CN113025096A - 一种复合涂层、制备方法及器件 - Google Patents
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Abstract
本发明的具体实施方式提供一种复合涂层,采用含氟丙烯酸酯的等离子体形成的涂层作为外层,以具有芳香环的不饱和酯类单体与酯类偶联剂的等离子形成的涂层作为里层,共同形成的复合涂层与基材具有优良的防护性能的同时,又具有良好透明度。
Description
技术领域
本发明属于等离子化学领域,具体涉及一种等离子体聚合复合涂层及其制备方法。
背景技术
随着电子3C产品对于耐用性要求的提升,防水处理成为不少电子产品的选择。纳米防水技术不会改变电子产品内部或外部结构,也不会增加产品本身重量。可广泛应用在太阳能、通讯设备、LED防水、精密IC封装、电路版集成、汽车电子等种种高科技领域。这种纳米防水技术主要采用纳米级分子有机涂层材料,在真空无尘的环境下,对电子产品进行完美封装,在防护组件上形成纳米抗水薄膜,使水分子无法接触被防护组件。
采用真空镀膜工艺由于镀膜功率、温度、流量的差异以及镀膜气体喷洒特性,就算有治具支撑,也还是容易使镀膜后产品出现厚度不均而导致异色的现象。等离子体增强化学的工艺(PECVD)借助微波或射频等使含有薄膜成分的气体电离,在局部形成等离子体,而等离子体化学活性很强,很容易发生反应,可在基材上沉积出所期望的纳米抗水薄膜,如何采用PECVD开发具有优良防护效果和高透明度的涂层成为市场的热点。
发明内容
本发明的具体实施方式是为了提供一种与基材既具有优良防护性能的同时,具有良好透明度的复合涂层、制备方法及器件,具体方案如下:
一种复合涂层,所述复合涂层包括沉积于基材上的涂层Ⅰ和涂层Ⅱ,所述涂层Ⅰ由包含单体α和单体β的等离子体形成的等离子体聚合涂层;
所述涂层Ⅱ由所述涂层Ⅰ接触包含单体γ的等离子体,从而在涂层Ⅰ上形成的等离子体聚合涂层;
所述单体α具有式(1-1)所示的结构,
其中,Ar为带芳环的结构,T1为-O-C(O)-或-C(O)-O-,X1为连接部分,Y1为连接部分,R1、R2和R3分别独立的选自为氢原子、卤素原子、C1-C10的烷基或C1-C10的卤原子取代烷基;
所述单体β具有式(2-1)所示的结构,
其中,S中含有一个以上的-O-C(O)-或-C(O)-O-,R4、R5、R6、R7、R8和R9分别独立的选自为氢原子、卤素原子、C1-C10的烷基或C1-C10的卤原子取代烷基;
所述单体γ具有式(3-1)所示的结构,
其中,Z为连接部分,R10、R11和R12分别独立的选自于氢原子、卤素原子、C1-C10的烃基或C1-C10的卤原子取代烃基,x为1-20的整数。
可选的,所述R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11和R12分别独立的选自于氢原子或甲基。
可选的,所述X1为下式(1-2)所示的结构,
其中,X11为连接键、-O-或-C(O)-,X12为连接键、C1-C10的亚烷基或C1-C10的卤原子取代亚烷基;
所述Y1为连接键、C1-C10的亚烷基或C1-C10的卤原子取代亚烷基。
可选的,所述Ar为苯环结构或带有取代基的苯环结构。
可选的,所述单体α具有式(1-3)所示的结构,
其中,T2为-O-C(O)-或-C(O)-O-,X2为连接部分,Y2为连接部分;
R13、R14和R15分别独立的选自为氢原子、卤素原子、C1-C10的烷基或C1-C10的卤原子取代烷基。
可选的,所述X2为下式(1-4)所示的结构,
其中,X21为连接键、-O-或-C(O)-,X22为连接键、C1-C10的亚烷基或C1-C10的卤原子取代亚烷基;
所述Y2为连接键、C1-C10的亚烷基或C1-C10的卤原子取代亚烷基。
可选的,所述R13、R14和R15分别独立的选自为氢原子或甲基。
可选的,所述单体α选自于丙烯酸-2-苯氧基乙酯、丙烯酸苯酯、对苯二甲酸二烯丙酯或甲基丙烯酸苯酯中的至少一个。
可选的,所述S中含有两个-O-C(O)-或-C(O)-O-,x在5以上。
可选的,所述S具有式(2-2)所示的结构,
其中,R16为C2-C10的亚烷基或C2-C10的卤原子取代亚烷基,y为0到10的整数。
可选的,所述单体β选自于二甲基丙烯酸1,4-丁二醇酯、二甲基丙烯酸1,6-己二醇酯、二甲基丙烯酸乙二醇酯、二甲基丙烯酸二乙二醇酯、二甲基丙烯酸三乙二醇酯、二甲基丙烯酸四乙二醇酯、二甲基丙烯酸1,3-丁二醇酯、二甲基丙烯酸新戊二醇酯、甲基丙烯酸酐、二丙-2-烯基-2-亚甲基丁二酸酯、2-亚苄基丙二酸二丙-2-烯基酯或二烯丙基丙二酸二乙酯中的至少一个。
可选的,所述Z为连接键、C1-C4的亚烷基或具有取代基的C1-C4的亚烷基。
可选的,所述单体γ选自于3-(全氟-5-甲基己基)-2-羟基丙基甲基丙烯酸酯、2-(全氟癸基)乙基甲基丙烯酸酯、2-(全氟己基)乙基甲基丙烯酸酯、2-(全氟十二烷基)乙基丙烯酸酯、2-全氟辛基丙烯酸乙酯、1H,1H,2H,2H-全氟辛醇丙烯酸酯、2-(全氟丁基)乙基丙烯酸酯、(2H-全氟丙基)-2-丙烯酸酯或(全氟环己基)甲基丙烯酸酯中的一种或几种。
可选的,所述涂层Ⅰ的厚度为80-800nm,所述涂层Ⅱ的厚度为10-50nm。
可选的,所述单体α和单体β的摩尔比在3:10~10:3之间。
可选的,所述基材为电子或电气元器件。
可选的,所述基材为手机、平板电脑、键盘、电子阅读器、可穿戴设备、显示器、耳机、USB数据线、USB接口、透音网、耳套或头带。
可选的,所述涂层Ⅰ的厚度为80-130nm,所述涂层Ⅱ的厚度为10-50nm。
一种任一以上所述复合涂层的制备方法,包括:
提供基材,将基材置于等离子体反应腔室内,抽真空至20-250毫托,并通入惰性气体He、Ar、O2或几种的混合气体;
将单体α和单体β混合单体蒸汽导入到反应腔室内,开启等离子体放电,形成等离子体聚合涂层Ⅰ;
将单体γ蒸汽导入到反应腔室内,开启等离子体放电,在涂层Ⅰ上形成等离子体聚合涂层Ⅱ。
可选的,所述等离子体为脉冲等离子体。
可选的,所述脉冲等离子体通过施加脉冲电压放电产生,其中,脉冲功率为10W-100W,脉冲频率为15Hz-60kHz,脉冲占空比为1%~85%,等离子放电时间为100s-36000s。
一种器件,所述器件的至少部分表面具有任一以上所述的复合涂层。一一种复合涂层,所述复合涂层包括沉积于基材上的涂层Ⅰ,
所述涂层Ⅰ由包含单体α和单体β的等离子体形成的等离子体聚合涂层;
所述单体α具有式(1-1)所示的结构,
其中,Ar为带芳环的结构,T1为-O-C(O)-或-C(O)-O-,X1为连接部分,Y1为连接部分,R1、R2和R3分别独立的选自为氢原子、卤素原子、C1-C10的烷基或C1-C10的卤原子取代烷基;
所述X1为下式(1-2)所示的结构,
其中,X11为-O-或-C(O)-,X12为C1-C10的亚烷基或C1-C10的卤原子取代亚烷基;
所述Y1为连接键、C1-C10的亚烷基或C1-C10的卤原子取代亚烷基;
所述单体β具有式(2-1)所示的结构,
其中,S中含有一个以上的-O-C(O)-或-C(O)-O-,R4、R5、R6、R7、R8和R9分别独立的选自为氢原子、卤素原子、C1-C10的烷基或C1-C10的卤原子取代烷基。
可选的,所述Ar为苯环结构或带有取代基的苯环结构。
可选的,所述R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8和R9分别独立的选自于氢原子或甲基。
可选的,所述单体α为丙烯酸-2-苯氧基乙酯。
可选的,所述S中含有两个-O-C(O)-或-C(O)-O-,x在5以上。
可选的,所述S具有式(2-2)所示的结构,
其中,R16为C2-C10的亚烷基或C2-C10的卤原子取代亚烷基,y为0到10的整数。
可选的,所述单体β选自于二甲基丙烯酸1,4-丁二醇酯、二甲基丙烯酸1,6-己二醇酯、二甲基丙烯酸乙二醇酯、二甲基丙烯酸二乙二醇酯、二甲基丙烯酸三乙二醇酯、二甲基丙烯酸四乙二醇酯、二甲基丙烯酸1,3-丁二醇酯、二甲基丙烯酸新戊二醇酯、甲基丙烯酸酐、二丙-2-烯基-2-亚甲基丁二酸酯、2-亚苄基丙二酸二丙-2-烯基酯或二烯丙基丙二酸二乙酯中的至少一个。
可选的,所述单体α和单体β的摩尔比在3:10~10:3之间。
本发明具体实施方式的复合涂层,采用含氟丙烯酸酯的等离子体形成的涂层作为外层,以具有芳香环的不饱和酯类单体与酯类偶联剂的等离子形成的涂层作为里层,共同形成的复合涂层与基材既具有优良防护性能的同时,又具有良好透明度。
具体实施方式
本发明具体实施方式的复合涂层,所述复合涂层包括沉积于基材上的涂层Ⅰ和涂层Ⅱ,
所述涂层Ⅰ由包含单体α和单体β的等离子体形成的等离子体聚合涂层;
所述涂层Ⅱ由所述涂层Ⅰ接触包含单体γ的等离子体,从而在涂层Ⅰ上形成的等离子体聚合涂层;
所述单体α具有式(1-1)所示的结构,
其中,Ar为带芳环的结构,T1为-O-C(O)-或-C(O)-O-,X1为连接部分,Y1为连接部分,R1、R2和R3分别独立的选自为氢原子、卤素原子、C1-C10的烷基或C1-C10的卤原子取代烷基;
所述单体β具有式(2-1)所示的结构,
其中,S中含有一个以上的-O-C(O)-或-C(O)-O-,R4、R5、R6、R7、R8和R9分别独立的选自为氢原子、卤素原子、C1-C10的烷基或C1-C10的卤原子取代烷基;
所述单体γ具有式(3-1)所示的结构,
其中,Z为连接部分,R10、R11和R12分别独立的选自于氢原子、卤素原子、C1-C10的烃基或C1-C10的卤原子取代烃基,x为1-20的整数。
本发明的发明人通过研究发现,含氟丙烯酸酯等离子体形成的涂层具有良好的疏水性和极弱的吸湿性,可以有效阻止溶液和湿气侵入内部,同时具有透明度高、耐紫外光强等优点,具有芳香环的不饱和酯类单体与酯类偶联剂的等离子形成的涂层具有较高的摩尔折射度和相对较小的分子体积,并且可增强含氟丙烯酸酯等离子体形成的涂层与基材之间结合力,通过采用含氟丙烯酸酯的等离子体形成的涂层作为外层,以具有芳香环的酯类单体与酯类偶联剂的等离子形成的涂层作为里层,共同形成的复合涂层,既具有优良防护性能的同时,又具有良好透明度。
本发明具体实施方式的复合涂层,在一些具体实施方式中,所述Ar为芳环上带有取代基的苯环或杂芳环,在另一些具体实施方式中,所述Ar为芳环上不带有取代基的苯环或杂芳环。
本发明具体实施方式的复合涂层,所述X1和Y1为连接部分,X1用于连接带芳环的结构Ar和酯键T1,Y1用于连接酯键T1和饱和的碳碳双键,在一些具体实施方式中,所述X1为下式(1-2)所示的结构,
其中,X11为连接键、-O-或-C(O)-,X12为连接键、C1-C10的亚烷基或C1-C10的卤原子取代亚烷基;所述Y1为连接键、C1-C10的亚烷基或C1-C10的卤原子取代亚烷基。所述亚烷基包括直链的亚烷基,例如亚甲基、亚乙基、亚丙基或亚丁基等,或含有支链的亚烷基,例如亚异丙基或亚异丁基等。
本发明具体实施方式的复合涂层,在一些具体实施方式中,所述R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11和R12分别独立的选自于氢原子或甲基。
本发明具体实施方式的复合涂层,在一些具体实施方式中,所述单体α具有式(1-3)所示的结构,
其中,T2为-O-C(O)-或-C(O)-O-,X2为连接部分,用于连接苯环和酯键T2,Y2为连接部分,用于连接酯键T2和碳碳双键;
R13、R14和R15分别独立的选自为氢原子、卤素原子、C1-C10的烷基或C1-C10的卤原子取代烷基。所述烷基包括直链的烷基,例如甲基、乙基、丙基或丁基等,或含有支链的烷基,例如异丙基或异丁基等。
本发明具体实施方式的复合涂层,在一些具体实施方式中,式(1-3)所示的结构中,苯环上的两个取代基为对位取代,在另外一些实施例中也可以是领位取代或间位取代。
本发明具体实施方式的复合涂层,在一些具体实施方式中,所述X2为下式(1-4)所示的结构,
其中,X21为连接键、-O-或-C(O)-,X22为连接键、C1-C10的亚烷基或C1-C10的卤原子取代亚烷基;所述Y2为连接键、C1-C10的亚烷基或C1-C10的卤原子取代亚烷基。所述亚烷基包括直链的亚烷基,例如亚甲基、亚乙基、亚丙基或亚丁基等,或含有支链的亚烷基,例如亚异丙基或亚异丁基等。
本发明具体实施方式的复合涂层,在一些具体实施方式中,所述R13、R14和R15分别独立的选自为氢原子或甲基。
本发明具体实施方式的复合涂层,作为具体的非限制性举例,所述单体α选自于丙烯酸-2-苯氧基乙酯(CAS号:48145-04-6)、丙烯酸苯酯(CAS号:937-41-7)、对苯二甲酸二烯丙酯(CAS号:1026-92-2)或甲基丙烯酸苯酯(CAS号:2177-70-0)中的至少一个。
本发明具体实施方式的复合涂层,在一些具体实施方式中,所述S中含有两个-O-C(O)-或-C(O)-O-,即S中含有两个-O-C(O)-、两个-C(O)-O-或-O-C(O)-或-C(O)-O-各一个;所述x在5以上,比如可以是5、6、7、8、9、10、11或12等等。
本发明具体实施方式的复合涂层,在一些具体实施方式中,所述S具有式(2-2)所示的结构,
其中,R16为C2-C10的亚烷基或C2-C10的卤原子取代亚烷基,所述亚烷基包括直链的亚烷基,例如亚甲基、亚乙基、亚丙基或亚丁基等,或含有支链的亚烷基,例如亚异丙基或亚异丁基等,y为0到10的整数。具体的为0、1、2、3、4、5、6、7、8、9或10。
本发明具体实施方式的复合涂层,作为具体的非限制性举例,所述单体β选自于二甲基丙烯酸1,4-丁二醇酯(CAS号:2082-81-7)、二甲基丙烯酸1,6-己二醇酯(CAS号:6606-59-3)、二甲基丙烯酸乙二醇酯(CAS号:97-90-5)、二甲基丙烯酸二乙二醇酯(CAS号:2358-84-1)、二甲基丙烯酸三乙二醇酯(CAS号:109-16-0)、二甲基丙烯酸四乙二醇酯(CAS号:109-17-1)、二甲基丙烯酸1,3-丁二醇酯(CAS号:1189-08-8)、二甲基丙烯酸新戊二醇酯(CAS号:1985-51-9)、甲基丙烯酸酐(CAS号:760-93-0)、二丙-2-烯基-2-亚甲基丁二酸酯、2-亚苄基丙二酸二丙-2-烯基酯(CAS号:52505-39-2)或二烯丙基丙二酸二乙酯(CAS号:3195-24-2)中的至少一个。
本发明具体实施方式的复合涂层,所述Z为连接部分,用于连接酯键全氟碳烷基,在一些具体实施方式中,所述Z为连接键、C1-C4的亚烷基或具有取代基的C1-C4的亚烷基。所述亚烷基包括直链的亚烷基,例如亚甲基、亚乙基、亚丙基或亚丁基等,或含有支链的亚烷基,例如亚异丙基或亚异丁基等,所述取代基例如包括卤素原子、羟基、羧基或酯基等等。
本发明具体实施方式的复合涂层,在一些具体实施方式中,所述x为4以上,进一步为6以上,所述x具体例如6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19或20,有利于提高涂层的疏水性。
本发明具体实施方式的复合涂层,作为具体的非限制性举例,所述单体γ选自于3-(全氟-5-甲基己基)-2-羟基丙基甲基丙烯酸酯(CAS号:16083-81-1)、2-(全氟癸基)乙基甲基丙烯酸酯(CAS号:2144-54-9)、2-(全氟己基)乙基甲基丙烯酸酯(CAS号:2144-53-8)、2-(全氟十二烷基)乙基丙烯酸酯(CAS号:27905-45-9)、2-全氟辛基丙烯酸乙酯(CAS号:27905-45-9)、1H,1H,2H,2H-全氟辛醇丙烯酸酯(CAS号:17527-29-6)、2-(全氟丁基)乙基丙烯酸酯(CAS号:52591-27-2)、(2H-全氟丙基)-2-丙烯酸酯(CAS号:59158-81-5)或(全氟环己基)甲基丙烯酸酯(CAS号:40677-94-9)中的一种或几种。
本发明具体实施方式的复合涂层,在一些具体实施方式中,所述涂层Ⅰ由单体α和单体β的等离子体形成的等离子体聚合涂层;所述涂层Ⅱ由所述涂层Ⅰ接触单体γ的等离子体,从而在涂层Ⅰ上形成的等离子体聚合涂层。在另外一些具体实施方式种,在不影响涂层Ⅰ和涂层Ⅱ的整体涂层性能的情况下,所述涂层Ⅰ可以由单体α和单体β加有适当的其它单体的等离子体形成的等离子体聚合涂层;所述涂层Ⅱ可以由所述涂层Ⅰ接触单体γ和适当的其它单体的混合单体等离子体,从而在涂层Ⅰ上形成的等离子体聚合涂层。
本发明具体实施方式的复合涂层,在一些具体实施方式中,所述涂层Ⅰ的厚度为80-800nm,所述涂层Ⅱ的厚度为10-50nm,该涂层厚度有利于保持涂层的透明度与防护性能。
本发明具体实施方式的复合涂层,在一些具体实施方式中,所述单体α和单体β的摩尔比在3:10~10:3之间,具体例如可以是3:10、4:10、5:10、6:10、7:10、8:10、9:10、10:10、10:9、10:8、10:7、10:6、10:5、10:4或10:3等等;在另外一些具体实施方式中,在满足兼顾防护性能与透明度的情况,根据具体的单体情况,也可以在其它比例之间进行调节。
本发明具体实施方式的复合涂层,在一些具体实施方式中,所述基材为各种塑料、织物、玻璃、电气组件或光学仪器等。具体地,电气组件可以是印刷电路板(PCB)、电子产品或电子组装半成品等。
在一些具体实施方式中,所述基材为电子或电气元器件,作为具体的非限制性举例,当所述基材是电子产品时,例如可以为手机、平板电脑、键盘、电子阅读器、可穿戴设备、显示器,耳机、USB数据线、USB接口、透音网、耳套或头带等。所述基材也可以是电气组件的任一合适的电气部件,具体地,所述电气部件可以是电阻器、电容器、晶体管、二极管、放大器、继电器、变压器、电池、熔断器、集成电路、开关、LED、LED显示器、压电元件、光电子部件或天线或振荡器等。对于这些基材,通常为了保证其透明度,所述涂层Ⅰ的厚度为80-130nm,所述涂层Ⅱ的厚度为10-50nm。
本发明的具体实施方式还提供一种任一以上所述复合涂层的制备方法,包括:
提供基材,将基材置于等离子体反应腔室内,抽真空至20-250毫托,并通入惰性气体He、Ar、O2或几种的混合气体;
将单体α和单体β混合单体蒸汽导入到反应腔室内,开启等离子体放电,形成等离子体聚合涂层Ⅰ;
将单体γ蒸汽导入到反应腔室内,开启等离子体放电,在涂层Ⅰ上形成等离子体聚合涂层Ⅱ。
本发明的具体实施方式的复合涂层制备方法,所述单体α、单体β、单体γ、涂层Ⅰ、涂层Ⅱ以及基材等的说明如前所述。
本发明的具体实施方式的复合涂层制备方法,区别于其它等离子涂层,在进行等离子涂层前优选不对基材表面进行连续波等离子体处理,这样有利于保持涂层产品的透明度。
本发明具体实施方式的复合涂层制备方法,在一些具体实施方式中,所述等离子体为脉冲等离子体,所述单体流量为50-500ul/min,具体例如可以是100ul/min、200ul/min、300ul/min或400ul/min等等;腔体内的温度控制在20℃-80℃,具体例如可以是20℃、30℃、40℃、50℃、60℃、70℃或80℃等等;单体气化温度为50℃-120℃,体例如可以是50℃、60℃、70℃、80℃、90℃、100℃、110℃或120℃等等,且是在真空条件下发生气化,所述脉冲等离子体通过施加脉冲电压放电产生,其中,脉冲功率为10W-100W,具体例如可以是10W、20W、30W、40w、50w、60w、70w、80w、90w或100w等等;脉冲频率为15Hz-60kHz,具体例如可以是15Hz、20Hz、25Hz、30Hz、35Hz、40Hz、45Hz、50Hz、55Hz或60Hz等等;脉冲占空比为1%~85%,具体例如可以是1%、5%、10%、15%、20%、25%、30%、35%、40%、45%、50%、55%、60%、65%、70%、75%、80%或85%等等;等离子放电时间为100s-36000s,具体例如可以是。100s、500s、1000s、2000s、3000s、4000s、5000s、6000s、7000s、8000s、9000s、10000s、15000s、20000s、25000s、30000s、36000s等等。
本发明具体实施方式的复合涂层制备方法,在一些具体实施方式中,所述等离子放电方式可以现有的各种放电方式,具体例如,无电极放电(如射频电感耦合放电、微波放电)、单电极放电(如电晕放电、单极放电所形成的等离子体射流)、双电极放电(如介质阻挡放电、裸露电极射频辉光放电)以及多电极放电(如采用浮动电极作为第三个电极的放电)。
本发明的具体实施方式还提供一种器件,所述器件的至少部分表面具有任一以上所述的复合涂层,在一些具体实施方式中,所述器件的部分表面或全部表面仅涂覆有上述的保护涂层。
以下通过具体实施例对本发明做进一步说明。
实施例
测试方法说明
耐盐雾测试:根据GB/T 2423.18-2000电工电子产品环境试验方法进行检测。
色度测试:根据GB/T3979--2008标准进行测试。
水滴角测试:根据GB/T 30447-2013标准进行测试。
涂层厚度测试:使用美国Filmetrics F20-UV-薄膜厚度测量仪进行检测。
实施例1
(1)将基材mic-usb放置于500L等离子体真空反应腔体内,对反应腔体连续抽真空使真空度达到120毫托,腔体内部温度为45℃,通入氦气,流量为160sccm;
(2)通入二甲基丙烯酸三乙二醇酯和丙烯酸-2-苯氧基乙酯(质量比1:1)混合单体,混合单体流量为200ul/min,单体气化温度为110℃,开启射频等离子体放电,射频的能量输出方式为脉冲,放电时间2800s,放电功率10w,脉冲频率15Hz,脉冲占空比25%,形成涂层Ⅰ;
(3)然后再通入单体2-(全氟己基)乙基甲基丙烯酸酯,单体流量为200ul/min,单体气化温度为110℃,放电时间900s,放电功率50w,脉冲频率25Hz,脉冲占空比35%,形成涂层Ⅱ;
(4)涂层制备结束后,通入空气,使反应腔体恢复至常压,打开腔体,取出mic-usb进行涂层厚度、色度值,水滴角以及盐雾测试,测试结果列入下表1中。
实施例2
(1)将基材Type-C放置于500L等离子体真空反应腔体内,对反应腔体连续抽真空使真空度达到80毫托,腔体内部温度为35℃,通入氦气,流量为100sccm;
(2)通入二甲基丙烯酸1,6-己二醇酯和丙烯酸苯酯(质量比3:2)混合单体,混合单体流量为250ul/min,单体气化温度为180℃,开启射频等离子体放电,射频的能量输出方式为脉冲,放电时间3600s,放电功率25w,脉冲频率45Hz,脉冲占空比45%,形成涂层Ⅰ;
(3)然后再通入单体2-(全氟十二烷基)乙基丙烯酸酯,单体流量为150ul/min,单体气化温度为120℃,放电时间1300s,放电功率60w,脉冲频率35Hz,脉冲占空比20%,形成涂层Ⅱ;
(4)涂层制备结束后,通入空气,使反应腔体恢复至常压,打开腔体,取出Type-C进行涂层厚度、色度值,水滴角以及盐雾测试,测试结果列入下表1中。
实施例3
(1)将基材耳机半成品放置于500L等离子体真空反应腔体内,对反应腔体连续抽真空使真空度达到80毫托,腔体内部温度为35℃,通入氦气,流量为40sccm;
(2)通入二甲基丙烯酸三乙二醇酯和甲基丙烯酸苯酯(质量比2:3)混合单体,混合单体流量为500ul/min,单体气化温度为180℃,开启射频等离子体放电,射频的能量输出方式为脉冲,放电时间7200s,放电功率10w,脉冲频率60Hz,脉冲占空比45%,形成涂层Ⅰ;
(3)然后再通入单体2-(全氟丁基)乙基丙烯酸酯,单体流量为150ul/min,单体气化温度为110℃,放电时间1800s,放电功率80w,脉冲频率50Hz,脉冲占空比25%,形成涂层Ⅱ;
(4)涂层制备结束后,通入空气,使反应腔体恢复至常压,打开腔体,取出耳机半成品进行涂层厚度、色度值,水滴角以及盐雾测试,测试结果列入下表1中。
实施例4
(1)将基材Type-C放置于500L等离子体真空反应腔体内,对反应腔体连续抽真空使真空度达到120毫托,腔体内部温度为35℃,通入氦气,流量为60sccm;
(2)通入二甲基丙烯酸四乙二醇酯和对苯二甲酸二烯丙酯(质量比3:2)混合单体,混合单体流量为300ul/min,单体气化温度为160℃,开启射频等离子体放电,射频的能量输出方式为脉冲,放电时间7200s,放电功率30w,脉冲频率15Hz,脉冲占空比30%,形成涂层Ⅰ;
(3)然后再通入单体(全氟环己基)甲基丙烯酸酯,单体流量为250ul/min,单体气化温度为110℃,放电时间1800s,放电功率60w,脉冲频率50Hz,脉冲占空比45%,形成涂层Ⅱ;
(4)涂层制备结束后,通入空气,使反应腔体恢复至常压,打开腔体,取出Type-C进行涂层厚度、色度值,水滴角以及盐雾测试,测试结果列入下表1中。
实施例5
(1)将基材耳机整机放置于500L等离子体真空反应腔体内,对反应腔体连续抽真空使真空度达到120毫托,腔体内部温度为35℃,通入氦气,流量为300sccm;
(2)通入二甲基丙烯酸1,4-丁二醇酯和丙烯酸苯酯(质量比3:2)混合单体,混合单体流量为200ul/min,单体气化温度为110℃,开启射频等离子体放电,射频的能量输出方式为脉冲,放电时间7200s,放电功率100w,脉冲频率35Hz,脉冲占空比25%,形成涂层Ⅰ;
(3)然后再通入单体2-(全氟丁基)乙基丙烯酸酯,单体流量为200ul/min,单体气化温度为110℃,放电时间1800s,放电功率50w,脉冲频率25Hz,脉冲占空比40%,形成涂层Ⅱ;
(4)涂层制备结束后,通入空气,使反应腔体恢复至常压,打开腔体,取出耳机整机进行涂层厚度、色度值,水滴角以及盐雾测试,测试结果列入下表1中。
实施例6
(1)将基材玻璃片放置于500L等离子体真空反应腔体内,对反应腔体连续抽真空使真空度达到80毫托,腔体内部温度为45℃,通入氦气,流量为160sccm;
(2)通入二甲基丙烯酸1,6-己二醇酯和丙烯酸苯酯(质量比2:3)混合单体,混合单体流量为300ul/min,单体气化温度为180℃,开启射频等离子体放电,射频的能量输出方式为脉冲,放电时间7200s,放电功率37w,脉冲频率20Hz,脉冲占空比15%,形成涂层Ⅰ;
(3)然后再通入单体2-(全氟十二烷基)乙基丙烯酸酯,单体流量为200ul/min,单体气化温度为130℃,放电时间2600s,放电功率45w,脉冲频率30Hz,脉冲占空比25%,形成涂层Ⅱ;
(4)涂层制备结束后,通入空气,使反应腔体恢复至常压,打开腔体,取出玻璃片进行涂层厚度、色度值,水滴角以及盐雾测试,测试结果列入下表1中。
实施例7
(1)将基材黑色ABS板放置于500L等离子体真空反应腔体内,对反应腔体连续抽真空使真空度达到100毫托,腔体内部温度为35℃,通入氦气,流量为180sccm;
(2)通入二甲基丙烯酸1,6-己二醇酯和丙烯酸苯酯(质量比2:3)混合单体,混合单体流量为280ul/min,单体气化温度为130℃,开启射频等离子体放电,射频的能量输出方式为脉冲,放电时间2000s,放电功率32w,脉冲频率40Hz,脉冲占空比10%,形成涂层Ⅰ;
(3)然后再通入单体2-(全氟十二烷基)乙基丙烯酸酯,单体流量为150ul/min,单体气化温度为160℃,时间1200s,放电功率25w,脉冲频率50Hz,脉冲占空比25%,形成涂层Ⅱ;
(4)涂层制备结束后,通入空气,使反应腔体恢复至常压,打开腔体,取出黑色ABS板涂层厚度、色度值,水滴角以及盐雾测试,测试结果列入下表1中。
对比例1
(1)将基材mic-usb放置于500L等离子体真空反应腔体内,对反应腔体连续抽真空使真空度达到120毫托,腔体内部温度为45℃,通入氦气,流量为160sccm;
(2)通入二甲基丙烯酸三乙二醇酯和苯乙烯(质量比1:1)混合单体,混合单体流量为200ul/min,单体气化温度为110℃,开启射频等离子体放电,射频的能量输出方式为脉冲,放电时间2800s,放电功率10w,脉冲频率15Hz,脉冲占空比25%,形成涂层Ⅰ;
(3)然后再通入单体2-(全氟己基)乙基甲基丙烯酸酯,单体流量为200ul/min,单体气化温度为110℃,放电时间900s,放电功率50w,脉冲频率25Hz,脉冲占空比35%,形成涂层Ⅱ;
(4)涂层制备结束后,通入空气,使反应腔体恢复至常压,打开腔体,取出mic-usb进行涂层厚度、色度值,水滴角以及盐雾测试,测试结果列入下表1中。
对比例2
(1)将基材Type-C放置于500L等离子体真空反应腔体内,对反应腔体连续抽真空使真空度达到80毫托,腔体内部温度为35℃,通入氦气,流量为100sccm;
(2)通入二甲基丙烯酸1,6-己二醇酯和对二甲苯(质量比3:2)混合单体,混合单体流量为250ul/min,单体气化温度180℃,开启射频等离子体放电,射频的能量输出方式为脉冲,放电时间3600s,放电功率25w,脉冲频率45Hz,脉冲占空比45%,形成涂层Ⅰ;
(3)然后再通入单体2-(全氟十二烷基)乙基丙烯酸酯,单体流量为150ul/min,单体气化温度为120℃,放电时间1300s,放电功率60w,脉冲频率35Hz,脉冲占空比20%,形成涂层Ⅱ;
(4)涂层制备结束后,通入空气,使反应腔体恢复至常压,打开腔体,取出Type-C进行涂层厚度、色度值,水滴角以及盐雾测试,测试结果列入下表1中。
对比例3
(1)将基材耳机半成品放置于500L等离子体真空反应腔体内,对反应腔体连续抽真空使真空度达到80毫托,腔体内部温度为35℃,通入氦气,流量为40sccm;
(2)通入单体2-(全氟丁基)乙基丙烯酸酯,单体流量为150u l/mi n,单体气化温度为110℃,开启射频等离子体放电,射频的能量输出方式为脉冲,放电时间7200s,放电功率80w,脉冲频率50Hz,脉冲占空比25%,形成涂层Ⅰ;
(3)涂层制备结束后,通入空气,使反应腔体恢复至常压,打开腔体,取出耳机半成品进行涂层厚度、色度值,水滴角以及盐雾测试,测试结果列入下表1中。
表1实施例1-7、对比例1-3实验测试结果
虽然本发明披露如上,但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员,在不脱离本发明的精神和范围内,均可作各种更动与修改,因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
Claims (30)
1.一种复合涂层,其特征在于,所述复合涂层包括沉积于基材上的涂层Ⅰ和涂层Ⅱ,
所述涂层Ⅰ由包含单体α和单体β的等离子体形成的等离子体聚合涂层;
所述涂层Ⅱ由所述涂层Ⅰ接触包含单体γ的等离子体,从而在涂层Ⅰ上形成的等离子体聚合涂层;
所述单体α具有式(1-1)所示的结构,
其中,Ar为带芳环的结构,T1为-O-C(O)-或-C(O)-O-,X1为连接部分,Y1为连接部分,R1、R2和R3分别独立的选自为氢原子、卤素原子、C1-C10的烷基或C1-C10的卤原子取代烷基;
所述单体β具有式(2-1)所示的结构,
其中,S中含有一个以上的-O-C(O)-或-C(O)-O-,R4、R5、R6、R7、R8和R9分别独立的选自为氢原子、卤素原子、C1-C10的烷基或C1-C10的卤原子取代烷基;
所述单体γ具有式(3-1)所示的结构,
其中,Z为连接部分,R10、R11和R12分别独立的选自于氢原子、卤素原子、C1-C10的烃基或C1-C10的卤原子取代烃基,x为1-20的整数。
2.根据权利要求1所述的复合涂层,其特征在于,所述R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11和R12分别独立的选自于氢原子或甲基。
3.根据权利要求1所述的复合涂层,其特征在于,所述X1为下式(1-2)所示的结构,
*-X11-X12-*
(1-2)
其中,X11为连接键、-O-或-C(O)-,X12为连接键、C1-C10的亚烷基或C1-C10的卤原子取代亚烷基;
所述Y1为连接键、C1-C10的亚烷基或C1-C10的卤原子取代亚烷基。
4.根据权利要求1所述的复合涂层,其特征在于,所述Ar为苯环结构或带有取代基的苯环结构。
6.根据权利要求5所述的复合涂层,其特征在于,所述X2为下式(1-4)所示的结构,
*-X22-X21-*
(1-4)
其中,X21为连接键、-O-或-C(O)-,X22为连接键、C1-C10的亚烷基或C1-C10的卤原子取代亚烷基;
所述Y2为连接键、C1-C10的亚烷基或C1-C10的卤原子取代亚烷基。
7.根据权利要求5所述的复合涂层,其特征在于,所述R13、R14和R15分别独立的选自为氢原子或甲基。
8.根据权利要求1所述的复合涂层,其特征在于,所述单体α选自于丙烯酸-2-苯氧基乙酯、丙烯酸苯酯、对苯二甲酸二烯丙酯或甲基丙烯酸苯酯中的至少一个。
9.根据权利要求1所述的复合涂层,其特征在于,所述S中含有两个-O-C(O)-或-C(O)-O-,x在5以上。
11.根据权利要求1所述的复合涂层,其特征在于,所述单体β选自于二甲基丙烯酸1,4-丁二醇酯、二甲基丙烯酸1,6-己二醇酯、二甲基丙烯酸乙二醇酯、二甲基丙烯酸二乙二醇酯、二甲基丙烯酸三乙二醇酯、二甲基丙烯酸四乙二醇酯、二甲基丙烯酸1,3-丁二醇酯、二甲基丙烯酸新戊二醇酯、甲基丙烯酸酐、二丙-2-烯基-2-亚甲基丁二酸酯、2-亚苄基丙二酸二丙-2-烯基酯或二烯丙基丙二酸二乙酯中的至少一个。
12.根据权利要求1所述的复合涂层,其特征在于,所述Z为连接键、C1-C4的亚烷基或具有取代基的C1-C4的亚烷基。
13.根据权利要求1所述的复合涂层,其特征在于,所述单体γ选自于3-(全氟-5-甲基己基)-2-羟基丙基甲基丙烯酸酯、2-(全氟癸基)乙基甲基丙烯酸酯、2-(全氟己基)乙基甲基丙烯酸酯、2-(全氟十二烷基)乙基丙烯酸酯、2-全氟辛基丙烯酸乙酯、1H,1H,2H,2H-全氟辛醇丙烯酸酯、2-(全氟丁基)乙基丙烯酸酯、(2H-全氟丙基)-2-丙烯酸酯或(全氟环己基)甲基丙烯酸酯中的一种或几种。
14.根据权利要求1所述的复合涂层,其特征在于,所述涂层Ⅰ的厚度为80-800nm,所述涂层Ⅱ的厚度为10-50nm。
15.根据权利要求1所述的复合涂层,其特征在于,所述单体α和单体β的摩尔比在3:10~10:3之间。
16.根据权利要求1所述的复合涂层,其特征在于,所述基材为电子或电气元器件。
17.根据权利要求16所述的复合涂层,其特征在于,所述基材为手机、平板电脑、键盘、电子阅读器、可穿戴设备、显示器、耳机、USB数据线、USB接口、透音网、耳套或头带。
18.根据权利要求17所述的复合涂层,其特征在于,所述涂层Ⅰ的厚度为80-130nm,所述涂层Ⅱ的厚度为10-50nm。
19.一种权利要求1-18任意一项所述复合涂层的制备方法,其特征在于,包括:
提供基材,将基材置于等离子体反应腔室内,抽真空至20-250毫托,并通入惰性气体He、Ar、O2或几种的混合气体;
将单体α和单体β混合单体蒸汽导入到反应腔室内,开启等离子体放电,形成等离子体聚合涂层Ⅰ;
将单体γ蒸汽导入到反应腔室内,开启等离子体放电,在涂层Ⅰ上形成等离子体聚合涂层Ⅱ。
20.根据权利要求19所述复合涂层的制备方法,其特征在于,所述等离子体为脉冲等离子体。
21.根据权利要求20所述复合涂层的制备方法,其特征在于,所述脉冲等离子体通过施加脉冲电压放电产生,其中,脉冲功率为10W-100W,脉冲频率为15Hz-60kHz,脉冲占空比为1%~85%,等离子放电时间为100s-36000s。
22.一种器件,其特征在于,所述器件的至少部分表面具有权利要求1-18任意一项所述的复合涂层。
23.一种复合涂层,其特征在于,所述复合涂层包括沉积于基材上的涂层Ⅰ,所述涂层Ⅰ由包含单体α和单体β的等离子体形成的等离子体聚合涂层;所述单体α具有式(1-1)所示的结构,
其中,Ar为带芳环的结构,T1为-O-C(O)-或-C(O)-O-,X1为连接部分,Y1为连接部分,R1、R2和R3分别独立的选自为氢原子、卤素原子、C1-C10的烷基或C1-C10的卤原子取代烷基;
所述X1为下式(1-2)所示的结构,
*-X11-X12-*
(1-2)
其中,X11为-O-或-C(O)-,X12为C1-C10的亚烷基或C1-C10的卤原子取代亚烷基;
所述Y1为连接键、C1-C10的亚烷基或C1-C10的卤原子取代亚烷基;
所述单体β具有式(2-1)所示的结构,
其中,S中含有一个以上的-O-C(O)-或-C(O)-O-,R4、R5、R6、R7、R8和R9分别独立的选自为氢原子、卤素原子、C1-C10的烷基或C1-C10的卤原子取代烷基。
24.根据权利要求23所述的复合涂层,其特征在于,所述Ar为苯环结构或带有取代基的苯环结构。
25.根据权利要求23所述的复合涂层,其特征在于,所述R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8和R9分别独立的选自于氢原子或甲基。
26.根据权利要求23所述的复合涂层,其特征在于,所述单体α为丙烯酸-2-苯氧基乙酯。
27.根据权利要求23所述的复合涂层,其特征在于,所述S中含有两个-O-C(O)-或-C(O)-O-,x在5以上。
29.根据权利要求23所述的复合涂层,其特征在于,所述单体β选自于二甲基丙烯酸1,4-丁二醇酯、二甲基丙烯酸1,6-己二醇酯、二甲基丙烯酸乙二醇酯、二甲基丙烯酸二乙二醇酯、二甲基丙烯酸三乙二醇酯、二甲基丙烯酸四乙二醇酯、二甲基丙烯酸1,3-丁二醇酯、二甲基丙烯酸新戊二醇酯、甲基丙烯酸酐、二丙-2-烯基-2-亚甲基丁二酸酯、2-亚苄基丙二酸二丙-2-烯基酯或二烯丙基丙二酸二乙酯中的至少一个。
30.根据权利要求23所述的复合涂层,其特征在于,所述单体α和单体β的摩尔比在3:10~10:3之间。
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