WO2022211065A1

WO2022211065A1 - 磁気記録媒体およびカートリッジ

Info

Publication number: WO2022211065A1
Application number: PCT/JP2022/016730
Authority: WO
Inventors: 昇関口; 実山鹿
Original assignee: ソニーグループ株式会社
Priority date: 2021-03-31
Filing date: 2022-03-31
Publication date: 2022-10-06
Also published as: JPWO2022211065A1; US20240170015A1; CN117063232A

Abstract

電磁変換特性の低下を抑制することができる磁気記録媒体を提供する。　テープ状の磁気記録媒体は、ポリエステル類を含む基体と、基体上に設けられた下地層と、下地層上に設けられ、磁性粉を含む磁性層とを備える。磁気記録媒体は、潤滑剤を含む。磁性層の表面の算術平均粗さＲａの平均値は、１．３ｎｍ以下である。磁気記録媒体をガラス製疑似ヘッドに摺動させた際に、磁気記録媒体が進入するガラス製疑似ヘッドの入り口側に発生するスペーシング増大領域のピーク半値幅の平均値をスペーシング指標ＳＲＬとし、磁気記録媒体をガラス製疑似ヘッドに摺動させた際に、磁気記録媒体の幅方向のエッジ近傍に発生するスペーシング増大領域のピーク半値幅の平均値をスペーシング指標ＳＲＴとした場合、スペーシング指標ＳＲＬが、３５μｍ以下であり、かつ、スペーシング指標ＳＲＴが、６８μｍ以下である磁気記録媒体である。

Description

磁気記録媒体およびカートリッジ

　本開示は、磁気記録媒体およびそれを備えるカートリッジに関する。

　近年、ＩＴ（情報技術）社会の発展等により、データストレージ用メディアとしてのテープ状の磁気記録媒体の高記録密度化が望まれている。この要求に応えるべく、磁性層の厚みを薄くし短波長記録を行うと、磁性層と磁気ヘッドとのわずかなスペーシングの悪化により、電磁変換特性が低下する虞がある。

　例えば特許文献１には、非磁性支持体を構成する芳香族ポリアミドフィルムの表面粗さＲａを、磁性層を塗布する側の面で０．２から５ｎｍとすることが開示されている。また、上記表面粗さＲａが５ｎｍよりも大きくなると、磁性層塗布後の磁気記録媒体表面粗さが大きくなり、磁気ヘッドとのスペーシングロスが大きくなることが開示されている。

特開２０１１－１８１１２１号公報

　上述のように、従来では、磁性層の表面の表面粗さを調整することで、電磁変換特性の低下を抑制することが検討されている。しかしながら、磁性層の表面の表面粗さを調整するのみでは、電磁変換特性の低下を抑制することは困難である。

　本開示の目的は、電磁変換特性の低下を抑制することができる磁気記録媒体およびそれを備えるカートリッジを提供することにある。

　上述の課題を解決するために、第１の開示は、
　テープ状の磁気記録媒体であって、
　ポリエステル類を含む基体と、
　基体上に設けられた下地層と、
　下地層上に設けられ、磁性粉を含む磁性層と
　を備え、
　磁気記録媒体は、潤滑剤を含み、
　磁性層の表面の算術平均粗さＲａの平均値は、１．３ｎｍ以下であり、
　磁気記録媒体をガラス製疑似ヘッドに摺動させた際に、磁気記録媒体が進入するガラス製疑似ヘッドの入り口側に発生するスペーシング増大領域のピーク半値幅の平均値をスペーシング指標ＳＲＬとし、
　磁気記録媒体をガラス製疑似ヘッドに摺動させた際に、磁気記録媒体の幅方向のエッジ近傍に発生するスペーシング増大領域のピーク半値幅の平均値をスペーシング指標ＳＲＴとした場合、
　スペーシング指標ＳＲＬが、３５μｍ以下であり、かつ、スペーシング指標ＳＲＴが、６８μｍ以下である磁気記録媒体である。

　第２の開示は、第１の開示の磁気記録媒体を備えるカートリッジである。

図１は、本開示の一実施形態に係るカートリッジの構成の一例を示す分解斜視図である。図２は、カートリッジメモリの構成の一例を示すブロック図である。図３は、磁気テープの構成の一例を示す断面図である。図４は、データバンドおよびサーボバンドのレイアウトの一例を示す概略図である。図５は、データバンドの構成の一例を示す拡大図である。図６は、サーボバンドの構成の一例を示す拡大図である。図７は、粒子の形状の一例を示す斜視図である。図８は、磁性層のＴＥＭ写真の一例を示す図である。図９は、磁性層のＴＥＭ写真の一例を示す図である。図１０は、測定装置の構成を示す概略図である。図１１Ａは、測定装置におけるダミーと磁気テープとの関係を示す拡大図である。図１１Ｂは、図１１ＡのＸＩＢ－ＸＩＢ線に沿った断面図である。図１２は、測定装置により取得された２Ｄプロファイルの一例を示す図である。図１３Ａは、平均１ＤプロファイルＰａＬ（Ｌ）の一例を示すグラフである。図１３Ｂは、平均１ＤプロファイルＰａＴ（Ｔ）の一例を示すグラフである。図１４Ａは、カッピングの算出方法を説明するための斜視図である。図１４Ｂは、図１４ＡのＸＩＶＢ－ＸＩＶＢ線に沿った断面図である。図１５は、本開示の一実施形態の変形例に係るカートリッジの構成の一例を示す分解斜視図である。図１６は、スティフネスおよびカッピングの良好な範囲を示すグラフである。

　本開示の実施形態について以下の順序で説明する。
　１　カートリッジの構成
　２　カートリッジメモリの構成
　３　磁気テープの構成
　４　磁気テープの製造方法
　５　作用効果
　６　変形例

　本明細書において、測定方法の説明に関して測定環境が特に記載のない場合、測定は２５℃±２℃、５０％ＲＨ±５％ＲＨの環境下にて行われるものとする。また、本明細書において、「から」を用いて示された数値範囲は、「から」の前後に記載された数値をそれぞれ最小値および最大値として含む範囲を示す。

［１　カートリッジの構成］
　図１は、カートリッジ１０の構成の一例を示す分解斜視図である。カートリッジ１０は、１リールタイプのカートリッジであり、下シェル１２Ａと上シェル１２Ｂとで構成されるカートリッジケース１２の内部に、テープ状の磁気記録媒体（以下「磁気テープ」という。）ＭＴが巻かれた1つのリール１３と、リール１３の回転をロックするためのリールロック１４およびリールスプリング１５と、リール１３のロック状態を解除するためのスパイダ１６と、下シェル１２Ａと上シェル１２Ｂに跨ってカートリッジケース１２に設けられたテープ引出口１２Ｃを開閉するスライドドア１７と、スライドドア１７をテープ引出口１２Ｃの閉位置に付勢するドアスプリング１８と、誤消去を防止するためのライトプロテクト１９と、カートリッジメモリ１１とを備える。磁気テープＭＴを巻くためのリール１３は、中心部に開口を有する略円盤状であって、プラスチック等の硬質の材料からなるリールハブ１３Ａとフランジ１３Ｂとにより構成される。磁気テープＭＴの外周側の端部には、リーダーテープＬＴが接続されている。リーダーテープＬＴの先端には、リーダーピン２０が設けられている。

　カートリッジ１０は、ＬＴＯ（Linear Tape-Open）規格に準拠した磁気テープカートリッジであってもよいし、ＬＴＯ規格とは別の規格に準拠した磁気テープカートリッジであってもよい。

　カートリッジメモリ１１は、カートリッジ１０の１つの角部の近傍に設けられている。カートリッジ１０が記録再生装置にロードされた状態において、カートリッジメモリ１１は、記録再生装置のリーダライタと対向するようになっている。カートリッジメモリ１１は、ＬＴＯ規格に準拠した無線通信規格で記録再生装置、具体的にはリーダライタと通信を行う。

［２　カートリッジメモリの構成］
　図２は、カートリッジメモリ１１の構成の一例を示すブロック図である。カートリッジメモリ１１は、規定の通信規格でリーダライタと通信を行うアンテナコイル（通信部）３１と、アンテナコイル３１により受信した電波から、誘導起電力を用いて発電、整流して電源を生成する整流・電源回路３２と、アンテナコイル３１により受信した電波から、同じく誘導起電力を用いてクロックを生成するクロック回路３３と、アンテナコイル３１により受信した電波の検波およびアンテナコイル３１により送信する信号の変調を行う検波・変調回路３４と、検波・変調回路３４から抽出されるデジタル信号から、コマンドおよびデータを判別し、これを処理するための論理回路等で構成されるコントローラ（制御部）３５と、情報を記憶するメモリ（記憶部）３６とを備える。また、カートリッジメモリ１１は、アンテナコイル３１に対して並列に接続されたキャパシタ３７を備え、アンテナコイル３１とキャパシタ３７により共振回路が構成される。

　メモリ３６は、カートリッジ１０に関連する情報等を記憶する。メモリ３６は、不揮発性メモリ（Non Volatile Memory：ＮＶＭ）である。メモリ３６の記憶容量は、好ましくは約３２ＫＢ以上である。

　メモリ３６は、第１の記憶領域３６Ａと第２の記憶領域３６Ｂとを有していてもよい。第１の記憶領域３６Ａは、第１の情報を記憶するための領域である。第１の情報は、例えば、カートリッジ１０の製造情報（例えばカートリッジ１０の固有番号）およびカートリッジ１０の使用履歴（例えば磁気テープＭＴの引出回数（Thread Count））等からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。第２の記憶領域３６Ｂは、第２の情報を記憶するための領域である。第２の情報は、例えば、テンション調整情報、管理台帳データ、Index情報およびサムネイル情報等からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。

　テンション調整情報は、磁気テープＭＴの長手方向にかかるテンションを調整するための情報である。テンション調整情報は、例えば、サーボバンド間の幅を磁気テープＭＴの長手方向に間欠的に測定して得られる情報、記録再生装置のテンション情報、および記録再生装置の温度と湿度の情報等からなる群より選ばれた少なくとも１種の情報を含む。これらの情報は、カートリッジ１０の使用状況に関する情報等と連携して管理されることもある。テンション調整情報は、磁気テープＭＴに対するデータ記録時、もしくはデータ記録前に取得されることが好ましい。記録再生装置のテンション情報とは、磁気テープＭＴの長手方向にかかるテンションの情報を意味する。

　管理台帳データは、磁気テープＭＴに記録されているデータファイルの容量、作成日、編集日および保管場所等からなる群より選ばれた少なくとも１種を含むデータである。Index情報は、データファイルの内容を検索するためのメタデータ等である。サムネイル情報は、磁気テープＭＴに記憶された動画または静止画のサムネイルである。

　メモリ３６は、複数のバンクを有していてもよい。この場合、複数のバンクうちの一部のバンクにより第１の記憶領域３６Ａが構成され、残りのバンクにより第２の記憶領域３６Ｂが構成されてもよい。

　アンテナコイル３１は、電磁誘導により誘起電圧を誘起する。コントローラ３５は、アンテナコイル３１を介して、規定の通信規格で記録再生装置と通信を行う。具体的には例えば、相互認証、コマンドの送受信またはデータのやり取り等を行う。

　コントローラ３５は、アンテナコイル３１を介して記録再生装置から受信した情報をメモリ３６に記憶する。例えば、アンテナコイル３１を介して記録再生装置から受信したテンション調整情報をメモリ３６の第２の記憶領域３６Ｂに記憶する。コントローラ３５は、記録再生装置の要求に応じて、メモリ３６から情報を読み出し、アンテナコイル３１を介して記録再生装置に送信する。例えば、記録再生装置の要求に応じて、メモリ３６の第２の記憶領域３６Ｂからテンション調整情報を読み出し、アンテナコイル３１を介して記録再生装置に送信する。

［３　磁気テープの構成］
　図３は、磁気テープＭＴの構成の一例を示す断面図である。磁気テープＭＴは、長尺状の基体４１と、基体４１の一方の主面（第１の主面）上に設けられた下地層４２と、下地層４２上に設けられた磁性層４３と、基体４１の他方の主面（第２の主面）上に設けられたバック層４４とを備える。なお、下地層４２およびバック層４４は、必要に応じて備えられるものであり、無くてもよい。磁気テープＭＴは、垂直記録型の磁気記録媒体であってもよいし、長手記録型の磁気記録媒体であってもよい。磁気テープＭＴは、走行性の向上の観点から、潤滑剤を含むことが好ましい。潤滑剤は、下地層４２および磁性層４３のうちの少なくとも１層に含まれていてもよい。

　磁気テープＭＴはＬＴＯ規格に準拠するものであってもよいし、ＬＴＯ規格とは別の規格に準拠するものであってもよい。磁気テープＭＴの幅は、１／２インチであってもよいし、１／２インチよりも広くてもよい。磁気テープＭＴがＬＴＯ規格に準拠するものである場合には、磁気テープＭＴの幅は、１／２インチである。磁気テープＭＴは、走行時に磁気テープＭＴの長手方向に加わるテンションを記録再生装置（ドライブ）により調整することで、磁気テープＭＴの幅を一定またはほぼ一定に保つことが可能な構成を有していてもよい。

　磁気テープＭＴは長尺状を有し、記録再生の際には長手方向に走行される。磁気テープＭＴは、信号を記録する際の線記録密度の最大値が５５０ＫＦＣＩ以上である記録再生装置で用いられることが好ましい。磁気テープＭＴは、記録用ヘッドとしてリング型ヘッドを備える記録再生装置で用いられることが好ましい。磁気テープＭＴは、１５００ｎｍ以下または１０００ｎｍ以下のデータトラック幅でデータを記録可能に構成された記録再生装置に用いられることが好ましい。

　磁気テープＭＴは、図４に示すように、磁気ヘッド５６によりデータの記録または再生が行われる。磁気ヘッド５６は、磁気テープＭＴが摺動される摺動面を有している。摺動面は、長尺状を有する。摺動面の幅方向の中央部には、記録再生素子が設けられている。摺動面の幅方向は、磁気テープＭＴの長手方向、すなわち磁気テープＭＴの走行方向と一致する。摺動面の長手方向が、磁気テープＭＴの幅方向と一致する。

　磁気テープＭＴの記録および再生には、磁気ヘッド５６としてフラット型ヘッドが用いられることが好ましい。フラット型ヘッドでは、走行する磁気テープＭＴの近傍の空気が、摺動面に至る前にヘッドのエッジにて積極的にかき取られるため、磁気ヘッド５６の摺動面と磁気テープＭＴとの間の気圧を低下させることができる。したがって、磁気ヘッド５６の摺動面と磁気テープＭＴとの間のスペーシングを低減させることができる。これにより、図１２におけるＲ_Ｌ、Ｒ_Ｔは、フラット型ヘッドを使用しない場合に比べて小さくなると予想される。

（基体）
　基体４１は、下地層４２および磁性層４３を支持する非磁性支持体である。基体４１は、長尺のフィルム状を有する。基体４１の平均厚みＴ_ｓの上限値は、例えば４．４μｍ以下、好ましくは４．２μｍ以下、より好ましくは４．０μｍ以下、さらにより好ましくは３．８μｍ以下、特に好ましくは３．６μｍ以下、最も好ましくは３．４μｍ以下である。基体４１の平均厚みＴ_ｓの上限値が４．４μｍ以下であると、１データカートリッジ内に記録できる記録容量を一般的な磁気テープよりも高めることができる。基体４１の平均厚みＴ_ｓの下限値は、好ましくは３μｍ以上、より好ましくは３．２μｍ以上である。基体４１の平均厚みＴ_ｓの下限値が３μｍ以上であると、基体４１の強度低下を抑制することができる。

　基体４１の平均厚みＴ_ｓは以下のようにして求められる。まず、カートリッジ１０に収容された磁気テープＭＴを巻き出し、磁気テープＭＴとリーダーテープＬＴとの接続部２１から長手方向に１０ｍから２０ｍの範囲、３０ｍから４０ｍの範囲、５０ｍから６０ｍの範囲それぞれから磁気テープＭＴを２５０ｍｍの長さに切り出し、３つのサンプルを作製する。本明細書において、“磁気テープＭＴとリーダーテープＬＴとの接続部２１から長手方向”という場合の“長手方向”とは、リーダーテープＬＴ側の一端からそれとは反対側の他端に向かう方向を意味する。

　続いて、各サンプルの基体４１以外の層（すなわち下地層４２、磁性層４３およびバック層４４）をＭＥＫ（メチルエチルケトン）または希塩酸等の溶剤で除去する。次に、測定装置としてMitutoyo社製レーザーホロゲージ（LGH-110C）を用いて、各サンプル（基体４１）の厚みを５点の位置で測定し、それらの測定値（合計で１５点のサンプルの厚み）を算術平均して、基体４１の平均厚みＴ_ｓを算出する。なお、上記５点の測定位置は、磁気テープＭＴの長手方向においてそれぞれ異なる位置となるように、各サンプルから無作為に選ばれるものとする。

　基体４１は、例えば、ポリエステル類、ポリオレフィン類、セルロース誘導体、ビニル系樹脂、およびその他の高分子樹脂からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。基体４１が上記材料のうちの２種以上を含む場合、それらの２種以上の材料は混合されていてもよいし、共重合されていてもよいし、積層されていてもよい。

　基体４１は、上記の高分子樹脂のうち、ポリエステル類を主成分として含むことが好ましい。基体４１がポリエステル類を含むことで、基体４１の長手方向の平均ヤング率を、好ましくは２．５ＧＰａ以上７．８ＧＰａ以下、より好ましくは３．０ＧＰａ以上７．０ＧＰａ以下に低減することができる。したがって、走行時における磁気テープＭＴの長手方向のテンションを記録再生装置により調整することで、磁気テープＭＴの幅を一定またはほぼ一定に保つ制御を特に行いやすい。基体４１の長手方向の平均ヤング率の測定方法については後述する。

　本明細書内において、「主成分」とは、基体４１を構成する成分のうち最も含有割合が高い成分であることを意味する。基体４１の主成分がポリエステル類であることは、基体４１中のポリエステル類の含有割合が、例えば、基体４１の質量に対して５０質量％以上、６０質量％以上、７０質量％以上、８０質量％以上、９０質量％以上、９５質量％以上、または９８質量％以上であることを意味してもよいし、基体４１がポリエステルのみから構成されることを意味してもよい。

　ポリエステル類は、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）、ＰＢＮ（ポリブチレンナフタレート）、ＰＣＴ（ポリシクロヘキシレンジメチレンテレフタレート）、ＰＥＢ（ポリエチレン－ｐ－オキシベンゾエート）およびポリエチレンビスフェノキシカルボキシレートからなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。基体４１が２種以上のポリエステル類を含む場合、それらの２種以上のポリエステル類は混合されていてもよいし、共重合されていてもよいし、積層されていてもよい。ポリエステル類の末端および側鎖の少なくとも一方が変性されていてもよい。

　基体４１にポリエステル類が含まれていることは、例えば、次のようにして確認される。まず、カートリッジ１０に収容された磁気テープＭＴを巻き出し、磁気テープＭＴとリーダーテープＬＴとの接続部２１から長手方向に３０ｍから４０ｍの範囲から磁気テープＭＴを切り出し、サンプルを作製した後、サンプルの基体４１以外の層を除去する。次に、赤外吸収分光法（Infrared Absorption Spectrometry：ＩＲ）によりサンプル（基体４１）のＩＲスペクトルを取得する。このＩＲスペクトルに基づき、基体４１にポリエステル類が含まれていることを確認することができる。

　ポリオレフィン類は、例えば、ＰＥ（ポリエチレン）およびＰＰ（ポリプロピレン）からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。セルロース誘導体は、例えば、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、ＣＡＢ（セルロースアセテートブチレート）およびＣＡＰ（セルロースアセテートプロピオネート）からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。ビニル系樹脂は、例えば、ＰＶＣ（ポリ塩化ビニル）およびＰＶＤＣ（ポリ塩化ビニリデン）からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。

　その他の高分子樹脂は、例えば、ＰＡ（ポリアミド、ナイロン）、芳香族ＰＡ（芳香族ポリアミド、アラミド）、ＰＩ（ポリイミド）、芳香族ＰＩ（芳香族ポリイミド）、ＰＡＩ（ポリアミドイミド）、芳香族ＰＡＩ（芳香族ポリアミドイミド）、ＰＢＯ（ポリベンゾオキサゾール、例えばザイロン（登録商標））、ポリエーテル、ＰＥＫ（ポリエーテルケトン）、ＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）、ポリエーテルエステル、ＰＥＳ（ポリエーテルサルフォン）、ＰＥＩ（ポリエーテルイミド）、ＰＳＦ（ポリスルフォン）、ＰＰＳ（ポリフェニレンスルフィド）、ＰＣ（ポリカーボネート）、ＰＡＲ（ポリアリレート）およびＰＵ（ポリウレタン）からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。

　基体４１は、長手方向および幅方向に二軸延伸されていてもよい。基体４１に含まれる高分子樹脂は、基体４１の幅方向に対して斜め方向に配向されていることが好ましい。

（磁性層）
　磁性層４３は、信号を磁化パターンにより記録するための記録層である。磁性層４３は、垂直記録型の記録層であってもよいし、長手記録型の記録層であってもよい。磁性層４３は、例えば、磁性粉および結着剤を含む。磁性層４３が、必要に応じて、潤滑剤、カーボン、帯電防止剤、研磨剤、硬化剤、防錆剤および非磁性補強粒子等からなる群より選ばれた少なくとも１種の添加剤をさらに含んでいてもよい。磁性層４３は、凹凸形状を有する表面を有していてもよい。

　磁性層４３は、図４に示すように、複数のサーボバンドＳＢと複数のデータバンドＤＢとを予め有していてもよい。複数のサーボバンドＳＢは、磁気テープＭＴの幅方向に等間隔で設けられている。隣り合うサーボバンドＳＢの間には、データバンドＤＢが設けられている。サーボバンドＳＢは、データの記録または再生時に磁気ヘッド５６（具体的にはサーボリードヘッド５６Ａ、５６Ｂ）をガイドするためのものである。サーボバンドＳＢには、磁気ヘッド５６のトラッキング制御をするためのサーボパターン（サーボ信号）が予め書き込まれている。データバンドＤＢには、ユーザデータが記録される。

　磁性面の面積Ｓに対する複数のサーボバンドＳＢの総面積Ｓ_ＳＢの割合Ｒ_Ｓ（＝（Ｓ_ＳＢ／Ｓ）×１００）の平均値の上限値は、高記録容量を確保する観点から、好ましくは４．０％以下、より好ましくは３．０％以下、さらにより好ましくは２．０％以下である。一方、磁性層４３の表面の面積Ｓに対する複数のサーボバンドＳＢの総面積Ｓ_ＳＢの割合Ｒ_Ｓの平均値の下限値は、５以上のサーボバンドＳＢを確保する観点から、好ましくは０．８％以上である。

　磁性層４３の表面全体の面積Ｓに対する複数のサーボバンドＳＢの総面積Ｓ_ＳＢの割合Ｒ_Ｓの平均値は、以下のようにして求められる。まず、カートリッジ１０に収容された磁気テープＭＴを巻き出し、磁気テープＭＴとリーダーテープＬＴとの接続部２１から長手方向に１０ｍから２０ｍの範囲、３０ｍから４０ｍの範囲、５０ｍから６０ｍの範囲それぞれから磁気テープＭＴを２５０ｍｍの長さに切り出し、３つのサンプルを作製する。次に、各サンプルを、フェリコロイド現像液（株式会社シグマハイケミカル製、シグマーカーＱ）を用いて現像し、その後、現像した各サンプルを光学顕微鏡で観察し、サーボバンド幅Ｗ_ＳＢおよびサーボバンドＳＢの本数を測定する。次に、以下の式から各サンプルの割合Ｒ_Ｓを求める。
　割合Ｒ_Ｓ［％］＝（（（サーボバンド幅Ｗ_ＳＢ）×（サーボバンドＳＢの本数））／（磁気テープＭＴの幅））×１００
　次に、３つサンプルの割合Ｒ_Ｓを算術平均して、割合Ｒ_Ｓの平均値を算出する。

　サーボバンドＳＢの本数は、例えば、５＋４ｎ（但し、ｎは０以上の整数である。）以上である。サーボバンドＳＢの本数は、好ましくは５以上、より好ましくは９以上である。サーボバンドＳＢの本数が５以上であると、磁気テープＭＴの幅方向の寸法変化によるサーボ信号への影響を抑制し、よりオフトラックが少ない安定した記録再生特性を確保できる。サーボバンドＳＢの本数の上限値は特に限定されるものではないが、例えば３３以下である。

　サーボバンドＳＢの本数は、以下のようにして求められる。まず、カートリッジ１０に収容された磁気テープＭＴを巻き出し、磁気テープＭＴとリーダーテープＬＴとの接続部２１から長手方向に３０ｍから４０ｍの範囲から磁気テープＭＴを２５０ｍｍの長さに切り出し、サンプルを作製する。次に、上記の割合Ｒ_Ｓの算出方法と同様にして、サンプルを現像し、サーボバンドＳＢの本数を測定する。

　サーボバンド幅Ｗ_ＳＢの平均値の上限値は、高記録容量を確保する観点から、好ましくは９５μｍ以下、より好ましくは６０μｍ以下、さらにより好ましくは３０μｍ以下である。サーボバンド幅Ｗ_ＳＢの平均値の下限値は、好ましくは１０μｍ以上である。１０μｍ未満のサーボバンド幅Ｗ_ＳＢのサーボ信号を読み取り可能な磁気ヘッド５６は製造が困難である。

　サーボバンド幅Ｗ_ＳＢの平均値は、以下のようにして求められる。まず、上記の割合Ｒ_Ｓの算出方法と同様にして、３つのサンプルのサーボバンド幅Ｗ_ＳＢを求める。次に、３つサンプルのサーボバンド幅Ｗ_ＳＢを算術平均して、サーボバンド幅Ｗ_ＳＢの平均値を算出する。

　磁性層４３は、図５に示すように、データバンドＤＢに複数のデータトラックＴｋを形成可能に構成されている。データトラック幅Ｗの上限値は、トラック記録密度を向上し、高記録容量を確保する観点から、好ましくは１５００ｎｍ以下、より好ましくは１０００ｎｍ以下、さらにより好ましくは８００ｎｍ以下、特に好ましくは６００ｎｍ以下ある。データトラック幅Ｗの下限値は、磁性粒子サイズを考慮すると、好ましくは２０ｎｍ以上である。

　磁性層４３は、高記録容量を確保する観点から、磁化反転間距離の最小値Ｌが好ましくは４０ｎｍ以下、より好ましくは３６ｎｍ以下、さらにより好ましくは３２ｎｍ以下となるように、データを記録可能に構成されている。磁化反転間距離の最小値Ｌの下限値は、磁性粒子サイズを考慮すると、好ましくは２０ｎｍ以上である。

　データトラック幅Ｗは以下のようにして求められる。まず、データが磁気テープＭＴの全面に記録されたカートリッジ１０を準備し、このカートリッジ１０から磁気テープＭＴを巻き出し、磁気テープＭＴとリーダーテープＬＴとの接続部２１から長手方向に１０ｍから２０ｍの範囲、３０ｍから４０ｍの範囲、５０ｍから６０ｍの範囲それぞれから磁気テープＭＴを２５０ｍｍの長さに切り出し、３つのサンプルを作製する。続いて、各サンプルの磁性層４３のデータバンドＤＢ部分のデータ記録パターンを磁気力顕微鏡（Magnetic Force Microscope：ＭＦＭ）を用いて観察し、ＭＦＭ像を得る。ＭＦＭとしてはDigital Instruments社製Dimension3100とその解析ソフトが用いられる。当該ＭＦＭ像の測定領域は１０μｍ×１０μｍとし、当該１０μｍ×１０μｍの測定領域は５１２×５１２（＝２６２，１４４）個の測定点に分割される。各サンプルにおいて１０μｍ×１０μｍ測定領域でＭＦＭによる測定が行われ、すなわち３つのＭＦＭ像が得られる。得られた３つのＭＦＭ像から、Dimension3100に付属の解析ソフトを用いて、トラック幅を１０ヶ所測定し平均値（単純平均である）をとる。当該平均値が、データトラック幅Ｗである。なお、上記ＭＦＭの測定条件は掃引速度：１Ｈｚ、使用チップ：ＭＦＭＲ－２０、リフトハイト：２０ｎｍ、補正：Flatten order 3である。

　磁化反転間距離の最小値Ｌは以下のようにして求められる。まず、データが磁気テープＭＴの全面に記録されたカートリッジ１０を準備し、このカートリッジ１０から磁気テープＭＴを巻き出し、磁気テープＭＴとリーダーテープＬＴとの接続部２１から長手方向に１０ｍから２０ｍの範囲、３０ｍから４０ｍの範囲、５０ｍから６０ｍの範囲それぞれから磁気テープＭＴを２５０ｍｍの長さに切り出し、３つのサンプルを作製する。続いて、各サンプルの磁性層４３のデータバンドＤＢ部分のデータ記録パターンを磁気力顕微鏡（Magnetic Force Microscope：ＭＦＭ）を用いて観察し、ＭＦＭ像を得る。ＭＦＭとしてはDigital Instruments社製Dimension3100とその解析ソフトが用いられる。当該ＭＦＭ像の測定領域は２μｍ×２μｍとし、当該２μｍ×２μｍの測定領域は５１２×５１２（＝２６２，１４４）個の測定点に分割される。各サンプルにおいて２μｍ×２μｍ測定領域についてＭＦＭによる測定が行われ、すなわち３つのＭＦＭ像が得られる。得られたＭＦＭ像の記録パターンの二次元の凹凸チャートからビット間距離を５０個測定する。当該ビット間距離の測定は、Dimension3100に付属の解析ソフトを用いて行われる。測定された５０個のビット間距離のおよそ最大公約数となる値を磁化反転間距離の最小値Ｌとする。なお、測定条件は掃引速度：１Ｈｚ、使用チップ：ＭＦＭＲ－２０、リフトハイト：２０ｎｍ、補正：Flatten order 3である。

　サーボパターンは、磁化領域であって、磁気テープ製造時にサーボライトヘッドにより磁性層４３の特定の領域を特定方向に磁化することによって形成される。サーボバンドＳＢのうち、サーボパターンが形成されていない領域（以下「非パターン領域」という。）は、磁性層４３が磁化された磁化領域であってもよいし、磁性層４３が磁化されていない非磁化領域であってもよい。非パターン領域が磁化領域である場合、サーボパターン形成領域と非パターン領域とは、異なる方向（例えば逆方向）に磁化されている。

　ＬＴＯ規格では、サーボバンドＳＢには、図６に示すように、磁気テープＭＴの幅方向に対して傾斜した複数のサーボストライプ（線状の磁化領域）１１３からなるサーボパターンが形成されている。

　サーボバンドＳＢは、複数のサーボフレーム１１０を含んでいる。各サーボフレーム１１０は、１８本のサーボストライプ１１３から構成されている。具体的には、各サーボフレーム１１０は、サーボサブフレーム１（１１１）およびサーボサブフレーム２（１１２）から構成される。

　サーボサブフレーム１（１１１）は、Ａバースト１１１ＡおよびＢバースト１１１Ｂから構成される。Ｂバースト１１１Ｂは、Ａバースト１１１Ａに隣接して配置されている。Ａバースト１１１Ａは、磁気テープＭＴの幅方向に対して所定角度φで傾斜し規定間隔隔てて形成された５本のサーボストライプ１１３を備えている。図６中では、これらの５本のサーボストライプ１１３に磁気テープＭＴのＥＯＴ（End Of Tape）からＢＯＴ（Beginning Of Tape）に向って符号Ａ_１、Ａ_２、Ａ_３、Ａ_４、Ａ_５を付して示している。Ｂバースト１１１Ｂは、Ａバースト１１１Ａと同様に、磁気テープＭＴの幅方向に対して所定角度φで傾斜し規定間隔隔てて形成された５本のサーボパルス６３を備えている。図６中では、これらの５本のサーボストライプ１１３に磁気テープＭＴのＥＯＴからＢＯＴに向って符号Ｂ_１、Ｂ_２、Ｂ_３、Ｂ_４、Ｂ_５を付して示している。Ｂバースト１１１Ｂのサーボストライプ１１３は、Ａバースト１１１Ａのサーボストライプ１１３とは逆向きに傾斜している。すなわち、Ａバースト１１１Ａのサーボストライプ１１３とＢバースト１１１Ｂのサーボストライプ１１３はハの字状に配置されている。

　サーボサブフレーム２（１１２）は、Ｃバースト１１２ＣおよびＤバースト１１２Ｄから構成される。Ｄバースト１１２Ｄは、Ｃバースト１１２Ｃに隣接して配置されている。Ｃバースト１１２Ｃは、磁気テープＭＴの幅方向に対して所定角度φで傾斜し規定間隔隔てて形成された４本のサーボストライプ１１３を備えている。図６中では、これらの４本のサーボストライプ１１３に磁気テープＭＴのＥＯＴからＢＯＴに向って符号Ｃ_１、Ｃ_２、Ｃ_３、Ｃ_４を付して示している。Ｄバースト１１２Ｄは、Ｃバースト１１２Ｃと同様に、磁気テープＭＴの幅方向に対して所定角度φで傾斜し規定間隔隔てて形成された４本のサーボパルス６３を備えている。図６中では、これらの４本のサーボストライプ１１３に磁気テープＭＴのＥＯＴからＢＯＴに向って符号Ｄ_１、Ｄ_２、Ｄ_３、Ｄ_４を付して示している。Ｄバースト１１２Ｄのサーボストライプ１１３は、Ｃバースト１１２Ｃのサーボストライプ１１３とは逆向きに傾斜している。すなわち、Ｃバースト１１２Ｃのサーボストライプ１１３とＤバースト１１２Ｄのサーボストライプ１１３はハの字状に配置されている。

　Ａバースト１１１Ａ、Ｂバースト１１１Ｂ、Ｃバースト１１２Ｃ、Ｄバースト１１２Ｄにおけるサーボストライプ１１３の上記所定角度φは、例えば１１°以上４０°以下、好ましくは１１°以上３６°以下、より好ましくは１１°以上２５°以下、さらにより好ましくは１７°以上２５°以下でありうる。

　サーボバンドＳＢを磁気ヘッド５６で読み取りことにより、テープ速度および磁気ヘッド５６の縦方向の位置を取得するための情報が得られる。テープ速度は、４つのタイミング信号（Ａ１－Ｃ１、Ａ２－Ｃ２、Ａ３－Ｃ３、Ａ４－Ｃ４）間の時間から計算される。磁気ヘッド５６の位置は、前述の４つのタイミング信号間の時間および別の４つのタイミング信号（Ａ１－Ｂ１、Ａ２－Ｂ２、Ａ３－Ｂ３、Ａ４－Ｂ４）間の時間から計算される。サーボパターンは、平行な２本の線を含む形状でもよい。

　図６に示すように、サーボパターン（すなわち複数のサーボストライプ１１３）は、磁気テープＭＴの長手方向に向って直線的に配列されていることが好ましい。すなわち、サーボバンドＳＢは、磁気テープＭＴの長手方向に直線状を有していることが好ましい。

　磁性層４３の平均厚みの上限値は、好ましくは８０ｎｍ以下、より好ましくは７０ｎｍ以下、さらにより好ましくは６０ｎｍ以下、特に好ましくは５０ｎｍ以下である。磁性層４３の平均厚みの上限値が８０ｎｍ以下であると、記録ヘッドとしてはリング型ヘッドを用いた場合に、反磁界の影響を軽減できるため、さらに優れた電磁変換特性を得ることができる。

　磁性層４３の平均厚みの下限値は、好ましくは３５ｎｍ以上である。磁性層４３の平均厚みの下限値が３５ｎｍ以上であると、再生ヘッドとしてはＭＲ型ヘッドを用いた場合に、出力を確保できるため、さらに優れた電磁変換特性を得ることができる。

　磁性層４３の平均厚みは、以下のようにして求められる。まず、カートリッジ１０に収容された磁気テープＭＴを巻き出し、磁気テープＭＴとリーダーテープＬＴとの接続部２１から長手方向に１０ｍから２０ｍの範囲、３０ｍから４０ｍの範囲、５０ｍから６０ｍの範囲それぞれから磁気テープＭＴを２５０ｍｍの長さに切り出し、３つのサンプルを作製する。続いて、各サンプルをＦＩＢ法等により加工して薄片化を行う。ＦＩＢ法を使用する場合には、後述の断面のＴＥＭ像を観察する前処理として、保護膜としてカーボン層およびタングステン層を形成する。当該カーボン層は蒸着法により磁気テープＭＴの磁性層４３側の表面およびバック層４４側の表面に形成され、そして、当該タングステン層は蒸着法またはスパッタリング法により磁性層４３側の表面にさらに形成される。当該薄片化は磁気テープＭＴの長さ方向（長手方向）に沿って行われる。すなわち、当該薄片化によって、磁気テープＭＴの長手方向および厚み方向の両方に平行な断面が形成される。

　得られた各薄片化サンプルの上記断面を、透過型電子顕微鏡（Transmission Electron Microscope：ＴＥＭ）により、下記の条件で観察し、各薄片化サンプルのＴＥＭ像を得る。なお、装置の種類に応じて、倍率および加速電圧は適宜調整されてよい。
装置：ＴＥＭ（日立製作所製Ｈ９０００ＮＡＲ）
加速電圧：３００ｋＶ
倍率：１００，０００倍

　次に、得られた各薄片化サンプルのＴＥＭ像を用い、各薄片化サンプルの１０点の位置で磁性層４３の厚みを測定する。なお、各薄片化サンプルの１０点の測定位置は、磁気テープＭＴの長手方向においてそれぞれ異なる位置となるように、各サンプルから無作為に選ばれる。得られた各薄片化サンプルの測定値（合計で３０点の磁性層４３の厚み）を算術平均して得られた平均値を磁性層４３の平均厚み［ｎｍ］とする。

（磁性粉）
　磁性粉は、複数の磁性粒子を含む。磁性粒子は、例えば、金属酸化物を含む粒子（以下「金属酸化物粒子」という。）である。金属酸化物粒子は、例えば、六方晶フェライトを含む粒子（以下「六方晶フェライト粒子」という。）、イプシロン型酸化鉄（ε酸化鉄）を含む粒子（以下「ε酸化鉄粒子」という。）またはＣｏ含有スピネルフェライトを含む粒子（以下「コバルトフェライト粒子」という。）である。磁性粉は、磁気テープＭＴの垂直方向に優先的に結晶配向していることが好ましい。本明細書において、磁気テープＭＴの垂直方向（厚み方向）とは、平面状態にある磁気テープＭＴの厚み方向を意味する。

（六方晶フェライト粒子）
　六方晶フェライト粒子は、例えば、六角板状等の板状または六角柱状等の柱状（但し、厚さまたは高さが板面または底面の長径より小さい。）を有する。本明細書において、六角板状は、ほぼ六角板状を含むものとする。六方晶フェライトは、好ましくはＢａ、Ｓｒ、ＰｂおよびＣａからなる群より選ばれた少なくとも１種、より好ましくはＢａおよびＳｒからなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。六方晶フェライトは、具体的には例えばバリウムフェライトまたはストロンチウムフェライトであってもよい。バリウムフェライトは、Ｂａ以外にＳｒ、ＰｂおよびＣａからなる群より選ばれた少なくとも１種をさらに含んでいてもよい。ストロンチウムフェライトは、Ｓｒ以外にＢａ、ＰｂおよびＣａからなる群より選ばれた少なくとも１種をさらに含んでいてもよい。

　より具体的には、六方晶フェライトは、一般式ＭＦｅ_１２Ｏ_１９で表される平均組成を有する。但し、Ｍは、例えばＢａ、Ｓｒ、ＰｂおよびＣａからなる群より選ばれた少なくとも１種の金属、好ましくはＢａおよびＳｒからなる群より選ばれた少なくとも１種の金属である。Ｍが、Ｂａと、Ｓｒ、ＰｂおよびＣａからなる群より選ばれる１種以上の金属との組み合わせであってもよい。また、Ｍが、Ｓｒと、Ｂａ、ＰｂおよびＣａからなる群より選ばれる１種以上の金属との組み合わせであってもよい。上記一般式においてＦｅの一部が他の金属元素で置換されていてもよい。

　磁性粉が六方晶フェライト粒子粉を含む場合、磁性粉の平均粒子サイズは、好ましくは１３ｎｍ以上２２ｎｍ以下、より好ましくは１３ｎｍ以上１９ｎｍ以下、さらにより好ましくは１３ｎｍ以上１８ｎｍ以下、特に好ましくは１４ｎｍ以上１７ｎｍ以下、最も好ましくは１４ｎｍ以上１６ｎｍ以下である。磁性粉の平均粒子サイズが２２ｎｍ以下であると、高記録密度の磁気テープＭＴにおいて、さらに優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。一方、磁性粉の平均粒子サイズが１３ｎｍ以上であると、磁性粉の分散性がより向上し、さらに優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。

　磁性粉が六方晶フェライト粒子粉を含む場合、磁性粉の平均アスペクト比が、好ましくは１．０以上３．０以下、より好ましくは１．５以上２．８以下、さらにより好ましくは１．８以上２．７以下である。磁性粉の平均アスペクト比が１．０以上３．０以下の範囲内であると、磁性粉の凝集を抑制することができる。また、磁性層４３の形成工程において磁性粉を垂直配向させる際に、磁性粉に加わる抵抗を抑制することができる。したがって、磁性粉の垂直配向性を向上することができる。

　磁性粉が六方晶フェライト粒子粉を含む場合、磁性粉の平均粒子サイズおよび平均アスペクト比は以下のようにして求められる。まず、カートリッジ１０に収容された磁気テープＭＴを巻き出し、磁気テープＭＴとリーダーテープＬＴとの接続部２１から長手方向に３０ｍから４０ｍの範囲から磁気テープＭＴを切り出す。続いて、切り出された磁気テープＭＴをＦＩＢ法等により加工して薄片化を行う。ＦＩＢ法を使用する場合には、後述の断面のＴＥＭ像を観察する前処理として、保護膜としてカーボン層およびタングステン層を形成する。当該カーボン層は蒸着法により磁気テープＭＴの磁性層４３側の表面およびバック層４４側の表面に形成され、そして、当該タングステン層は蒸着法またはスパッタリング法により磁性層４３側の表面にさらに形成される。当該薄片化は磁気テープＭＴの長さ方向（長手方向）に沿って行われる。すなわち、当該薄片化によって、磁気テープＭＴの長手方向および厚み方向の両方に平行な断面が形成される。

　得られた薄片サンプルの上記断面を、透過電子顕微鏡（日立ハイテクノロジーズ社製 H-9500）を用いて、加速電圧：200kV、総合倍率500,000倍で磁性層４３の厚み方向に対して磁性層４３全体が含まれるように断面観察を行い、ＴＥＭ写真を撮影する。ＴＥＭ写真は、下記で示す板径ＤＢおよび板厚ＤＡ（図７参照）を測定できる粒子を５０個抽出できる枚数準備する。

　本明細書では、上記のＴＥＭ写真において観察される粒子の形状が、図７に示すように、板状または柱状（但し、厚さまたは高さが板面または底面の長径より小さい。）である場合には、粒子の板面または底面の長径を板径ＤＢの値とする。上記のＴＥＭ写真において観察される粒子の厚さまたは高さを板厚ＤＡの値とする。ＴＥＭ写真において観察される粒子の板面または底面が六角形状である場合には、長径は、最長の対角距離を意味する。一粒子内にて粒子の厚さまたは高さが一定でない場合には、最大の粒子の厚さまたは高さを板厚ＤＡとする。

　次に、撮影したＴＥＭ写真から抽出する５０個の粒子を、下記の基準に基づき選び出す。粒子の一部がＴＥＭ写真の視野の外にはみだしている粒子は測定せず、輪郭がはっきりしており、孤立して存在している粒子を測定する。粒子同士に重なりがある場合は、両者の境界が明瞭で、粒子全体の形状も判断可能な粒子は、それぞれの粒子を単独粒子として測定するが、境界がはっきりせず、粒子の全形も判らない粒子は、粒子の形状が判断できないものとして測定しない。

　図８、図９にＴＥＭ写真の一例を示す。図８、図９において、例えば矢印ａおよびｄで示される粒子が、その粒子の板厚（その粒子の厚さまたは高さ）ＤＡを明らかに確認できるので、選択される。選択された５０個の粒子それぞれの板厚ＤＡを測定する。このようにして求めた板厚ＤＡを算術平均して平均板厚ＤＡ_ａｖｅを求める。平均板厚ＤＡ_ａｖｅが平均粒子板厚である。続いて、各磁性粉の板径ＤＢを測定する。粒子の板径ＤＢを測定するために、撮影したＴＥＭ写真から、粒子の板径ＤＢを明らかに確認できる粒子を５０個選び出す。例えば、図８、図９において、例えば矢印ｂおよびｃで示される粒子が、その板径ＤＢを明らかに確認できるので、選択される。選択された５０個の粒子それぞれの板径ＤＢを測定する。このようにして求めた板径ＤＢを単純平均（算術平均）して平均板径ＤＢ_ａｖｅを求める。平均板径ＤＢ_ａｖｅが、平均粒子サイズである。そして、平均板厚ＤＡ_ａｖｅおよび平均板径ＤＢ_ａｖｅから粒子の平均アスペクト比（ＤＢ_ａｖｅ／ＤＡ_ａｖｅ）を求める。

　磁性粉が六方晶フェライト粒子粉を含む場合、磁性粉の平均粒子体積は、好ましくは５００ｎｍ^３以上２５００ｎｍ^３以下、より好ましくは５００ｎｍ^３以上１６００ｎｍ^３以下、さらに好ましくは５００ｎｍ^３以上１５００ｎｍ^３以下、特に好ましくは６００ｎｍ^３以上１２００ｎｍ^３以下、最も好ましくは６００ｎｍ^３以上１０００ｎｍ^３以下である。磁性粉の平均粒子体積が２５００ｎｍ^３以下であると、磁性粉の平均粒子サイズを２２ｎｍ以下とする場合と同様の効果が得られる。一方、磁性粉の平均粒子体積が５００ｎｍ^３以上であると、磁性粉の平均粒子サイズを１３ｎｍ以上とする場合と同様の効果が得られる。

　磁性粉の平均粒子体積は以下のようにして求められる。まず、上記の磁性粉の平均粒子サイズの算出方法に関して述べた通り、平均板厚ＤＡ_ａｖｅおよび平均板径ＤＢ_ａｖｅを求める。次に、以下の式により、磁性粉の平均体積Ｖを求める。

（ε酸化鉄粒子）
　ε酸化鉄粒子は、微粒子でも高保磁力を得ることができる硬磁性粒子である。ε酸化鉄粒子は、球状を有しているか、または立方体状を有している。本明細書において、球状は、ほぼ球状を含むものとする。また、立方体状には、ほぼ立方体状を含むものとする。ε酸化鉄粒子が上記のような形状を有しているため、磁性粒子としてε酸化鉄粒子を用いた場合、磁性粒子として六角板状のバリウムフェライト粒子を用いた場合に比べて、磁気テープＭＴの厚み方向における粒子同士の接触面積を低減し、粒子同士の凝集を抑制することができる。したがって、磁性粉の分散性を高め、さらに優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。

　ε酸化鉄粒子は、コアシェル型構造を有する。具体的には、ε酸化鉄粒子は、コア部と、このコア部の周囲に設けられた２層構造のシェル部とを備える。２層構造のシェル部は、コア部上に設けられた第１シェル部と、第１シェル部上に設けられた第２シェル部とを備える。

　コア部は、ε酸化鉄を含む。コア部に含まれるε酸化鉄は、ε－Ｆｅ_２Ｏ_３結晶を主相とするものが好ましく、単相のε－Ｆｅ_２Ｏ_３からなるものがより好ましい。

　第１シェル部は、コア部の周囲のうちの少なくとも一部を覆っている。具体的には、第１シェル部は、コア部の周囲を部分的に覆っていてもよいし、コア部の周囲全体を覆っていてもよい。コア部と第１シェル部の交換結合を十分なものとし、磁気特性を向上する観点からすると、コア部の表面全体を覆っていることが好ましい。

　第１シェル部は、いわゆる軟磁性層であり、例えば、α－Ｆｅ、Ｎｉ－Ｆｅ合金またはＦｅ－Ｓｉ－Ａｌ合金等の軟磁性体を含む。α－Ｆｅは、コア部に含まれるε酸化鉄を還元することにより得られるものであってもよい。

　第２シェル部は、酸化防止層としての酸化被膜である。第２シェル部は、α酸化鉄、酸化アルミニウムまたは酸化ケイ素を含む。α酸化鉄は、例えばＦｅ_３Ｏ_４、Ｆｅ_２Ｏ_３およびＦｅＯからなる群より選ばれた少なくとも１種の酸化鉄を含む。第１シェル部がα－Ｆｅ（軟磁性体）を含む場合には、α酸化鉄は、第１シェル部に含まれるα－Ｆｅを酸化することにより得られるものであってもよい。

　ε酸化鉄粒子が、上記のように第１シェル部を有することで、熱安定性を確保するためにコア部単体の保磁力Ｈｃを大きな値に保ちつつ、ε酸化鉄粒子（コアシェル粒子）全体としての保磁力Ｈｃを記録に適した保磁力Ｈｃに調整できる。また、ε酸化鉄粒子が、上記のように第２シェル部を有することで、磁気テープＭＴの製造工程およびその工程前において、ε酸化鉄粒子が空気中に暴露されて、粒子表面に錆び等が発生することにより、ε酸化鉄粒子の特性が低下することを抑制することができる。したがって、磁気テープＭＴの特性劣化を抑制することができる。

　ε酸化鉄粒子が単層構造のシェル部を有していてもよい。この場合、シェル部は、第１シェル部と同様の構成を有する。但し、ε酸化鉄粒子の特性劣化を抑制する観点からすると、上記のように、ε酸化鉄粒子が２層構造のシェル部を有していることが好ましい。

　ε酸化鉄粒子が、上記コアシェル構造に代えて添加剤を含んでいてもよいし、コアシェル構造を有すると共に添加剤を含んでいてもよい。この場合、ε酸化鉄粒子のＦｅの一部が添加剤で置換される。ε酸化鉄粒子が添加剤を含むことによっても、ε酸化鉄粒子全体としての保磁力Ｈｃを記録に適した保磁力Ｈｃに調整できるため、記録容易性を向上することができる。添加剤は、鉄以外の金属元素、好ましくは３価の金属元素、より好ましくはＡｌ、ＧａおよびＩｎからなる群より選ばれた少なくとも１種、さらにより好ましくはＡｌおよびＧａからなる群より選ばれた少なくとも１種である。

　具体的には、添加剤を含むε酸化鉄は、ε－Ｆｅ_２－ｘＭ_ｘＯ_３結晶（但し、Ｍは鉄以外の金属元素、好ましくは３価の金属元素、より好ましくはＡｌ、ＧａおよびＩｎからなる群より選ばれた少なくとも１種、さらにより好ましくはＡｌおよびＧａからなる群より選ばれた少なくとも１種である。ｘは、例えば０＜ｘ＜１である。）である。

　磁性粉がε酸化鉄粒子粉を含む場合、磁性粉の平均粒子サイズは、好ましくは１０ｎｍ以上２０ｎｍ以下、より好ましくは１０ｎｍ以上１８ｎｍ以下、さらにより好ましくは１０ｎｍ以上１６ｎｍ以下、特に好ましくは１０ｎｍ以上１５ｎｍ以下、最も好ましくは１０ｎｍ以上１４ｎｍ以下である。磁気テープＭＴでは、記録波長の１／２のサイズの領域が実際の磁化領域となる。このため、磁性粉の平均粒子サイズを最短記録波長の半分以下に設定することで、さらに優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。したがって、磁性粉の平均粒子サイズが２０ｎｍ以下であると、高記録密度の磁気テープＭＴ（例えば４０ｎｍ以下の最短記録波長で信号を記録可能に構成された磁気テープＭＴ）において、さらに優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。一方、磁性粉の平均粒子サイズが１０ｎｍ以上であると、磁性粉の分散性がより向上し、さらに優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。

　磁性粉がε酸化鉄粒子粉を含む場合、磁性粉の平均アスペクト比が、好ましくは１．０以上３．０以下、より好ましくは１．０以上２．５以下、さらにより好ましくは１．０以上２．１以下、特に好ましくは１．０以上１．８以下である。磁性粉の平均アスペクト比が１．０以上３．０以下の範囲内であると、磁性粉の凝集を抑制することができる。また、磁性層４３の形成工程において磁性粉を垂直配向させる際に、磁性粉に加わる抵抗を抑制することができる。したがって、磁性粉の垂直配向性を向上することができる。

　磁性粉がε酸化鉄粒子粉を含む場合、磁性粉の平均粒子サイズおよび平均アスペクト比は、以下のようにして求められる。まず、カートリッジ１０に収容された磁気テープＭＴを巻き出し、磁気テープＭＴとリーダーテープＬＴとの接続部２１から長手方向に３０ｍから４０ｍの範囲から磁気テープＭＴを切り出す。続いて、切り出された磁気テープＭＴをＦＩＢ（Focused Ion Beam）法等により加工して薄片化を行う。ＦＩＢ法を使用する場合には、後述の断面のＴＥＭ像を観察する前処理として、保護層としてカーボン層およびタングステン層を形成する。当該カーボン層は蒸着法により磁気テープＭＴの磁性層４３側の表面およびバック層４４側の表面に形成され、そして、当該タングステン層は蒸着法またはスパッタリング法により磁性層４３側の表面にさらに形成される。薄片化は磁気テープＭＴの長さ方向（長手方向）に沿うかたちで行って行われる。すなわち、当該薄片化によって、磁気テープＭＴの長手方向および厚み方向の両方に平行な断面が形成される。

　得られた薄片サンプルの上記断面を、透過電子顕微鏡（日立ハイテクノロジーズ社製 H-9500）を用いて、加速電圧：200kV、総合倍率500,000倍で磁性層４３の厚み方向に対して磁性層４３全体が含まれるように断面観察を行い、ＴＥＭ写真を撮影する。次に、撮影したＴＥＭ写真から、粒子の形状を明らかに確認することができる５０個の粒子を選び出し、各粒子の長軸長ＤＬと短軸長ＤＳを測定する。ここで、長軸長ＤＬとは、各粒子の輪郭に接するように、あらゆる角度から引いた２本の平行線間の距離のうち最大のもの（いわゆる最大フェレ径）を意味する。一方、短軸長ＤＳとは、粒子の長軸（ＤＬ）と直交する方向における粒子の長さのうち最大のものを意味する。続いて、測定した５０個の粒子の長軸長ＤＬを算術平均して平均長軸長ＤＬ_aveを求める。このようにして求めた平均長軸長ＤＬ_aveを磁性粉の平均粒子サイズとする。また、測定した５０個の粒子の短軸長ＤＳを算術平均して平均短軸長ＤＳ_aveを求める。そして、平均長軸長ＤＬ_aveおよび平均短軸長ＤＳ_aveから粒子の平均アスペクト比（ＤＬ_ave／ＤＳ_ave）を求める。

　磁性粉がε酸化鉄粒子粉を含む場合、磁性粉の平均粒子体積は、好ましくは５００ｎｍ^３以上４０００ｎｍ^３以下、より好ましくは５００ｎｍ^３以上３０００ｎｍ^３以下、さらにより好ましくは５００ｎｍ^３以上２０００ｎｍ^３以下、特に好ましくは６００ｎｍ^３以上１６００ｎｍ^３以下、最も好ましくは６００ｎｍ^３以上１３００ｎｍ^３以下である。一般的に磁気テープＭＴのノイズは粒子個数の平方根に反比例（すなわち粒子体積の平方根に比例）するため、粒子体積をより小さくすることで、さらに優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。したがって、磁性粉の平均粒子体積が４０００ｎｍ^３以下であると、磁性粉の平均粒子サイズを２０ｎｍ以下とする場合と同様に、さらに優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。一方、磁性粉の平均粒子体積が５００ｎｍ^３以上であると、磁性粉の平均粒子サイズを１０ｎｍ以上とする場合と同様の効果が得られる。

　ε酸化鉄粒子が球状を有している場合には、磁性粉の平均粒子体積は以下のようにして求められる。まず、上記の磁性粉の平均粒子サイズの算出方法と同様にして、平均長軸長ＤＬ_aveを求める。次に、以下の式により、磁性粉の平均体積Ｖを求める。
Ｖ＝（π/６）×ＤＬ_ave ³

　ε酸化鉄粒子が立方体状を有している場合、磁性粉の平均体積は以下のようにして求められる。まず、カートリッジ１０に収容された磁気テープＭＴを巻き出し、磁気テープＭＴとリーダーテープＬＴとの接続部２１から長手方向に３０ｍから４０ｍの範囲から磁気テープＭＴを切り出す。続いて、切り出された磁気テープＭＴをＦＩＢ（Focused Ion Beam）法等により加工して薄片化を行う。ＦＩＢ法を使用する場合には、後述の断面のＴＥＭ像を観察する前処理として、保護膜としてカーボン膜およびタングステン薄膜を形成する。当該カーボン膜は蒸着法により磁気テープＭＴの磁性層４３側の表面およびバック層４４側の表面に形成され、そして、当該タングステン薄膜は蒸着法またはスパッタリング法により磁性層４３側の表面にさらに形成される。当該薄片化は磁気テープＭＴの長さ方向（長手方向）に沿って行われる。すなわち、当該薄片化によって、磁気テープＭＴの長手方向および厚み方向の両方に平行な断面が形成される。

　得られた薄片サンプルを透過電子顕微鏡（日立ハイテクノロジーズ社製 H-9500）を用いて、加速電圧：200kV、総合倍率500,000倍で磁性層４３の厚み方向に対して磁性層４３全体が含まれるように断面観察を行い、ＴＥＭ写真を得る。なお、装置の種類に応じて、倍率および加速電圧は適宜調整されてよい。次に、撮影したＴＥＭ写真から粒子の形状が明らかである５０個の粒子を選び出し、各粒子の辺の長さＤＣを測定する。続いて、測定した５０個の粒子の辺の長さＤＣを算術平均して平均辺長ＤＣ_aveを求める。次に、平均辺長ＤＣ_aveを用いて以下の式から磁性粉の平均体積Ｖ_ave（粒子体積）を求める。
　Ｖ_ave＝ＤＣ_ave ³

（コバルトフェライト粒子）
　コバルトフェライト粒子は、一軸結晶異方性を有することが好ましい。コバルトフェライト粒子が一軸結晶異方性を有することで、磁性粉を磁気テープＭＴの垂直方向に優先的に結晶配向させることができる。コバルトフェライト粒子は、例えば、立方体状を有している。本明細書において、立方体状は、ほぼ立方体状を含むものとする。Ｃｏ含有スピネルフェライトが、Ｃｏ以外にＮｉ、Ｍｎ、Ａｌ、ＣｕおよびＺｎからなる群より選ばれた少なくとも１種をさらに含んでいてもよい。

　Ｃｏ含有スピネルフェライトは、例えば以下の式で表される平均組成を有する。
　Ｃｏ_ｘＭ_ｙＦｅ_２Ｏ_Ｚ
（但し、式中、Ｍは、例えば、Ｎｉ、Ｍｎ、Ａｌ、ＣｕおよびＺｎからなる群より選ばれた少なくとも１種の金属である。ｘは、０．４≦ｘ≦１．０の範囲内の値である。ｙは、０≦ｙ≦０．３の範囲内の値である。但し、ｘ、ｙは（ｘ＋ｙ）≦１．０の関係を満たす。ｚは３≦ｚ≦４の範囲内の値である。Ｆｅの一部が他の金属元素で置換されていてもよい。）

　磁性粉がコバルトフェライト粒子粉を含む場合、磁性粉の平均粒子サイズは、好ましくは８ｎｍ以上１６ｎｍ以下、より好ましくは８ｎｍ以上１３ｎｍ以下、さらにより好ましくは８ｎｍ以上１０ｎｍ以下である。磁性粉の平均粒子サイズが１６ｎｍ以下であると、高記録密度の磁気テープＭＴにおいて、さらに優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。一方、磁性粉の平均粒子サイズが８ｎｍ以上であると、磁性粉の分散性がより向上し、さらに優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。磁性粉の平均粒子サイズの算出方法は、磁性粉がε酸化鉄粒子粉を含む場合における磁性粉の平均粒子サイズの算出方法と同様である。

　磁性粉がコバルトフェライト粒子粉を含む場合、磁性粉の平均アスペクト比が、好ましくは１．０以上２．５以下、より好ましくは１．０以上２．１以下、さらにより好ましくは１．０以上１．８以下である。磁性粉の平均アスペクト比が１．０以上２．５以下の範囲内であると、磁性粉の凝集を抑制することができる。また、磁性層４３の形成工程において磁性粉を垂直配向させる際に、磁性粉に加わる抵抗を抑制することができる。したがって、磁性粉の垂直配向性を向上することができる。磁性粉の平均アスペクト比の算出方法は、磁性粉がε酸化鉄粒子粉を含む場合における磁性粉の平均アスペクト比の算出方法と同様である。

　磁性粉がコバルトフェライト粒子粉を含む場合、磁性粉の平均粒子体積は、好ましくは５００ｎｍ^３以上４０００ｎｍ^３以下、より好ましくは６００ｎｍ^３以上２０００ｎｍ^３以下、さらにより好ましくは６００ｎｍ^３以上１０００ｎｍ^３以下である。磁性粉の平均粒子体積が４０００ｎｍ^３以下であると、磁性粉の平均粒子サイズを１６ｎｍ以下とする場合と同様の効果が得られる。一方、磁性粉の平均粒子体積が５００ｎｍ^３以上であると、磁性粉の平均粒子サイズを８ｎｍ以上とする場合と同様の効果が得られる。磁性分の平均粒子体積の算出方法は、ε酸化鉄粒子が立方体状を有している場合の平均粒子体積の算出方法と同様である。

（結着剤）
　結着剤としては、例えば、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、反応型樹脂等が挙げられる。熱可塑性樹脂としては、例えば、塩化ビニル、酢酸ビニル、塩化ビニル－酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル－塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル－アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル－アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル－塩化ビニル－塩化ビニリデン共重合体、アクリル酸エステル－アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル－塩化ビニリデン共重合体、メタクリル酸エステル－塩化ビニリデン共重合体、メタクリル酸エステル－塩化ビニル共重合体、メタクリル酸エステル－エチレン共重合体、ポリフッ化ビニル、塩化ビニリデン－アクリロニトリル共重合体、アクリロニトリル－ブタジエン共重合体、ポリアミド樹脂、ポリビニルブチラール、セルロース誘導体（セルロースアセテートブチレート、セルロースダイアセテート、セルローストリアセテート、セルロースプロピオネート、ニトロセルロース）、スチレンブタジエン共重合体、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、アミノ樹脂、合成ゴム等が挙げられる。

　熱硬化性樹脂としては、例えば、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン硬化型樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、アルキッド樹脂、シリコーン樹脂、ポリアミン樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂等が挙げられる。

　上記の全ての結着剤には、磁性粉の分散性を向上させる目的で、－ＳＯ_３Ｍ、－ＯＳＯ_３Ｍ、－ＣＯＯＭ、Ｐ＝Ｏ（ＯＭ）_２（但し、式中Ｍは水素原子またはリチウム、カリウム、ナトリウム等のアルカリ金属を表す）や、－ＮＲ１Ｒ２、－ＮＲ１Ｒ２Ｒ３^＋Ｘ^－で表される末端基を有する側鎖型アミン、＞ＮＲ１Ｒ２^＋Ｘ^－で表される主鎖型アミン（但し、式中Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は水素原子または炭化水素基を表し、Ｘ^－はフッ素、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン元素イオン、無機イオンまたは有機イオンを表す。）、さらに－ＯＨ、－ＳＨ、－ＣＮ、エポキシ基等の極性官能基が導入されていてもよい。これら極性官能基の結着剤への導入量は、１０^－１モル／ｇ以上１０^－８モル／ｇ以下であるのが好ましく、１０^－２モル／ｇ以上１０^－６モル／ｇ以下であるのがより好ましい。

（潤滑剤）
　潤滑剤は、例えば脂肪酸および脂肪酸エステルから選ばれる少なくとも１種、好ましくは脂肪酸および脂肪酸エステルの両方を含む。磁性層４３が潤滑剤を含むことが、特には磁性層４３が脂肪酸および脂肪酸エステルの両方を含むことが、磁気テープＭＴの走行安定性の向上に貢献する。

　脂肪酸は、好ましくは下記の一般式（１）または（２）により示される化合物であってよい。例えば、脂肪酸として下記の一般式（１）により示される化合物および一般式（２）により示される化合物の一方が含まれていてよく、または両方が含まれていてもよい。

　また、脂肪酸エステルは、好ましくは下記一般式（３）または（４）により示される化合物であってよい。例えば、脂肪酸エステルとして下記の一般式（３）により示される化合物および一般式（４）により示される化合物の一方が含まれていてよく、または両方が含まれていてもよい。

　潤滑剤が、一般式（１）に示される化合物および一般式（２）に示される化合物のいずれか一方若しくは両方と、一般式（３）に示される化合物および一般式（４）に示される化合物のいずれか一方若しくは両方と、を含むことによって、磁気テープＭＴを繰り返しの記録または再生による動摩擦係数の増加を抑制することができる。

　ＣＨ₃（ＣＨ₂）_kＣＯＯＨ　・・・（１）
（但し、一般式（１）において、ｋは１４以上２２以下の範囲、より好ましくは１４以上１８以下の範囲から選ばれる整数である。）

　ＣＨ₃（ＣＨ₂）_nＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ₂）_mＣＯＯＨ　・・・（２）
（但し、一般式（２）において、ｎとｍとの和は１２以上２０以下の範囲、より好ましくは１４以上１８以下の範囲から選ばれる整数である。）

　ＣＨ₃（ＣＨ₂）_pＣＯＯ（ＣＨ₂）_qＣＨ₃　・・・（３）
（但し、一般式（３）において、ｐは１４以上２２以下、より好ましくは１４以上１８以下の範囲から選ばれる整数であり、且つ、ｑは２以上５以下の範囲、より好ましくは２以上４以下の範囲から選ばれる整数である。）

　ＣＨ₃（ＣＨ₂）_rＣＯＯ－（ＣＨ₂）_sＣＨ（ＣＨ₃）₂　・・・（４）
（但し、一般式（４）において、ｒは１４以上２２以下の範囲から選ばれる整数であり、ｓは１以上３以下の範囲から選ばれる整数である。）

（カーボン）
　磁性層４３に含まれるカーボンは、帯電防止剤および潤滑剤等として機能してもよい。磁性層４３に含まれるカーボンの一部は、磁性層４３の表面から露出している。磁性層４３の表面の凹凸が、カーボンや研磨剤等により形成されていてもよい。

　カーボンは、具体的には、カーボン粒子である。カーボン粒子は、例えば、カーボンブラック、アセチレンブラック、ケッチェンブラック、カーボンナノチューブおよびグラフェンからなる群より選ばれる１種以上を含む。

（帯電防止剤）
　帯電防止剤としては、例えば、天然界面活性剤、ノニオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤等が挙げられる。

（研磨剤）
　研磨剤としては、例えば、α化率９０％以上のα－アルミナ、β－アルミナ、γ－アルミナ、炭化ケイ素、酸化クロム、酸化セリウム、α－酸化鉄、コランダム、窒化珪素、チタンカ－バイト、酸化チタン、二酸化珪素、酸化スズ、酸化マグネシウム、酸化タングステン、酸化ジルコニウム、窒化ホウ素、酸化亜鉛、炭酸カルシウム、硫酸カルシウム、硫酸バリウム、２硫化モリブデン、磁性酸化鉄の原料を脱水、アニール処理した針状α酸化鉄、必要によりそれらをアルミおよび／またはシリカで表面処理したもの等が挙げられる。

（硬化剤）
　硬化剤としては、例えば、ポリイソシアネート等が挙げられる。ポリイソシアネートとしては、例えば、トリレンジイソシアネート（ＴＤＩ）と活性水素化合物との付加体等の芳香族ポリイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート（ＨＭＤＩ）と活性水素化合物との付加体等の脂肪族ポリイソシアネート等が挙げられる。これらポリイソシアネートの重量平均分子量は、１００以上３０００以下の範囲であることが望ましい。

（防錆剤）
　防錆剤としては、例えばフェノール類、ナフトール類、キノン類、窒素原子を含む複素環化合物、酸素原子を含む複素環化合物、硫黄原子を含む複素環化合物等が挙げられる。

（非磁性補強粒子）
　非磁性補強粒子として、例えば、酸化アルミニウム（α、βまたはγアルミナ）、酸化クロム、酸化珪素、ダイヤモンド、ガーネット、エメリー、窒化ホウ素、チタンカーバイト、炭化珪素、炭化チタン、酸化チタン（ルチル型またはアナターゼ型の酸化チタン）等が挙げられる。

（下地層）
　下地層４２は、基体４１の表面の凹凸を緩和し、磁性層４３の表面の凹凸を調整するためのものである。下地層４２は、非磁性粉、結着剤および潤滑剤を含む非磁性層である。下地層４２は、磁性層４３の表面に潤滑剤を供給する。下地層４２が、必要に応じて、帯電防止剤、硬化剤および防錆剤等からなる群より選ばれた少なくとも１種の添加剤をさらに含んでいてもよい。

　下地層４２の平均厚みの上限値は、好ましくは１．２０μｍ以下、より好ましくは０．９０μｍ以下、さらにより好ましくは０．８０μｍ以下、特により好ましくは０．７０μｍ以下、最も好ましくは０．６０μｍ以下である。下地層４２の平均厚みの上限値が１．２０μｍ以下であると、磁気テープＭＴの厚みを低減することができるので、１データカートリッジ内に記録できる記録容量を一般的な磁気テープよりも高めることができる。また、下地層４２の平均厚みが１．２０μｍ以下であると、外力による磁気テープＭＴの伸縮性がさらに高くなるため、テンション調整による磁気テープＭＴの幅の調整がさらに容易となる。下地層４２の平均厚みの下限値は、好ましくは０．３０μｍ以上である。下地層４２の平均厚みの下限値が０．３０μｍ以上であると、下地層４２としての機能低下を抑制することができる。なお、下地層４２の平均厚みは、磁性層４３の平均厚みと同様にして求められる。但し、ＴＥＭ像の倍率は、下地層４２の厚みに応じて適宜調整される。

（非磁性粉）
　非磁性粉は、例えば無機粒子粉または有機粒子粉の少なくとも１種を含む。また、非磁性粉は、カーボンブラック等の炭素粉を含んでいてもよい。なお、１種の非磁性粉を単独で用いてもよいし、２種以上の非磁性粉を組み合わせて用いてもよい。無機粒子は、例えば、金属、金属酸化物、金属炭酸塩、金属硫酸塩、金属窒化物、金属炭化物または金属硫化物等を含む。非磁性粉の形状としては、例えば、針状、球状、立方体状、板状等の各種形状が挙げられるが、これらの形状に限定されるものではない。

（結着剤、潤滑剤）
　結着剤および潤滑剤は、上記の磁性層４３と同様である。

（添加剤）
　帯電防止剤、硬化剤および防錆剤はそれぞれ、上記の磁性層４３と同様である。

（バック層）
　バック層４４は、結着剤および非磁性粉を含む。バック層４４が、必要に応じて潤滑剤、硬化剤および帯電防止剤等からなる群より選ばれた少なくとも１種の添加剤をさらに含んでいてもよい。結着剤および非磁性粉は、上記の下地層４２と同様である。硬化剤および帯電防止剤は、上記の磁性層４３と同様である。

　非磁性粉の平均粒子サイズは、好ましくは１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下、より好ましくは１５ｎｍ以上１１０ｎｍ以下である。非磁性粉の平均粒子サイズは、上記の磁性粉の平均粒子サイズと同様にして求められる。非磁性粉が、２以上の粒度分布を有する非磁性粉を含んでいてもよい。

　バック層４４の平均厚みの上限値は、好ましくは０．６μｍ以下、より好ましくは０．３μｍ以下である。バック層４４の平均厚みの上限値が０．６μｍ以下であると、磁気テープＭＴの平均厚みが５．３μｍ以下である場合でも、下地層４２や基体４１の厚みを厚く保つことができるので、磁気テープＭＴの記録再生装置内での走行安定性を保つことができる。バック層４４の平均厚みの下限値は特に限定されるものではないが、例えば０．２μｍ以上である。

　バック層４４の平均厚みｔ_ｂは以下のようにして求められる。まず、磁気テープＭＴの平均厚みＴｔを測定する。平均厚みＴｔの測定方法は、以下の「磁気テープの平均厚み」に記載されている通りである。続いて、カートリッジ１０に収容された磁気テープＭＴを巻き出し、磁気テープＭＴとリーダーテープＬＴとの接続部２１から長手方向に１０ｍから２０ｍの範囲、３０ｍから４０ｍの範囲、５０ｍから６０ｍの範囲それぞれから磁気テープＭＴを２５０ｍｍの長さに切り出し、３つのサンプルを作製する。次に、各サンプルのバック層４４をＭＥＫ（メチルエチルケトン）または希塩酸等の溶剤で除去する。次に、Mitutoyo社製レーザーホロゲージ（LGH-110C）を用いて、各サンプルの厚みを５点の位置で測定し、それらの測定値（合計で１５点のサンプルの厚み）を算術平均して、平均値ｔ_Ｂ［μｍ］を算出する。その後、以下の式よりバック層４４の平均厚みｔ_ｂ［μｍ］を求める。なお、上記５点の測定位置は、磁気テープＭＴの長手方向においてそれぞれ異なる位置となるように、各サンプルから無作為に選ばれるものとする。
　ｔ_ｂ［μｍ］＝Ｔｔ［μｍ］－ｔ_Ｂ［μｍ］

（磁気テープの平均厚み）
　磁気テープＭＴの平均厚み（平均全厚）Ｔｔの上限値が、好ましくは５．３μｍ以下、より好ましくは５．１μｍ以下、さらにより好ましくは４．９μｍ以下、特に好ましくは４．６μｍ以下、最も好ましくは４．４μｍ以下である。磁気テープＭＴの平均厚みＴｔが５．３μｍ以下であると、１データカートリッジ内に記録できる記録容量を一般的な磁気テープよりも高めることができる。磁気テープＭＴの平均厚みＴｔの下限値は特に限定されるものではないが、例えば３．５μｍ以上である。

　磁気テープＭＴの平均厚みＴｔは以下のようにして求められる。まず、カートリッジ１０に収容された磁気テープＭＴを巻き出し、磁気テープＭＴとリーダーテープＬＴとの接続部２１から長手方向に１０ｍから２０ｍの範囲、３０ｍから４０ｍの範囲、５０ｍから６０ｍの範囲それぞれから磁気テープＭＴを２５０ｍｍの長さに切り出し、３つのサンプルを作製する。次に、測定装置としてMitutoyo社製レーザーホロゲージ（LGH-110C）を用いて、各サンプルの厚みを５点の位置で測定し、それらの測定値（合計で１５点のサンプルの厚み）を算術平均して、平均厚みＴｔ［μｍ］を算出する。なお、上記５点の測定位置は、磁気テープＭＴの長手方向においてそれぞれ異なる位置となるように、各サンプルから無作為に選ばれるものとする。

　基体４１の平均厚みＴ_ｓに対する磁気テープＭＴの平均厚みＴ_ｔの比率（Ｔ_ｔ／Ｔ_ｓ）が、好ましくは１．２以上である。比率（Ｔ_ｔ／Ｔ_ｓ）が１．２以上であると、基体４１に対する塗布層（磁性層４３、下地層４２、バック層４４等）の厚みが十分確保されることで、この塗布層がヘッドとの接触の安定化を促したり、カッピングを適正な範囲へと保つ事ができ、結果として、スペーシングＳＲ_Ｌ、ＳＲ_Ｔを下げ、電特や走行安定性を良好にすることができる。ここで、電特とは、電磁変換特性を意味する。

　基体４１の平均厚みＴ_ｓおよび磁気テープＭＴの平均厚みＴ_ｔの算出方法は、上記のとおりである。

（磁性層の表面の算術平均粗さＲａ）
　磁性層４３の表面の算術平均粗さＲａの平均値は、１．３ｎｍ以下、好ましくは１．２ｎｍ以下、より好ましくは１．１以下である。算術平均粗さＲａの平均値が１．３ｎｍ以下であると、スペーシングロスによる出力低下を抑制することができるため、優れた電磁変換特性を得ることができる。磁性層４３の表面の算術平均粗さＲａの平均値の下限値は、好ましくは１．０ｎｍ以上である。磁性層４３の表面の算術平均粗さＲａの平均値の下限値が１．０ｎｍ以上であると、摩擦の増大による走行性の低下を抑制することができる。

　算術平均粗さＲａの平均値は次のようにして求められる。まず、カートリッジ１０に収容された磁気テープＭＴを巻き出し、磁気テープＭＴとリーダーテープＬＴとの接続部２１から長手方向に１０ｍから２０ｍの範囲、３０ｍから４０ｍの範囲、５０ｍから６０ｍの範囲それぞれから磁気テープＭＴを２５０ｍｍの長さに切り出し、３つのサンプルを作製する。次に、各サンプルの磁性層４３の表面をＡＦＭ（Atomic Force Microscope）により観察し、４０μｍ×４０μｍのＡＦＭ像を得る。ＡＦＭとしてはDigital Instruments社製、Nano Scope IIIa D3100を用い、カンチレバーとしてはシリコン単結晶製のものを用い(注１)、タッピング周波数として、２００から４００Ｈｚのチューニングにて測定を行う。次に、各ＡＦＭ像を５１２×５１２（＝２６２，１４４）個の測定点に分割し、各測定点にて高さＺ（ｉ）（ｉ：測定点番号、ｉ＝１から２６２，１４４）を測定し、測定した各測定点の高さＺ（ｉ）を算術平均して平均高さ（平均面）Ｚave（＝（Ｚ（１）＋Ｚ（２）＋・・・＋Ｚ（２６２，１４４））／２６２，１４４）を求める。続いて、各測定点での平均中心線からの偏差Ｚ”（ｉ）（＝Ｚ（ｉ）－Ｚave）を求め、算術平均粗さＲａ［ｎｍ］（＝（Ｚ”（１）＋Ｚ”（２）＋・・・＋Ｚ”（２６２，１４４））／２６２，１４４）を算出する。この際には、画像処理として、Flatten order2、ならびに、planefit order 3 XYによりフィルタリング処理を行ったものをデータとして用いる。
(注１)Nano World社製　SPMプローブ　NCH　ノーマルタイプ　PointProbe　L(カンチレバー長)＝１２５μｍ
　次に、３つサンプルの算術平均粗さＲａを算術平均して、算術平均粗さＲａの平均値を算出する。

（バック面の表面粗度Ｒ_ｂ）
　バック面の表面粗度（バック層４４の表面粗度）Ｒ_ｂの平均値が、Ｒ_ｂ≦６．０［ｎｍ］であることが好ましい。バック面の表面粗度Ｒ_ｂの平均値が上記範囲であると、さらに優れた電磁変換特性を得ることができる。

　バック面の表面粗度Ｒ_ｂの平均値は以下のようにして求められる。まず、カートリッジ１０に収容された磁気テープＭＴを巻き出し、磁気テープＭＴとリーダーテープＬＴとの接続部２１から長手方向に１０ｍから２０ｍの範囲、３０ｍから４０ｍの範囲、５０ｍから６０ｍの範囲それぞれから磁気テープＭＴを１００ｍｍの長さに切り出し、３つのサンプルを作製する。次に、サンプルの被測定面（磁性層側の表面）が上になるようにスライドグラスに乗せ、サンプルの端部をメンディングテープで固定する。測定装置としてVertScan（対物レンズ２０倍）を用いて表面形状を測定し、ＩＳＯ　２５１７８の規格に基づいて以下の式からバック面の表面粗度Ｒ_ｂを求める。
　測定条件は以下のとおりである。
　装置：光干渉を用いた非接触粗度計
（株式会社菱化システム製非接触表面・層断面形状計測システム VertScan R5500GL-M100-AC）
　対物レンズ：２０倍
　測定領域：６４０×４８０ピクセル（視野：約２３７μｍ×１７８μｍ視野）
　測定モード：ｐｈａｓｅ
　波長フィルター：５２０ｎｍ
　ＣＣＤ：１／３インチ
　ノイズ除去フィルター：スムージング３×３
　面補正：２次多項式近似面にて補正
　測定ソフトウエア：VS-Measure　Version5.5.2
　解析ソフトウエア：VS-viewer　Version5.5.5

　各サンプルについて、上記のようにして、磁気テープＭＴの長手方向に５点の位置にて面粗度を測定したのち、各位置で得られた表面プロファイルから自動計算されたそれぞれの算術平均粗さＳ_ａ（ｎｍ）の平均値をバック面の表面粗度Ｒ_ｂ（ｎｍ）とする。なお、上記５点の測定位置は、磁気テープＭＴの長手方向においてそれぞれ異なる位置となるように、各サンプルから無作為に選ばれるものとする。次に、３つサンプルから求められた表面粗度Ｒ_ｂを算術平均して、表面粗度Ｒ_ｂの平均値を算出する。

（保磁力Ｈｃ２の平均値）
　磁気テープＭＴの長手方向における磁性層４３の保磁力Ｈｃ２の平均値の上限値が、好ましくは３０００Ｏｅ以下、より好ましくは２０００Ｏｅ以下、さらにより好ましくは１９００Ｏｅ以下、特に好ましくは１８００Ｏｅ以下である。磁気テープＭＴの長手方向における磁性層４３の保磁力Ｈｃ２の平均値が３０００Ｏｅ以下であると、高記録密度であっても十分な電磁変換特性を有することができる。

　磁気テープＭＴの長手方向に測定した磁性層４３の保磁力Ｈｃ２の平均値の下限値が、好ましくは１０００Ｏｅ以上である。磁気テープＭＴの長手方向に測定した磁性層４３の保磁力Ｈｃ２の平均値が１０００Ｏｅ以上であると、記録ヘッドからの漏れ磁束による減磁を抑制することができる。

　上記の保磁力Ｈｃ２の平均値は以下のようにして求められる。まず、カートリッジ１０に収容された磁気テープＭＴが巻き出され、磁気テープＭＴとリーダーテープＬＴとの接続部２１から長手方向に１０ｍから２０ｍの範囲、３０ｍから４０ｍの範囲、５０ｍから６０ｍの範囲それぞれから磁気テープＭＴが２５０ｍｍの長さに切り出される。切り出された各磁気テープＭＴの保磁力Ｈｃ２が以下のようにして測定される。磁気テープＭＴの長手方向の向きが同じになるように、両面テープで３枚重ね合わされた後、φ６．３９ｍｍのパンチで打ち抜かれて、測定サンプルが作製される。この際に、磁気テープＭＴの長手方向（走行方向）が認識できるように、磁性を持たない任意のインクでマーキングを行う。そして、振動試料型磁力計（Vibrating Sample Magnetometer：ＶＳＭ）を用いて磁気テープＭＴの長手方向（走行方向）に対応する測定サンプル（磁気テープＭＴ全体）のＭ－Ｈループが測定される。次に、上記で切り出した磁気テープＭＴの塗膜（下地層４２、磁性層４３およびバック層４４等）を、アセトンまたはエタノール等を用いて払拭し、基体４１のみを残す。そして、得られた基体４１が両面テープで３枚重ね合わされた後、φ６．３９ｍｍのパンチで打ち抜かれて、バックグラウンド補正用のサンプル（以下、単に「補正用サンプル」）が作製される。その後、ＶＳＭを用いて基体４１の長手方向（磁気テープＭＴの長手方向）に対応する補正用サンプル（基体４１）のＭ－Ｈループが測定される。

　測定サンプル（磁気テープＭＴの全体）のＭ－Ｈループ、補正用サンプル（基体４１）のＭ－Ｈループの測定においては、東英工業社製の高感度振動試料型磁力計「ＶＳＭ－Ｐ７－１５型」が用いられる。測定条件は、測定モード：フルループ、最大磁界：１５ｋＯｅ、磁界ステップ：４０ｂｉｔ、Time constant of Locking amp：０．３ｓｅｃ、Waiting time：１ｓｅｃ、ＭＨ平均数：２０とされる。

　測定サンプル（磁気テープＭＴの全体）のＭ－Ｈループおよび補正用サンプル（基体４１）のＭ－Ｈループが得られた後、測定サンプル（磁気テープＭＴの全体）のＭ－Ｈループから補正用サンプル（基体４１）のＭ－Ｈループが差し引かれることで、バックグラウンド補正が行われ、バックグラウンド補正後のＭ－Ｈループが得られる。このバックグラウンド補正の計算には、「ＶＳＭ－Ｐ７－１５型」に付属されている測定・解析プログラムが用いられる。得られたバックグラウンド補正後のＭ－Ｈループから保磁力Ｈｃ２が求められる。なお、この計算には、「ＶＳＭ－Ｐ７－１５型」に付属されている測定・解析プログラムが用いられる。なお、上記のＭ－Ｈループの測定はいずれも、２５℃±２℃、５０％ＲＨ±５％ＲＨの環境にて行われるものとする。また、Ｍ－Ｈループを磁気テープＭＴの長手方向に測定する際の“反磁界補正”は行わないものとする。次に、上記のようにして求められた３つサンプルの保磁力Ｈｃ２を算術平均して、保磁力Ｈｃ２の平均値を算出する。

（角形比Ｓ１、Ｓ２の平均値）
　磁気テープＭＴの垂直方向における磁性層４３の角形比Ｓ１の平均値が、好ましくは６５％以上、より好ましくは７０％以上、さらにより好ましくは７５％以上、特に好ましくは８０％以上、最も好ましくは８５％以上である。角形比Ｓ１の平均値が６５％以上であると、磁性粉の垂直配向性が十分に高くなるため、さらに優れた電磁変換特性を得ることができる。

　磁気テープＭＴの垂直方向における角形比Ｓ１の平均値は以下のようにして求められる。まず、カートリッジ１０に収容された磁気テープＭＴが巻き出され、磁気テープＭＴとリーダーテープＬＴとの接続部２１から長手方向に１０ｍから２０ｍの範囲、３０ｍから４０ｍの範囲、５０ｍから６０ｍの範囲それぞれから磁気テープＭＴが２５０ｍｍの長さに切り出される。切り出された各磁気テープＭＴの角形比Ｓ１が以下のようにして測定される。磁気テープＭＴの長手方向の向きが同じになるように、両面テープで３枚重ね合わされた後、φ６．３９ｍｍのパンチで打ち抜かれて、測定サンプルが作製される。この際に、磁気テープＭＴの長手方向（走行方向）が認識できるように、磁性を持たない任意のインクでマーキングを行う。そして、振動試料型磁力計（Vibrating Sample Magnetometer：ＶＳＭ）を用いて磁気テープＭＴの垂直方向（磁気テープＭＴの厚み方向）に対応する測定サンプル（磁気テープＭＴ全体）のＭ－Ｈループが測定される。次に、上記で切り出した磁気テープＭＴの塗膜（下地層４２、磁性層４３およびバック層４４等）を、アセトンまたはエタノール等を用いて払拭し、基体４１のみを残す。そして、得られた基体４１が両面テープで３枚重ね合わされた後、φ６．３９ｍｍのパンチで打ち抜かれて、バックグラウンド補正用のサンプル（以下、単に「補正用サンプル」）が作製される。その後、ＶＳＭを用いて基体４１の垂直方向（磁気テープＭＴの垂直方向）に対応する補正用サンプル（基体４１）のＭ－Ｈループが測定される。

　測定サンプル（磁気テープＭＴの全体）のＭ－Ｈループおよび補正用サンプル（基体４１）のＭ－Ｈループが得られた後、測定サンプル（磁気テープＭＴの全体）のＭ－Ｈループから補正用サンプル（基体４１）のＭ－Ｈループが差し引かれることで、バックグラウンド補正が行われ、バックグラウンド補正後のＭ－Ｈループが得られる。このバックグラウンド補正の計算には、「ＶＳＭ－Ｐ７－１５型」に付属されている測定・解析プログラムが用いられる。

　得られたバックグラウンド補正後のＭ－Ｈループの飽和磁化Ｍｓ（ｅｍｕ）および残留磁化Ｍｒ（ｅｍｕ）が以下の式に代入されて、角形比Ｓ１（％）が計算される。なお、上記のＭ－Ｈループの測定はいずれも、２５℃±２℃、５０％ＲＨ±５％ＲＨの環境にて行われるものとする。また、Ｍ－Ｈループを磁気テープＭＴの垂直方向に測定する際の“反磁界補正”は行わないものとする。なお、この計算には、「ＶＳＭ－Ｐ７－１５型」に付属されている測定・解析プログラムが用いられる。
　角形比Ｓ１（％）＝（Ｍｒ／Ｍｓ）×１００
　次に、上記のようにして求められた３つサンプルの角形比Ｓ１を算術平均して、角形比Ｓ１の平均値を算出する。

　磁気テープＭＴの長手方向（走行方向）における磁性層４３の角形比Ｓ２の平均値が、好ましくは３５％以下、より好ましくは３０％以下、さらにより好ましくは２５％以下、特に好ましくは２０％以下、最も好ましくは１５％以下である。角形比Ｓ２の平均値が３５％以下であると、磁性粉の垂直配向性が十分に高くなるため、さらに優れた電磁変換特性を得ることができる。

　磁気テープＭＴの長手方向における角形比Ｓ２の平均値は、Ｍ－Ｈループを磁気テープＭＴおよび基体４１の長手方向（走行方向）に測定すること以外は角形比Ｓ１の平均値と同様にして求められる。

（磁気テープの長手方向の平均ヤング率）
　磁気テープＭＴの長手方向の平均ヤング率の上限値は、好ましくは９．０ＧＰａ以下、より好ましくは８．０ＧＰａ以下、さらにより好ましくは７．５ＧＰａ以下、特に好ましくは７．１ＧＰａ以下である。磁気テープＭＴの長手方向の平均ヤング率が９．０ＧＰａ以下であると、外力による磁気テープＭＴの伸縮性がさらに高くなるため、テンション調整による磁気テープＭＴの幅の調整がさらに容易となる。したがって、オフトラックをさらに適切に抑制することができ、磁気テープＭＴに記録されたデータをさらに正確に再生することが可能となる。磁気テープＭＴの長手方向の平均ヤング率の下限値は、好ましくは３．０ＧＰａ以上、より好ましくは４．０ＧＰａ以上である。磁気テープＭＴの長手方向の平均ヤング率の下限値が３．０ＧＰａ以上であると、走行安定性の低下を抑制することができる。

　磁気テープＭＴの長手方向の平均ヤング率は、外力による磁気テープＭＴの長手方向における伸縮のし難さを示す値であり、この値が大きいほど外力により磁気テープＭＴは長手方向に伸縮し難く、この値が小さいほど外力により磁気テープＭＴは長手方向に伸縮しやすい。

　なお、磁気テープＭＴの長手方向の平均ヤング率は、磁気テープＭＴの長手方向に関する値であるが、磁気テープＭＴの幅方向の伸縮のし難さとも相関がある。つまり、この値が大きいほど磁気テープＭＴは外力により幅方向に伸縮し難く、この値が小さいほど磁気テープＭＴは外力により幅方向に伸縮しやすい。したがって、テンション調整の観点から、磁気テープＭＴの長手方向の平均ヤング率は、上記のように小さく、９．０ＧＰａ以下であることが有利である。

　ヤング率の測定には引っ張り試験機（島津製作所製、AG-100D）を用いる。テープ長手方向の平均ヤング率は以下のようにして求められる。カートリッジ１０に収容された磁気テープＭＴを巻き出し、磁気テープＭＴとリーダーテープＬＴとの接続部２１から長手方向に１０ｍから２０ｍの範囲、３０ｍから４０ｍの範囲、５０ｍから６０ｍの範囲それぞれから磁気テープＭＴを１８０ｍｍの長さに切り出し、３つの測定サンプルを準備する。準備した３つの測定サンプルに以下の測定を行う。上記引っ張り試験機にテープの幅（１／２インチ）を固定できる冶具を取り付け、テープ幅の上下を固定する。距離（チャック間のテープの長さ）は１００ｍｍにする。テープサンプルをチャック後、サンプルを引っ張る方向（サンプルの長手方向）に応力を徐々にかけていく。引っ張り速度は０．１ｍｍ／ｍｉｎとする。この時の応力の変化と伸び量から、以下の式を用いてヤング率を計算する。
　Ｅ（Ｎ／ｍ^２）＝（（ΔＮ／Ｓ）／（Δｘ／Ｌ））×１０^６
　ΔＮ：応力の変化（Ｎ）
　Ｓ：試験片の断面積（ｍｍ^２）
　Δｘ：伸び量（ｍｍ）
　Ｌ：つかみ治具間距離（ｍｍ）
上記測定サンプルの断面積Ｓは、引張動作前の断面積であり、測定サンプルの幅（１／２インチ）と測定サンプルの厚さとの積で求められる。測定を行う際の引張応力の範囲は、磁気テープＭＴの厚み等に応じて線形領域の引張応力の範囲を設定する。ここでは、応力の範囲としては０．５Ｎから１．０Ｎとし、この時の応力変化（ΔＮ）と伸び量（Δｘ）を計算に使用する。なお、上記のヤング率の測定は、２５℃±２℃、５０％ＲＨ±５％ＲＨにて行われるものとする。
　次に、３つサンプルを用いて測定された長手方向のヤング率を算術平均して、磁気テープＭＴの長手方向の平均ヤング率を算出する。

（基体の長手方向の平均ヤング率）
　基体４１の長手方向の平均ヤング率は、好ましくは７．８ＧＰａ以下、より好ましくは７．０ＧＰａ以下、さらにより好ましくは６．６ＧＰａ以下、特に好ましくは６．４ＧＰａ以下である。基体４１の長手方向の平均ヤング率が７．８ＧＰａ以下であると、外力による磁気テープＭＴの伸縮性がさらに高くなるため、テンション調整による磁気テープＭＴの幅の調整がさらに容易となる。したがって、オフトラックをさらに適切に抑制することができ、磁気テープＭＴに記録されたデータをさらに正確に再生することが可能となる。基体４１の長手方向の平均ヤング率の下限値は、好ましくは２．５ＧＰａ以上、より好ましくは３．０ＧＰａ以上である。基体４１の長手方向の平均ヤング率の下限値が２．５ＧＰａ以上であると、走行安定性の低下を抑制することができる。

　上記の基体４１の長手方向の平均ヤング率は、次のようにして求められる。まず、カートリッジ１０に収容された磁気テープＭＴを巻き出し、磁気テープＭＴとリーダーテープＬＴとの接続部２１から長手方向に１０ｍから２０ｍの範囲、３０ｍから４０ｍの範囲、５０ｍから６０ｍの範囲それぞれから磁気テープＭＴを１８０ｍｍの長さに切り出し、３つのサンプルを作製する。続いて、切り出した各サンプルから下地層４２、磁性層４３およびバック層４４を除去し、基体４１を得る。この基体４１を用いて、上記の磁気テープＭＴの長手方向のヤング率と同様の手順で基体４１の長手方向のヤング率を求める。次に、３つ基体４１を用いて測定された長手方向のヤング率を算術平均して、基体４１の長手方向の平均ヤング率を算出する。

　基体４１の厚みは、磁気テープＭＴの全体の厚みの半分以上を占めている。したがって、基体４１の長手方向の平均ヤング率は、外力による磁気テープＭＴの伸縮し難さと相関があり、この値が大きいほど磁気テープＭＴは外力により幅方向に伸縮し難く、この値が小さいほど磁気テープＭＴは外力により幅方向に伸縮しやすい。

　なお、基体４１の長手方向の平均ヤング率は、磁気テープＭＴの長手方向に関する値であるが、磁気テープＭＴの幅方向の伸縮のし難さとも相関がある。つまり、この値が大きいほど磁気テープＭＴは外力により幅方向に伸縮し難く、この値が小さいほど磁気テープＭＴは外力により幅方向に伸縮しやすい。したがって、テンション調整の観点から、基体４１の長手方向の平均ヤング率は、上記のように小さく、７．８ＧＰａ以下であることが有利である。

（スペーシング指標ＳＲＬ）
　ガラス製疑似ヘッド上を摺動させた際のスペーシング指標ＳＲＬの上限値は、３５μｍ以下、好ましくは３３μｍ以下、より好ましくは３１μｍ以下である。スペーシング指標ＳＲＬが３５μｍを超えると、スペーシング増大領域Ｒ_Ｌの影響により電磁変換特性が低下する。

　スペーシング指標ＳＲＬは、磁気テープＭＴがガラス製疑似ヘッドへ進入する際のヘッド入り口側のテープ浮上状態を表す。具体的には、スペーシング指標ＳＲＬは、磁気テープＭＴをガラス製疑似ヘッドに摺動させた際に、磁気テープＭＴが進入するガラス製疑似ヘッドの入り口側に発生するスペーシング増大領域Ｒ_Ｌのピーク半値幅の平均値である。ここで、スペーシング増大領域Ｒ_Ｌとは、磁気テープＭＴが磁気ヘッド５６またはガラス製疑似ヘッドへ進入する際のヘッド入り口側において、磁気ヘッド５６の摺動面の幅方向の中央部に比べてスペーシングが増大する領域のことをいう。スペーシングとは、走行する磁気テープＭＴと磁気ヘッド５６またはガラス製疑似ヘッドとの間の距離のことをいう。

　ガラス製疑似ヘッド上を摺動させた際のスペーシング指標ＳＲＬの下限値は、例えば、０μｍ以上である。

　記録再生素子は、図４に示すように、磁気ヘッド５６の摺動面の幅方向の中央部に設けられ、摺動面の幅方向は、磁気テープＭＴの長手方向、すなわち磁気テープＭＴの走行方向と一致している。磁気テープＭＴが磁気ヘッド５６へ進入する際のヘッド入り口側には、スペーシング増大領域Ｒ_Ｌが発生する。スペーシング増大領域Ｒ_Ｌが広くなると、スペーシング増大領域Ｒ_Ｌが記録再生素子の部分まで達し、電磁変換特性の悪化に繋がることになる。

　将来の記録再生装置では、より高密度の記録再生を行うために、更なる低摩擦化が必要であり、磁気テープＭＴの長手方向における磁気ヘッド５６の幅がさらに狭くなると考えられる。したがって、磁気テープＭＴの長手方向における磁気ヘッド５６のエッジから中央の記録再生素子までの距離が短くなり、上記のスペーシング増大領域Ｒ_Ｌをさらに狭くすることが望まれる。

　スペーシング増大領域Ｒ_Ｌを狭くすることは、すなわちスペーシング指標ＳＲＬを小さくすることは、例えば、基体４１の材料種や厚み、および下地層４２の厚みを含めた磁気テープＭＴの厚み構成の調整、ならびにカレンダー条件の調整により、磁気テープＭＴのスティフネスを低減し規定の範囲内にすることで可能である。これにより、入口側ヘッド近傍部で磁気ヘッド５６の摺動面から浮上した磁気テープＭＴは、その剛性によりそのまま浮上を続けることはなく、再び磁気ヘッド５６の摺動面に磁気テープＭＴが近づくことになると考えられる。

　また、スペーシング増大領域Ｒ_Ｌを狭くすることは、すなわちスペーシング指標ＳＲＬを小さくすることは、基体４１の材料種や厚み、下地層４２の厚み、およびバック層４４の厚を含めた磁気テープＭＴの厚み構成の調整により、磁気テープＭＴのカッピングを規定範囲内に収めることでも可能である。磁気テープＭＴの磁性面が凹となり過ぎないカッピングを有することで、入口側ヘッド近傍部の浮上が抑えられると考えられる。

（スペーシング指標ＳＲＴ）
　ガラス製疑似ヘッド上を摺動させた際のスペーシング指標ＳＲＴの上限値が、６８μｍ以下、好ましくは６６μｍ以下、好ましくは６４μｍ以下である。スペーシング指標ＳＲＴが６８μｍを超えると、スペーシング増大領域Ｒ_Ｔの影響により走行安定性が低下する。

　スペーシング指標ＳＲＴは、磁気テープＭＴの幅方向のエッジ近傍のテープ浮上状態を表す。具体的には、スペーシング指標ＳＲＴは、磁気テープＭＴをガラス製疑似ヘッドに摺動させた際に、磁気テープＭＴの幅方向のエッジ近傍に発生するスペーシング増大領域Ｒ_Ｔのピーク半値幅の平均値である。ここで、スペーシング増大領域Ｒ_Ｔとは、磁気テープＭＴの幅方向のエッジ近傍において、磁気ヘッド５６の摺動面の幅方向の中央部に比べてスペーシングが増大する領域のことをいう。

　ガラス製疑似ヘッド上を摺動させた際のスペーシング指標ＳＲＴの下限値は、例えば、０μｍ以上である。

　磁気テープＭＴの幅方向のエッジ近傍には、磁気テープＭＴの走行を制御するサーボ信号の記録領域（サーボバンドＳＢ）が存在する。スペーシング増大領域Ｒ_Ｔが広くなると、スペーシング増大領域Ｒ_Ｔがサーボ信号の記録領域へ近づくことになり、サーボ信号の読み取り精度を低下させる要因となる。将来の磁気記録再生装置では、より高密度の記録再生を行うために、より高精度でのサーボ信号読み取り能力が要求される。

　その一方で、高密度記録再生を行うためには、磁気テープＭＴの表面の平滑化や磁気テープＭＴの厚みの低減等が必要となるが、これらは何れもサーボ信号の読み取り精度を悪化させることに繋がる。したがって、将来は現在よりも、磁気テープＭＴの幅方向のエッジ近傍の浮上状態がサーボ信号の読み取り精度へ及ぼす影響を低減させなければならず、そのためには、スペーシング増大領域Ｒ_Ｔを狭くすることが望まれる。

　スペーシング増大領域Ｒ_Ｔを狭くすること、すなわちスペーシング指標ＳＲＴを小さくすることは、例えば、基体４１の材料種や厚み、および下地層４２の厚を含めた磁気テープＭＴの厚み構成の調整、ならびにカレンダー条件の調整により、磁気テープＭＴのスティフネスを低減し規定の範囲内にすることで可能である。これにより、磁気テープＭＴの幅方向のエッジ近傍部で浮上した磁気テープＭＴは、その剛性の低さから、磁気テープＭＴのエッジ近傍であってもヘッドへの追従が容易になると考えられる。

　また、スペーシング増大領域Ｒ_Ｔを狭くすること、すなわちスペーシング指標ＳＲＴを小さくすることは、例えば、基体４１の材料種や厚み、下地層４２の厚み、およびバック層の厚みを含めた磁気テープＭＴの厚み構成の調整、ならびに乾燥温度の調整により、磁気テープＭＴのカッピングを規定範囲内に収めることでも可能である。磁気テープＭＴの磁性面が凹にも凸にもなり過ぎないカッピングを有することで、磁気テープＭＴの幅方向のエッジ近傍であっても磁気ヘッド５６への追従が容易になると考えられる。

（スペーシング指標ＳＲＬ、ＳＲＴの算出方法）
　以下、スペーシング指標ＳＲＬ、ＳＲＴの算出方法について説明する。

　まず、図１０を参照して、２Ｄプロファイルを取得するための測定装置８０について説明する。なお、２Ｄプロファイルは、後述するように、スペーシング指標ＳＲＬおよびスペーシング指標ＳＲＴの算出の過程で使用される。

　測定装置８０は、ダミー７０の摺動面７０Ｓと、走行する磁気テープＭＴとの間の距離（スペーシング）を２Ｄプロファイルとして測定可能である。測定装置８０は、光源８１と、ビームスプリッタ８２と、撮像部８３と、増幅部８４と、制御装置８５と、表示部８６と、入力部８７とを備えている。なお、以下の説明において、磁気テープＭＴから切り出されたサンプルをテープサンプルＭＴ１またはテストサンプルＭＴ２という場合がある。

　なお、直方体状のダミー７０を基準とした直交座標系をＸＹＺ座標系により表すこととする。ダミー７０において、長さ方向（Ｙ軸方向）は、磁気テープＭＴの幅方向に対応し、幅方向（Ｘ軸方向）は、磁気テープＭＴの長手方向（長さ方向）および磁気テープＭＴの走行方向に対応する。また、ダミー７０において、高さ方向（Ｚ軸方向）は、磁気テープＭＴの厚さ方向に対応する。

　ダミー７０は、ガラス製疑似ヘッドである。ダミー７０についての詳細な情報は以下のとおである。
　材質：ＢＫ７ガラス
　形状：直方体（幅１ｍｍ×長さ２０ｍｍ×奥行３ｍｍ）
　加工：各稜はシャープエッジとする。
　　　　平行度は１０分以内とする。
　　　　摺動面７０Ｓ（テープ接触面）とその向かい合う面の粗度はＲａ≦０．２ｎｍである。

　ダミー７０の長辺側の側面（幅１ｍｍ×長さ２０ｍｍ）が摺動面７０Ｓとして使用される。ダミー７０の材料としてガラス材料が用いられているのは、光の干渉縞によって摺動面７０Ｓと磁気テープＭＴとの間の接触状態を評価するためである。

　光源８１は、特定の波長領域（例えば、赤）の単色光を出射可能に構成されている。ビームスプリッタ８２は、光源８１からの出射光を透過させつつ、ダミー７０および磁気テープＭＴによって反射された反射光を撮像部８３側に導く。

　撮像部８３は、ダミー７０および磁気テープＭＴの反射光による画像を撮像する。増幅部８４は、撮像部８３により撮像された画像の信号を増幅して制御装置８５へと出力する。制御装置８５は、例えば、制御部、記憶部、通信部等を含む。制御部は、例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）等により構成されており、記憶部に記憶されたプログラムに従い、測定装置８０の各部を統括的に制御する。

　記憶部は、各種のデータや各種のプログラムが記録される不揮発性のメモリと、制御部の作業領域として用いられる揮発性のメモリとを含む。上記各種のプログラムは、光ディスク、半導体メモリ等の可搬性の記録媒体から読み取られてもよいし、ネットワーク上のサーバ装置からダウンロードされてもよい。通信部は、例えば、サーバ装置等の他の装置との間で互いに通信可能に構成されている。

　表示部８６は、例えば、液晶ディスプレイまたはＥＬ（Electro-Luminescence）ディスプレイ等により構成され、制御装置８５からの指示に応じて、撮像部８３により撮像された画像を表示部（ディスプレイ）８６上に表示させる。入力部８７は、例えば、キーボードや接触センサ等であり、ユーザからの各種の指示を入力して制御装置８５へと出力する。

　ここで、光の動きについて説明すると、まず、光源８１から出射された光は、ビームスプリッタ８２を通過して、ダミー７０の背面側（摺動面７０Ｓとは反対側）からダミー７０内に入射される。ダミー７０内に入射された光は、一部が摺動面７０Ｓにより反射される。また、ダミー７０内に入射された光は、他の一部が摺動面７０Ｓを透過して、磁気テープＭＴにより反射される。摺動面７０Ｓおよび磁気テープＭＴにより反射された光は、ビームスプリッタ８２により撮像部８３側に導かれ、撮像部８３により画像が撮像される。

　摺動面７０Ｓと、磁気テープＭＴとの間に距離があると、この距離に応じて摺動面７０Ｓによる反射光と磁気テープＭＴによる反射光とが強めあったり弱め合ったりするので、撮像部８３により撮像される画像において干渉縞となって現れることになる。

　図１１Ａは、測定装置８０におけるダミー７０と磁気テープＭＴとの関係を示す拡大図である。図１１Ｂは、図１１ＡのＸＩＢ－ＸＩＢ線に沿った断面図である。図１２は、測定装置８０により取得された２Ｄプロファイルの一例を示す図である。図１２に示す２Ｄプロファイルの測定位置は、図１１Ａの領域Ｒである。

　図１１Ａおよび図１１Ｂに示すように、測定装置８０は、図１０に示す各部の他に、磁気テープＭＴをガイドするためのガイド８８を備えている。なお、図示は省略しているが、測定装置８０は、磁気テープＭＴを走行させるための駆動装置や、ダミー７０を磁気テープＭＴ側に移動させるためのダミー移動機構等も備えている。

　２つのガイド８８は、ダミー７０の幅方向（Ｘ軸方向：磁気テープＭＴの走行方向）で、ダミー７０を挟み込む位置にダミー７０と所定の距離を開けて配置されている。ダミー７０を測定装置８０へ設置する際には、２つのガイド８８の同位置を結んだ線（図１１Ｂ中の点線）と、ダミー７０表面（図１１Ｂ中の点線）が平行になるように設置する。またダミー７０と２つのガイド８８との間の距離Ｄは同じに設定されている。本測定では、距離Ｄは１９．５ｍｍに設定されている。

　磁気テープＭＴをガイドするための２つのガイド８８としては、本測定ではエアーガイドが使用されている。すなわちガイド８８表面に空いた穴より放出されたエアーが、磁気テープＭＴとガイド８８の間に一定量留まることで、磁気テープＭＴとガイド８８の直接的な接触を妨げ、結果、両者の間の摩擦を著しく低下させることができる。本測定でガイド８８としてエアーガイドを採用した理由は、この低摩擦化を得るためであり、これにより、より正確なスペーシング評価を行うことができるためである。また、ダミー７０の両側の２つのガイド８８にはエアー圧計測装置が備わっており、それらの計測値を使用することで、テープテンションを計測することができる。本測定で使用した後述のテンション値（０．６Ｎ）になるよう、測定装置８０は自動でエアー圧力を制御する。またテンション値とエアー圧の関係が正確となるように、測定前にキャリブレーションを行うものとする。

　ダミー７０は、ダミー移動機構によりダミー７０の厚さ方向（Ｚ軸方向）へ移動可能とされており、磁気テープＭＴ側に突き出すことが可能とされている。なお、ダミー７０が磁気テープＭＴ側に突き出されて磁気テープＭＴ側に侵入する距離を、以降では、侵入距離Ｐと呼ぶ。侵入距離Ｐは、磁気テープＭＴが平坦とされて、この平坦な磁気テープＭＴにダミー７０が接触しているときのダミー７０の位置が基準となる（侵入距離Ｐ＝０）。

　また、ダミー７０の長さ方向（Ｙ軸方向：磁気テープＭＴの幅方向）から見て、ダミー７０の摺動面７０Ｓと、磁気テープＭＴとの間の成す角を、以降では、ラップ角θと呼ぶ（磁気テープＭＴにおいて摺動面７０Ｓに対向する部分ではなく、磁気テープＭＴの走行方向で、摺動面７０Ｓに対向する部分を挟み込む両側の部分）。なお、本測定では、ラップ角θが５°となる様に進入距離Ｐを調整した。また、本測定では、磁気テープＭＴを走行させる速度Ｖは５ｍ／ｓに設定されている。本測定でラップ角θを５°、速度Ｖを５ｍ／ｓに設定する理由は、測定値のばらつきを少なくするためである。

　スペーシング指標ＳＲＬ、ＳＲＴは、上記の測定装置８０を用いて、以下のようにして求められる。
　まず、カートリッジ１０に収容された磁気テープＭＴを巻き出し、磁気テープＭＴとリーダーテープＬＴとの接続部２１から長手方向に１０ｍから２１０ｍの範囲、３５０ｍから５５０ｍの範囲、７００ｍから９００ｍの範囲それぞれで磁気テープＭＴを切り出し、長さ２００ｍのテープサンプルＭＴ１を３つ作製する。

　次に、３つのテープサンプルＭＴ１からスペーシング指標ｓｒｌおよびスペーシング指標ｓｒｔを以下のようにして求める。まず、図１０の測定装置８０の駆動装置にテープサンプルＭＴ１を設置する。駆動装置としては、Mountain Engendering社製 Tape Transport Systemを使用する。
　測定装置８０の測定条件は以下のとおりである。
　光源：ＭＯＲＩＴＥＸ　赤色ＬＥＤ（波長６２０ｎｍ）。
　ＣＣＤカメラ：Ｓｏｎｙ　ＸＣ－７５　水平分解能＝Ｌ：６４０ｐｉｘ×Ｔ：４８０ｐｉｘ、垂直分解能２５６（８ｂｉｔ）
　対物レンズ：ＴＶ－Ｚ－Ｈ（倍率４倍）
　ダミー（ガラス製疑似ヘッド）７０をテープサンプルＭＴ１側へ押込み、ラップ角度を５°とする。
　測定環境：２３℃±２℃、４０％ＲＨ以上６０％ＲＨ以下
　テープサンプルＭＴ１を５ｍ／ｓ速度で走行させる。その際のテープサンプルＭＴ１のテンションは０．６Ｎとする。

　次に、駆動装置によりテープサンプルＭＴ１を走行させ、測定装置８０によりテープサンプルＭＴ１のスペーシング状態を３か所の位置で観察し、２ＤプロファイルＰ１（Ｌ,Ｔ）からＰ３（Ｌ,Ｔ）を取得する（図１２参照）。測定位置は、上側テープエッジ近傍（具体的には図１１Ａ中の領域Ｒ）とする。２ＤプロファイルＰ１（Ｌ,Ｔ）からＰ３（Ｌ,Ｔ）の取得は、走行開始から少なくとも３秒経過し、走行速度が５ｍ／ｓに安定した後で、且つ、１回の走行中に行われるものとする。

　２ＤプロファイルＰ１（Ｌ，Ｔ）における位置Ｌは、テープサンプルＭＴ１の長手方向（Ｘ軸方向）およびテープサンプルＭＴ１の走行方向における位置を示し、２ＤプロファイルＰ１（Ｌ，Ｔ）における位置Ｔは、テープサンプルＭＴ１の幅方向（Ｙ軸方向）における位置を示す。

　次に、２ＤプロファイルＰ１（Ｌ，Ｔ）からＰ３（Ｌ，Ｔ）を、同じＬ，Ｔ位置で算術平均したものを、スペーシング状態の２ＤプロファイルＰａ（Ｌ，Ｔ）とする。次に、スペーシング状態の２ＤプロファイルＰａ（Ｌ，Ｔ）から、テープサンプルＭＴ１の長手方向におけるスペーシング指標ｓｒｌと、テープサンプルＭＴ１の幅方向におけるスペーシング指標ｓｒｔを以下のようにして算出する。

　２ＤプロファイルＰａ（Ｌ，Ｔ）のうち規定範囲Ｒ_１（図１２参照）のプロファイルを、同じ長手方向の位置Ｌ（Ｘ軸方向の位置）同士で平均化し、規定範囲Ｒ_１における平均１ＤプロファイルＰａＬ（Ｌ）を算出する。ここで、規定範囲Ｒ_１は、テープサンプルＭＴ１の幅方向の一方のエッジからテープサンプルＭＴ１の内側に向かって５００μｍ以上６００μｍ以下の範囲である。規定範囲Ｒ_１は、幅１００μｍの細長い矩形状を有し、規定範囲Ｒ_１の長手方向の両端はダミー７０の外側に設定される。

　図１３Ａは、平均１ＤプロファイルＰａＬ（Ｌ）の一例を示すグラフである。平均１ＤプロファイルＰａＬ（Ｌ）中、テープサンプルＭＴ１の走行方向の上流側（図１２に向かって左側）のスペーシング増大領域Ｒ_Ｌだけに着眼し、このスペーシング増大領域Ｒ_Ｌにおける平均１ＤプロファイルＰａＬ（Ｌ）のピーク半値幅を求め、その結果をスペーシング指標ｓｒｌ（μｍ）とする。

　２ＤプロファイルＰａ（Ｌ，Ｔ）のうち規定範囲Ｒ_２（図１２参照）のプロファイルを、同じ幅方向の位置Ｔ（Ｙ軸方向の位置）同士で算術平均し、規定範囲Ｒ_２における平均１ＤプロファイルＰａＴ（Ｔ）を算出する。ここで、規定範囲Ｒ_２は、ダミー７０の摺動面７０Ｓの幅方向の一端（テープサンプルＭＴ１の走行方向の上流側の一端）から、テープサンプルＭＴ１の走行方向に向かって４５０μｍ以上５５０μｍ以下の範囲である。規定範囲Ｒ_２は、ダミー７０の中心線を中心とする、幅１００μｍの細長い矩形状を有し、規定範囲Ｒ_２の長手方向の一端は、テープサンプルＭＴ１の一方のエッジの外側に設定され、他端は、規定範囲Ｒ_１よりもテープサンプルＭＴ１の内側の位置に設定される。

　図１３Ｂは、平均１ＤプロファイルＰａＴ（Ｔ）の一例を示すグラフである。平均１ＤプロファイルＰａＴ（Ｔ）のスペーシング増大領域Ｒ_Ｔだけに着眼し、このスペーシング増大領域Ｒ_Ｔにおける平均１ＤプロファイルＰａＴ（Ｔ）のピーク半値幅を求め、その結果をスペーシング指標ｓｒｔ（μｍ）とする。

　上記のようにして３つのテープサンプルＭＴ１から得られた３つのスペーシング指標ｓｒｌを算術平均し、その算出結果をスペーシング指標ＳＲＬとする。同様に、上記のようにして３つのテープサンプルＭＴ１から得られた３つのスペーシング指標ｓｒｔを算術平均し、その算出結果をスペーシング指標ＳＲＴとする。

（平均スティフネス）
　磁気テープＭＴの平均スティフネス（曲げ剛性）が、好ましくは１．２ｍｇ重／μｍ以下、より好ましくは１．０ｍｇ重／μｍ以下である。平均スティフネスが１．２ｍｇ重／μｍであると、磁気ヘッド５６の入り口側に発生するスペーシング増大領域Ｒ_Ｌの幅を狭くすることができる。また、磁気テープＭＴの幅方向のエッジ近傍に発生するスペーシング増大領域Ｒ_Ｔの幅を狭くすることができる。したがって、電磁変換特性を向上することができる。また、走行安定性を向上することができる。なお、スペーシング増大領域Ｒ_Ｌの幅を狭くすることが、電磁変換特性の向上に寄与し、スペーシング増大領域Ｒ_Ｔの幅を狭くすることが、走行安定性の向上に寄与する。

　磁気テープＭＴのスティフネスは以下のようにして求められる。まず、カートリッジ１０に収容された磁気テープＭＴを巻き出し、磁気テープＭＴとリーダーテープＬＴとの接続部２１から長手方向に１０ｍから２０ｍの範囲、３０ｍから４０ｍの範囲、５０ｍから６０ｍの範囲、７０ｍから８０ｍの範囲、９０ｍから１００ｍの範囲それぞれから磁気テープＭＴを８．０ｍｍの長さに切り出し、５つのサンプルを作製する。

　次に、５つのサンプルの曲げ剛性（flexural rigidity）Ｓ１からＳ５をそれぞれ測定する。曲げ剛性Ｓ１からＳ５の測定は、ＥＣＭＡ－３１９の方法に準拠して行われる。測定は、２３℃±２℃、４０％ＲＨ以上６０％ＲＨ以下の環境下で行われる。次に、測定された５つのサンプルの曲げ剛性Ｓ１からＳ５の算術平均を算出し、その算出結果を平均スティフネスＳとする。

（平均カッピング）
　磁気テープＭＴの平均カッピングＣが、好ましくは－１．５ｍｍ以上＋０．５ｍｍ以下、より好ましくは－０．５ｍｍ以上０ｍｍ以下である。磁気テープＭＴの平均カッピングＣが－１．５ｍｍ以上＋０．５ｍｍ以下であると、磁気ヘッド５６の入り口側に発生するスペーシング増大領域Ｒ_Ｌの幅を狭くすることができる。したがって、電磁変換特性を向上することができる。また、磁気テープＭＴの幅方向のエッジ近傍に発生するスペーシング増大領域Ｒ_Ｔの幅を狭くすることができる。したがって、走行安定性を向上することができる。ここで、カッピングとは、磁気テープＭＴの幅方向における湾曲を意味する。

　磁気テープＭＴの平均カッピングＣは以下のようにして求められる。
　まず、カートリッジ１０に収容された磁気テープＭＴを巻き出し、磁気テープＭＴとリーダーテープＬＴとの接続部２１から長手方向に１０ｍから２０ｍの範囲、３０ｍから４０ｍの範囲、５０ｍから６０ｍの範囲、７０ｍから８０ｍの範囲、９０ｍから１００ｍの範囲それぞれから磁気テープＭＴを１ｍの長さに切り出し、５つのサンプルを作製する。

　５つのテストサンプルのうちの１つのカッピングＣ_１を以下のようにして求める。まず、磁気テープＭＴが巻き出された時点を基準として１時間経過後直ぐに、長さ１ｍのサンプルの中央３００ｍｍを切り出し、テストサンプルＭＴ２とする。次に、図１４Ａ、図１４Ｂに示すように、長方形状の平滑な載置面９１Ｓ（載置面９１Ｓのサイズ：１００ｍｍ×２００ｍｍ）を有する金属製台９１上にテストサンプルＭＴ２を載置する。この際、以下の条件が満たされるように、テストサンプルＭＴ２は載置面９１Ｓ上に載置される。
　・目視によりテストサンプルＭＴ２の凹面が載置面９１Ｓ側（凸面ＣＶが上側）となる。
　・金属製台９１の載置面９１Ｓの長辺とテストサンプルＭＴ２の長辺とが平行となり、かつ、テストサンプルＭＴ２が金属製台９１の載置面９１Ｓの幅方向の中央に位置する。
　・金属製台９１の載置面９１Ｓの両短辺からテストサンプルＭＴ２が約５０ｍｍ（約５ｃｍ）ずつ自重で垂れ下がる。但し、テストサンプルＭＴ２の長手方向の両端は、床等に着かないようにする。

　次に、ＬＡＳＥＲ変位計によりテストサンプルＭＴ２の凸面ＣＶの高さＨｃを測定する。テストサンプルＭＴ２の幅方向の両エッジが測定位置において金属製台９１の載置面９１Ｓに触れるように、測定前にテストサンプルＭＴ２の載せ方が微調整される。測定位置は、テストサンプルＭＴ２の載置面９１Ｓ上に位置する部分（長さ２００ｍｍの部分）のうちの、中央１００ｍｍのエリアから選ばれる。測定は、２３℃±２℃、４０％ＲＨ以上６０％ＲＨ以下の環境下で行われる。

　テストサンプルＭＴ２の凸面ＣＶの高さＨｃは、金属製台９１の載置面９１Ｓを基準とする相対高さであり、具体的には以下の式により定義される。
　Ｈｃ＝Ｈｔ－１／２×（Ｈａ＋Ｈｂ）
　但し、式中、Ｈａ、Ｈｂ、Ｈｔは以下のとおりである。
　Ｈａ：テストサンプルＭＴ２の幅方向の一端が載置面９１Ｓに触れる箇所の高さ
　Ｈｂ：テストサンプルＭＴ２の幅方向の他端が載置面９１Ｓに触れる箇所の高さ
　Ｈｔ：テストサンプルＭＴ２の凸面ＣＶの頂点の高さ
　なお、Ｈａ、Ｈｂ、Ｈｔの測定基準位置は、載置面９１Ｓより低い位置から任意に選ばれる。

　次に、上記のテストサンプルＭＴ２の磁性面（磁性層４３側の面）が凸面である場合には、算出された凸面ＣＶの高さＨｃにマイナスの符号“－”を付けて、カッピング値Ｃ_１－１とする。すなわち、Ｃ_１－１＝－１×Ｈｃとの演算を行い、結果、Ｃ_１－１＜０となる。一方、上記のテストサンプルＭＴ２のバック面（バック層４４側の面）が凸面ＣＶである場合には、算出された凸面の高さＨｃをカッピング値Ｃ_１－１とする。すなわち、Ｃ_１－１＝Ｈｃとの演算を行い、結果、Ｃ_１－１＞０となる。

　上記測定を５か所で行い、カッピング値Ｃ_１－１からＣ_１－5を算出する。この際に、４か所の測定は、テストサンプルＭＴ２の長手方向に２５ｍｍの間隔で行われる。算出されたＣ_１－１からＣ_１－5の算術平均を計算し、その結果をカッピングＣ_１とする。

　次に、残りの４つのサンプルのカッピングＣ_２からＣ_５を、上記カッピングＣ_１を求めたのと同様の手順で求める。上記のようにして求めたＣ_１からＣ_５の算術平均を算出し、その結果を平均カッピングＣとする。

［４　磁気テープの製造方法］
　次に、上記の構成を有する磁気テープＭＴの製造方法の一例について説明する。

（塗料の調製工程）
　まず、非磁性粉および結着剤等を溶剤に混練、分散させることにより、下地層形成用塗料を調製する。次に、磁性粉および結着剤等を溶剤に混練、分散させることにより、磁性層形成用塗料を調製する。磁性層形成用塗料および下地層形成用塗料の調製には、例えば、以下の溶剤、分散装置および混練装置を用いることができる。

　上記の塗料調製に用いられる溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、メタノール、エタノール、プロパノール等のアルコール系溶媒、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸プロピル、乳酸エチル、エチレングリコールアセテート等のエステル系溶媒、ジエチレングリコールジメチルエーテル、２－エトキシエタノール、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、メチレンクロライド、エチレンクロライド、四塩化炭素、クロロホルム、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素系溶媒等が挙げられる。これらは単独で用いてもよく、適宜混合して用いてもよい。

　上記の塗料調製に用いられる混練装置としては、例えば、連続二軸混練機、多段階で希釈可能な連続二軸混練機、ニーダー、加圧ニーダー、ロールニーダー等の混練装置を用いることができるが、特にこれらの装置に限定されるものではない。また、上記の塗料調製に用いられる分散装置としては、例えば、ロールミル、ボールミル、横型サンドミル、縦型サンドミル、スパイクミル、ピンミル、タワーミル、パールミル（例えばアイリッヒ社製「ＤＣＰミル」等）、ホモジナイザー、超音波分散機等の分散装置を用いることができるが、特にこれらの装置に限定されるものではない。

（塗布工程）
　次に、下地層形成用塗料を基体４１の一方の主面に塗布して乾燥させることにより、下地層４２を形成する。続いて、この下地層４２上に磁性層形成用塗料を塗布して乾燥させることにより、磁性層４３を下地層４２上に形成する。なお、乾燥の際に、例えばソレノイドコイルにより、磁性粉を基体４１の厚み方向に磁場配向させてもよい。また、乾燥の際に、例えばソレノイドコイルにより、磁性粉を基体４１の走行方向（長手方向）に磁場配向させたのちに、基体４１の厚み方向に磁場配向させるようにしてもよい。このように長手方向に磁性粉を一旦配向させる処理を施すことで、磁性粉の垂直配向度（すなわち角形比Ｓ１）をさらに向上することができる。磁性層４３の形成後、基体４１の他方の主面にバック層４４を形成する。これにより、磁気テープＭＴが得られる。

　角形比Ｓ１、Ｓ２は、例えば、磁性層形成用塗料の塗膜に印加される磁場の強度、磁性層形成用塗料中における固形分の濃度、磁性層形成用塗料の塗膜の乾燥条件（乾燥温度および乾燥時間）を調整することにより所望の値に設定される。塗膜に印加される磁場の強度は、磁性粉の保磁力の２倍以上３倍以下であることが好ましい。角形比Ｓ１をさらに高めるためには（すなわち角形比Ｓ２をさらに低めるためには）、磁性層形成用塗料中における磁性粉の分散状態を向上させることが好ましい。また、角形比Ｓ１をさらに高めるためには、磁性粉を磁場配向させるための配向装置に磁性層形成用塗料が入る前の段階で、磁性粉を磁化させておくことも有効である。なお、上記の角形比Ｓ１、Ｓ２の調整方法は単独で使用されてもよいし、２以上組み合わされて使用されてもよい。

（硬化工程）
　磁気テープＭＴをロール状に巻き取ったのち、この状態で磁気テープＭＴに加熱処理を行うことにより、下地層４２および磁性層４３を硬化させる。

（カレンダー工程）
　次に、得られた磁気テープＭＴにカレンダー処理を行い、磁性層４３の表面を平滑化する。

（裁断工程）
　次に、磁気テープＭＴを所定の幅（例えば１／２インチ幅）に裁断する。以上により、磁気テープＭＴが得られる。

（消磁工程およびサーボパターンの書き込み工程）
　次に、必用に応じて、磁気テープＭＴの消磁を行ったのち、磁気テープＭＴにサーボパターンを書き込んでもよい。

［５　作用効果］
　以上説明したように、一実施形態に係る磁気テープＭＴでは、磁気テープＭＴをガラス製疑似ヘッドに摺動させた際のスペーシング指標ＳＲＬが、３５μｍ以下であり、かつ、磁気テープＭＴをガラス製疑似ヘッドに摺動させた際のスペーシング指標ＳＲＴが、６８μｍ以下である。これにより、スペーシング増大領域Ｒ_Ｌおよびスペーシング増大領域Ｒ_Ｔの幅を低減することができる。したがって、優れた電磁変換特性および走行安定性を得ることができる。

［６　変形例］
　上記の一実施形態では、磁気テープカートリッジが、１リールタイプのカートリッジ１０である場合について説明したが、２リールタイプのカートリッジであってもよい。

　図１５は、２リールタイプのカートリッジ１２１の構成の一例を示す分解斜視図である。カートリッジ１２１は、合成樹脂製の上ハーフ１０２と、上ハーフ１０２の上面に開口された窓部１０２ａに嵌合されて固着される透明な窓部材１２３と、上ハーフ１０２の内側に固着されリール１０６、１０７の浮き上がりを防止するリールホルダー１２２と、上ハーフ１０２に対応する下ハーフ１０５と、上ハーフ１０２と下ハーフ１０５を組み合わせてできる空間に収納されるリール１０６、１０７と、リール１０６、１０７に巻かれた磁気テープＭＴと、上ハーフ１０２と下ハーフ１０５を組み合わせてできるフロント側開口部を閉蓋するフロントリッド１０９およびこのフロント側開口部に露出した磁気テープＭＴを保護するバックリッド１０９Ａとを備える。

　リール１０６、１０７は、磁気テープＭＴを巻くためのものである。リール１０６は、磁気テープＭＴが巻かれる円筒状のハブ部１０６ａを中央部に有する下フランジ１０６ｂと、下フランジ１０６ｂとほぼ同じ大きさの上フランジ１０６ｃと、ハブ部１０６ａと上フランジ１０６ｃの間に挟み込まれたリールプレート１１１とを備える。リール１０７はリール１０６と同様の構成を有している。

　窓部材１２３には、リール１０６、１０７に対応した位置に、これらリールの浮き上がりを防止するリール保持手段であるリールホルダー１２２を組み付けるための取付孔１２３ａが各々設けられている。磁気テープＭＴは、一実施形態における磁気テープＭＴと同様である。

　以下、実施例により本開示を具体的に説明するが、本開示はこれらの実施例のみに限定されるものではない。

　以下の実施例および比較例において、磁性粉の平均アスペクト比、磁性粉の平均粒子体積、磁性層の平均厚み、下地層の平均厚み、基体（ベースフィルム）の平均厚み、バック層の平均厚み、磁気テープの平均厚み、磁気テープの垂直方向における磁性層の角形比Ｓ１、磁気テープの長手方向における磁性層の角形比Ｓ２、および磁性層の表面の算術平均粗さＲａは、上記の一実施形態にて説明した測定方法により求められた値である。

［実施例１］
（磁性層形成用塗料の調製工程）
　磁性層形成用塗料を以下のようにして調製した。まず、下記配合の第１組成物をエクストルーダで混練した。次に、ディスパーを備えた攪拌タンクに、混練した第１組成物と、下記配合の第２組成物を加えて予備混合を行った。続いて、さらにサンドミル混合を行い、フィルター処理を行い、磁性層形成用塗料を調製した。

（第１組成物）
バリウムフェライト（ＢａＦｅ_１２Ｏ_１９）磁性粉（六角板状、平均アスペクト比３．２、平均粒子体積１６００ｎｍ^３）：１００質量部
塩化ビニル系樹脂がシクロヘキサノンに分散された樹脂溶液（樹脂溶液：塩化ビニル系樹脂の配合量３０質量％、シクロヘキサノンの配合量７０質量％）：６０質量部
（塩化ビニル系樹脂：重合度３００、数平均分子量Ｍｎ＝１００００、極性基としてＯＳＯ_３Ｋ＝０．０７ｍｍｏｌ／ｇ、２級ＯＨ＝０．３ｍｍｏｌ／ｇを含有する。）
中粒径の酸化アルミニウム粉末：５質量部
（α－Ａｌ_２Ｏ_３、平均粒径（Ｄ５０）０．０９μｍ）

（第２組成物）
塩化ビニル系樹脂がシクロヘキサノンに分散された樹脂溶液（樹脂溶液：塩化ビニル系樹脂の配合量３０質量％、シクロヘキサノンの配合量７０質量％）：３.６質量部
（塩化ビニル系樹脂：重合度３００、数平均分子量Ｍｎ＝１００００、極性基としてＯＳＯ_３Ｋ＝０．０７ｍｍｏｌ／ｇ、２級ＯＨ＝０．３ｍｍｏｌ／ｇを含有する。）
中粒径の酸化アルミニウム粉末：５質量部
（α－Ａｌ_２Ｏ_３、平均粒径（Ｄ５０）０．０９μｍ）
ｎ－ブチルステアレート：２質量部
メチルエチルケトン：１２１．３質量部
トルエン：１２１．３質量部
シクロヘキサノン：６０．７質量部
カーボンブラック：２質量部
（東海カーボン社製、商品名：シーストＴＡ）

　最後に、上記のようにして調製した磁性層形成用塗料に、硬化剤としてポリイソシアネート（商品名：コロネートＬ、東ソー株式会社製）：４質量部と、潤滑剤としてステアリン酸：２質量部とを添加した。

（下地層形成用塗料の調製工程）
　下地層形成用塗料を以下のようにして調製した。まず、下記配合の第３組成物をエクストルーダで混練した。次に、ディスパーを備えた攪拌タンクに、混練した第３組成物と、下記配合の第４組成物を加えて予備混合を行った。続いて、さらにサンドミル混合を行い、フィルター処理を行い、下地層形成用塗料を調製した。

（第３組成物）
中粒径の針状酸化鉄粉末（非磁性粉）：１００質量部
（α－Ｆｅ_２Ｏ_３、平均長軸長０．０８μｍ）
塩化ビニル系樹脂：５５．６質量部
（樹脂溶液：樹脂分３０質量％、シクロヘキサノン７０質量％）
カーボンブラック：１０質量部
（平均粒径２０ｎｍ）

（第４組成物）
ポリウレタン系樹脂ＵＲ８２００（東洋紡績製）：１８．５質量部
ｎ－ブチルステアレート：２質量部
メチルエチルケトン：１０８．２質量部
トルエン：１０８．２質量部
シクロヘキサノン：１８．５質量部

　最後に、上記のようにして調製した下地層形成用塗料に、硬化剤としてポリイソシアネート（商品名：コロネートＬ、東ソー株式会社製）：４質量部と、潤滑剤としてステアリン酸：２質量部とを添加した。

（バック層形成用塗料の調製工程）
　バック層形成用塗料を以下のようにして調製した。下記原料を、ディスパーを備えた攪拌タンクで混合を行い、フィルター処理を行うことで、バック層形成用塗料を調製した。
カーボンブラックの粉末（平均粒径（Ｄ５０）２０ｎｍ）：１００質量部
ポリエステルポリウレタン：１００質量部
（日本ポリウレタン社製、商品名：Ｎ－２３０４）
メチルエチルケトン：５００質量部
トルエン：４００質量部
シクロヘキサノン：１００質量部

（塗布工程）
　上記のようにして調製した磁性層形成用塗料および下地層形成用塗料を用いて、非磁性支持体（基体）である、平均厚み４．０μｍ、長尺のＰＥＮフィルムの一方の主面上に下地層および磁性層を以下のようにして形成した。

　まず、ＰＥＮフィルムの一方の主面上に下地層形成用塗料を塗布したのち、加熱すると共に塗膜に風を当てながら、塗膜を乾燥させることにより、カレンダー処理後に平均厚みが０．８２μｍとなるように下地層を形成した。

　次に、下地層上に磁性層形成用塗料を塗布したのち、加熱すると共に塗膜に風を当てながら、塗膜を乾燥させることにより、カレンダー処理後に平均厚みが８０ｎｍとなるように磁性層を形成した。また、磁性層形成用塗料の乾燥の際に、ネオジム磁石により、磁性粉がＰＥＮフィルムの厚み方向に磁場配向された。これにより、磁気テープの垂直方向（厚み方向）における角形比Ｓ１が６５％に設定され、磁気テープの長手方向における角形比Ｓ２が３８％に設定された。

　続いて、ＰＥＮフィルムの他方の主面上にバック層形成用塗料を塗布したのち、加熱すると共に塗膜に風を当てながら、塗膜を乾燥させることにより、カレンダー処理後に平均厚みが０．３μｍとなるようにバック層を形成した。この最終乾燥工程では、直前に塗布されたバック層塗膜のみならず、下地層塗膜と磁性層塗膜の両層の乾燥も同時に促進される。その際の乾燥温度は、１００℃に設定された。以下では、乾燥温度１００℃を乾燥の基準温度という。これにより、磁気テープが得られた。

（硬化工程）
　磁気テープをロール状に巻き取ったのち、この状態で磁気テープに６０℃、２４時間の加熱処理を行うことにより、下地層および磁性層を硬化させた。

（カレンダー工程）
　カレンダー処理を行い、磁性層の表面を平滑化した。この際、カレンダー処理の温度を温度１２５℃とし、かつ、カレンダー処理の圧力を２５５ｋｇ／ｃｍとした。以下では、カレンダー処理の温度１２５℃をカレンダー処理の基準温度という。また、カレンダー処理の圧力２５５ｋｇ／ｃｍをカレンダー処理の基準圧力という。

（裁断工程）
　上記のようにして得られた磁気テープを１／２インチ（１２．６５ｍｍ）幅に裁断した。これにより、平均厚み５．２μｍの磁気テープが得られた。

（サーボパターンの書き込み工程）
　磁気テープの消磁を行ったのち、サーボライタを用いて磁気テープにサーボパターンを書き込むことにより、５本のサーボバンドを形成した。サーボパターンは、ＬＴＯ－８規格に準拠するものとされた。

［実施例２］
　ＰＥＮフィルムの平均厚み、カレンダー処理後における下地層の平均厚み、およびカレンダー処理後における磁性層の平均厚みを表１に示す値に設定した。上記以外のことは実施例１と同様にして、表１に示す平均厚みの磁気テープを得た。

［実施例３］
　非磁性支持体としてＰＥＴフィルムを用いた。上記以外のことは実施例１と同様にして、表１に示す平均厚みの磁気テープを得た。

［実施例４から７］
　実施例４から７では、ＰＥＮフィルムの平均厚み、カレンダー処理後における下地層の平均厚み、およびカレンダー処理後における磁性層の平均厚みを表１に示す値に設定した。実施例４から７では、カレンダー処理の温度をカレンダー処理の基準温度よりも高温に設定した。また、実施例６では、カレンダー処理の圧力をカレンダー処理の基準圧力よりも高圧に設定した。上記以外のことは実施例１と同様にして、表１に示す平均厚みの磁気テープを得た。

［実施例８、９］
　実施例８、９では、非磁性支持体としてＰＥＴフィルムを用いた。実施例８、９では、ＰＥＴフィルムの平均厚み、カレンダー処理後における下地層の平均厚み、およびカレンダー処理後における磁性層の平均厚みを表１に示す値に設定した。実施例８、９では、カレンダー処理の温度をカレンダー処理の基準温度よりも高温に設定した。また、実施例８では、カレンダー処理の圧力をカレンダー処理の基準圧力よりも高圧に設定した。また、実施例８、９では、最終乾燥温度を乾燥の基準温度よりも高温に設定した。上記以外のことは実施例１と同様にして、表１に示す平均厚みの磁気テープを得た。

［実施例１０、１１］
　実施例１０、１１では、非磁性支持体としてＰＥＴフィルムを用いた。実施例１０、１１では、ＰＥＴフィルムの平均厚み、カレンダー処理後における下地層の平均厚み、カレンダー処理後における磁性層の平均厚みを表１に示す値に設定した。実施例１０、１１では、カレンダー処理の温度をカレンダー処理の基準温度よりも高温に設定した。上記以外のことは実施例１と同様にして、表１に示す平均厚みの磁気テープを得た。

［比較例１］
　ＰＥＮフィルムの平均厚み、カレンダー処理後における下地層の平均厚み、およびカレンダー処理後における磁性層の平均厚みを表１に示す値に設定した。カレンダー処理の温度をカレンダー処理の基準温度よりも低温に設定した。また、最終乾燥温度を乾燥の基準温度よりも高温に設定した。上記以外のことは実施例１と同様にして、表１に示す平均厚みの磁気テープを得た。

［比較例２］
　カレンダー処理後における下地層の平均厚み、およびカレンダー処理後における磁性層の平均厚みを表１に示す値に設定した。カレンダー処理の温度をカレンダー処理の基準温度よりも低温に設定した。上記以外のことは実施例１と同様にして、表１に示す平均厚みの磁気テープを得た。

［比較例３］
　非磁性支持体としてＰＥＴフィルムを用いた。ＰＥＴフィルムの平均厚み、カレンダー処理後における下地層の平均厚み、およびカレンダー処理後における磁性層の平均厚みを表１に示す値に設定した。カレンダー処理の温度をカレンダー処理の基準温度よりも低温に設定した。上記以外のことは実施例１と同様にして、表１に示す平均厚みの磁気テープを得た。

［比較例４］
　非磁性支持体としてＰＡフィルムを用いた。ＰＡフィルムの平均厚み、カレンダー処理後における下地層の平均厚み、およびカレンダー処理後における磁性層の平均厚みを表１に示す値に設定した。カレンダー処理の温度をカレンダー処理の基準温度よりも低温に設定した。上記以外のことは実施例１と同様にして、表１に示す平均厚みの磁気テープを得た。

［比較例５、６］
　ＰＥＮフィルムの平均厚み、カレンダー処理後における下地層の平均厚み、カレンダー処理後における磁性層の平均厚み、およびカレンダー処理後におけるバック層の平均厚みを表１に示す値に設定した。カレンダー処理の温度を基準温度よりも高温に設定した。上記以外のことは実施例１と同様にして、表１に示す平均厚みの磁気テープを得た。

［比較例７］
　ＰＥＮフィルムの平均厚み、カレンダー処理後における下地層の平均厚み、およびカレンダー処理後における磁性層の平均厚みを表１に示す値に設定した。カレンダー処理の温度を基準温度よりも高温に設定した。上記以外のことは実施例１と同様にして、表１に示す平均厚みの磁気テープを得た。

［評価］
　上記のようにして得られた磁気テープについて、以下の評価を行った。

（平均スティフネス）
　上記の一実施形態にて説明した方法により、平均スティフネスを求めた。

（平均カッピング）
　上記の一実施形態にて説明した方法により、平均カッピングを求めた。

（スペーシング状態）
　上記の一実施形態にて説明した方法により、スペーシング指標ＳＲＬおよびスペーシング指標ＳＲＴを求めた。

（電磁変換特性）
　まず、ループテスター（Microphysics社製）を用いて、磁気テープの再生信号を取得した。以下に、再生信号の取得条件について示す。
　ｈｅａｄ：ＧＭＲ
　ｈｅａｄｓｐｅｅｄ：１．８５ｍ／ｓ
　ｓｉｇｎａｌ：単一記録周波数（１０ＭＨｚ）
　記録電流：最適記録電流

　次に、再生信号をスペクトラムアナライザ（spectrum analyzer）によりスパン（SPAN）０から２０ＭＨｚ（resolution band width=100kHz, VBW = 30kHz）で取り込んだ。次に、取り込んだスペクトルのピークを信号量Ｓとすると共に、ピークを除いたｆｌｏｏｒ　ｎｏｉｓｅを３ＭＨｚから２０ＭＨｚまで積算して雑音量Ｎとし、信号量Ｓと雑音量Ｎの比Ｓ／ＮをＳＮＲ（Signal-to-Noise Ratio）として求めた。次に、求めたＳＮＲを、リファレンスメディアとしての比較例３のＳＮＲを基準（０ｄＢ）とした相対値（ｄＢ）に変換した。

（走行安定性）
　まず、磁気テープをＬＴＯカートリッジに組み込んだ。次に、シリアルケーブル通信を介してＰＣと接続されたＬＴＯドライブにＬＴＯカートリッジを装填し、磁気テープを走行させた。次に、磁気テープ上に書かれた５つのサーボバンド（サーボバンド０、１、２、３、４）のうち、磁気テープの幅方向の一方のエッジに最も近いサーボバンド、すなわちサーボバンド０を使用し、ドライブヘッドがサーボトラックを追従するようにドライブヘッドのアクチュエーターを作動させ、磁気テープの走行を行った。その際、得られたサーボ信号から、サーボパターンの非直線性を示す統計値σ_ＳＷ－０を計測した。統計値σ_ＳＷ－０の計測方法としては、特許第６６２４３３２号公報に記載の方法を用いた。

　次に、磁気テープの幅方向の他方のエッジに最も近いサーボバンド、すなわちサーボバンド４を使用して、σ_ＳＷ－４を計測した。

　以上のデータの算術平均をとり、得られた値を同サンプルにおけるσ_ＳＷ（ｎｍ）とした。比較例３のσ_ＳＷを１００％とし、そこからの相対値を相対σ_ＳＷ（％）として表記した。σ_ＳＷの値が小さい程、走行安定性が高く、走行安定性の観点から好ましい。

　表１は、磁気テープの構成、プロセス条件および評価結果を示す。図１６は、スティフネスおよびカッピングの良好な範囲を示すグラフである。

　表１から以下のことがわかる。
　磁性層の表面の算術平均粗さＲａの平均値が１．３ｎｍ以下である磁気テープにおいて、磁気テープをガラス製疑似ヘッドに摺動させた際のスペーシング指標ＳＲＬが、３５μｍ以下であり、かつ、磁気テープをガラス製疑似ヘッドに摺動させた際のスペーシング指標ＳＲＴが、６８μｍ以下であると、優れた電磁変換特性および走行安定性を得ることができる。

　以上、本開示の実施形態および変形例について具体的に説明したが、本開示は、上記の実施形態および変形例に限定されるものではなく、本開示の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。例えば、上記の実施形態および変形例において挙げた構成、方法、工程、形状、材料および数値等はあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料および数値等を用いてもよい。上記の実施形態および変形例の構成、方法、工程、形状、材料および数値等は、本開示の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。

　上記の実施形態および変形例にて例示した化合物等の化学式は代表的なものであって、同じ化合物の一般名称であれば、記載された価数等に限定されない。上記の実施形態および変形例で段階的に記載されている数値範囲において、ある段階の数値範囲の上限値または下限値は、他の段階の数値範囲の上限値または下限値に置き換えてもよい。上記の実施形態および変形例で例示した材料は、特に断らない限り、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。

　また、本開示は以下の構成を採用することもできる。
（１）
　テープ状の磁気記録媒体であって、
　ポリエステル類を含む基体と、
　前記基体上に設けられた下地層と、
　前記下地層上に設けられ、磁性粉を含む磁性層と
　を備え、
　前記磁気記録媒体は、潤滑剤を含み、
　前記磁性層の表面の算術平均粗さＲａの平均値は、１．３ｎｍ以下であり、
　前記磁気記録媒体をガラス製疑似ヘッドに摺動させた際に、前記磁気記録媒体が進入する前記ガラス製疑似ヘッドの入り口側に発生するスペーシング増大領域のピーク半値幅の平均値をスペーシング指標ＳＲＬとし、
　前記磁気記録媒体を前記ガラス製疑似ヘッドに摺動させた際に、前記磁気記録媒体の幅方向のエッジ近傍に発生するスペーシング増大領域のピーク半値幅の平均値をスペーシング指標ＳＲＴとした場合、
　前記スペーシング指標ＳＲＬが、３５μｍ以下であり、かつ、前記スペーシング指標ＳＲＴが、６８μｍ以下である磁気記録媒体。
（２）
　前記磁気記録媒体の平均厚みＴｔは、５．１μｍ以下であり、
　前記基体の平均厚みＴ_ｓに対する前記磁気記録媒体の平均厚みＴ_ｔの比率（Ｔ_ｔ／Ｔ_ｓ）が、１．２以上である（１）に記載の磁気記録媒体。
（３）
　前記磁気記録媒体の平均スティフネスが、１．２ｍｇ重／μｍ以下であり、かつ、前記磁気記録媒体の平均カッピングが、－１．５ｍｍ以上＋０．５ｍｍ以下である（１）または（２）に記載の磁気記録媒体。
（４）
　前記磁気記録媒体の平均スティフネスが、１．０ｍｇ重／μｍ以下である（３）に記載の磁気記録媒体。
（５）
　前記磁気記録媒体の平均カッピングが、－０．５ｍｍ以上０ｍｍ以下である（３）または（４）に記載の磁気記録媒体。
（６）
　前記磁気記録媒体の記録および再生には、磁気ヘッドとしてフラット型ヘッドが用いられる（１）から（５）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（７）
　前記磁気記録媒体が、信号を記録する際の線記録密度の最大値が５５０ＫＦＣＩ以上である記録再生装置で使用される（１）から（６）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（８）
　前記磁性粉は、六方晶フェライトを含む（１）から（７）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（９）
　前記磁性粉は、ε酸化鉄またはＣｏ含有スピネルフェライトを含む（１）から（７）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（１０）
　前記磁性粉の平均粒子体積が、２５００ｎｍ^３以下である（１）から（９）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（１１）
　前記磁性層の平均厚みは、８０ｎｍ以下である（１）から（１０）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（１２）
　前記下地層の平均厚みは、０．９０μｍ以下である（１）から（１１）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（１３）
　前記基体の平均厚みは、４．４μｍ以下である（１）から（１２）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（１４）
　前記基体は、ポリエチレンテレフタレートおよびポリエチレンナフタレートからなる群より選ばれた少なくとも１種を含む（１）から（１３）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（１５）
　前記下地層とは反対側に設けられたバック層をさらに備え、
　前記バック層の平均厚みは、０．３μｍ以下である（１）から（１４）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（１６）
　（１）から（１５）のいずれかに記載された磁気記録媒体を備えるカートリッジ。

　１０　　カートリッジ
　１１　　カートリッジメモリ
　３１　　アンテナコイル
　３２　　整流・電源回路
　３３　　クロック回路
　３４　　検波・変調回路
　３５　　コントローラ
　３６　　メモリ
　３６Ａ　　第１の記憶領域
　３６Ｂ　　第２の記憶領域
　４１　　基体
　４２　　下地層
　４３　　磁性層
　４４　　バック層
　５６　　磁気ヘッド
　５６Ａ、５６Ｂ　　サーボリードヘッド
　１１０　　サーボフレーム
　１１１　　サーボサブフレーム１
　１１１Ａ　　Ａバースト
　１１１Ｂ　　Ｂバースト
　１１２　　サーボサブフレーム２
　１１２Ｃ　　Ｃバースト
　１１２Ｄ　　Ｄバースト
　１１３　　サーボストライプ
　ＭＴ　　磁気テープ
　ＳＢ　　サーボバンド
　ＤＢ　　データバインド

Claims

　テープ状の磁気記録媒体であって、
　ポリエステル類を含む基体と、
　前記基体上に設けられた下地層と、
　前記下地層上に設けられ、磁性粉を含む磁性層と
　を備え、
　前記磁気記録媒体は、潤滑剤を含み、
　前記磁性層の表面の算術平均粗さＲａの平均値は、１．３ｎｍ以下であり、
　前記磁気記録媒体をガラス製疑似ヘッドに摺動させた際に、前記磁気記録媒体が進入する前記ガラス製疑似ヘッドの入り口側に発生するスペーシング増大領域のピーク半値幅の平均値をスペーシング指標ＳＲＬとし、
　前記磁気記録媒体を前記ガラス製疑似ヘッドに摺動させた際に、前記磁気記録媒体の幅方向のエッジ近傍に発生するスペーシング増大領域のピーク半値幅の平均値をスペーシング指標ＳＲＴとした場合、
　前記スペーシング指標ＳＲＬが、３５μｍ以下であり、かつ、前記スペーシング指標ＳＲＴが、６８μｍ以下である磁気記録媒体。
　前記磁気記録媒体の平均厚みＴｔは、５．１μｍ以下であり、
　前記基体の平均厚みＴ_ｓに対する前記磁気記録媒体の平均厚みＴ_ｔの比率（Ｔ_ｔ／Ｔ_ｓ）が、１．２以上である請求項１に記載の磁気記録媒体。
　前記磁気記録媒体の平均スティフネスが、１．２ｍｇ重／μｍ以下であり、かつ、前記磁気記録媒体の平均カッピングが、－１．５ｍｍ以上＋０．５ｍｍ以下である請求項１に記載の磁気記録媒体。
　前記磁気記録媒体の平均スティフネスが、１．０ｍｇ重／μｍ以下である請求項３に記載の磁気記録媒体。
　前記磁気記録媒体の平均カッピングが、－０．５ｍｍ以上０ｍｍ以下である請求項３に記載の磁気記録媒体。
　前記磁気記録媒体の記録および再生には、磁気ヘッドとしてフラット型ヘッドが用いられる請求項１に記載の磁気記録媒体。
　前記磁気記録媒体が、信号を記録する際の線記録密度の最大値が５５０ＫＦＣＩ以上である記録再生装置で使用される請求項１に記載の磁気記録媒体。
　前記磁性粉は、六方晶フェライトを含む請求項１に記載の磁気記録媒体。
　前記磁性粉は、ε酸化鉄またはＣｏ含有スピネルフェライトを含む請求項１に記載の磁気記録媒体。
　前記磁性粉の平均粒子体積が、２５００ｎｍ^３以下である請求項１に記載の磁気記録媒体。
　前記磁性層の平均厚みは、８０ｎｍ以下である請求項１に記載の磁気記録媒体。
　前記下地層の平均厚みは、０．９０μｍ以下である請求項１に記載の磁気記録媒体。
　前記基体の平均厚みは、４．４μｍ以下である請求項１に記載の磁気記録媒体。
　前記基体は、ポリエチレンテレフタレートおよびポリエチレンナフタレートからなる群より選ばれた少なくとも１種を含む請求項１に記載の磁気記録媒体。
　前記下地層とは反対側に設けられたバック層をさらに備え、
　前記バック層の平均厚みは、０．３μｍ以下である請求項１に記載の磁気記録媒体。
　請求項１に記載された磁気記録媒体を備えるカートリッジ。