０℃の温度条件であると、２０時間以上、より好ましくは２５時間以上の転写工程を行なうとより良好な結果が得られるが、１５時間未満の転写時間であった場合には、充分な転写処理時間とは言えない。

ここで、一回だけの転写工程の場合では、ロールＲ１外側のＴ１領域と該ロールＲ１近傍のＴ２領域では締め付け力が異なることが原因となって、外側のＴ１領域の方が凹部１１の形成が不充分となる傾向が生じてしまう。

そこで、本技術では、図１１に示すように、ロールＲ１に巻き付けられており、一回目の転写工程が完了した状態にあるテープＴを反対方向に引き出して、別のロールＲ２に巻き取り、再び転写工程を行なうようにする。すなわち、１回目の転写工程でロールＲ１の外側領域にあったテープＴ１をロールＲ２に近い領域に位置するように、１回目の転写工程でロールＲ１の内側領域にあったテープＴ２をロールＲ２の外側領域に位置するように、再度巻き付ける（図９、図１１参照）。これによって、テープ長全体にわたって締め付け力を均等化し、凹部形成を均一に行なうことができる。

二回転写工程の場合では、雰囲気温度５５〜７５℃の条件では、１回目、２回目の転写時間をそれぞれ１０時間に設定したところ、良好な結果が得られた。したがって、１回転写の場合は、雰囲気温度５５℃以上、好ましくは６０℃以上の条件で２５時間以上、２回目の転写を行う場合は１回目と同様の温度条件で各１０時間以上行うことがより好適である。なお、一回目の転写工程と二回目の転写工程の温度および処理時間の条件は同じでもよく、二回目でより強く転写する条件、あるいは二回目でより弱く転写する条件を採用してもよい。転写工程の回数は、三回以上であってもよい。

本技術は、以下のような構成を採用することもできる。
（１）磁性層を少なくとも含む複層構造を備えるテープであり、該テープの全厚が５．６μｍ以下であって、前記磁性層の表面に凹部が複数配設されており、
前記凹部の深さＤ１を前記磁性層の厚さＤ２で除した値が１５％以上であり、
前記磁性層は垂直配向であり、反磁界補正なし条件の垂直配向度が６５％以上であり、且つ、
前記磁性層に、当該磁性層の厚みの２０％以上である凹部が複数形成されており、且つ、当該凹部の個数が、前記磁性層の６，４００μｍ２の表面積あたり５５個以上である、
磁気記録テープ。
（２）前記磁性層の垂直方向の配向度と長手方向の配向度との比が２以上である、（１）記載の磁気記録テープ。
（３）磁性層の６，４００μｍ２の表面積あたりの前記凹部の個数が１２０個以上である、（１）又は（２）記載の磁気記録テープ。
（４）磁性層表面の非接触光学式干渉粗度測定によるＳｓｋ値がマイナス値ある、（１）から（３）のいずれかに記載の磁気記録テープ。
（５）前記テープは、磁気ヘッドを介した記録又は再生時において４ｍ/秒以上で走行するテープである、（１）から（４）のいずれかに記載の磁気記録テープ。
（６）最上層の磁性層に設けられた前記凹部は、最下層に設けられたバック層の表面に形成された凸部を押し付けることによって形成された、（１）から（５）のいずれかに記載の磁気記録テープ。
（７）テープ走行時に磁気記録ヘッドに対向する側から順に、磁性層、非磁性層、ベースフィルム層、バック層を備える、（１）から（６）のいずれかに記載の磁気記録テープ。
（８）前記全厚が４．６μｍ以下である、（１）から（７）のいずれかに記載の磁気記録テープ。
（９）磁性層を少なくとも含む複層構造を備えるテープであり、該テープの全厚が５．６μｍ以下であって、前記磁性層の表面に凹部が複数配設されており、
前記凹部の深さＤ１を前記磁性層の厚さＤ２で除した値が１５％以上であり、且つ、
前記磁性層は垂直配向であり、反磁界補正なし条件の垂直配向度が６５％以上である、
磁気記録テープ。
（１０）磁性層を少なくとも含む複層構造を備えるテープであり、該テープの全厚が５．６μｍ以下であって、前記磁性層の表面に凹部が複数配設されており、
前記凹部の深さＤ１を前記磁性層の厚さＤ２で除した値が１５％以上であり、且つ、
前記凹部の深さＤ１が、７．８ｎｍ以上である、
磁気記録テープ。
（１１）磁性層を少なくとも含む複層構造を備えるテープであり、該テープの全厚が５．６μｍ以下であって、前記磁性層の表面に凹部が複数配設されており、
前記凹部の深さＤ１を前記磁性層の厚さＤ２で除した値が１５％以上であり、且つ、
前記磁性層の垂直方向の配向度と長手方向の配向度との比が２以上である、
磁気記録テープ。
（１２）（１）から（１１）のいずれかに記載の磁気記録テープがリールに巻き付けられた状態でケースに収容された構成である、磁気記録テープカートリッジ。
（１３）磁性層と、バック層を少なくとも備える複層構造の磁気記録テープをロールに巻き付けながら、前記バック層の表面に形成した凸部を前記磁性層の表面に押し付け、該磁性層に凹部を形成する転写工程を含む、磁気記録テープの製造方法。
（１４）一度巻き付けたテープを逆方向に引き出して別のロールに巻き付け、前記転写工程を更に行う、（１３）に記載の磁気記録テープの製造方法。
（１５）前記転写工程が、前記凸部を前記磁性層の表面に押し付けた状態で、５５℃以上７５℃以下の温度で加熱処理を行うことを含む、（１３）又は（１４）に記載の磁気記録テープの製造方法。

以上、本開示の実施形態およびその変形例について具体的に説明したが、本技術は、上述の実施形態およびその変形例に限定されるものではなく、本技術の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。例えば、上述の実施形態およびその変形例において挙げた構成、方法、工程、形状、材料および数値等はあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料および数値等を用いてもよい。また、化合物等の化学式は代表的なものであって、同じ化合物の一般名称であれば、記載された価数等に限定されない。また、上述の実施形態およびその変形例の構成、方法、工程、形状、材料および数値等は、本開示の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。

（実験例１）
本発明者らは、主に磁性層の凹部深さや個数、バック層の凸部の高さや個数などの関係に基づいて、磁気記録テープの評価を行った。

以下表１に示される実施例１〜１４及び比較例１〜８の磁気記録テープを製造した。これらの磁気記録テープの配向度の調整は、以下の通りに行われた。すなわち、ベースフィルム層として、長尺状を有し且つ平均厚み４．０μｍのＰＥＮフィルムを用意した。当該ＰＥＮフィルム上に非磁性層（下地層）形成用塗料を塗布し、乾燥させて、ＰＥＮフィルム上に平均厚み１．０μｍ〜１．１μｍの非磁性層を形成した。当該非磁性層上に磁性層形成用塗料を塗布し、乾燥させることにより、非磁性層上に下記表１に示される平均厚みを有する磁性層を形成した。磁性層形成用塗料の乾燥の際に、ソレノイドコイルにより、磁性粉をＰＥＮフィルムの厚み方向に磁場配向させて、各磁気記録テープの配向度が以下表１に示される値へと調整され。
以下表１に示す実施例及び比較例のいずれの磁気記録テープも、５．６μｍの厚みを有するものであった。
各実施例、各比較例のテープ構成（磁性層の厚み、垂直配向度、長手配向度、磁性粉の形状、フェライト以外に含有する元素の種類）、および、その評価について「表１」にまとめた。

本実験例におけるテープの特性評価は、５回目走行時のヘッド動摩擦係数に対して１０００回目走行時の動摩擦係数を測定し、後者の動摩擦係数が前者の動摩擦係数に対してどの程度上昇したかによって評価した。なお、数値の少ない方がテープの摩擦がより抑制でき、良好であることを示している。摩擦測定は、ＬＴＯ規格のヘッドに対する当たり角度（テープの侵入角度）を５．６°に設定し、荷重６０ｇｆ、摺動距離６０ｍｍ、テープ走行速度１０ｍｍ／秒で行った。

ＳＮＲ評価は、ループテスター（Ｍｉｃｒｏｐｈｙｓｉｃｓ社製）を用いて、各実施例、比較例に係る磁気記録テープの再生信号を取得することにより行った。信号取得条件は、ｈｅａｄ：ＧＭＲヘッド、速度：２ｍ／ｓ、シグナル：単一記録周波数（１０ＭＨｚ）、記録電流：最適記録電流とした。再生信号をスペクトラムアナライザによりスパン（ＳＰＡＮ）０〜２０ＭＨｚ（ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ ｂａｎｄ ｗｉｄｔｈ＝１００ｋＨｚ、ＶＢＷ＝３０ｋＨｚ）で取り込んだ。次に取り込んだスペクトルの信号量をＳとするとともに、ピークを除いたｆｒｏｏｒ ｎｏｉｚｅを積算して雑音量Ｎとし、信号量Ｓと雑音量Ｎの比をＳＮＲ（Ｓｉｇｎａｌ-ｔｏ-Ｎｏｉｓｅ Ｒａｔｉｏ）として求めた。

次に、求めたＳＮＲを対照例としての実施例１のＳＮＲを基準とした相対値（ｄＢ）に変換した。このように求めたＳＮＲ（ｄＢ）を用いて、電磁変換特性の良否を判定した。評価は０.５ｄＢ以上の値を合格とし、０．５〜１．０ｄＢ未満をＢランク、１．０ｄＢ以上をＡランクとし、０．５ｄＢ未満は不合格（Ｃランク）とした。

この実験例１においては、磁性層の凹部の深さ、特に、磁性層の厚みに対する凹部の深さの割合が重要な要素であることがわかった。特に、磁性層の厚みに対する深さが１５％以上である凹部の摩擦力上昇抑制への貢献が大きく、さらに、同深さが２０％以上である凹部の同貢献がより大きいことがわかった。特に、後者の深さ２０％以上の凹部の貢献が大きいことも分かった。転写で用いたバック層に形成した凸部は６０ｎｍ以上の場合、その好適な個数は３０以上であることも判明した。同深さが１５％以上である凹部の個数は、６４００μｍ^２当たり好ましくは１００個以上であり、より好ましくは１１０個以上であり、特に好ましくは１２０個以上である。また、同深さが２０％以上である凹部の個数は、６４００μｍ^２当たり好ましくは３０個以上であり、より好ましくは５５個以上、特に好ましくは６０個以上である。

磁性層が垂直配向された場合、具体的には、垂直配向度６０％以上（反磁界補正なし）、長手配向度２５％以上の実施例1〜１４のすべてで、ヘッド動摩擦係数の上昇の抑制ができ、またＳＮＲ特性の判定評価もよかった（Ｂ評価以上）。

（実験例２）
次に、非接触光学式干渉粗度測定器（菱化システム社製、製品名：ＶｅｒｔＳｃａｎ）を用いて磁性層表面についての測定実験を行った。本測定において対物レンズの倍率は５０倍とした。本測定で使用したテープサンプルは、実施例１、５、８、比較例６、７、８（測定場所違いで二つ、比較例８-１、８-２）である。

本実験例２では、磁性層表面の粗度をそれぞれＳｓｋ 値（スキューネス、偏り度）、Ｓｋｕ値（クルトシス、尖り度）により得た。Ｓｓｋ値は、高さ分布の対称性を表す値で、Ｓｓｋ 値＝０の場合は高さ分布が上下に対象であること、同値＞０の場合は細かい山が多い表面であること、同値＜０の場合は細かい谷が多い表面であることを示している。一方のＳｋｕ値は、Ｓｋｕ値＝３の場合は、高さ分布が正規分布であること、Ｓｋｕ値＞３の場合は表面に鋭い山や谷が多いこと、Ｓｋｕ値＜３の場合は、表面が平坦であることを示している。次の表２に、本実験例２の測定結果を示す。

磁性層表面について。
この表２に示されているように、実施例１、５、８のＳｓｋ 値は、いずれもマイナスの値となっており、細かい谷が多い状態になっていることを検証することができた。このようにＳｓｋ値がマイナス（＜０）になる表面を備える磁性層表面の構成は、本技術における特徴と言うことができる。すなわち、本技術において、磁性層表面の非接触光学式干渉粗度測定によるＳｓｋ値がマイナス値あってよい。すなわち、磁性層表面に微小な凹部が均一に形成されていることを示すデータと言える。一方、比較例６、７、８-１、８-２では、Ｓｓｋ 値がおおむねプラス側の数値になっており、凹部形成が良好でなかったことがわかった。

一方のＳｋｕ値で見た場合、実施例１、５、８では４以上の値を示しており、表面に鋭い山や谷が多いことが、比較例の数値と比較しても理解できる。すなわち、Ｓｋｕ値で評価しても、磁性面の凹部形成状態は実施例の方が良好であったと評価できる。

（実験例３）
原子間力顕微鏡（Ａｔｏｍｉｃ Ｆｏｒｃｅ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ：略称ＡＦＭ、Ｄｅｇｉｔａｌ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社製、ＮａｎｏＳｃｏｐｅIIIａ） を用いて、磁性層表面の拡大観察を行った。

図１２の図面代用写真は、（ａ）写真は、転写工程を行わなかった場合の磁性層表面の原子間力顕微鏡写真、（ｂ）写真は、転写工程を行った場合の磁性層表面の原子間力顕微鏡写真である。なお、本実験では、転写工程は、平均粒径が２０ｎｍであるカーボン小粒径粒子８０質量％、平均粒径が２７０ｎｍであるカーボン大粒径粒子２０質量％で、バック層に凸部を形成して行った。

これらの二つの写真を比較すると、バック層において、１回だけの転写工程でも磁性層面に凹部が有効に形成され、磁性層の表面に凹部が一層広く均一に多数形成されることを確認できた（図１２（ｂ）写真参照）。

なお、写真（ｂ）において、濃い小さなスポット部分が凹部に相当している。１回転写された磁性層表面の凹部の個数をカウントしたところ、磁性層凹部の深さ：１３ｎｍ以上が２１９個、同深さ：１５ｎｍ以上が１５２個、同深さ：１７ｎｍ以上が１０６個の結果であった（すべて８０μｍ×８０μｍ＝６，４００μｍ^２の面積当たり）。なお、本実験で使用したテープの磁性層の厚みは８５ｎｍであったので、深さ１３ｎｍは磁性層の厚みに対して１５．９％、深さ１５ｎｍは磁性層の厚みに対して１７．６％、深さ１７ｎｍが磁性層の厚みに対して２０％に相当する。

（実験例４）
上記実験例１において用いたベース層よりも薄いベース層を用いたこと以外は同じ方法にて、実施例１〜１４にそれぞれ対応する実施例２−１〜２−１４の磁気記録テープを作成した。実施例２−１〜２−１４の磁気記録テープの全厚はいずれも４．６μｍであった。
これらについて実験例１に記載された評価を同じ評価を行った。その結果、実験例１と同様の結果が得られた。すなわち、実施例２−１〜２−１４の磁気記録テープのヘッド動摩擦係数はいずれも実施例１−１４と同程度に低く、且つ、ＳＮＲがいずれもＡ評価であった。従って、本技術の効果は、磁気記録テープの全厚が４．６μｍであっても奏されることが分かる。

（実験例５）
以下の表３に示されるとおりの実施例３−１〜３−９の磁気記録テープを製造した。これらの磁気記録テープの製造方法を以下に記載する。
［実施例３−１］
磁性塗料の配向工程において、垂直配向用ソレノイドの磁束密度を上げて、さらに乾燥時間を調整すること以外は実施例１と同様にして磁気記録テープを得た。
［実施例３−２］
磁性塗料のサンドミルでの分散時間を伸ばし塗料分散状態をよくしたものを用い、磁性塗料の配向工程では垂直配向用ソレノイドの磁束密度を上げること以外は実施例１と同様にして磁気記録テープを得た。
［実施例３−３］
磁性塗料のサンドミルでの分散時間を伸ばし塗料分散状態をよくしたものを用い、磁性塗料の配向工程では垂直配向用ソレノイドの磁束密度を上げて、さらに乾燥時間を調整すること以外は実施例１と同様にして磁気テープを得た。
［実施例３−４］
六角板状バリウムフェライト（ＢａＦｅ_１２Ｏ_１９）粒子の粉末を 粒子体積１９５０ｎｍ^３のものから、粒子体積１６００ｎｍ^３に変えた以外は、実施例１と同様にして磁気テープを得た。
［実施例３−５］
六角板状バリウムフェライト（ＢａＦｅ_１２Ｏ_１９）粒子の粉末を粒子体積１９５０ｎｍ^３のものから、粒子体積１３００ｎｍ^３に変えた以外は、実施例１と同様にして磁気テープを得た。
［実施例３−６］
磁性層の平均厚み８０ｎｍを６０nmにした以外は実施例１と同様にして磁気テープを得た。
［実施例３−７］
磁性層の平均厚み８０ｎｍを４０nmにした以外は実施例１と同様にして磁気テープを得た。
［実施例３−８］
六角板状バリウムフェライト（ＢａＦｅ_１２Ｏ_１９）粒子の粉末を 粒子体積１９５０ｎｍ_３のものから、粒子体積２８００ｎｍ_３に変えた以外は、実施例１と同様にして磁気テープを得た。
［実施例３−９］
六角板状バリウムフェライト（ＢａＦｅ_１２Ｏ_１９）粒子の粉末を 粒子体積１９５０ｎｍ^３のものから、粒子体積２５００ｎｍ^３に変えた以外は、実施例１と同様にして磁気テープを得た。

これらの磁気記録テープについて、実験例１で述べたとおりの評価を行った。評価結果を以下の表３に示す。表３に示されるとおり、いずれの実施例においても、実験例１と同様の結果が得られた。すなわち、実施例３−１〜３−９の磁気記録テープのヘッド動摩擦係数はいずれも実施例１と同程度に低く、且つ、ＳＮＲがいずれもＡ評価であった。
また、表３に示されるとおり、磁性粉の粒子体積を表３に示されるとおり変更しても、良好な結果が得られることが分かる。磁性粉の粒子体積は、好ましくは１０００ｎｍ^３〜３０００ｎｍ^３であり、より好ましくは１２００ｎｍ^３〜２８００ｎｍ^３でありうる。

Ｔ： 磁気記録テープ
１： 磁性層
１ａ： 磁性層の表面
２： 非磁性層（中間層又は下地層）
３： ベースフィルム層
４： バック層
４ａ： バック層の表面
５： テープカートリッジ
１１： （磁性層の）凹部
４１： （バック層）の凸部（突起部）
５１：カートリッジケース
Ｒ１、Ｒ２ ロール

Claims (22)

1. 磁性層を少なくとも含む複層構造を備えるテープであり、
   該テープの全厚が５．６μｍ以下であり、
   前記磁性層は磁性粒子を有し、該磁性粒子は垂直配向されており、反磁界補正なし条件で測定した垂直配向度が６５％以上であり、且つ、垂直方向の配向度と長手方向の配向度との比が１．８６以上であり、
   前記磁性層に、深さが当該磁性層の厚みの２０％以上である凹部が複数形成されており、且つ、当該凹部の個数が、前記磁性層の６，４００μｍ^２の表面積あたり５５個以上１０１個以下である、
   磁気記録テープ。
2. 前記磁性層に、深さが当該磁性層の厚みの１５％以上である凹部が複数形成されており、且つ、前記磁性層の６，４００μｍ^２の表面積あたりの前記凹部の個数が１２０個以上１５８個以下である、請求項１記載の磁気記録テープ。
3. 前記磁性層表面の非接触光学式干渉粗度測定によるＳｓｋ値がマイナス値である、請求項１又は２に記載の磁気記録テープ。
4. 前記テープは、磁気ヘッドを介した記録又は再生時において４ｍ/秒以上で走行するテープである、請求項１〜３のいずれか一項に記載の磁気記録テープ。
5. 最上層の磁性層に設けられた前記凹部は、最下層に設けられたバック層の表面に形成された凸部を押し付けることによって形成された、請求項１〜４のいずれか一項に記載の磁気記録テープ。
6. テープ走行時に磁気記録ヘッドに対向する側から順に、磁性層、非磁性層、ベースフィルム層、バック層を備える、請求項１〜５のいずれか一項に記載の磁気記録テープ。
7. 前記テープの全厚が５．０μｍ以下である、請求項１〜６のいずれか一項に記載の磁気記録テープ。
8. 前記テープの全厚が４．８μｍ以下である、請求項１〜６のいずれか一項に記載の磁気記録テープ。
9. 前記テープの全厚が４．６μｍ以下である、請求項１〜６のいずれか一項に記載の磁気記録テープ。
10. 前記非磁性層の平均厚みが０．６μｍ以上、２．０μｍ以下である、請求項６に記載の磁気記録テープ。
11. 前記非磁性層の平均厚みが０．８μｍ以上、１．４μｍ以下である、請求項６に記載の磁気記録テープ。
12. 前記垂直配向度が７０％以上である、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の磁気記録テープ。
13. 前記垂直配向度が７５％以上である、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の磁気記録テープ。
14. 前記磁性粒子は、六方晶フェライト、バリウムフェライト（ＢａＦｅ）、Ｃｏフェライト、ストロンチウムフェライト、及びイプシロン型酸化鉄（ε酸化鉄）のいずれかである、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の磁気記録媒体。
15. テープ走行時に磁気記録ヘッドに対向する側から順に、磁性層、非磁性層、ベースフィルム層、バック層を備えるテープであって、
    前記磁性層は六方晶フェライト、バリウムフェライト（ＢａＦｅ）、Ｃｏフェライト、ストロンチウムフェライト、及びイプシロン型酸化鉄（ε酸化鉄）のいずれかである磁性粒子を有し、
    該テープの全厚が５．６μｍ以下であって、
    前記磁性層の表面に凹部が複数配設されており、
    前記凹部の深さＤ１を前記磁性層の厚さＤ２で除した値が１５％以上であり、
    前記磁性層の垂直方向の配向度と長手方向の配向度との比が１．８６以上であり、且つ、
    前記磁性層表面の非接触光学式干渉粗度測定によるＳｓｋ値がマイナス値である、
    磁気記録テープ。
16. 前記凹部の深さＤ１が、７．８ｎｍ以上である、請求項１５に記載の磁気記録テープ。
17. 前記磁性層の厚みが８９ｎｍ以下である、請求項１５又は１６に記載の磁気記録テープ。
18. 前記テープは、磁気ヘッドを介した記録又は再生時において４ｍ/秒以上で走行するテープである、請求項１５〜１７のいずれか一項に記載の磁気記録テープ。
19. 前記テープの全厚が５．０μｍ以下である、請求項１５〜１８のいずれか一項に記載の磁気記録テープ。
20. 前記テープの全厚が４．８μｍ以下である、請求項１５〜１８のいずれか一項に記載の磁気記録テープ。
21. 前記テープの全厚が４．６μｍ以下である、請求項１５〜１８のいずれか一項に記載の磁気記録テープ。
22. 請求項１乃至２１のいずれかひとつに記載の磁気記録テープがリールに巻き付けられた状態でケースに収容された構成である、磁気記録テープカートリッジ。