JP7360201B2 - 気化器およびその製造方法 - Google Patents
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Description
すなわち、所望の温度に調整され、かつ温度のバラツキが非常に少ない気体原料を得ることができ、さらに析出物をほとんど発生させない、あるいは生じても堆積しにくい気化器を提供することを目的とする。所望の温度に調整され、かつ温度のバラツキが非常に少ない気体原料を得ることができる場合、気化器を小型化できると考えられる。また、そのような気化器の製造方法を提供することを目的とする。
本発明は以下の(1)~(7)である。
(1)原料ミストを加熱して気化することで成膜用の気体原料を得る気化器であって、
前記原料ミストが流通する第1流路および前記原料ミストを加熱する熱媒体が流通する第2流路を金属材料からなる主部の内部に有し、
前記第1流路の断面の等面積円相当径が5mm以下、前記第2流路の断面の等面積円相当径が2mm以下であり、
前記主部の内部において1つの第1流路と、その隣に存在する別の第1流路との間に、第2流路以外の空隙が存在しない、
成膜用の気体原料を得る気化器。
(2)前記原料ミストが流れる方向に対して垂直方向における前記主部の断面において、
前記熱媒体が蛇行しながら流通している方向を左右方向とした場合に、前記第1流路の孔が左右方向に列状に並んでおり、かつ、列状の孔が上下方向に層をなすように配置されていて、
上下方向に隣り合う列状の孔の層の間に前記第2流路が存在し、前記第2流路と前記第1流路とは繋がっておらず、前記第2流路は上下方向から挟まれる列状の孔の層における前記第1流路の孔を回避するように上下方向に蛇行している、
上記(1)に記載の成膜用の気体原料を得る気化器。
(3)前記第1流路をその長手方向において複数の部位に分けた場合に、前記第1流路の内部に存する前記原料ミストの温度を、それら部位ごとに調整できるように構成されている、上記(1)または(2)に記載の成膜用の気体原料を得る気化器。
(4)前記主部における前記原料ミストが流入する孔が形成されている面を入側面とし、前記主部における前記気体原料が排出される孔が形成されている面を出側面とした場合に、前記入側面から前記出側面へ向かって、その内部に存する前記第1流路の等面積円相当径が徐々に変化している、上記(1)~(3)のいずれかに記載の成膜用の気体原料を得る気化器。
(5)前記第1流路が鉛直方向となるように配置した場合に、前記第2流路は水平方向に形成されており、これらが直行している、上記(1)~(4)のいずれかに記載の成膜用の気体原料を得る気化器。
(6)前記主部の外面と、前記第1流路および前記第2流路の少なくとも一部との間に空隙を有し、内部の熱が外部へ放出され難くなるように構成されている、上記(1)~(5)のいずれかに記載の成膜用の気体原料を得る気化器。
(7)複数枚の金属製板材を用意し、その主面上に前記第2流路の一部となる溝を形成し、さらにその一方の主面から他方の主面へ貫通する前記第1流路の一部となる貫通孔を形成する工程と、
前記金属製板材の主面同士を密着させて拡散接合によって結合する工程とを備え、
上記(1)~(6)のいずれかに記載の気化器を得る、気化器の製造方法。
本発明は、原料ミストを加熱して気化することで成膜用の気体原料を得る気化器であって、前記原料ミストが流通する第1流路および前記原料ミストを加熱する熱媒体が流通する第2流路を金属材料からなる主部の内部に有し、前記第1流路の断面の等面積円相当径が5mm以下、前記第2流路の断面の等面積円相当径が2mm以下であり、前記主部の内部において1つの第1流路と、その隣に存在する別の第1流路との間に、第2流路以外の空隙が存在しない、成膜用の気体原料を得る気化器である。
このような気化器を、以下では「本発明の気化器」ともいう。
このような気化器の製造方法を、以下では「本発明の製造方法」ともいう。
本発明の気化器について説明する。
本発明の気化器は、原料ミストを加熱して気化することで、成膜用の気体原料を得る気化器である。
ここでキャリアガスおよび液体原料の種類は特に限定されず、例えば半導体デバイスの製造プロセスの一部として、CVD法によって薄膜を形成する際や薄膜の一部をエッチングする際に、従来用いられているキャリアガスおよび液体原料であってよい。
一方、シアン、フッ化物等の溶液は、形成された薄膜の一部を除去するパターニングに用いることができる。
液体原料としてシアン、フッ化物などのエッチングガスを用いる場合、後述する主部は耐腐食性に優れる金属材料(チタン、ステンレス等)からなることが好ましい。
液体原料をミスト化する方法は特に限定されず、例えば従来公知の方法であってよい。具体的には例えば、キャリアガスおよび液体原料を噴霧器へ導入して、キャリアガス内に霧状の液体原料が分散しているミストを得る方法が挙げられる。
図1は、本発明の気化器の好適態様を示す概略斜視図である。
図1において本発明の気化器10は、原料ミストが流通する第1流路1および原料ミストを加熱する熱媒体が流通する第2流路2を内部に有する主部12を有し、さらに主部12へ原料ミストを供給するための供給部14と、主部12から排出された気体原料を集め、系外へ排出する排出部16とを有する。
図2は図1に示した供給部14の概略斜視図であり、図3は図2におけるA-A´線断面図である。
図2、図3に示すように、供給部14は原料ミストが導入される導入孔141を備える。そして、導入孔141から供給部14の内部へ導入された原料ミストは、供給部14から排出された後、主部12へ供給される。
図2、図3に示した供給部14は、導入孔141から導入された原料ミストが主部12の表面に形成されている複数の第1流路1の入口1Pinへ、可能な限り均等に供給されるように構成されている。具体的には、図3に示すように、原料ミストの流路143の断面径(r14)が、供給部14の内部において、徐々に広がるように構成されている。
供給部14は、主部12と同様に金属材料からなることが好ましい。
なお、本発明の気化器は供給部を備えることが好ましい。
図4は図1に示した主部12の概略斜視図であり、図5は図4におけるB-B´線断面図である。
図4、図5に示すように、主部12は原料ミストが流通する第1流路1および原料ミストを加熱する熱媒体が流通する第2流路2を内部に有する。
図6は3つの主部12a、12b、12cがスペーサー9a、9bを挟んでいる態様を示す概略斜視図であり、図7はそれを分離した状態を示す概略斜視図である。
スペーサー9a、9bは例えば板状であってよく、その一方の主面から他方の主面への貫通孔91が形成されている。主部12aから排出された原料ミストの全てがスペーサー9aに形成された貫通孔91に集まることで、原料ミストの温度や成分等がより均一化される。
図6、図7に示すように、主部がいくつかに分離可能に構成されていると、第1流路等の内部を、必要に応じて掃除することが容易になる。
なお、図6、図7では3つの主部と2つのスペーサーを備える場合を例示している。主部とスペーサーの数は特に限定されない。当然、図4に示した態様のようにスペーサーを備えなくてもよい。
ここで主部は、2種類以上の金属材料からなってよいが、1種類の金属材料からなることが好ましい。
このような金属材料からなり、内部に微細な流路を備える主部は、金属製板材の主面同士を密着させて拡散接合によって結合する工程を備える方法によって製造することができる。
これについて、図8~図12を用いて説明する。
図8、図10、図11および図12は、いずれも第1流路と第2流路とが垂直に交差している場合を示している。図9は、図8における直線的な第2流路が、蛇行したものに置き換わった態様を示している。
図8から明らかなように、孔Pe、Pgのいずれかと孔Pfとの間は金属材料で満たされており、空隙は存在しない。
また、孔Pa、Pb、Pc、Pi、Pj、Pkのいずれかと孔Pfと間には第2流路は存在しているが、それ以外には空隙は存在しない。
図9に示す態様において第1流路の孔は、Pa、Pb、Pc、Pd、Pe、Pf、Pg、Ph、Pi、Pj、Pkと示されている。また、図9において第2流路は2a、2b、2c、2dと示されている。また、図9における斜線部は金属材料が存在していることを意味している。すなわち、図9において空隙は第1流路および第2流路のみである。
この場合も、図8に示した態様の場合と同じように、孔Pb、Pc、Pe、Pg、Pi、Pjのいずれかと孔Pfと間は金属材料で満たされているか、または第2流路(2b、2c)のみが存在しているかのいずれかである。
図10はパイプ状の第1流路と第2流路とが格子状に組まれ、それらの接点で固定されたものである。
図10に示す態様において第1流路の孔は、Pa、Pb、Pc、Pd、Pe、Pf、Pg、Ph、Pi、Pj、Pk、Plと示されている。また、図10において第2流路は2a、2b、2c、2dと示されている。
図10から明らかなように、孔Pfと孔Peとの間は空隙γが存在する。また、孔Pfと孔Pgとの間も同様に空隙δが存在する。
図11は、前述の図10の場合と同様にパイプ状の第1流路と第2流路とが格子状に組まれ、それらの接点で固定され、さらに第1流路同士もそれらの接点で固定されたものである。
図11に示す態様において第1流路の孔は、Pa、Pb、Pc、Pd、Pe、Pf、Pg、Ph、Pi、Pj、Pk、Plと示されている。また、図11において第2流路は2a、2b、2c、2dと示されている。
図11から明らかなように、孔Pfと孔Paとの間は空隙αおよびγが存在する。また、孔Pfと孔Peとの間には空隙γおよびεが存在する。
図12に示す態様が、前述の図11に示した態様と異なる部分は、第1流路の断面形状である。すなわち、図11に示した態様の第1流路は断面が円形であったが、図12に示す態様の第1流路は断面が矩形である。それ以外は図11に示した態様と同様であり、パイプ状の第1流路と第2流路とが格子状に組まれ、それらの接点で固定され、さらに第1流路同士もそれらの接点で固定されたものである。
このような構成の場合、図11に示した態様を比較すれば空隙は少なくなる傾向がある。しかし、パイプ同士を密着させても、図12に示すように、それらの間にはある程度の隙間が形成される。図12では、例えば空隙α、β、γ、δ、ε、ζが存在する。
図11から明らかなように、孔Pfと孔Paとの間は空隙αおよびγが存在する。また、孔Pfと孔Peとの間には空隙γおよびεが存在する。
ここで本発明における等面積円相当径とは、第1流路の断面の図形の面積に相当する真円の直径を意味する。なお、第2流路の等面積円相当径についても同様とする。
第1流路の断面の大きさが上記の範囲であると、圧力損失と伝熱性能のバランス、析出物の閉塞しにくさという点で好ましい。
なお、第1流路の断面の形状は特に限定されない。円形、楕円形、矩形などであってよい。
第2流路の断面の大きさが上記の範囲であると、圧力損失と伝熱性能のバランスという点で好ましい。
なお、第2流路の断面の形状は特に限定されない。円形、楕円形、矩形などであってよい。
図13は、本発明の気化器における主部の好適態様(態様1)を示す概略斜視図であり、図14は図13におけるC-C'線断面図を示している。
図13に示した態様1の主部20では、図13に示すように、第1流路21に直行する平面上に第2流路22が形成されており、第2流路22は、第1流路を回避するように蛇行している。
なお、図13、図14において「21p」は第1流路の入口もしくは出口の孔または断面に現れた第1流路の孔を示しており、「22p」は第2流路の入口もしくは出口の孔を示している。
図13、図14に例示するような主部20は、主部20を原料ミストが流れる方向(第1流路が鉛直方向に直線状に伸びている場合は、その方向)に対して垂直の方向にて切断することで、図14に例示するような断面Aを得ることができる。
なお、断面Aは、主部20における全ての第1流路に対して直角の方向の断面でなくてもよい。第1流路の構成によっては、全ての第1流路に対して直角の断面を得ることができない場合もありえる。そのような場合は、主部20における第1流路の一部に対して(主部20における、できるだけ多くの第1流路に対して)垂直の方向の断面を、主部20における断面Aとする。
要件2について図15を用いて説明する。図15は図14と同様の断面Aを示している。また、図14では第1流路の孔を「21p」と示したが、図15では「Pmk」(mおよびkは1以上の整数とする)と示している。
主部20では、図15に例示するように、断面Aにおいて熱媒体が蛇行しながら流通している方向を左右方向とした場合に、第1流路の孔(Pmk)が左右方向に列状に並んでおり、かつ、列状の孔が上下方向に層をなすように配置されている。図15では、左右方向に列状に孔(Pmk)が並んでおり、列状の孔が上下方向に孔の層が3層存在している。そして、それらの列状の孔の層を下方から上方へ第1層、第2層および第3層とし、第1層の孔を「P1k」、第2層の孔を「P2k」、第3層の孔を「P3k」とする。つまり、mを層の番号とする。また、各層において孔は左から右へ「Pm1」、「Pm2」、「Pm3」・・・「Pmk」とする。つまり、kは同一層内の孔の番号(連番)とする。ここで、第1層に存在する「P1k」の孔の直上には、第3層の「P3k」の孔が存在するものとする。例えば、第1層に存在する「P13」の孔の直上には、第3層の「P33」の孔が存在するものとする。また、第1層に存在する「P1k」の孔の左上には第2層の「P2k」の孔が存在するものとする。例えば、第1層に存在する「P13」の孔の左上には第2層の「P23」の孔が存在するものとする。
主部20では、図14および図15に示したように、上下方向に隣り合う列状の孔の層の間に第2流路22が存在する。
また、第1流路21と第2流路22は繋がっていない。
そして、第2流路22は上下方向から挟まれる列状の孔の層における第1流路の孔(21p、Pmk)を回避するように上下方向に蛇行している。
例えば図15において、第1流路の孔(P11、P12、P13、P14)からなる第1層と、第2流路の孔(P21、P22、P23、P24、P25)からなる第2層との間に第2流路22が存在しており、その第2流路は、第1層の孔(P11、P12、P13、P14)と第2層の孔(P21、P22、P23、P24、P25)とを回避するように上下方向に蛇行している。
ここで、図15に示すように、第1層と第2層との境界となっている帯状の部分が上下に蛇行しており、第2流路はその帯状の部分の形状に沿って蛇行している。
図16は、態様1の断面を示す図14と同様の断面である。
本発明の気化器は、原料ミストが流れる方向に対して垂直方向における主部20の断面Aにおいて、熱媒体が蛇行しながら流通している方向を左右方向とした場合に、第1流路の孔21pが左右方向に列状に並んでおり、かつ、列状の孔が上下方向に層をなすように配置されていて、加えて、上下方向に隣り合う列状の孔の層を対比したときに第1流路の孔21pは左右方向では同じ位置に配置されておらず、第2流路22と第1流路21とは繋がっておらず、第2流路22は上下方向から挟まれる列状の孔の層における第1流路の孔21pを回避するように上下方向に蛇行している態様である。
図17は、態様1の断面を示す図14と同様の断面である。
本発明の気化器は、原料ミストが流れる方向に対して垂直方向における主部20の断面Aにおいて、熱媒体が蛇行しながら流通している方向を左右方向とした場合に、第1流路の孔21pが左右方向に列状に並んでおり、かつ、列状の孔が上下方向に層をなすように配置されていて、第2流路22と第1流路21とは繋がっておらず、第2流路22は上下方向から挟まれる列状の孔の層における第1流路の孔21pを回避するように上下方向に蛇行している態様である。
このようにして成膜用の気体原料を製造すると、析出物の発生量がより少なくなるからである。
例えば図4において、主部12における原料ミストが流入する孔1Pinが形成されている面を入側面125とする。また、主部12における気体原料が排出される孔1Poutが形成されている面を出側面127とする。
この場合に、主部12における入側面125に近い部位内の第2流路へ熱媒体を流す経路と、主部12における出側面127に近い部位内の第2流路へ熱媒体を流す経路とを別に構成すれば、前者の主部12における入側面125に近い部位内の第2流路へ流通させる熱媒体の温度と、後者の主部12における出側面127に近い部位内の第2流路へ流通させる熱媒体の温度とを異なるものとすることができる。この場合、前者の主部12における入側面125に近い部位内の第1流路1の内部に存する原料ミストの温度と、後者の主部12における出側面127に近い部位内の第1流路1の内部に存する原料ミストの温度とを、部位ごとに調整できることとなる。
また、例えば、主部12における入側面125に近い部位内の第2流路へ熱媒体を流す経路と、主部12における出側面127に近い部位内の第2流路へ熱媒体を流す経路とを別に構成し、前者の主部12における入側面125に近い部位内の第2流路へ熱媒体を流す経路へ相対的に温度が高い熱媒体を流通させ、後者の主部12における出側面127に近い部位内の第2流路へ熱媒体を流す経路へ相対的に温度が低い熱媒体を流通させれば、入側面125から出側面127へ向かって、その内部に存する第2流路内の前記熱媒体の温度を徐々に低くすることができる。この場合、孔1Pinから第1流路内に流入した原料ミストは、孔1Poutへ向かって移動する過程で、徐々に温度が低くなっていく。
図18は図4におけるD-D'線断面図を示しており、図19~図21は、図18に示す第1流路を、別の態様(好適態様)に置き換えた場合の断面図を示している。
図22は排出部16の概略斜視図であり、図23は図22におけるE-E´線断面図である。
図22に例示される排出部16は、上記のような主部12から排出された気体原料を集め、これを系外へ排出する。
図22、図23に例示した態様の場合、主部12から排出された気体原料が、凹み162に集められる。そして、これとつながる経路164を通って、気体原料は系外へ排出される。
排出部16は、主部12と同様に金属材料からなることが好ましい。
なお、本発明の気化器は排出部を備えることが好ましい。
なお、本発明の気化器は、さらに、前記主部以外の部分の外面と、前記第1流路および前記第2流路の少なくとも一部との間に空隙を有し、内部の熱が外部へ放出され難くなるように構成されていてもよい。
このような好適態様について、図24~図27を用いて説明する。
そして、図25は図24におけるF-F´線断面図、図26は図24におけるG-G´線断面図、図27は図24におけるH-H´線断面図である。
図24~図27に示した好適態様の場合、空隙67は、原則、外面にそって一定の厚さで形成されている。ただし、熱媒体の導入孔61および熱媒体の排出孔63ならび原料ミストが導入される導入孔および気体原料は排出される排出孔が形成されている部分については、図24~図27に示すように、空隙67が形成されていなくてもよい。
なお、このような空隙内を真空としてもよい。後述する本発明の製造方法によって本発明の気化器を製造すると、空隙内を容易に真空とすることができる。空隙内を保温材で満たしてもよいが、空隙内を真空とする場合の方が断熱性に優れる。
本発明の製造方法について説明する。
上記のような本発明の気化器は、次に示す本発明の製造方法によって製造することが好ましい。
本発明の製造方法では、初めに図28(a)に示すように、複数枚の金属製板材30を用意する。
そして、図28(b)に示すように、その主面32の上に第2流路の一部となる溝34を形成する。
この貫通孔40は第1流路の一部となる。
そして、これらの金属製板材42の主面32同士を拡散接合によって結合すると、図29(c)に示すような、内部に第1流路52および第2流路54を備える主部の一部50を得ることができる。
そして、図29(c)に示すような主部の一部50を複数作成し、それらの主面同士を拡散結合によって結合していくと、主部を得ることができる。
そして、これらの金属製板材42、42´の主面32同士を拡散接合によって結合すると、図30(c)に示すような、内部に第1流路52および第2流路54を備える主部の一部50を得ることができる。
そして、図30(c)に示すような主部の一部50を複数作成し、それらの主面同士を拡散結合によって結合していくと、主部を得ることができる。
1Pin 第1流路の入口
1Pout 第1流路の出口
Pa、Pb、Pc、Pd、Pe、Pf、Pg、Ph、Pi、Pj、Pk、Pl 第1流路の孔
α、β、γ、δ、ε、ζ 空隙
2、2a、2b、2c、2d 第2流路
9a、9b スペーサー
91 貫通孔
10 本発明の気化器
12、12a、12b、12c 主部
125 主部の入側面
127 主部の出側面
14 供給部
141 導入孔
143 流路
16 排出部
161 排出孔
162 凹み
164 経路
20 主部
21 第1流路
21p 第1流路の孔
22 第2流路
22p 第2流路の孔
30 金属製板材
32 主面
34 溝
36 金属製板材
38 主面
40 貫通孔
42 金属製板材
50 主部(の一部)
52 第1流路
54 第2流路
61 導入孔
63 排出孔
65 外面
67 空隙
71 第1流路
72 第2流路
Claims (7)
- 原料ミストを加熱して気化することで成膜用の気体原料を得る気化器であって、
前記原料ミストが流通する第1流路および前記原料ミストを加熱する熱媒体が流通する第2流路を金属材料からなる主部の内部に有し、
前記第1流路の断面の等面積円相当径が5mm以下、前記第2流路の断面の等面積円相当径が2mm以下であり、
前記主部の内部において1つの第1流路と、その隣に存在する別の第1流路との間に、第2流路以外の空隙が存在せず、
前記第1流路をその長手方向において複数の部位に分けた場合に、前記第1流路の内部に存する前記原料ミストの温度を、それら部位ごとに調整できるように構成されている、
成膜用の気体原料を得る気化器。 - 前記原料ミストが流れる方向に対して垂直方向における前記主部の断面において、
前記熱媒体が蛇行しながら流通している方向を左右方向とした場合に、前記第1流路の孔が左右方向に列状に並んでおり、かつ、列状の孔が上下方向に層をなすように配置されていて、
上下方向に隣り合う列状の孔の層の間に前記第2流路が存在し、前記第2流路と前記第1流路とは繋がっておらず、前記第2流路は上下方向から挟まれる列状の孔の層における前記第1流路の孔を回避するように上下方向に蛇行している、
請求項1に記載の成膜用の気体原料を得る気化器。 - 前記第1流路は管状であって、その断面の形状は矩形ではない、請求項1または2に記載の成膜用の気体原料を得る気化器。
- 前記主部における前記原料ミストが流入する孔が形成されている面を入側面とし、前記主部における前記気体原料が排出される孔が形成されている面を出側面とした場合に、前記入側面から前記出側面へ向かって、その内部に存する前記第1流路の等面積円相当径が徐々に変化している、請求項1~3のいずれかに記載の成膜用の気体原料を得る気化器。
- 前記第1流路が鉛直方向となるように配置した場合に、前記第2流路は水平方向に形成されており、これらが直行している、請求項1~4のいずれかに記載の成膜用の気体原料を得る気化器。
- 前記主部の外面と、前記第1流路および前記第2流路の少なくとも一部との間に空隙を有し、内部の熱が外部へ放出され難くなるように構成されている、請求項1~5のいずれかに記載の成膜用の気体原料を得る気化器。
- 複数枚の金属製板材を用意し、その主面上に前記第2流路の一部となる溝を形成し、さらにその一方の主面から他方の主面へ貫通する前記第1流路の一部となる貫通孔を形成する工程と、
前記金属製板材の主面同士を密着させて拡散接合によって結合する工程とを備え、
請求項1~6のいずれかに記載の気化器を得る、気化器の製造方法。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7045743B1 (ja) * | 2021-10-11 | 2022-04-01 | 株式会社リンテック | 気化器 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005506681A (ja) | 2001-02-28 | 2005-03-03 | ポーター・インストゥルメント・カンパニー・インコーポレイテッド | 気化装置 |
JP2005511894A (ja) | 2001-12-04 | 2005-04-28 | プライマックス・インコーポレーテッド | 化学蒸着用ベーパライザ |
JP2009054655A (ja) | 2007-08-23 | 2009-03-12 | Tokyo Electron Ltd | 気化器、気化器を用いた原料ガス供給システム及びこれを用いた成膜装置 |
Family Cites Families (45)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB935542A (en) * | 1959-01-21 | 1963-08-28 | Einar Henry Palmason | Process and apparatus for continuous plate-type evaporation |
US4050511A (en) * | 1975-03-03 | 1977-09-27 | The Babcock & Wilcox Company | Heat exchangers |
US4031862A (en) * | 1976-03-10 | 1977-06-28 | Smith Frank J | Economizer |
US4265301A (en) * | 1976-04-06 | 1981-05-05 | Anderson James H | Heat exchanger support construction |
JP3071207B2 (ja) * | 1990-03-01 | 2000-07-31 | 富士電機株式会社 | 燃料電池発電装置 |
US5676911A (en) * | 1995-12-14 | 1997-10-14 | Her Majesty The Queen In Right Of Canada, As Represented By The Minister Of National Defence Of Her Majesty's Canadian Government | Radial flow fuel processor |
JPH09181061A (ja) | 1995-12-25 | 1997-07-11 | Hitachi Ltd | 液体原料の気化方法および供給装置ならびにそれを用いて構成された半導体製造装置 |
JPH10135197A (ja) * | 1996-09-09 | 1998-05-22 | Ebara Corp | 液体原料の気化方法及び装置 |
TW416992B (en) * | 1996-09-09 | 2001-01-01 | Ebara Corp | Vaporizer for vaporizing liquid feed material |
JP2933055B2 (ja) * | 1997-04-10 | 1999-08-09 | 三浦工業株式会社 | 角型多管式貫流ボイラー |
US6019070A (en) * | 1998-12-03 | 2000-02-01 | Duffy; Thomas E. | Circuit assembly for once-through steam generators |
US6617067B1 (en) * | 1999-11-05 | 2003-09-09 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Fuel evaporator |
US6596085B1 (en) * | 2000-02-01 | 2003-07-22 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for improved vaporization of deposition material in a substrate processing system |
KR100482825B1 (ko) * | 2002-07-09 | 2005-04-14 | 삼성전자주식회사 | 열교환기 |
KR101183109B1 (ko) * | 2002-07-30 | 2012-09-24 | 에이에스엠 아메리카, 인코포레이티드 | 캐리어 가스를 이용하는 승화 시스템 |
EP1534627A2 (en) * | 2002-09-05 | 2005-06-01 | Shell Internationale Researchmaatschappij B.V. | Apparatus and process for production of high purity hydrogen |
JP3896594B2 (ja) | 2004-10-01 | 2007-03-22 | 株式会社ユーテック | Cvd用気化器、溶液気化式cvd装置及びcvd用気化方法 |
JP3785417B1 (ja) | 2005-06-21 | 2006-06-14 | 前田建設工業株式会社 | 酸性硫酸塩土壌の土壌改良材及び土壌改良方法 |
JP4601535B2 (ja) | 2005-09-09 | 2010-12-22 | 株式会社リンテック | 低温度で液体原料を気化させることのできる気化器 |
JP2007102007A (ja) | 2005-10-06 | 2007-04-19 | Sharp Corp | 液晶表示装置およびその停止方法 |
JP2007198701A (ja) * | 2006-01-30 | 2007-08-09 | Hitachi Zosen Corp | 多重効用型造水装置用蒸発器 |
RU2323762C1 (ru) * | 2006-10-26 | 2008-05-10 | Леон Игнатьевич Трофимов | Выпарной аппарат |
JP4324619B2 (ja) | 2007-03-29 | 2009-09-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 気化装置、成膜装置及び気化方法 |
US20080314311A1 (en) * | 2007-06-24 | 2008-12-25 | Burrows Brian H | Hvpe showerhead design |
JP5138515B2 (ja) * | 2008-09-05 | 2013-02-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 蒸気発生器、蒸気発生方法および基板処理装置 |
ES2551140T3 (es) * | 2009-01-12 | 2015-11-16 | Heatmatrix Group B.V. | Evaporador por termosifón |
JP2010232376A (ja) * | 2009-03-26 | 2010-10-14 | Taiyo Nippon Sanso Corp | 気相成長装置の原料ガス供給ノズル |
IT1395108B1 (it) * | 2009-07-28 | 2012-09-05 | Itea Spa | Caldaia |
EP2471973A1 (en) * | 2009-08-28 | 2012-07-04 | Kyocera Corporation | Apparatus for forming deposited film and method for forming deposited film |
WO2011115883A2 (en) * | 2010-03-15 | 2011-09-22 | The Trustees Of Dartmouth College | Geometry of heat exchanger with high efficiency |
JP5906005B2 (ja) * | 2010-03-25 | 2016-04-20 | 株式会社Ihi | 熱処理方法 |
JP5426616B2 (ja) * | 2011-07-15 | 2014-02-26 | 株式会社リンテック | 気化器及び該気化器を備えた液体原料気化供給装置 |
KR101339600B1 (ko) | 2011-08-18 | 2014-01-29 | 포아텍 주식회사 | 기화기 |
KR20130031441A (ko) | 2011-09-21 | 2013-03-29 | 최우열 | 기화기 |
US9464837B2 (en) * | 2012-03-21 | 2016-10-11 | Mahle International Gmbh | Phase change material evaporator charging control |
EP3218662A1 (en) * | 2014-11-11 | 2017-09-20 | Dantherm Cooling A/S | Thermosiphon blocks and thermosiphon systems for heat transfer |
US9982341B2 (en) * | 2015-01-30 | 2018-05-29 | Lam Research Corporation | Modular vaporizer |
JP6675865B2 (ja) | 2015-12-11 | 2020-04-08 | 株式会社堀場エステック | 液体材料気化装置 |
KR101721681B1 (ko) * | 2016-03-24 | 2017-03-30 | (주)티티에스 | 기화기 |
KR102222183B1 (ko) * | 2016-03-30 | 2021-03-02 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라스마 전극 및 플라스마 처리 장치 |
US10254023B2 (en) * | 2017-02-09 | 2019-04-09 | Heatcraft Refrigeration Products, Llc | Heat pipe anchor tubes for high side heat exchangers |
CN206486294U (zh) | 2017-02-09 | 2017-09-12 | 南京合创工程设计有限公司 | 多晶硅还原生产新型汽化器 |
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US10147597B1 (en) | 2017-09-14 | 2018-12-04 | Lam Research Corporation | Turbulent flow spiral multi-zone precursor vaporizer |
JP2022021679A (ja) * | 2020-07-22 | 2022-02-03 | 中山エンジニヤリング株式会社 | 熱交換器 |
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Patent Citations (3)
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JP2005511894A (ja) | 2001-12-04 | 2005-04-28 | プライマックス・インコーポレーテッド | 化学蒸着用ベーパライザ |
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