CN110494917A - 磁性记录带及其制造方法以及磁性记录带盒 - Google Patents

磁性记录带及其制造方法以及磁性记录带盒 Download PDF

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Abstract

本发明旨在提供一种磁性记录带等，其允许磁带稳定地高速行进，同时维持磁头和磁带之间的距离保持窄的状态。本发明提供了一种具有至少包括磁性层的多层结构的磁性记录带。磁带具有5.6μm以下的总厚度，并且包括设置在磁性层的表面中的多个凹部。通过将每个凹部的深度D1除以磁性层的厚度D2获得的值为15％以上。磁性层垂直取向，并且在没有退磁校正的情况下具有65％以上的垂直取向度。磁性层包括形成在其中的多个凹部，多个凹部的每个的深度为磁性层的厚度的20％以上，并且磁性层的每6,400μm2的表面积的凹部的数量为55个以上。本发明还提供了一种磁性记录带的制造方法。

Description

磁性记录带及其制造方法以及磁性记录带盒
技术领域
本发明涉及磁性记录带等，更具体地，涉及能够相对于磁头稳定行进的磁性记录带、其中容纳有该磁带的盒以及该磁带的制造方法。
背景技术
近年来，由于互联网和云计算的广泛传播，以及大数据积累和分析的不断增加，要长期存储的信息量呈爆炸式增长。因此，对于用于将大量信息作为数据进行备份或归档的记录介质上的更高记录容量存在着突出的需求。在这种记录介质中，从成本、节能、长寿命、可靠性、容量等角度出发，“磁性记录带”(在某些情况下可以缩写为“磁带”)再次引起了人们的注意。
对于这种磁性记录带而言，具有磁性层的细长状的磁带在被卷绕在卷轴上的状态下被容纳在壳体中。利用磁阻磁头(以下称为“磁头”)，在磁带行进的方向上在该磁性记录带上或从该磁性记录带进行记录或再现。在2000年，开放标准LTO(Linear-Tape-Open，线性磁带开放)出现，至今已经更新换代。
磁性记录带的记录容量取决于磁性记录带的表面积(磁带长度×磁带宽度)和磁带的每单位面积的记录密度。记录密度又取决于磁带宽度方向上的磁道密度和线性记录密度(磁带长度方向上的记录密度)。因此，磁性记录带的记录容量的增加取决于如何增加磁带长度、磁道密度和线性记录密度。需要注意的是，磁带宽度相对于标准几乎不能改变。
如果磁道密度变得越高，那么防止磁性记录带在高速行进期间偏离磁道现象就会成为一个越重要的问题。这种偏离磁道现象意味着在磁头应该执行读取的磁道位置不存在目标磁道或者磁头碰巧读取了错误的磁道位置的现象。
现在，如果为了更高的记录容量而将磁带制作得更长，那么磁带厚度就会变薄。另一方面，从现在起，在磁带的高速行进方面的开发可能会越来越多。然后，磁带在高速行进期间的行进可能变得不稳定，由此可能会出现偏离磁道现象。特别是，当磁带长时间进行高速行进或重复多次高速行进时，磁带可能会由于磁头和行进磁带之间的过大距离(间距)或增加的摩擦而变形。结果，磁带与磁头没有合适的接触状态，这可能导致磁带的磁记录或再现特性劣化。
为了克服这些困难，专利文献1公开了一种通过在磁性层的表面上设置润滑层来减小磁头和磁性记录带之间可能出现的间距的技术，并且还公开了一种评估润滑层厚度的技术。专利文献2公开了一种磁记录磁带，其中限制在与磁表面相对的一侧上的突部的数量/颗粒的数量以控制磁带层间摩擦。基于该磁带，与初始动态摩擦系数相比重复行进后其动态摩擦系数的增加被减少，从而可以抑制行进期间磁带的弯曲。
引用列表
专利文献
专利文献1：日本专利公开文本No.2017-41293
专利文献2：日本专利公开本文No.H6-325349
发明内容
发明所要解决的技术问题
本发明减小了磁带与磁头的接触面积，从而减小了摩擦并抑制了间距。结果，本发明的主要目的是提供磁性记录带等，其允许磁带稳定地高速行进，同时维持磁头和磁带之间的距离保持在窄的状态。
解决技术问题的手段
作为勤奋研究的结果，本发明人首先发现存在于空气积聚空间(这可能出现在磁带和磁头之间)中的空气导致磁带和磁头之间的间距，并且还作为摩擦增加的原因，发明人将重点放在这些现象上，促成了提供本发明。具体地说，本发明是具有至少包括磁性层的多层结构的磁带，磁带具有5.6μm以下的总厚度，换句话说，为更高的记录容量而设计的薄磁带，并且包括设置在磁性层的表面中的多个凹部。本发明人还成功地指定了关于磁性层中凹部的深度和每单位面积上这种凹部的数量的适当范围。在具有垂直取向度高且易于引起摩擦增加的磁性层的情况下，在磁带高速行进的情况下，本发明特别有效。本发明还提供了一种磁性记录带的制造方法，该方法包括转印步骤，在将至少包括磁性层和背衬层的多层结构的磁性记录带进行卷绕的同时，将形成在背衬层表面上的突部按压在磁性层表面上，由此在磁性层中形成凹部。
本发明的有益效果
本发明可以有效地抑制发生在磁性记录带和磁头之间的摩擦和间距现象，从而允许磁带稳定地高速行进。根据本发明的磁性记录带可以防止或以其他方式控制由重复的高速行进引起的摩擦增加，并且因此可以通过磁头精确地执行记录和再现。
附图说明
图1是描绘根据本发明的磁性记录带(T)的基本层结构的视图。
图2是描绘磁性记录带(T)的横截面的横截面层结构的视图。
图3是示出普通磁性记录带(T)在磁头(H)上理想地行进的状态的视图。
图4是用于描述当常规的普通磁性记录带在磁头(H)上行进时出现的困难(问题)的示意图。
图5是用于描述在磁性记录带(T)的磁性层(1)的表面中的凹部(11)的概念的简化示意图。
图6是示出如何在磁带(T)的磁性层(1)的表面中形成从背衬层(4)上的突部(41)转印的凹部(11)的简化示意性放大图。
图7是根据本发明的磁带制造工艺的基本流程图。
图8是示出磁带盒(5)的实施方式的视图，磁带盒(5)具有包含在壳体(51)中的根据本发明的磁性记录带(T)。
图9是用于描述磁性记录带(T)的转印步骤的优选示例的概念图。
图10是示出在转印步骤中，磁带(T)被卷绕在卷筒(R1)上并且背衬层4上的突部41与磁性层1的表面接触的状态的视图。
图11是示出第二次转印步骤的概念的视图。
图12示出磁性层(1)表面的原子力显微照片(绘制替代照片)的例子，其中显微照片(a)中的表面描绘了不提供转印的情况，而显微照片(b)中的表面描绘了仅提供一次转印的情况。
具体实施方式
参考附图，将描述用于实践本发明的优选实施方式。应当注意，下文将要描述的实施方式举例说明了本发明的优选实施方式，因此本发明不应被优选实施方式解释得更窄。将按照以下顺序进行描述。
(1)关于根据本发明的磁性记录带的基本层结构等
(2)关于各个层的配置和作用
(2-1)磁性层
(2-2)非磁性层
(2-3)基膜层
(2-4)背衬层
(3)关于根据本发明的磁性记录带的基本制造方法
(4)关于在磁性层表面形成凹部的转印步骤的优选示例
(1)关于根据本发明的磁性记录带的基本层结构等
图1是描绘根据本发明的磁性记录带的基本层结构的视图，图2是描绘磁性记录带的横截面的层结构的视图。首先，在这些图1和2中描绘的符号T表示磁性记录带(以下称为“磁带T”)。
磁带T具有细长的带状形式，并且在记录或再现时，沿长度行进。磁带T被配置为能够以优选为96nm以下、更优选为75nm以下、进一步优选为60nm以下、特别优选为50nm以下的最小记录波长记录信号。优选地，磁带T用于包括有作为记录头的环形头的记录和再现装置中。
磁带T按照从顶部(从与磁头相对放置的一侧)开始依次由具有磁性的磁性层1、位于磁性层下方的非磁性层2、位于非磁性层2下方的基膜层3以及作为最下层的背衬层4构成。因此，磁带T具有总共四层的基本层结构。除了这4层之外，还可以根据需要自由加入一层或多层。从更高的记录容量的观点来看，作为前提，磁带T具有5.6μm以下的总厚度。磁带T的总厚度更优选为5.0μm以下，更优选为4.8μ以下，特别优选为4.6μm以下。
此外，例如，根据本发明的磁带T具有满足4m/s以上的磁带速度和在5个以上通道中优选多达5+4n(n：正整数)的伺服磁道的配置，以及每个伺服磁道具有95μm以下的宽度、48nm以下的比特长度和3.0μ以下的磁道宽度的配置。换句话说，根据本发明的磁带T可以用于以4m/s以上的磁带速度进行记录或再现。
磁带T的平均厚度(平均总厚度)的上限优选为5.6μm以下，更优选为5.0μm以下，并且还更优选为4.4μm以下。如果磁带T的平均厚度tT为5.6μm以下，与普通磁记录磁带的存储容量相比，可以增加在单个数据磁带盒(data cartridge)中可以记录的存储容量。磁带T的平均厚度的下限是例如3.5μm以上，尽管对其没有特别的限制。
磁带T的平均厚度由随后在用于确定背衬层4的平均厚度的方法中描述的过程来确定。作为矫顽力Hc，磁带T在其长度方向上的矫顽力Hc的上限优选为2,000Oe以下，更优选1,900Oe以下，并且更优选1,800Oe以下。
如果在磁带T的长度方向上测量的矫顽力Hc的下限优选为1,000Oe以上，则可以抑制由来自记录头的漏磁通产生的退磁。该矫顽力Hc如下文将描述的那样确定。
首先，从细长的磁带T切割测量样品，并且通过振动样品磁力计(vibratingsample magnetometer，VSM)在测量样品的长度方向(磁带T的行进方向)上测量整个测量样品的M-H回线。接下来，用丙酮、乙醇等完全去除涂覆膜(非磁性层2、磁性层1、背衬层4等)，以只留下基膜层3。使用基膜层3作为背景校正的样品，通过VSM在基膜层3的长度(磁带T的行进方向)上测量基膜层3的M-H回线。随后，从整个测量样品的M-H回线中减去基膜层3的M-H回线，以获得经背景校正的M-H回线。根据如此获得的M-H回线，确定矫顽力Hc。需要注意的是，M-H回线测量都应在25℃下进行。此外，在磁带的长度上测量M-H回线时，不应进行“退磁校正”。
关于矩形比(squareness ratio)。
在磁带T的垂直方向(厚度方向)上的矩形比(也称为“取向度”)S1为65％以上，优选70％以上，更优选75％以上。如果垂直方向上的矩形比(下文中也称为“垂直取向度”)S1为65％以上，则磁粉具有足够高的矩形比，从而可以获得更好的信噪比(SNR)。
如下文将描述的那样确定垂直方向上的矩形比S1。从细长的磁带T切割测量样品，并且通过VSM在磁带T的垂直方向(厚度方向)上测量整个测量样品的M-H回线。接下来，用丙酮、乙醇等完全去除涂覆膜(非磁性层2、磁性层1、背衬层4等)，以只留下基膜层3。使用基膜层3作为背景校正的样品，通过VSM在基膜层3的垂直方向(磁带T的垂直方向)上测量基膜层3的M-H回线。随后，从整个测量样品的M-H回线中减去基膜层3的M-H回线，以获得经背景校正的M-H回线。通过将所得M-H回线的饱和磁化强度Ms(emu)和剩余磁化强度Mr(emu)引入以下公式，计算垂直方向上的矩形比S1(％)。应注意的是，M-H回线测量都应在25℃下进行。此外，在磁带垂直方向上测量M-H回线时，不应进行“退磁校正”。
垂直方向上的矩形比S1(％)＝(Mr/Ms)×100
磁带T在其长度(行进方向)上的矩形比S2优选为35％以下，更优选为30％以下，并且还更优选为25％以下。如果矩形比S2为35％以下，则磁粉在垂直方向上具有足够高的矩形比，从而可以获得更好的信噪比。除了在磁带T和基膜层3的长度(行进方向)上测量整个测量样品的M-H回线和基膜3的M-H回线，矩形比S2的测量类似于垂直方向上的矩形比S1的测量。
根据本发明的优选实施例，磁性层在其垂直方向上的矩形比与磁性层在长度方向上的矩形比的比率优选为1.8以上，更优选为2以上，并且还更优选为2.05以上。从记录和再现特性的角度来看，等于或大于该值的比率是优选的。
(2)关于各个层(磁性层、非磁性层、基膜层和背衬层)的配置和作用。
(2-1)磁性层
在具有如上所述的这种基本层结构的磁带T中，作为最外表面层存在的磁性层1用作信号记录层。近年来，增加磁带T的信息记录容量已成为一个重要问题。因此，需要增加记录面积(记录容量)，例如，通过使磁带T更薄并增加每磁带盒的磁带长度。
磁性层1是长度方向记录层或垂直记录层，并且例如包括磁粉、粘合剂和润滑剂。磁性层1还可以根据需要包括添加剂，诸如导电颗粒、研磨剂和防锈剂。磁性层1可以设置有多个孔(未示出)，以在其中存储润滑剂。这些孔可以优选地设置成在垂直于磁性层1表面的方向上延伸。
这里，磁性层1的厚度优选在20至100nm的范围内。从磁性层1的传导均匀和稳定涂布的角度来看，20nm的下限厚度是最小厚度，并且从针对高记录密度的磁带设置比特长度的角度来看，大于100nm的上限厚度是不利的。
磁性层1可以优选预先具有多个伺服带SB和多个数据带DB。多个伺服带SB在磁带T的宽度方向上以相等的间距布置。在相邻的伺服带SB之间，分别布置有数据带DB。在伺服带SB中，伺服信号被预先写入以执行磁头的跟踪控制。在数据带DB中，记录用户数据。伺服带SB的数量优选为5个以上，并且更优选为5+4n(其中n是正整数)以上。如果伺服带SB的数量为5个以上，则可以抑制由于磁带T的宽度方向上的尺寸变化对伺服信号的影响，从而可以确保具有减小的偏离磁道的稳定记录和再现特性。
磁性层1的平均厚度可以如下文将描述的那样确定。首先，垂直于磁带T的主表面将磁带T加工成薄的，以制备测试件，并且通过透射电子显微镜(transmission electronmicroscope,TEM)在其横截面上观察测试件。下文将描述系统和观察条件。
系统：TEM(日立有限公司生产的H9000NAR)
加速电压：300kV
放大倍数：100,000倍
接下来，使用所得的TEM图像，在磁带T的长度方向上的至少10个以上的点处测量磁层1的厚度，并且将测量值简单地平均(算术平均)以确定磁性层1的平均厚度。应注意的是，测量点应从测试件中随机选择。
该磁性层1形成为其中至少添加有磁粉(粉末形式的磁性颗粒)的层。在该磁性层1上，根据已知的面内磁记录方法或已知的垂直磁记录方法，通过在磁场下改变磁粉的磁性来执行信号记录。在前一种面内磁记录方法中，信号沿磁带的长度记录在例如添加有呈现磁化功能的磁性金属粉末的磁性层1中。在后一种垂直磁记录方法中，在垂直于磁带1的方向上对例如添加有呈现磁化功能的BaFe(钡铁氧体)磁粉等的磁性层1进行磁记录。无论使用哪种方法，都是通过在磁头H施加的磁场下对磁性层1中的磁性颗粒进行磁化来执行信号的记录。
构成磁性层1中磁粉的磁性颗粒的示例包括：γ赤铁矿、磁铁矿、二氧化铬、钴涂覆氧化铁、六方铁氧体、钡铁氧体(BaFe)、钴铁氧体、锶铁氧体、金属(金属)、ε氧化铁(ε-氧化铁)等，并且对其没有特别限制。应当注意，ε-氧化铁可以包含Ga或Al中任何一种。这些磁性粒子基于磁性层1的制造方法、磁带标准和功能等自由选择。
磁性粒子的形状取决于它们的晶体结构。例如，BaFe为六方片状，ε-氧化铁为球形，钴铁氧体为立方体，金属为纺锤形。在磁性层1中，这些磁性颗粒在磁带T的制造工艺中被取向。应当注意，BaFe也可用作本发明中的合适磁性材料，因为其例如即使在高温和高湿度环境中矫顽力也几乎没有下降，从而具有高数据记录可靠性。
磁粉包含例如含有ε-氧化铁的纳米颗粒粉末(以下称为“ε-氧化铁颗粒”)。ε-氧化铁颗粒即使作为细颗粒也能提供高矫顽力。优选地，包含在ε-氧化铁颗粒中的ε-氧化铁可以优先结晶并在磁带T的厚度方向(垂直方向)取向。
ε-氧化铁颗粒具有球形或基本球形，或者具有立方体或基本立方体形状。由于ε-氧化铁颗粒具有如上所述的形状，与使用六方片状钡铁氧体颗粒作为磁性颗粒相比，使用ε-氧化铁颗粒作为磁性颗粒可以减小在磁带T的厚度方向上颗粒本身之间的接触面积，因此可以抑制颗粒本身的聚集。因此，可以增加磁粉的分散性并获得更好的SNR(信噪比)。
ε-氧化铁颗粒具有芯-壳(core-shell)型结构。具体而言，ε-氧化铁颗粒每个包括芯部和围绕芯部设置并具有两层结构的壳部。两层结构的壳部包括设置在芯部上的第一壳部和设置在第一壳部上的第二壳部。芯部包含ε-氧化铁。对于包含在芯部中的ε-氧化铁，优选为包含ε-Fe2O3晶体作为主相的材料，更优选包含ε-Fe2O3作为单层的材料。
第一壳部覆盖芯部周边的至少一部分。具体而言，第一壳部可以部分覆盖芯部的周边，或者可以覆盖芯部的整个周边。从提供与芯部的充分交换耦合和改善磁特性的观点来看，第一壳部优选覆盖芯部的整个表面。
第一壳部是所谓的软磁层，并且包含软磁材料，诸如α-Fe、Ni-Fe合金或Fe-Si-Al合金。α-铁可以是通过还原包含在芯部21中的ε-氧化铁而获得。第二壳部是作为抗氧化层的氧化膜。第二壳部包含α-氧化铁、氧化铝或氧化硅。α-氧化铁包含至少一种氧化铁，例如Fe3O4、Fe2O3和FeO。如果第一壳部包含α-Fe(软磁材料)，则α-铁氧化物可以通过氧化包含在第一壳部中的α-铁而获得。
由于如上所述在ε-氧化铁颗粒中包含第一壳部，整个ε-氧化铁颗粒(芯-壳颗粒)的矫顽力可以被调节到适于记录同时将芯部的矫顽力单独维持在大值以确保热稳定性的水平。由于如上所述ε-氧化铁颗粒具有第二壳部，所以ε-氧化铁颗粒暴露在空气中，导致在磁带T的制造工艺期间和制造工艺之前在颗粒表面上出现铁锈等，从而可以抑制ε-氧化铁颗粒的特性降低。因此，可以抑制磁带T的特性的劣化。
已经描述了ε-氧化铁颗粒每个具有两层结构的壳部的情况，但是ε-氧化铁颗粒可以每个具有单层结构的壳部。在这种情况下，该壳部具有与第一壳部相似的结构。然而，从抑制ε-氧化铁颗粒特性的劣化的观点来看，ε-氧化铁颗粒的每个可优选具有如上述第一实施方式中的两层结构的壳部。
在上文中，已经描述了ε-氧化铁颗粒每个具有芯-壳结构的情况，但是ε-氧化铁颗粒可以包含添加剂来代替芯-壳结构，或者除了芯-壳结构之外还可以包含添加剂。在这种情况下，ε-氧化铁颗粒中的一部分铁被添加剂取代。在ε-氧化铁颗粒中包含添加剂也可以将整个ε-氧化铁颗粒的矫顽力Hc调节到适合记录的矫顽力Hc，因此可以提高易于记录性。添加剂是除铁以外的金属元素，优选三价金属元素，更优选Al、Ga或In中的至少一种，并且还更优选Al或Ga中的至少一种。
具体而言，其中含有添加剂的ε-氧化铁包括ε-Fe2-xMxO3晶体，其中M是除铁以外的金属元素，优选三价金属元素，更优选Al、Ga或In中的至少一种，并且还更优选Al或Ga中的至少一种，并且x满足例如0<x<1。
作为磁粉，可以使用包含六方铁氧体的纳米颗粒粉末(以下称为“六方铁氧体颗粒”)。例如，六方铁氧体颗粒具有六方片状形状或基本六方片状形状。六方铁氧体颗粒优选包含Ba、Sr、Pb或Ca中的至少一种，更优选Ba或Sr中的至少一种。具体地，六方铁氧体颗粒可以例如是钡铁氧体或锶铁氧体。钡铁氧体除了Ba之外，还可以包含Sr、Pb或Ca中的至少一种。锶铁氧体除了Sr之外，还可以包含Ba、Pb或Ca中的至少一种。
更具体地，六方铁氧体具有由通式MFe12O19表示的平均组成。在通式中，例如，M是Ba、Sr、Pb或Ca中的至少一种金属，并且优选地是Ba和Sr中的至少一种金属。M也可以是Ba和从由Sr、Pb和Ca组成的组中选择的一种或多种金属的组合。作为另一替代，M也可以是Sr和从由Ba、Pb和Ca组成的组中选择的至少一种金属的组合。在上述通式中，一部分Fe可以由另一种金属元素取代。
如果磁粉包含六方铁氧体颗粒的粉末，则磁粉的平均粒度优选为50nm以下，更优选10nm以上40nm以下，并且还更优选15nm以上30nm以下。如果磁粉包含六方铁氧体颗粒的粉末，那么磁粉的平均纵横比与上述实施方式中的相似。
磁粉的平均粒度和平均纵横比如下文所述的那样确定。
首先，通过FIB(Focused Ion Beam,聚焦离子束)方法等加工作为测量对象的磁带T以制备切片，并且通过TEM在其横截面上观察切片。从所得的TEM照片中，随机选择50个磁粉颗粒，并测量每个颗粒的长轴长度DL。本文使用的术语“长轴长度DL”是指分别以与颗粒的轮廓接触延伸的方式以所有角度绘制的两条平行线之间的距离中的最大值(所谓的最大费雷特直径)。随后，对50个颗粒的测量DL进行简单平均(算术平均)，以确定平均长轴长度DLave。如上所述确定的平均长轴长度DLave被用作磁粉的平均粒度。另一方面，最小距离以类似方式测量，并被用作短轴长度。50个粒子的短轴长度DS被简单平均(算术平均)，以确定平均短轴长度DSave。然后根据平均长轴长度DLave和平均短轴长度DSave确定磁粉的平均纵横比(DLave/DSave)。
如果颗粒是片状的，那么片厚度用DS表示，如上所述那样，随机选择在测量方向上没有暴露在片表面的50个颗粒，最小短轴用DSave表示，由以下公式确定平均体积。
平均体积＝3√3/8×DLave×DLave×DSave
如果颗粒是球形的，则确定50个颗粒的DL，平均体积由以下公式确定。
平均体积＝π/6×DLave^3
如果颗粒是立方体，则确定50个颗粒的侧面的长度DL，并且平均体积由以下公式确定。
平均体积＝DLave^3
作为磁粉，也可以使用含有含钴尖晶石铁氧体的纳米颗粒粉末(以下称为“钴铁氧体颗粒”)。优选地，钴铁氧体颗粒具有单轴各向异性。钴铁氧体颗粒具有例如立方体形状或基本立方体形状。除了Co之外，含钴尖晶石铁氧体还可以包含Ni、Mn、Al、Cu或Zn中的至少一种。
含钴尖晶石铁氧体具有例如由下式(1)表示的平均组成。
CoxMyFe2OZ...(1)
(其中m是例如Ni、Mn、Al、Cu和Zn中的至少一种金属，x是在0.4≤x≤1.0范围内的值，并且y是在0≤y≤0.3范围内的值，x和y满足(x+y)≤1.0的关系，z是在3≤z≤4范围内的值，并且一部分Fe可以由另一种金属元素取代。)
如果磁粉包含钴铁氧体颗粒的粉末，则磁粉的平均粒度优选为25nm以下，更优选为23nm以下。如果磁粉包含钴铁氧体颗粒的粉末，则磁粉的平均纵横比与上述实施方式中的相似。此外，磁粉的平均纵横比也如上所述那样确定。
磁粉的平均粒度(平均最大粒度)优选为22nm以下，更优选8nm以上22nm以下，并且还更优选12nm以上22nm以下。磁粉的平均纵横比优选为1以上2.5以下，更优选1以上2.1以下，并且还更优选1以上1.8以下。磁粉的纵横比在1以上2.5以下的范围内可以抑制磁粉的聚集，并且还可以抑制在形成磁性层1的步骤中对磁粉进行垂直取向时施加到磁粉上的电阻。因此，有可能改善磁粉的垂直取向度。
在该磁性层1中，通常包含非磁性添加剂以增强磁性层1的强度和耐用性。例如，粘合剂、分散剂、研磨剂等根据需要混合在磁性层1中。磁性层1是通过提供磁性涂料而形成的，其中添加磁粉和从这些添加剂中选定的添加剂，并将磁性涂料施加到下层。
作为要添加到磁性层1中的粘合剂，优选的是其中交联反应已经赋予聚氨酯树脂、氯乙烯树脂等的结构的树脂。然而，粘合剂不限于这种树脂，并且取决于磁带T所需的物理性质，也可以适当地添加其它树脂。一般来说，只要通常用于涂覆型磁带T，对要添加的一种或多种树脂没有特别的限制。
示例包括聚氯乙烯、聚乙酸乙烯酯、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、氯乙烯-偏二氯乙烯共聚物、氯乙烯-丙烯腈共聚物、丙烯酸酯-丙烯腈共聚物、丙烯酸酯-氯乙烯-偏二氯乙烯共聚物、氯乙烯-丙烯腈共聚物、丙烯酸酯-丙烯腈共聚物、丙烯酸酯-偏二氯乙烯共聚物、甲基丙烯酸酯-偏二氯乙烯共聚物、甲基丙烯酸酯-氯乙烯共聚物、甲基丙烯酸酯-乙烯共聚物、聚氟乙烯、偏二氯乙烯-丙烯腈共聚物、丙烯腈-丁二烯共聚物、聚酰胺树脂、聚乙烯醇缩丁醛、纤维素衍生物(醋酸丁酸纤维素、二醋酸纤维素、三醋酸纤维素、丙酸纤维素、硝化纤维素)、苯乙烯丁二烯共聚物、聚酯树脂、氨基树脂、合成橡胶等。此外，热固性树脂或反应性树脂的示例包括酚醛树脂、环氧树脂、尿素树脂、三聚氰胺树脂、醇酸树脂、硅树脂、聚胺树脂、脲醛树脂等等。
在上述每种粘合剂中，还可以引入极性官能团，例如-SO3M、-OS3M、-COOM或P＝O(OM)2，以增加磁粉的分散性。在这些通式中，M是氢原子，或碱金属(诸如锂、钾或钠)。其他极性官能团举例为具有末端基团为-NR1R2或-NR1R2R3+X-的侧链型官能团，以及>NR1R 2+X-的主链型的官能团。在这些通式中，R1、R2和R3的每个是氢原子或烃基，并且X-是卤素元素离子(诸如氟、氯、溴或碘的离子)，或者无机或有机离子。更进一步的极性官能团包括-OH、-SH、-SH、环氧基和类似基团。
用于磁性层1的润滑剂优选包含由以下通式(1)表示的化合物和由以下通式(2)表示的化合物。润滑剂中包含这些化合物可以显著降低磁性层1的表面的动摩擦系数，因此可以进一步提高磁带T的行进性能。
CH3(CH2)nCOOH...(1)
(在通式(1)中，n是从14以上22以下的范围中选择的整数。)
CH3(CH2)pCOO(CH2)qCH3...(2)
(在通式(2)中，p是从14以上22以下的范围中选择的整数，并且q是从2以上5以下的范围中选择的整数。)
作为又一添加剂，磁性层1还可以包含作为非磁性增强颗粒的氧化铝(α-、β-或γ-氧化铝)、氧化铬、氧化硅、金刚石、石榴石、金刚砂、氮化硼、碳化钛、碳化硅、碳化钛、氧化钛(金红石或锐钛矿氧化钛)等。
在本发明中，在磁性层1的表面1a中形成纳米级的精细凹部的结构。具体而言，积极地或有意地在每单位面积中设置预定数量以上的具有预定深度以上的深度的凹部是本发明的特征之一。这些凹部11的尺寸能够清楚地将微小凹部结构从基于磁性层1的组成和/或材料而自然形成在磁性层1表面上的更精细的粗糙表面结构区分开来。
关于本发明，本文公开了一个示例，其中磁性层1是通过涂覆应用(涂覆)而形成的。然而，应当注意，即使磁性层1通过诸如气相沉积或另一种形成方法的真空膜沉积方法来形成，凹部11也可以形成在磁性层1的表面中。
现在参考图3和4，将描述在磁性层1中形成凹部11的原因和目的。图3是示出普通磁性记录带理想地在磁头上行进的状态的视图。图4是用于描述当普通磁性记录带在磁头上行进时出现的困难(问题)的示意图。
首先，如图3所示，作为磁带T的最上层而定位的磁性层1是与布置在磁记录装置(未示出)中的磁头H相对的层。在来自磁头H的磁场下，磁性层1的磁性被改变以执行信号记录，并且另一方面，磁头H读取磁性的变化以执行记录信号的再现。应当注意，在本发明中，磁头H的种类不应被限制得特别窄。
磁带T的理想行进意味着，即使在重复行进时，磁带T也能稳定地高速行进，同时与磁头H的距离维持在尽可能窄的状态。如果磁头H和磁带T之间出现过大的距离，则就会出现所谓的间距现象，从而磁带T与磁带H的适当接触状态不再能够被维持，从而导致磁带的磁记录或再现特性因偏离磁道现象等而劣化。
另一方面，如果磁带T与磁头H的接触过强，那么摩擦会由于重复使用而逐渐增加，结果出现诸如磁带T变形的问题。由于这个问题，磁记录或再现特性劣化。
图4是用于描述本发明人发现的新技术问题的示意图。如图4所示，在磁带T前进到磁头H之后的紧邻的区域中，磁带T进入轻微浮动状态，并且会出现形成有“空气积聚空间”(标记为A)的现象。
当磁带T行进时，空气积聚空间A和包围在空气积聚空间A中的空气趋向于持续地保留在磁头H上。此外，包围在空气积聚空间A中的空气诱发磁头H和磁带T之间出现间距现象。另外，磁带T在磁头H上的行进的稳定被空气积聚空间A破坏，从而空气积聚空间A成为了产生因与磁头H的更强接触而造成的摩擦增加的原因。
在本发明中，广泛且均匀地设置在磁性层1的表面1a中的多个凹部11被布置成接收存在于空气积聚空间A中的空气。图5是用于描述磁性层1的表面中的凹部11的概念的简化示意图。
如图5和图2所示，每个具有朝向下侧(朝向非磁性层2)凹进的形状的精细凹部11广泛且均匀地形成在磁性层1的表面1a中。这些凹部11各自用作接收空气积聚空间A中的空气的空间(见图4)。此外，每个凹部11的体积和存在于磁带表面中的凹部11的总体积，特别是在给定时间点存在于磁带T和磁头H之间的接触平面中的凹部11的总体积与凹部11的空气接收能力密切相关。
在磁性层1的表面1a中形成有多个精细凹部11的磁带T可以在行进的同时从空气积聚空间A(再次参见图3)接收空气进入凹部11。换句话说，布置在磁性层1中的凹部11起到空气逸出空间的作用。这意味着凹部11还控制作用在磁头H和磁带T上的负压。结果，凹部11抑制了由空气积聚空间A引起的间距现象，并且还抑制了当磁带A在磁头H上重复行进时发生的摩擦增加，因此可以维持或改善磁带T的信噪比特性。
现在，每个凹部11具有深度D1(在其最深部分)(见图5)，基于与本发明相关的验证，该深度合适地为7.8nm以上，并且更合适地为10nm以上，因为每个凹部11的小于7.8nm的深度几乎不允许凹部11用作用于接收存在于空气积聚空间A中的空气的空间。
相对于磁性层1的总厚度D2，每个凹陷11相对于总厚度D2有多深也是重要的。具体而言，相对于磁性层1的总厚度D2(见图5)，每个凹陷11的深度可以理想地是通过将凹部11的深度D1的值除以磁性层1的总厚度D2的值而获得的比例，即D1/D2的值至少为15％以上，D1/D2的值为20％以上更合适。
如果每个凹部11的深度D1与磁性层1的总厚度D2的比率小于15％，则接收空气积聚空间A中存在的空气的功能降低。另一方面，如果该比率超过50％，则磁性层1的厚度在某些位置变得过薄，并且不期望地对磁性层1本身的功能产生不利影响。
磁性层1的表面1a中的凹部11的数量相对于布置成接收上述空气的凹部11的总体积也很重要。在磁带T的预定面积：80μm×80μm＝6,400μm2的被指定为单位面积(相当于磁带T静止时磁带T与磁头h的接触面积)的情况下，如果每个凹部11的深度相对于磁性层1的总厚度D2是15％，则每单位面积需要120个以上的凹部11。此外，如果每个凹部11的深度相对于磁性层1的总厚度D2是20％，则每单位面积适合60个以上的凹部11。如果如上所述存在这些数量的凹部11，则凹部11可以确保足够的容积来接收空气积聚空间A中存在的空气。
根据本发明的优选实施方式，可以在磁性层中形成深度为磁性层厚度的20％以上的多个凹部，并且磁性层的每6,400μm2的表面积的凹部的数量可以优选为55个以上，更优选为60个以上。包含如上所述数量以上的凹部有助于抑制磁头上的动态摩擦系数。
在磁性层1中，磁性颗粒可以垂直取向。在垂直取向上，磁带T和磁头H之间的摩擦通常趋于增加，因为磁性颗粒通过垂直取向而在一个方向上对准，因此磁性颗粒水平的表面形状变得平滑。通过如在本发明中那样在磁性层1中广泛且均匀地形成凹部11，即使磁性层1垂直取向或者即使磁带T重复使用多次，也可以抑制摩擦的增加。即使对于没有退磁校正的具有垂直取向度为例如65％以上的磁性层1的磁带而言，也可以获得本发明的有利效果。
磁带T的动态摩擦系数。如果行进期间向磁带T施加0.4N张力时的磁性层1的表面和磁头H之间的动态摩擦系数μB和当行进期间向磁带T施加1.2N张力时的磁性层1的表面和磁头H之间的动态摩擦系数μA的比率(μB/μA)优选为1.0以上为2.0以下，则可以减小由于行进期间张力变化而引起的动态摩擦系数的变化，从而可以稳定磁带的行进。向磁带T施加0.6N张力时的磁性层1的表面和磁头之间的动态摩擦系数μA的行进1，000次的值μ1000与行进5次的值μ5的比率(μ1000/μ5)优选为1.0以上2.0以下，更优选为1.0以上1.7以下。如果比率(μB/μA)为1.0以上2.0以下，则可以减小由于多次行进而导致的动态摩擦系数的变化，从而可以稳定磁带的行进。
在根据本发明的另一个优选实施方式的磁性记录带中，多个凹部设置在包括在磁带中的磁性层的表面中，每个凹部的深度D1除以磁性层的厚度D2而获得的值为15％以上，磁性层垂直取向，在没有退磁校正的情况下垂直取向度为65％以上，每个凹部的深度等于或大于磁性层厚度的20％，并且磁性层的每6,400μm2的表面积的凹部的数量可以是55个以上。利用该磁性层，可以向磁性记录带赋予低磁头动态摩擦系数和良好的信噪比。具有磁性层的磁性记录带特别适合于通过以4m/s或更快的速度行进来记录或再现。
根据本发明的另一实施方式，磁性记录带具有至少包括磁性层的多层结构，磁带具有5.6μm以下的总厚度，并且包括设置在磁性层表面中的多个凹部，每个凹部的深度D1除以磁性层的厚度D2而获得的值为15％以上，并且磁性层垂直取向，并且在没有退磁校正的情况下具有65％以上的垂直取向度。
根据本发明的又一实施方式，磁性记录带具有至少包括磁性层的多层结构，磁带具有5.6μm以下的总厚度，并且包括设置在磁性层表面中的多个凹部，每个凹部的深度D1除以磁性层的厚度D2而获得的值为15％以上，磁性层垂直取向，并且在没有退磁校正的情况下具有65％以上的垂直取向度，并且磁性层在垂直方向上的取向度与磁性层在长度上的取向度的比值可以是2以上。
根据本发明的又一实施例，磁带具有5.6μm以下的总厚度，并且包括设置在磁性层表面中的多个凹部，每个凹部的深度D1除以磁性层的厚度D2而获得的值为15％以上，磁性层垂直取向，并且在没有退磁校正的情况下具有65％以上的垂直取向，并且每个凹部的深度D1为7.8μm以上。
利用具有如上所述配置的磁性记录带，可以实现低磁头动态摩擦系数和良好的信噪比。
(2-2)非磁性层
接下来，在一些情况下，布置在磁性层1下面的非磁性层2(见图1)也可以被称为“中间层”或“底层”。该非磁性层2是出于以下目的而设置的层：将磁力对磁性层1的影响限制在磁性层中，以及确保磁性层1所需的平整度。此外，该非磁性层2还起到保持添加在磁性层中的润滑剂和添加在非磁性层2本身中的润滑剂的作用。
该非磁性层2是包含非磁性粉末和粘合剂的非磁性层。非磁性层2还可以包含润滑剂、导电颗粒、固化剂、防锈剂等中的至少一种添加剂。非磁性粉末包含例如无机颗粒粉末或有机颗粒粉末中的至少一种。此外，非磁性粉末还可以包含碳材料，例如炭黑。应当注意，可以单独使用单一的非磁性粉末，或者可以组合使用两种以上的非磁性粉末。无机颗粒包含例如金属、金属氧化物、金属碳酸盐、金属硫酸盐、金属氮化物、金属碳化物、金属硫化物等。作为非磁性粉末的形状，示例包括但不限于各种形状，诸如针状、球形、立方体和片状。粘合剂类似于上述磁性层1中的粘合剂。
非磁性层2的平均厚度优选为0.6μm以上2.0μm以下，更优选为0.8μm以上1.4μm以下。应当注意，非磁性层2的平均厚度像确定磁性层1的平均厚度那样被确定。然而，TEM图像的放大倍数取决于非磁性层2的厚度来适当调整。小于0.6μm的厚度导致添加在磁性层和非磁性层2本身中的添加剂(例如润滑剂)的保持功能的损失。另一方面，大于2.0μm的厚度导致磁带T的总厚度过度增加，并且与通过形成更薄的磁带T来追求更高记录容量的趋势相悖。
该非磁性层2可以通过在下面将要描述的“基膜层3”上进行涂覆来形成。取决于目的和需要，非磁性层2可以采用多层结构。对于非磁性层2来说，使用非磁性材料是重要的，因为除了磁性层1之外的任何层的磁化都会成为噪声的产生源。
用于非磁性层2的非磁性材料可以是无机材料或有机材料。无机材料的可用示例包括羟基氧化铁、赤铁矿、氧化钛、炭黑、金属氮化物、金属硫化物等。除了这种非磁性材料之外，在某些情况下还可以添加一种或多种其他添加剂。作为非磁性材料(非磁性粉末)的形状，示例包括但不限于各种形状，诸如针状、球形、立方体和片状。
(2-3)基膜层
接下来，图1和图2中描绘的基膜层3主要起作为用作磁带T中的基底的层的作用。基膜层3也简称为“基层”或“非磁性基板”。基膜层3是支撑非磁性层2和作为非磁性层2的上层的磁性层1的非磁性基板。该基膜层3是细长膜的形式。基膜层3的平均厚度的上限是4.5μm以下，更优选4.2μm以下，更优选3.8μm以下，并且还更优选3.4μm以下。如果基膜层的平均厚度的上限是4.2μm以下，则在单个数据磁带盒中可以记录的记录容量可以相较于普通磁记录介质的记录容量增加。应当注意，基膜层3的下限厚度是从成膜的限制和基膜层3的功能的角度来确定的。
基膜层3的平均厚度可以如下文将描述的那样确定。首先，提供1/2英寸宽的磁带T，并以250mm的长度切割以制备样品。随后，用诸如MEK(甲乙酮)或稀盐酸的溶剂去除样品中除基膜层3以外的层(具体地是非磁性层12、磁性层1和背衬层4)。使用由Mitsutoyo(三丰)公司制造的LASER HOLOGAGE(激光全息)检测器作为测量仪器，接着在5个以上的点处测量样品(基膜层3)的厚度，将测量值简单平均(算术平均)以计算基膜层3的平均厚度。需要注意的是，测量点应从样品中随机选择。
基膜层3包含例如聚酯、聚烯烃、纤维素衍生物、乙烯基树脂和其他聚合物树脂中的至少一种。如果基膜层3包含两种以上的上述材料，则这两种以上的材料可能已经混合、共聚或层压在一起。聚酯包括例如PET(polyethylene terephthalate，聚对苯二甲酸乙二醇酯)、PEN(polyethylene naphthalate，聚萘二甲酸乙二醇酯)、PBT(polybutyleneterephthalate，聚对苯二甲酸丁二醇酯)、PEN(polybutylene naphthalate，聚萘二甲酸丁二醇酯)、PCT(polycyclohexylenedimethylene terephthalate，聚对苯二甲酸环己二甲醇酯)、PEB(polyethylene-p-oxybenzoate，聚乙烯-对氧苯甲酸酯)和聚乙烯双苯氧基羧酸酯(polyethylene bisphenoxy carboxylate)。聚烯烃包括例如聚乙烯和聚丙烯。纤维素衍生物包括例如二醋酸纤维素、三醋酸纤维素、CAB(醋酸丁酸纤维素)和CAP(醋酸丙酸纤维素)。乙烯基树脂包括例如PVC(聚氯乙烯)和PVDC(聚偏二氯乙烯)。其他聚合物树脂包括例如PA(聚酰胺、尼龙)、芳族PA(芳族聚酰胺、芳族聚酰胺)、PAI(聚酰胺酰亚胺)、芳族PAI(芳族聚酰胺酰亚胺)、PBO(聚苯并噁唑，例如ZYLON(注册商标))、聚醚、PEK(聚醚酮)、聚醚酯、PES(聚醚砜)、PEI(聚醚酰亚胺)、PSF(聚砜)、PPS(聚苯硫醚)、PC(聚碳酸酯)、PAR(聚芳酯)和PU(聚氨酯)。基膜层3的材料没有特别严格的限制，但是可以根据磁带标准来确定。例如，在LTO标准中，指定了PEN。
(2-4)背衬层
图1和2中描绘的背衬层4起到控制当磁带T在与磁头相对的同时高速行进时发生的摩擦的作用，起到防止卷绕紊乱的作用等等。换句话说，背衬层4起到允许磁带T稳定地高速行进的基本作用。
背衬层4包含粘合剂和非磁性粉末。根据需要，背衬层4还可以包含润滑剂、固化剂、抗静电剂等的至少一种添加剂。粘合剂和非磁性粉末类似于上述非磁性层12中的那些。
非磁性粉末的平均粒度优选为10nm以上150nm以下，更优选为15nm以上110nm以下。非磁性粉末的平均粒度像上述确定磁性粉末的平均粒度那样被确定。非磁性粉末可以包含具有两种以上粒度分布的非磁性粉末。
背衬层4的平均厚度的上限优选为0.6μm以下。当背衬层4的平均厚度的上限为0.6μm以下时，即使磁带T的平均厚度为5.6μm，非磁性层2和基膜层3也可以保持较厚。结果，磁带T在记录和再现装置中的行进稳定性可以维持较高。尽管没有特别的限制，背衬层4的平均厚度的下限例如是0.2μm以上。
背衬层4的平均厚度可以如下文将描述的那样确定。首先，提供1/2英寸宽的磁带T，并以250mm的长度切割以制备样品。使用Mitsutoyo公司制造的LASER HOLOGAGE检测器作为测量仪器，然后在5个以上的点处测量样品的厚度，并对测量值进行简单平均(算术平均)以计算磁带T的厚度的平均值tT[μm]。应注意的是，测量点应从样品中随机选择。随后，用诸如MEK(甲乙酮)或稀盐酸的溶剂去除样品中的背衬层4。再次使用上述LASER HOLOGAGE检测器，然后在5个以上的点处测量样品的厚度，并且对测量值进行简单地平均(算术平均)以计算去除了背衬层4的磁带T厚度的平均值tB[μm]。需要注意的是，测量点应从样品中随机选择。然后，背衬层4的平均厚度tb[μm]由以下公式确定。
tb[μm]＝tT[μm]-tB[μm]
背衬层4的厚度理想地为100nm以上。小于100nm的厚度导致更高的电阻，并因此导致与磁头H的兼容性劣化的问题的出现。关于上限厚度，如果是能够呈现背衬层3的功能的最小厚度，特别是能够确保记录和再现装置中的磁带T的高速和稳定行进来说必要和足够的厚度，则足以。在这种观点下，不特别需要大于1微米的厚度。
背衬层4由包含粘合剂和非磁性粉末的组合物形成，并且也可以根据需要添加润滑剂和固化剂。此外，还可以添加抗静电剂以提供具有抗静电功能的背衬层4，从而防止灰尘和碎屑的粘附。
在本发明中，预先在背衬层4的表面4a上设置多个纳米级精细突部(突起部)41(见图2)。突部41用于在磁性层1的表面1a中形成上述凹部11。为了实现这一目的，突部41需要具有预定高度以上的高度，并且需要磁带的每单位面积上的必要个数(下面将进行描述)。
图6是简化的示意性放大图，示出了如何通过转印背衬层4上存在的突部41来在磁性层1的表面1a中形成凹部11。如图6所示，磁带T的磁性层1的表面1a与背衬层4的表面1a相对放置，并且按压在背衬层4的表面1a上(见图6(a))。当磁性层1在被按压了预定时间后被拉离背衬层4时，凹部11被转印到磁性层1的表面并被保留(见图6(b))。换句话说，在本发明中，布置在作为最上层的磁性层中的凹部可以是通过按压形成在布置为最下层的背衬层表面上的突部而形成的凹部。
例如，在涂覆磁性层1之后，包括有仍处于未干燥状态的磁性层1的磁带T被卷绕在卷筒(卷绕芯)上。然后，必然被卷绕至外侧的磁带T的具有突部41的背衬层4的表面4a被自然地按按压(变紧)在磁性层1的表面1a上。此时利用按压的压力，凹部11可以转印到磁性层的表面1a中。
背衬层4上的突部41可以例如通过以预定比例混合小粒度的碳颗粒(以下称为“小颗粒”)和相对大于小粒度的碳颗粒(以下称为“大颗粒”)来形成。在背衬层4的表面上形成不平整结构，并且该结构中的突部41的部分用于在磁性层1中形成凹部11。应当注意，作为大颗粒，可以使用诸如氧化铝、二氧化硅或氧化钛的材料。
这里，小颗粒是具有平均粒度在15至30nm范围内的颗粒，并且另一方面，作为大颗粒，选择平均粒度在200至350nm范围内的颗粒是合适的。作为小颗粒和大颗粒之间的粒度差异，需要170至335nm的范围。如果小颗粒和大颗粒之间的粒度差异太小，则背衬层4上的不平整性变平，导致难以在磁性层1中形成凹部11。另一方面，如果小颗粒和大颗粒之间的粒度差异太大，不平整结构变得极其严重，导致诸如使凹部11的深度变得过大的问题。
此外，大颗粒和小颗粒混合时的比例也很重要。相对于10至20质量％的大颗粒，希望添加80至90质量％的小颗粒。如果大颗粒低于10质量％，则突部41没有充分形成。另一方面，如果大颗粒超过20质量％，则突部41变得太多(谷部变得太少)，导致难以在磁性层1中形成凹部11。
突部41可以具有任何高度，只要能够在磁性层1中形成预定尺寸的深度的凹部11即可，并且对突部41的高度没有严格限制。然而，期望例如40nm以上，更合适地60nm以上的高度。小于40nm的高度使得突部41难以穿透到磁性层1的表面中，从而难以形成凹部11。要注意的是，如果突部41具有这种尺寸的高度，则在转印步骤之后没有特别需要使背衬层4的表面平滑化。
此外，在规定了背衬层4的每单位面积是80μm×80μm＝6,400μm2的情况下，如果高度为60nm以上的突部41的数量是例如30以上，则凹部11可以广泛且均匀地形成在磁性层1的表面中，因此这种情况是期望的。
(3)关于根据本发明的磁带T的基本制造方法
接下来将描述具有上述配置的磁带T的制造工艺(参见图7)。
(涂料制备步骤)
首先，将非磁性粉末、粘合剂、润滑剂等捏合和/或分散在溶剂中，以制备用于形成非磁性层的涂料。接下来，将磁粉、粘合剂、润滑剂等捏合和/或分散在溶剂中，以制备用于形成磁性层的涂料。然后，将粘合剂、非磁性粉末等捏合和/或分散在溶剂中，以制备用于形成背衬层的涂料。为了制备用于形成磁性层的涂料、用于形成非磁性层的涂料和用于形成背衬层的涂料，可以使用下列溶剂、分散装置和捏合装置。
作为用于制备上述涂料的溶剂，示例包括酮溶剂(诸如丙酮、甲基乙基酮、甲基异丁基酮和环己酮)、醇溶剂(诸如甲醇、乙醇和丙醇)、酯溶剂(诸如乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙酸丙酯、乳酸乙酯和乙二醇乙酸酯)、醚溶剂(诸如二甘醇二甲醚、2-乙氧基乙醇、四氢呋喃和二恶烷)、芳香烃溶剂(诸如苯、甲苯和二甲苯)、卤代烃溶剂(诸如二氯甲烷、氯乙烯、四氯化碳、氯仿和氯苯)等。这些溶剂可以单独使用，或者可以适当组合使用。
用于制备上述涂料的捏合装置包括，例如，但不特别限于，诸如连续双螺杆捏合机、能够多步稀释的连续双螺杆捏合机、捏合器、压力捏合器和滚筒式捏合器的捏合装置。用于制备上述涂料的分散装置包括，例如，但不限于，诸如滚筒磨机、球磨机、卧式砂磨机、立式砂磨机、刺针磨机、针式磨机、塔式磨机、珍珠磨机(例如，由Maschinen Fabrik GustavEirich GmbH&Co KG制造的“DCP Mill(磨机)”等)、均质器和超声波分散机的分散装置。
例如，用于形成磁性层的涂料的制备将在下文中描述。首先，在捏合装置中捏合下述配方的第一组合物。接下来，将捏合的第一组合物和下述配方的第二组合物加入到包括乳化混合器的搅拌槽中，然后进行预混合。随后，在砂磨机中进行混合，随后金夏利过滤以制备用于形成磁性层的涂料。
(第一组合物)
钡铁氧体(BaFe12O19)颗粒的粉末(六角形片状，纵横比2.8，颗粒体积：1950nm3)：100质量份
氯乙烯树脂(30质量％环己酮溶液)：10质量份(聚合度300，Mn＝10000，含有0.07mmol/g的OSO3K和0.3mmol/g的仲羟基以作为极性基团)
氧化铝粉末：5质量份(α-Al2O3，平均粒度0.2μm)
炭黑：2质量份(Tokai Carbon(东海碳素)有限公司产品，商品名:SEAST TA(海星泰))。
(第二组合物)
氯乙烯树脂：1.1质量份(树脂溶液：树脂含量30质量％，环己酮70质量％)
硬脂酸正丁酯：2质量份
甲乙酮：121.3质量份
甲苯：121.3质量份
环己酮：60.7质量份
最后，向如上所述制备的用于形成磁性层的涂料中加入4质量份的多异氰酸酯(商品名：CORONATE L，Nippon Polyurethane Industry(日本聚氨酯工业)有限公司的产品)和2质量份肉豆蔻酸作为固化剂。
接下来，用于形成非磁性层的涂料可以如下文将描述的那样制备。
首先，在捏合装置中捏合下述配方的第三组合物。接下来，将捏合的第三组合物和下述配方的第四组合物加入到包括乳化混合器的搅拌槽中，然后进行预混合。随后，在砂磨机中进行混合，随后进行过滤以制备用于形成非磁性层的涂料。
(第三组合物)
针状氧化铁粉末：100质量份(α-Fe2O3，平均长轴长度0.15μm)
氯乙烯树脂：55.6质量份(树脂溶液：树脂含量30质量％，环己酮70质量％)
炭黑：10质量份(平均粒度20纳米)
(第四组合物)
聚氨酯树脂UR8200(Toyobo(东洋博)有限公司产品)：18.5质量份
硬脂酸正丁酯：2质量份
甲乙酮：108.2质量份
甲苯：108.2质量份
环己酮：18.5质量份
最后，向如上所述制备的用于形成非磁性层的涂料中加入4质量份多异氰酸酯(商品名:“CORONATE L”，日本聚氨酯工业有限公司的产品)和2质量份肉豆蔻酸作为固化剂。
(用于形成背衬层的涂料的制备步骤)
如下文所述制备用于形成背衬层的涂料。将下述材料在包括乳化混合器的搅拌槽中进行混合，随后进行过滤以制备用于形成背衬层的涂料。
炭黑颗粒粉末(平均粒度20nm)：90质量份
炭黑颗粒粉末(平均粒度270nm)：10质量份
聚酯聚氨酯：100质量份(日本聚氨酯工业有限公司产品，商品名:N-2304)
甲乙酮：500质量份
甲苯：400质量份
环己酮：100质量份
应当注意，炭黑颗粒的粉末(平均粒度20nm)的量可以改变为80质量份，并且炭黑颗粒的粉末(平均粒度270nm)的量可以改变为20质量份。从在背衬层4上形成突部的观点来看，不优选将炭黑颗粒的粉末(平均粒度270nm)的量改变为100质量份。
(涂覆步骤)
接下来，将用于形成非磁性层的涂料施加到基膜层3的一个主表面上，并进行干燥(固化)以形成非磁性层2。随后，将由于形成磁性层的涂料施加到非磁性层2上，并进行干燥以在非磁性层2上形成磁性层1。这里，在干燥时，磁粉可以优选地例如通过螺线管线圈在基膜层3的厚度方向上受到磁场取向。作为替代，在干燥时，磁粉可以例如均通过螺线管线圈在基膜层3的行进方向(长度方向)上受到磁场取向，然后可以在基膜层3的厚度方向上受到磁场取向。在形成磁性层1之后，将用于形成背衬层的涂料施加到基膜3的另一个主表面，并干燥以形成背衬层4。结果，获得了磁带T。
使用如上所述制备的用于形成磁性层的涂料和用于形成非磁性层的涂料，平均厚度为1.0至1.1μm的非磁性层2和平均厚度为40至100μm的磁性层1如下文所述的那样形成在作为基膜层的细长聚萘二甲酸乙二醇酯膜(以下称为“PEN膜”)的之一主表面上。首先，将用于形成非磁性层的涂料施加到PEN膜的一个主表面，并干燥以形成非磁性层2。接下来，将用于形成磁性层的涂料施加到非磁性层2，并干燥以形成磁性层1。
这里，在干燥用于形成磁性层的涂料时，磁粉通过螺线管线圈在膜的厚度方向上受到磁场取向。可以例如通过调节从螺线管线圈产生的磁场强度(例如，调整到磁粉的矫顽力的2到3倍)、通过调节用于形成磁性层涂料的固体含量、或者通过调节干燥条件(干燥温度和干燥时间)、或者通过这些调节的组合来调整矩形比(取向度)。作为替代，也可以通过调节允许磁粉在磁场中取向所需的时间来调整矩形比。为了增加矩形比，例如，优选改善磁粉在涂料中的分散状态。另一方面，对于垂直方向上的取向，在磁粉进入取向装置之前提前进行磁化也是一种有效的方法，因此可以使用这种方法。通过进行这种调节，垂直方向(磁带厚度方向)和/或长度方向(磁带长度方向)上的矩形比可以设定为期望值。随后，将用于形成背衬层的涂料施加到PEN膜的另一个主表面，并进行干燥以形成非磁性层2。通过上述说明性方法，获得了磁带T。
(压延步骤)
接下来施加压延处理以平滑磁性层的表面。该压延步骤是使用通常称为“压延机”的机器施加镜面光洁度的步骤，并且在本发明中，该步骤被包括以作为在转印步骤之前的预处理步骤。压延步骤是这样一个步骤，在该步骤中，在相对的金属制造的卷筒之间进给和夹住磁带T，同时通过根据需要施加温度和压力来抛光磁性层1的表面被。转印步骤将在该压延步骤之后进行。
(转印步骤)
在压延的磁带T以卷的形式被卷绕之后，磁带T在这种状态下经受热处理，使得背衬层4表面上的多个突部41被转印到磁性层1的表面1a中。随后，磁性层1被固化。结果，在磁性层1的表面1a中形成多个凹部11。因此，通过将布置在背衬层4的表面上的多个突部41转印到磁性层1的表面1a中，可以在磁性层1的表面1a中适当地形成多个凹部11。然而，多个凹部11的形成不限于这种方法。例如，通过适当选择包含在用于形成磁性层的涂料中的溶剂的种类、用于形成磁性层的涂料的干燥条件等，也可以在磁性层1的表面上形成多个凹部。
(分切步骤)
如上所述获得的磁带被分切成例如1/2英寸(12.65mm)宽。结果，可以获得目标细长磁带T。
(4)用于在磁性层表面形成凹部的转印步骤的示例
为了根据本发明制造磁带T，预先制备要施加到基膜层3上的用于磁性层1、非磁性层2和背衬层4的各个涂料(涂料制备步骤)，并且以预定顺序将这些涂料施加到基膜3上(涂覆步骤)，同时监测每层厚度。随后，以取向步骤(形成磁性层的磁粉在方向上对准的步骤)、压延步骤、转印步骤和固化步骤的顺序对所得到的磁带进行加工并卷绕在鼓上。
然后，以对应于产品类型的磁带宽度分切所得到的磁带(分切步骤(slittingstep))，并且根据产品标准以磁带长度切割所得到的分切后的磁带(切割步骤)。最后，将得到的切割后的磁带组装到对应于目标产品的磁带盒壳体中，以获得磁性记录带盒(组装步骤)，并且在预定的检查步骤之后，装运磁性记录带盒。图7是根据本发明的磁带制造工艺的基本流程图。
图8是示出磁带盒5的实施例的视图，磁带盒5具有容纳在壳体51中的根据本发明的磁性记录带T。取决于磁性记录带的用途和目的来选择壳体51。磁带T以预定长度之缠绕在布置在壳体51中的卷轴52上，并且在在对磁带T记录或从磁带T再现时，从壳体51中拉出磁带T并使用。因此，本发明还提供了一种配置的磁性记录带盒，其中根据本发明的磁性记录带以磁带卷绕在卷轴上的形式包含在壳体中。
这里，图9是用于描述磁带T的制造方法的示例的基本概念图。在本发明中，在通过涂覆形成磁性层1之后但在固化磁性层1之前的阶段进行在磁性层1的表面1a中形成凹部11的转印步骤。
具体而言，在涂覆的磁性层1的表面被平滑化(压延步骤)之后，磁带T进入被缠绕在卷筒R1上的状态，并且转印步骤(将背衬层4上的突部41按压在磁性层1上的步骤)在60℃至70℃的大气温度条件(磁带周围的环境温度条件)下进行。图10是示出在转印步骤中磁带T如何逐渐被卷绕在卷筒R1上以及背衬层4上的突部41如何与磁性层1的表面接触的视图。
转印步骤中的热处理温度优选为55℃以上75℃以下。如果热处理温度为55℃以上，那么可以获得良好的转印性能。另一方面，如果热处理温度为75℃以上，那么孔的数量变得过大，使得表面上的润滑剂变得过多。这里，热处理的温度是指保持磁带T的气氛的温度。作为转印步骤的另一温度条件，可以将刚好低于磁性层1和背衬层4之间开始发生粘附的温度的温度设定为上限。
热处理时间优选为15小时以上但40小时以下。如果热处理时间为15小时以上，那么可以获得良好的转印性能。另一方面，如果热处理时间为40小时以下，则可以抑制生产率的降低。
如果转印步骤仅进行一次，那么当在作为大气温度的60℃的温度条件下，例如转印步骤进行20小时以上，更优选25小时以上时，可以获得良好的结果。因此，认为短于15小时的转印时间不是足够的转印处理时间。
如果转印步骤仅进行一次，则在卷筒R1外侧的区域T1和卷筒R1附近的区域T2之间的紧固力出现差异，导致在外侧的区域T1中凹部11的形成不足的趋势。
在本发明中如图11所示，，以相反的方向拉出缠绕在卷筒R1上的并且已经通过第一次转印步骤被完全处理的磁带T，并且将其卷绕在另一卷筒R2上，并且再次进行转印步骤。换句话说，磁带T被再次卷绕，使得在第一次转印步骤中位于卷筒R1外侧的区域中的磁带T1定位于卷筒R2附近的区域中，并且在第一次转印步骤中位于卷筒R1内侧的区域中的磁带T2定位于卷筒R2外侧的区域中(见图9和11)。结果，可以在磁带的整个长度上均衡紧固力，并且可以均匀地进行凹部的形成。
在两次转印步骤中，当在55℃至75℃的大气温度条件下，第一次和第二次转印时间分别设定为10小时时，获得良好的结果。因此，进行一次转印的情况下，更适合于在55℃以上、优选60℃以上的大气温度的条件下进行25小时或更长时间的转印。进行两次转印的情况下，则更适合在与一次转印相似的温度条件下各进行10小时以上的转印。需要注意的是，第一次转印步骤和第二次转印步骤的温度和处理时间的条件可以相同。第二次转印可以采用较强转印的条件，或者第二次转印可以采用较弱转印的条件。转印步骤也可以进行三次以上。
本发明还可以采用以下配置。
(1)一种磁性记录带，所述磁性记录带是具有至少包括磁性层的多层结构的磁带，所述磁带的总厚度为5.6μm以下，其中：所述磁性层的表面上设置有多个凹部，
所述凹部的深度D1除以所述磁性层的厚度D2而获得的值为15％以上，
所述磁性层垂直取向，且在没有退磁校正的条件下的垂直取向度为65％以上，并且
所述磁性层上形成有深度为该磁性层厚度的20％以上的多个凹部，并且所述磁性层的每6400μm2的表面积的该凹部的数量为55个以上。
(2)根据(1)所述的磁性记录带，其中
所述磁性层的垂直方向上的取向度与所述磁性层的长度方向上的取向度之比为2以上。
(3)根据(1)或(2)所述的磁性记录带，其中
所述磁性层的每6,400μm2的表面积的所述凹部的数量为120个以上。
(4)根据(1)至(3)中任一项所述的磁性记录带，其中
磁性层表面具有由非接触式光学干涉粗糙度测量所确定的Ssk值为负值。
(5)根据(1)至(4)中任一项所述的磁性记录带，其中
所述磁带是在经由磁头记录或再现期间以4m/s以上的速度来行进的磁带。
(6)根据(1)至(5)中任一项所述的磁性记录带，其中
设置在最上层的磁性层上的所述凹部是通过按压凸部而形成的，所述凸部形成在设置于最下层的背衬层的表面上。
(7)根据(1)至(6)中任一项所述的磁性记录带，其中
所述磁性记录带在磁带行进时从与磁记录头相对的一侧开始依次具有磁性层、非磁性层、基膜层和背衬层。
(8)根据(1)至(7)中任一项所述的磁性记录带，其中
所述总厚度为4.6μm以下。
(9)一种磁性记录带，所述磁性记录带是具有至少包括磁性层的多层结构的磁带，所述磁带的总厚度为5.6μm以下，其中：所述磁性层的表面上设置有多个凹部，
所述凹部的深度D1除以所述磁性层的厚度D2而获得的值为15％以上，并且
所述磁性层垂直取向，且在没有退磁校正的条件下的垂直取向度为65％以上。
(10)一种磁性记录带，所述磁性记录带是具有至少包括磁性层的多层结构的磁带，所述磁带的总厚度为5.6μm以下，其中：所述磁性层的表面上设置有多个凹部，
所述凹部的深度D1除以所述磁性层的厚度D2而获得的值为15％以上，并且
所述凹部的深度D1为7.8μm以上。
(11).一种磁性记录带，所述磁性记录带是具有至少包括磁性层的多层结构的磁带，所述磁带的总厚度为5.6μm以下，其中：所述磁性层的表面上设置有多个凹部，
所述凹部的深度D1除以所述磁性层的厚度D2而获得的值为15％以上，并且
所述磁性层的垂直方向上的取向度与所述磁性层的长度方向上的取向之比为2以上。
(12)一种磁性记录带盒，其中：具有如下结构，
将权利要求1所述的磁性记录带以卷绕在卷轴上的状态来容纳在壳体中。
(13)一种磁性记录带的制造方法，其中：包括转印工艺，
所述转印工艺是：在将至少包括磁性层和背衬层的多层结构的磁性记录带卷绕在卷筒上的同时，将形成在所述背衬层表面上的凸部按压在所述磁性层的表面上，且在该磁性层上形成凹部。
(14)根据(13)所述的制造方法，其中进一步进行：
通过将已经被卷绕的磁带以相反的方向拉出而卷绕在另一个卷筒上的方式来进行所述转印工艺。
(15)根据(13)或(14)所述的制造方法，所述转印工艺包括在将所述突部按压在所述磁性层的表面上的状态下以55℃以上75℃以下的温度来进行加热处理。
上文已经具体描述了这里公开的实施方式及其修改。然而，本发明不限于上述实施方式和修改，而是基于本发明的技术概念，各种修改是可能的。例如，在上述实施方式和修改中提到的配置、方法、步骤、形状、材料、数值等仅仅是说明性的，并且根据需要可以使用不同的配置、方法、步骤、形状、材料、数值等。此外，化合物等的化学式是代表性的，并且不限于所描述的化合价数等，只要它们是相同化合物的常见名称即可。此外，上述实施方式及其修改中的配置、方法、步骤、形状、材料、数值等可以组合在一起，只要它们不背离本公开的精神即可。
实施例
(实验1)
本发明人主要基于磁性层中凹部的深度和数量之间的关系、背衬层上凸突部的高度和数量之间的关系等对每个磁性记录带进行评估。
分别生产下表1中所示的实施例1至14和比较例1至8的磁性记录带。如下文将描述的那样，对磁性记录带取向度进行调整。具体地，提供具有细长形状且平均厚度为4.0μm的PEN膜作为基膜层。将用于形成非磁性层(底层)的涂料施加到PEN膜上，随后干燥以在PEN膜上形成具有平均厚度为1.0至1.1μm的非磁性层。将用于形成磁性层的涂料施加到非磁性层上，随后干燥以在非磁性层上形成如下表1所示的平均厚度的磁性层。在干燥用于形成磁性层的涂料时，通过螺线管线圈在PEN膜的厚度方向上使磁粉受到磁场取向，从而将所得到磁性记录带的取向度调节到下表1中给出的值。
下表1中给出的实施例和比较例的磁性记录带都具有5.6μm的厚度。
表1中列出了每个实施例或比较例的带的特征(磁性层的厚度、垂直取向度、长度取向度、磁粉的形状、除铁氧体之外包含的元素的种类)和评估结果。
表1
通过测量第1000次行进中磁头动态摩擦系数相对于第5次行进中磁头动态摩擦系数，并确定前者的动态摩擦系数相对于后者的动态摩擦系数增加了多少，来评估本实验中每个磁带的特性。应当注意，较小的值可以更好地抑制磁带的摩擦，因此更好。在摩擦测量中，将磁带与LTO标准的磁头的接触角(磁带前进角)设定为5.6°，以60gf的载荷、60mm的滑动距离、10mm/s的磁带行进速度进行测量。
SNR的评估是用回线测试仪(由MicroPhysics，Inc.(微物理公司)制造)通过获取从每个实施例或比较实施例的磁性记录带再现的信号来进行的。采用以下信号采集条件：磁头：GMR磁头，速度：2m/s，信号：单一记录频率(10MHz)，以及记录电流：最佳记录电流。再现的信号由频谱分析仪在0至20兆赫(分辨率带宽＝100千赫，VBW＝30千赫)的跨度上采集。接下来，由S表示以频谱形式获取的信号的强度，并且对没有峰值的噪声进行积分以确定噪声强度N，信号强度S与噪声强度N的比率被确定为SNR(信噪比)。
然后，基于作为对照的实施例1的SNR，将如此确定的信噪比转换成相对值(dB(分贝))。使用如上所述确定的SNR，来确定电磁转换特性的好坏。通过将0.5分贝以上的值评定为通过，将0.5分贝至小于1.0分贝确定为等级B，将1.0分贝以上的值确定为等级A，以及将小于0.5分贝的值评定为失败(等级C)来进行评估。
在该实验1中，发现磁性层中凹部的深度，尤其是凹部的深度与磁性层的厚度的比率是一个重要因素。特别地，发现具有相对于磁性层厚度15％以上的深度的凹部对抑制摩擦力的增加有很大贡献，并且具有相对于磁性层厚度20％以上的深度的凹部更有助于抑制摩擦力的增加有更大贡献。特别是，发现深度在20％以上的后一种凹部有重要作用。还发现，如果突部的高度为60nm以上，那么用于转印的形成在背衬层上的突部的数量为30个以上是合适的。深度为15％以上的凹部的数量优选为100个以上每6,400μm2，更优选110个以上，特别优选120个以上。此外，深度为20％以上的凹部的数量优选为30个以上每6,400μm2，更优选55个以上，特别优选60个以上。
如果磁性层是垂直取向的，特别是在垂直取向度为60％以上(没有退磁校正)并且长度取向度为25％以上的所有实施例1至14中，则磁头动态摩擦系数的增加被成功地抑制，并且信噪比特性的评估或等级评定是好的(评估为“B”以上)。
(实验2)
接下来，使用非接触式光学干涉粗糙度计(由Ryoka Systems,Inc.(龙卡系统公司)制造，产品名称：VertScan)对磁性层的表面进行测量实验。在测量中，物镜的放大率被设置为50倍。测量中使用的磁带样品是实施例1、5和8以及比较例6、7和8(用于不同的测量位置的两个磁带样品，比较例8-1和8-2)的磁带样品。
在该实验2中，根据Ssk值(偏斜度)和Sku值(峰度)获得每个磁性层的表面粗糙度。Ssk值是表示高度分布的对称程度的值，并且Ssk值＝0表示高度分布是垂直对称的，Ssk值>0表示具有多个精细尖峰的表面，并且Ssk值<0表示具有多个紧细低谷的表面。另一方面，关于Sku值，Sku值＝3表示高度分布是正态分布，Sku值>3表示具有尖锐尖峰和低谷的表面，并且Sku值<3表示平坦表面。实验2中的测量结果如下表2所示。
表2
通过非接触光学干涉粗糙度仪在磁性层的表面上的实验
关于磁性层的表面
如表2所示，实施例1、5和8中的Ssk值都是负值，成功地验证了多个精细低谷的状态。如上所述，具有Ssk值为负(<0)的表面的磁性层的表面配置可以被认为是本发明的特性特征。换句话说，在本发明中，通过非接触光学干涉粗糙度测量的磁性层的表面的Ssk值可以是负值。这样的负值可以被认为是指示在磁性层的表面中均匀地形成了精细低谷的数据。另一方面，在比较例6、7、8-1和8-2中，Ssk值大多是正值。因此，发现凹部的形成不好。
另一方面，如果根据Sku值进行分析，大于4的值出现在实施例1、5和8中。因此，通过与比较例中的数值进行比较，认识到在表面上有多个尖锐尖峰和低谷。因此，基于Sku值的评估也可以确定在实施例中每个磁性表面中凹部的形成状态更好。
(实验3)
使用原子力显微镜(缩写：AFM，由Degital Instruments，NanoScope IIIa制造)，在放大下观察磁性层的表面。
图12示出了绘制替代照片，其中照片(a)是在没有进行转印步骤的情况下磁性层表面的原子力显微照片，并且照片(b)是在进行了转印步骤的情况下另一磁性层表面的原子力显微照片。在该实验中，转印步骤是由80质量％的平均粒径为20nm的小碳颗粒和20质量％的平均粒径为270nm的大碳颗粒在每个背衬层上形成的突部来进行的。
从这两张照片之间的比较，成功地证实了即使只进行一次转印步骤，在磁性层的表面上也有效地形成多个凹部，并且凹部更宽和更均匀地形成在磁性层的表面上(参见图12(b)的照片)。
在照片(b)中，暗的小点对应于凹部。计算经历一次转印的磁性层表面的凹部的数量得到以下结果：219个深度为13nm以上的凹部，152个深度为15nm以上的凹部，以及106个深度为17nm以上的凹部(全部都是每80μm×80μm＝6,400μm2的数量)。由于本实验中使用的磁带中的磁性层的厚度为85nm，13nm的深度对应于基于磁性层厚度的15.9％，15nm的深度对应于基于磁性层厚度的17.6％，17nm的深度对应于基于磁性层厚度的20％。
(实验4)
除了使用比实验1中使用的基层薄的基层之外，以与上述实验1中相同的方式，制备分别对应于实施例1至14的实施例2-1至2-14的磁性记录带。实施例2-1至2-14的磁性记录带都具有4.6μm的总厚度。
在这些磁性记录带上，进行与实验1中描述的相同的评估。结果，获得了与实验1中相似的结果。具体而言，实施例2-1至2-14的磁性记录带在磁头动态摩擦系数均以相似的程度低于实施例1至14，并且实施例2-1至2-14的磁性记录带的SNR都被评定为A。因此，可以理解，即使磁性记录带具有总厚度为4.6μm，也可以实现本发明的有利效果。
(实验5)
生产如下表3所示的实施例3-1至3-9的磁性记录带。这些磁性记录带的生产方法将在下文中描述。
实施例3-1
与实施例1一样获得磁性记录带，不同之处在于在磁性涂料的取向步骤中，用于垂直取向螺线管的磁通量密度增加并且干燥时间得到调整。
实施例3-2
与实施例1一样获得磁性记录带，不同之处在于磁性涂料在改善的分散状态下使用，改善的分散状态通过延长砂磨机中的分散时间来获得，并且在磁性涂料的取向步骤中，用于垂直取向螺线管的磁通量密度增加。
实施例3-3
与实施例1一样获得磁性记录带，不同之处在于磁性涂料在改善的分散状态下使用，改善的分散状态通过延长砂磨机中的分散时间来获得，并且在磁性涂料的取向步骤中，用于垂直定向螺线管的磁通量密度增加并且干燥时间得到调整。
实施例3-4
与实施例1一样获得磁性记录带，不同之处在于六方片状钡铁氧体(BaFe12O19)颗粒的粉末从具有颗粒体积为1,950nm3的粉末变为具有颗粒体积为1,600nm3的粉末。
实施例3-5
与实施例1一样获得磁性记录带，不同之处在于六方片状钡铁氧体(BaFe12O19)颗粒的粉末从具有颗粒体积为1,950nm3的粉末变为具有颗粒体积为1,300nm3的粉末。
实施例3-6
与实施例1一样获得磁性记录带，不同之处在于磁性层的平均厚度从80nm改变到60nm。
实施例3-7
与实施例1一样获得磁性记录带，不同之处在于磁性层的平均厚度从80nm改变到40nm。
实施例3-8
与实施例1一样获得磁性记录带，不同之处在于六方片状钡铁氧体(BaFe12O19)颗粒的粉末从具有颗粒体积为1,950nm3的粉末变为具有颗粒体积为2,800nm3的粉末。
实施例3-9
与实施例1一样获得磁性记录带，不同之处在于六方片状钡铁氧体(BaFe12O19)颗粒的粉末从具有颗粒体积为1,950nm3的粉末变为具有颗粒体积为2,500nm3的粉末。
在这些磁性记录带上，进行与实验1中描述的相同的评估。评估结果如下表3所示。如表3所示，在所有实施例中获得了与实验1相似的结果。具体而言，实施例3-1至3-9的磁性记录带在磁头动态摩擦系数均以相似的程度低于实施例1，并且实施例3-1至3-9的磁性记录带的SNR都评定为A。
此外，如表3所示，可以理解，即使磁粉的颗粒体积如表3所示发生变化，也能获得良好的结果。磁粉的颗粒体积可以优选为1,000nm3至3,000nm3，并且更优选为1,200nm3至2,800nm3。
表3
附图标记列表
T：磁性记录带
1：磁性层
1a：磁性层的表面
2：非磁性层(中间层或底层)
3：基膜层
4：背衬层
5：磁带盒
4a：背衬层的表面
11：凹部(在磁性层中)
41：突部(突起部)(在背衬层上)
51：磁带盒壳体
R1、R2：卷筒

Claims (15)

1.一种磁性记录带，所述磁性记录带是具有至少包括磁性层的多层结构的磁带，所述磁带的总厚度为5.6μm以下，其中：所述磁性层的表面上设置有多个凹部，
所述凹部的深度D1除以所述磁性层的厚度D2而获得的值为15％以上，
所述磁性层垂直取向，且在没有退磁校正的条件下的垂直取向度为65％以上，并且
所述磁性层上形成有该磁性层厚度的20％以上的多个凹部，并且所述磁性层的每6400μm2的表面积的该凹部的数量为55个以上。
2.根据权利要求1所述的磁性记录带，其中
所述磁性层的垂直方向上的取向度与所述磁性层的长度方向上的取向度之比为2以上。
3.根据权利要求2所述的磁性记录带，其中
所述磁性层的每6,400μm2的表面积的所述凹部的数量为120个以上。
4.根据权利要求1所述的磁性记录带，其中
磁性层表面具有由非接触式光学干涉粗糙度测量所确定的Ssk值为负值。
5.根据权利要求1所述的磁性记录带，其中
所述磁带是在经由磁头记录或再现期间以4m/s以上的速度来行进的磁带。
6.根据权利要求1所述的磁性记录带，其中
设置在最上层的磁性层上的所述凹部是通过按压凸部而形成的，所述凸部形成在设置于最下层的背衬层的表面上。
7.根据权利要求1所述的磁性记录带，其中
所述磁性记录带在磁带行进时从与磁记录头相对的一侧开始依次具有磁性层、非磁性层、基膜层和背衬层。
8.根据权利要求1所述的磁性记录带，其中
所述总厚度为4.6μm以下。
9.一种磁性记录带，所述磁性记录带是具有至少包括磁性层的多层结构的磁带，所述磁带的总厚度为5.6μm以下，其中：所述磁性层的表面上设置有多个凹部，
所述凹部的深度D1除以所述磁性层的厚度D2而获得的值为15％以上，并且
所述磁性层垂直取向，且在没有退磁校正的条件下的垂直取向度为65％以上。
10.一种磁性记录带，所述磁性记录带是具有至少包括磁性层的多层结构的磁带，所述磁带的总厚度为5.6μm以下，其中：所述磁性层的表面上设置有多个凹部，
所述凹部的深度D1除以所述磁性层的厚度D2而获得的值为15％以上，并且
所述凹部的深度D1为7.8μm以上。
11.一种磁性记录带，所述磁性记录带是具有至少包括磁性层的多层结构的磁带，所述磁带的总厚度为5.6μm以下，其中：所述磁性层的表面上设置有多个凹部，
所述凹部的深度D1除以所述磁性层的厚度D2而获得的值为15％以上，并且
所述磁性层的垂直方向上的取向度与所述磁性层的长度方向上的取向之比为2以上。
12.一种磁性记录带盒，其中：具有如下结构，
将权利要求1所述的磁性记录带以卷绕在卷轴上的状态来容纳在壳体中。
13.一种磁性记录带的制造方法，其中：包括转印工艺，
所述转印工艺是：在将至少包括磁性层和背衬层的多层结构的磁性记录带卷绕在卷筒上的同时，将形成在所述背衬层表面上的凸部按压在所述磁性层的表面上，且在该磁性层上形成凹部。
14.根据权利要求14所述的制造方法，其中进一步进行：
通过将已经被卷绕的磁带以相反的方向拉出而卷绕在另一个卷筒上的方式来进行所述转印工艺。
15.根据权利要求13所述的制造方法，其中：
所述转印工艺包括在将所述突部按压在所述磁性层的表面上的状态下以55℃以上75℃以下的温度来进行加热处理。
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