JP6747570B1 - 磁気記録媒体、カートリッジおよび記録再生装置 - Google Patents

Abstract

【課題】良好な電磁変換特性を得ることができると共に、繰り返し記録または再生を行った後にも、動摩擦係数の増加を抑制することができる磁気記録媒体を提供する。【解決手段】磁気記録媒体は、テープ状の磁気記録媒体であって、基体と、基体上に設けられた下地層と、下地層上に設けられ、磁性粉を含む磁性層とを備える。下地層および磁性層は、潤滑剤を含む。磁気記録媒体の垂直方向における磁性層の角形比は、６５％以上であり、磁気記録媒体の平均厚みは、５．６μｍ以下であり、磁性層の表面には、磁性層の平均厚みの２０％以上に相当する深さを有する複数の凹部が設けられ、且つ、磁性層の表面の単位面積１６００μｍ2あたりの凹部の個数が、２０個以上２００個以下であり、真空中における磁性層の表面における、単位領域１２．５μｍ×９．３μｍあたりの潤滑剤染み出し量が、３．０μｍ2以上６．５μｍ2以下である【選択図】図４

Description

本開示は、磁気記録媒体、それを備えるカートリッジおよびそれを記録および再生する記録再生装置に関する。

電子データの保存のために、テープ状の磁気記録媒体が広く利用されている。特許文献１では、磁気記録媒体の電磁変換特性を向上するために、磁性層の表面を平滑化することが記載されている。また、同文献では、磁気記録媒体とヘッドの接触による摩擦を抑えるために、磁性層に潤滑剤を添加することが記載されている。

特開２００６−６５９５３号公報

しかしながら、磁気記録媒体が薄くなり磁性層表面の平滑化が求められると、繰り返し記録または再生を行った後に、磁気記録媒体とヘッドの間に潤滑剤を安定して供給することが困難になり、動摩擦係数の増加を招く虞がある。

本開示の目的は、良好な電磁変換特性を得ることができると共に、繰り返し記録または再生を行った後にも、動摩擦係数の増加を抑制することができる磁気記録媒体、それを備えるカートリッジおよびそれを記録および再生する記録再生装置を提供することにある。

上述の課題を解決するために、第１の開示は、
テープ状の磁気記録媒体と、
カートリッジケースと
を備え、
磁気記録媒体は、
ポリエステルを含む基体と、
基体上に設けられた下地層と、
下地層上に設けられ、磁性粉を含む磁性層と
を備え、
下地層および磁性層は、潤滑剤を含み、
磁気記録媒体の垂直方向における磁性層の角形比は、６５％以上であり、
磁気記録媒体の平均厚みは、５．２μｍ以下であり、
磁性層の表面には、磁性層の平均厚みの２０％以上に相当する深さを有する複数の凹部が設けられ、且つ、磁性層の表面の単位面積１６００μｍ^２あたりの凹部の個数が、２０個以上２００個以下であり、
真空中における磁性層の表面における、単位領域１２．５μｍ×９．３μｍあたりの潤滑剤染み出し量が、３．０μｍ^２以上６．５μｍ^２以下であるカートリッジである。

第２の開示は、第１の開示の磁気記録媒体を備えるカートリッジである。

第３の開示は、第１の開示の磁気記録媒体の記録および再生をする記録再生装置である。

図１は、本開示の第１の実施形態に係る記録再生システムの構成の一例を示す概略図である。 図２は、カートリッジの構成の一例を示す分解斜視図である。 図３は、カートリッジメモリの構成の一例を示すブロック図である。 図４Ａは、磁気テープの構成の一例を示す断面図である。図４Ｂは、磁性層の一部を拡大して表す断面図である。 図５は、データバンドおよびサーボバンドのレイアウトの一例を示す概略図である。 図６は、データバンドの構成の一例を示す拡大図である。 図７は、サーボバンドの構成の一例を示す拡大図である。 図８Ａ、図８Ｂはそれぞれ、磁性層のＴＥＭ写真の例を示す図である。 図９Ａは、凹部の個数の測定方法を説明するための図である。図９Ｂは、図９ＡのＩＸＢ−ＩＸＢ線に沿った断面図である。 図１０は、凹部の個数の測定方法を説明するための図である。 図１１Ａ、図１１Ｂはそれぞれ、潤滑剤の染み出し量の測定方法を説明するための図である。 図１２Ａ、図１２Ｂはそれぞれ、磁性面と磁気ヘッドとの間の摩擦係数の測定方法を説明するための概略図である。 図１３は、データ記録時における記録再生装置の動作の一例について説明するためのフローチャートである。 図１４は、データ再生時における記録再生装置の動作の一例について説明するためのフローチャートである。 図１５は、本開示の第２の実施形態に係る記録再生システムの構成の一例を示す概略図である。 図１６は、データ記録時における記録再生装置の動作の一例について説明するためのフローチャートである。 図１７は、データ再生時における記録再生装置の動作の一例について説明するためのフローチャートである。

本開示の実施形態について以下の順序で説明する。なお、以下の実施形態の全図においては、同一または対応する部分には同一の符号を付す。
１ 第１の実施形態
２ 第２の実施形態
３ 変形例

＜１ 第１の実施形態＞
［記録再生システムの構成］
図１は、本開示の第１の実施形態に係る記録再生システム１００の構成の一例を示す概略図である。記録再生システム１００は、磁気テープ記録再生システムであり、カートリッジ１０と、カートリッジ１０をロードおよびアンロード可能に構成された記録再生装置５０とを備える。

［カートリッジの構成］
図２は、カートリッジ１０の構成の一例を示す分解斜視図である。カートリッジ１０は、ＬＴＯ（Linear Tape-Open）規格に準拠した磁気テープカートリッジであり、下シェル１２Ａと上シェル１２Ｂとで構成されるカートリッジケース１２の内部に、磁気テープ（テープ状の磁気記録媒体）ＭＴが巻かれたリール１３と、リール１３の回転をロックするためのリールロック１４およびリールスプリング１５と、リール１３のロック状態を解除するためのスパイダ１６と、下シェル１２Ａと上シェル１２Ｂに跨ってカートリッジケース１２に設けられたテープ引出口１２Ｃを開閉するスライドドア１７と、スライドドア１７をテープ引出口１２Ｃの閉位置に付勢するドアスプリング１８と、誤消去を防止するためのライトプロテクト１９と、カートリッジメモリ１１とを備える。リール１３は、中心部に開口を有する略円盤状であって、プラスチック等の硬質の材料からなるリールハブ１３Ａとフランジ１３Ｂとにより構成される。磁気テープＭＴの一端部には、リーダーピン２０が設けられている。

カートリッジメモリ１１は、カートリッジ１０の１つの角部の近傍に設けられている。カートリッジ１０が記録再生装置５０にロードされた状態において、カートリッジメモリ１１は、記録再生装置５０のリーダライタ５７と対向するようになっている。カートリッジメモリ１１は、ＬＴＯ規格に準拠した無線通信規格で記録再生装置５０、具体的にはリーダライタ５７と通信を行う。

［カートリッジメモリの構成］
図３は、カートリッジメモリ１１の構成の一例を示すブロック図である。カートリッジメモリ１１は、規定の通信規格でリーダライタ５７と通信を行うアンテナコイル（通信部）３１と、アンテナコイル３１により受信した電波から、誘導起電力を用いて発電、整流して電源を生成する整流・電源回路３２と、アンテナコイル３１により受信した電波から、同じく誘導起電力を用いてクロックを生成するクロック回路３３と、アンテナコイル３１により受信した電波の検波およびアンテナコイル３１により送信する信号の変調を行う検波・変調回路３４と、検波・変調回路３４から抽出されるデジタル信号から、コマンドおよびデータを判別し、これを処理するための論理回路等で構成されるコントローラ（制御部）３５と、情報を記憶するメモリ（記憶部）３６とを備える。また、カートリッジメモリ１１は、アンテナコイル３１に対して並列に接続されたキャパシタ３７を備え、アンテナコイル３１とキャパシタ３７により共振回路が構成される。

メモリ３６は、カートリッジ１０に関連する情報等を記憶する。メモリ３６は、不揮発性メモリ（Non Volatile Memory：ＮＶＭ）である。メモリ３６の記憶容量は、好ましくは約３２ＫＢ以上である。

メモリ３６は、第１の記憶領域３６Ａと第２の記憶領域３６Ｂとを有する。第１の記憶領域３６Ａは、ＬＴＯ８以前のＬＴＯ規格のカートリッジメモリ（以下「従来のカートリッジメモリ」という。）の記憶領域に対応しており、ＬＴＯ８以前のＬＴＯ規格に準拠した情報を記憶するための領域である。ＬＴＯ８以前のＬＴＯ規格に準拠した情報は、例えば製造情報（例えばカートリッジ１０の固有番号等）、使用履歴（例えばテープ引出回数（Thread Count）等）等である。

第２の記憶領域３６Ｂは、従来のカートリッジメモリの記憶領域に対する拡張記憶領域に相当する。第２の記憶領域３６Ｂは、付加情報を記憶するための領域である。ここで、付加情報とは、ＬＴＯ８以前のＬＴＯ規格で規定されていない、カートリッジ１０に関連する情報を意味する。付加情報の例としては、テンション調整情報、管理台帳データ、Index情報、または磁気テープＭＴに記憶された動画のサムネイル情報等が挙げられるが、これらのデータに限定されるものではない。テンション調整情報は、磁気テープＭＴの長手方向にかかるテンションを調整するための情報である。テンション調整情報は、磁気テープＭＴに対するデータ記録時における、隣接するサーボバンド間の距離（隣接するサーボバンドに記録されたサーボパターン間の距離）を含む。隣接するサーボバンド間の距離は、磁気テープＭＴの幅に関連する幅関連情報の一例である。サーボバンド間の距離の詳細については後述する。以下の説明において、第１の記憶領域３６Ａに記憶される情報を「第１の情報」といい、第２の記憶領域３６Ｂに記憶される情報を「第２の情報」ということがある。

メモリ３６は、複数のバンクを有していてもよい。この場合、複数のバンクうちの一部のバンクにより第１の記憶領域３６Ａが構成され、残りのバンクにより第２の記憶領域３６Ｂが構成されてもよい。

アンテナコイル３１は、電磁誘導により誘起電圧を誘起する。コントローラ３５は、アンテナコイル３１を介して、規定の通信規格で記録再生装置５０と通信を行う。具体的には例えば、相互認証、コマンドの送受信またはデータのやり取り等を行う。

コントローラ３５は、アンテナコイル３１を介して記録再生装置５０から受信した情報をメモリ３６に記憶する。例えば、アンテナコイル３１を介して記録再生装置５０から受信したテンション調整情報をメモリ３６の第２の記憶領域３６Ｂに記憶する。コントローラ３５は、記録再生装置５０の要求に応じて、メモリ３６から情報を読み出し、アンテナコイル３１を介して記録再生装置５０に送信する。例えば、記録再生装置５０の要求に応じて、メモリ３６の第２の記憶領域３６Ｂからテンション調整情報を読み出し、アンテナコイル３１を介して記録再生装置５０に送信する。

［磁気テープの構成］
図４Ａは、磁気テープＭＴの構成の一例を示す断面図である。磁気テープＭＴは、テープ状の磁気記録媒体であり、長尺状の基体４１と、基体４１の一方の主面（第１の主面）上に設けられた下地層４２と、下地層４２上に設けられた磁性層４３と、基体４１の他方の主面（第２の主面）上に設けられたバック層４４とを備える。なお、下地層４２およびバック層４４は、必要に応じて備えられるものであり、無くてもよい。磁気テープＭＴは、垂直記録型の磁気記録媒体であってもよいし、長手記録型の磁気記録媒体であってもよい。

磁気テープＭＴは長尺状を有し、記録再生の際には長手方向に走行される。なお、磁性層４３の表面が、記録再生装置５０が備える磁気ヘッドが走行される表面となる。磁気テープＭＴは、記録用ヘッドとしてリング型ヘッドを備える記録再生装置で用いられることが好ましい。磁気テープＭＴは、１５００ｎｍ以下または１０００ｎｍ以下のデータトラック幅でデータを記録可能に構成された記録再生装置に用いられることが好ましい。

（基体）
基体４１は、下地層４２および磁性層４３を支持する非磁性支持体である。基体４１は、長尺のフィルム状を有する。基体４１の平均厚みの上限値は、好ましくは４．２μｍ以下、より好ましくは３．８μｍ以下、さらにより好ましくは３．４μｍ以下である。基体４１の平均厚みの上限値が４．２μｍ以下であると、１データカートリッジ内に記録できる記録容量を一般的な磁気テープよりも高めることができる。基体４１の平均厚みの下限値は、好ましくは３μｍ以上、より好ましくは３．２μｍ以上である。基体４１の平均厚みの下限値が３μｍ以上であると、基体４１の強度低下を抑制することができる。

基体４１の平均厚みは以下のようにして求められる。まず、１／２インチ幅の磁気テープＭＴを準備し、それを２５０ｍｍの長さに切り出し、サンプルを作製する。続いて、サンプルの基体４１以外の層（すなわち下地層４２、磁性層４３およびバック層４４）をＭＥＫ（メチルエチルケトン）または希塩酸等の溶剤で除去する。次に、測定装置としてMitutoyo社製レーザーホロゲージ（LGH-110C）を用いて、サンプル（基体４１）の厚みを５点以上の位置で測定し、それらの測定値を単純に平均（算術平均）して、基体４１の平均厚みを算出する。なお、測定位置は、サンプルから無作為に選ばれるものとする。

基体４１は、ポリエステルを含むことが好ましい。基体４１がポリエステルを含むことで、基体４１の長手方向のヤング率を低減することができる。したがって、走行時における磁気テープＭＴの長手方向のテンションを記録再生装置５０により調整することで、磁気テープＭＴの幅を一定またはほぼ一定に保つことができる。

ポリエステルは、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリブチレンナフタレート（ＰＢＮ）、ポリシクロヘキシレンジメチレンテレフタレート（ＰＣＴ）、ポリエチレン−ｐ−オキシベンゾエート（ＰＥＢ）およびポリエチレンビスフェノキシカルボキシレートのうちの少なくとも１種を含む。基体４１が２種以上のポリエステルを含む場合、それらの２種以上のポリエステルは混合されていてもよいし、共重合されていてもよいし、積層されていてもよい。ポリエステルの末端および側鎖の少なくとも一方が変性されていてもよい。

基体４１にポリエステルが含まれていることは、例えば、次のようにして確認される。まず、基体４１の平均厚みの測定方法と同様にして、サンプルの基体４１以外の層を除去する。次に、赤外吸収分光法（Infrared Absorption Spectrometry：ＩＲ）によりサンプル（基体４１）のＩＲスペクトルを取得する。このＩＲスペクトルに基づき、基体４１にポリエステルが含まれていることを確認することができる。

基体４１は、ポリエステル以外に、例えば、ポリアミド、ポリイミドおよびポリアミドイミドのうちの少なくとも１種をさらに含んでいてもよいし、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリオレフィン類、セルロース誘導体、ビニル系樹脂、およびその他の高分子樹脂のうちの少なくとも１種をさらに含んでいてもよい。ポリアミドは、芳香族ポリアミド（アラミド）であってもよい。ポリイミドは、芳香族ポリイミドであってもよい。ポリアミドイミドは、芳香族ポリアミドイミドであってもよい。

基体４１が、ポリエステル以外の高分子樹脂を含む場合、基体４１はポリエステルを主成分とすることが好ましい。ここで、主成分とは、基体４１に含まれる高分子樹脂のうち、最も含有量（質量比率）が多い成分を意味する。基体４１がポリエステル以外の高分子樹脂を含む場合、ポリエステルと、ポリエステル以外の高分子樹脂は、混合されていてもよいし、共重合されていてもよい。

基体４１は、長手方向および幅方向に二軸延伸されていてもよい。基体４１に含まれる高分子樹脂は、基体４１の幅方向に対して斜め方向に配向されていることが好ましい。

（磁性層）
磁性層４３は、信号を磁化パターンにより記録するための記録層である。磁性層４３は、垂直記録型の記録層であってもよいし、長手記録型の記録層であってもよい。磁性層４３は、例えば、磁性粉、結着剤および潤滑剤を含む。磁性層４３が、必要に応じて、帯電防止剤、研磨剤、硬化剤、防錆剤および非磁性補強粒子等のうちの少なくとも１種の添加剤をさらに含んでいてもよい。

磁性層４３の表面には、複数の凹部４３Ａが設けられている。これらの複数の凹部４３Ａには、潤滑剤が蓄えられていてもよい。複数の凹部４３Ａは、磁性層４３の表面に対して垂直方向に延設されていることが好ましい。磁性層４３の表面に対する潤滑剤の供給性を向上することができるからである。なお、複数の凹部４３Ａの一部が垂直方向に延設されていてもよい。

磁性層４３は、図５に示すように、複数のサーボバンドＳＢと複数のデータバンドＤＢとを予め有している。複数のサーボバンドＳＢは、磁気テープＭＴの幅方向に等間隔で設けられている。隣り合うサーボバンドＳＢの間には、データバンドＤＢが設けられている。サーボバンドＳＢは、データの記録または再生時に磁気ヘッド５６（具体的にはサーボリードヘッド５６Ａ、５６Ｂ）をガイドするためのものである。サーボバンドＳＢには、磁気ヘッド５６のトラッキング制御をするためのサーボパターン（サーボ信号）が予め書き込まれている。データバンドＤＢには、ユーザデータが記録される。

磁性層４３の表面の面積Ｓに対するサーボバンドＳＢの総面積Ｓ_SBの割合Ｒ_S（＝（Ｓ_SB／Ｓ）×１００）の上限値は、高記録容量を確保する観点から、好ましくは４．０％以下、より好ましくは３．０％以下、さらにより好ましくは２．０％以下である。一方、磁性層４３の表面の面積Ｓに対するサーボバンドＳＢの総面積Ｓ_SBの割合Ｒ_Sの下限値は、５以上のサーボバンドＳＢを確保する観点から、好ましくは０．８％以上である。

磁性層４３の表面全体の面積Ｓに対するサーボバンドＳＢの総面積Ｓ_SBの比率Ｒ_Sは、以下のようにして求められる。磁気テープＭＴを、フェリコロイド現像液（株式会社シグマハイケミカル製、シグマーカーＱ）を用いて現像し、その後、現像した磁気テープＭＴを光学顕微鏡で観察し、サーボバンド幅Ｗ_SBおよびサーボバンドＳＢの本数を測定する。次に、以下の式から割合Ｒ_Sを求める。
割合Ｒ_S［％］＝（（（サーボバンド幅Ｗ_SB）×（サーボバンドＳＢの本数））／（磁気テープＭＴの幅））×１００

サーボバンドＳＢの本数は、好ましくは５以上、より好ましくは５＋４ｎ（但し、ｎは正の整数である。）以上である。サーボバンドＳＢの本数が５以上であると、磁気テープＭＴの幅方向の寸法変化によるサーボ信号への影響を抑制し、よりオフトラックが少ない安定した記録再生特性を確保できる。サーボバンドＳＢの本数の上限値は特に限定されるものではないが、例えば３３以下である。

サーボバンドＳＢの本数は、上記の比率Ｒ_Sの算出方法と同様にして求められる。

サーボバンド幅Ｗ_SBの上限値は、高記録容量を確保する観点から、好ましくは９５μｍ以下、より好ましくは６０μｍ以下、さらにより好ましくは３０μｍ以下である。サーボバンド幅Ｗ_SBの下限値は、好ましくは１０μｍ以上である。１０μｍ未満のサーボバンド幅Ｗ_SBのサーボ信号を読み取り可能な記録ヘッド５６は製造が困難である。

サーボバンド幅Ｗ_SBの幅は、上記の比率Ｒ_Sの算出方法と同様にして求められる。

磁性層４３は、図６に示すように、データバンドＤＢに複数のデータトラックＴｋを形成可能に構成されている。データトラック幅Ｗの上限値は、トラック記録密度を向上し、高記録容量を確保する観点から、好ましくは２０００ｎｍ以下、より好ましくは１５００ｎｍ以下、さらにより好ましくは１０００ｎｍ以下である。データトラック幅Ｗの下限値は、磁性粒子サイズを考慮すると、好ましくは２０ｎｍ以上である。

磁性層４３は、高記録容量を確保する観点から、磁化反転間距離の最小値Ｌが好ましくは４８ｎｍ以下、より好ましくは４４ｎｍ以下、さらにより好ましくは４０ｎｍ以下となるように、データを記録可能に構成されている。磁化反転間距離の最小値Ｌの下限値は、磁性粒子サイズを考慮すると、好ましくは２０ｎｍ以上である。

磁性層４３は、磁化反転間距離の最小値Ｌとデータトラック幅Ｗが好ましくはＷ／Ｌ≦３５、より好ましくはＷ／Ｌ≦３０、さらにより好もしくはＷ／Ｌ≦２５となるように、データを記録可能に構成されている。磁化反転間距離の最小値Ｌが一定値であり、磁化反転間距離の最小値Ｌとトラック幅ＷがＷ／Ｌ＞３５であると（すなわちトラック幅Ｗが大きいと）、トラック記録密度が上がらないため、記録容量を十分に確保できなくなる虞がある。また、トラック幅Ｗが一定値であり、磁化反転間距離の最小値Ｌとトラック幅ＷがＷ／Ｌ＞３５であると（すなわち磁化反転間距離の最小値Ｌが小さいと）、ビット長さが小さくなり、線記録密度が上がるが、スペーシングロスの影響により、電磁変換特性が著しく悪化してしまう虞がある。したがって、記録容量を確保しながら、電磁変換特性の悪化を抑制するためには、上記のようにＷ／ＬがＷ／Ｌ≦３５の範囲にあることが好ましい。Ｗ／Ｌの下限値は特に限定されるものではないが、例えば１≦Ｗ／Ｌである。

データトラック幅Ｗは以下のようにして求められる。データが全面に記録された磁気テープＭＴを準備し、その磁性層４３のデータバンドＤＢ部分のデータ記録パターンを磁気力顕微鏡（Magnetic Force Microscope：ＭＦＭ）を用いて観察し、ＭＦＭ像を得る。ＭＦＭとしてはDigital Instruments社製Dimension3100とその解析ソフトが用いられる。当該ＭＦＭ像の測定領域は１０μｍ×１０μｍとし、当該１０μｍ×１０μｍの測定領域は５１２×５１２（＝２６２，１４４）個の測定点に分割される。場所の異なる３つの１０μｍ×１０μｍ測定領域についてＭＦＭによる測定が行われ、すなわち３つのＭＦＭ像が得られる。得られた３つのＭＦＭ像から、Dimension3100に付属の解析ソフトを用いて、トラック幅を１０ヶ所測定し平均値（単純平均である）をとる。当該平均値が、データトラック幅Ｗである。なお、上記ＭＦＭの測定条件は掃引速度：１Ｈｚ、使用チップ：ＭＦＭＲ−２０、リフトハイト：２０ｎｍ、補正：Flatten order 3である。

磁化反転間距離の最小値Ｌは以下のようにして求められる。データが全面に記録された磁気テープＭＴを準備し、その磁性層４３のデータバンドＤＢ部分のデータ記録パターンを磁気力顕微鏡（Magnetic Force Microscope：ＭＦＭ）を用いて観察し、ＭＦＭ像を得る。ＭＦＭとしてはDigital Instruments社製Dimension3100とその解析ソフトが用いられる。当該ＭＦＭ像の測定領域は２μｍ×２μｍとし、当該２μｍ×２μｍの測定領域は５１２×５１２（＝２６２，１４４）個の測定点に分割される。場所の異なる３つの２μｍ×２μｍ測定領域についてＭＦＭによる測定が行われ、すなわち３つのＭＦＭ像が得られる。得られたＭＦＭ像の記録パターンの二次元の凹凸チャートからビット間距離を５０個測定する。当該ビット間距離の測定は、Dimension3100に付属の解析ソフトを用いて行われる。測定された５０個のビット間距離のおよそ最大公約数となる値を磁化反転間距離の最小値Ｌとする。なお、測定条件は掃引速度：１Ｈｚ、使用チップ：ＭＦＭＲ−２０、リフトハイト：２０ｎｍ、補正：Flatten order 3である。

サーボパターンは、磁化領域であって、磁気テープ製造時にサーボライトヘッドにより磁性層４３の特定の領域を特定方向に磁化することによって形成される。サーボバンドＳＢのうち、サーボパターンが形成されていない領域（以下「非パターン領域」という。）は、磁性層４３が磁化された磁化領域であってもよいし、磁性層４３が磁化されていない非磁化領域であってもよい。非パターン領域が磁化領域である場合、サーボパターン形成領域と非パターン領域とは、異なる方向（例えば逆方向）に磁化されている。

ＬＴＯ規格では、サーボバンドＳＢには、図７に示すように、磁気テープＭＴの幅方向に対して傾斜した複数のサーボストライプ（線状の磁化領域）１１３からなるサーボパターンが形成されている。

サーボバンドＳＢは、複数のサーボフレーム１１０を含んでいる。各サーボフレーム１１０は、１８本のサーボストライプ１１３から構成されている。具体的には、各サーボフレーム１１０は、サーボサブフレーム１（１１１）およびサーボサブフレーム２（１１２）から構成される。

サーボサブフレーム１（１１１）は、Ａバースト１１１ＡおよびＢバースト１１１Ｂから構成される。Ｂバースト１１１Ｂは、Ａバースト１１１Ａに隣接して配置されている。Ａバースト１１１Ａは、磁気テープＭＴの幅方向に対して所定角度φで傾斜し規定間隔隔てて形成された５本のサーボストライプ１１３を備えている。図７中では、これらの５本のサーボストライプ１１３に磁気テープＭＴのＥＯＴ（End Of Tape）からＢＯＴ（Beginning Of Tape）に向って符号Ａ₁、Ａ₂、Ａ₃、Ａ₄、Ａ₅を付して示している。Ｂバースト１１１Ｂは、Ａバースト１１１Ａと同様に、磁気テープＭＴの幅方向に対して所定角度φで傾斜し規定間隔隔てて形成された５本のサーボパルス６３を備えている。図７中では、これらの５本のサーボストライプ１１３に磁気テープＭＴのＥＯＴからＢＯＴに向って符号Ｂ₁、Ｂ₂、Ｂ₃、Ｂ₄、Ｂ₅を付して示している。Ｂバースト１１１Ｂのサーボストライプ１１３は、Ａバースト１１１Ａのサーボストライプ１１３とは逆向きに傾斜している。すなわち、Ａバースト１１１Ａのサーボストライプ１１３とＢバースト１１１Ｂのサーボストライプ１１３はハの字状に配置されている。

サーボサブフレーム２（１１２）は、Ｃバースト１１２ＣおよびＤバースト１１２Ｄから構成される。Ｄバースト１１２Ｄは、Ｃバースト１１２Ｃに隣接して配置されている。Ｃバースト１１２Ｃは、テープ幅方向に対して所定角度φで傾斜し規定間隔隔てて形成された４本のサーボストライプ１１３を備えている。図７中では、これらの４本のサーボストライプ１１３に磁気テープＭＴのＥＯＴからＢＯＴに向って符号Ｃ₁、Ｃ₂、Ｃ₃、Ｃ₄を付して示している。Ｄバースト１１２Ｄは、Ｃバースト１１２Ｃと同様に、テープ幅方向に対して所定角度φで傾斜し規定間隔隔てて形成された４本のサーボパルス６３を備えている。図７中では、これらの４本のサーボストライプ１１３に磁気テープＭＴのＥＯＴからＢＯＴに向って符号Ｄ₁、Ｄ₂、Ｄ₃、Ｄ₄を付して示している。Ｄバースト１１２Ｄのサーボストライプ１１３は、Ｃバースト１１２Ｃのサーボストライプ１１３とは逆向きに傾斜している。すなわち、Ｃバースト１１２Ｃのサーボストライプ１１３とＤバースト１１２Ｄのサーボストライプ１１３はハの字状に配置されている。

Ａバースト１１１Ａ、Ｂバースト１１１Ｂ、Ｃバースト１１２Ｃ、Ｄバースト１１２Ｄにおけるサーボストライプ１１３の上記所定角度φは、例えば５°〜２５°であり、特には１１°〜２５°でありうる。

サーボバンドＳＢを磁気ヘッド５６で読み取りことにより、テープ速度および磁気ヘッドの縦方向の位置を取得するための情報が得られる。テープ速度は、４つのタイミング信号（Ａ１−Ｃ１、Ａ２−Ｃ２、Ａ３−Ｃ３、Ａ４−Ｃ４）間の時間から計算される。ヘッド位置は、前述の４つのタイミング信号間の時間および別の４つのタイミング信号（Ａ１−Ｂ１、Ａ２−Ｂ２、Ａ３−Ｂ３、Ａ４−Ｂ４）間の時間から計算される。

図７に示すように、サーボパターン（すなわち複数のサーボストライプ１１３）は、磁気テープＭＴの長手方向に向って直線的に配列されていることが好ましい。すなわち、サーボバンドＳＢは、長手方向に直線状を有していることが好ましい。

磁性層４３の平均厚みｔ_mの上限値は、８０ｎｍ以下、好ましくは７０ｎｍ以下、より好ましくは５０ｎｍ以下である。磁性層４３の平均厚みｔ_mの上限値が８０ｎｍ以下であると、記録ヘッドとしてはリング型ヘッドを用いた場合に、反磁界の影響を軽減できるため、さらに優れた電磁変換特性を得ることができる。

磁性層４３の平均厚みｔ_mの下限値は、好ましくは３５ｎｍ以上である。磁性層４３の平均厚みｔ_mの下限値が３５ｎｍ以上であると、再生ヘッドとしてはＭＲ型ヘッドを用いた場合に、出力を確保できるため、さらに優れた電磁変換特性を得ることができる。

磁性層４３の平均厚みｔ_mは、以下のようにして求められる。まず、測定対象となる磁気テープＭＴをＦＩＢ法等により加工して薄片化を行う。ＦＩＢ法を使用する場合には、後述の断面のＴＥＭ像を観察する前処理として、保護膜としてカーボン層およびタングステン層を形成する。当該カーボン層は蒸着法により磁気テープＭＴの磁性層４３側の表面およびバック層４４側の表面に形成され、そして、当該タングステン層は蒸着法またはスパッタリング法により磁性層４３側の表面にさらに形成される。当該薄片化は磁気テープＭＴの長さ方向（長手方向）に沿って行われる。すなわち、当該薄片化によって、磁気テープＭＴの長手方向および厚み方向の両方に平行な断面が形成される。

得られた薄片化サンプルの上記断面を、透過型電子顕微鏡（Transmission Electron Microscope：ＴＥＭ）により、下記の条件で観察し、ＴＥＭ像を得る。なお、装置の種類に応じて、倍率および加速電圧は適宜調整されてよい。
装置：ＴＥＭ（日立製作所製Ｈ９０００ＮＡＲ）
加速電圧：３００ｋＶ
倍率：１００，０００倍

次に、得られたＴＥＭ像を用い、磁気テープＭＴの長手方向の少なくとも１０点以上の位置で磁性層４３の厚みを測定する。得られた測定値を単純に平均（算術平均）して得られた平均値を磁性層４３の平均厚みｔ_m［ｎｍ］とする。なお、上記測定が行われる位置は、試験片から無作為に選ばれるものとする。

（磁性粉）
磁性粉は、複数の磁性粒子を含む。磁性粒子は、例えば、六方晶フェライトを含む粒子（以下「六方晶フェライト粒子」という。）、イプシロン型酸化鉄（ε酸化鉄）を含む粒子（以下「ε酸化鉄粒子」という。）またはＣｏ含有スピネルフェライトを含む粒子（以下「コバルトフェライト粒子」という。）である。磁性粉は、磁気テープＭＴの厚み方向（垂直方向）に優先的に結晶配向していることが好ましい。

（六方晶フェライト粒子）
六方晶フェライト粒子は、例えば、六角板状等の板状を有する。本明細書において、六角坂状は、ほぼ六角坂状を含むものとする。六方晶フェライトは、好ましくはＢａ、Ｓｒ、ＰｂおよびＣａのうちの少なくとも１種、より好ましくはＢａおよびＳｒのうちの少なくとも１種を含む。六方晶フェライトは、具体的には例えばバリウムフェライトまたはストロンチウムフェライトであってもよい。バリウムフェライトは、Ｂａ以外にＳｒ、ＰｂおよびＣａのうちの少なくとも１種をさらに含んでいてもよい。ストロンチウムフェライトは、Ｓｒ以外にＢａ、ＰｂおよびＣａのうちの少なくとも１種をさらに含んでいてもよい。

より具体的には、六方晶フェライトは、一般式ＭＦｅ₁₂Ｏ₁₉で表される平均組成を有する。但し、Ｍは、例えばＢａ、Ｓｒ、ＰｂおよびＣａのうちの少なくとも１種の金属、好ましくはＢａおよびＳｒのうちの少なくとも１種の金属である。Ｍが、Ｂａと、Ｓｒ、ＰｂおよびＣａからなる群より選ばれる１種以上の金属との組み合わせであってもよい。また、Ｍが、Ｓｒと、Ｂａ、ＰｂおよびＣａからなる群より選ばれる１種以上の金属との組み合わせであってもよい。上記一般式においてＦｅの一部が他の金属元素で置換されていてもよい。

磁性粉が六方晶フェライト粒子粉を含む場合、磁性粉の平均粒子サイズは、好ましくは３０ｎｍ以下、より好ましくは１２ｎｍ以上２５ｎｍ以下、さらにより好ましくは１５ｎｍ以上２２ｎｍ以下、特に好ましくは１５ｎｍ以上２０ｎｍ以下、最も好ましくは１５ｎｍ以上１８ｎｍ以下である。磁性粉の平均粒子サイズが３０ｎｍ以下であると、高記録密度の磁気テープＭＴにおいて、さらに優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。一方、磁性粉の平均粒子サイズが１２ｎｍ以上であると、磁性粉の分散性がより向上し、さらに優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。

磁性粉の平均アスペクト比が、好ましくは１．０以上２．５以下、より好ましくは１．０以上２．１以下、さらにより好ましくは１．０以上１．８以下である。磁性粉の平均アスペクト比が１．０以上２．５以下の範囲内であると、磁性粉の凝集を抑制することができる。また、磁性層４３の形成工程において磁性粉を垂直配向させる際に、磁性粉に加わる抵抗を抑制することができる。したがって、磁性粉の垂直配向性を向上することができる。

磁性粉が六方晶フェライト粒子粉を含む場合、磁性粉の平均粒子サイズおよび平均アスペクト比は以下のようにして求められる。まず、測定対象となる磁気テープＭＴをＦＩＢ法等により加工して薄片化を行う。ＦＩＢ法を使用する場合には、後述の断面のＴＥＭ像を観察する前処理として、保護膜としてカーボン層およびタングステン層を形成する。当該カーボン層は蒸着法により磁気テープＭＴの磁性層４３側の表面およびバック層４４側の表面に形成され、そして、当該タングステン層は蒸着法またはスパッタリング法により磁性層４３側の表面にさらに形成される。当該薄片化は磁気テープＭＴの長さ方向（長手方向）に沿って行われる。すなわち、当該薄片化によって、磁気テープＭＴの長手方向および厚み方向の両方に平行な断面が形成される。

得られた薄片サンプルの上記断面を、透過電子顕微鏡（日立ハイテクノロジーズ社製 H-9500）を用いて、加速電圧：200kV、総合倍率500,000倍で磁性層４３の厚み方向に対して磁性層４３全体が含まれるように断面観察を行い、ＴＥＭ写真を撮影する。次に、撮影したＴＥＭ写真から、観察面の方向に側面を向けており、且つ、粒子の厚みが明らかに確認できる粒子を５０個選び出す。例えば、図８Ａ、図８ＢにＴＥＭ写真の例を示す。図８Ａ、図８Ｂにおいて、例えば矢印ａおよびｄで示される粒子が、その厚みを明らかに確認できるので、選択される。選択された５０個の粒子それぞれの最大板厚ＤＡを測定する。このようにして求めた最大板厚ＤＡを単純に平均（算術平均）して平均最大板厚ＤＡ_aveを求める。続いて、各磁性粉の板径ＤＢを測定する。粒子の板径ＤＢを測定するために、撮影したＴＥＭ写真から、粒子の板径が明らかに確認できる粒子を５０個選び出す。例えば、図８Ａ、図８Ｂにおいて、例えば矢印ｂおよびｃで示される粒子が、その板径を明らかに確認できるので、選択される。選択された５０個の粒子それぞれの板径ＤＢを測定する。このようにして求めた板径ＤＢを単純平均（算術平均）して平均板径ＤＢ_aveを求める。平均板径ＤＢ_aveが、平均粒子サイズである。そして、平均最大板厚ＤＡ_aveおよび平均板径ＤＢ_aveから粒子の平均アスペクト比（ＤＢ_ave／ＤＡ_ave）を求める。

磁性粉が六方晶フェライト粒子粉を含む場合、磁性粉の平均粒子体積は、好ましくは５９００ｎｍ³以下、より好ましくは５００ｎｍ³以上３４００ｎｍ³以下、さらにより好ましくは１０００ｎｍ³以上２５００ｎｍ³以下、特に好ましくは１０００ｎｍ³以上１８００ｎｍ³以下、最も好ましくは１０００ｎｍ³以上１５００ｎｍ³以下である。磁性粉の平均粒子体積が５９００ｎｍ³以下であると、磁性粉の平均粒子サイズを３０ｎｍ以下とする場合と同様の効果が得られる。一方、磁性粉の平均粒子体積が５００ｎｍ³以上であると、磁性粉の平均粒子サイズを１２ｎｍ以上とする場合と同様の効果が得られる。

磁性粉の平均粒子体積は以下のようにして求められる。まず、上記の磁性粉の平均粒子サイズの算出方法に関して述べた通り、平均長軸長ＤＡ_aveおよび平均板径ＤＢ_aveを求める。次に、以下の式により、磁性粉の平均体積Ｖを求める。

（ε酸化鉄粒子）
ε酸化鉄粒子は、微粒子でも高保磁力を得ることができる硬磁性粒子である。ε酸化鉄粒子は、球状を有しているか、または立方体状を有している。本明細書において、球状は、ほぼ球状を含むものとする。また、立方体状には、ほぼ立方体状を含むものとする。ε酸化鉄粒子が上記のような形状を有しているため、磁性粒子としてε酸化鉄粒子を用いた場合、磁性粒子として六角板状のバリウムフェライト粒子を用いた場合に比べて、磁気テープＭＴの厚み方向における粒子同士の接触面積を低減し、粒子同士の凝集を抑制することができる。したがって、磁性粉の分散性を高め、さらに優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。

ε酸化鉄粒子は、コアシェル型構造を有する。具体的には、ε酸化鉄粒子は、コア部と、このコア部の周囲に設けられた２層構造のシェル部とを備える。２層構造のシェル部は、コア部上に設けられた第１シェル部と、第１シェル部上に設けられた第２シェル部とを備える。

コア部は、ε酸化鉄を含む。コア部に含まれるε酸化鉄は、ε−Ｆｅ₂Ｏ₃結晶を主相とするものが好ましく、単相のε−Ｆｅ₂Ｏ₃からなるものがより好ましい。

第１シェル部は、コア部の周囲のうちの少なくとも一部を覆っている。具体的には、第１シェル部は、コア部の周囲を部分的に覆っていてもよいし、コア部の周囲全体を覆っていてもよい。コア部と第１シェル部の交換結合を十分なものとし、磁気特性を向上する観点からすると、コア部の表面全体を覆っていることが好ましい。

第１シェル部は、いわゆる軟磁性層であり、例えば、α−Ｆｅ、Ｎｉ−Ｆｅ合金またはＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金等の軟磁性体を含む。α−Ｆｅは、コア部に含まれるε酸化鉄を還元することにより得られるものであってもよい。

第２シェル部は、酸化防止層としての酸化被膜である。第２シェル部は、α酸化鉄、酸化アルミニウムまたは酸化ケイ素を含む。α酸化鉄は、例えばＦｅ₃Ｏ₄、Ｆｅ₂Ｏ₃およびＦｅＯのうちの少なくとも１種の酸化鉄を含む。第１シェル部がα−Ｆｅ（軟磁性体）を含む場合には、α酸化鉄は、第１シェル部に含まれるα−Ｆｅを酸化することにより得られるものであってもよい。

ε酸化鉄粒子が、上述のように第１シェル部を有することで、熱安定性を確保するためにコア部単体の保磁力Ｈｃを大きな値に保ちつつ、ε酸化鉄粒子（コアシェル粒子）全体としての保磁力Ｈｃを記録に適した保磁力Ｈｃに調整できる。また、ε酸化鉄粒子が、上述のように第２シェル部を有することで、磁気テープＭＴの製造工程およびその工程前において、ε酸化鉄粒子が空気中に暴露されて、粒子表面に錆び等が発生することにより、ε酸化鉄粒子の特性が低下することを抑制することができる。したがって、磁気テープＭＴの特性劣化を抑制することができる。

ε酸化鉄粒子が単層構造のシェル部を有していてもよい。この場合、シェル部は、第１シェル部と同様の構成を有する。但し、ε酸化鉄粒子の特性劣化を抑制する観点からすると、上述したように、ε酸化鉄粒子が２層構造のシェル部を有していることが好ましい。

ε酸化鉄粒子が、上記コアシェル構造に代えて添加剤を含んでいてもよいし、コアシェル構造を有すると共に添加剤を含んでいてもよい。この場合、ε酸化鉄粒子のＦｅの一部が添加剤で置換される。ε酸化鉄粒子が添加剤を含むことによっても、ε酸化鉄粒子全体としての保磁力Ｈｃを記録に適した保磁力Ｈｃに調整できるため、記録容易性を向上することができる。添加剤は、鉄以外の金属元素、好ましくは３価の金属元素、より好ましくはＡｌ、ＧａおよびＩｎのうちの少なくとも１種、さらにより好ましくはＡｌおよびＧａのうちの少なくとも１種である。

具体的には、添加剤を含むε酸化鉄は、ε−Ｆｅ_2-xＭ_xＯ₃結晶（但し、Ｍは鉄以外の金属元素、好ましくは３価の金属元素、より好ましくはＡｌ、ＧａおよびＩｎのうちの少なくとも１種、さらにより好ましくはＡｌおよびＧａのうちの少なくとも１種である。ｘは、例えば０＜ｘ＜１である。）である。

磁性粉の平均粒子サイズ（平均最大粒子サイズ）は、例えば２２．５ｎｍ以下である。磁性粉の平均粒子サイズ（平均最大粒子サイズ）は、好ましくは２２ｎｍ以下、より好ましくは８ｎｍ以上２２ｎｍ以下、さらにより好ましくは１２ｎｍ以上２２ｎｍ以下、特に好ましくは１２ｎｍ以上１５ｎｍ以下、最も好ましくは１２ｎｍ以上１４ｎｍ以下である。磁気テープＭＴでは、記録波長の１／２のサイズの領域が実際の磁化領域となる。このため、磁性粉の平均粒子サイズを最短記録波長の半分以下に設定することで、さらに優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。したがって、磁性粉の平均粒子サイズが２２ｎｍ以下であると、高記録密度の磁気テープＭＴ（例えば４４ｎｍ以下の最短記録波長で信号を記録可能に構成された磁気テープＭＴ）において、さらに優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。一方、磁性粉の平均粒子サイズが８ｎｍ以上であると、磁性粉の分散性がより向上し、さらに優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。

磁性粉の平均アスペクト比が、好ましくは１．０以上３．０以下、より好ましくは１．０以上２．５以下、さらにより好ましくは１．０以上２．１以下、特に好ましくは１．０以上１．８以下である。磁性粉の平均アスペクト比が１．０以上３．０以下の範囲内であると、磁性粉の凝集を抑制することができる。また、磁性層４３の形成工程において磁性粉を垂直配向させる際に、磁性粉に加わる抵抗を抑制することができる。したがって、磁性粉の垂直配向性を向上することができる。

磁性粉がε酸化鉄粒子粉を含む場合、磁性粉の平均粒子サイズおよび平均アスペクト比は、以下のようにして求められる。まず、測定対象となる磁気テープＭＴをＦＩＢ（Focused Ion Beam）法等により加工して薄片化を行う。ＦＩＢ法を使用する場合には、後述の断面のＴＥＭ像を観察する前処理として、保護層としてカーボン層およびタングステン層を形成する。当該カーボン層は蒸着法により磁気テープＭＴの磁性層４３側の表面およびバック層４４側の表面に形成され、そして、当該タングステン層は蒸着法またはスパッタリング法により磁性層４３側の表面にさらに形成される。薄片化は磁気テープＭＴの長さ方向（長手方向）に沿うかたちで行って行われる。すなわち、当該薄片化によって、磁気テープＭＴの長手方向および厚み方向の両方に平行な断面が形成される。

得られた薄片サンプルの上記断面を、透過電子顕微鏡（日立ハイテクノロジーズ社製 H-9500）を用いて、加速電圧：200kV、総合倍率500,000倍で磁性層４３の厚み方向に対して磁性層４３全体が含まれるように断面観察を行い、ＴＥＭ写真を撮影する。次に、撮影したＴＥＭ写真から、粒子の形状を明らかに確認することができる５０個の粒子を選び出し、各粒子の長軸長ＤＬと短軸長ＤＳを測定する。ここで、長軸長ＤＬとは、各粒子の輪郭に接するように、あらゆる角度から引いた２本の平行線間の距離のうち最大のもの（いわゆる最大フェレ径）を意味する。一方、短軸長ＤＳとは、粒子の長軸（ＤＬ）と直交する方向における粒子の長さのうち最大のものを意味する。続いて、測定した５０個の粒子の長軸長ＤＬを単純に平均（算術平均）して平均長軸長ＤＬ_aveを求める。このようにして求めた平均長軸長ＤＬ_aveを磁性粉の平均粒子サイズとする。また、測定した５０個の粒子の短軸長ＤＳを単純に平均（算術平均）して平均短軸長ＤＳ_aveを求める。そして、平均長軸長ＤＬ_aveおよび平均短軸長ＤＳ_aveから粒子の平均アスペクト比（ＤＬ_ave／ＤＳ_ave）を求める。

磁性粉の平均粒子体積は、好ましくは５６００ｎｍ³以下、より好ましくは２５０ｎｍ³以上５６００ｎｍ³以下、さらにより好ましくは９００ｎｍ³以上５６００ｎｍ³以下、特に好ましくは９００ｎｍ³以上１８００ｎｍ³以下、最も好ましくは９００ｎｍ³以上１５００ｎｍ³以下である。一般的に磁気テープＭＴのノイズは粒子個数の平方根に反比例（すなわち粒子体積の平方根に比例）するため、粒子体積をより小さくすることで、さらに優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。したがって、磁性粉の平均粒子体積が５６００ｎｍ³以下であると、磁性粉の平均粒子サイズを２２ｎｍ以下とする場合と同様に、さらに優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。一方、磁性粉の平均粒子体積が２５０ｎｍ³以上であると、磁性粉の平均粒子サイズを８ｎｍ以上とする場合と同様の効果が得られる。

ε酸化鉄粒子が球状を有している場合には、磁性粉の平均粒子体積は以下のようにして求められる。まず、上記の磁性粉の平均粒子サイズの算出方法と同様にして、平均長軸長ＤＬ_aveを求める。次に、以下の式により、磁性粉の平均体積Ｖを求める。
Ｖ＝（π/６）×ＤＬ_ave ³

ε酸化鉄粒子が立方体状を有している場合、磁性粉の平均体積は以下のようにして求められる。磁気テープＭＴをＦＩＢ（Focused Ion Beam）法等により加工して薄片化を行う。ＦＩＢ法を使用する場合には、後述の断面のＴＥＭ像を観察する前処理として、保護膜としてカーボン膜およびタングステン薄膜を形成する。当該カーボン膜は蒸着法により磁気テープＭＴの磁性層４３側の表面およびバック層４４側の表面に形成され、そして、当該タングステン薄膜は蒸着法またはスパッタリング法により磁性層４３側の表面にさらに形成される。当該薄片化は磁気テープＭＴの長さ方向（長手方向）に沿って行われる。すなわち、当該薄片化によって、磁気テープＭＴの長手方向および厚み方向の両方に平行な断面が形成される。

得られた薄片サンプルを透過電子顕微鏡（日立ハイテクノロジーズ社製 H-9500）を用いて、加速電圧：200kV、総合倍率500,000倍で磁性層４３の厚み方向に対して磁性層４３全体が含まれるように断面観察を行い、ＴＥＭ写真を得る。なお、装置の種類に応じて、倍率および加速電圧は適宜調整されてよい。次に、撮影したＴＥＭ写真から粒子の形状が明らかである５０個の粒子を選び出し、各粒子の辺の長さＤＣを測定する。続いて、測定した５０個の粒子の辺の長さＤＣを単純に平均（算術平均）して平均辺長ＤＣ_aveを求める。次に、平均辺長ＤＣ_aveを用いて以下の式から磁性粉の平均体積Ｖ_ave（粒子体積）を求める。
Ｖ_ave＝ＤＣ_ave ³

（コバルトフェライト粒子）
コバルトフェライト粒子は、一軸結晶異方性を有することが好ましい。コバルトフェライト粒子が一軸結晶異方性を有することで、磁性粉を磁気テープＭＴの厚み方向（垂直方向）に優先的に結晶配向させることができる。コバルトフェライト粒子は、例えば、立方体状を有している。本明細書において、立方体状は、ほぼ立方体状を含むものとする。Ｃｏ含有スピネルフェライトが、Ｃｏ以外にＮｉ、Ｍｎ、Ａｌ、ＣｕおよびＺｎのうちの少なくとも１種をさらに含んでいてもよい。

Ｃｏ含有スピネルフェライトは、例えば以下の式で表される平均組成を有する。
Ｃｏ_xＭ_yＦｅ₂Ｏ_Z
（但し、式中、Ｍは、例えば、Ｎｉ、Ｍｎ、Ａｌ、ＣｕおよびＺｎのうちの少なくとも１種の金属である。ｘは、０．４≦ｘ≦１．０の範囲内の値である。ｙは、０≦ｙ≦０．３の範囲内の値である。但し、ｘ、ｙは（ｘ＋ｙ）≦１．０の関係を満たす。ｚは３≦ｚ≦４の範囲内の値である。Ｆｅの一部が他の金属元素で置換されていてもよい。）

磁性粉がコバルトフェライト粒子粉を含む場合、磁性粉の平均粒子サイズは、好ましくは２５ｎｍ以下、より好ましくは８ｎｍ以上２３ｎｍ以下、さらにより好ましくは８ｎｍ以上１２ｎｍ以下、特に好ましくは８ｎｍ以上１１ｎｍ以下である。磁性粉の平均粒子サイズが２５ｎｍ以下であると、高記録密度の磁気テープＭＴにおいて、さらに優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。一方、磁性粉の平均粒子サイズが８ｎｍ以上であると、磁性粉の分散性がより向上し、さらに優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。磁性粉の平均粒子サイズの算出方法は、磁性粉がε酸化鉄粒子粉を含む場合における磁性粉の平均粒子サイズの算出方法と同様である。

磁性粉の平均アスペクト比が、好ましくは１．０以上３．０以下、より好ましくは１．０以上２．５以下、さらにより好ましくは１．０以上２．１以下、特に好ましくは１．０以上１．８以下である。磁性粉の平均アスペクト比が１．０以上３．０以下の範囲内であると、磁性粉の凝集を抑制することができる。また、磁性層４３の形成工程において磁性粉を垂直配向させる際に、磁性粉に加わる抵抗を抑制することができる。したがって、磁性粉の垂直配向性を向上することができる。磁性粉の平均アスペクト比の算出方法は、磁性粉がε酸化鉄粒子粉を含む場合における磁性粉の平均アスペクト比の算出方法と同様である。

磁性粉の平均粒子体積は、好ましくは１５０００ｎｍ³以下、より好ましくは５００ｎｍ³以上１２０００ｎｍ³以下、特に好ましくは５００ｎｍ³以上１８００ｎｍ³以下、最も好ましくは５００ｎｍ³以上１５００ｎｍ³以下である。磁性粉の平均粒子体積が１５０００ｎｍ³以下であると、磁性粉の平均粒子サイズを２５ｎｍ以下とする場合と同様の効果が得られる。一方、磁性粉の平均粒子体積が５００ｎｍ³以上であると、磁性粉の平均粒子サイズを８ｎｍ以上とする場合と同様の効果が得られる。磁性分の平均粒子体積の算出方法は、ε酸化鉄粒子が立方体状を有している場合の平均粒子体積の算出方法と同様である。

（結着剤）
結着剤としては、例えば、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、反応型樹脂等が挙げられる。熱可塑性樹脂としては、例えば、塩化ビニル、酢酸ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル−アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル−アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル−塩化ビニル−塩化ビニリデン共重合体、アクリル酸エステル−アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル−塩化ビニリデン共重合体、メタクリル酸エステル−塩化ビニリデン共重合体、メタクリル酸エステル−塩化ビニル共重合体、メタクリル酸エステル−エチレン共重合体、ポリフッ化ビニル、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、ポリアミド樹脂、ポリビニルブチラール、セルロース誘導体（セルロースアセテートブチレート、セルロースダイアセテート、セルローストリアセテート、セルロースプロピオネート、ニトロセルロース）、スチレンブタジエン共重合体、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、アミノ樹脂、合成ゴム等が挙げられる。

熱硬化性樹脂としては、例えば、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン硬化型樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、アルキッド樹脂、シリコーン樹脂、ポリアミン樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂等が挙げられる。

上記の全ての結着剤には、磁性粉の分散性を向上させる目的で、−ＳＯ₃Ｍ、−ＯＳＯ₃Ｍ、−ＣＯＯＭ、Ｐ＝Ｏ（ＯＭ）₂（但し、式中Ｍは水素原子またはリチウム、カリウム、ナトリウム等のアルカリ金属を表す）や、−ＮＲ１Ｒ２、−ＮＲ１Ｒ２Ｒ３⁺Ｘ^-で表される末端基を有する側鎖型アミン、＞ＮＲ１Ｒ２⁺Ｘ^-で表される主鎖型アミン（但し、式中Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は水素原子または炭化水素基を表し、Ｘ^-はフッ素、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン元素イオン、無機イオンまたは有機イオンを表す。）、さらに−ＯＨ、−ＳＨ、−ＣＮ、エポキシ基等の極性官能基が導入されていてもよい。これら極性官能基の結着剤への導入量は、１０^-1〜１０^-8モル／ｇであるのが好ましく、１０^-2〜１０^-6モル／ｇであるのがより好ましい。

（潤滑剤）
潤滑剤は、例えば脂肪酸および脂肪酸エステルから選ばれる少なくとも１種、好ましくは脂肪酸および脂肪酸エステルの両方を含む。磁性層４３が潤滑剤を含むことが、特には磁性層４３が脂肪酸および脂肪酸エステルの両方を含むことが、磁気テープＭＴの走行安定性の向上に貢献する。より特には、磁性層４３が潤滑剤を含み且つ細孔を有することによって、良好な走行安定性が達成される。当該走行安定性の向上は、磁気テープＭＴの磁性層４３側表面の動摩擦係数が上記潤滑剤により、磁気テープＭＴの走行に適した値へ調整されるためと考えられる。

脂肪酸は、好ましくは下記の一般式（１）または（２）により示される化合物であってよい。例えば、脂肪酸として下記の一般式（１）により示される化合物および一般式（２）により示される化合物の一方が含まれていてよく、または両方が含まれていてもよい。

また、脂肪酸エステルは、好ましくは下記一般式（３）または（４）により示される化合物であってよい。例えば、脂肪酸エステルとして下記の一般式（３）により示される化合物および一般式（４）により示される化合物の一方が含まれていてよく、または両方が含まれていてもよい。

潤滑剤が、一般式（１）に示される化合物および一般式（２）に示される化合物のいずれか一方若しくは両方と、一般式（３）に示される化合物および一般式（４）に示される化合物のいずれか一方若しくは両方と、を含むことによって、磁気テープＭＴを繰り返しの記録または再生による動摩擦係数の増加を抑制することができる。

ＣＨ₃（ＣＨ₂）_kＣＯＯＨ ・・・（１）
（但し、一般式（１）において、ｋは１４以上２２以下の範囲、より好ましくは１４以上１８以下の範囲から選ばれる整数である。）

ＣＨ₃（ＣＨ₂）_nＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ₂）_mＣＯＯＨ ・・・（２）
（但し、一般式（２）において、ｎとｍとの和は１２以上２０以下の範囲、より好ましくは１４以上１８以下の範囲から選ばれる整数である。）

ＣＨ₃（ＣＨ₂）_pＣＯＯ（ＣＨ₂）_qＣＨ₃ ・・・（３）
（但し、一般式（３）において、ｐは１４以上２２以下、より好ましくは１４以上１８以下の範囲から選ばれる整数であり、且つ、ｑは２以上５以下の範囲、より好ましくは２以上４以下の範囲から選ばれる整数である。）

ＣＨ₃（ＣＨ₂）_rＣＯＯ−（ＣＨ₂）_sＣＨ（ＣＨ₃）₂ ・・・（４）
（但し、一般式（４）において、ｒは１４以上２２以下の範囲から選ばれる整数であり、ｓは１以上３以下の範囲から選ばれる整数である。）

（帯電防止剤）
帯電防止剤としては、例えば、カーボンブラック、天然界面活性剤、ノニオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤等が挙げられる。

（研磨剤）
研磨剤としては、例えば、α化率９０％以上のα−アルミナ、β−アルミナ、γ−アルミナ、炭化ケイ素、酸化クロム、酸化セリウム、α−酸化鉄、コランダム、窒化珪素、チタンカ−バイト、酸化チタン、二酸化珪素、酸化スズ、酸化マグネシウム、酸化タングステン、酸化ジルコニウム、窒化ホウ素、酸化亜鉛、炭酸カルシウム、硫酸カルシウム、硫酸バリウム、２硫化モリブデン、磁性酸化鉄の原料を脱水、アニール処理した針状α酸化鉄、必要によりそれらをアルミおよび／またはシリカで表面処理したもの等が挙げられる。

（硬化剤）
硬化剤としては、例えば、ポリイソシアネート等が挙げられる。ポリイソシアネートとしては、例えば、トリレンジイソシアネート（ＴＤＩ）と活性水素化合物との付加体等の芳香族ポリイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート（ＨＭＤＩ）と活性水素化合物との付加体等の脂肪族ポリイソシアネート等が挙げられる。これらポリイソシアネートの重量平均分子量は、１００〜３０００の範囲であることが望ましい。

（防錆剤）
防錆剤としては、例えばフェノール類、ナフトール類、キノン類、窒素原子を含む複素環化合物、酸素原子を含む複素環化合物、硫黄原子を含む複素環化合物等が挙げられる。

（非磁性補強粒子）
非磁性補強粒子として、例えば、酸化アルミニウム（α、βまたはγアルミナ）、酸化クロム、酸化珪素、ダイヤモンド、ガーネット、エメリー、窒化ホウ素、チタンカーバイト、炭化珪素、炭化チタン、酸化チタン（ルチル型またはアナターゼ型の酸化チタン）等が挙げられる。

（下地層）
下地層４２は、基体４１の表面の凹凸を緩和し、磁性層４３の表面の凹凸を調整するためのものである。下地層４２は、非磁性粉、結着剤および潤滑剤を含む非磁性層である。下地層４２は、磁性層４３の表面に潤滑剤を供給する。下地層４２が、必要に応じて、帯電防止剤、硬化剤および防錆剤等のうちの少なくとも１種の添加剤をさらに含んでいてもよい。

下地層４２の平均厚みは、好ましくは０．３μｍ以上２．０μｍ以下、より好ましくは０．５μｍ以上１．４μｍ以下である。なお、下地層４２の平均厚みは、磁性層４３の平均厚みｔ_mと同様にして求められる。但し、ＴＥＭ像の倍率は、下地層４２の厚みに応じて適宜調整される。下地層４２の平均厚みが２．０μｍ以下であると、外力による磁気テープＭＴの伸縮性がさらに高くなるため、テンション調整による磁気テープＭＴの幅の調整がさらに容易となる。

下地層４２は、複数の孔部を有していることが好ましい。これらの複数の孔部に潤滑剤が蓄えられることで、繰り返し記録または再生を行った後にも（すなわち磁気ヘッド５６を磁気テープＭＴの表面に接触させて繰り返し走行を行った後にも）、磁性層４３の表面と磁気ヘッドの間に対する潤滑剤の供給量の低下をさらに抑制することができる。したがって、動摩擦係数の増加をさらに抑制することができる。すなわち、さらに優れた走行安定性を得ることができる。

繰り返し記録または再生後における動摩擦係数の低下を抑制する観点からすると、下地層４２の孔部と磁性層４３の凹部４３Ａとがつながっていることが好ましい。ここで、下地層４２の孔部と磁性層４３の凹部４３Ａとがつながっているとは、下地層４２の複数の孔部のうちの一部のものと、磁性層４３の複数の凹部４３Ａのうちの一部のものとがつながっている状態を含むものとする。

磁性層４３の表面に対する潤滑剤の供給性を向上する観点からすると、複数の孔部は、磁性層４３の表面に対して垂直方向に延設されているものを含んでいることが好ましい。また、磁性層４３の表面に対する潤滑剤の供給性を向上する観点からすると、磁性層４３の表面に対して垂直方向に延設された下地層４２の孔部と、磁性層４３の表面に対して垂直方向に延設された磁性層４３の凹部４３Ａとがつながっていることが好ましい。

（非磁性粉）
非磁性粉は、例えば無機粒子粉または有機粒子粉の少なくとも１種を含む。また、非磁性粉は、カーボンブラック等の炭素粉を含んでいてもよい。なお、１種の非磁性粉を単独で用いてもよいし、２種以上の非磁性粉を組み合わせて用いてもよい。無機粒子は、例えば、金属、金属酸化物、金属炭酸塩、金属硫酸塩、金属窒化物、金属炭化物または金属硫化物等を含む。非磁性粉の形状としては、例えば、針状、球状、立方体状、板状等の各種形状が挙げられるが、これらの形状に限定されるものではない。

（結着剤、潤滑剤）
結着剤および潤滑剤は、上述の磁性層４３と同様である。

（添加剤）
帯電防止剤、硬化剤および防錆剤はそれぞれ、上述の磁性層４３と同様である。

（バック層）
バック層４４は、結着剤および非磁性粉を含む。バック層４４が、必要に応じて潤滑剤、硬化剤および帯電防止剤等のうちの少なくとも１種の添加剤をさらに含んでいてもよい。結着剤および非磁性粉は、上述の下地層４２と同様である。

非磁性粉の平均粒子サイズは、好ましくは１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下、より好ましくは１５ｎｍ以上１１０ｎｍ以下である。非磁性粉の平均粒子サイズは、上記の磁性粉の平均粒子サイズと同様にして求められる。非磁性粉が、２以上の粒度分布を有する非磁性粉を含んでいてもよい。

バック層４４の平均厚みの上限値は、好ましくは０．６μｍ以下である。バック層４４の平均厚みの上限値が０．６μｍ以下であると、磁気テープＭＴの平均厚みが５．６μｍ以下である場合でも、下地層４２や基体４１の厚みを厚く保つことができるので、磁気テープＭＴの記録再生装置５０内での走行安定性を保つことができる。バック層４４の平均厚みの下限値は特に限定されるものではないが、例えば０．２μｍ以上である。

バック層４４の平均厚みｔ_bは以下のようにして求められる。まず、磁気テープＭＴの平均厚みｔ_Tを測定する。平均厚みｔ_Tの測定方法は、以下の「磁気テープの平均厚み」に記載されている通りである。続いて、サンプルのバック層４４をＭＥＫ（メチルエチルケトン）または希塩酸等の溶剤で除去する。次に、Mitutoyo社製レーザーホロゲージ（LGH-110C）を用いて、サンプルの厚みを５点以上の位置で測定し、それらの測定値を単純に平均（算術平均）して、平均値ｔ_B［μｍ］を算出する。その後、以下の式よりバック層４４の平均厚みｔ_b［μｍ］を求める。なお、測定位置は、サンプルから無作為に選ばれるものとする。
ｔ_b［μｍ］＝ｔ_T［μｍ］−ｔ_B［μｍ］

バック層４４は、複数の突部４４Ａが設けられた表面を有している。複数の突部４４Ａは、磁気テープＭＴをロール状に巻き取った状態において、磁性層４３の表面に複数の凹部４３Ａを形成するためのものである。複数の凹部４３Ａは、例えば、バック層４４の表面から突出された複数の非磁性粒子により構成されている。

（磁気テープの平均厚み）
磁気テープＭＴの平均厚み（平均全厚）ｔ_Tの上限値が、５．６μｍ以下、好ましくは５．０μｍ以下、より好ましくは４．６μｍ以下、さらにより好ましくは４．４μｍ以下である。磁気テープＭＴの平均厚みｔ_Tが５．６μｍ以下であると、１データカートリッジ内に記録できる記録容量を一般的な磁気テープよりも高めることができる。磁気テープＭＴの平均厚みｔ_Tの下限値は特に限定されるものではないが、例えば３．５μｍ以上である。

磁気テープＭＴの平均厚みｔ_Tは以下のようにして求められる。まず、１／２インチ幅の磁気テープＭＴを準備し、それを２５０ｍｍの長さに切り出し、サンプルを作製する。次に、測定装置としてMitutoyo社製レーザーホロゲージ（LGH-110C）を用いて、サンプルの厚みを５点以上の位置で測定し、それらの測定値を単純に平均（算術平均）して、平均値ｔ_T［μｍ］を算出する。なお、測定位置は、サンプルから無作為に選ばれるものとする。

（保磁力Ｈｃ）
磁気テープＭＴの長手方向における磁性層４３の保磁力Ｈｃ２の上限値が、好ましくは２０００Ｏｅ以下、より好ましくは１９００Ｏｅ以下、さらにより好ましくは１８００Ｏｅ以下である。長手方向における磁性層４３の保磁力Ｈｃ２が２０００Ｏｅ以下であると、高記録密度であっても十分な電磁変換特性を有することができる。

磁気テープＭＴの長手方向に測定した磁性層４３の保磁力Ｈｃ２の下限値が、好ましくは１０００Ｏｅ以上である。長手方向に測定した磁性層４３の保磁力Ｈｃ２が１０００Ｏｅ以上であると、記録ヘッドからの漏れ磁束による減磁を抑制することができる。

上記の保磁力Ｈｃ２は以下のようにして求められる。まず、磁気テープＭＴが両面テープで３枚重ね合わされた後、φ６．３９ｍｍのパンチで打ち抜かれて、測定サンプルが作製される。この際に、磁気テープＭＴの長手方向（走行方向）が認識できるように、磁性を持たない任意のインクでマーキングを行う。そして、振動試料型磁力計（Vibrating Sample Magnetometer：ＶＳＭ）を用いて磁気テープＭＴの長手方向（走行方向）に対応する測定サンプル（磁気テープＭＴ全体）のＭ−Ｈループが測定される。次に、アセトンまたはエタノール等が用いられて塗膜（下地層４２、磁性層４３およびバック層４４等）が払拭され、基体４１のみが残される。そして、得られた基体４１が両面テープで３枚重ね合わされた後、φ６．３９ｍｍのパンチで打ち抜かれて、バックグラウンド補正用のサンプル（以下、単に「補正用サンプル」）が作製される。その後、ＶＳＭを用いて基体４１の垂直方向（磁気テープＭＴの垂直方向）に対応する補正用サンプル（基体４１）のＭ−Ｈループが測定される。

測定サンプル（磁気テープＭＴの全体）のＭ−Ｈループ、補正用サンプル（基体４１）のＭ−Ｈループの測定においては、東英工業社製の高感度振動試料型磁力計「ＶＳＭ−Ｐ７−１５型」が用いられる。測定条件は、測定モード：フルループ、最大磁界：１５ｋＯｅ、磁界ステップ：４０ｂｉｔ、Time constant of Locking amp：０．３ｓｅｃ、Waiting time：１ｓｅｃ、ＭＨ平均数：２０とされる。

測定サンプル（磁気テープＭＴの全体）のＭ−Ｈループおよび補正用サンプル（基体４１）のＭ−Ｈループが得られた後、測定サンプル（磁気テープＭＴの全体）のＭ−Ｈループから補正用サンプル（基体４１）のＭ−Ｈループが差し引かれることで、バックグラウンド補正が行われ、バックグラウンド補正後のＭ−Ｈループが得られる。このバックグラウンド補正の計算には、「ＶＳＭ−Ｐ７−１５型」に付属されている測定・解析プログラムが用いられる。得られたバックグラウンド補正後のＭ−Ｈループから保磁力Ｈｃ２が求められる。なお、この計算には、「ＶＳＭ−Ｐ７−１５型」に付属されている測定・解析プログラムが用いられる。なお、上記のＭ−Ｈループの測定はいずれも、２５℃にて行われるものとする。また、Ｍ−Ｈループを磁気テープＭＴの長手方向に測定する際の“反磁界補正”は行わないものとする。

（角形比）
磁気テープＭＴの垂直方向（厚み方向）における磁性層４３の角形比Ｓ１が、好ましくは６５％以上、より好ましくは７０％以上、さらにより好ましくは７５％以上、特に好ましくは８０％以上、最も好ましくは８５％以上である。角形比Ｓ１が６５％以上であると、磁性粉の垂直配向性が十分に高くなるため、さらに優れた電磁変換特性を得ることができる。

垂直方向における角形比Ｓ１は以下のようにして求められる。まず、磁気テープＭＴが両面テープで３枚重ね合わされた後、φ６．３９ｍｍのパンチで打ち抜かれて、測定サンプルが作製される。この際に、磁気テープＭＴの長手方向（走行方向）が認識できるように、磁性を持たない任意のインクでマーキングを行う。そして、ＶＳＭを用いて磁気テープＭＴの垂直方向（厚み方向）に対応する測定サンプル（磁気テープＭＴの全体）のＭ−Ｈループが測定される。次に、アセトンまたはエタノール等が用いられて塗膜（下地層１２、磁性層４３およびバック層１４等）が払拭され、基体４１のみが残される。そして、得られた基体４１が両面テープで３枚重ね合わされた後、φ６．３９ｍｍのパンチで打ち抜かれて、バックグラウンド補正用のサンプル（以下、単に「補正用サンプル」）とされる。その後、ＶＳＭを用いて基体４１の垂直方向（磁気テープＭＴの垂直方向）に対応する補正用サンプル（基体４１）のＭ−Ｈループが測定される。

測定サンプル（磁気テープＭＴの全体）のＭ−Ｈループ、補正用サンプル（基体４１）のＭ−Ｈループの測定においては、東英工業社製の高感度振動試料型磁力計「ＶＳＭ−Ｐ７−１５型」が用いられる。測定条件は、測定モード：フルループ、最大磁界：１５ｋＯｅ、磁界ステップ：４０ｂｉｔ、Time constant of Locking amp：０．３ｓｅｃ、Waiting time：１ｓｅｃ、ＭＨ平均数：２０とされる。

測定サンプル（磁気テープＭＴの全体）のＭ−Ｈループおよび補正用サンプル（基体４１）のＭ−Ｈループが得られた後、測定サンプル（磁気テープＭＴの全体）のＭ−Ｈループから補正用サンプル（基体４１）のＭ−Ｈループが差し引かれることで、バックグラウンド補正が行われ、バックグラウンド補正後のＭ−Ｈループが得られる。このバックグラウンド補正の計算には、「ＶＳＭ−Ｐ７−１５型」に付属されている測定・解析プログラムが用いられる。

得られたバックグラウンド補正後のＭ−Ｈループの飽和磁化Ｍｓ（ｅｍｕ）および残留磁化Ｍｒ（ｅｍｕ）が以下の式に代入されて、角形比Ｓ１（％）が計算される。なお、上記のＭ−Ｈループの測定はいずれも、２５℃にて行われるものとする。また、Ｍ−Ｈループを磁気テープＭＴの垂直方向に測定する際の“反磁界補正”は行わないものとする。なお、この計算には、「ＶＳＭ−Ｐ７−１５型」に付属されている測定・解析プログラムが用いられる。
角形比Ｓ１（％）＝（Ｍｒ／Ｍｓ）×１００

磁気テープＭＴの長手方向（走行方向）における磁性層４３の角形比Ｓ２が、好ましくは３５％以下、より好ましくは３０％以下、さらにより好ましくは２５％以下、特に好ましくは２０％以下、最も好ましくは１５％以下である。角形比Ｓ２が３５％以下であると、磁性粉の垂直配向性が十分に高くなるため、さらに優れた電磁変換特性を得ることができる。

長手方向における角形比Ｓ２は、Ｍ−Ｈループを磁気テープＭＴおよび基体４１の長手方向（走行方向）に測定すること以外は角形比Ｓ１と同様にして求められる。

（Ｈｃ２／Ｈｃ１）
垂直方向における磁性層４３の保磁力Ｈｃ１と、長手方向における磁性層４３の保磁力Ｈｃ２の比Ｈｃ２／Ｈｃ１が、Ｈｃ２／Ｈｃ１≦０．８、好ましくはＨｃ２／Ｈｃ１≦０．７５、より好ましくはＨｃ２／Ｈｃ１≦０．７、さらにより好ましくはＨｃ２／Ｈｃ１≦０．６５、特に好ましくはＨｃ２／Ｈｃ１≦０．６の関係を満たす。保磁力Ｈｃ１、Ｈｃ２がＨｃ２／Ｈｃ１≦０．８の関係を満たすことで、磁性粉の垂直配向度を高めることができる。したがって、磁化遷移幅を低減し、かつ信号再生時に高出力の信号を得ることができるので、さらに優れた電磁変換特性を得ることができる。なお、上述したように、Ｈｃ２が小さいと、記録ヘッドからの垂直方向の磁界により感度良く磁化が反応するため、良好な記録パターンを形成することができる。

比Ｈｃ２／Ｈｃ１がＨｃ２／Ｈｃ１≦０．８である場合、磁性層４３の平均厚みｔ_mが９０ｎｍ以下であることが特に有効である。磁性層４３の平均厚みｔ_mが９０ｎｍを超えると、記録ヘッドとしてリング型ヘッドを用いた場合に、磁性層４３の下部領域（下地層４２側の領域）が長手方向に磁化されてしまい、磁性層４３を厚み方向に均一に磁化することができなくなる虞がある。したがって、比Ｈｃ２／Ｈｃ１をＨｃ２／Ｈｃ１≦０．８としても（すなわち、磁性粉の垂直配向度を高めても）、さらに優れた電磁変換特性を得られなくなる虞がある。

Ｈｃ２／Ｈｃ１の下限値は特に限定されるものではないが、例えば０．５≦Ｈｃ２／Ｈｃ１である。なお、Ｈｃ２／Ｈｃ１は磁性粉の垂直配向度を表しており、Ｈｃ２／Ｈｃ１が小さいほど磁性粉の垂直配向度が高くなる。

長手方向における磁性層４３の保磁力Ｈｃ２の算出方法は、上述した通りである。垂直方向における磁性層４３の保磁力Ｈｃ１は、Ｍ−Ｈループを磁気テープＭＴおよび基体４１の垂直方向（厚み方向）に測定すること以外は長手方向における磁性層４３の保磁力Ｈｃ２と同様にして求められる。

（活性化体積Ｖ_act）
活性化体積Ｖ_actが、好ましくは８０００ｎｍ³以下、より好ましくは６０００ｎｍ³以下、さらにより好ましくは５０００ｎｍ³以下、特に好ましくは４０００ｎｍ³以下、最も好ましくは３０００ｎｍ³以下である。活性化体積Ｖ_actが８０００ｎｍ³以下であると、磁性粉の分散状態が良好になるため、ビット反転領域を急峻にすることができ、記録ヘッドからの漏れ磁界により、隣接するトラックに記録された磁化信号が劣化することを抑制できる。したがって、さらに優れた電磁変換特性が得られなくなる虞がある。

上記の活性化体積Ｖ_actは、Ｓｔｒｅｅｔ＆Ｗｏｏｌｌｅｙにより導出された下記の式により求められる。
Ｖ_act（ｎｍ³）＝ｋ_B×Ｔ×Χ_irr／（μ₀×Ｍｓ×Ｓ）
（但し、ｋ_B：ボルツマン定数（１．３８×１０^-23Ｊ／Ｋ）、Ｔ：温度（Ｋ）、Χ_irr：非可逆磁化率、μ₀：真空の透磁率、Ｓ：磁気粘性係数、Ｍｓ：飽和磁化（ｅｍｕ／ｃｍ³））

上記式に代入される非可逆磁化率Χ_irr、飽和磁化Ｍｓおよび磁気粘性係数Ｓは、ＶＳＭを用いて以下のようにして求められる。なお、ＶＳＭによる測定方向は、磁気テープＭＴの厚み方向（垂直方向）とする。また、ＶＳＭによる測定は、長尺状の磁気テープＭＴから切り出された測定サンプルに対して２５℃にて行われるものとする。また、Ｍ−Ｈループを磁気テープＭＴの厚み方向（垂直方向）に測定する際の“反磁界補正”は行わないものとする。

（非可逆磁化率Χ_irr）
非可逆磁化率Χ_irrは、残留磁化曲線（ＤＣＤ曲線）の傾きにおいて、残留保磁力Ｈｒ付近における傾きと定義される。まず、磁気テープＭＴ全体に−１１９３ｋＡ／ｍ（１５ｋＯｅ）の磁界を印加し、磁界をゼロに戻し残留磁化状態とする。その後、反対方向に約１５．９ｋＡ／ｍ（２００Ｏｅ）の磁界を印加し再びゼロに戻し残留磁化量を測定する。その後も同様に、先ほどの印加磁界よりもさらに１５．９ｋＡ／ｍ大きい磁界を印加しゼロに戻す測定を繰り返し行い、印加磁界に対して残留磁化量をプロットしＤＣＤ曲線を測定する。得られたＤＣＤ曲線から、磁化量ゼロとなる点を残留保磁力Ｈｒとし、さらにＤＣＤ曲線を微分し、各磁界におけるＤＣＤ曲線の傾きを求める。このＤＣＤ曲線の傾きにおいて、残留保磁力Ｈｒ付近の傾きがΧ_irrとなる。

（飽和磁化Ｍｓ）
まず、上記の角形比Ｓ１の測定方法と同様にして、バックグラウンド補正後のＭ−Ｈループを得る。次に、得られたＭ−Ｈループの飽和磁化Ｍｓ（ｅｍｕ）の値と、測定サンプル中の磁性層４３の体積（ｃｍ³）から、Ｍｓ（ｅｍｕ／ｃｍ³）を算出する。なお、磁性層４３の体積は測定サンプルの面積に磁性層４３の平均厚みｔ_mを乗ずることにより求められる。磁性層４３の体積の算出に必要な磁性層４３の平均厚みｔ_mの算出方法は、上述した通りである。

（磁気粘性係数Ｓ）
まず、磁気テープＭＴ（測定サンプル）全体に−１１９３ｋＡ／ｍ（１５ｋＯｅ）の磁界を印加し、磁界をゼロに戻し残留磁化状態とする。その後、反対方向に、ＤＣＤ曲線より得られた残留保磁力Ｈｒの値と同等の磁界を印加する。磁界を印加した状態で１０００秒間、磁化量を一定の時間間隔で継続的に測定する。このようにして得られた、時間ｔと磁化量Ｍ（ｔ）の関係を以下の式に照らし合わせて、磁気粘性係数Ｓを算出する。
Ｍ（ｔ）＝Ｍ０＋Ｓ×ｌｎ（ｔ）
（但し、Ｍ（ｔ）：時間ｔの磁化量、Ｍ０：初期の磁化量、Ｓ：磁気粘性係数、ｌｎ（ｔ）：時間の自然対数）

（バック面の表面粗度Ｒ_b）
バック面の表面粗度（バック層４４の表面粗度）Ｒ_bが、Ｒ_b≦６．０［ｎｍ］であることが好ましい。バック面の表面粗度Ｒ_bが上記範囲であると、さらに優れた電磁変換特性を得ることができる。

バック面の表面粗度Ｒ_bは以下のようにして求められる。まず、１２．６５ｍｍ幅の磁気テープＭＴを準備し、それを１００ｍｍの長さに切り出し、サンプルを作製する。次に、サンプルの被測定面（磁性層側の表面）が上になるようにスライドグラスに乗せ、サンプルの端部をメンディングテープで固定する。測定装置としてVertScan（対物レンズ５０倍）を用いて表面形状を測定し、ＩＳＯ ２５１７８の規格に基づいて以下の式からバック面の表面粗度Ｒ_bを求める。
装置：光干渉を用いた非接触粗度計
（株式会社菱化システム製 非接触表面・層断面形状計測システム VertScan R5500GL-M100-AC）
対物レンズ：２０倍
測定領域：６４０×４８０ピクセル（視野：約２３７μｍ×１７８μｍ視野）
測定モード：ｐｈａｓｅ
波長フィルター：５２０ｎｍ
ＣＣＤ：１／３レンズ
ノイズ除去フィルター：スムージング３×３
面補正：２次多項式近似面にて補正
測定ソフトウエア：VS-Measure Version5.5.2
解析ソフトウエア：VS-viewer Version5.5.5

上述のようにして、長手方向で少なくとも５点以上の位置にて面粗度を測定したのち、
各位置で得られた表面プロファイルから自動計算されたそれぞれの算術平均粗さＳ_a（ｎｍ）の平均値をバック面の表面粗度Ｒ_b（ｎｍ）とする。

（磁気テープの長手方向のヤング率）
磁気テープＭＴの長手方向のヤング率は、好ましくは８．０ＧＰａ以下、より好ましくは７．９ＧＰａ以下、さらにより好ましくは７．５ＧＰａ以下、特に好ましくは７．１ＧＰａ以下である。磁気テープＭＴの長手方向のヤング率が８．０ＧＰａ以下であると、外力による磁気テープＭＴの伸縮性がさらに高くなるため、テンション調整による磁気テープＭＴの幅の調整がさらに容易となる。したがって、オフトラックをさらに適切に抑制することができ、磁気テープＭＴに記録されたデータをさらに正確に再生することが可能となる。

磁気テープＭＴの長手方向のヤング率は、外力による磁気テープＭＴの長手方向における伸縮のし難さを示す値であり、この値が大きいほど外力により磁気テープＭＴは長手方向に伸縮し難く、この値が小さいほど外力により磁気テープＭＴは長手方向に伸縮しやすい。

なお、磁気テープＭＴの長手方向のヤング率は、磁気テープＭＴの長手方向に関する値であるが、磁気テープＭＴの幅方向の伸縮のし難さとも相関がある。つまり、この値が大きいほど磁気テープＭＴは外力により幅方向に伸縮し難く、この値が小さいほど磁気テープＭＴは外力により幅方向に伸縮しやすい。したがって、テンション調整の観点から、磁気テープＭＴの長手方向のヤング率は、小さい方が有利である。

ヤング率の測定には引っ張り試験機（島津製作所製、AG-100D）を用いる。テープ長手方向のヤング率を測定したい場合は、テープを１８０ｍｍの長さにカットして測定サンプルを準備する。上記引っ張り試験機にテープの幅（１／２インチ）を固定できる冶具を取り付け、テープ幅の上下を固定する。距離（チャック間のテープの長さ）は１００ｍｍにする。テープサンプルをチャック後、サンプルを引っ張る方向に応力を徐々にかけていく。引っ張り速度は０．１ｍｍ／ｍｉｎとする。この時の応力の変化と伸び量から、以下の式を用いてヤング率を計算する。
Ｅ（Ｎ／ｍ²）＝（（ΔＮ／Ｓ）／（Δｘ／Ｌ））×１０⁶
ΔＮ：応力の変化（Ｎ）
Ｓ：試験片の断面積（ｍｍ²）
Δｘ：伸び量（ｍｍ）
Ｌ：つかみ治具間距離（ｍｍ）
応力の範囲としては０．５Ｎから１．０Ｎとし、この時の応力変化（ΔＮ）と伸び量（Δｘ）を計算に使用する。

（基体の長手方向のヤング率）
基体４１の長手方向のヤング率は、好ましくは７．５ＧＰａ以下、より好ましくは７．４ＧＰａ以下、さらにより好ましくは７．０ＧＰａ以下、特に好ましくは６．６ＧＰａ以下である。基体４１の長手方向のヤング率が７．５ＧＰａ以下であると、外力による磁気テープＭＴの伸縮性がさらに高くなるため、テンション調整による磁気テープＭＴの幅の調整がさらに容易となる。したがって、オフトラックをさらに適切に抑制することができ、磁気テープＭＴに記録されたデータをさらに正確に再生することが可能となる。

上記の基体４１の長手方向のヤング率は、次のようにして求められる。まず、磁気テープＭＴから下地層４２、磁性層４３およびバック層４４を除去し、基体４１を得る。この基体４１を用いて、上記の磁気テープＭＴの長手方向のヤング率と同様の手順で基体４１の長手方向のヤング率を求める。

基体４１の厚さは、磁気テープＭＴの全体の厚さの半分以上を占めている。したがって、基体４１の長手方向のヤング率は、外力による磁気テープＭＴの伸縮し難さと相関があり、この値が大きいほど磁気テープＭＴは外力により幅方向に伸縮し難く、この値が小さいほど磁気テープＭＴは外力により幅方向に伸縮しやすい。

なお、基体４１の長手方向のヤング率は、磁気テープＭＴの長手方向に関する値であるが、磁気テープＭＴの幅方向の伸縮のし難さとも相関がある。つまり、この値が大きいほど磁気テープＭＴは外力により幅方向に伸縮し難く、この値が小さいほど磁気テープＭＴは外力により幅方向に伸縮しやすい。したがって、テンション調整の観点から、基体４１の長手方向のヤング率は、小さい方が有利である。

（磁性層の表面の凹部）
複数の凹部４３Ａは、図４Ｂに示すように、磁性層４３の平均厚みｔ_mの２０％以上に相当する深さを有する複数の凹部４３Ｂを含む。複数の凹部４３Ａが複数の凹部４３Ｂを含むことで、磁気テープＭＴの走行時に複数の凹部４３Ｂにエアが逃げるため、磁気テープＭＴの表面とヘッドの間の距離を接近させることができる。

磁性層４３の表面の単位面積１６００μｍ²あたりの凹部４３Ｂの個数が、２０個以上２００個以下、好ましくは４０個以上２００個以下、より好ましくは８０個以上１８０個以下である。上記凹部４３Ｂの個数が２０個未満であると、磁気テープＭＴの走行時にエアをヘッドと磁気テープＭＴの間に安定し保持できなくなるので、ヘッドと磁気テープＭＴの間の距離を安定して保持することができなくなる。したがって、電磁変換特性が低下する。一方、上記凹部４３Ｂの個数が２００個を超えると、磁気テープＭＴの走行時にヘッドが磁気テープＭＴに密着しすぎるため、ヘッドと磁気テープＭＴの間の動摩擦係数が上昇する。以下では、磁性層４３の表面の単位面積１６００μｍ²あたりの凹部４３Ｂの個数を単に「単位面積の凹部４３Ｂの個数」という場合がある。

単位面積の凹部４３Ｂの個数は以下のようにして求められる。磁性層４３の表面をＡＦＭにより観察し、４０μｍ×４０μｍのＡＦＭ像を得る。ＡＦＭとしてはDigital Instruments社製Dimension3100、ＮａｎｏＳｃｏｐｅＩＩＩａとその解析ソフトを用い、カンチレバーとしてはシリコン単結晶製のものを用い（注１）、タッピング周波数として、200-400Hzのチューニングにて測定を行う。次に、ＡＦＭ像を512×512（＝262,144）個の測定点に分割し、各測定点にて高さＺ（ｉ）（ｉ：測定点番号、ｉ＝１〜262,144）を測定し、測定した各測定点の高さＺ（ｉ）を単純に平均（算術平均）して平均高さ（基準面）Ｚ_ave（＝（Ｚ（１）＋Ｚ（２）＋・・・＋Ｚ（262,144））／262,144）を求める。この際には、画像処理として、Flatten order 2及びplanefit order 3 XYによりフィルタリング処理を行ったものをデータとして用いる。
（注１）Nano World社製 SPMプローブ NCH ノーマルタイプ PointProbe L（カンチレバー長）＝１２５μｍ

図９Ａは、拡大観察した磁性層４３の表面の一例である。図９Ａにおいて、ＸＹ面が磁性層４３の表面の広がる方向であり、例えば４０μｍ×４０μｍ＝１６００μｍ²の表面積を有する領域である。また、図９ＡにおいてＺ軸が凹部４３Ａの深さを表している。４０μｍ×４０μｍ＝１６００μｍ²の表面積を有する領域において、磁性層４３の平均厚み（例えば７０ｎｍ）の２０％以上に相当する基準面からの深さを有する凹部４３Ａの個数をカウントすることで求める。図９Ｂは、図９Ａに示した１６００μｍ²の表面積を有する領域における、複数の凹部４３Ａの分布を模式的に表している。具体的には、図９ＡのＩＸＢ−ＩＸＢ切断線に沿った断面の一部を表している。図９Ｂにおいて、縦軸はＺ軸に沿った凹部４３Ａの深さに対応しており、具体的には、磁性層４３の平均厚み（例えば７０ｎｍ）に対する凹部４３Ａの深さの割合［％］を表している。図９Ｂの断面においては、磁性層４３の平均厚み（例えば７０ｎｍ）の２０％以上に相当する深さを有する凹部４３Ｂの個数は、凹部４３Ｂ−１，４３Ｂ−２の２個である。図１０は、図９Ａに示した１６００μｍ²の表面積を有する領域における、複数の凹部４３Ａの分布を模式的に表している。図９に示した例では、磁性層４３の平均厚み（例えば７０ｎｍ）の２０％以上に相当する深さを有する凹部４３Ｂの個数は、３３個である。なお、図１０に示した凹部４３Ａは図９Ａに示した凹部４３Ａに対応し、図１０に示した凹部４３Ｂ−１および凹部４３Ｂ−２はそれぞれ図９Ｂに示した凹部４３Ｂ−１および凹部４３Ｂ−２に対応している。なお、磁性層４３の平均厚みｔ_mの算出方法は上述した通りである。

（潤滑剤染み出し量）
真空中の磁性層４３の表面における、単位領域１２．５μｍ×９．３μｍあたりの潤滑剤の染み出し量（染み出し面積）が、３．０μｍ²以上６．５μｍ²以下、好ましくは３．５μｍ²以上６．５μｍ²以下である。真空中の磁性層４３の表面における潤滑剤の染み出し量は、磁気テープＭＴの走行時に供給可能な潤滑剤量に対応している。上記潤滑剤染み出し量（面積）が３．０μｍ²未満であると、磁性層４３の表面に存在する潤滑剤の量が少なすぎるため、繰り返し記録または再生を行うと、動摩擦係数が増加する。一方、上記潤滑剤染み出し量（面積）が６．５μｍ²を超えると、磁性層４３の表面に存在する潤滑剤の量が多すぎるため、磁性層４３の表面部分が潤滑剤により可塑化し、磁性層４３の表面の硬度が低下したような状態となる。したがって、磁気テープＭＴの走行時にヘッドが磁気テープＭＴに密着しすぎるため、動摩擦係数が増加する。以下では、真空中の磁性層４３の表面における、単位領域１２．５μｍ×９．３μｍあたりの潤滑剤の染み出し量のことを、単に「潤滑剤の染み出し量」という場合がある。

潤滑剤の染み出し量（面積）は以下のようにして求められる。まず、１／２インチ幅の磁気テープＭＴを５センチ切りとり、スライドグラスに貼りつけ、株式会社真空デバイス製、ＭＳＰ−１Ｓ型のマグネトロンスパッタ装置に設置する。磁性層４３の表面を上にして貼りつける。次に、スパッタ装置内を４Ｐａまで減圧する。その後、株式会社真空デバイス製のターゲット（Φ５１ｍｍ、厚さ０．１ｍｍ、材質：Ｐｔ−Ｐｄ）を６ｓｅｃ間、スパッタすることにより、Ｐｔ−Ｐｄ合金を磁性層４３の表面（磁性面）に形成する。潤滑剤が存在するところにはスパッタ膜は形成され難いのに対して、潤滑剤が存在しないところにはスパッタ膜は形成され易い。このため、潤滑剤が存在する部分と潤滑剤が存在しない部分とでスパッタ膜に偏在が生じる。次に、この磁性層４３の表面を走査型電子顕微鏡（Scanning Electron Microscope：ＳＥＭ）により、下記の条件で観察し、観察した表面のＳＥＭ像（白黒の濃淡像）のＴｉｆファイル（1260×960 pixel）を得る。なお、ＳＥＭ像中、黒く見えている箇所が、潤滑剤が存在している箇所に対応する。
装置：株式会社日立ハイテクノロジーズ製、Ｓ−４８００
加速電圧：５ｋＶ
倍率：１００００倍

次に、画像解析ソフト（ＩｍａｇｅＪ）を用いて、得られた単位領域１２．５μｍ×９．３μｍのＳＥＭ像（Ｔｉｆファイル）から潤滑剤の染み出し量（面積）を以下のようにして求める。まず、得られたＳＥＭ像のスケーリングを行う（スケーリングの設定条件：distance=504, known=5, pixel=1, unit=um（micrometer））。次に、スケーリング後のＳＥＭ像（白黒の濃淡像）を２５６階調に分割し、７０階調を閾値としてＳＥＭ像を２値化する。具体的には、画素が７０階調以下であれば画素を“黒”とし、画素が７０階調を超えれば画素を“白”とする。図１１Ａは、２値化後のＳＥＭ像の一例を示す。２値化により“黒”で表示された箇所が、磁性層４３の表面において潤滑剤が存在している箇所に対応する。

次に、ＩｍａｇｅＪのAnalyze Particles（粒子解析）により、２値化後のＳＥＭ像から、０．０２μｍ²以上の面積を有するドット（黒色部）の総面積を求める。ここで、０．０２μｍ²未満の面積を有するドットを除外するのは、０．０２μｍ²未満の面積を有するドットはカーボンブラック等の粒子である可能性があり、また、０．０２μｍ²未満の面積を有するドットが仮に潤滑剤であったとしても、走行性に与える影響が小さいためである。図１１Ｂは、０．０２μｍ²以上の面積を有するドットのアウトライン像の一例を示す。
Analyze Particlesの設定の詳細は以下の通りである。
Size：0.02-Infinity
Show：Outlines
スライドグラスの中から無作為に選択された３か所で上述の総面積の算出を行い、それらの算出結果を単純に平均（算術平均）して、潤滑剤の染み出し量とする。

（磁性層の表面の算術平均粗さ）
磁性層４３の表面の算術平均粗さＲａは、２．５ｎｍ以下、好ましくは２．２ｎｍ以下、より好ましくは１．９ｎｍ以下である。算術平均粗さＲａが２．５ｎｍ以下であると、スペーシングロスによる出力低下を抑制することができるため、優れた電磁変換特性を得ることができる。磁性層４３の表面の算術平均粗さＲａの下限値は、好ましくは１．０ｎｍ以上、より好ましくは１．２ｎｍ以上、さらにより好ましくは１．４ｎｍ以上である。磁性層４３の表面の算術平均粗さＲａの下限値が１．０ｎｍ以上であると、摩擦の増大による走行性の低下を抑制することができる。

算術平均粗さＲａは次のようにして求められる。まず、磁性層４３の表面をＡＦＭ（Atomic Force Microscope）により観察し、４０μｍ×４０μｍのＡＦＭ像を得る。ＡＦＭとしてはDigital Instruments社製、Nano Scope IIIa D3100を用い、カンチレバーとしてはシリコン単結晶製のものを用い(注１)、タッピング周波数として、２００〜４００Ｈｚのチューニングにて測定を行う。次に、ＡＦＭ像を５１２×５１２（＝２６２，１４４）個の測定点に分割し、各測定点にて高さＺ（ｉ）（ｉ：測定点番号、ｉ＝１〜２６２，１４４）を測定し、測定した各測定点の高さＺ（ｉ）を単純に平均（算術平均）して平均高さ（平均面）Ｚave（＝（Ｚ（１）＋Ｚ（２）＋・・・＋Ｚ（２６２，１４４））／２６２，１４４）を求める。続いて、各測定点での平均中心線からの偏差Ｚ”（ｉ）（＝Ｚ（ｉ）−Ｚave）を求め、算術平均粗さＲａ［ｎｍ］（＝（Ｚ”（１）＋Ｚ”（２）＋・・・＋Ｚ”（２６２，１４４））／２６２，１４４）を算出する。この際には、画像処理として、Flatten order2、ならびに、planefit order 3 XYによりフィルタリング処理を行ったものをデータとして用いる。
(注１)Nano World社製 SPMプローブ NCH ノーマルタイプ PointProbe L(カンチレバー長)＝１２５μｍ

（摩擦係数）
全面記録／全面再生を２回行った後の動摩擦係数μ_Bと、上記全面記録／全面再生を行う前の動摩擦係数μ_Aとの摩擦係数比（μ_B／μ_A）は、好ましくは２．０未満、より好ましくは１．５以下、さらにより好ましくは１．３以下、特に好ましくは１．１以下である。摩擦係数比（μ_B／μ_A）が２．０未満であると、３回目以降の記録再生において、貼り付きや走行不安定性によるデータ書き込みおよび読み取り不良の発生を抑制することができる。ここで、“全面記録／全面再生”とは、カートリッジの非圧縮最大容量（例えばＬＴＯ７であれば６ＴＢ）のデータを連続して書き込んだ後、書き込んだ情報をすべて再生することを意味する。“全面記録／全面再生”には、磁気ヘッド５６としては磁気テープＭＴに対応したドライブのものを用いられるものとする。また、“全面記録／全面再生”は、室温にて行われるものとする。

摩擦係数比（μ_B／μ_A）は以下の通りにして求められる。まず、磁気テープＭＴに全面記録／全面再生を２回行った後、カートリッジ１０から、１／２インチ幅の磁気テープＭＴを巻き出し、リーダーテープ部と磁気テープＭＴの接続部から２ｍの部分を「全面記録／全面再生を２回行う前の部分」（以下「未記録再生部分」という。）とする。また、リーダーテープ部と磁気テープＭＴの接続部から５０ｍの部分を「全面記録／全面再生を２回行った部分」（以下「記録再生部分」という。）とする。次に、図１２Ａに示すように、未記録再生部分の磁気テープＭＴを、互いに離間して平行に配置された１インチ径の円柱状の２本のガイドロール７３Ａおよび７３Ｂに磁性面が接触するように載せる。２本のガイドロール７３Ａおよび７３Ｂは、硬い板状部材７６に固定されており、これにより互いの位置関係が固定されている。

次いで、ＬＴＯ５ドライブに搭載されているヘッドブロック（記録再生用）７４に対し、磁気テープＭＴを、磁性面が接触するように且つ抱き角θ１（°）＝５．６°となるように接触させる。ヘッドブロック７４は、ガイドロール７３Ａおよび７３Ｂの略中心に配置される。ヘッドブロック７４は、抱き角θ１を変更することができるように、板状部材７６に移動可能に取り付けられているが、抱き角θ１（°）が５．６°となったらその位置が板状部材７６に対して固定され、これにより、ガイドロール７３Ａおよび７３Ｂとヘッドブロック７４との位置関係も固定される。

磁気テープＭＴの一端を、ジグ７２を介して可動式ストレインゲージ７１と繋ぐ。磁気テープＭＴは、図１２Ｂに示される通りにジグ７２に固定される。磁気テープＭＴの他端に錘７５を繋ぐ。錘７５によって、０．６Ｎのテンション（Ｔ₀［Ｎ］）が磁気テープＭＴの長手方向に付与される。可動式ストレインゲージ７１は、台７７上に固定されている。台７７と板状部材７６の位置関係も固定されており、これにより、ガイドロール７３Ａおよび７３Ｂ、ヘッドブロック７４、および可動式ストレインゲージ７１の位置関係が固定されている。

可動式ストレインゲージ７１によって、磁気テープＭＴが１０ｍｍ／ｓにて可動式ストレインゲージ７１へ向かうように、磁気テープＭＴをヘッドブロック７４上を６０ｍｍ摺動させ（往路）および可動式ストレインゲージから離れるように６０ｍｍ摺動させる（復路）。当該摺動時の可動式ストレインゲージ７１の出力値（電圧）を、事前に取得されている出力値と荷重との直線関係（後述する）に基づき、荷重Ｔ［Ｎ］に変換する。上記６０ｍｍの摺動の摺動開始から摺動停止までの間に、１３回Ｔ［Ｎ］を取得し、最初と最後の計２回を除いた１１個のＴ［Ｎ］を単純平均することによって、Ｔave［Ｎ］が得られる。その後、以下の式より動摩擦係数μ_Aを求める。

上記直線関係は以下の通りに得られる。すなわち、可動式ストレインゲージ７１に０．５Ｎの荷重をかけた場合と１．０Ｎの荷重をかけた場合のそれぞれについて、可動式ストレインゲージ７１の出力値（電圧）を得る。得られた２つの出力値と上記２つの荷重とから、出力値と荷重との直線関係が得られる。当該直線関係を用いて、上記の通り、摺動時の可動式ストレインゲージ７１による出力値（電圧）がＴ［Ｎ］に変換される。

次に、未記録再生部分の磁気テープＭＴから動摩擦係数μ_Aを求めたのと同様の手順で、記録再生部分の磁気テープＭＴから動摩擦係数μ_Bを求める。

以上の通りにして求めた動摩擦係数μ_Aおよび動摩擦係数μ_Bから、摩擦係数比（μ_B／μ_A）が算出される。

（磁化量の割合と角形比の積）
磁性層４３は、当該磁性層４３の上面に対して垂直な垂直方向の成分を含む第１の方向に磁性層４３の一部が磁化されてサーボ信号が記録され、サーボ信号が記録される前に、垂直方向の成分を含む、第１の方向とは反対方向の第２の方向に磁化されていてもよい。サーボ信号が記録された磁気テープＭＴは、磁気テープＭＴを回転させて磁化量を測定したときの磁化量の最大値を基準としたときの垂直方向における磁化量の割合と、上面に平行な長手方向における磁性層の角形比との積の絶対値が、５００以上２５００以下であることが好ましい。これにより、良好な対称性を有するサーボ信号の再生波形を得ることができる。

［磁気テープの製造方法］
次に、上述の構成を有する磁気テープＭＴの製造方法の一例について説明する。

（塗料の調製工程）
まず、非磁性粉および結着剤等を溶剤に混練、分散させることにより、下地層形成用塗料を調製する。次に、磁性粉および結着剤等を溶剤に混練、分散させることにより、磁性層形成用塗料を調製する。磁性層形成用塗料および下地層形成用塗料の調製には、例えば、以下の溶剤、分散装置および混練装置を用いることができる。

上述の塗料調製に用いられる溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、メタノール、エタノール、プロパノール等のアルコール系溶媒、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸プロピル、乳酸エチル、エチレングリコールアセテート等のエステル系溶媒、ジエチレングリコールジメチルエーテル、２−エトキシエタノール、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、メチレンクロライド、エチレンクロライド、四塩化炭素、クロロホルム、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素系溶媒等が挙げられる。これらは単独で用いてもよく、適宜混合して用いてもよい。

上述の塗料調製に用いられる混練装置としては、例えば、連続二軸混練機、多段階で希釈可能な連続二軸混練機、ニーダー、加圧ニーダー、ロールニーダー等の混練装置を用いることができるが、特にこれらの装置に限定されるものではない。また、上述の塗料調製に用いられる分散装置としては、例えば、ロールミル、ボールミル、横型サンドミル、縦型サンドミル、スパイクミル、ピンミル、タワーミル、パールミル（例えばアイリッヒ社製「ＤＣＰミル」等）、ホモジナイザー、超音波分散機等の分散装置を用いることができるが、特にこれらの装置に限定されるものではない。

（塗布工程）
次に、下地層形成用塗料を基体４１の一方の主面に塗布して乾燥させることにより、下地層４２を形成する。続いて、この下地層４２上に磁性層形成用塗料を塗布して乾燥させることにより、磁性層４３を下地層４２上に形成する。なお、乾燥の際に、例えばソレノイドコイルにより、磁性粉を基体４１の厚み方向に磁場配向させる。また、乾燥の際に、例えばソレノイドコイルにより、磁性粉を基体４１の走行方向（長手方向）に磁場配向させたのちに、基体４１の厚み方向に磁場配向させるようにしてもよい。このように長手方向に磁性粉を一旦配向させる処理を施すことで、磁性粉の垂直配向度（すなわち角形比Ｓ１）をさらに向上することができる。磁性層４３の形成後、基体４１の他方の主面にバック層４４を形成する。これにより、磁気テープＭＴが得られる。

角形比Ｓ１、Ｓ２は、例えば、磁性層形成用塗料の塗膜に印加される磁場の強度、磁性層形成用塗料中における固形分の濃度、磁性層形成用塗料の塗膜の乾燥条件（乾燥温度および乾燥時間）を調整することにより所望の値に設定される。塗膜に印加される磁場の強度は、磁性粉の保磁力の２倍以上３倍以下であることが好ましい。角形比Ｓ１をさらに高めるためには（すなわち角形比Ｓ２をさらに低めるためには）、磁性層形成用塗料中における磁性粉の分散状態を向上させることが好ましい。また、角形比Ｓ１をさらに高めるためには、磁性粉を磁場配向させるための配向装置に磁性層形成用塗料が入る前の段階で、磁性粉を磁化させておくことも有効である。なお、上記の角形比Ｓ１、Ｓ２の調整方法は単独で使用されてもよいし、２以上組み合わされて使用されてもよい。

潤滑剤の染み出し量は、磁性層形成用塗料の塗膜の乾燥温度を調整することにより規定の値に設定することが可能である。潤滑剤の染み出し量を３．０μｍ²以上６．５μｍ²以下にするためには、乾燥温度は、６０℃以上１２０℃以下の範囲であることが好ましく、乾燥時間は、５秒以上３０秒以下であることが好ましい。なお、乾燥温度が増加するほど、潤滑剤の染み出し量は増加する傾向にある。また、乾燥時間が増加するほど、潤滑剤の染み出し量は増加する傾向にある。

（カレンダー工程）
次に、得られた磁気テープＭＴにカレンダー処理を行い、磁性層４３の表面を平滑化する。

（転写工程）
次に、カレンダー処理が施された磁気テープＭＴをロール状に巻き取ったのち、この状態で磁気テープＭＴに加熱処理を行うことにより、バック層４４の表面の複数の突部４４Ａを磁性層４３の表面に転写する。これにより、磁性層４３の表面に複数の凹部４３Ａが形成される。

加熱処理の温度は、５５℃以上７５℃以下であることが好ましい。加熱処理の温度が５５℃以上であると、良好な転写性を得ることができる。一方、加熱処理の温度が７５℃を超えると、細孔量が多くなりすぎ、磁性層４３の表面の潤滑剤が過多になってしまう虞がある。ここで、加熱処理の温度は、磁気テープＭＴを保持する雰囲気の温度である。

加熱処理の時間は、１５時間以上４０時間以下であることが好ましい。加熱処理の時間が１５時間以上であると、良好な転写性を得ることができる。一方、加熱処理の時間が４０時間以下であると、生産性の低下を抑制することができる。

（裁断工程）
次に、磁気テープＭＴを所定の幅（例えば１／２インチ幅）に裁断する。以上により、磁気テープＭＴが得られる。

（消磁工程およびサーボパターンの書き込み工程）
次に、必用に応じて、磁気テープＭＴの消磁を行ったのち、磁気テープＭＴにサーボパターンを書き込んでもよい。

（単位面積の凹部の個数の調整方法）
単位面積の凹部４３Ｂの個数は、バック層４４が有する複数の突部４４Ａの高さ、および突部４４Ａの個数と、カレンダー処理の条件とを調整することにより規定の値に調整することが可能である。単位面積の凹部４３Ｂの個数を２０個以上２００個以下に設定するためには、カレンダー処理の温度は、８０℃以上１３０℃以下であることが好ましく、カレンダー処理の圧力は、７０ｋｇ／ｃｍ以上１３０ｋｇ／ｃｍ以下であることが好ましい。カレンダー処理の温度が高くなるほど、単位面積の凹部４３Ｂの個数が減少する傾向がある。カレンダー処理の圧力が高くなるほど、単位面積の凹部４３Ｂの個数が減少する傾向がある。

バック層４４が有する複数の突部４４Ａの高さ、および突部４４Ａの個数は、バック層４４における非磁性粉の含有量および非磁性粉の平均粒子サイズを調整することにより調整することが可能である。

［記録再生装置の構成］
記録再生装置５０は、上述の構成を有する磁気テープＭＴの記録および再生を行う。記録再生装置５０は、磁気テープＭＴの長手方向に加わるテンションを調整可能な構成を有している。また、記録再生装置５０は、カートリッジ１０を装填可能な構成を有している。ここでは、説明を容易とするために、記録再生装置５０が、１つのカートリッジ１０を装填可能な構成を有している場合について説明するが、記録再生装置５０が、複数のカートリッジ１０を装填可能な構成を有していてもよい。

記録再生装置５０は、ネットワーク６０を介してサーバ６１およびパーソナルコンピュータ（以下「ＰＣ」という。）６２等の情報処理装置に接続されており、これらの情報処理装置から供給されたデータをカートリッジ１０に記録可能に構成されている。また、これらの情報処理装置からの要求に応じて、カートリッジ１０からデータを再生し、これらの情報処理装置に供給可能に構成されている。記録再生装置５０の最短記録波長は、好ましくは９６ｎｍ以下、より好ましくは８８ｎｍ以下、さらにより好ましくは８０ｎｍ以下である。

記録再生装置５０は、図１に示すように、スピンドル５１と、記録再生装置５０側のリール５２と、スピンドル駆動装置５３と、リール駆動装置５４と、複数のガイドローラ５５と、磁気ヘッド（ヘッドユニット）５６と、通信部としてのリーダライタ５７と、通信インターフェース（以下、Ｉ／Ｆ）５８と、制御装置５９とを備えている。

スピンドル５１は、カートリッジ１０を装着可能に構成されている。磁気テープＭＴには、サーボ信号としてハの字状のサーボパターンが予め記録されている。リール５２は、テープローディング機構（図示せず）を介してカートリッジ１０から引き出された磁気テープＭＴの先端（リーダーピン２０）を固定可能に構成される。

スピンドル駆動装置５３は、制御装置５９からの命令に応じて、スピンドル５１を回転させる。リール駆動装置５４は、制御装置５９からの命令に応じて、リール５２を回転させる。複数のガイドローラ５５は、カートリッジ１０とリール５２との間に形成されるテープパスが磁気ヘッド５６に対して所定の相対位置関係となるように磁気テープＭＴの走行をガイドする。

磁気テープＭＴに対してデータの記録が行われる際、または磁気テープＭＴからデータの再生が行われる際には、スピンドル駆動装置５３およびリール駆動装置５４により、スピンドル５１およびリール５２が回転駆動され、磁気テープＭＴが走行する。磁気テープＭＴの走行方向は、順方向（カートリッジ１０側からリール５２側に流れる方向）および逆方向（リール５２側からカートリッジ１０側へ流れる方向）での往復が可能とされている。

本実施形態では、スピンドル駆動装置５３によるスピンドル５１の回転の制御、およびリール駆動装置５４によるリール５２の回転の制御により、データ記録時またはデータ再生時における磁気テープＭＴの長手方向のテンションが調整可能とされる。なお、磁気テープＭＴのテンション調整は、スピンドル５１およびリール５２の回転の制御に代えて、またはこの制御に加えて、ガイドローラ５５の移動の制御により行われてもよい。

リーダライタ５７は、制御装置５９からの命令に応じて、カートリッジメモリ１１に対して第１の情報および第２の情報を書き込むことが可能に構成されている。また、リーダライタ５７は、制御装置５９からの命令に応じて、カートリッジメモリ１１から第１の情報および第２の情報を読み出すことが可能に構成されている。リーダライタ５７とカートリッジメモリ１１との間の通信方式としては、例えば、ＩＳＯ１４４４３方式が採用される。第２の情報は、テンション調整情報を含む。テンション調整情報は、データ記録時情報の一例である。

制御装置５９は、例えば、制御部、記憶部、通信部等を含む。制御部は、例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）等により構成されており、記憶部に記憶されたプログラムに従い、記録再生装置５０の各部を制御する。例えば、制御装置５９は、サーバ６１およびＰＣ６２等の情報処理装置の要求に応じて、情報処理装置から供給されるデータ信号を磁気ヘッド５６により磁気テープＭＴに記録する。また、制御装置５９は、サーバ６１およびＰＣ６２等の情報処理装置の要求に応じて、磁気ヘッド５６により、磁気テープＭＴに記録されたデータ信号を再生し、情報処理装置に供給する。

記憶部は、各種のデータや各種のプログラムが記録される不揮発性のメモリと、制御部の作業領域として用いられる揮発性のメモリとを含む。上記各種のプログラムは、光ディスク等の可搬性の記録媒体または半導体メモリ等の可搬性の記憶装置から読み取られてもよいし、ネットワーク上のサーバ装置からダウンロードされてもよい。

制御装置５９は、磁気テープＭＴに対するデータの記録時または磁気テープＭＴからデータの再生時に、磁気ヘッド５６により、隣接する２本のサーボバンドＳＢに記録されたサーボ信号を読み取る。制御装置５９は、２本のサーボバンドＳＢから読み取られるサーボ信号を用いて、磁気ヘッド５６がサーボパターンを追従するように、磁気ヘッド５６の位置を制御する。

制御装置５９は、磁気テープＭＴに対するデータの記録時に、隣接する２本のサーボバンドＳＢから読み取られるサーボ信号の再生波形から、隣接する２本のサーボバンドＳＢ間の距離（磁気テープＭＴの幅方向における距離）ｄ１を求める。そして、求めた距離をリーダライタ５７によりメモリ３６に書き込む。

制御装置５９は、磁気テープＭＴからのデータの再生時に、隣接する２本のサーボバンドＳＢから読み取られるサーボ信号の再生波形から、隣接する２本のサーボバンドＳＢ間の距離（磁気テープＭＴの幅方向における距離）ｄ２を求める。それと共に、制御装置５９は、リーダライタ５７によりメモリ３６から、磁気テープＭＴに対するデータの記録時に求めた、隣接する２本のサーボバンドＳＢ間の距離ｄ１を読み出す。制御装置５９は、磁気テープＭＴに対するデータの記録時に求めたサーボバンドＳＢ間の距離ｄ１と、磁気テープＭＴからのデータの再生時に求めたサーボバンドＳＢ間の距離ｄ２との差分Δｄが規定の範囲内になるように、スピンドル駆動装置５３およびリール駆動装置５４の回転を制御し、磁気テープＭＴの長手方向にかかるテンションを調整する。このテンション調整の制御は、例えばフィードバック制御により行われる。

磁気ヘッド５６は、制御装置５９からの指令に応じて、磁気テープＭＴに対してデータを記録することが可能に構成されている。また、磁気ヘッド５６は、制御装置５９からの指令に応じて、磁気テープＭＴに記録されたデータを再生することが可能に構成されている。磁気ヘッド５６は、例えば、２つのサーボリードヘッド５６Ａ、５６Ｂおよび複数のデータライト／リードヘッド等を有している。

サーボリードヘッド５６Ａ、５６Ｂは、磁気テープＭＴに記録されたサーボ信号から発生する磁界をＭＲ素子（ＭＲ：Magneto Resistive）等により読み取ることで、サーボ信号を再生可能に構成されている。２つのサーボリードヘッド５６Ａ、５６Ｂの幅方向の間隔は、隣接する２本のサーボバンドＳＢ間の距離と略同じとされている。

データライト／リードヘッドは、２つのサーボリードヘッド５６Ａ、５６Ｂに挟み込まれる位置に、一方のサーボリードヘッド５６Ａ、５６Ｂから他方のサーボリードヘッド５６Ａ、５６Ｂに向かう方向に沿って等間隔に配置されている。データライト／リードヘッドは、磁気ギャップから発生する磁界によって、磁気テープＭＴに対してデータを記録することが可能に構成されている。また、データライト／リードヘッドは、磁気テープＭＴに記録されたデータから発生する磁界をＭＲ素子等により読み取ることで、データを再生可能に構成されている。

通信Ｉ／Ｆ５８は、サーバ６１およびＰＣ６２等の情報処理装置と通信するためのものであり、ネットワーク６０に対して接続される。

［データ記録時における記録再生装置の動作］
以下、図１３を参照して、データ記録時における記録再生装置５０の動作の一例について説明する。

まず、制御装置５９は、記録再生装置５０にカートリッジ１０をローディングする（ステップＳ１１）。次に、制御装置５９は、スピンドル５１およびリール５２の回転を制御し、磁気テープＭＴの長手方向に規定のテンションをかけながら磁気テープＭＴを走行させる。そして、制御装置５９は、磁気ヘッド５６のサーボリードヘッド５６Ａ、５６Ｂによりサーボ信号を読み取ると共に、磁気ヘッド５６のデータライト／リードヘッドにより磁気テープＭＴに対してデータを記録する（ステップＳ１２）。

このとき、磁気ヘッド５６は、磁気ヘッド５６の２つのサーボリードヘッド５６Ａ、５６Ｂにより隣接する２本のサーボバンドＳＢをトレースしながら、磁気ヘッド５６のデータライト／リードヘッドによりデータバンドＤＢに対してデータを記録する。

次に、制御装置５９は、磁気ヘッド５６のサーボリードヘッド５６Ａ、５６Ｂにより読み取られたサーボ信号の再生波形から、データ記録時における、隣接する２本のサーボバンドＳＢ間の距離ｄ１を求める（ステップＳ１３）。次に、制御装置５９は、リーダライタ５７により、データ記録時のサーボバンドＳＢ間の距離ｄ１をカートリッジメモリ１１に書き込む（ステップＳ１４）。制御装置５９は、サーボバンドＳＢ間の距離ｄ１を連続的に計測し、カートリッジメモリ１１に書き込んでもよいし、サーボバンド間の距離ｄ１を一定間隔で計測し、カートリッジメモリ１１に書き込んでもよい。サーボバンドＳＢ間の距離ｄ１を一定間隔で計測し、カートリッジメモリ１１に書き込む場合には、メモリ３６に書き込まれる情報量を低減することができる。

［データ再生時における記録再生装置の動作］
以下、図１４を参照して、データ再生時における記録再生装置５０の動作の一例について説明する。

まず、制御装置５９は、記録再生装置５０にカートリッジ１０をローディングする（ステップＳ２１）。次に、制御装置５９は、リーダライタ５７によりカートリッジメモリ１１から記録時のサーボバンド間の距離ｄ１を読み出す（ステップＳ２２）。

次に、制御装置５９は、スピンドル５１およびリール５２の回転を制御し、磁気テープＭＴの長手方向に規定のテンションをかけながら磁気テープＭＴを走行させる。そして、制御装置５９は、磁気ヘッド５６のサーボリードヘッド５６Ａ、５６Ｂによりサーボ信号を読み取ると共に、磁気ヘッド５６のデータライト／リードヘッドにより磁気テープＭＴからデータを再生する（ステップＳ２３）。

次に、制御装置５９は、磁気ヘッド５６のサーボリードヘッド５６Ａ、５６Ｂにより読み取られたサーボ信号の再生波形から、データ再生時における、隣接する２本のサーボバンドＳＢ間の距離ｄ２を算出する（ステップＳ２４）。

次に、制御装置５９は、ステップＳ２２において読み出したサーボバンド間の距離ｄ１と、ステップＳ２４において算出したサーボバンドＳＢ間の距離ｄ２との差分Δｄが規定値以内であるか否かを判断する（ステップＳ２５）。

ステップＳ２５にて差分Δｄが規定値以内であると判断された場合には、制御装置５９は、規定のテンションが維持されるように、スピンドル５１およびリール５２の回転を制御する（ステップＳ２６）。

一方、ステップＳ２５にて差分Δｄが規定値以内でないと判断された場合には、制御装置５９は、差分Δｄが小さくなるように、スピンドル５１およびリール５２の回転の制御し、走行する磁気テープＭＴにかかるテンションを調整し、処理をステップＳ２４に戻す（ステップＳ２７）。

［効果］
以上説明したように、第１の実施形態に係る磁気テープＭＴでは、磁性層４３の表面には、磁性層４３の平均厚みｔ_mの２０％以上に相当する深さを有する複数の凹部４３Ｂが設けられ、且つ、当該凹部４３Ｂの個数が、磁性層４３の表面の単位面積１６００μｍ²あたり２０個以上２００個以下である。また、真空中における磁性層４３の表面の潤滑剤染み出し量（面積）が、１２．５μｍ×９．３μｍあたり３．０μｍ²以上６．５μｍ²以下である。さらに、垂直方向における角形比Ｓ１が６５％以上である。これにより、良好な電磁変換特性を得ることができると共に、繰り返し記録または再生を行った後にも、動摩擦係数の増加を抑制することができる

また、第１の実施形態に係る磁気テープＭＴでは、磁気テープＭＴ（カートリッジ１０）の周囲の環境温度や湿度の変化に伴い、磁気テープＭＴの幅が変化した場合には、走行時に磁気テープＭＴの長手方向のテンションを記録再生装置５０により調整することで、磁気テープＭＴの幅を一定またはほぼ一定に保つことができる。したがって、環境温度や湿度の変化に起因するオフトラックを抑制することができる。

＜２ 第２の実施形態＞
［記録再生装置の構成］
図１５は、本開示の第２の実施形態に係る記録再生システム１００Ａの構成の一例を示す概略図である。記録再生システム１００Ａは、カートリッジ１０と、記録再生装置５０Ａとを備える。

記録再生装置５０Ａは、温度計６３と、湿度計６４とをさらに備える。温度計６３は、磁気テープＭＴ（カートリッジ１０）の周囲の温度を測定し、制御装置５９へ出力する。また、湿度計６４は、磁気テープＭＴ（カートリッジ１０）の周囲の湿度を測定し、制御装置５９へ出力する。

制御装置５９は、磁気テープＭＴに対するデータの記録時に、温度計６３および湿度計６４により、磁気テープＭＴ（カートリッジ１０）の周囲の温度Ｔｍ１および湿度Ｈ１を測定し、リーダライタ５７を介してカートリッジメモリ１１に書き込む。温度Ｔｍ１および湿度Ｈ１は、磁気テープＭＴの周囲の環境情報の一例である。

制御装置５９は、磁気テープＭＴに対するデータの記録時に、スピンドル５１およびリール５２の駆動データに基づいて、磁気テープＭＴの長手方向にかけられていたテンションＴｎ１を求め、リーダライタ５７を介してカートリッジメモリ１１に書き込む。

制御装置５９は、磁気テープＭＴに対するデータの記録時に、隣接する２本のサーボバンドＳＢから読み取られるサーボ信号の再生波形から、隣接する２本のサーボバンドＳＢ間の距離ｄ１を求める。そして、この距離ｄ１に基づいて、データ記録時の磁気テープＭＴの幅Ｗ１を算出し、リーダライタ５７によりメモリ３６に書き込む。

制御装置５９は、磁気テープＭＴからのデータの再生時に、温度計６３および湿度計６４により、磁気テープＭＴ（カートリッジ１０）の周囲の温度Ｔｍ２および湿度Ｈ２を測定する。

制御装置５９は、磁気テープＭＴからのデータの再生時に、スピンドル５１およびリール５２の駆動データに基づいて、磁気テープＭＴの長手方向にかけられていたテンションＴｎ２を求める。

制御装置５９は、磁気テープＭＴからのデータの再生時に、隣接する２本のサーボバンドＳＢから読み取られるサーボ信号の再生波形から、隣接する２本のサーボバンドＳＢ間の距離ｄ２を求める。そして、この距離ｄ２に基づいて、データ再生時の磁気テープＭＴの幅Ｗ２を算出する。

制御装置５９は、磁気テープＭＴからのデータの再生時に、リーダライタ５７を介してカートリッジメモリ１１から、データ記録時に書き込んだ温度Ｔｍ１、湿度Ｈ１、テンションＴｎ１および幅Ｗ１を読み出す。そして、制御装置５９は、データの記録時における温度Ｔｍ１、湿度Ｈ１、テンションＴｎ１および幅Ｗ１と、データの再生時における温度Ｔｍ２、湿度Ｈ２、テンションＴｎ２および幅Ｗ２を用いて、データ再生時における磁気テープＭＴの幅Ｗ２がデータ記録時における磁気テープの幅Ｗ１に等しくまたはほぼ等しくなるように、磁気テープＭＴにかけるテンションを制御する。

カートリッジメモリ１１のコントローラ３５は、アンテナコイル３１を介して記録再生装置５０Ａから受信した温度Ｔｍ１、湿度Ｈ１、テンションＴｎ１および幅Ｗ１をメモリ３６の第２の記憶領域３６Ｂに記憶する。カートリッジメモリ１１のコントローラ３５は、記録再生装置５０Ａからの要求に応じて、メモリ３６から温度Ｔｍ１、湿度Ｈ１、テンションＴｎ１および幅Ｗ１を読み出し、アンテナコイル３１を介して記録再生装置５０Ａに送信する。

［データ記録時における記録再生装置の動作］
以下、図１６を参照して、データ記録時における記録再生装置５０Ａの動作の一例について説明する。

まず、制御装置５９は、記録再生装置５０Ａにカートリッジ１０をローディングする（ステップＳ１０１）。次に、制御装置５９は、スピンドル５１およびリール５２の回転を制御し、磁気テープＭＴの長手方向に規定のテンションをかけながら磁気テープＭＴを走行させる。そして、制御装置５９は、磁気ヘッド５６により磁気テープＭＴに対してデータを記録する（ステップＳ１０２）。

次に、制御装置５９は、温度計６３および湿度計６４から、データ記録時における磁気テープＭＴの周囲の温度Ｔｍ１および湿度Ｈ１（環境情報）を取得する（ステップＳ１０３）。

次に、制御装置５９は、データ記録時におけるスピンドル５１およびリール５２の駆動データに基づいて、データ記録時において磁気テープＭＴの長手方向にかけられていたテンションＴｎ１を算出する（ステップＳ１０４）。

次に、制御装置５９は、磁気ヘッド５６のサーボリードヘッド５６Ａ、５６Ｂにより読み取られたサーボ信号の再生波形から、隣接する２本のサーボバンドＳＢの距離ｄ１を求める。次に、制御装置５９は、この距離ｄ１に基づいて、データ記録時の磁気テープＭＴの幅Ｗ１を算出する（ステップＳ１０５）。

次に、制御装置５９は、リーダライタ５７により、温度Ｔｍ１、湿度Ｈ１、テンションＴｎ１および磁気テープＭＴの幅Ｗ１をデータ記録時情報としてカートリッジメモリ１１に書き込む（ステップＳ１０６）。

［データ再生時における記録再生装置の動作］
以下、図１７を参照して、データ再生時における記録再生装置５０Ａの動作の一例について説明する。

まず、制御装置５９は、記録再生装置５０Ａにカートリッジ１０をローディングする（ステップＳ１１１）。次に、制御装置５９は、カートリッジメモリ１１に書き込まれたデータ記録時情報（温度Ｔｍ１、湿度Ｈ１、テンションＴｎ１および磁気テープＭＴの幅Ｗ１）を、リーダライタ５７によりカートリッジメモリ１１から読み出して取得する（ステップＳ１１２）。次に、制御装置５９は、温度計６３および湿度計６４により、データ再生時における現在の磁気テープＭＴの周囲の温度Ｔｍ２の情報および湿度Ｈ２の情報を取得する（ステップＳ１１３）。

次に、制御装置５９は、データ記録時における温度Ｔｍ１と、データ再生時における温度Ｔｍ２との温度差ＴｍＤ（ＴｍＤ＝Ｔｍ２−Ｔｍ１）を算出する（ステップＳ１１４）。また、制御装置５９は、データ記録時における湿度Ｈ１と、データ再生時における湿度Ｈ２との湿度差ＨＤ（ＨＤ＝Ｈ２−Ｈ１）を算出する（ステップＳ１１５）。

次に、制御装置５９は、温度差ＴｍＤに係数αを乗算し（ＴｍＤ×α）、湿度差ＨＤに係数βを乗算する（ＨＤ×β）（ステップＳ１１６）。係数αは、温度差１℃当たり、磁気テープＭＴのテンションをデータ記録時のテンションＴｎ１と比べてどの程度変更すればよいかを示す値である。係数βは、湿度差１％あたり、磁気テープＭＴのテンションをデータ記録時のテンションＴｎ１と比べてどの程度変更すればよいかを示す値である。

次に、制御装置５９は、データ記録時におけるテンションＴｎ１に対して、ＴｍＤ×αの値と、ＨＤ×βの値とを加算することで、データ再生時（現在）において、磁気テープＭＴの長手方向にかけるべきテンションＴｎ２を算出する（ステップＳ１１７）。
Ｔｎ２＝Ｔｎ１＋ＴｍＤ×α＋ＨＤ×β

データ再生時における磁気テープＭＴのテンションＴｎ２を決定した後、制御装置５９は、スピンドル５１およびリール５２の回転を制御し、そのテンションＴｎ２で磁気テープＭＴが走行するように磁気テープＭＴの走行を制御する。そして、制御装置５９は、磁気ヘッド５６のサーボリードヘッド５６Ａ、５６ＢによりサーボバンドＳＢのサーボ信号を読み取りながら、磁気ヘッド５６のデータライト／リードヘッドにより、データトラックＴｋに記録されたデータの再生を行う（ステップＳ１１８）。

このとき、磁気テープＭＴのテンションの調整により、磁気テープＭＴの幅がデータ記録時の幅に合わせられているので、磁気ヘッド５６のデータライト／リードヘッドは、データトラックＴｋに対して正確に位置合わせすることができる。これにより、何らかの原因（例えば、温度、湿度の変動）で、磁気テープＭＴの幅が変動したような場合でも、磁気テープＭＴに記録されたデータを正確に再生することができる。

なお、データ再生時（現在）において、磁気テープＭＴにかけるべきテンションＴｎ２の値は、データ再生時の温度の方がデータ記録時の温度よりも高ければ高くなる。このため、温度が高くなり、データ記録時よりも磁気テープＭＴの幅が広くなってしまった場合には、磁気テープＭＴの幅を狭めてデータ再生時と同じ幅を再現することができる。

逆に、データ再生時（現在）において、磁気テープＭＴにかけるべきテンションＴｎ２の値は、データ再生時の温度の方がデータ記録時の温度よりも低ければ低くなる。このため、温度が低くなり、データ記録時よりも磁気テープＭＴの幅が狭くなってしまった場合には、磁気テープＭＴの幅を広げてデータ再生時と同じ幅を再現することができる。

また、データ再生時（現在）において、磁気テープＭＴにかけるべきテンションＴｎ２の値は、データ再生時の湿度の方がデータ記録時の湿度よりも高ければ高くなる。このため、湿度が高くなり、データ記録時よりも磁気テープＭＴの幅が広くなってしまった場合には、磁気テープＭＴの幅を狭めてデータ再生時と同じ幅を再現することができる。

逆に、データ再生時（現在）において、磁気テープＭＴにかけるべきテンションＴｎ２の値は、データ再生時の湿度の方がデータ記録時の湿度よりも低ければ低くなる。このため、湿度が低くなり、データ記録時よりも磁気テープＭＴの幅が狭くなってしまった場合には、磁気テープＭＴの幅を広げてデータ再生時と同じ幅を再現することができる。

ここで、データ再生時において、磁気テープＭＴにかけるべきテンションＴｎ２を求めるために、データ記録時の温度Ｔｍ１、湿度Ｈ１、磁気テープＭＴのテンションＴｎ１に加えて（あるいは、テンションＴｎ１に代えて）、さらに、データ記録時における磁気テープＭＴの幅Ｗ１の情報が用いられてもよい。

この場合も、同様に、制御装置５９は、温度差ＴｍＤ（ＴｍＤ＝Ｔｍ２−Ｔｍ１）と、湿度差ＨＤ（ＨＤ＝Ｈ２−Ｈ１）とを算出する。そして、制御装置５９は、温度差ＴｍＤに係数γを乗算し（ＴｍＤ×γ）、湿度差ＨＤに係数δを乗算する（ＨＤ×δ）（ステップＳ１１６）。

ここで、係数γは、温度差１℃当たり磁気テープＭＴの幅がどの程度変動するかを示す値（温度に基づく単位長さ（幅方向）当たりの膨張率を示す値）である。また、係数δは、湿度差１％あたり、磁気テープＭＴの幅がどの程度変動するかを示す値（湿度に基づく単位長さ（幅方向）当たりの膨張率を示す値）である。

次に、制御装置５９は、以下の式により、データ記録時における過去の磁気テープＭＴの幅Ｗ１に基づいて、データ再生時における現在の磁気テープＭＴの幅ｗ２を予測する。
Ｗ２＝Ｗ１（１＋ＴｍＤ×γ＋ＨＤ２×δ）

次に、制御装置５９は、データ再生時における現在の磁気テープＭＴの幅ｗ２と、データ記録時における過去の磁気テープＭＴの幅Ｗ１との差ＷＤを算出する（ＷＤ＝Ｗ２−Ｗ１＝Ｗ１（ＴｍＤ×γ＋ＨＤ２×δ））。

そして、制御装置５９は、幅の差ＷＤに係数εを乗算した値を、データ記録時における磁気テープＭＴのテンションＴｎ１に加算して、データ再生時における磁気テープＭＴのテンションＴｎ２を算出する
Ｔｎ２＝Ｔｎ１＋ＷＤ×ε

ここで、係数εは、磁気テープＭＴの幅を単位距離分変化させるために必要な磁気テープＭＴの長手方向でのテンションを表す値である。

データ再生時における磁気テープＭＴのテンションＴｎ２を決定した後、制御装置５９は、スピンドル５１およびリール５２の回転を制御し、そのテンションＴｎ２で磁気テープＭＴが走行するように磁気テープＭＴの走行を制御する。そして、制御装置５９は、磁気ヘッド５６のサーボリードヘッド５６Ａ、５６ＢによりサーボバンドＳＢのサーボ信号を読み取りながら、磁気ヘッド５６のデータライト／リードヘッドにより、データトラックＴｋに記録されたデータの再生を行う。

このような方法でテンションＴｎ２が決定された場合においても、何らかの原因（例えば、温度、湿度の変動）で、磁気テープＭＴの幅が変動したような場合に、磁気テープＭＴに記録されたデータを正確に再生することができる。

［効果］
以上説明したように、第２の実施形態では、磁気テープＭＴのデータ記録時情報がカートリッジメモリ１１に記憶されているので、この情報をデータ再生時に利用することで、磁気テープＭＴの幅を適切に調整することができる。したがって、磁気テープＭＴの幅が何らかの理由で変動したような場合でも、磁気テープＭＴに記録されたデータを正確に再生することができる。

また、本実施形態では、データ記録時情報として、データ記録時における磁気テープＭＴの周囲の温度Ｔｍ１および湿度Ｈ１（環境情報）が書き込まれる。したがって、温度および湿度の変動による、磁気テープＭＴの幅およびデータトラックＴｋの幅の変動に適切に対応することができる。

＜３ 変形例＞
（変形例１）
上述の第１、第２の実施形態では、テンション調整情報がカートリッジメモリ１１に記憶される場合について説明したが、テンション調整情報が記録再生装置５０、５０Ａの制御装置５９に記憶されていてもよい。この場合、制御装置５９は、当該制御装置５９が記憶しているテンション調整情報により、スピンドル駆動装置５３およびリール駆動装置５４の回転を制御し、磁気テープＭＴの長手方向にかかるテンションを調整する。

（変形例２）
磁気テープＭＴをライブラリ装置に用いるようにしてもよい。この場合、ライブラリ装置は、磁気テープＭＴの長手方向に加わるテンションを調整可能な構成を有しており、第１の実施形態における記録再生装置５０または第２の実施形態における記録再生装置５０Ａを複数備えるものであってもよい。

（変形例３）
サーボライタが、サーボ信号の記録時等に磁気テープＭＴの長手方向のテンションを調整することで、磁気テープＭＴの幅を一定またはほぼ一定に保つようにしてもよい。この場合、サーボライタが、磁気テープＭＴの幅を検出する検出装置を備え、この検出装置の検出結果に基づき、磁気テープＭＴの長手方向のテンションを調整するようにしてもよい。

（変形例４）
磁気テープＭＴは、垂直記録型の磁気テープに限定されるものであなく、水平記録型の磁気テープであってもよい。この場合、磁性粉としてはメタル磁性粉等の針状磁性粉を用いてもよい。

（変形例５）
上述の第１の実施形態では、データ記録時における磁気テープに関連する幅関連情報として、サーボバンドＳＢ間の距離を用いる場合について説明したが、磁気テープＭＴの幅を用いるようにしてもよい。

この場合、制御装置５９は、データ記録時に、サーボバンドＳＢ間の距離ｄ１から磁気テープＭＴの幅Ｗ１を算出し、この幅Ｗ１をリーダライタ５７によりカートリッジメモリ１１に書き込む。

制御装置５９は、データ再生時に、カートリッジメモリ１１からデータ記録時の磁気テープＭＴの幅Ｗ１をカートリッジメモリ１１から読み出すと共に、データ再生時のサーボバンドＳＢ間の距離ｄ２からデータ再生時の磁気テープＭＴの幅Ｗ２を算出する。そして、制御装置５９は、データ記録時の磁気テープＭＴの幅Ｗ１と、データ再生時の磁気テープＭＴの幅Ｗ２との差分ΔＷを算出し、差分ΔＷが規定値以内であるか否かを判断する。

差分Δｄが規定値以内である場合には、制御装置５９は、規定のテンションが維持されるように、スピンドル５１およびリール５２の回転駆動を制御する。一方、差分Δｄが規定値以内でない場合には、差分Δｄが規定値以内に収まるように、スピンドル５１およびリール５２の回転駆動の制御し、走行する磁気テープＭＴにかかるテンションを調整する。

（変形例６）
上述の第２の実施形態では、データ記録時情報として、温度Ｔｍ１、Ｔｍ２、湿度Ｈ１、Ｈ２、テンションＴｎ１、Ｔｎ２、幅Ｗ１、Ｗ２の全てが用いられる場合について説明したが、データ記録時情報は、温度Ｔｍ１、Ｔｍ２、湿度Ｈ１、Ｈ２、テンションＴｎ１、Ｔｎ２、および幅Ｗ１、Ｗ２のうちいずれか１つであってもよいし、任意の２つ、３つの組合せであってもよい。

カートリッジメモリ１１に対して、データ記録時の情報（温度Ｔｍ１、湿度Ｈ１、テンションＴｎ１、幅Ｗ１）だけでなく、データ再生時の情報（温度Ｔｍ２、湿度Ｈ２、テンションＴｎ２、幅Ｗ２）が記憶されてもよい。例えば、このデータ再生時の情報は、データが再生された後、さらに別の機会に磁気テープＭＴ内のデータが再生されるときに使用される。

（変形例７）
上述の第１、第２の実施形態では、バック層４４の表面に設けられた複数の突部４４Ａを、磁性層４３の表面に転写することにより、磁性層４３の表面に複数の凹部４３Ａを形成する場合について説明したが、複数の凹部４３Ａの形成方法はこれに限定されるものではない。例えば、磁性層形成用塗料に含まれる溶剤の種類および磁性層形成用塗料の乾燥条件等を調整することで、磁性層４３の表面に複数の凹部４３Ａを形成するようにしてもよい。

以下、実施例により本開示を具体的に説明するが、本開示はこれらの実施例のみに限定されるものではない。

以下の実施例および比較例において、単位面積の凹部の個数、潤滑剤の染み出し量、磁性層の表面の算術平均粗さＲａ、磁気テープの平均厚み、垂直方向における磁性層の角形比Ｓ１、長手方向における磁性層の角形比Ｓ２、垂直方向の磁化量、および角型比と垂直方向磁化量の積は、上述の第１の実施形態にて説明した測定方法により求められた値である。

また、以下の実施例および比較例において、単位面積の凹部の個数は、および潤滑剤の染み出し量はそれぞれ、最終的に得られる磁気テープ（カレンダー工程および転写工程を経た後の磁気テープ）で測定された値を意味している。

［実施例１］
（磁性層形成用塗料の調製工程）
磁性層形成用塗料を以下のようにして調製した。まず、下記配合の第１組成物をエクストルーダで混練した。次に、ディスパーを備えた攪拌タンクに、混練した第１組成物と、下記配合の第２組成物を加えて予備混合を行った。続いて、さらにサンドミル混合を行い、フィルター処理を行い、磁性層形成用塗料を調製した。

（第１組成物）
バリウムフェライト（ＢａＦｅ₁₂Ｏ₁₉）粒子粉（六角板状、平均アスペクト比
２．８、平均粒子体積１６００ｎｍ³）：１００質量部
塩化ビニル系樹脂（シクロヘキサノン溶液３０質量％）：６５質量部（溶液含む）
（重合度３００、Ｍｎ＝１００００、極性基としてＯＳＯ₃Ｋ＝０．０７ｍｍｏｌ／ｇ、２級ＯＨ＝０．３ｍｍｏｌ／ｇを含有する。）
酸化アルミニウム粉末：５質量部
（α−Ａｌ₂Ｏ₃、平均粒径０．２μｍ）

（第２組成物）
塩化ビニル系樹脂：１．１質量部
（樹脂溶液：樹脂分３０質量％、シクロヘキサノン７０質量％）
ｎ−ブチルステアレート：２質量部
メチルエチルケトン：１２１．３質量部
トルエン：１２１．３質量部
シクロヘキサノン：６０．７質量部
カーボンブラック：２質量部
（東海カーボン社製、商品名：シーストＴＡ）

最後に、上述のようにして調製した磁性層形成用塗料に、硬化剤としてポリイソシアネート（商品名：コロネートＬ、東ソー株式会社製）：４質量部と、潤滑剤としてステアリン酸：２質量部とを添加した。

（下地層形成用塗料の調製工程）
下地層形成用塗料を以下のようにして調製した。まず、下記配合の第３組成物をエクストルーダで混練した。次に、ディスパーを備えた攪拌タンクに、混練した第３組成物と、下記配合の第４組成物を加えて予備混合を行った。続いて、さらにサンドミル混合を行い、フィルター処理を行い、下地層形成用塗料を調製した。

（第３組成物）
針状酸化鉄粉末：１００質量部
（α−Ｆｅ₂Ｏ₃、平均長軸長０．１５μｍ）
塩化ビニル系樹脂：５５．６質量部
（樹脂溶液：樹脂分３０質量％、シクロヘキサノン７０質量％）
カーボンブラック：１０質量部
（平均粒径２０ｎｍ）

（第４組成物）
ポリウレタン系樹脂ＵＲ８２００（東洋紡績製）：１８．５質量部
ｎ−ブチルステアレート：２質量部
メチルエチルケトン：１０８．２質量部
トルエン：１０８．２質量部
シクロヘキサノン：１８．５質量部

最後に、上述のようにして調製した下地層形成用塗料に、硬化剤としてポリイソシアネート（商品名：コロネートＬ、東ソー株式会社製）：４質量部と、潤滑剤としてステアリン酸：２質量部とを添加した。

（バック層形成用塗料の調製工程）
バック層形成用塗料を以下のようにして調製した。下記原料を、ディスパーを備えた攪拌タンクで混合を行い、フィルター処理を行うことで、バック層形成用塗料を調製した。
小粒径のカーボンブラックの粉末（平均粒径（Ｄ５０）２０ｎｍ）：１００質量部
ポリエステルポリウレタン：１００質量部
（日本ポリウレタン社製、商品名：Ｎ−２３０４）
メチルエチルケトン：５００質量部
トルエン：４００質量部
シクロヘキサノン：１００質量部

（塗布工程）
上述のようにして調製した磁性層形成用塗料および下地層形成用塗料を用いて、非磁性支持体である、平均厚み３．６μｍ、長尺のポレエチレンナフタレートフィルム（以下「ＰＥＮフィルム」という。）の一方の主面上に下地層および磁性層を以下のようにして形成した。まず、ＰＥＮフィルムの一方の主面上に下地層形成用塗料を塗布、乾燥させることにより、カレンダー処理後に平均厚みが１．１μｍとなるように下地層を形成した。次に、下地層上に磁性層形成用塗料を塗布、乾燥させることにより、カレンダー処理後に平均厚みが８５ｎｍとなるように磁性層を形成した。なお、磁性層形成用塗料の乾燥の際に、ソレノイドコイルにより、磁性粉をフィルムの厚み方向に磁場配向させた。また、磁性層形成用塗料の乾燥条件（乾燥温度および乾燥時間）を調整することにより、潤滑剤の染み出し量を３．６μｍ²に設定し、磁気テープの垂直方向（厚み方向）における角形比Ｓ１を６５％に設定し、磁気テープの長手方向における角形比Ｓ２を３８％に設定した。続いて、ＰＥＮフィルムの他方の主面上にバック層形成用塗料を塗布、乾燥させることにより、カレンダー処理後に平均厚みが０．４μｍとなるようにバック層を形成した。これにより、磁気テープが得られた。

（カレンダー工程）
カレンダー処理を行い、磁性層の表面を平滑化した。この際、カレンダー処理の圧力および温度を調整することにより、単位面積の凹部の個数に２０個に設定すると共に、磁性層の表面の算術平均粗さＲａを１．７ｎｍに設定した。

（転写工程）
まず、磁気テープをロール状に巻き取ったのち、この状態で磁気テープに６０℃、１０時間の第１の加熱処理を行った。続いて、内周側に位置している端部が反対に外周側に位置するように、磁気テープをロール状に巻き直したのち、この状態で磁気テープに６０℃、１０時間の第２の加熱処理を行った。これにより、バック層の表面の複数の突部が磁性層の表面に転写され、磁性層の表面に、磁性層の平均厚みの２０％以上に相当する深さを有する複数の凹部が形成された。磁性層の表面の単位面積１６００μｍ²あたりの上記凹部の個数は、２０個であった。

（裁断工程）
上述のようにして得られた磁気テープを１／２インチ（１２．６５ｍｍ）幅に裁断した。これにより、平均厚み５．２μｍの長尺状の磁気テープが得られた。

（消磁工程）
上述のようにして得られた磁気テープの消磁を行った。この際、消磁磁石と磁気テープの角度を４０度に設定した。

（サーボパターンの書き込み工程）
上述のようにして得られた磁気テープにサーボライタを用いてサーボパターンを書き込むことにより、５本のサーボバンドを形成した。サーボパターンは、ＬＴＯ−８規格に準拠するものとされた。

［実施例２］
まず、カレンダー工程において、カレンダー処理の温度を調整することにより、単位面積の凹部の個数を４０個に設定したこと以外は実施例１と同様にして磁気テープを得た。次に、実施例１と同様の消磁工程およびサーボパターンの書き込み工程を行うことにより、サーボパターンが書き込まれた磁気テープを得た。

［実施例３］
まず、バック層形成用塗料の調製工程において、下記原料を用いてバック層形成用塗料を調製することにより、磁性層の表面の算術平均粗さＲａを１．８ｎｍ、単位面積の凹部の個数を８０個に設定したこと以外は実施例１と同様にして磁気テープを得た。
小粒径のカーボンブラックの粉末（平均粒径（Ｄ５０）２０ｎｍ）：９５質量部
大粒径のカーボンブラックの粉末（平均粒径（Ｄ５０）３００ｎｍ）：５質量部
ポリエステルポリウレタン：１００質量部
（日本ポリウレタン社製、商品名：Ｎ−２３０４）
メチルエチルケトン：５００質量部
トルエン：４００質量部
シクロヘキサノン：１００質量部
次に、実施例１と同様の消磁工程およびサーボパターンの書き込み工程を行うことにより、サーボパターンが書き込まれた磁気テープを得た。

［実施例４］
まず、カレンダー工程において、カレンダー処理の温度を調整することにより、単位面積の凹部の個数を１００個に設定したこと以外は実施例３と同様にして磁気テープを得た。次に、実施例１と同様の消磁工程およびサーボパターンの書き込み工程を行うことにより、サーボパターンが書き込まれた磁気テープを得た。

［実施例５］
まず、バック層形成用塗料の調製工程において、下記原料を用いてバック層形成用塗料を調製することにより、磁性層の表面の算術平均粗さＲａを２．０ｎｍ、単位面積の凹部の個数を１５０個に設定したこと以外は実施例１と同様にして磁気テープを得た。
小粒径のカーボンブラックの粉末（平均粒径（Ｄ５０）２０ｎｍ）：９０質量部
大粒径のカーボンブラックの粉末（平均粒径（Ｄ５０）３００ｎｍ）：１０質量部
ポリエステルポリウレタン：１００質量部
（日本ポリウレタン社製、商品名：Ｎ−２３０４）
メチルエチルケトン：５００質量部
トルエン：４００質量部
シクロヘキサノン：１００質量部
次に、実施例１と同様の消磁工程およびサーボパターンの書き込み工程を行うことにより、サーボパターンが書き込まれた磁気テープを得た。

［実施例６］
まず、カレンダー工程において、カレンダー処理の温度を調整することにより、単位面積の凹部の個数を１８０個に設定したこと以外は実施例５と同様にして磁気テープを得た。次に、実施例１と同様の消磁工程およびサーボパターンの書き込み工程を行うことにより、サーボパターンが書き込まれた磁気テープを得た。

［実施例７］
まず、カレンダー工程において、カレンダー処理の温度を調整することにより、単位面積の凹部の個数を２００個に設定したこと以外は実施例５と同様にして磁気テープを得た。次に、実施例１と同様の消磁工程およびサーボパターンの書き込み工程を行うことにより、サーボパターンが書き込まれた磁気テープを得た。

［実施例８〜１２］
まず、塗布工程において、磁性層形成用塗料の乾燥条件（乾燥温度）をサンプル毎に調整することにより、潤滑剤の染み出し量をサンプル毎に変化させ、３．０μｍ²、４．１μｍ²、４．８μｍ²、５．６μｍ²、６．５μｍ²（表１参照）に設定したこと以外は実施例４と同様にして磁気テープを得た。次に、実施例１と同様の消磁工程およびサーボパターンの書き込み工程を行うことにより、サーボパターンが書き込まれた磁気テープを得た。

［実施例１３］
まず、磁性層形成用塗料の調製工程において、磁性粉としてバリウムフェライト（ＢａＦｅ₁₂Ｏ₁₉）粒子粉に代えてストロンチウムフェライト（ＳｒＦｅ₁₂Ｏ₁₉）粒子粉（六角板状、アスペクト比２．８、粒子体積１６００ｎｍ³）を用いたこと以外は実施例４と同様にして磁気テープを得た。次に、実施例１と同様の消磁工程およびサーボパターンの書き込み工程を行うことにより、サーボパターンが書き込まれた磁気テープを得た。

［実施例１４］
まず、磁性層形成用塗料の調製工程において、磁性粉としてバリウムフェライト（ＢａＦｅ₁₂Ｏ₁₉）粒子粉に代えてε酸化鉄粒子粉（球状、アスペクト比１．０、粒子体積１８００ｎｍ³）を用いたこと以外は実施例４と同様にして磁気テープを得た。次に、実施例１と同様の消磁工程およびサーボパターンの書き込み工程を行うことにより、サーボパターンが書き込まれた磁気テープを得た。

［実施例１５］
まず、磁性層形成用塗料の調製工程において、磁性粉としてバリウムフェライト（ＢａＦｅ₁₂Ｏ₁₉）粒子粉に代えてコバルトフェライト粒子粉（立方体状、アスペクト比１．７、粒子体積２０００ｎｍ³）を用いたこと以外は実施例４と同様にして磁気テープを得た。次に、実施例１と同様の消磁工程およびサーボパターンの書き込み工程を行うことにより、サーボパターンが書き込まれた磁気テープを得た。

［実施例１６］
まず、消磁工程において、消磁磁石と磁気テープの角度を９０度としたこと以外は実施例１と同様にして磁気テープを得た。次に、実施例１と同様の消磁工程およびサーボパターンの書き込み工程を行うことにより、サーボパターンが書き込まれた磁気テープを得た。

［実施例１７］
まず、消磁工程において、消磁磁石と磁気テープの角度を５度としたこと以外は実施例１と同様にして磁気テープを得た。次に、実施例１と同様の消磁工程およびサーボパターンの書き込み工程を行うことにより、サーボパターンが書き込まれた磁気テープを得た。

［比較例１］
カレンダー工程において、カレンダー処理の温度を調整することにより、単位面積の凹部の個数を１５個に設定したこと以外は実施例１と同様にして磁気テープを得た。次に、実施例１と同様の消磁工程およびサーボパターンの書き込み工程を行うことにより、サーボパターンが書き込まれた磁気テープを得た。

［比較例２］
バック層形成用塗料の調製工程において、下記原料を用いてバック層形成用塗料を調製し、かつ、カレンダー工程において、カレンダー処理の温度を調整することにより、磁性層の表面の算術平均粗さＲａを２．３ｎｍ、単位面積の凹部の個数を２３０個に設定したこと以外は実施例１と同様にして磁気テープを得た。
小粒径のカーボンブラックの粉末（平均粒径（Ｄ５０）２０ｎｍ）：８０質量部
大粒径のカーボンブラックの粉末（平均粒径（Ｄ５０）３００ｎｍ）：２０質量部
ポリエステルポリウレタン：１００質量部
（日本ポリウレタン社製、商品名：Ｎ−２３０４）
メチルエチルケトン：５００質量部
トルエン：４００質量部
シクロヘキサノン：１００質量部
次に、実施例１と同様の消磁工程およびサーボパターンの書き込み工程を行うことにより、サーボパターンが書き込まれた磁気テープを得た。

［比較例３〜５］
塗布工程において、磁性層形成用塗料の乾燥条件（乾燥温度）をサンプル毎に調整することにより、潤滑剤の染み出し量をサンプル毎に変化させ、１．５μｍ²、２．８μｍ²、７．０μｍ²（表１参照）に設定したこと以外は実施例４と同様にして磁気テープを得た。次に、実施例１と同様の消磁工程およびサーボパターンの書き込み工程を行うことにより、サーボパターンが書き込まれた磁気テープを得た。

［比較例６］
まず、塗布工程において、ソレノイドコイルにより磁場配向の処理を行わないことにより磁気テープの垂直方向における角形比Ｓ１を６０％とし、磁気テープの長手方向における角形比Ｓ２を４５％としたこと以外は実施例４と同様にして磁気テープを得た。次に、実施例１と同様の消磁工程およびサーボパターンの書き込み工程を行うことにより、サーボパターンが書き込まれた磁気テープを得た。

［評価］
上述のようにして得られた磁気テープに対して以下の評価を行った。

（ＳＮＲ（Signal-to-Noise Ratio））
記録／再生ヘッドおよび記録／再生アンプを取り付けた１／２インチテープ走行装置（Mountain Engineering II社製、MTS Transport）を用いて、２５℃環境における磁気テープのＳＮＲ（電磁変換特性）を測定した。記録ヘッドにはギャップ長０．２μｍのリングヘッドを用い、再生ヘッドにはシールド間距離０．１μｍのＧＭＲヘッドを用いた。相対速度は６ｍ／ｓ、記録クロック周波数は１６０ＭＨｚ、記録トラック幅は２．０μｍとした。また、ＳＮＲは、下記の文献に記載の方法に基づき算出した。その結果を、実施例１のＳＮＲを０ｄＢとする相対値で表１に示した。
Y.Okazaki: ”An Error Rate Emulation System.”,IEEE Trans. Man., 31,pp.3093-3095(1995)

（摩擦係数比）
磁気テープの摩擦係数比（μ_B／μ_A）を、上述の第１の実施形態にて説明した評価方法により評価した。

（＋側−側の波高値の差）
画面上に表示される再生波形が適切に対称性を有しているかを判断した。再生波形の最大電圧値Ｖmaxと、最低電圧値Ｖmin（絶対値）との差が、再生波形の振幅に対して、５％の範囲内であれば、再生波形が対称性を有していると判断された。

表１は、実施例１〜１７、比較例１〜６の磁気テープの構成および評価結果を示す。

上記評価の結果から、（１）磁性層の表面には、磁性層の平均厚みの２０％以上に相当する深さを有する複数の凹部が設けられ、当該凹部の個数が、磁性層の表面の単位面積１６００μｍ²あたり２０個以上２００個以下であり、（２）真空中における磁性層の表面の潤滑剤染み出し量（面積）が、単位領域１２．５μｍ×９．３μｍあたり３．０μｍ²以上６．５μｍ²以下であり、（３）垂直方向における角形比が６５％以上であることにより、良好な電磁変換特性を得ることができると共に、繰り返し記録または再生を行った後にも、動摩擦係数の増加を抑制することができることがわかる。

以上、本開示の実施形態および変形例について具体的に説明したが、本開示は、上述の実施形態および変形例に限定されるものではなく、本開示の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。例えば、上述の実施形態および変形例において挙げた構成、方法、工程、形状、材料および数値等はあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料および数値等を用いてもよい。上述の実施形態および変形例の構成、方法、工程、形状、材料および数値等は、本開示の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。

上述の実施形態および変形例にて例示した化合物等の化学式は代表的なものであって、同じ化合物の一般名称であれば、記載された価数等に限定されない。上述の実施形態および変形例で段階的に記載されている数値範囲において、ある段階の数値範囲の上限値または下限値は、他の段階の数値範囲の上限値または下限値に置き換えてもよい。上述の実施形態および変形例で例示した材料は、特に断らない限り、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。

また、本開示は以下の構成を採用することもできる。
（１）
テープ状の磁気記録媒体であって、
基体と、
前記基体上に設けられた下地層と、
前記下地層上に設けられ、磁性粉を含む磁性層と
を備え、
前記下地層および前記磁性層は、潤滑剤を含み、
前記磁気記録媒体の垂直方向における前記磁性層の角形比は、６５％以上であり、
前記磁気記録媒体の平均厚みは、５．６μｍ以下であり、
前記磁性層の表面には、前記磁性層の平均厚みの２０％以上に相当する深さを有する複数の凹部が設けられ、且つ、前記磁性層の表面の単位面積１６００μｍ²あたりの前記凹部の個数が、２０個以上２００個以下であり、
真空中における前記磁性層の表面における、単位領域１２．５μｍ×９．３μｍあたりの潤滑剤染み出し量が、３．０μｍ²以上６．５μｍ²以下である磁気記録媒体。
（２）
前記潤滑剤は、脂肪酸と脂肪酸エステルを含む（１）に記載の磁気記録媒体。
（３）
前記磁性層の表面の算術平均粗さＲａは、２．５ｎｍ以下である（１）または（２）に記載の磁気記録媒体。
（４）
前記基体は、ポリエステルを含む（１）から（３）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（５）
前記磁性層の表面積１６００μｍ²あたりの前記凹部の個数が、８０個以上１８０個以下である（１）から（４）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（６）
真空中における前記磁性層の表面における、前記単位領域１２．５μｍ×９．３μｍあたりの潤滑剤染み出し量が、３．５μｍ²以上６．５μｍ²以下である（１）から（５）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（７）
前記磁気記録媒体に全面記録／全面再生を２回行った後の動摩擦係数μ_Bと、前記全面記録／全面再生を行う前の動摩擦係数μ_Aとの摩擦係数比（μ_B／μ_A）は、２．０未満である（１）から（６）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（８）
前記角形比は、７０％以上である（１）から（７）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（９）
前記磁性層は、該磁性層の上面に対して垂直な垂直方向の成分を含む第１の方向に前記磁性層の一部が磁化されてサーボ信号が記録され、
前記サーボ信号が記録される前に、前記垂直方向の成分を含む、前記第１の方向とは反対方向の第２の方向に磁化され、
前記サーボ信号が記録された前記磁気記録媒体は、前記磁気記録媒体を回転させて磁化量を測定したときの磁化量の最大値を基準としたときの前記垂直方向における磁化量の割合と、前記上面に平行な長手方向における前記磁性層の角形比との積の絶対値が、５００以上２５００以下である（１）から（８）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（１０）
前記磁性層の平均厚みは、８０ｎｍ以下である（１）から（９）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（１１）
前記磁性層は、５以上のサーボバンドを有する（１）から（１０）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（１２）
前記表面の面積に対する前記サーボバンドの総面積の割合は、４．０％以下である（１１）に記載の磁気記録媒体。
（１３）
前記サーボバンドの幅は、９５μｍ以下である（１１）または（１２）に記載の磁気記録媒体。
（１４）
前記磁性層は、複数のデータトラックを形成可能に構成され、
前記データトラックの幅は、２０００ｎｍ以下である（１）から（１３）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（１５）
前記磁性層は、磁化反転間距離Ｌの最小値が４８ｎｍ以下となるようにデータを記録可能に構成されている（１）から（１４）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（１６）
前記基体の平均厚みは、４．２μｍ以下である（１）から（１５）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（１７）
前記磁性層は、磁性粉を含み、
前記磁性粉は、六方晶フェライト、ε酸化鉄またはＣｏ含有スピネルフェライトを含む（１）から（１６）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（１８）
（１）から（１７）のいずれかに記載された前記磁気記録媒体を備えるカートリッジ。
（１９）
前記磁気記録媒体の長手方向にかかるテンションを調整するための調整情報を書き込む領域を有する記憶部をさらに備える（１８）に記載のカートリッジ。
（２０）
（１）から（１７）のいずれかに記載された前記磁気記録媒体の記録および再生をする記録再生装置。

１０ カートリッジ
１１ カートリッジメモリ
３１ アンテナコイル
３２ 整流・電源回路
３３ クロック回路
３４ 検波・変調回路
３５ コントローラ
３６ メモリ
３６Ａ 第１の記憶領域
３６Ｂ 第２の記憶領域
４１ 基体
４２ 下地層
４３ 磁性層
４３Ａ、４３Ｂ 凹部
４４ バック層
４４Ａ 突部
５０、５０Ａ 記録再生装置
５１ スピンドル５１
５２ リール５２
５３ スピンドル駆動装置
５４ リール駆動装置
５５ ガイドローラ
５６ 磁気ヘッド
５７ リーダライタ
５８ 通信インターフェース
５９ 制御装置
６０ 温度計
６１ 湿度計
１００、１００Ａ 記録再生システム
１１０ サーボフレーム
１１１ サーボサブフレーム１
１１１Ａ Ａバースト
１１１Ｂ Ｂバースト
１１２ サーボサブフレーム２
１１２Ｃ Ｃバースト
１１２Ｃ Ｃバースト
１１３ サーボストライプ
ＭＴ 磁気テープ
ＳＢ サーボバンド
ＤＢ データバインド

Claims (36)

1. テープ状の磁気記録媒体と、
   カートリッジケースと
   を備え、
   前記磁気記録媒体は、
   ポリエステルを含む基体と、
   前記基体上に設けられた下地層と、
   前記下地層上に設けられ、磁性粉を含む磁性層と
   を備え、
   前記下地層および前記磁性層は、潤滑剤を含み、
   前記磁気記録媒体の垂直方向における前記磁性層の角形比は、６５％以上であり、
   前記磁気記録媒体の平均厚みは、５．２μｍ以下であり、
   前記磁性層の表面には、前記磁性層の平均厚みの２０％以上に相当する深さを有する複数の凹部が設けられ、且つ、前記磁性層の表面の単位面積１６００μｍ^２あたりの前記凹部の個数が、２０個以上２００個以下であり、
   真空中における前記磁性層の表面における、単位領域１２．５μｍ×９．３μｍあたりの潤滑剤染み出し量が、３．０μｍ^２以上６．５μｍ^２以下であるカートリッジ。
2. 前記潤滑剤は、脂肪酸と脂肪酸エステルを含む請求項１に記載のカートリッジ。
3. 前記磁性層の表面の算術平均粗さＲａは、２．５ｎｍ以下である請求項１に記載のカートリッジ。
4. 前記磁性層の表面の単位面積１６００μｍ^２あたりの前記凹部の個数が、８０個以上１８０個以下である請求項１に記載のカートリッジ。
5. 真空中における前記磁性層の表面における、前記単位領域１２．５μｍ×９．３μｍあたりの潤滑剤染み出し量が、３．５μｍ^２以上６．５μｍ^２以下である請求項１に記載のカートリッジ。
6. 前記磁気記録媒体に全面記録／全面再生を２回行った後の動摩擦係数μ_Ｂと、前記全面記録／全面再生を行う前の動摩擦係数μ_Ａとの摩擦係数比（μ_Ｂ／μ_Ａ）は、２．０未満である請求項１に記載のカートリッジ。
7. 前記角形比は、７０％以上である請求項１に記載のカートリッジ。
8. 前記磁性層の平均厚みは、８０ｎｍ以下である請求項１に記載のカートリッジ。
9. 前記磁性層は、５以上のサーボバンドを有する請求項１に記載のカートリッジ。
10. 前記表面の面積に対する前記サーボバンドの総面積の割合は、４．０％以下である請求項９に記載のカートリッジ。
11. 前記サーボバンドの幅は、９５μｍ以下である請求項９に記載のカートリッジ。
12. 前記磁性層は、複数のデータトラックを形成可能に構成され、
    前記データトラックの幅は、２０００ｎｍ以下である請求項１に記載のカートリッジ。
13. 前記磁性層は、磁化反転間距離Ｌの最小値が４８ｎｍ以下となるようにデータを記録可能に構成されている請求項１に記載のカートリッジ。
14. 前記基体の平均厚みは、４．２μｍ以下である請求項１に記載のカートリッジ。
15. 前記磁性粉は、六方晶フェライト、ε酸化鉄またはＣｏ含有スピネルフェライトを含む請求項１に記載のカートリッジ。
16. 前記基体の平均厚みは、３．８μｍ以下である請求項１に記載のカートリッジ。
17. 前記基体の平均厚みは、３．４μｍ以下である請求項１に記載のカートリッジ。
18. 前記磁性層の平均厚みは、７０ｎｍ以下である請求項１に記載のカートリッジ。
19. 前記磁性層の平均厚みは、５０ｎｍ以下である請求項１に記載のカートリッジ。
20. 前記磁性粉の平均粒子サイズは、１２ｎｍ以上２５ｎｍ以下である請求項１に記載のカートリッジ。
21. 前記磁性粉の平均粒子サイズは、１５ｎｍ以上２２ｎｍ以下である請求項１に記載のカートリッジ。
22. 前記磁性粉の平均粒子サイズは、１５ｎｍ以上１８ｎｍ以下である請求項１に記載のカートリッジ。
23. 前記磁性粉の平均アスペクト比が、１．０以上２．５以下である請求項１に記載のカートリッジ。
24. 前記磁性粉の平均アスペクト比が、１．０以上２．１以下である請求項１に記載のカートリッジ。
25. 前記磁性粉の平均アスペクト比が、１．０以上１．８以下である請求項１に記載のカートリッジ。
26. 前記磁気記録媒体の平均厚みは、５．０μｍ以下である請求項１に記載のカートリッジ。
27. 前記磁気記録媒体の平均厚みは、４．６μｍ以下である請求項１に記載のカートリッジ。
28. 前記磁気記録媒体の平均厚みは、４．４μｍ以下である請求項１に記載のカートリッジ。
29. 前記角形比は、７５％以上である請求項１に記載のカートリッジ。
30. 前記角形比は、８０％以上である請求項１に記載のカートリッジ。
31. 前記角形比は、８５％以上である請求項１に記載のカートリッジ。
32. 前記基体の長手方向のヤング率は、７．５ＧＰａ以下である請求項１に記載のカートリッジ。
33. 前記基体の長手方向のヤング率は、７．０ＧＰａ以下である請求項１に記載のカートリッジ。
34. 前記基体の長手方向のヤング率は、６．６ＧＰａ以下である請求項１に記載のカートリッジ。
35. 前記磁気記録媒体を回転させて磁化量を測定したときの磁化量の最大値を基準としたときの前記垂直方向における磁化量の割合と、上面に平行な長手方向における前記磁性層の角形比との積の絶対値が、５００以上２５００以下である請求項１に記載のカートリッジ。
36. 請求項１から３５のいずれかに記載されたカートリッジの記録および再生をする記録再生装置。

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