JP7360531B2 - 疎水性表面コーティング層及びその製造方法 - Google Patents
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Description
(式中、R1、R2、R3、R5、R6、R7は、水素、アルキル基、アリール基、ハロゲン、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン化アリール基から選択され、j、kは0~10の整数であり、且つ同時に0であることができなく、R4は結合、-CO-、-COO-、アリーリデン基、脂環アルキリデン基、ヒドロキシ基置換脂肪アルキリデン基である。)
(式中、R1、R2、R3、R5、R6、R7はそれぞれ独立して、水素、アルキル基、アリール基、ハロゲン、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン化アリール基から選択される。j、kは0~10の整数であり、且つ同時に0であることができない。R4は結合、-CO-、-COO-、アリーリデン基、脂環アルキリデン基、ヒドロキシ基置換脂肪アルキリデン基であってもよい。架橋剤は、エステル基、エーテル、エポキシ基、シアノ基を含む多官能基化合物であってもよい。)
基体に化学気相成長する前には、基体に洗浄処理する必要がある。基体表面のダスト、水分、油脂等は、成長効果に悪影響を及ぼす。最初に基体をアセトン又はイソプロパノールで洗浄し、次にオープンに入れて乾燥する。
(1)表面がきれいな基体を上記プラズマ装置又は設備の反応チャンバーに入れ、次に反応チャンバー内での真空度が1~2000mtorrになるように反応チャンバーを連続的に排気する。
特に,上記プラズマ源ガスが不活性ガス又は反応しにくいガスである場合には、上記プラズマ源ガスは成長して上記疎水性表面コーティング層を形成することがなく、つまり、上記プラズマ源ガスは上記疎水性表面コーティング層の組成部分にならないが、上記プラズマ源の表面での相互作用により、微細なエッチングなどの現象が生じるので、上記基体の表面をよくきれいにし、上記反応ガス原料の成長に良好な成長条件を与え、成長された上記疎水性表面コーティング層をより強固に上記基体の表面に結合させることができる。
本発明にかかるPCB基板用疎水性表面コーティング層及び製造方法であって、以下のステップを経たものである。
最初にPCB基板の基体をアセトン又はイソプロパノールで洗浄し、無塵布できれいに拭いて、次にオープンに入れて24h乾燥した。
乾燥されたPCB基板を300L プラズマ真空反応チャンバーに置いて、真空度が20mtorrになるように反応チャンバーを連続的に排気した。
プラズマ源ガスであるヘリウムガスを流量20sccmで導入し、高周波放電を開始してPCB基板に前処理を行い、前処理段階では放電電力が120Wであり、放電時間が100sである。
反応ガス原料であるパーフルオロヘキシルエタノールを気化した後に反応チャンバーに導入し、基材表面に化学気相成長して疎水性表面コーティング層を作製した。コーティング層の製造中には、単量体の蒸気流量が150μL/minであり、導入時間が2500sであり、放電電力が200Wであり、放電時のパルス幅が100μsである。
コーティング層の製造終了後、圧縮空気を導入し、反応チャンバーを常圧に戻させ、チャンバーを開け、PCB基板を取り出した。これにより、PCB基板には疎水性表面コーティング層を蒸着した。
本発明にかかる銅片用疎水性表面コーティング層及び製造方法であって、以下のステップを経たものである。
最初に銅片の基体をアセトン又はイソプロパノールで洗浄し、無塵布できれいに拭いて、次にオープンに入れて24h乾燥した。
乾燥された銅片を500L プラズマ真空反応チャンバーに置いて、真空度が80mtorrになるように反応チャンバーを連続的に排気した。
プラズマ源ガスであるヘリウムガスを流量20sccmで導入し、マイクロ波プラズマ放電を開始して銅片に前処理を行い、前処理段階では放電電力が500Wであり、600s持続的に放電した。
反応ガス原料であるパーフルオロブチルエタノールを気化した後に反応チャンバーに導入し、基材表面に化学気相成長してナノコーティング層を作製した。コーティング層の製造中には、単量体の蒸気流量が350μL/minであり、マイクロ波プラズマ放電を開始し、放電電力が500Wであり、600s持続的に放電した。
コーティング層の製造終了後に、圧縮空気を導入し、反応チャンバーを常圧に戻させ、チャンバーを開け、銅片を取り出した。これにより、銅片には疎水性表面コーティング層を蒸着した。
本発明にかかる織物用疎水性表面コーティング層及び製造方法であって、以下のステップを経たものである。
最初に織物といった基体をアセトン又はイソプロパノールで洗浄し、無塵布できれいに拭いて、次にオープンに入れて24h乾燥した。
乾燥された織物を1000L プラズマ真空反応チャンバーに置いて、真空度が80mtorrになるように反応チャンバーを連続的に排気した。
プラズマ源ガスであるヘリウムガスを流量40sccmで導入し、高周波放電を開始して織物に前処理を行い、前処理段階では放電電力が50Wであり、放電時間が300sである。
最初に1,2-エポキシ-4-ビニルシクロへキサン(架橋剤)を流量320μL/minで導入し、導入時間を2000sとし、終了後に、さらに反応ガス原料であるパーフルオロヘキシルエタノールを気化した後に反応チャンバーに導入し、基材表面に化学気相成長してナノコーティング層を作製した。コーティング層の製造中には、単量体の蒸気流量がそれぞれ150μL/minであり、導入時間が3000sであり、放電電力が100Wであり、放電時のパルス幅が200μsである。
コーティング層の製造終了後に、圧縮空気を導入し、反応チャンバーを常圧に戻させ、チャンバーを開け、織物を取り出した。それにより、織物に疎水性表面コーティング層を蒸着した。
本発明における電子デバイスに適用する疎水ナノコーティング層及び製造方法であって、以下のステップを経る:
最初にアセトン又はイソプロパノールで電子デバイス基体に洗浄し、無塵布で拭いて、次に乾燥オープンに入れ24h乾燥する。
乾燥された電子デバイスを1000Lプラズマ真空反応チャンバーに置いて、真空度が80mtorrになるように反応チャンバーを連続的に排気する。
プラズマ源ガスであるヘリウムガスを導入し、流量が40sccm、高周波放電を開始して電子デバイスを前処理し、前処理段階で放電電力が50W、放電時間が300sとする。
1,2-エポキシ-4-ビニルシクロへキサン(架橋剤)、反応ガス原料であるパーフルオロヘキシルエタノールを気化した後に同時に反応チャンバーに導入し、基材表面に化学気相成長して疎水性表面コーティング層を作製する。コーティング層の製造中には、単量体の蒸気流量がそれぞれ320μL/min、150μL/minであり、導入時間が3000sであり、放電電力が100Wであり、放電時のパルス幅が200μsである。
コーティング層製造終了後、圧縮空気を導入し、反応チャンバーを常圧に戻させ,チャンバーを開け、取出電子デバイス。これにより、電子デバイスには疎水性表面コーティング層を蒸着した。
本発明にかかるPCB基板用疎水ナノコーティング層及び製造方法であって、以下のステップを経たものである。
最初にPCB基板といった基体をアセトン又はイソプロパノールで洗浄し、無塵布できれいに拭いて、次にオープンに入れて24h乾燥した。
乾燥されたPCB基板を1000L プラズマ真空反応チャンバーに置いて、真空度が80mtorrになるように反応チャンバーを連続的に排気した。
プラズマ源ガスであるヘリウムガスを流量40sccmで導入し、、高周波放電を開始してPCB基板に前処理を行い、前処理段階では放電電力が300Wであり、放電時間が100sである。
最初に1,2-エポキシ-4-ビニルシクロへキサン(架橋剤)を流量300μL/minで導入し、導入時間を2000sとし、終了後に、さらに反応ガス原料であるパーフルオロブチルエタノールを気化した後に反応チャンバーに導入し、基材表面に化学気相成長して疎水性表面コーティング層を作製した。コーティング層の製造中には、単量体の蒸気流量がそれぞれ200μL/minであり、導入時間が3000sであり、放電電力が300Wであり、放電時のパルス幅が200μsである。
コーティング層の製造終了後、圧縮空気を導入し、反応チャンバーを常圧に戻させ,チャンバーを開け、PCB基板を取り出した。これにより、PCB基板には疎水性表面コーティング層を蒸着した。
本発明にかかるPCB基板用疎水ナノコーティング層及び製造方法であって、以下のステップを経たものである。
最初にPCB基板といった基体をアセトン又はイソプロパノールで洗浄し、無塵布できれいに拭いて、次にオープンに入れて24h乾燥した。
乾燥されたPCB基板を1000L プラズマ真空反応チャンバーに置いて、真空度が80mtorrになるように反応チャンバーを連続的に排気した。
プラズマ源ガスであるヘリウムガスを流量40sccmで導入し、高周波放電を開始してPCB基板に前処理を行い、前処理段階では放電電力が300Wであり、放電時間が100sである。
1,2-エポキシ-4-ビニルシクロへキサン(架橋剤)、反応ガス原料であるパーフルオロブチルエタノールを気化した後に、同時に反応チャンバーに導入し、基材表面に化学気相成長して疎水性表面コーティング層を作製した。コーティング層の製造中には、単量体の蒸気流量がそれぞれ300μL/min、200μL/minであり、導入時間が3000sであり、放電電力が300Wであり、放電時のパルス幅が200μsである。
コーティング層の製造終了後、圧縮空気を導入し、反応チャンバーを常圧に戻させ,チャンバーを開け、PCB基板を取り出した。それにより、PCB基板に疎水ナノコーティング層を蒸着した。
疎水性表面コーティング層の厚さは、米国フィルメトリクス F20-UV-膜厚計を使用して検出した。
疎水性表面コーティング層の水接触角は、GB/T 30447-2013規格に従って測定された。
耐塩水噴霧試験は、GB/T 2423.18-2000に記載の電気電子製品環境試験方法に従って測定された。
(ここで、R1、R2、R3、R5、R6、R7はそれぞれ独立して、水素、アルキル基、アリール基、ハロゲン、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン化アリール基から選択される。j、kは0~10の整数であり、且つ同時に0であることができない。R4は結合、-CO-、-COO-、アリーリデン基、脂環アルキリデン基、ヒドロキシ基置換脂肪アルキリデン基であってもよい。架橋剤は、エステル基、エーテル、エポキシ基、シアノ基を含む多官能基化合物であってもよい。)
基体に化学気相成長する前には、基体を洗浄処理する必要がある。基体表面のダスト、水分、油脂等は成長効果に悪影響を及ぼす。最初にアセトン又はイソプロパノールで基体を洗浄し、次にオープンに入れて乾燥した。
(1)表面がきれいな基体を上記プラズマ装置又は設備の反応チャンバーに入れ、次に反応チャンバー内の真空度が1~2000mtorrになるように反応チャンバーを連続的に排気した。
特に、上記プラズマ源ガスが不活性ガス、又は反応しにくいガスである場合には、上記プラズマ源ガスは、成長して上記疎水性表面コーティング層を形成することがなく、つまり、上記プラズマ源ガスは、上記疎水性表面コーティング層の組成部分にならないが、上記プラズマ源の表面での相互作用により、微細なエッチングなどの現象が生じるので、上記基体の表面をよくきれいにし、上記反応ガス原料の成長に良好な成長条件を与え、成長された上記疎水性表面コーティング層を上記基体の表面により強固に結合させることができる。
本発明にかかるガラス基板用疎水性表面コーティング層及び製造方法であって、以下のステップを経たものである。
最初にガラス基板をアセトン又はイソプロパノールで洗浄し、無塵布できれいに拭いて、次にオープンに入れて24h乾燥した。
乾燥されたガラス基板を1000L プラズマ真空反応チャンバーに置いて、真空度が80mtorrになるように反応チャンバーを連続的に排気した。
プラズマ源ガスであるアルゴンガスを流量20sccmで導入し、高周波放電を開始してガラス基板に前処理を行い、前処理段階では放電電力が50Wであり、放電時間が300sである。
反応ガス原料であるパーフルオロブチルエタノールを気化した後に反応チャンバーに導入し、基材表面に化学気相成長して疎水性表面コーティング層を作製した。コーティング層の製造中には、単量体の蒸気流量が260μL/minであり、放電時間が3300sであり、放電時のパルス幅が3msであり、放電電力が100Wである。
コーティング層の製造終了後、圧縮空気を導入し、反応チャンバーを常圧に戻させ、チャンバーを開け、ガラス基板を取り出した。これにより、ガラス基板に疎水性表面コーティング層を蒸着した。
実施例a1と同様の条件下で、ガラス基板の代わりにPCB基板を使用して、膜蒸着工程を行った。
本発明にかかるガラス基板用疎水性表面コーティング層及び製造方法であって、以下のステップを経たものである。
最初にガラス基板をアセトン又はイソプロパノールで洗浄し、無塵布できれいに拭いて、次にオープンに入れて24h乾燥した。
乾燥されたガラス基板を1000L プラズマ真空反応チャンバーに置いて、真空度が100mtorrになるように反応チャンバーを連続的に排気した。
プラズマ源ガスであるアルゴンガスを流量20sccmで導入し、高周波放電を開始してガラス基板に前処理を行い、前処理段階では放電電力が200Wであり、600s持続的に放電した。
反応ガス原料であるパーフルオロヘキシルエタノールを気化した後に反応チャンバーに導入し、ガラス基板の表面に化学気相成長してナノコーティング層を作製した。コーティング層の製造中には、単量体の蒸気流量が500μL/minであり、放電電力が300Wであり、放電時間が2500sであり、放電時のパルス幅が100usである。
コーティング層の製造終了後、圧縮空気を導入し、反応チャンバーを常圧に戻させ,チャンバーを開け、銅片を取り出した。これにより、ガラス基板に疎水性表面コーティング層を蒸着した。
実施例a2と同様の条件下で、ガラス基板の代わりにPCB基板を使用して、膜蒸着工程を行った。
本発明にかかるガラス基板用疎水性表面コーティング層及び製造方法であって、以下のステップを経たものである。
最初にガラス基板をアセトン又はイソプロパノールで洗浄し、無塵布できれいに拭いて、次にオープンに入れて24h乾燥した。
乾燥されたガラス基板を1000L プラズマ真空反応チャンバーに置いて、真空度が40mtorrになるように反応チャンバーを連続的に排気した。
プラズマ源ガスであるヘリウムガスを流量40sccmで導入し、マイクロ放電を開始してガラス基板に前処理を行い、前処理段階では放電電力が500Wであり、放電時間が600sである。
反応ガス原料であるパーフルオロブチルプロパノールを気化した後に反応チャンバーに導入し、基材表面に化学気相成長してナノコーティング層を作製した。コーティング層の製造中には、単量体の蒸気流量がそれぞれ400μL/minであり、マイクロ放電電力が500Wであり、放電時間が1200sである。
コーティング層の製造終了後、圧縮空気を導入し、反応チャンバーを常圧に戻させ、チャンバーを開け、織物を取り出した。これにより、ガラス基板に疎水性表面コーティング層を蒸着した。
実施例a3の同一条件で、ガラス基板の代わりにPCB基板を使用して、膜蒸着工程を行った。
本発明にかかるガラス基板用疎水ナノコーティング層及び製造方法であって、以下のステップを経たものである。
最初にガラス基板をアセトン又はイソプロパノールで洗浄し、無塵布できれいに拭いて、次にオープンに入れて24h乾燥した。
乾燥されたガラス基板を1000L プラズマ真空反応チャンバーに置いて、真空度が40mtorrになるように反応チャンバーを連続的に排気した。
プラズマ源ガスであるヘリウムガスを流量40sccmで導入し、マイクロ放電を開始してガラス基板に前処理を行い、前処理段階では放電電力が500Wであり、放電時間が600sである。
反応ガス原料であるパーフルオロヘキシルプロパノールを気化した後に同時に反応チャンバーに導入し、基材表面に化学気相成長して疎水性表面コーティング層を作製した。コーティング層の製造中には、単量体の蒸気流量がそれぞれ350μL/minであり、マイクロ放電電力が500Wであり、放電時間が1200sである。
コーティング層の製造終了後、圧縮空気を導入し、反応チャンバーを常圧に戻させ、チャンバーを開け、ガラス基板を取り出した。これにより、ガラス基板に疎水性表面コーティング層を蒸着した。
実施例a4と同様の条件下で、ガラス基板の代わりにPCB基板を使用して、膜蒸着工程を行った。
本発明にかかるガラス基板用疎水ナノコーティング層及び製造方法であって、以下のステップを経たものである。
最初にガラス基板をアセトン又はイソプロパノールで洗浄し、無塵布できれいに拭いて、次にオープンに入れて24h乾燥した。
乾燥されたガラス基板を1000L プラズマ真空反応チャンバーに置いて、真空度が300mtorrになるように反応チャンバーを連続的に排気した。
プラズマ源ガスであるアルゴンガスを流量80sccmで導入し、高周波放電を開始してガラス基板に前処理を行い、前処理段階では放電電力が500Wであり、放電時間が3000sである。
反応ガス原料である1,2,3,3,4,4,5,5,6,6,6-ウンデカフルオロヘキサン-1-オールを気化した後に反応チャンバーに導入し、基材表面に化学気相成長して疎水性表面コーティング層を作製した。コーティング層の製造中には、単量体の蒸気流量がそれぞれ1000μL/minであり、持続放電時間が3000sであり、放電電力が500Wである。
コーティング層の製造終了後、圧縮空気を導入し、反応チャンバーを常圧に戻させ、チャンバーを開け、ガラス基板を取り出した。これにより、ガラス基板に疎水性表面コーティング層を蒸着した。
実施例a5と同様の同条件下で、ガラス基板の代わりにPCB基板を使用して、膜蒸着工程を行った。
本発明にかかるガラス基板用疎水ナノコーティング層及び製造方法であって、以下のステップを経たものである。
最初にガラス基板をアセトン又はイソプロパノールで洗浄し、無塵布できれいに拭いて、次にオープンに入れて24h乾燥した。
乾燥されたガラス基板を1000L プラズマ真空反応チャンバーに置いて、真空度が80mtorrになるように反応チャンバーを連続的に排気した。
プラズマ源ガスであるヘリウムガスを流量300sccmで導入し、高周波放電を開始してガラス基板に前処理を行い、前処理段階では放電電力が500Wであり、放電時間が3000sである。
反応ガス原料である3-(ジフルオロメチル)-2,3,4,4,4-ペンタフルオロ-2-(トリフルオロメチル)ブタン-1-オールを気化した後に同時に反応チャンバーに導入し、基材表面に化学気相成長して疎水性表面コーティング層を作製した。コーティング層の製造中には、単量体の蒸気流量がそれぞれ1000μL/minであり、持続放電時間が3000sであり、放電電力が500Wである。
コーティング層の製造終了後、圧縮空気を導入し、反応チャンバーを常圧に戻させ、チャンバーを開け、ガラス基板を取り出した。これにより、ガラス基板に疎水ナノコーティング層を蒸着した。
実施例a6と同様の条件下で、ガラス基板の代わりにPCB基板を使用して、膜蒸着工程を行った。
実施例a6と同様の条件下で、反応ガス原料に架橋剤である3-(2,3-エポキシプロポキシ)プロピルビニルジメトキシシランを添加し、膜の蒸着過程を行う。
実施例a6と同じ条件で、反応ガス原料に架橋剤であるメタクリル酸グリシジルを添加し、膜蒸着工程を行った。
疎水性表面コーティング層の厚さは、米国フィルメトリクス F20-UV-膜厚計を使用して検出した。
疎水性表面コーティング層の水接触角は、GB/T 30447-2013規格に従って測定された。
疎水性表面コーティング層の耐摩耗性は、XM-860耐摩耗試験机を使用して検出した。
疎水性表面コーティング層の光透過率は、イギリスLambda950紫外可視分光光度計を使用して検出した。
Claims (25)
- 1種又は複数種のフルオロアルコール化合物及び架橋剤を反応ガス原料として、プラズマ強化化学気相成長法により基体の表面に形成されることを特徴とする、疎水性表面コーティング層。
- 前記フルオロアルコール化合物は構造式:CnF2n+1-CmH2m-OH(ここで、nは1~12の整数であり、mは0~4の整数である。)を有する、請求項1に記載の疎水性表面コーティング層。
- 前記フルオロアルコール化合物は第一級アルコールである、請求項1に記載の疎水性表面コーティング層。
- 前記フルオロアルコール化合物は構造式:OH-CnHmF2n+1-m(式中、n>m+1)を有する、請求項1に記載の疎水性表面コーティング層。
- 前記フルオロアルコール化合物は、パーフルオロヘキシルエタノール、パーフルオロブチルエタノール、パーフルオロブチルプロパノール、パーフルオロヘキシルプロパノール、1,2,3,3,4,4,5,5,6,6,6-ウンデカフルオロヘキサン-1-オール、3-(ジフルオロメチル)-2,3,4,4,4-ペンタフルオロ-2-(トリフルオロメチル)ブタン-1-オールからなる群より選択される1種又は複数種である、請求項1~4のいずれか1項に記載の疎水性表面コーティング層。
- 前記架橋剤は以下の構造式を有する、請求項1~5のいずれか1項に記載の疎水性表面コーティング層。
(ここで、R 1 、R 2 、R 3 、R 5 、R 6 、R 7 は、水素、アルキル基、アリール基、ハロゲン、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン化アリール基から選択され、j、kは0~10の整数であり、且つ同時に0であることができなく、R 4 は結合、-CO-、-COO-、アリーリデン基、脂環アルキリデン基、ヒドロキシ基置換脂肪アルキリデン基である。) - 前記架橋剤は、エステル基、エーテル、エポキシ基、シアノ基の少なくとも1つを含む多官能基化合物である、請求項1~5のいずれか1項に記載の疎水性表面コーティング層。
- 前記架橋剤は、メタクリル酸グリシジル、アリルグリシジルエーテル、1,2-エポキシ-4-ビニルシクロへキサン、3-(2,3-エポキシプロポキシ)プロピルビニルジメトキシシラン、エンブクリラートからなる群より選択される1種又は複数種である、請求項1~5のいずれか1項に記載の疎水性表面コーティング層。
- 前記疎水性表面コーティング層を調製する場合には、最初に前記反応ガス原料の化学成長反応を活性化するためにプラズマ源ガスを導入する、請求項1~5のいずれか1項に記載の疎水性表面コーティング層。
- 前記プラズマ源ガスは不活性ガスから選択される1種又は複数種である、請求項9に記載の疎水性表面コーティング層。
- 前記基体はガラス基板である、請求項4~10のいずれか1項に記載の疎水性表面コーティング層。
- プラズマの作用下で、前記基体の表面にシラノール基が形成される、請求項4~10のいずれか1項に記載の疎水性表面コーティング層。
- プラズマ装置の反応チャンバーに1種又は複数種のフルオロアルコール化合物及び架橋剤の反応ガス原料を導入し、前記プラズマ装置での基体の表面にプラズマ強化化学気相成長を実行して疎水性表面コーティング層を形成するステップを含むことを特徴とする、疎水性表面コーティング層の製造方法。
- 前記フルオロアルコール化合物は構造式:CnF2n+1-CmH2m-OH(ここで、nは1~8の整数であり、mは2~3の整数である。)を有する、請求項13に記載の疎水性表面コーティング層の製造方法。
- 前記フルオロアルコール化合物は第一級アルコールである、請求項13に記載の疎水性表面コーティング層の製造方法。
- 前記フルオロアルコール化合物は構造式:OH-CnHmF2n+1-m(式中、n>m+1)を有する、請求項13に記載の疎水性表面コーティング層の製造方法。
- 前記フルオロアルコール化合物は、パーフルオロヘキシルエタノール、パーフルオロブチルエタノール、パーフルオロブチルプロパノール、パーフルオロヘキシルプロパノール、1,2,3,3,4,4,5,5,6,6,6-ウンデカフルオロヘキサン-1-オール、3-(ジフルオロメチル)-2,3,4,4,4-ペンタフルオロ-2-(トリフルオロメチル)ブタン-1-オールからなる群より選択される1種又は複数種である、請求項13~16のいずれか1項に記載の疎水性表面コーティング層の製造方法。
- 前記架橋剤は以下の構造式を有する、請求項13~17のいずれか1項に記載の疎水性表面コーティング層の製造方法。
(ここで、R 1 、R 2 、R 3 、R 5 、R 6 、R 7 は、水素、アルキル基、アリール基、ハロゲン、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン化アリール基から選択され、j、kは0~10の整数であり、且つ同時に0であることができなく、R 4 は結合、-CO-、-COO-、アリーリデン基、脂環アルキリデン基、ヒドロキシ基置換脂肪アルキリデン基である。) - 前記架橋剤は、エステル基、エーテル、エポキシ基、シアノ基の少なくとも1つを含む多官能基化合物である、請求項13~17のいずれか1項に記載の疎水性表面コーティング層の製造方法。
- 前記架橋剤は、メタクリル酸グリシジル、アリルグリシジルエーテル、1,2-エポキシ-4-ビニルシクロへキサン、3-(2,3-エポキシプロポキシ)プロピルビニルジメトキシシラン、エンブクリラートからなる群より選択される1種又は複数種である、請求項13~17のいずれか1項に記載の疎水性表面コーティング層の製造方法。
- 前記反応ガス原料を導入する前に、最初に前記反応ガス原料の化学成長反応を活性化するためにプラズマ源ガスを導入するステップを含む、請求項13~20のいずれか1項に記載の疎水性表面コーティング層の製造方法。
- 前記プラズマ源ガスは不活性ガスから選択される1種又は複数種である、請求項21に記載の疎水性表面コーティング層の製造方法。
- 前記プラズマ装置の作動電力は1~500wの範囲である、請求項13~22のいずれか1項に記載の疎水性表面コーティング層の製造方法。
- 前記基体はガラス基板である、請求項13~22のいずれか1項に記載の疎水性表面コーティング層の製造方法。
- プラズマの作用下で、前記基体の表面にシラノール基が形成される、請求項13~22のいずれか1項に記載の疎水性表面コーティング層の製造方法。
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