JP7045743B1 - 気化器 - Google Patents
気化器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7045743B1 JP7045743B1 JP2021166820A JP2021166820A JP7045743B1 JP 7045743 B1 JP7045743 B1 JP 7045743B1 JP 2021166820 A JP2021166820 A JP 2021166820A JP 2021166820 A JP2021166820 A JP 2021166820A JP 7045743 B1 JP7045743 B1 JP 7045743B1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- raw material
- flow path
- vaporization
- liquid raw
- vaporizer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000006200 vaporizer Substances 0.000 title claims abstract description 64
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 199
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 144
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 claims abstract description 135
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 claims abstract description 125
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 13
- 238000007599 discharging Methods 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 abstract 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 26
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 12
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 6
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000270666 Testudines Species 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000000539 dimer Substances 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 230000009291 secondary effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J7/00—Apparatus for generating gases
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
- H01L21/2003—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy characterised by the substrate
- H01L21/2015—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy characterised by the substrate the substrate being of crystalline semiconductor material, e.g. lattice adaptation, heteroepitaxy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Feeding, Discharge, Calcimining, Fusing, And Gas-Generation Devices (AREA)
- Filling Or Discharging Of Gas Storage Vessels (AREA)
- Hydrogen, Water And Hydrids (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
Description
この気化器では、アウターチューブとインナーチューブとの間の狭い隙間が流路となっており、霧化液体原料がこの流路を流れ、且つ気化される。そして、アウターチューブとインナーチューブは石英ガラス製のため、両者の間の狭い隙間である流路は入口から出口まで同じ幅(換言すれば、後述する流路面積が同じ大きさ)に形成されている。
この流路は狭いながらも入口から出口まで均等な幅の円筒状空間を呈し、流れを阻害するものが途中にないので、霧化液体原料や気化して膨張した気化原料(ガス)も流路内をスムーズに流れる。そして、上記インナー充填層により流路内を流れる霧化液体原料にインナーヒータブロックの熱が迅速に伝わるように工夫している。しかしながら、上記のような構造では、霧化液体原料の進行速度に対して霧化液体原料の気化速度が遅い。そこで、流路内での気化を完結させるためには、流路内の霧化液体原料の進行速度を遅くするか、流路を長大にしなければならなかった。前者の場合、霧化液体原料の気化量に限界が生じ、後者の場合では装置形状が大きくなるという問題があった。
液体原料導入口11、気化原料排出口21、及び前記液体原料導入口11から前記気化原料排出口21に至る気化部3に液体原料Lが流れ込む流路7が形成された気化器本体1と、前記流路7内を流れる前記液体原料Lを加熱するヒータ5とを備えた気化器Aであって、
前記流路7は、前記液体原料Lの通流方向に対して直交する前記流路7の断面積で表される流路面積Sが液体原料導入口11から気化原料排出口21に向かうに連れて増加するように形成され、
前記流路7は前記気化部3の途中において分岐し、分岐部分には分岐した流路7に囲まれた分岐体8が形成され、
前記分岐体8は多角形で構成され、前記流路7の分流点7kに多角形の1つの角が設置されていることを特徴とする。
前記分岐体8は六角形で、複数の前記分岐体8を多段多列にて亀甲状(上流側の六角形の分岐体8の間に下流側の六角形の分岐体8が配列された模様)に配置されていることを特徴とする。
液体原料導入口11、気化原料排出口21、及び前記液体原料導入口11から前記気化原料排出口21に至る気化部3に液体原料Lが流れ込む流路7が形成された気化器本体1と、前記流路7内を流れる前記液体原料Lを加熱するヒータ5とを備えた気化器Aであって、
前記流路7は、前記液体原料Lの通流方向に対して直交する前記流路7の断面積で表される流路面積Sが液体原料導入口11から気化原料排出口21に向かうに連れて増加するように形成され、
前記流路7は前記気化部3の途中において分岐し、分岐部分には分岐した流路7に囲まれた分岐体8が形成され、
前記分岐体8は円形又は楕円形に形成されていることを特徴とする。
上記分岐体8は上流側より下流側の方が数多く設置されていることを特徴とする。
前記流路7の幅W又は深さDの1/2が、液体原料Lの温度境界層の範囲内で形成されていることを特徴とする。
ここで、分岐体8を多角形で構成し、流路7の分流点7kに多角形の1つの角が設置するようにしておけば、流体(液体原料Lや気化原料G2)をスムーズに分岐させることができる。
尚、流路7の幅W又は深さDの1/2を液体原料Lの温度境界層の範囲内とすることで、流路出口7bに至るまでに流路7を流れる液体原料Lの温度を液体原料Lの気化温度以上に確実に昇温させることが出来る。換言すれば、液体原料Lが低温で液体状態を保ったままで流路出口7bから排出されるようなことがない。全ての液体原料Lは確実に気化されて流路出口7bから気化原料排出口21に向かうことになる。
尚、上記「亀甲状模様」とは、六角形をジグザクにて多段多列に並べた状態で、上段の六角形の間に下段の六角形が配列された模様である。勿論、六角形の分岐体8の間には流路7が形成される。
図7に示す例は(第2実施形態)として最後に説明する。
そして、図1~5に示す(第1実施形態の1)を代表例として最初に説明し、他の実施形態は代表例と異なる部分を説明し、同じ部分は代表例の説明を援用するものとする。
気化器本体1は、板状のベースプレート2と板状のカバープレート10とで構成され、ベースプレート2の一面(被覆面2a)にカバープレート10が全面的に接合(例えば、拡散接合)されている。ベースプレート2とカバープレート10は、ステンレス鋼のような耐蝕性金属で構成される。上記拡散接合は、金属板であるカバープレート10とベースプレート2を、真空下で高温に加熱し、高圧で荷重をかけて接合する方法である。接合面は、完全に気密に接合される。気化器本体1は板状の外観を有する。
カバープレート10で覆われたベースプレート2の被覆面2aには流路7や後述する導入空間4a及び排出空間4bを構成する溝(トレンチ)が彫られている。この流路7が形成されている部分を気化部3とする。これら流路7、導入空間4aおよび排出空間4bはカバープレート10によって気密的に覆われている。
上記キャリアガス導入口12を設置し、キャリアガスG1を使用すると、液体原料Lの導入と、気体原料G2の排出が迅速に行えるという利点がある。(逆に後述するように液体原料Lだけが供給され、キャリアガスG1が使用されない場合は、キャリアガス導入口12は不要となる。)
なお、上記「温度境界層」とは、壁面7hから離れた位置に流れる液体原料Lが一様流温度になる範囲である。即ち、ベースプレート2やカバープレート10の、流路7に臨む壁面7hの温度を壁面温度とすると、流路7を流れる流体温度がこれら壁面7hから離れるに従って次第に下がるが、或る温度で一定の温度(一様流温度)になる。この場合は、流路7の全周は壁面7hに囲まれていることになるので、壁面7hから流路7の中心までの範囲が「温度境界層」の範囲以下に設定しておけば、流路7を流れる全ての液体原料Lは気化温度に加熱され、液状態を保ったままで流路7を通過することがない。
即ち、「温度境界層」の温度を気化温度を越える温度となるように壁面温度を設定しておけば、流路7を流れる液体原料Lは全て気化されることになる。
流路面積Sの増加は気化部3の全長にわたることが好ましいが、気化して体積が急増した気化原料G2の排出が阻害されない限り、流路面積Sの増加が気化部3の全長にわたる必要はない。図示していないが、気化部3内を流れる気化原料G2の温度が設定温度近くになり、その体積膨張が止まる気化部終端3b付近では流路7を分岐せずに流路出口7bに向かってストレートに伸ばし、この部分で流路面積Sの増加を停止してもよい。
或る1つの場所での上記流路7の流路面積Sは、図1に示すように、気化部始端3aから気化部終端3bに向う気化器本体1の中心線CLに直交する水平線HL上において、気化部始端3aから気化部終端3bに向う液体原料L(気体原料G2)の通流方向に対して直角な流路7の断面積であり、n本の場合は、流路7の断面積(s1~sn)の和(S=s1+・・・+sn)である。
気化部3に設けられた流路7の流路入口7aは、気化部始端3aの部分では1つで、気化部始端3aから気化部終端3bに向かって分岐し、上記のように気化部終端3bでは複数の流路7の流路出口7bが排出空間4bに開口している。
この実施形態の分岐体8は、最初に述べたように平面視六角形(図の場合は正六角形)で、亀甲状に均等間隔を以って配置されている。従って、分岐体8の間に形成された流路7や外側の分岐体8とベースプレート2の側壁との間に形成された流路7は、気化部始端3aから気化部終端3bまで同じ幅Wと深さDを保つ。
なお、流路7や導入空間4a、排出空間4bを構成する溝は機械加工若しくは化学的エッチング(食刻)により製作される。
また、上流側の流路7の分流を容易にして流体(液体原料L又は気化原料G2)の流れに淀みを作らないようにするために、六角形の分岐体8の1つの角が上流側の流路7の直下に配置するように設定されている。勿論、他の多角形の場合も当て嵌まる。
棒状ヒータ5の近傍には温度センサ6が設置されている。
液体流量制御器Eは、原料タンクTに接続され、原料タンクTから供給された液体原料Lを一定質量流量だけ気化器Aの液体原料導入口11に送り出す。
質量流量制御器Pは、キャリアガス供給源に接続され、キャリアガスG1を質量流量だけ気化器Aのキャリアガス導入口12に送り出す。
気化器Aの液体原料導入口11は、液体原料供給配管を介して液体流量制御器Eに接続され、キャリアガス導入口12にキャリアガス供給配管を介して質量流量制御器Pに接続されている。そして、気化原料排出口21は気化原料供給配管を介して例えばシリコン基板酸化用の反応炉Rに接続されている。
原料タンクT、液体流量制御器E、気化器A、液体流量制御器Eを介して原料タンクTから気化器Aに至る液体原料供給配管、及び気化原料供給配管は保温されている。
なお、気化器Aはその外形が平板状であるので、反応炉Rに直接設置しても嵩張らない。
2列目で外側に流れた残りの霧化液体原料Lは、気化部3の内壁に沿って流れる。以下、これを繰り返して次々と分流と合流を繰り返す。
なお、この流路7は上記のように短い間隔で方向を変えるため攪拌され、流体(霧化液体原料Lや気化原料G2)の壁面7hへの接触機会が飛躍的に高まり迅速な昇温に繋がる。
キャリアガスG1を使用しない場合は、液体原料Lはそのまま滴下或いは流下して第1列目の分岐体8に抵触し、同様に左右に分流される。液体原料Lの流れは上記と同様であるが、この場合は中心線CLに沿って配列された中央部分の分岐体8の周囲の流路7を中心に流れる。
そして、その流れの中で気化した気化原料G2は、両側の流路7に拡散し、均一な状態で流路出口7bから排出空間4bに流出する。
この場合は、分岐体8が六角形以外の場合である。分岐体8が円形の場合、亀甲模様と同様、上流側の円形分岐体8の間に形成される流路7の直下に下流側の円形分岐体8が位置するように配置される(図8)。図は第1列目が2つの分岐体8で、その間に第1列目の流路7がある。(図示していないが、第1列目に1つの分岐体8を設けてもよい。)
これにより、上記同様、キャリアガスG1と共に気化部3に吹き込まれた霧化液体原料Lは円形分岐体8に分岐されて下流に流れ、その間に気化される。この場合、円形分岐体8の間に形成される流路7の大きさは一定でなく、円形分岐体8が近接している部分に比べて分流部分では間隔が広がり、流速が落ち、微細な渦を形成する。この部分で微細な乱流が発生すると流速が落ち、壁面7hと原料(液体原料Lや気化原料G2)との接触機会が増えて急速な温度上昇に繋がる。
この場合は、分岐体8が三角形(図では正三角形)である。図9は、頂点が上向きのものと下向きのものとが交互に配置され、下流に向けてその数を増加させて多列に配置されている。
図10は、これに対して三角形の底辺の半幅で水平方向に横方向の列をずらした例である。
いずれも流路7は、気化部3の全体において同じ幅W及び同じ深さDに形成される。
この場合は、分岐体8が四角形(図では正方形)である。図11は、その1つの角が流入側に向けて配置された例で、下流に向けてその数を増加させて多列に配置されている。
この場合も流路7は、気化部3の全体において同じ幅W及び同じ深さDに形成される。
この場合は、気化部始端3aから気化部終端3bに向かって1(図示せず)乃至複数の流路7が設けられている例である。流路7はその流路面積Sが液体原料導入口11から気化原料排出口21に向かうに連れて増加するように形成されている。図の場合は、流路7の深さDを「温度境界層」の範囲内(最大で2倍を越えない範囲)で形成し、幅Wを増加するように形成されている。
流路7の流路面積Sの増加は、上記のように流路7の全長にわたって、或いは液体原料Lの気化が終了する上流側においてなされる。
なお、図示していないが、流路7を蛇行させてもよい。
1:気化器本体、2:ベースプレート、2a:被覆面、3:気化部、3a:気化部始端、3b:気化部終端、4a:導入空間、4b:排出空間、5:ヒータ、6:温度センサ、7:流路、7a:流路入口、7b:流路出口、7h:壁面、7k:分流点、7p:バイパス、8:分岐体、8h:分岐体の高さ、8w:分岐体の幅、10:カバープレート、11:液体原料導入口、12:キャリアガス導入口、21:気化原料排出口。
Claims (5)
- 液体原料導入口、気化原料排出口、及び前記液体原料導入口から前記気化原料排出口に至る気化部に、液体原料が流れ込む流路が形成された気化器本体と、前記流路内を流れる前記液体原料を加熱するヒータとを備えた気化器であって、
前記流路は、前記液体原料の通流方向に対して直交する前記流路の断面積で表される流路面積が液体原料導入口から気化原料排出口に向かうに連れて増加するように形成され、
前記流路は前記気化部の途中において分岐し、分岐部分には分岐した流路に囲まれた分岐体が形成され、
前記分岐体は多角形で構成され、前記流路の分流点に多角形の1つの角が設置されていることを特徴とする気化器。 - 前記分岐体は六角形で、上流側の六角形の分岐体の間に下流側の六角形の分岐体が配列されるように複数の前記分岐体を多段多列に配置されていることを特徴とする請求項1に記載の気化器。
- 液体原料導入口、気化原料排出口、及び前記液体原料導入口から前記気化原料排出口に至る気化部に、液体原料が流れ込む流路が形成された気化器本体と、前記流路内を流れる前記液体原料を加熱するヒータとを備えた気化器であって、
前記流路は、前記液体原料の通流方向に対して直交する前記流路の断面積で表される流路面積が液体原料導入口から気化原料排出口に向かうに連れて増加するように形成され、
前記流路は前記気化部の途中において分岐し、分岐部分には分岐した流路に囲まれた分岐体が形成され、
前記分岐体は円形又は楕円形に形成されていることを特徴とする気化器。 - 上記分岐体は上流側より下流側の方が数多く設置されていることを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載の気化器。
- 前記流路の幅又は深さの1/2が、液体原料の温度境界層の範囲内で形成されていることを特徴とする請求項1~4のいずれかに記載の気化器。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021166820A JP7045743B1 (ja) | 2021-10-11 | 2021-10-11 | 気化器 |
PCT/JP2021/041556 WO2023062849A1 (ja) | 2021-10-11 | 2021-11-11 | 気化器 |
KR1020247010487A KR20240047478A (ko) | 2021-10-11 | 2021-11-11 | 기화기 |
TW111108760A TWI819519B (zh) | 2021-10-11 | 2022-03-10 | 氣化器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021166820A JP7045743B1 (ja) | 2021-10-11 | 2021-10-11 | 気化器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP7045743B1 true JP7045743B1 (ja) | 2022-04-01 |
JP2023057341A JP2023057341A (ja) | 2023-04-21 |
Family
ID=81255880
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021166820A Active JP7045743B1 (ja) | 2021-10-11 | 2021-10-11 | 気化器 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7045743B1 (ja) |
KR (1) | KR20240047478A (ja) |
TW (1) | TWI819519B (ja) |
WO (1) | WO2023062849A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2023176814A (ja) * | 2022-05-31 | 2023-12-13 | ワッティー株式会社 | 集積化ガスシステム用加熱器 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001011634A (ja) | 1999-07-01 | 2001-01-16 | Lintec:Kk | 気化装置 |
JP2005109349A (ja) | 2003-10-01 | 2005-04-21 | Tokyo Electron Ltd | 気化器及び成膜装置 |
JP2006503178A (ja) | 2002-07-23 | 2006-01-26 | アドバンスド テクノロジー マテリアルズ,インコーポレイテッド | 蒸発器配送アンプル |
JP2006089780A (ja) | 2004-09-21 | 2006-04-06 | Applied Materials Inc | 原料気化装置 |
JP2010003976A (ja) | 2008-06-23 | 2010-01-07 | Stanley Electric Co Ltd | 成膜装置 |
WO2020213104A1 (ja) | 2019-04-17 | 2020-10-22 | 株式会社Welcon | 気化器およびその製造方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3112721B2 (ja) * | 1991-08-21 | 2000-11-27 | 株式会社リンテック | 液体原料用気化器 |
JPH1074745A (ja) * | 1996-05-23 | 1998-03-17 | Ebara Corp | 液体原料気化装置 |
TW565626B (en) * | 1996-11-20 | 2003-12-11 | Ebara Corp | Liquid feed vaporization system and gas injection device |
JPH1187327A (ja) * | 1997-06-25 | 1999-03-30 | Ebara Corp | 液体原料気化装置 |
TWI734120B (zh) * | 2019-05-29 | 2021-07-21 | 日商威爾康股份有限公司 | 氣化器及其製造方法 |
-
2021
- 2021-10-11 JP JP2021166820A patent/JP7045743B1/ja active Active
- 2021-11-11 WO PCT/JP2021/041556 patent/WO2023062849A1/ja unknown
- 2021-11-11 KR KR1020247010487A patent/KR20240047478A/ko active Search and Examination
-
2022
- 2022-03-10 TW TW111108760A patent/TWI819519B/zh active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001011634A (ja) | 1999-07-01 | 2001-01-16 | Lintec:Kk | 気化装置 |
JP2006503178A (ja) | 2002-07-23 | 2006-01-26 | アドバンスド テクノロジー マテリアルズ,インコーポレイテッド | 蒸発器配送アンプル |
JP2005109349A (ja) | 2003-10-01 | 2005-04-21 | Tokyo Electron Ltd | 気化器及び成膜装置 |
JP2006089780A (ja) | 2004-09-21 | 2006-04-06 | Applied Materials Inc | 原料気化装置 |
JP2010003976A (ja) | 2008-06-23 | 2010-01-07 | Stanley Electric Co Ltd | 成膜装置 |
WO2020213104A1 (ja) | 2019-04-17 | 2020-10-22 | 株式会社Welcon | 気化器およびその製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2023176814A (ja) * | 2022-05-31 | 2023-12-13 | ワッティー株式会社 | 集積化ガスシステム用加熱器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20240047478A (ko) | 2024-04-12 |
WO2023062849A1 (ja) | 2023-04-20 |
TW202316522A (zh) | 2023-04-16 |
TWI819519B (zh) | 2023-10-21 |
JP2023057341A (ja) | 2023-04-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4036982B2 (ja) | 半導体素子製造用ガスディヒューザ及びこれを設けた反応炉 | |
TWI624904B (zh) | 基板支持裝置 | |
JP7045743B1 (ja) | 気化器 | |
JP2009060011A (ja) | 基板載置台、基板処理装置、及び温度制御方法 | |
US6286588B1 (en) | Evaporator | |
JPH0252800B2 (ja) | ||
US20170106492A1 (en) | Polishing apparatus | |
KR101098359B1 (ko) | 반도체 공정용 기화장치 | |
JP3964774B2 (ja) | 液体分配装置、交換カラム、極低温空気分離プロセス、および液体のストリームの流れ方向を調節する方法 | |
JPH0478917B2 (ja) | ||
US7757497B1 (en) | Method and apparatus for cooling electronic components | |
JP2012129547A (ja) | 基板載置台、基板処理装置、および温度制御方法 | |
JP2008264597A (ja) | 冷却装置 | |
US20170268711A1 (en) | Branching structure | |
JPH0648146B2 (ja) | 二重管式オープンラック型気化装置 | |
JPH06502448A (ja) | 真空中の蒸発による膜形成装置 | |
US11885017B2 (en) | Vaporizer and method for manufacture thereof | |
KR100322411B1 (ko) | 액체원료 기화장치 | |
JPH11173774A (ja) | プレート形ヒートパイプ及びこれを用いた温度制御装置 | |
KR102109435B1 (ko) | 기판 온도조절이 가능한 기판 캐리어 모듈 | |
KR20200140389A (ko) | 기화기 | |
JP2023012904A (ja) | 気化器 | |
RU206081U1 (ru) | Испаритель | |
JP2000353707A (ja) | 熱処理装置 | |
JPS61143652A (ja) | 電気瞬間湯沸器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220210 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220215 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20220215 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220301 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220314 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7045743 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |