JP2015519219A - コーティングされた物品及び化学蒸着方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】コーティング、コーティングされた物品、及びコーティングを施す方法を提供すること。【解決手段】コーティングされた物品及び化学蒸着方法を開示する。上記コーティングされた物品は、化学蒸着により上記コーティングされた物品に適用された官能化層を含む。上記官能化層は、酸化後官能化層、オルガノフルオロ処理層、フルオロシラン処理層、トリメチルシラン処理表面、オルガノフルオロトリアルコキシシラン処理層、オルガノフルオロシリルヒドリド処理層、オルガノフルオロシリル処理層、トリデカフルオロ1,1,2,2−テトラヒドロオクチルシラン処理層、オルガノフルオロアルコール処理層、ペンタフルオロプロパノール処理層、アリルヘプタフルオロイソプロピルエーテル処理層、(ペルフルオロブチル)エチレン処理層、(ペルフルオロオクチル)エチレン処理層、(ペルフルオロアルキル)エチレン処理層、及びそれらの組み合わせからなる群より選択される層である。上記化学蒸着方法は、蒸気官能化層を適用することを含む。【選択図】図2

Description

本発明は、2012年3月26日に出願され「コーティング、コーティングされた物品、及びコーティングを施す方法(Coating、Coated article、and Method of Applying a Coating)」と題された米国仮出願第61/615,559号の優先権及び利益を主張するものであり、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。
本発明は、コーティング、コーティングされた物品、及びコーティング方法に関する。より詳細には、本発明は、蒸着コーティングに関する。
基材の表面は、所望の性能特性を有しないことが多い。所望の具体的な性能特性を有しないことにより、ある環境下においては表面劣化が生じたり、ある性能要件を満たさなかったり、又は、その両方が生じたりすることもある。例えば、ある環境下において、金属表面、ガラス表面、及びセラミック表面は、損耗や、化学吸着、触媒活性、腐食攻撃、酸化、副産物の蓄積、及び吸着等の望ましくない表面活性、及び/又は他の望ましくない表面活性を受けることがある。
望ましくない表面活性により、他の分子の化学吸着、他の分子の可逆的及び不可逆的な物理吸着、他の分子との触媒反応、外来種からの攻撃、表面の分子破壊、基材の物理的損失、又はそれらの組み合わせが引き起こされる可能性がある。
金属触媒の存在下において、水素化シリコン表面と不飽和炭化水素試薬とを反応させることにより、所望の性能特性をもたらすことができる。このような方法には、処理した系から触媒を完全に除去するのが難しい場合が多く、触媒の存在により、望ましくない表面活性が再導入される可能性があるという欠点がある。アモルファスシリコン系の化学蒸着材料もまた、高pHの腐食性媒体により溶解されやすく、そのような環境下での使用が制限される。
望ましくない表面活性から表面を保護するために、表面にコーティングを施してもよい。表面にコーティングを施す周知の方法の1つは、化学蒸着(一般にCVDとも称される)である。一般的に、化学蒸着においては、制御された雰囲気及び温度条件下で、蒸気により固体材料を所定の時間堆積させることによりコーティングを形成する。化学蒸着は、一次処理と、それに続いて実施される所定の分子を付加するための官能化(表面反応)とを含んでもよい。
しかし、先行技術においては一般に化学蒸着が用いられているものの、これまで、ケイ素、炭素、及び水素を含む分子を化学蒸着前駆体として使用することは望ましくないと考えられてきた。あるいは、これら分子は、プラズマ及びマイクロ波場等の付加的な蒸着エネルギーの存在下において、他の化学蒸着前駆体とともに適用されてきた。したがって、このような分子に関連する特性は、熱化学蒸着技術においては、未だ得られていない。
したがって、上記欠点のうち1つ又は複数の欠点を有しないコーティング、コーティングされた物品、及びコーティングを施す方法が、当該技術分野において望まれるであろう。
米国特許出願公開第2005/271893号明細書 欧州特許出願公開第1150345号明細書
コーティング、コーティングされた物品、及びコーティングを施す方法を提供する。
本発明の一実施形態によれば、コーティングされた物品は、化学蒸着により上記コーティングされた物品に適用された官能化層を含む。上記官能化層は、酸化後官能化層、オルガノフルオロ処理層、フルオロシラン処理層、トリメチルシラン処理層、オルガノフルオロトリアルコキシシラン処理層、オルガノフルオロシリルヒドリド処理層、オルガノフルオロシリル処理層、トリデカフルオロ1,1,2,2−テトラヒドロオクチルシラン処理層、オルガノフルオロアルコール処理層、ペンタフルオロプロパノール処理層、アリルヘプタフルオロイソプロピルエーテル処理層、(ペルフルオロブチル)エチレン処理層、(ペルフルオロオクチル)エチレン処理層、(ペルフルオロアルキル)エチレン処理層、及びそれらの組み合わせからなる群より選択される層である。
本発明の他の実施形態によれば、化学蒸着方法は、化学蒸着により、物品に官能化層を適用する。上記官能化層は、酸化後官能化層、オルガノフルオロ処理層、フルオロシラン処理層、トリメチルシラン処理層、オルガノフルオロトリアルコキシシラン処理層、オルガノフルオロシリルヒドリド処理層、オルガノフルオロシリル処理層、トリデカフルオロ1,1,2,2−テトラヒドロオクチルシラン処理層、オルガノフルオロアルコール処理層、ペンタフルオロプロパノール処理層、アリルヘプタフルオロイソプロピルエーテル処理層、(ペルフルオロブチル)エチレン処理層、(ペルフルオロオクチル)エチレン処理層、(ペルフルオロアルキル)エチレン処理層、及びそれらの組み合わせからなる群より選択される層である。
本発明の他の実施形態によれば、化学蒸着方法は、材料を分解して物品上に層を形成し、上記層を酸化して酸化層を形成し、上記酸化層を官能化する。上記官能化層は、酸化後官能化層、オルガノフルオロ処理層、フルオロシラン処理層、トリメチルシラン処理層、オルガノフルオロトリアルコキシシラン処理層、オルガノフルオロシリルヒドリド処理層、オルガノフルオロシリル処理層、トリデカフルオロ1,1,2,2−テトラヒドロオクチルシラン処理層、オルガノフルオロアルコール処理層、ペンタフルオロプロパノール処理層、アリルヘプタフルオロイソプロピルエーテル処理層、(ペルフルオロブチル)エチレン処理層、(ペルフルオロオクチル)エチレン処理層、(ペルフルオロアルキル)エチレン処理層、及びそれらの組み合わせからなる群より選択される層である。
本発明の他の実施形態によれば、化学蒸着方法は、1気圧を超える所定の圧力で、少なくとも3分の所定の時間、100℃を超える所定の温度まで物品を加熱することにより、上記物品を前処理し、材料を分解して物品上に層を形成し、上記層を酸化して酸化層を形成し、上記酸化層を官能化する。
本発明の実施形態の更なる態様が本明細書に開示される。上述の特徴は、本願の他の特徴及び利点とともに、以下の図面及び詳細な説明に基づいて、当業者に理解されるであろう。
各図面において、同様の構成要素については、可能な限り同一の参照番号を付している。
本発明の一実施形態に係る、材料の分解により形成された層によるコーティングを有する物品の概略図である。 本発明の一実施形態に係る方法の概略図である。 本発明の一実施形態に従って形成された官能化層によるコーティングを有する物品の概略図である。 本発明の一実施形態に従って形成された酸化層によるコーティングを有する物品の概略図である。 本発明の一実施形態に従って形成された酸化層によるコーティングを有する物品の概略図である。 本発明の一実施形態に従って形成された酸化後官能化層によるコーティングを有する物品の概略図である。 本発明の一実施形態に従って形成された酸化後官能化層によるコーティングを有する物品の概略図である。 本発明の一実施形態に係る、材料の分解により形成された層を有する物品のオージェ電子分光法のプロットである。 本発明の一実施形態に係る、材料の分解及びそれに続く水による酸化により形成された層を有する物品のオージェ電子分光法のプロットである。 本発明の一実施形態に従って形成された酸化後官能化層を有する物品のオージェ電子分光法のプロットである。 本発明の一実施形態に従ってコーティングされた表面による適用を示す。 本発明の一実施形態に従ってコーティングされた表面による適用を示す。
コーティング、コーティングされた物品、及びコーティングを施す方法を提供する。本発明の実施形態によれば、硬度、不活性、化学耐食性、調節可能性、疎水性、pH耐性、耐腐食性、耐スティクション性、耐コーキング性、耐摩耗性、又はそれらの組み合わせに関する付加的な特性をコーティングに付与することができる。
例えば、図1に示すように、コーティング方法200(図2参照)により、物品103の基材100上にコーティング101を形成する。物品103は、層102を制御可能に堆積するコーティング処理200により得られた表面特性を有する表面105を含む。層102は、基材100、コーティング101、物品103、又はそれらの組み合わせに表面効果をもたらす。この表面効果は、層102及び/又はコーティング101が基材100の表面105に拡散することにより与えられる。基材100は、金属基材(鉄又は非鉄)、ステンレス鋼基材、ガラス基材、セラミック基材、セラミックマトリックス複合基材、複合金属基材、コーティングされた基材、繊維基材、箔基材、膜、又はその組み合わせ等の適切な基材である。一実施形態では、図3に示すように、コーティング方法200により、層102から官能化層110が形成される。一実施形態では、図4及び5に示すように、コーティング方法200により、層102から酸化層107が形成される。一実施形態では、図6及び7に示すように、コーティング方法200により、酸化層107から酸化後官能化層109が形成される。
図2を参照して、コーティング方法200は、前処理(ステップ202)、分解(ステップ204)、官能化(ステップ206)、酸化(ステップ208)、酸化後官能化(ステップ210)、官能化後酸化(ステップ212)、又はその組み合わせを含む。一実施形態では、コーティング方法200は、前処理(ステップ202)及び分解(ステップ204)を含み、それらからなり、又は本質的にそれらからなる。一実施形態では、コーティング方法200は、前処理(ステップ202)、分解(ステップ204)、及び官能化(ステップ206)を含み、それらからなり、又は本質的にそれらからなる。一実施形態では、コーティング方法200は、前処理(ステップ202)、分解(ステップ204)、酸化(ステップ208)、及び酸化後官能化(ステップ210)を含み、それらからなり、又は本質的にそれらからなる。一実施形態では、コーティング方法200は、前処理(ステップ202)、分解(ステップ204)、官能化(ステップ206)、酸化(ステップ208)、及び酸化後官能化(ステップ210)を含み、それらからなり、又は本質的にそれらからなる。前処理(ステップ202)は、チャンバ、表面105、基材100、又はその組み合わせを作成するのに必要となる適切な技術であり、又はそのような技術を含む。一実施形態では、チャンバは、例えば、チューブ接続部を有する化学蒸着チャンバであり、このチューブ接続部により、気体は化学蒸着チャンバを出入りすることができる。更なる実施形態では、このチャンバは、制御された複数の入口及び出口を含む。これら入口及び出口は、1つ又は複数の排出管に接続された真空空間及び/又は複数のガス流を提供及び除去するように構成されている。
前処理(ステップ202)を実施するための適切な技術は、洗浄、予熱、基材100及び/又は表面105の分離、表面処理技術、チャンバの排気(例えば、チャンバ内に気体を流すこと及び/又はチャンバ内を真空に維持することにより、雰囲気を制御する)、チャンバの洗浄/浄化(例えば、窒素、ヘリウム、及び/又はアルゴン等の不活性ガスによる)、又はそれらの組み合わせを含むが、これらに限られない。一実施形態では、例えば、熱源によりチャンバ内の温度を制御することで、表面105から水を脱着し、汚染材料を除去する。一実施形態では、この温度制御の際に実施される加熱は、約100℃を超える所定の温度(例えば、約450℃)及び/又は所定の圧力(例えば、約1気圧から約3気圧、約1気圧から約2気圧、約2気圧から約3気圧、約1気圧、約2気圧、約3気圧、又はそれらの任意の適切な組み合わせ、部分組み合わせ、範囲、若しくは部分範囲)で実施される。一実施形態では、この加熱は、所定の時間(例えば、約3分から約15時間、約0.5時間から約15時間、約3分間、約0.5時間、約2時間、約15時間、又はそれらの任意の適切な組み合わせ、部分組み合わせ、範囲、若しくは部分範囲)実施される。
分解(ステップ204)は、1つ又は複数の前駆体材料の熱分解であり、又はそのような熱分解を含む。一実施形態では、この前駆体材料は、例えば、気体のジメチルシランであり、又は気体のジメチルシランを含む。一般的に、ジメチルシランは需要が少ないため、容易には入手することができない。ジメチルシランは、炭素を含み、シランよりもはるかに高価であるため、化学蒸着用途には望ましくないとみなされてきた。シラン並びにジメチルシラン及びメチルシランのモノメチル類似体はいずれも自然発火性であり、空気中で爆発する可能性がある。ジメチルシランは可燃性であるが、自然発火性ではない。したがって、ジメチルシランを使用することにより、安全性のリスクを低減することができる。さらに、ジメチルシランを使用すれば、コーティングの不活性及び/又は耐薬品性を得ることができ、これにより、基材100の表面105を保護することができる。他の適切な前駆体材料には、トリメチルシラン、ジアルキルシリルジヒドリド、アルキルシリルトリヒドリド、及びそれらの組み合わせが含まれるが、これらに限られない。一実施形態では、この前駆体材料は非自然発火性であり、例えば、ジアルキルシリルジヒドリド及び/又はアルキルシリルトリヒドリドである。
分解(ステップ204)は、例えば、米国特許第6,444,326号(参照によってその全体が本明細書に組み込まれる)に記載されているような前駆体材料に対応する適切な分解パラメータを有する。層102を厚く堆積させるのが望ましい場合、堆積(ステップ202)温度、堆積(ステップ202)圧力、堆積(ステップ202)時間、又はそれらの組み合わせを増減させる。コーティング101の適切な厚さには、約100nmから約10000nm、約200nmから約5000nm、約300nmから約1500nm、又はそれらの任意の適切な組み合わせ、部分組み合わせ、範囲、若しくは部分範囲が含まれるが、これらに限られない。
さらに又はあるいは、一実施形態では、堆積(ステップ202)を繰り返すことにより、複数の層102が適用される。一実施形態では、分解(ステップ204)圧力は、約0.01psiaから約200psia、約1.0psiaから約100psia、約5psiaから約40psia、約1.0psia、約5psia、約40psia、約100psia、約200psia、又はそれらの任意の適切な組み合わせ、部分組み合わせ、範囲、若しくは部分範囲である。一実施形態では、分解(ステップ204)温度は、約200℃から600℃、約300℃から600℃、約400℃から約500℃、約300℃、約400℃、約500℃、約600℃、又はそれらの任意の適切な組み合わせ、部分組み合わせ、範囲、若しくは部分範囲である。一実施形態では、分解(ステップ204)時間は、約10分から約24時間、約30分から約24時間、約10分、約30分、約15時間、約24時間、又はそれらの任意の適切な組み合わせ、部分組み合わせ、範囲、若しくは部分範囲の時間である。
分解(ステップ204)により、例えば、耐薬品性、不活性、及び/又は非拡散コーティング及び/又は熱分解材料を有しないコーティングに対する粘着性が向上した層102が形成される。層102は、前駆体材料に対応する適切な熱分解材料を含む。この熱分解材料は、前駆体材料を分解するのに十分な所定の圧力及び所定の温度において実施される分解(ステップ204)により形成される。その結果、例えば、窒素、ヘリウム、及び/又はアルゴン等の不活性ガスにより、熱分解材料から基材100に構成要素が分圧賦形剤として堆積される。
一実施形態では、熱分解材料は、ジメチルシランを含む前駆体に対応するカルボシラン(例えば、アモルファスカルボシラン)であり、又はこのようなカルボシランを含む。ジメチルシランは、理論により限定されることを意図しないが、カルボシランから形成されるカルボシリル(ジシリルフラグメント又はトリシリルフラグメント)が再結合したものであると考えられている。一実施形態では、熱分解材料は、ケイ素、炭素、及び水素原子等の、活性部位としての役割を果たす分子を含む。これら分子は、層102内に位置し、第1部分104及び第2部分106を含む。一般的に、層102の第1部分104及び第2部分106は、空間的に溶解可能ではない(例えば、第1部分104及び第2部分106は、層102に堆積した分子によって定義され、これら分子は、層102内に散在することができる)。また、「第1」及び「第2」という用語を使用しているが、この2つの部分における連続性、量の違い、サイズの違い、又は他の差異を示唆する意図があるわけではない。それとは反対に、「第1」及び「第2」という用語は、この2つの部分の分子構成を区別するために用いられる。例えば、一実施形態では、図1に示すように、第1部分104はケイ素を含み、第2部分106は炭素を含む。一実施形態では、第1部分104及び第2部分106は、層102において無作為に結合される。
図8は、オージェ電子分光法の測定値により本発明の一実施形態に係る物品103の組成を示す。図8には、物品103における拡散層108が示されている。オージェ電子分光法による拡散層108の正確な測定値は、基材の表面粗さ及びコーティングにより補正することができ、図に示す結果は、本発明の範囲に含まれる一実施形態の典型にすぎないことが理解されよう。したがって、オージェ電子分光法により測定されるように、拡散層108は絶対測定値ではないが、コーティング方法200に係る拡散機構を表す。
一実施形態では、層102の組成においてC:Si:Oの比率は約1:0.95:0.12である。一方、一実施形態に係る化学蒸着チャンバに導入されるジメチルシランの組成においてC:Siの比率は約2:1である。理論により限定されることを意図しないが、CH(x=0〜3)基が保持され、Si−C結合が切断されることにより、層102がSi−C結合のアモルファス配列を含むことが示唆されると考えられている。このアモルファス配列により、基材100に作用する張力又は圧縮力によって生じる亀裂や剥離の減少、粘着性の増加、又はその組み合わせ等の更なる有益性がもたらされる。一実施形態では、膜を厚くするため、又は所望の特性を得るために、多層のコーティング101又はこれと同様のコーティングを堆積させる。
一実施形態では、分解(ステップ204)において熱分解材料により層102を形成する際に、チャンバを浄化する。この浄化により、残存する分解材料、非結合熱分解材料、及び/又はチャンバ内に存在する他の材料又は構成要素が除去される。
官能化(ステップ206)は、分解(ステップ204)とは別のステップであり、例えば図3に示す実施形態のように、層102を修飾して官能化層110を形成する。官能化層110の適切な厚さとしては、約100nmから約10000nm、約200nmから約5000nm、約300nmから約1500nm、又はそれらの任意の適切な組み合わせ、部分組み合わせ、範囲、若しくは部分範囲が含まれるが、これらに限定されない。官能化(ステップ206)は、チャンバの浄化、チャンバを所定温度まで加熱すること、チャンバの排気、又は分解(ステップ204)を参照して上述した他の適切な動作パラメータにより開始される。
官能化(ステップ206)において、結合剤がチャンバに導入される。結合剤は、層102又は層102の一部と反応及び/又は結合し、水素化シリコン基により構成されるカルボシリル表面等の官能化層110を形成する。一実施形態では、分解(ステップ204)後の残基が反応し、例えば、水素化シリコン及び/又は水素化シリコン官能基(ジシリル又はトリシリル)は、HC=C−R、HC≡C−R、又はその組み合わせと反応する。一実施形態では、第1部分104の一部又は全部と結合したR−基が炭化水素、置換炭化水素(例えば、ハロゲン化)、カルボニル、カルボキシル、エステル、エーテル、アミン、アミド、スルホン酸、オルガノ金属錯体、エポキシド、又はそれらの組み合わせにより構成される。この結合剤の分子は層102に結合し、例えば、R基との炭素―ケイ素共有結合を有する官能化層110を形成する。他の適切な結合剤は、エチレン、プロピレン、置換不飽和有機分子、1つ又は複数の不飽和炭化水素基を有する有機試薬、又はその組み合わせを含むが、これらに限定されない。
一実施形態では、R基は、表面105の特性を調整するため、例えば、フッ素化炭化水素をR基として用いて表面105の疎水性を増加させるために修飾される。一実施形態では、このフッ素化炭化水素は、疎水性表面、撥油性表面、又はこの両表面を形成する。理論により限定されることを意図しないが、水素化シリコンの各基は、ヒドロシリル化等の不飽和官能化により、層102に共有結合している不飽和炭化水素基と熱的に反応して官能化層110を形成すると考えられている。官能化層110は共有結合したR基を含み、この中には、R基だけでなく、炭素基、ケイ素基、及び水素基が含まれる。さらに又はあるいは、一実施形態では、R基は、触媒特性及び/又は殺菌特性をもたらすオルガノ金属置換基を含む。
酸化(ステップ208)又は官能化後酸化(ステップ212)は、酸化層107を形成するための所定の酸化条件で反応性酸素種を提供することができる適切な化学種又は酸化試薬への暴露であり、又はそのような暴露を含む。酸化(ステップ208)は層102の酸化であり、図3に示す官能化層110を形成する。官能化後酸化(ステップ212)は、官能化層110の官能化後酸化であり、官能化後酸化層(図示せず)を形成する。層102がアモルファスカルボシランである一実施形態では、酸化(ステップ208)又は官能化後酸化(ステップ212)により形成された酸化層107は、アモルファスカルボキシシランであり、又はアモルファスカルボキシシランを含む。一般的に、酸化(ステップ208)及び官能化後酸化(ステップ212)は、コーティング101のバルクに作用するバルク反応である。一実施形態では、酸化度は、チャンバ内の温度、チャンバ内における暴露時間、希釈ガスの種類及び/又は量、圧力を増減させること、及び/又は他の適切な処理条件により制御される。酸化度を制御することにより、酸化層107の量及び/又は深さ、ひいては、コーティング101の耐摩耗性及び/又は硬度が増減される。
酸化(ステップ208)又は官能化後酸化(ステップ212)を実施するための適切な酸化試薬は、水(単独、又はゼロ空気若しくは不活性ガスと併用)、酸素、空気(単独、単独以外、及び/又はゼロ空気として)、亜酸化窒素、オゾン、過酸化物、又はそれらの組み合わせを含むが、これらに限られない。本明細書で使用する「ゼロ空気(zero air)」という用語は、全炭化水素が約0.1ppm未満である大気を指す。一実施形態では、この酸化試薬は気体の試薬からなる。この酸化試薬(例えば、ジメチルシラン及び/又は窒素)は気相状態であるため、この酸化試薬を使用すると、製造の規模を拡大するのが容易になり、処理の移動が可能になり、処理にかかるコストが安価になる。
酸化(ステップ208)又は官能化後酸化(ステップ212)を実施するための酸化試薬は、酸化層107を形成できる適切な動作条件下であればどのような条件でも導入することができる。適切な動作条件としては、不活性ガスの存在下で実施されること、所定の圧力下(例えば、約1から200psia)で実施されること、所定の温度下(例えば、約450℃)で実施されること、所定の期間(例えば、約2時間)実施されること、分解(ステップ204)を参照して上述した他のパラメータにより実施されること、又はそれらの組み合わせが含まれるが、これらに限られない。
一実施形態では、選択された種の酸化試薬に応じて、例えば安全性を目的とした更なる特徴が提供される。このような特徴には、安全に反応させることができるようなチャンバのサイズ、重量、及び/又は耐食性が含まれる。一実施形態では、酸化試薬としてチャンバに水を安全に注入するために、十分な冷却を施す。例えば、約300℃以上の温度で動作するチャンバを用いる諸実施形態では、まず約100℃未満までチャンバを冷却するが、これにより、製造資源にかけるエネルギー及び/又は時間の浪費になり得る。
酸化(ステップ208)又は官能化後酸化(ステップ212)により形成された酸化層107は、使用する酸化試薬及び動作パラメータに対応する特性を有する。一実施形態では、層102及び/又は官能化層110と比較すると、酸化層107は過酸化され、及び/又はSiウェハに対して約60°の接触角を有し、N−H、Si−OH、及び/又はC−OH基の量が増加し、引っかき耐性が低く、酸抵抗性が増加し、耐食性が増加し、又はそれらの組み合わせを有する。
酸化層107は、層102、官能化層110、及び/又は酸化層107が異なる酸化試薬で形成される諸実施形態と比較して、様々な比較特性を有する。例えば、酸化層107は、耐薬品性が低く、引っかき耐性が低く、硬度が低く、又はその組み合わせを有する。一実施形態では、酸化層107は酸化され、及び/又はSiウェハに対して約86.6°の接触角を有し、摩擦が小さく(例えば、酸化試薬がゼロ空気及び水である実施形態と比較して)、耐摩耗性が低く(例えば、酸化試薬がゼロ空気及び水である実施形態と比較して)、Si−O−Si基を含み(例えば、995.2cm−1における非水官能化ピークと比較して、1026.9cm−1におけるSi−O−Siピークの成長を有するFT−IRデータにより示すことができる)、又はその組み合わせを有する。一実施形態では、酸化層107は過酸化され、C−H基の量が少なく(例えば、酸化試薬が水のみである実施形態と比較して)、Si−C基の量が少なく(例えば、酸化試薬が水のみである実施形態と比較して)、Si−OH/C−OH基の量が多く(例えば、酸化試薬が水のみである実施形態と比較して)、又はその組み合わせを有する。一実施形態では、酸化層107は、摩擦係数が低く(例えば、酸化試薬がゼロ空気及び水である実施形態と比較して)、耐摩耗性が高く(例えば、酸化試薬がゼロ空気及び水である実施形態と比較して)、Si−O−Si基を含み、又はその組み合わせを有する。
層102は第1の接触角を有し、官能化層110は第2の接触角を有する。層102の酸化(ステップ208)を含まない一実施形態では、第1の接触角が第2の接触角より小さく、例えば、第1の接触角は304ステンレス鋼に対して約98.3°の前進角であり、第2の接触角は304ステンレス鋼に対して約100°の前進角である。官能化層110の官能化後酸化(ステップ212)を含む一実施形態では、第1の接触角が第2の接触角よりも大きく、例えば、第1の接触角は304ステンレス鋼に対して約95.6°の前進角であり、第2の接触角は304ステンレス鋼に対して約65.9°の後退角である。官能化層110の酸化(ステップ208)を含む一実施形態では、官能化層110はSi−O−Si基を含み、Si−H基の量が少ない(例えば、酸化されていない官能化層110と比較して)。
一実施形態では、摩擦係数は酸化(ステップ208)により減少する。例えば、層102の酸化(ステップ208)を含む一実施形態では、層102は酸化(ステップ208)前に第1の摩擦係数(例えば、約0.97)を有し、酸化(ステップ208)後に第2の摩擦係数(例えば、約0.84)を有する。
一実施形態では、磨耗率は酸化(ステップ208)により減少する。例えば、層102の酸化(ステップ208)を含む一実施形態では、層102は、酸化(ステップ208)前には第1の磨耗率(例えば、4.73×10−4mm/N/m)を有し、酸化(ステップ208)後には第2の磨耗率(例えば、約6.75×10−5mm/N/m)を有する。
水を酸化剤として利用した酸化(ステップ208)を含む一実施形態では、物品103は、図9のオージェ電子分光法のプロットで示すような組成又はそれと同様の組成を有する。
酸化後官能化(ステップ210)は、上述の官能化(ステップ206)のあらゆる特徴であり、又はあらゆる特徴を含む。さらに又はあるいは、酸化後官能化(ステップ210)は、1つ又は複数の材料の熱結合を含む。一実施形態では、この熱結合は、トリメチルシランの表面105への熱結合(例えば、ジシリルヒドリド又はトリシリルヒドリド官能基による)である。一実施形態では、この熱結合は、オルガノフルオロトリアルコキシシラン又はオルガノフルオロシリルヒドリドの熱結合(例えば、材料コストの低下によって作業コストが低下し、及び/又は生産実現性が増加する)である。
一実施形態では、図10のオージェ電子分光法のプロット又は同様のプロットにより示されるように、酸化後官能化(ステップ210)は、例えば、表面を加熱及び/又は修飾することにより酸化層107を修飾し、図6及び7に示す酸化後官能化層109(オルガノフルオロ処理層等)を形成する。加熱、暴露時間、希釈ガス、及び圧力の調整は、酸化後官能化(ステップ210)の度合いに影響を与える。酸化後官能化(ステップ210)の度合いを制御することにより、所定の特性をもたらすことができる。一実施形態では、酸化層は約300℃から600℃の温度で、約1時間から24時間、約5psiaから100psia、場合によっては約25psia、約27psia、約54psia、又はそれらの適切な範囲の圧力でオルガノシラン試薬に暴露される。一実施形態では、例えば、約1psiaから100psiaの分圧で、アルゴンや窒素などの不活性希釈ガスを用いて、反応を促進する。
一実施形態では、酸化後官能化層109は、オルガノフルオロ処理を施すことにより形成される。オルガノフルオロ処理は(R)1−3Si(X)1−3で示され、Rはオルガノフルオロ基、Xは-H、−OH、−OR'(R'はメトキシ基、エトキシ基、又はブトキシ基等のアルキル基又はアルコキシ基である)である。さらに又はあるいは、R及び/又はR'は、適切な基に対応する。この適切な基は、アルキル、アリル、ハロゲン化アルキル、ハロゲン化アリル、ケトン、アルデヒド、アシル、アルコール、エポキシ、及びニトロ―オルガノ、オルガノ金属官能基、又はそれらの組み合わせを含むが、これらに限られない。さらに又はあるいは、一実施形態では、酸化後官能化層109は、オルガノフルオロシリル(例えば、トリデカフルオロ1,1,2,2−テトラヒドロオクチルシラン)、適切なオルガノフルオロアルコール(例えばペンタフルオロプロパノール)、適切なフルオロシラン、又はその組み合わせを含むオルガノフルオロ処理により形成される。一実施形態では、フルオロシランは以下の一般式を有する。
本実施形態において、XはH又はアルコキシ基(例えば、メトキシ、エトキシ、及びブトキシを含む)を表し、YはX又はR構成要素を表し、ZはX又はR構成要素を表し、RはCF(CH構造を有するオルガノフルオロ官能基を表す。
一実施形態では、酸化後官能化層109は、向上した撥油性及び/又は疎水性を有する。一実施形態では、酸化後官能化層109は、鏡面において約50°、約55°、約60°、約65°を超える角度、約60°から約70°、約60°、約62°、約65°、約67°、61.7°、67.4°、74.7°、又はそれらの任意の適切な組み合わせ、部分組み合わせ、範囲、若しくは部分範囲の脱イオン水に対する接触角を有する。さらに又はあるいは、一実施形態では、酸化後官能化(ステップ210)により、例えば、少なくとも約30°、少なくとも約40°、少なくとも約60°、約30°から約60°、又はそれらの任意の適切な組み合わせ、部分組み合わせ、範囲、若しくは部分範囲だけポリテトラフルオロエチレンより大きな、鏡面における脱イオン水に対する接触角が得られる。
一実施形態では、酸化後官能化層109は、約80°、約90°、約100°、約105°を超える角度、約80°から約110°、約80°、約81°、約100°、約105°、81.0°、100.2°、105.1°、又はそれらの任意の適切な組み合わせ、部分組み合わせ、範囲、若しくは部分範囲の、粗面における10W40潤滑油に対する接触角を有する。さらに又はあるいは、一実施形態では、酸化後官能化層109は、例えば、少なくとも約10°、少なくとも約15°、少なくとも約20°、約10°から約25°、又はそれらの任意の適切な組み合わせ、部分組み合わせ、範囲、若しくは部分範囲だけポリテトラフルオロエチレンより大きな、粗面における接触角を有する。
一実施形態では、酸化後官能化層109は、約105°、約110°、約112°を超える角度、約100°から約114°、約110.3°、約112.1°、約113.7°、又はそれらの任意の適切な組み合わせ、部分組み合わせ、範囲、若しくは部分範囲の、鏡面における脱イオン水に対する接触角を有する。さらに又はあるいは、一実施形態では、酸化後官能化層109は、例えば約1°、約2°、約1°から約2°、又はそれらの任意の適切な組み合わせ、部分組み合わせ、範囲、若しくは部分範囲だけポリテトラフルオロエチレンより小さな、鏡面における脱イオン水に対する接触角を有する。
一実施形態では、酸化後官能化層109は、約140°、約145°を超える角度、約140°から約150°、約142.7°、約145.7°、約148.1°、又はそれらの任意の適切な組み合わせ、部分組み合わせ、範囲、若しくは部分範囲の、粗面における脱イオン水に対する接触角を有する。さらに又はあるいは、一実施形態では、酸化後官能化層109は、例えば、約25°、約30°、約20°から約35°、又はそれらの任意の適切な組み合わせ、部分組み合わせ、範囲、若しくは部分範囲だけポリテトラフルオロエチレンより大きな、粗面における脱イオン水に対する接触角を有する。
一実施形態では、酸化後官能化層109は、例えば、ジメチルシランで形成された官能化層110及び/又は、例えば、結合試薬としてゼロ空気を用いて形成された酸化層107よりも向上した耐スティクション性を有する。このように、コーティング方法200の一実施形態では、酸化後官能化層109は、向上した耐スティクション性を有する。
R−基を修飾及び変化させること、又はヒドロキシ反応性を有する他の分子を用いることにより、酸化後官能化層109の表面特性を調整する。例えば、一実施形態では、この調整により、硬度、耐スティクション性、耐摩耗性、不活性、電気化学インピーダンス、接触角、又はその組み合わせを増減し、これにより、処理、分析、ガス、オイル、及び半導体産業の分野での使用における適用性及び耐久性を向上させる物理的性能特性がもたらされる。一実施形態では、R−基は、炭化水素、置換炭化水素、カルボニル、カルボキシ、エステル、エーテル、アミン、アミド、スルホン酸、オルガノ金属複合体、及び/又はエポキシドにより形成される。理論により限定されることを意図しないが、水素化シリコンの基は、ヒドロシリル化機構を介して、コーティングされた材料の表面に共有結合する不飽和炭化水素基により熱的に反応することができると考えられている。一実施形態では、反応チャンバ内の暴露された表面のコーティング101は、共有結合したR基を含む。このR基には、R基以外にも、炭素、ケイ素、及び水素基を含む。
一実施形態では、酸化後官能化層109(例えば、オルガノフルオロ処理の前に層102を空気酸化させることで形成されたジメチルシラン系カルボキシシラン層を暴露することで形成される)は、Si−OH官能基の減少(3401.8cm−1におけるFT−IRピークに基づいて、ゼロ空気により酸化を施す酸化層107の一実施形態と比較して)、接触角測定値の増加(例えば、鏡滑面における脱イオン水に対する接触角度は、酸化後官能化(ステップ210)前は約50.9°であるのに対し、約111°である)、疎水性の存在、約1.00Mohm(ゼロ空気で酸化を施す酸化層107のZlf=約7.27kohmからの増加)の優れたインピーダンス(例えば、低周波数(Zlf)における)、及び/又はナイキスト線図からの約0.0.821の最終的なZ/Zの比率、又はそれらの組み合わせを有する。
一実施形態では、コーティング101、層102、官能化層110、及び/又は酸化後官能化層109は、例えば、図11及び12に示す表面のうち1つ又は複数の表面等の適切な表面において耐スティクション性を有する。図11は、第1の表面901及び第2の表面902が接触し、例えば、往復運動により互いに相対的に移動する適用を示す。例えば、第1の表面901及び第2の表面902のうち1つはピストンヘッド903上にあり、第1の表面901及び第2の表面902のうちのもう1つは、シリンダ904又は他の適切な移動部分上にある。図12は、流体表面910が動流体に接触している適用を示す。一実施形態では、流体表面910は、矢印912で示すように、ガス及び/又は液体等の流体が流れるパイプ911の内部、又は流体に接触し流体運動する他の部分である。図12はまた、外面913を示す。適切な表面を有する他の適切な構成要素及びシステムは、タービン翼、シリンダーヘッド、クランク軸、カム軸、マニホールド、バルブ、煙道、煙突、蒸発器、凝縮器、コイル、燃焼室、固定部品、燃料燃焼室、熱交換システム、熱交換成分、排気システム、燃料システム、燃料噴射システム、燃料噴射成分、又はそれらの組み合わせを含むが、これらに限定されない。これにより、本発明の諸実施形態では、表面においては、表面エネルギーが低く、炭素質材料、煤、コークス、熱分解炭化水素、タンパク質、生体分子、体液、又はそれらの組み合わせ等の望ましくない材料の蓄積を防止することができる。
一実施形態では、コーティング101、層102、官能化層110、及び/又は酸化後官能化層109は、耐侵食性(例えば、固体及び液体に対する)及び耐食性を有する。耐侵食性は、表面に接触する衝突粒子や流れに関わらず発生する。耐食性は、表面を環境中で反応することを防止すること及び/又は表面の粗さとして形成された反応産物により発生する。このような耐性により、亀裂の形成及び/又は材料の相互接触作用における磨耗の結果として得られる反応産物の損耗を防止することができる。
以下の実施例は、本発明に関する様々な要素を示す。実施例に開示された特性及びパラメータは、実際には比較するものであろうと実例であろうと、本発明の詳細な説明において開示されたものとみなされるべきである。
(実施例1)
実施例1では、450℃、8psiaのガスで2時間、ジメチルシランを基材100に導入して層102を形成する。層102は、鏡面研磨された316ステンレス鋼片(わずかに黄ばんでいる)において、ほぼ検出不能(すなわち、視覚的に識別するのが非常に困難である)である。測定値は、堆積処理の前の60°付近における水接触角のデータを示す。ジメチルシランによる堆積処理後は、接触角は約102°に増加する。層102は可視ではないが、そのデータは、表面105の層102において高密度のカルボシリル材料が極薄く堆積していることを示す。層102の厚さは、約100Åと推定され、利用可能な分光技術は、このコーティングを検出できるほど十分な感受性を有しない。
(実施例2)
実施例2では、450℃、8psiaのガスで15時間、ジメチルシランを基材100に導入して層102を形成する。層102は、可視発光性の虹色の配列を有する。
(実施例3)
実施例3では、450℃、8psiaのガスで15時間、ジメチルシランを基材100に導入し、その後、不活性ガス内において水を用いて基材100の層102を450℃、約100psiaから200psiaのガスで2時間酸化して酸化層107を形成する。実施例3は、表面修飾化学のための官能基(Si−OH又はSi−H)の欠損等の望ましくない結果を示す。
(実施例4)
実施例4では、450℃、8psiaのガスで15時間、ジメチルシランを基材100に導入して層102を形成し、その後、酸化試薬混合物を用いて基材100の層102を300℃、約100psiaから200psiaのガスで、ゼロ空気による酸化により2時間酸化して酸化層107を形成する。この酸化試薬混合物には、ゼロ空気及び水が含まれる。酸化層107は、実施例3と比較して、過酸化であること、C−H基が減少していること、Si−C基が減少していること、及びSi−OH/C−OH基が増加していること等の望ましくない結果を示す。
(実施例5)
実施例5では、450℃、8psiaのガスで15時間、ジメチルシランを基材100に導入して層102を形成し、ゼロ空気により2時間、300℃の温度で、約1から200psiaのガスにより基材100の層102を酸化して酸化層107を形成する。酸化層107は、FT−IRデータ(広範;3414cm−1)において観察される顕著なSi−OH伸縮を有する酸化カルボシラン材料を含む。接触角は、脱イオン水に対して50.9°と測定される。電気化学インピーダンス分光法により、Zlf=約7.27kohmの低周波数におけるインピーダンスが示される。一般的な100Cr6ボール及び3.00cm/sの循環線速度を介して0.5Nの力を適用してトライボメータ(CSM Instruments社、S/N18−343)により分析されたこの材料の耐摩耗性は、4.141×10−3の磨耗率(mm/Nm)を示す。実施例3と比較して、酸化層107は、摩擦が小さく、磨耗率が高く、Si−O−Si基を有する。
(実施例6)
実施例6では、実施例2で形成された層102をエチレンにより官能化して、官能化層110を形成する。官能化層110は、304ステンレス鋼に対して98.3°の水前進接触角及び85.1°の水後退接触角を有する。FT−IRデータは、Si−O−Si基の欠損に基づく酸化をほとんど示さず(1027cm−1における伸縮に基づく)、Si−H基の量の減少(2091cm−1における伸縮に基づく)を示す。
(実施例7)
実施例7では、実施例2で形成された層102をエチレンにより官能化して、官能化層110を形成する。その後、官能化層110は、チャンバに添加される5mlの脱イオン水(DI)により酸化される。窒素洗浄を数回実施し、軽度の真空状態にすることにより、密閉されたチャンバからゼロ空気を除去する。チャンバ内の温度は、2時間、450℃に維持し、その後室温に戻す。官能化層110の酸化により、官能化後酸化層111が形成される。官能化後酸化層111は、95.6°の水前進接触角及び65.9°の水後退接触角のデータを有する。FT−IRデータは、実施例6で形成された官能化層110と比較して、酸化によりSi−O−Si基の量が増加すること(1027cm−1における伸縮に基づく)及びSi−H基の量が減少すること(2091cm−1における伸縮に基づく)を示す。
(実施例8)
実施例8では、450℃、8psiaのガスで15時間、トリメチルシランを層102(ジメチルシランの堆積により形成される)に導入する。実施例8は、望ましくない結果を示す。すなわち、基材100における可視の又は分光的に測定可能なコーティングを含まず、水接触角の値に重要な変化がないため、分子コーティングも示唆されない。
(実施例9)
実施例9では、トリメチルシランを排気されたチャンバに添加する。このチャンバ内において、450℃、25psiaで10時間、その材料を反応させる。結果として得られるFT−IRデータは、Si−OH官能基の喪失を示す。接触角は、脱イオン水に対して99.1°と測定され、疎水性の存在を示唆する。電気化学インピーダンス分光法は、15.4Mohmの低周波数(Zlf)におけるインピーダンスを示す。電気化学インピーダンス分光法はまた、ボード線図及びナイキスト線図から0.072の最終的なZ/Zの比率を示す。一般的な100Cr6ボール及び3.00cm/sの循環線速度を介して0.5Nの力を適用してトライボメータ(CSM Instruments社、S/N18−343)により分析されたこの材料の耐摩耗性は、1.225×10−4の磨耗率(mm/Nm)を示し、これは、非処理材料と比較して34倍の増加を示す。
(実施例10)
実施例10では、第1の条件である450℃で10時間、第2の条件である350℃で7時間、第3の条件である375℃で7時間、及び第4の条件である400℃で7時間、酸化層107にトリデカフルオロ1,1,2,2−テトラヒドロオクチルシランを添加する。
第1の条件下では、結果として得られる接触角は304ステンレス鋼に対して108.26°の前進角及び61.03°の後退角であり、結果として得られるコーティングは、優れた引っかき耐性及び低周波数における高い電気インピーダンス(EIS Zlf=10.24MOhm)を有する。また、塩酸暴露(室温で24時間、6M)における顕著な耐食性も有し、強い酸に暴露した後でも高い疎水性は維持される。ホウケイ酸塩ガラスのサンプルにおける茶色のコーティングの外観は、オルガノフルオロ試薬が450℃で分解したことを示す可能性がある。第2の条件下において、結果として得られる接触角は304ステンレス鋼に対して111.62°の前進角及び95.12°の後退角であり、結果として得られるコーティングは、優れた引っかき耐性及び低周波数における低いEISインピーダンスを有する(Zlf=167kohm)。これは、酸化層との不完全な反応を示す可能性がある。しかし、接触角が大きいことにより、オルガノフルオロ試薬が少なくとも部分的に結合していることが証明される。ホウケイ酸塩ガラスライナーは、無色の外観を有し、顕著なオルガノフルオロ試薬の熱分解がないことを示す。角度計により測定した接触角はまた、高い撥油性を示す。それにより、10W40潤滑油に対する接触角は、鏡面研磨された316ステンレス鋼片において84.8°と測定される。第3の条件下では、結果として得られる接触角は、304ステンレス鋼に対して112.67°の前進角及び102.29°の後退角であり、結果として得られるコーティングは、350℃である前の条件と比較して、優れた引っかき耐性及び向上したEISデータを有する(Zlf=1.0Mohm)。ガラス表面において茶色の残基を示すものはないので、オルガノフルオロ試薬の熱分解は示唆されない。しかし、向上したEISデータは、より完全な反応を示す。良好な撥油性も同様に維持され、それにより、10W40潤滑油に対する接触角は80.5°である。さらに、この表面の熱酸化抵抗性は、室内の空気において、450℃のオーブン内にコーティング片を置くことにより試験する。熱酸化暴露前のこのコーティング片に対する水接触角は113.8°であり、暴露後においても110.6°に減少しただけであった。これは、熱酸化に対する高い抵抗性を示し、コークス及び付着物の蓄積が主要な懸念事項である燃焼環境及び汚染環境での適用において非常に有益な特徴である。第4の条件下では、結果として得られる接触角は304ステンレス鋼に対して112.14°の前進角及び94.47°の後退角であり、結果として得られるコーティングは、優れた引っかき耐性及び向上したEISデータ(Zlf=2.61Mohm)を有する。しかし、10W40潤滑油に対する接触角が64.0°に減少するとともに撥油性も減少し、これは、ガラス片の透明な無色の外観にも関わらずオルガノフルオロ試薬が初期分解していることを示す。
(実施例11)
実施例11では、疎水性を示唆する、約135°から約163°の脱イオン水に対する接触角により測定可能なように、450℃、30psiaで7時間、フルオロシランを酸化層107に添加して酸化後官能化層109を形成する。
(実施例12)
実施例12では、400℃で約10時間、2,2,3,3,3−ペンタ−フルオロ−1−プロパノールを酸化層107に添加する。結果として得られる接触角は、92.22°の前進角及び66.12°の後退角である。結果として得られるコーティングは、アルコール(C−OH)基を介して酸化堆積物を官能化できることを示す。これは、接触角が大きいこと及び低周波数におけるEISインピーダンスがある程度高いこと(Zlf=1.93Mohm)により確認される。コーティングされた表面を5%のNaCl溶液に暴露させたままにしておくことに関する長期EISデータは、インピーダンスの減少を示す。これは、コーティングにおける食塩水の腐食作用及び材料の非最適性能を示す。
(実施例13)
実施例13では、450℃で10時間、2,2,3,3,3−ペンタ−フルオロ−1−プロパノールを酸化層107に添加する。結果として得られる接触角は、97.92°の前進角及び51.05°の後退角である。下部のカルボキシシラン材料及びモル数の多い(実施例12と比較して)オルガノフルオロ試薬が薄く堆積することにより、EIS性能の低い(Zlf=56.2kohm)下面が生成される。
(実施例14)
実施例14では、400℃で4時間、2,2,3,3,3−ペンタ−フルオロ−1−プロパノールを非酸化層に添加する。結果として得られる接触角は304ステンレス鋼に対して105.67°の前進角及び46.66°の後退角である。EISデータは、酸化堆積物と比較して、低周波において高いインピーダンス(Zlf=17.8Mohm)及び引っかき耐性の顕著な減少を示す。その後、300℃、50psiaのゼロ空気で2時間、金属片を酸化する。接触角は、EISインピーダンス(Zlf=11.2kohm)と同様に、54.8°まで著しく減少する。酸化後コーティングは、優れた引っかき耐性を有する。これはオルガノフルオロアルコール(C−OH官能基を介した)によるカルボシラン堆積(Si−Hを介した)基の官能化の可能性を示す。しかし、この生成物の酸化後には、引っかき耐性が向上するものの、疎水性及び電気インピーダンスが減少する。
(実施例15)
実施例15では、400℃で4時間、アリルヘプタフルオロイソプロピルエーテルをカルボシラン(すなわち非酸化)層102に添加する。結果として得られるコーティングは、粘着性が弱く、引っかき耐性も低い。これは、アルケン官能性オルガノフルオロ試薬に対する熱ヒドロシリル化を介したカルボシランSi−H基への結合の試みである。ガラスサンプルは、DI水における超音波処理を介して容易に除去される黒い剥離コーティングである。コーティングされていないガラスは、霜が降ったような外観を有し、オルガノフルオロ試薬の分解、フッ化水素の生成、ガラスのエッチングを示す。官能化温度が低いほど、結果が良好になる可能性があると結論付けられる。
(実施例16)
実施例16では、300℃で4時間、アリルヘプタフルオロイソプロピルエーテルを層102に添加する。結果として得られる接触角は304ステンレス鋼に対して110.94°の前進角及び88.05°の後退角である。結果として得られるコーティングは、良好な粘着性及び良好な引っかき耐性を有する。ある程度大きい水接触角は、官能化がある程度行われていることを示す。良好な引っかき耐性も顕著であり、これは酸化ステップなしには得られないことが多いので、独自のものである。EISデータは、Zlf=13.66Mohmの優れたインピーダンスを示す。しかし、FTIRデータは、2096.5cm−1においてある程度大きなSi−H伸縮を示し、カルボシラン下部層においてSi−H基と不完全に反応していることを示す。
(実施例17)
実施例17では、350℃で7時間、(ペルフルオロヘキシル)エチレンを非酸化層107に添加する。結果として得られる接触角は、304ステンレス鋼に対して107.25°の前進角及び92.70°の後退角である。結果として得られるコーティングは、優れた粘着性を有し、優れた引っかき耐性を有し、非常に滑りやすい(摩擦係数が低い)。高度にフッ素化したアルケンによるヒドロシリル化結合機構は、これら条件において中程度に成功したが、顕著なSi−H伸縮は2096.3cm−1において依然として明白である。インピーダンスのデータは、優れた性能を示し、Zlf=8.84Mohmである。撥油性は、10W40潤滑油に対する接触角が53.3°であり、十分である。28ppb濃度の硫化水素の長期保持研究による不活性データは、優れた不活性を示す。ガスクロマトグラフ法(SCD検出)で試験したように、3日間にわたって、H2Sの88.2%の復帰がある。
(実施例18)
実施例18では、350℃で7時間、(ペルフルオロブチル)エチレンを層102に添加する。結果として得られる接触角は、304ステンレス鋼に対して111.93°の前進角及び89.10°の後退角である。結果として得られるコーティングは、無塵であり明るい色を有する。すべてのSi−H基と反応させるために、より小さいオルガノフルオロアルケンを使用して実施例17のものと比較する。FT−IRデータは、2101.2cm−1において依然として顕著なSi−Hを示し、EISデータは、低周波数において低下したインピーダンス(Zlf=1.16Mohm)を示す。
(実施例19)
実施例19では、325℃で7時間、(ペルフルオロヘキシル)エチレンを非酸化層107に添加する。結果として得られる接触角は、304ステンレス鋼において108.62°の前進角及び99.21°の後退角である。結果として得られるコーティングは、優れた堆積及び優れた引っかき耐性を有する。温度が低いこと(実施例17と比較して)により、Si−H基との反応性は向上せず、EIS試験の結果も良好にならない(Zlf=4.77Mohm)。
(実施例20)
実施例20では、325℃で7時間、(ペルフルオロオクチル)エチレンを層102に添加する。結果として得られる接触角は、304ステンレス鋼に対して112.82°の前進角及び89.35°の後退角である。より大きい(実施例17と比較して)オルガノフルオロアルケン試薬は、接触角やEISインピーダンス(Zlf=6.63Mohm)に更なる有益性をもたらさない。硫化水素の吸着性に対するその後の不活性分析(28ppb濃度での維持研究)により、実施例17よりも性能が低下したことが示される。
(実施例21)
実施例21では、375℃で7時間、トリデカフルオロ1,1,2,2−テトラヒドロオクチルトリエトキシシランを酸化層107に添加する。結果として得られる接触角は、316ステンレス鋼に対して113.9°である。酸化堆積物を官能化するためにアルコキシシラン官能性オルガノフルオロ試薬を使用することで、実施例10のヒドロシラン官能性オルガノフルオロ類似体よりも、はるかにコストを削減できる。この材料の熱酸化安定性は優れており、空気中で450℃の温度に暴露後30分の接触角は、水接触角を106.6°まで減少させる。空気中に450℃の温度で全部で60分暴露させることにより、水接触角は102.2となる。この顕著な特徴は、酸化環境において熱を受ける耐コーキング環境、耐汚染環境、耐スティクション環境において特に望ましい可能性がある。
(実施例22)
実施例22では、375℃で7時間、トリフルオロプロピルトリメトキシシランを層102に添加する。結果として得られる接触角は、304ステンレス鋼に対して98.3°の前進角及び59.3°の後退角である。より小さいトリフルオロプロピル試薬を使用することにより、より大きな類似体よりも疎水性が低下していることが示される。さらに、水接触角が空気中で30分間、450℃への暴露後、70.1°まで減少するのとともに、熱酸化抵抗性も低下する。メトキシ官能性類似体(実施例20)とある程度の反応性を有するが、コストや性能において明白な利点とはならない。
本発明のある特徴及び実施形態のみを記載したが、請求の範囲に記載された主題の新規な教示及び利点から実質的に逸脱することなく、様々な修飾や変更が当業者に可能である(例えば、様々な要素のサイズ、寸法、構造、形状、及び比率における変更、パラメータの値(例えば、温度、圧力等)、取り付け配置、材料の使用、色、配向等)。処理又は方法のステップの順序は、変更してもよく、又は代替実施形態に従って並べ直してもよい。したがって、添付の請求の範囲は、そのような変形例及び変更を本発明の精神の範囲内にすべて含むことを意図していることが理解されよう。さらに、実施形態の具体的な説明を行うため、実際に得られた特徴は記載されていないことがある(すなわち、現在期待されている本発明を実施するための最良の態様とは無関係の特徴、又は請求項に係る発明を可能にするものとは無関係の特徴)。当然のことながら、このような実際に実施された開発において、工学又は設計プロジェクトと同様に、多くの実施固有の決定を行ってもよい。このような開発努力は、複雑で時間を消費する可能性があるが、それにも関わらず、過度の実験を実施することなく、本発明の利益を有する当業者にとって設計、製作、及び製造における日常的な作業となるであろう。

Claims (35)

  1. コーティングされた物品であって、
    化学蒸着により前記コーティングされた物品に適用された官能化層を含み、
    前記官能化層は、酸化後官能化層、オルガノフルオロ処理層、フルオロシラン処理層、トリメチルシラン処理層、オルガノフルオロトリアルコキシシラン処理層、オルガノフルオロシリルヒドリド処理層、オルガノフルオロシリル処理層、トリデカフルオロ1,1,2,2−テトラヒドロオクチルシラン処理層、オルガノフルオロアルコール処理層、ペンタフルオロプロパノール処理層、アリルヘプタフルオロイソプロピルエーテル処理層、(ペルフルオロブチル)エチレン処理層、(ペルフルオロオクチル)エチレン処理層、(ペルフルオロアルキル)エチレン処理層、及びそれらの組み合わせからなる群より選択される層である
    コーティングされた物品。
  2. 請求項1に記載のコーティングされた物品であって、
    前記官能化層は、酸化層、前処理層、材料の分解により堆積された層、又はそれらの組み合わせに適用される
    コーティングされた物品。
  3. 請求項2に記載のコーティングされた物品であって、
    前記酸化層は、酸化カルボシラン材料を含み、又は
    前記酸化層は、水、ゼロ空気、又はその組み合わせにより形成される
    コーティングされた物品。
  4. 請求項1〜3のいずれか1項に記載のコーティングされた物品であって、
    前記官能化層は、450℃の温度、7〜10時間、又は450℃の温度で7〜10時間、前記コーティングされた物品に適用される
    コーティングされた物品。
  5. 請求項1に記載のコーティングされた物品であって、
    前記コーティングされた物品は、図10のオージェ電子分光法のプロットで示される組成を有する
    コーティングされた物品。
  6. 請求項1〜5のいずれか1項に記載のコーティングされた物品であって、
    前記コーティングされた物品は、ステンレス鋼基材、鉄金属基材、非鉄金属基材、ステンレス鋼基材、ガラス基材、セラミック基材、セラミックマトリックス複合基材、複合金属基材、コーティングされた基材、繊維基材、箔基材、膜、又はそれらの組み合わせを含む
    コーティングされた物品。
  7. 請求項1に記載のコーティングされた物品であって、
    前記官能化層はオルガノフルオロ処理を施すことにより形成され、前記オルガノフルオロ処理は、(R)1−3Si(X)1−3(Rはオルガノフルオロ基であり、Xはアルキル基又はアルコキシ基である-H、−OH、−OR'、又はR'であり、R及びR'は、アルキル、アリル、ハロゲン化アルキル、ハロゲン化アリル、ケトン、アルデヒド、アシル、アルコール、エポキシ、ニトロ―オルガノ基、オルガノ金属官能基、又はその組み合わせである)で示される
    コーティングされた物品。
  8. 請求項1に記載のコーティングされた物品であって、
    前記官能化層は、トリデカフルオロ1,1,2,2−テトラヒドロオクチルシラン又はペンタフルオロプロパノールを含むオルガノフルオロ処理により形成される
    コーティングされた物品。
  9. 請求項1に記載のコーティングされた物品であって、
    前記官能化層は、以下の一般式を有するフルオロシランにより形成される
    コーティングされた物品。
    (式中、XはH又はアルコキシを表し、Yは、X又はR構成要素を表し、ZはZ又はR構成要素を表し、Rは、CF(CF構造を有するオルガノフルオロ官能基を表す。)
  10. 請求項1に記載のコーティングされた物品であって、
    前記コーティングされた物品は、タービン翼、シリンダーヘッド、クランク軸、カム軸、マニホールド、バルブ、煙道、煙突、蒸発器、凝縮器、コイル、燃焼室、固定部品、燃料燃焼室、熱交換システム、熱交換成分、排気システム、燃料システム、燃料噴射システム、又はその組み合わせである
    コーティングされた物品。
  11. 請求項1に記載のコーティングされた物品であって、
    前記官能化層は、炭素質材料、煤、コークス、熱分解炭化水素、タンパク質、生体分子、体液、又はそれらの組み合わせの蓄積を防止する
    コーティングされた物品。
  12. 請求項1に記載のコーティングされた物品であって、
    前記物品は、前記官能化層が形成される前に前処理され、前記前処理は、100℃を超える所定の温度、1気圧を超える所定の圧力、及び少なくとも3分の所定の時間実施される
    コーティングされた物品。
  13. 請求項12に記載のコーティングされた物品であって、
    前記所定の温度は450℃であり、前記所定の圧力は3気圧であり、前記所定の時間は15時間である
    コーティングされた物品。
  14. 請求項1に記載のコーティングされた物品を形成する方法。
  15. 化学蒸着により、物品に官能化層を適用する化学蒸着方法であって、
    前記官能化層は、酸化後官能化層、オルガノフルオロ処理層、フルオロシラン処理層、トリメチルシラン処理層、オルガノフルオロトリアルコキシシラン処理層、オルガノフルオロシリルヒドリド処理層、オルガノフルオロシリル処理層、トリデカフルオロ1,1,2,2−テトラヒドロオクチルシラン処理層、オルガノフルオロアルコール処理層、ペンタフルオロプロパノール処理層、アリルヘプタフルオロイソプロピルエーテル処理層、(ペルフルオロブチル)エチレン処理層、(ペルフルオロオクチル)エチレン処理層、(ペルフルオロアルキル)エチレン処理層、及びそれらの組み合わせからなる群より選択される層である
    化学蒸着方法。
  16. 請求項15に記載の化学蒸着方法であって、
    前記官能化層は、酸化層、前処理層、又はその組み合わせに適用される
    化学蒸着方法。
  17. 請求項16に記載の化学蒸着方法であって、
    前記酸化層は、酸化カルボシラン材料を含む
    化学蒸着方法。
  18. 請求項16に記載の化学蒸着方法であって、
    前記酸化層は、水、ゼロ空気、又はその組み合わせにより形成される
    化学蒸着方法。
  19. 請求項15に記載の化学蒸着方法であって、
    前記官能化層は、材料の分解により蒸着された層に適用される
    化学蒸着方法。
  20. 請求項19に記載の化学蒸着方法であって、
    前記材料は、ジメチルシランを含む
    化学蒸着方法。
  21. 請求項15に記載の化学蒸着方法であって、
    前記官能化層は、450℃の温度、7〜14時間、又は450℃の温度で7〜14時間、前記物品に適用される
    化学蒸着方法。
  22. 請求項15に記載の化学蒸着方法であって、
    前記物品は、図10のオージェ電子分光法のプロットで示す組成を有する
    化学蒸着方法。
  23. 請求項16に記載の化学蒸着方法によって形成された物品。
  24. 請求項15に記載の化学蒸着方法であって、
    前記物品は、ステンレス鋼基材、鉄金属基材、非鉄金属基材、ガラス基材、セラミック基材、セラミックマトリックス複合基材、複合金属基材、コーティングされた基材、繊維基材、箔基材、膜、又はその組み合わせを含む
    化学蒸着方法。
  25. 請求項15に記載の化学蒸着方法であって、
    前記官能化層はオルガノフルオロ処理を施すことにより形成され、前記オルガノフルオロ処理は、(R)1−3Si(X)1−3(Rはオルガノフルオロ基であり、Xはアルキル基又はアルコキシ基である-H、−OH、−OR'、又はR'である)で示される
    化学蒸着方法。
  26. 請求項25に記載の化学蒸着方法であって、
    R及びR'のうちの1つ又はその両方は、アルキル、アリル、ハロゲン化アルキル、ハロゲン化アリル、ケトン、アルデヒド、アシル、アルコール、エポキシ、ニトロ―オルガノ基、オルガノ金属官能基、又はその組み合わせに対応する
    化学蒸着方法。
  27. 請求項15に記載の化学蒸着方法であって、
    前記官能化層は、トリデカフルオロ1,1,2,2−テトラヒドロオクチルシラン又はペンタフルオロプロパノールを含むオルガノフルオロ処理により形成される
    化学蒸着方法。
  28. 請求項15に記載の化学蒸着方法であって、
    前記官能化層は、以下の一般式を有するフルオロシランにより形成される
    化学蒸着方法。
    (式中、Xは、H又はアルコキシを表し、Yは、X又はR構成要素を表し、Zは、X又はR構成要素を表し、Rは、CF(CH構造を有するオルガノフルオロ官能基を表す。)
  29. 請求項15に記載の化学蒸着方法であって、
    前記物品は、タービン翼、シリンダーヘッド、クランク軸、カム軸、マニホールド、バルブ、煙道、煙突、蒸発器、凝縮器、コイル、燃焼室、固定部品、燃料燃焼室、熱交換システム、熱交換成分、排気システム、燃料システム、燃料噴射システム、又はその組み合わせを含む
    化学蒸着方法。
  30. 請求項15に記載の化学蒸着方法であって、
    前記官能化層は、炭素質材料、煤、コークス、熱分解炭化水素、タンパク質、生体分子、体液、又はその組み合わせの蓄積を防止する
    化学蒸着方法。
  31. 材料を分解して物品上に層を形成し、
    前記層を酸化して酸化層を形成し、
    前記酸化層を官能化する
    化学蒸着方法であって、
    前記官能化層は、酸化後官能化層、オルガノフルオロ処理層、フルオロシラン処理層、トリメチルシラン処理層、オルガノフルオロトリアルコキシシラン処理層、オルガノフルオロシリルヒドリド処理層、オルガノフルオロシリル処理層、トリデカフルオロ1,1,2,2−テトラヒドロオクチルシラン処理層、オルガノフルオロアルコール処理層、ペンタフルオロプロパノール処理層、アリルヘプタフルオロイソプロピルエーテル処理層、(ペルフルオロブチル)エチレン処理層、(ペルフルオロオクチル)エチレン処理層、(ペルフルオロアルキル)エチレン処理層、及びそれらの組み合わせからなる群より選択される層である
    化学蒸着方法。
  32. 1気圧を超える所定の圧力で、少なくとも3分の所定の時間、100℃を超える所定の温度まで物品を加熱することにより、前記物品を前処理し、
    材料を分解して物品上に層を形成し、
    前記層を酸化して酸化層を形成し、
    前記酸化層を官能化する
    化学蒸着方法。
  33. 請求項32に記載の化学蒸着方法であって
    前記所定の温度は、450℃である
    化学蒸着方法。
  34. 請求項32に記載の化学蒸着方法であって
    前記所定の圧力は、3気圧である
    化学蒸着方法。
  35. 請求項32に記載の化学蒸着方法であって
    前記所定の時間は、15時間である
    化学蒸着方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2022539616A (ja) * 2019-07-26 2022-09-12 チャンスー フェイヴァード ナノテクノロジー カンパニー リミテッド 疎水性表面コーティング層及びその製造方法

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101911196B1 (ko) 2009-10-27 2018-10-24 실코텍 코포레이션 화학적 증기 증착 코팅, 물품, 및 방법
KR101790206B1 (ko) 2010-10-05 2017-10-25 실코텍 코포레이션 내마모성 코팅, 물건 및 방법
WO2014081817A2 (en) * 2012-11-20 2014-05-30 Massachusetts Institute Of Technology Fabrication and passivation of silicon surfaces
US9975143B2 (en) 2013-05-14 2018-05-22 Silcotek Corp. Chemical vapor deposition functionalization
US11292924B2 (en) 2014-04-08 2022-04-05 Silcotek Corp. Thermal chemical vapor deposition coated article and process
US9915001B2 (en) 2014-09-03 2018-03-13 Silcotek Corp. Chemical vapor deposition process and coated article
US10316408B2 (en) 2014-12-12 2019-06-11 Silcotek Corp. Delivery device, manufacturing system and process of manufacturing
DE102015209794B4 (de) * 2015-05-28 2017-07-27 Carl Zeiss Vision International Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optischen Glases mit Antifog-Beschichtung und optisches Glas mit Antifog-Beschichtung
WO2017040623A1 (en) * 2015-09-01 2017-03-09 Silcotek Corp. Thermal chemical vapor deposition coating
US10323321B1 (en) 2016-01-08 2019-06-18 Silcotek Corp. Thermal chemical vapor deposition process and coated article
US20170283943A1 (en) * 2016-03-29 2017-10-05 Silcotek Corp. Treated article, system having treated article, and process incorporating treated article
GB2550135B (en) * 2016-05-09 2021-08-25 Ultra Electronics Ltd Axially Loaded spherical Joint assembly
US20170335451A1 (en) * 2016-05-23 2017-11-23 Silcotek Corp. Static thermal chemical vapor deposition with liquid precursor
US10487403B2 (en) * 2016-12-13 2019-11-26 Silcotek Corp Fluoro-containing thermal chemical vapor deposition process and article
US11709156B2 (en) 2017-09-18 2023-07-25 Waters Technologies Corporation Use of vapor deposition coated flow paths for improved analytical analysis
US11709155B2 (en) 2017-09-18 2023-07-25 Waters Technologies Corporation Use of vapor deposition coated flow paths for improved chromatography of metal interacting analytes
WO2020252306A1 (en) 2019-06-14 2020-12-17 Silcotek Corp. Nano-wire growth
KR102224067B1 (ko) * 2020-01-09 2021-03-08 주식회사 이지티엠 표면 보호 물질을 이용한 박막 형성 방법
US11918936B2 (en) 2020-01-17 2024-03-05 Waters Technologies Corporation Performance and dynamic range for oligonucleotide bioanalysis through reduction of non specific binding

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001036190A1 (fr) * 1999-11-16 2001-05-25 Center For Advanced Science And Technology Incubation, Ltd. Structure et film dont la surface presente une durete elevee et favorise le glissement de l'eau, et procede de preparation associe
JP2001298024A (ja) * 2000-02-08 2001-10-26 Asm Japan Kk 低比誘電率材料及びプロセス
JP2002009071A (ja) * 2000-04-28 2002-01-11 Asm Japan Kk フッ素含有材料及び処理
JP2003342731A (ja) * 2002-05-24 2003-12-03 Dainippon Printing Co Ltd 積層体およびその製造方法
JP2007523776A (ja) * 2004-02-24 2007-08-23 サン−ゴバン グラス フランス 疎水性表面を有し、当該疎水性の耐久性が改良されたガラス基材などの基材
WO2008013314A1 (fr) * 2006-07-28 2008-01-31 Toyo Seikan Kaisha, Ltd. Article moulé en matière plastique comprenant un film de dépôt en phase vapeur formé par un procédé de dépôt chimique en phase vapeur sous plasma
WO2010125926A1 (ja) * 2009-04-30 2010-11-04 コニカミノルタホールディングス株式会社 防汚性積層体
WO2011056550A1 (en) * 2009-10-27 2011-05-12 Silcotek Corp. Chemical vapor deposition coating, article, and method
JP2011230505A (ja) * 2010-04-09 2011-11-17 Taiyo Kagaku Kogyo Kk 表面濡れ性改質を行った非晶質炭素膜構造体、およびその製造方法
WO2012169540A1 (ja) * 2011-06-06 2012-12-13 太陽化学工業株式会社 非晶質炭素膜層への撥水撥油層を固定する方法及び該方法により形成された積層体

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3206332B2 (ja) * 1994-10-07 2001-09-10 トヨタ自動車株式会社 内燃機関の燃焼室を構成する部材及びその製造方法
JPH09116011A (ja) * 1995-10-23 1997-05-02 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置およびその製造方法
JPH1081859A (ja) * 1996-09-09 1998-03-31 Toyo Ink Mfg Co Ltd アルミニウム粘着シート
JP3225860B2 (ja) * 1996-11-29 2001-11-05 トヨタ自動車株式会社 撥液膜の形成方法
BR9812768A (pt) * 1997-09-12 2000-12-12 Asahi Glass Co Ltd Composição de tratamento de superficie, método de tratamento de superfìcie, substrato e artigo
JP3933777B2 (ja) * 1997-12-03 2007-06-20 株式会社Kri 基材の表面改質方法
US6444326B1 (en) 1999-03-05 2002-09-03 Restek Corporation Surface modification of solid supports through the thermal decomposition and functionalization of silanes
JP2001064664A (ja) * 1999-08-27 2001-03-13 Univ Nagoya 高潤滑表面部材の製造方法及び高潤滑表面部材
DE10016485A1 (de) * 2000-04-01 2001-10-11 Dmc2 Degussa Metals Catalysts Glas-, Keramik- und Metall-Substrate mit selbstreinigender Oberfläche, Verfahren zu deren Herstellung und deren Verwendung
KR20010106905A (ko) * 2000-05-24 2001-12-07 황 철 주 저유전율 SiOC 박막의 형성방법
US20020192472A1 (en) * 2001-05-25 2002-12-19 Bernd Metz Easily cleanable coating
JP2003001746A (ja) * 2001-06-27 2003-01-08 Hitachi Ltd 親水性、撥水性を有する銅部材およびその製造方法、並びに伝熱管
JP3870253B2 (ja) * 2002-02-04 2007-01-17 独立行政法人産業技術総合研究所 無機−有機ハイブリッド薄膜及びその製造方法
US20050271893A1 (en) * 2004-06-04 2005-12-08 Applied Microstructures, Inc. Controlled vapor deposition of multilayered coatings adhered by an oxide layer
US8286561B2 (en) * 2008-06-27 2012-10-16 Ssw Holding Company, Inc. Spill containing refrigerator shelf assembly
AU2009302806B9 (en) * 2008-10-07 2015-10-01 Ross Technology Corporation Highly durable superhydrophobic, oleophobic and anti-icing coatings and methods and compositions for their preparation
US20100096113A1 (en) * 2008-10-20 2010-04-22 General Electric Company Hybrid surfaces that promote dropwise condensation for two-phase heat exchange
FR2940966B1 (fr) * 2009-01-09 2011-03-04 Saint Gobain Substrat hydrophobe comprenant un primage du type oxycarbure de silicium active par plasma
US9340880B2 (en) * 2009-10-27 2016-05-17 Silcotek Corp. Semiconductor fabrication process
TWI432191B (zh) * 2010-06-11 2014-04-01 Taiwan Sunpan Biotechnology Dev Co Ltd 分離自藤黃樹脂的化合物以及包含有此等化合物的藥學組成物
JP2012035411A (ja) * 2010-08-03 2012-02-23 Nsk Ltd 表面改質構造
US20130181331A1 (en) * 2010-09-28 2013-07-18 Ndsu Research Foundation Atmospheric-pressure plasma-enhanced chemical vapor deposition

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001036190A1 (fr) * 1999-11-16 2001-05-25 Center For Advanced Science And Technology Incubation, Ltd. Structure et film dont la surface presente une durete elevee et favorise le glissement de l'eau, et procede de preparation associe
JP2001298024A (ja) * 2000-02-08 2001-10-26 Asm Japan Kk 低比誘電率材料及びプロセス
JP2002009071A (ja) * 2000-04-28 2002-01-11 Asm Japan Kk フッ素含有材料及び処理
JP2003342731A (ja) * 2002-05-24 2003-12-03 Dainippon Printing Co Ltd 積層体およびその製造方法
JP2007523776A (ja) * 2004-02-24 2007-08-23 サン−ゴバン グラス フランス 疎水性表面を有し、当該疎水性の耐久性が改良されたガラス基材などの基材
WO2008013314A1 (fr) * 2006-07-28 2008-01-31 Toyo Seikan Kaisha, Ltd. Article moulé en matière plastique comprenant un film de dépôt en phase vapeur formé par un procédé de dépôt chimique en phase vapeur sous plasma
WO2010125926A1 (ja) * 2009-04-30 2010-11-04 コニカミノルタホールディングス株式会社 防汚性積層体
WO2011056550A1 (en) * 2009-10-27 2011-05-12 Silcotek Corp. Chemical vapor deposition coating, article, and method
JP2013508563A (ja) * 2009-10-27 2013-03-07 シルコテック コーポレイション 化学気相成長コーティング、物品、及び方法
JP2011230505A (ja) * 2010-04-09 2011-11-17 Taiyo Kagaku Kogyo Kk 表面濡れ性改質を行った非晶質炭素膜構造体、およびその製造方法
WO2012169540A1 (ja) * 2011-06-06 2012-12-13 太陽化学工業株式会社 非晶質炭素膜層への撥水撥油層を固定する方法及び該方法により形成された積層体

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022539616A (ja) * 2019-07-26 2022-09-12 チャンスー フェイヴァード ナノテクノロジー カンパニー リミテッド 疎水性表面コーティング層及びその製造方法
JP7360531B2 (ja) 2019-07-26 2023-10-12 チャンスー フェイヴァード ナノテクノロジー カンパニー リミテッド 疎水性表面コーティング層及びその製造方法

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