JP7360201B2 - 気化器およびその製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は気化器およびその製造方法に関する。
気体原料を用いて対象物の表面に膜を形成する方法として、例えばCVD(Chemical vapor deposition)法が挙げられる。例えば半導体デバイスの製造プロセスでは、通常、いくつかの薄膜をCVD法によってウェハ上に形成する。ウェハ上に形成された薄膜上にCVD法によってエッチングガスを吹き付けることで薄膜の一部を除去し、パターニングを行う場合もある。
CVD法等において薄膜材料またはエッチング材として用いられる気体原料を得るための手段として、従来、いくつかが提案されている。
例えば特許文献1には、液槽に貯められた液体原料をバブリング方式により気化する液体原料の気化方法であって、所定の流量のキャリアガスにより前記液槽内の前記液体原料をバブリングにより気化させ、高濃度の原料ガスを発生させる工程と、高濃度の前記原料ガスを希釈用ガスと混合させ、高濃度の前記原料ガスを所定の濃度の前記原料ガスに希釈させる工程と、所定の濃度となった前記原料ガスが所定の流量となるように流量制御を行い、被処理物に所定の処理を行う処理室に流量制御された所定の濃度の前記原料ガスを導入する工程とを有することを特徴とする液体原料の気化方法が記載されている。そして、このような方法によると、所定の濃度の原料ガスを低流量であっても高精度に制御しながら安定して供給することができ、また、平坦化プロセスにおけるCVD装置などに用いることにより、安定した低濃度のドーピングを行うことができ、絶縁膜の信頼性を向上させることができると記載されている。
例えば特許文献2には、キャリアガス中に2種以上の原料溶液を微粒子状又は霧状に分散させるところの一つのガス通路を有するオリフィス管と、前記オリフィス管の前記ガス通路に連通されたところの前記2種以上の原料溶液を互いに分離して供給する複数の原料溶液用通路と、前記オリフィス管に前記キャリアガスを前記2種以上の原料溶液それぞれと互いに分離して供給するキャリアガス用通路と、前記オリフィス管で分散された前記2種以上の原料溶液を気化する気化管と、を有し、前記オリフィス管のガスを噴出する噴出部が前記気化管内に挿入され、前記噴出部が先側に行くほど外径が小さくなる凸形状に形成されたことを特徴とするCVD用気化器が記載されている。そして、このようなCVD用気化器によると、多種の原料溶液をキャリアガス中に微粒子状又は霧状に分散させ得ることができ、目詰まりが生じにくくすることができ、CVD用の原料溶液の流量を長期間にわたり精度よく制御することができるCVD用気化器を提供することができると記載されている。
例えば特許文献3には、ヒータにより加熱された気化室と、前記気化室の下端部に配置され、ヒータにより加熱された一次フィルタと、流量調節された液体原料を前記気化室の上方から前記一次フィルタに向けて滴下する液体原料供給部と、キャリアガスを前記一次フィルタの下面へ導くキャリアガス導入路と、前記キャリアガスおよび気化された前記液体原料との混合ガスを前記気化室の上部から排出するための原料導出路とを備えることを特徴とする気化器が記載されている。そして、このような気化器によると、一次フィルタで液体原料を気化させるとともにミスト化し、さらに気化室においてミストを気化させることができるため、単に熱を加えるだけの従来の気化器に比べて、高い気化効率を発揮し、気化効率が高いことにより、低い温度でも液体原料を気化することができ、熱分解性の高い液体原料であっても気化器内部の熱分解生成物および重合物の堆積および流路の閉塞を防止することができるとともに、大量の液体原料を気化することができると記載されている。
例えば特許文献4には、液体原料或いは液体原料とキャリアガスとの混合ガスを加熱するためのヒーターが埋め込まれた円形の気化室形成用孔を有するアウターブロックと、前記液体原料或いは前記液体原料と前記キャリアガスとの混合ガスを加熱するためのヒーターが埋め込まれ、前記気化室形成用孔よりもわずかに直径の小さい円筒形のインナーブロックと、前記気化室形成用孔と前記インナーブロックとで構成される気化流路に前記液体原料或いは前記液体原料と前記キャリアガスとの混合ガスを導入する導入孔と、該気化流路から気化された液体原料ガス或いは気化された液体原料ガスと前記キャリアガスとの混合ガスを排出する導出孔が前記アウターブロックに形成されていることを特徴とする気化器が記載されている。そして、そのような気化器によると、気化室形成用孔とインナーブロックとで形成された間隙幅の狭いスリット状の気化流路による温度境界層効果と円弧による遠心力効果で、器壁からの混合ガスへの効率的な給熱が可能となり、更には断熱膨張と該断熱膨張領域へのヒーターによる急速な給熱などの相乗効果により、液体原料の完全な気化を実現できると記載されている。
特開平9-181061号公報 特許第3896594号公報 特開2007-1002007号公報 特開2013-23700号公報
しかしながら、特許文献1~4に例示したような従来法では、緻密な温度管理が困難であるため、所望の温度に調整された気体原料を得ることは困難であり、所望の温度とは異なる温度の気体原料が得られる傾向があった。また、気体原料の温度のバラツキも大きかった。さらに、気化器内に固体原料等の析出物が生じてしまう場合もあった。
本発明は、上記の課題を解決することを目的とする。
すなわち、所望の温度に調整され、かつ温度のバラツキが非常に少ない気体原料を得ることができ、さらに析出物をほとんど発生させない、あるいは生じても堆積しにくい気化器を提供することを目的とする。所望の温度に調整され、かつ温度のバラツキが非常に少ない気体原料を得ることができる場合、気化器を小型化できると考えられる。また、そのような気化器の製造方法を提供することを目的とする。
本発明者は上記課題を解決するため鋭意検討し、本発明を完成させた。
本発明は以下の(1)~(7)である。
(1)原料ミストを加熱して気化することで成膜用の気体原料を得る気化器であって、
前記原料ミストが流通する第1流路および前記原料ミストを加熱する熱媒体が流通する第2流路を金属材料からなる主部の内部に有し、
前記第1流路の断面の等面積円相当径が5mm以下、前記第2流路の断面の等面積円相当径が2mm以下であり、
前記主部の内部において1つの第1流路と、その隣に存在する別の第1流路との間に、第2流路以外の空隙が存在しない、
成膜用の気体原料を得る気化器。
(2)前記原料ミストが流れる方向に対して垂直方向における前記主部の断面において、
前記熱媒体が蛇行しながら流通している方向を左右方向とした場合に、前記第1流路の孔が左右方向に列状に並んでおり、かつ、列状の孔が上下方向に層をなすように配置されていて、
上下方向に隣り合う列状の孔の層の間に前記第2流路が存在し、前記第2流路と前記第1流路とは繋がっておらず、前記第2流路は上下方向から挟まれる列状の孔の層における前記第1流路の孔を回避するように上下方向に蛇行している、
上記(1)に記載の成膜用の気体原料を得る気化器。
(3)前記第1流路をその長手方向において複数の部位に分けた場合に、前記第1流路の内部に存する前記原料ミストの温度を、それら部位ごとに調整できるように構成されている、上記(1)または(2)に記載の成膜用の気体原料を得る気化器。
(4)前記主部における前記原料ミストが流入する孔が形成されている面を入側面とし、前記主部における前記気体原料が排出される孔が形成されている面を出側面とした場合に、前記入側面から前記出側面へ向かって、その内部に存する前記第1流路の等面積円相当径が徐々に変化している、上記(1)~(3)のいずれかに記載の成膜用の気体原料を得る気化器。
(5)前記第1流路が鉛直方向となるように配置した場合に、前記第2流路は水平方向に形成されており、これらが直行している、上記(1)~(4)のいずれかに記載の成膜用の気体原料を得る気化器。
(6)前記主部の外面と、前記第1流路および前記第2流路の少なくとも一部との間に空隙を有し、内部の熱が外部へ放出され難くなるように構成されている、上記(1)~(5)のいずれかに記載の成膜用の気体原料を得る気化器。
(7)複数枚の金属製板材を用意し、その主面上に前記第2流路の一部となる溝を形成し、さらにその一方の主面から他方の主面へ貫通する前記第1流路の一部となる貫通孔を形成する工程と、
前記金属製板材の主面同士を密着させて拡散接合によって結合する工程とを備え、
上記(1)~(6)のいずれかに記載の気化器を得る、気化器の製造方法。
本発明によれば、原料ミストを緻密な温度管理の下に加熱すること可能であるため、所望の温度に調整され、かつ温度のバラツキが非常に少ない気体原料を得ることができ、さらに析出物をほとんど発生させない気化器を提供することができる。また、そのような気化器の製造方法を提供することができる。
本発明の気化器の一態様を示す概略斜視図である。 本発明の気化器が備え得る供給部の一態様を示す概略斜視図である。 図2に示した態様のA-A´線断面図である。 本発明の気化器が備え得る主部の一態様を示す概略斜視図である。 図4に示した態様のB-B´線断面図である。 本発明の気化器が備え得る主部の別の一態様を示す概略斜視図である。 図6に示した主部の分離した状態を示す概略斜視図である。 本発明の気化器の主部の断面の一態様を示す概略図である。 本発明の気化器の主部の断面の別の一態様を示す概略図である。 本発明の気化器には相当しない、主部の断面の一態様を示す概略図である。 本発明の気化器には相当しない、主部の断面の別の一態様を示す概略図である。 本発明の気化器には相当しない、主部の断面のさらに別の一態様を示す概略図である。 本発明の気化器が備え得る主部の別の一態様を示す概略斜視図である。 図13に示した態様のC-C´線断面図である。 図13に示した態様のC-C´線断面図である。 本発明の気化器が備え得る主部の別の一態様の断面を示す概略図である。 本発明の気化器が備え得る主部のさらに別の一態様の断面を示す概略図である。 図4に示した態様のD-D´線断面図である。 図18に示した態様の第1流路を他へ置き換えた態様を示す概略断面図である。 図18に示した態様の第1流路を他へ置き換えた、別の態様を示す概略断面図である。 図18に示した態様の第1流路を他へ置き換えた、さらに別の態様を示す概略断面図である。 本発明の気化器が備え得る排出部の一態様を示す概略斜視図である。 図22に示した態様のE-E´線断面図である。 本発明の気化器の好適態様を示す概略斜視図である。 図24に示した態様のF-F´線断面図である。 図24に示した態様のG-G´線断面図である。 図24に示した態様のH-H´線断面図である。 本発明の製造方法を説明するための概略斜視図である。 本発明の製造方法の続きを説明するための概略斜視図である。 別の本発明の製造方法を説明するための概略斜視図である。
本発明について説明する。
本発明は、原料ミストを加熱して気化することで成膜用の気体原料を得る気化器であって、前記原料ミストが流通する第1流路および前記原料ミストを加熱する熱媒体が流通する第2流路を金属材料からなる主部の内部に有し、前記第1流路の断面の等面積円相当径が5mm以下、前記第2流路の断面の等面積円相当径が2mm以下であり、前記主部の内部において1つの第1流路と、その隣に存在する別の第1流路との間に、第2流路以外の空隙が存在しない、成膜用の気体原料を得る気化器である。
このような気化器を、以下では「本発明の気化器」ともいう。
また、本発明は、複数枚の金属製板材を用意し、その主面上に前記第2流路の一部となる溝を形成し、さらにその一方の主面から他方の主面へ貫通する前記第1流路の一部となる貫通孔を形成する工程と、前記金属製板材の主面同士を密着させて拡散接合によって結合する工程とを備え、本発明の気化器を得る、気化器の製造方法である。
このような気化器の製造方法を、以下では「本発明の製造方法」ともいう。
<本発明の気化器>
本発明の気化器について説明する。
本発明の気化器は、原料ミストを加熱して気化することで、成膜用の気体原料を得る気化器である。
本発明の気化器が加熱する対象物である原料ミストは、ミスト化された液体原料を含み、ミスト化された液体原料とキャリアガスとの混合物であることが好ましい。
ここでキャリアガスおよび液体原料の種類は特に限定されず、例えば半導体デバイスの製造プロセスの一部として、CVD法によって薄膜を形成する際や薄膜の一部をエッチングする際に、従来用いられているキャリアガスおよび液体原料であってよい。
例えばキャリアガスとしては、窒素、アルゴン等の不活性ガスや、水素が挙げられる。
例えば液体原料としては、シアン、フッ化物、インジウム、ガリウム、アルミニウム、タンタル等を含む溶液が挙げられる。インジウム、ガリウム、アルミニウム、タンタル等の溶液は、成膜用に用いることができる。
一方、シアン、フッ化物等の溶液は、形成された薄膜の一部を除去するパターニングに用いることができる。
液体原料としてシアン、フッ化物などのエッチングガスを用いる場合、後述する主部は耐腐食性に優れる金属材料(チタン、ステンレス等)からなることが好ましい。
原料ミストは、このような液体原料がミスト化されたものを含む。
液体原料をミスト化する方法は特に限定されず、例えば従来公知の方法であってよい。具体的には例えば、キャリアガスおよび液体原料を噴霧器へ導入して、キャリアガス内に霧状の液体原料が分散しているミストを得る方法が挙げられる。
原料ミストはキャリアガスおよびミスト化された液体原料以外のものを含んでもよい。例えばミスト化が不十分であったために、ミスト状になっていない液体原料を原料ミストは含んでもよい。
本発明の気化器は、例えば図1に示す構成を備えている。
図1は、本発明の気化器の好適態様を示す概略斜視図である。
図1において本発明の気化器10は、原料ミストが流通する第1流路1および原料ミストを加熱する熱媒体が流通する第2流路2を内部に有する主部12を有し、さらに主部12へ原料ミストを供給するための供給部14と、主部12から排出された気体原料を集め、系外へ排出する排出部16とを有する。
[供給部]
図2は図1に示した供給部14の概略斜視図であり、図3は図2におけるA-A´線断面図である。
図2、図3に示すように、供給部14は原料ミストが導入される導入孔141を備える。そして、導入孔141から供給部14の内部へ導入された原料ミストは、供給部14から排出された後、主部12へ供給される。
図2、図3に示した供給部14は、導入孔141から導入された原料ミストが主部12の表面に形成されている複数の第1流路1の入口1Pinへ、可能な限り均等に供給されるように構成されている。具体的には、図3に示すように、原料ミストの流路143の断面径(r14)が、供給部14の内部において、徐々に広がるように構成されている。
供給部14は、主部12と同様に金属材料からなることが好ましい。
なお、本発明の気化器は供給部を備えることが好ましい。
[主部]
図4は図1に示した主部12の概略斜視図であり、図5は図4におけるB-B´線断面図である。
図4、図5に示すように、主部12は原料ミストが流通する第1流路1および原料ミストを加熱する熱媒体が流通する第2流路2を内部に有する。
図4、図5に示した態様では、第1流路1が鉛直方向となるように配置した場合に、第2流路2は水平方向に形成されており、これらが直行している。このような態様は本発明の気化器の主部として好ましい。
主部はいくつかに分離可能に構成されていてもよく、1つの主部と別の主部との間に例えばスペーサーを挟んでもよい。
図6は3つの主部12a、12b、12cがスペーサー9a、9bを挟んでいる態様を示す概略斜視図であり、図7はそれを分離した状態を示す概略斜視図である。
スペーサー9a、9bは例えば板状であってよく、その一方の主面から他方の主面への貫通孔91が形成されている。主部12aから排出された原料ミストの全てがスペーサー9aに形成された貫通孔91に集まることで、原料ミストの温度や成分等がより均一化される。
図6、図7に示すように、主部がいくつかに分離可能に構成されていると、第1流路等の内部を、必要に応じて掃除することが容易になる。
なお、図6、図7では3つの主部と2つのスペーサーを備える場合を例示している。主部とスペーサーの数は特に限定されない。当然、図4に示した態様のようにスペーサーを備えなくてもよい。
スペーサーは主部と同じ材料からなることが好ましい。ただし、主部とは異なる金属や有機物等からなるものであってもよい。
ここで第2流路2を流通する熱媒体は、第1流路を流通する原料ミストを加熱することができる流体であれば特に限定されない。例えば加熱蒸気、オイル等が挙げられる。熱媒体の温度も特に限定されない。例えば200~300℃のオイルを熱媒体として用いることができる。
図4~図7に示すように、供給部14から供給された原料ミストは、主部12の表面に形成されている複数の第1流路1の入口1Pinから第1流路1の内部へ入る。そして、原料ミストは第1流路1の内部を出口1Poutへ向かって移動する過程で第2流路2内の熱媒体から熱を受け、出口1Poutから排出されるときには、原則として気体になっている。
本発明の気化器において主部は金属材料からなる。例えば耐食性の合金(チタン、インコネル、ハステロイ(ニッケル基合金)やステンレス(例えばSUS316L)等の金属材料からなってもよい。すなわち、金属材料とプラスチック材料とを組み合わせて構成されるようなことはない。
ここで主部は、2種類以上の金属材料からなってよいが、1種類の金属材料からなることが好ましい。
このような金属材料からなり、内部に微細な流路を備える主部は、金属製板材の主面同士を密着させて拡散接合によって結合する工程を備える方法によって製造することができる。
また、主部の内部には、原則として、第1流路または第2流路以外の空隙は存在しない。したがって、主部の内部において1つの第1流路と、その隣に存在する別の第1流路との間に、第2流路以外の空隙は存在しない。
これについて、図8~図12を用いて説明する。
図8、図10、図11および図12は、いずれも第1流路と第2流路とが垂直に交差している場合を示している。図9は、図8における直線的な第2流路が、蛇行したものに置き換わった態様を示している。
図8は本発明の気化器の主部における第1流路と垂直な断面(第2流路と水平な断面)を表している。図5の一部拡大図と考えてもよい。図8に示す態様において第1流路の孔は、Pa、Pb、Pc、Pd、Pe、Pf、Pg、Ph、Pi、Pj、Pk、Plと示されている。また、図8において第2流路は2a、2b、2c、2dと示されている。また、図8における斜線部は金属材料が存在していることを意味している。すなわち、図8において空隙は第1流路および第2流路のみである。
図8において、例えば第1流路の孔Pfの隣に存在する別の第1流路の孔は、孔Pa、Pb、Pc、Pe、Pg、Pi、Pj、Pkである。
図8から明らかなように、孔Pe、Pgのいずれかと孔Pfとの間は金属材料で満たされており、空隙は存在しない。
また、孔Pa、Pb、Pc、Pi、Pj、Pkのいずれかと孔Pfと間には第2流路は存在しているが、それ以外には空隙は存在しない。
図8に示す矢印は熱の移動を概念的に示している。図8に示すような態様であると、第2流路(2a、2b、2c、2d)内の熱媒体から第1流路内の原料ミストへの伝熱が効率よく行われる。
図9は本発明の気化器の主部における第1流路と垂直な断面を表している。前述の図8における第2流路が直線的ではなく、蛇行するものに代わった態様を示している。
図9に示す態様において第1流路の孔は、Pa、Pb、Pc、Pd、Pe、Pf、Pg、Ph、Pi、Pj、Pkと示されている。また、図9において第2流路は2a、2b、2c、2dと示されている。また、図9における斜線部は金属材料が存在していることを意味している。すなわち、図9において空隙は第1流路および第2流路のみである。
図9において、例えば第1流路の孔Pfの隣に存在する別の第1流路の孔は、孔Pb、Pc、Pe、Pg、Pi、Pjである。
この場合も、図8に示した態様の場合と同じように、孔Pb、Pc、Pe、Pg、Pi、Pjのいずれかと孔Pfと間は金属材料で満たされているか、または第2流路(2b、2c)のみが存在しているかのいずれかである。
図9に示す矢印は熱の移動を概念的に示している。図9に示すような態様であると、第2流路(2a、2b、2c、2d)内の熱媒体から第1流路内の原料ミストへの伝熱が効率よく行われる。
図10は本発明の気化器の主部には該当しない。
図10はパイプ状の第1流路と第2流路とが格子状に組まれ、それらの接点で固定されたものである。
図10に示す態様において第1流路の孔は、Pa、Pb、Pc、Pd、Pe、Pf、Pg、Ph、Pi、Pj、Pk、Plと示されている。また、図10において第2流路は2a、2b、2c、2dと示されている。
図10において、例えば第1流路の孔Pfの隣に存在する別の第1流路の孔は、孔Pa、Pb、Pc、Pe、Pg、Pi、Pj、Pkである。
図10から明らかなように、孔Pfと孔Peとの間は空隙γが存在する。また、孔Pfと孔Pgとの間も同様に空隙δが存在する。
図10に示す矢印は熱の移動を概念的に示している。図10に示すような態様であると、第2流路(2a、2b、2c、2d)内の熱媒体から第1流路内の原料ミストへの伝熱は、第2流路と第1流路との接点のみで行われる。したがって、伝熱効率が悪い。
図11は本発明の気化器の主部には該当しない。
図11は、前述の図10の場合と同様にパイプ状の第1流路と第2流路とが格子状に組まれ、それらの接点で固定され、さらに第1流路同士もそれらの接点で固定されたものである。
図11に示す態様において第1流路の孔は、Pa、Pb、Pc、Pd、Pe、Pf、Pg、Ph、Pi、Pj、Pk、Plと示されている。また、図11において第2流路は2a、2b、2c、2dと示されている。
図11において、例えば第1流路の孔Pfの隣に存在する別の第1流路の孔は、孔Pa、Pb、Pc、Pe、Pg、Pi、Pj、Pkである。
図11から明らかなように、孔Pfと孔Paとの間は空隙αおよびγが存在する。また、孔Pfと孔Peとの間には空隙γおよびεが存在する。
図11に示す矢印は熱の移動を概念的に示している。図11に示すような態様であると、第2流路(2a、2b、2c、2d)内の熱媒体から第1流路内の原料ミストへの伝熱は、第2流路と第1流路との接点のみで行われる。したがって、伝熱効率が悪い。
図12は本発明の気化器の主部には該当しない。
図12に示す態様が、前述の図11に示した態様と異なる部分は、第1流路の断面形状である。すなわち、図11に示した態様の第1流路は断面が円形であったが、図12に示す態様の第1流路は断面が矩形である。それ以外は図11に示した態様と同様であり、パイプ状の第1流路と第2流路とが格子状に組まれ、それらの接点で固定され、さらに第1流路同士もそれらの接点で固定されたものである。
このような構成の場合、図11に示した態様を比較すれば空隙は少なくなる傾向がある。しかし、パイプ同士を密着させても、図12に示すように、それらの間にはある程度の隙間が形成される。図12では、例えば空隙α、β、γ、δ、ε、ζが存在する。
図12に示す態様において第1流路の孔は、Pa、Pb、Pc、Pd、Pe、Pf、Pg、Ph、Pi、Pj、Pk、Plと示されている。また、図12において第2流路は2a、2b、2c、2dと示されている。
図12において、例えば第1流路の孔Pfの隣に存在する別の第1流路の孔は、孔Pa、Pb、Pc、Pe、Pg、Pi、Pj、Pkである。
図11から明らかなように、孔Pfと孔Paとの間は空隙αおよびγが存在する。また、孔Pfと孔Peとの間には空隙γおよびεが存在する。
図12に示す矢印は熱の移動を概念的に示している。図12に示すような態様であると、第2流路(2a、2b、2c、2d)内の熱媒体から第1流路内の原料ミストへの伝熱は、第2流路と第1流路との接点のみで行われる。したがって、伝熱効率が悪い。
図8~12を例示して説明したように、本発明の気化器では主部の内部において1つの第1流路と、その隣に存在する別の第1流路との間に第2流路以外の空隙が存在しないので、第2流路内の熱媒体から第1流路内の原料ミストへの伝熱が効率よく行われる。
本発明の気化器の主部の内部に存在する第1流路の断面の等面積円相当径(直径)は5mm以下であり、2mm以下であることが好ましい。また、1mm以上であることが好ましい。
ここで本発明における等面積円相当径とは、第1流路の断面の図形の面積に相当する真円の直径を意味する。なお、第2流路の等面積円相当径についても同様とする。
第1流路の断面の大きさが上記の範囲であると、圧力損失と伝熱性能のバランス、析出物の閉塞しにくさという点で好ましい。
なお、第1流路の断面の形状は特に限定されない。円形、楕円形、矩形などであってよい。
本発明の気化器の主部の内部に存在する第2流路の断面の等面積円相当径(直径)は2mm以下であり、1mm以下であることが好ましい。また、0.5mm以上であることが好ましい。
第2流路の断面の大きさが上記の範囲であると、圧力損失と伝熱性能のバランスという点で好ましい。
なお、第2流路の断面の形状は特に限定されない。円形、楕円形、矩形などであってよい。
本発明の気化器は、前記原料ミストが流れる方向に対して垂直方向における前記主部の断面において、前記熱媒体が蛇行しながら流通している方向を左右方向とした場合に、前記第1流路の孔が左右方向に列状に並んでおり、かつ、列状の孔が上下方向に層をなすように配置されていて、上下方向に隣り合う列状の孔の層の間に前記第2流路が存在し、前記第2流路と前記第1流路とは繋がっておらず、前記第2流路は上下方向から挟まれる列状の孔の層における前記第1流路の孔を回避するように上下方向に蛇行している態様であることが好ましい。
このような好ましい態様に相当する本発明の気化器として、以下に態様1、態様2、態様3を示す。
態様1について、図13~図15を用いて説明する。
図13は、本発明の気化器における主部の好適態様(態様1)を示す概略斜視図であり、図14は図13におけるC-C'線断面図を示している。
図13に示した態様1の主部20では、図13に示すように、第1流路21に直行する平面上に第2流路22が形成されており、第2流路22は、第1流路を回避するように蛇行している。
なお、図13、図14において「21p」は第1流路の入口もしくは出口の孔または断面に現れた第1流路の孔を示しており、「22p」は第2流路の入口もしくは出口の孔を示している。
図13~図15を用いて説明する好適態様(態様1)である主部20は、下記[要件1]~[要件3]を満たす断面Aを得ることができる。
[要件1]
図13、図14に例示するような主部20は、主部20を原料ミストが流れる方向(第1流路が鉛直方向に直線状に伸びている場合は、その方向)に対して垂直の方向にて切断することで、図14に例示するような断面Aを得ることができる。
なお、断面Aは、主部20における全ての第1流路に対して直角の方向の断面でなくてもよい。第1流路の構成によっては、全ての第1流路に対して直角の断面を得ることができない場合もありえる。そのような場合は、主部20における第1流路の一部に対して(主部20における、できるだけ多くの第1流路に対して)垂直の方向の断面を、主部20における断面Aとする。
例えば図13に示した主部20の場合であれば、第1流路21は直線的に形成されているので、この流路に対して垂直の方向の断面、すなわち、図13におけるC-C'線断面が断面Aとなり、これを図示すれば図14のようになる。
なお、図13、図14における第1流路および第2流路は理解を容易にするために極めて単純な構成の流路を図示している。例えば第2流路は、左右方向の端部において別の第2流路とつながっていてよい。
[要件2]
要件2について図15を用いて説明する。図15は図14と同様の断面Aを示している。また、図14では第1流路の孔を「21p」と示したが、図15では「Pmk」(mおよびkは1以上の整数とする)と示している。
主部20では、図15に例示するように、断面Aにおいて熱媒体が蛇行しながら流通している方向を左右方向とした場合に、第1流路の孔(Pmk)が左右方向に列状に並んでおり、かつ、列状の孔が上下方向に層をなすように配置されている。図15では、左右方向に列状に孔(Pmk)が並んでおり、列状の孔が上下方向に孔の層が3層存在している。そして、それらの列状の孔の層を下方から上方へ第1層、第2層および第3層とし、第1層の孔を「P1k」、第2層の孔を「P2k」、第3層の孔を「P3k」とする。つまり、mを層の番号とする。また、各層において孔は左から右へ「Pm1」、「Pm2」、「Pm3」・・・「Pmk」とする。つまり、kは同一層内の孔の番号(連番)とする。ここで、第1層に存在する「P1k」の孔の直上には、第3層の「P3k」の孔が存在するものとする。例えば、第1層に存在する「P13」の孔の直上には、第3層の「P33」の孔が存在するものとする。また、第1層に存在する「P1k」の孔の左上には第2層の「P2k」の孔が存在するものとする。例えば、第1層に存在する「P13」の孔の左上には第2層の「P23」の孔が存在するものとする。
このような場合、上下方向に隣り合う列状の孔の層は第1層と第2層、および第2層と第3層となるが、隣り合う第1層と第2層とにおいて、第1流路の孔は左右方向では同じ位置に配置されていない。すなわち、第1層の孔の中心の直上に第2層の孔の中心は存在しない。第2層の孔は第1層における2つの孔の間に存在する。同様に、隣り合う第2層と第3層とにおいて、第2流路の孔は左右方向では同じ位置に配置されていない。すなわち、第2層の孔の中心の直上に第3層の孔の中心は存在しない。第3層の孔は、第2層における2つの孔の間に存在する。
[要件3]
主部20では、図14および図15に示したように、上下方向に隣り合う列状の孔の層の間に第2流路22が存在する。
また、第1流路21と第2流路22は繋がっていない。
そして、第2流路22は上下方向から挟まれる列状の孔の層における第1流路の孔(21p、Pmk)を回避するように上下方向に蛇行している。
例えば図15において、第1流路の孔(P11、P12、P13、P14)からなる第1層と、第2流路の孔(P21、P22、P23、P24、P25)からなる第2層との間に第2流路22が存在しており、その第2流路は、第1層の孔(P11、P12、P13、P14)と第2層の孔(P21、P22、P23、P24、P25)とを回避するように上下方向に蛇行している。
ここで、図15に示すように、第1層と第2層との境界となっている帯状の部分が上下に蛇行しており、第2流路はその帯状の部分の形状に沿って蛇行している。
態様2について図16を用いて説明する。
図16は、態様1の断面を示す図14と同様の断面である。
本発明の気化器は、原料ミストが流れる方向に対して垂直方向における主部20の断面Aにおいて、熱媒体が蛇行しながら流通している方向を左右方向とした場合に、第1流路の孔21pが左右方向に列状に並んでおり、かつ、列状の孔が上下方向に層をなすように配置されていて、加えて、上下方向に隣り合う列状の孔の層を対比したときに第1流路の孔21pは左右方向では同じ位置に配置されておらず、第2流路22と第1流路21とは繋がっておらず、第2流路22は上下方向から挟まれる列状の孔の層における第1流路の孔21pを回避するように上下方向に蛇行している態様である。
態様3について図17を用いて説明する。
図17は、態様1の断面を示す図14と同様の断面である。
本発明の気化器は、原料ミストが流れる方向に対して垂直方向における主部20の断面Aにおいて、熱媒体が蛇行しながら流通している方向を左右方向とした場合に、第1流路の孔21pが左右方向に列状に並んでおり、かつ、列状の孔が上下方向に層をなすように配置されていて、第2流路22と第1流路21とは繋がっておらず、第2流路22は上下方向から挟まれる列状の孔の層における第1流路の孔21pを回避するように上下方向に蛇行している態様である。
本発明の気化器は、前記第1流路をその長手方向において複数の部位に分けた場合に、前記第1流路の内部に存する前記原料ミストの温度を、それら部位ごとに調整できるように構成されていることが好ましい。
このようにして成膜用の気体原料を製造すると、析出物の発生量がより少なくなるからである。
次に、このような好ましい態様について説明する。
例えば図4において、主部12における原料ミストが流入する孔1Pinが形成されている面を入側面125とする。また、主部12における気体原料が排出される孔1Poutが形成されている面を出側面127とする。
この場合に、主部12における入側面125に近い部位内の第2流路へ熱媒体を流す経路と、主部12における出側面127に近い部位内の第2流路へ熱媒体を流す経路とを別に構成すれば、前者の主部12における入側面125に近い部位内の第2流路へ流通させる熱媒体の温度と、後者の主部12における出側面127に近い部位内の第2流路へ流通させる熱媒体の温度とを異なるものとすることができる。この場合、前者の主部12における入側面125に近い部位内の第1流路1の内部に存する原料ミストの温度と、後者の主部12における出側面127に近い部位内の第1流路1の内部に存する原料ミストの温度とを、部位ごとに調整できることとなる。
また、例えば、主部12における入側面125に近い部位内の第2流路へ熱媒体を流す経路と、主部12における出側面127に近い部位内の第2流路へ熱媒体を流す経路とを別に構成し、前者の主部12における入側面125に近い部位内の第2流路へ熱媒体を流す経路へ相対的に温度が高い熱媒体を流通させ、後者の主部12における出側面127に近い部位内の第2流路へ熱媒体を流す経路へ相対的に温度が低い熱媒体を流通させれば、入側面125から出側面127へ向かって、その内部に存する第2流路内の前記熱媒体の温度を徐々に低くすることができる。この場合、孔1Pinから第1流路内に流入した原料ミストは、孔1Poutへ向かって移動する過程で、徐々に温度が低くなっていく。
また、例えば図6、図7に示した主部が分離可能に構成されている態様において、主部12a、主部12b、主部12cの内部の第2流路内に流す熱媒体の温度を別々に調整することができるように構成すれば、主部12a、主部12b、主部12cの各部位ごとに、それらの内部に存する原料ミストの温度を調整することができる。例えば、入側面125から出側面127へ向かって、その内部に存する第2流路内の前記熱媒体の温度を徐々に低くすれば、孔1Pinから第1流路内に流入した原料ミストは、孔1Poutへ向かって移動する過程で、徐々に温度が低くなっていく。
本発明の気化器は、前記主部における前記原料ミストが流入する孔が形成されている面を入側面とし、前記主部における前記気体原料が排出される孔が形成されている面を出側面とした場合に、前記入側面から前記出側面へ向かって、その内部に存する前記第1流路の等面積円相当径が徐々に変化していることが好ましい。
この好ましい態様について、図18~図21を用いて説明する。
図18は図4におけるD-D'線断面図を示しており、図19~図21は、図18に示す第1流路を、別の態様(好適態様)に置き換えた場合の断面図を示している。
図18に示す主部12では、原料ミストが流入する孔1Pinが形成されている入側面125から、気体原料が排出される孔1Poutが形成されている出側面127へ向かって、その内部に存する第1流路1の径は変化していない。第1流路1は直線的に形成されている。
これに対して、図19に示す主部12では、原料ミストが流入する孔1Pinが形成されている入側面125から、気体原料が排出される孔1Poutが形成されている出側面127へ向かって、その内部に存する前記第1流路の等面積円相当径が徐々に小さくなるように変化している。このような態様であると、気体原料の温度上昇を緩やかに出来るという点で好ましい。
また、図20に示す主部12では、原料ミストが流入する孔1Pinが形成されている入側面125から、気体原料が排出される孔1Poutが形成されている出側面127へ向かって、その内部に存する前記第1流路の等面積円相当径が徐々に大きくなるように変化している。このような態様であると、気体原料を第1流路に均等に分配できるという点で好ましい。
また、図21に示す主部12では、原料ミストが流入する孔1Pinが形成されている入側面125から、気体原料が排出される孔1Poutが形成されている出側面127へ向かって、その内部に存する前記第1流路の等面積円相当径が徐々に小さくなった後、大きくなるように変化している。このような態様であると、気体原料の乱れによる伝熱促進と、流体の均一化という点で好ましい。
[排出部]
図22は排出部16の概略斜視図であり、図23は図22におけるE-E´線断面図である。
図22に例示される排出部16は、上記のような主部12から排出された気体原料を集め、これを系外へ排出する。
図22、図23に例示した態様の場合、主部12から排出された気体原料が、凹み162に集められる。そして、これとつながる経路164を通って、気体原料は系外へ排出される。
排出部16は、主部12と同様に金属材料からなることが好ましい。
なお、本発明の気化器は排出部を備えることが好ましい。
本発明の気化器は前記主部の外面と、前記第1流路および前記第2流路の少なくとも一部との間に空隙を有し、内部の熱が外部へ放出され難くなるように構成されていることが好ましい。その空隙内を真空とすることで、内部の熱が外部へ放出され難くなる。
なお、本発明の気化器は、さらに、前記主部以外の部分の外面と、前記第1流路および前記第2流路の少なくとも一部との間に空隙を有し、内部の熱が外部へ放出され難くなるように構成されていてもよい。
このような好適態様について、図24~図27を用いて説明する。
図24は、図1に示した態様における主部12を、図6に示した主部(12a、9a、12b、9b、12c)に入れ替え、第2流路72へ熱媒体を導入するための導入孔61と、第2流路72から熱媒体が排出される排出孔63とを有し、さらに、外面65と、第1流路71および第2流路72の少なくとも一部との間に空隙67を有する態様である。
そして、図25は図24におけるF-F´線断面図、図26は図24におけるG-G´線断面図、図27は図24におけるH-H´線断面図である。
図24~図27に示した本発明の気化器の好適態様では、外面65と、第1流路71および第2流路72の少なくとも一部との間に空隙67が形成されている。
図24~図27に示した好適態様の場合、空隙67は、原則、外面にそって一定の厚さで形成されている。ただし、熱媒体の導入孔61および熱媒体の排出孔63ならび原料ミストが導入される導入孔および気体原料は排出される排出孔が形成されている部分については、図24~図27に示すように、空隙67が形成されていなくてもよい。
空隙の厚さは特に限定されないが、0.5~2.0mm程度であることが好ましい。
空隙は、例えば第1流路と同様の方法で形成することができる。第1流路の形成方法については後述する。
本発明の気化器がこのような空隙を有することで、内部の熱が外部へ放出され難くなるので好ましい。
なお、このような空隙内を真空としてもよい。後述する本発明の製造方法によって本発明の気化器を製造すると、空隙内を容易に真空とすることができる。空隙内を保温材で満たしてもよいが、空隙内を真空とする場合の方が断熱性に優れる。
<本発明の製造方法>
本発明の製造方法について説明する。
上記のような本発明の気化器は、次に示す本発明の製造方法によって製造することが好ましい。
図28~図30を用いて説明する。
本発明の製造方法では、初めに図28(a)に示すように、複数枚の金属製板材30を用意する。
そして、図28(b)に示すように、その主面32の上に第2流路の一部となる溝34を形成する。
このような溝34を形成する手段は特に限定されない。エッチング等の化学的な手段によって形成してもよいし、レーザー加工や切削等の物理的な手段によって形成してもよい。
次に、図28(c)に示すように、その一方の主面32から他方の主面38へ貫通する貫通孔40を形成する。例えばドリルを用いて貫通孔40を形成することができる。また、貫通孔40はエッチング等の化学的な手段や、レーザー加工や切削等の物理的な手段によって形成してもよい。
この貫通孔40は第1流路の一部となる。
次に、溝34および貫通孔40が形成された金属製板材42の主面32同士を密着させる(図29(a)、(b))。
そして、これらの金属製板材42の主面32同士を拡散接合によって結合すると、図29(c)に示すような、内部に第1流路52および第2流路54を備える主部の一部50を得ることができる。
そして、図29(c)に示すような主部の一部50を複数作成し、それらの主面同士を拡散結合によって結合していくと、主部を得ることができる。
なお、図29では、主面32の上に第2流路の一部となる溝34を形成した、2枚の金属性板材42を密着させて結合する場合を説明したが、図30(a)に示すように、溝34および貫通孔40を形成した金属製板材42と、溝34は形成せず、貫通孔40を形成した金属性板材42´を密着させて結合してもよい。
そして、これらの金属製板材42、42´の主面32同士を拡散接合によって結合すると、図30(c)に示すような、内部に第1流路52および第2流路54を備える主部の一部50を得ることができる。
そして、図30(c)に示すような主部の一部50を複数作成し、それらの主面同士を拡散結合によって結合していくと、主部を得ることができる。
1 第1流路
1Pin 第1流路の入口
1Pout 第1流路の出口
Pa、Pb、Pc、Pd、Pe、Pf、Pg、Ph、Pi、Pj、Pk、Pl 第1流路の孔
α、β、γ、δ、ε、ζ 空隙
2、2a、2b、2c、2d 第2流路
9a、9b スペーサー
91 貫通孔
10 本発明の気化器
12、12a、12b、12c 主部
125 主部の入側面
127 主部の出側面
14 供給部
141 導入孔
143 流路
16 排出部
161 排出孔
162 凹み
164 経路
20 主部
21 第1流路
21p 第1流路の孔
22 第2流路
22p 第2流路の孔
30 金属製板材
32 主面
34 溝
36 金属製板材
38 主面
40 貫通孔
42 金属製板材
50 主部(の一部)
52 第1流路
54 第2流路
61 導入孔
63 排出孔
65 外面
67 空隙
71 第1流路
72 第2流路

Claims (7)

  1. 原料ミストを加熱して気化することで成膜用の気体原料を得る気化器であって、
    前記原料ミストが流通する第1流路および前記原料ミストを加熱する熱媒体が流通する第2流路を金属材料からなる主部の内部に有し、
    前記第1流路の断面の等面積円相当径が5mm以下、前記第2流路の断面の等面積円相当径が2mm以下であり、
    前記主部の内部において1つの第1流路と、その隣に存在する別の第1流路との間に、第2流路以外の空隙が存在せず、
    前記第1流路をその長手方向において複数の部位に分けた場合に、前記第1流路の内部に存する前記原料ミストの温度を、それら部位ごとに調整できるように構成されている、
    成膜用の気体原料を得る気化器。
  2. 前記原料ミストが流れる方向に対して垂直方向における前記主部の断面において、
    前記熱媒体が蛇行しながら流通している方向を左右方向とした場合に、前記第1流路の孔が左右方向に列状に並んでおり、かつ、列状の孔が上下方向に層をなすように配置されていて、
    上下方向に隣り合う列状の孔の層の間に前記第2流路が存在し、前記第2流路と前記第1流路とは繋がっておらず、前記第2流路は上下方向から挟まれる列状の孔の層における前記第1流路の孔を回避するように上下方向に蛇行している、
    請求項1に記載の成膜用の気体原料を得る気化器。
  3. 前記第1流路は管状であって、その断面の形状は矩形ではない、請求項1または2に記載の成膜用の気体原料を得る気化器。
  4. 前記主部における前記原料ミストが流入する孔が形成されている面を入側面とし、前記主部における前記気体原料が排出される孔が形成されている面を出側面とした場合に、前記入側面から前記出側面へ向かって、その内部に存する前記第1流路の等面積円相当径が徐々に変化している、請求項1~のいずれかに記載の成膜用の気体原料を得る気化器。
  5. 前記第1流路が鉛直方向となるように配置した場合に、前記第2流路は水平方向に形成されており、これらが直行している、請求項1~のいずれかに記載の成膜用の気体原料を得る気化器。
  6. 前記主部の外面と、前記第1流路および前記第2流路の少なくとも一部との間に空隙を有し、内部の熱が外部へ放出され難くなるように構成されている、請求項1~のいずれかに記載の成膜用の気体原料を得る気化器。
  7. 複数枚の金属製板材を用意し、その主面上に前記第2流路の一部となる溝を形成し、さらにその一方の主面から他方の主面へ貫通する前記第1流路の一部となる貫通孔を形成する工程と、
    前記金属製板材の主面同士を密着させて拡散接合によって結合する工程とを備え、
    請求項1~のいずれかに記載の気化器を得る、気化器の製造方法。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7045743B1 (ja) * 2021-10-11 2022-04-01 株式会社リンテック 気化器

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005506681A (ja) 2001-02-28 2005-03-03 ポーター・インストゥルメント・カンパニー・インコーポレイテッド 気化装置
JP2005511894A (ja) 2001-12-04 2005-04-28 プライマックス・インコーポレーテッド 化学蒸着用ベーパライザ
JP2009054655A (ja) 2007-08-23 2009-03-12 Tokyo Electron Ltd 気化器、気化器を用いた原料ガス供給システム及びこれを用いた成膜装置

Family Cites Families (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB935542A (en) * 1959-01-21 1963-08-28 Einar Henry Palmason Process and apparatus for continuous plate-type evaporation
US4050511A (en) * 1975-03-03 1977-09-27 The Babcock & Wilcox Company Heat exchangers
US4031862A (en) * 1976-03-10 1977-06-28 Smith Frank J Economizer
US4265301A (en) * 1976-04-06 1981-05-05 Anderson James H Heat exchanger support construction
JP3071207B2 (ja) * 1990-03-01 2000-07-31 富士電機株式会社 燃料電池発電装置
US5676911A (en) * 1995-12-14 1997-10-14 Her Majesty The Queen In Right Of Canada, As Represented By The Minister Of National Defence Of Her Majesty's Canadian Government Radial flow fuel processor
JPH09181061A (ja) 1995-12-25 1997-07-11 Hitachi Ltd 液体原料の気化方法および供給装置ならびにそれを用いて構成された半導体製造装置
JPH10135197A (ja) * 1996-09-09 1998-05-22 Ebara Corp 液体原料の気化方法及び装置
TW416992B (en) * 1996-09-09 2001-01-01 Ebara Corp Vaporizer for vaporizing liquid feed material
JP2933055B2 (ja) * 1997-04-10 1999-08-09 三浦工業株式会社 角型多管式貫流ボイラー
US6019070A (en) * 1998-12-03 2000-02-01 Duffy; Thomas E. Circuit assembly for once-through steam generators
US6617067B1 (en) * 1999-11-05 2003-09-09 Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha Fuel evaporator
US6596085B1 (en) * 2000-02-01 2003-07-22 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for improved vaporization of deposition material in a substrate processing system
KR100482825B1 (ko) * 2002-07-09 2005-04-14 삼성전자주식회사 열교환기
KR101183109B1 (ko) * 2002-07-30 2012-09-24 에이에스엠 아메리카, 인코포레이티드 캐리어 가스를 이용하는 승화 시스템
EP1534627A2 (en) * 2002-09-05 2005-06-01 Shell Internationale Researchmaatschappij B.V. Apparatus and process for production of high purity hydrogen
JP3896594B2 (ja) 2004-10-01 2007-03-22 株式会社ユーテック Cvd用気化器、溶液気化式cvd装置及びcvd用気化方法
JP3785417B1 (ja) 2005-06-21 2006-06-14 前田建設工業株式会社 酸性硫酸塩土壌の土壌改良材及び土壌改良方法
JP4601535B2 (ja) 2005-09-09 2010-12-22 株式会社リンテック 低温度で液体原料を気化させることのできる気化器
JP2007102007A (ja) 2005-10-06 2007-04-19 Sharp Corp 液晶表示装置およびその停止方法
JP2007198701A (ja) * 2006-01-30 2007-08-09 Hitachi Zosen Corp 多重効用型造水装置用蒸発器
RU2323762C1 (ru) * 2006-10-26 2008-05-10 Леон Игнатьевич Трофимов Выпарной аппарат
JP4324619B2 (ja) 2007-03-29 2009-09-02 東京エレクトロン株式会社 気化装置、成膜装置及び気化方法
US20080314311A1 (en) * 2007-06-24 2008-12-25 Burrows Brian H Hvpe showerhead design
JP5138515B2 (ja) * 2008-09-05 2013-02-06 東京エレクトロン株式会社 蒸気発生器、蒸気発生方法および基板処理装置
ES2551140T3 (es) * 2009-01-12 2015-11-16 Heatmatrix Group B.V. Evaporador por termosifón
JP2010232376A (ja) * 2009-03-26 2010-10-14 Taiyo Nippon Sanso Corp 気相成長装置の原料ガス供給ノズル
IT1395108B1 (it) * 2009-07-28 2012-09-05 Itea Spa Caldaia
EP2471973A1 (en) * 2009-08-28 2012-07-04 Kyocera Corporation Apparatus for forming deposited film and method for forming deposited film
WO2011115883A2 (en) * 2010-03-15 2011-09-22 The Trustees Of Dartmouth College Geometry of heat exchanger with high efficiency
JP5906005B2 (ja) * 2010-03-25 2016-04-20 株式会社Ihi 熱処理方法
JP5426616B2 (ja) * 2011-07-15 2014-02-26 株式会社リンテック 気化器及び該気化器を備えた液体原料気化供給装置
KR101339600B1 (ko) 2011-08-18 2014-01-29 포아텍 주식회사 기화기
KR20130031441A (ko) 2011-09-21 2013-03-29 최우열 기화기
US9464837B2 (en) * 2012-03-21 2016-10-11 Mahle International Gmbh Phase change material evaporator charging control
EP3218662A1 (en) * 2014-11-11 2017-09-20 Dantherm Cooling A/S Thermosiphon blocks and thermosiphon systems for heat transfer
US9982341B2 (en) * 2015-01-30 2018-05-29 Lam Research Corporation Modular vaporizer
JP6675865B2 (ja) 2015-12-11 2020-04-08 株式会社堀場エステック 液体材料気化装置
KR101721681B1 (ko) * 2016-03-24 2017-03-30 (주)티티에스 기화기
KR102222183B1 (ko) * 2016-03-30 2021-03-02 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라스마 전극 및 플라스마 처리 장치
US10254023B2 (en) * 2017-02-09 2019-04-09 Heatcraft Refrigeration Products, Llc Heat pipe anchor tubes for high side heat exchangers
CN206486294U (zh) 2017-02-09 2017-09-12 南京合创工程设计有限公司 多晶硅还原生产新型汽化器
CN107308666A (zh) 2017-08-15 2017-11-03 广州特种承压设备检测研究院 喷淋降膜蒸发器
US10147597B1 (en) 2017-09-14 2018-12-04 Lam Research Corporation Turbulent flow spiral multi-zone precursor vaporizer
JP2022021679A (ja) * 2020-07-22 2022-02-03 中山エンジニヤリング株式会社 熱交換器

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005506681A (ja) 2001-02-28 2005-03-03 ポーター・インストゥルメント・カンパニー・インコーポレイテッド 気化装置
JP2005511894A (ja) 2001-12-04 2005-04-28 プライマックス・インコーポレーテッド 化学蒸着用ベーパライザ
JP2009054655A (ja) 2007-08-23 2009-03-12 Tokyo Electron Ltd 気化器、気化器を用いた原料ガス供給システム及びこれを用いた成膜装置

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