JP7359016B2 - 駆動回路 - Google Patents

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Description

本発明は、駆動回路に関する。
制御する対象となる被制御装置を駆動させる駆動回路についての研究、開発が行われている。
これに関し、電界効果トランジスタを介して被制御装置を駆動させる駆動回路が知られている(特許文献1参照)。
特開2010-051105号公報
特許文献1に記載されたような駆動回路は、電界効果トランジスタのゲート端子へのパルス信号の入力により、被制御装置を駆動させる。ここで、当該駆動回路は、当該ゲート端子へのパルス信号の入力を遅延させるため、遅延回路を備える場合がある。しかしながら、当該駆動回路は、遅延回路によって当該入力を遅延させる場合、パルス信号の電圧が降下し、所望のタイミングで被制御装置を駆動させることができない場合があった。
本発明は、このような事情を考慮してなされたもので、駆動信号の電圧が降下してしまうことを抑制することができる駆動回路を提供することを課題とする。
本発明の一態様は、制御する対象となる装置を駆動させる第1電界効果トランジスタのゲート端子に入力するパルス信号を駆動信号として信号出力端子から出力する駆動信号出力回路と、前記ゲート端子と前記信号出力端子との間に接続されており、前記ゲート端子と前記信号出力端子との間の通電状態を切り替えるスイッチング素子と、蓄積した電荷に応じた電圧を前記スイッチング素子の信号端子へ印加する静電容量とを有するスイッチング回路と、前記スイッチング素子の状態をオン状態とオフ状態との間で切り替え、前記ゲート端子への前記駆動信号の入力を遅延させる遅延回路と、前記静電容量から前記駆動信号出力回路への電流の逆流を抑制する逆流抑制部と、を備える駆動回路である。
本発明によれば、駆動信号の電圧が降下してしまうことを抑制することができる。
実施形態に係る駆動回路1の構成の一例を示す図である。 駆動回路1の動作時のタイミングチャートの一例を示す図である。
<実施形態>
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。ここで、実施形態では、直流電力に応じた電気信号、又は交流電力に応じた電気信号を伝送する導体のことを、伝送路と称して説明する。伝送路は、例えば、基板上にプリントされた導体であってもよく、導体が線状に形成された導線であってもよく、他の導体であってもよい。また、実施形態では、電圧と称した場合、所定の基準となる電位からの電位差を意味し、基準となる電位についての図示及び説明を省略する。ここで、基準となる電位は、如何なる電位であってもよい。実施形態では、一例として、基準となる電位がグラウンド電位である場合について説明する。また、実施形態では、説明の便宜上、ある電界効果トランジスタのゲート端子に印加される電圧を、当該電界効果トランジスタのゲート電圧と称して説明する。
<駆動回路の概要>
まず、実施形態に係る駆動回路の概要について説明する。当該駆動回路は、駆動信号出力回路と、スイッチング回路と、遅延回路と、逆流抑制部を備える。駆動信号出力回路は、第1電界効果トランジスタのゲート端子に入力するパルス信号を駆動信号として信号出力端子から出力する回路である。第1電界効果トランジスタは、制御する対象となる装置を駆動させる電界効果トランジスタである。スイッチング回路は、当該ゲート端子と当該信号出力端子との間に接続されている。スイッチング回路は、スイッチング素子と、静電容量とを有する回路である。スイッチング素子は、当該ゲート端子と当該信号出力端子との間の通電状態を切り替える。静電容量は、蓄積した電荷に応じた電圧をスイッチング素子の信号端子へ印加する。遅延回路は、スイッチング素子の状態をオン状態とオフ状態との間で切り替え、当該ゲート端子への駆動信号の入力を遅延させる回路である。逆流抑制部は、静電容量から駆動信号出力回路への電流の逆流を抑制する。
これにより、実施形態に係る駆動回路は、駆動信号の電圧が降下してしまうことを抑制することができる。以下では、当該駆動回路の回路構成について詳しく説明する。
<駆動回路の回路構成>
以下、図1を参照し、実施形態に係る駆動回路1の回路構成について説明する。図1は、実施形態に係る駆動回路1の構成の一例を示す図である。
駆動回路1は、前述の駆動回路の一例である。図1に示した例では、駆動回路1は、第1電界効果トランジスタのゲート端子G1と接続されている。第1電界効果トランジスタは、被制御装置を駆動させる電界効果トランジスタのことである。被制御装置は、駆動回路1が制御する対象となる装置のことである。すなわち、駆動回路1は、接続された第1電界効果トランジスタを介して、被制御装置を駆動させる回路である。
被制御装置は、例えば、モーターである。なお、被制御装置は、モーターに代えて、駆動回路1によって駆動可能な他の装置であってもよい。図1では、図が煩雑になるのを防ぐため、第1電界効果トランジスタは、ゲート端子G1以外の構成について省略されている。
駆動回路1は、例えば、駆動信号出力回路PSと、スイッチング回路SCと、抵抗素子R1と、抵抗素子R2と、遅延回路DCと、逆流抑制部D1を備える。なお、駆動回路1は、以下において説明する駆動回路1の機能を損なわせない範囲内において、他の素子、他の回路、他の装置等を備える構成であってもよい。
駆動信号出力回路PSは、第1端子PSE1と、第2端子PSE2を有する。スイッチング回路SCは、第1端子SCE1と、第2端子SCE2と、第3端子SCE3と、第4端子SCE4と、第5端子SCE5を有する。遅延回路DCは、第1端子DCE1と、第2端子DCE2と、第3端子DCE3と、第4端子DCE4と、第5端子DCE5を有する。
駆動信号出力回路PSの第1端子PSE1は、抵抗素子R1が有する2つの端子のうちの一方と、伝送路を介して接続されている。また、抵抗素子R1が有する2つの端子のうちの他方は、スイッチング回路SCの第1端子SCE1と、伝送路を介して接続されている。
また、遅延回路DCの第1端子DCE1は、駆動信号出力回路PSと抵抗素子R1とを接続する伝送路と、他の伝送路を介して接続されている。また、遅延回路DCの第2端子DCE2は、抵抗素子R2が有する2つの端子のうちの一方と、伝送路を介して接続されている。また、抵抗素子R2が有する2つの端子のうちの他方は、逆流抑制部D1が有する2つの端子のうちの一方と、伝送路を介して接続されている。また、逆流抑制部D1が有する2つの端子のうちの他方は、スイッチング回路SCの第2端子SCE2と、伝送路を介して接続されている。なお、図1に示した例では、逆流抑制部D1は、ダイオードである。このため、当該例では、抵抗素子R2は、逆流抑制部D1のアノードと接続されている。また、当該例では、スイッチング回路SCの第2端子SCE2は、逆流抑制部D1のカソードと接続されている。
また、スイッチング回路SCの第3端子SCE3は、遅延回路DCの第3端子DCE3と、伝送路を介して接続されている。また、逆流抑制部D1とスイッチング回路SCの第2端子SCE2とを接続する伝送路は、スイッチング回路SCの第3端子SCE3と遅延回路DCの第3端子DCE3とを接続する伝送路と、他の伝送路を介して接続されている。また、スイッチング回路SCの第4端子SCE4は、遅延回路DCの第4端子DCE4と、伝送路を介して接続されている。また、遅延回路DCの第5端子DCE5は、駆動信号出力回路PSの第2端子PSE2と、伝送路を介して接続されている。また、遅延回路DCの第5端子DCE5と駆動信号出力回路PSの第2端子PSE2とを接続する伝送路は、他の伝送路を介してグラウンドに接地されている。そして、スイッチング回路SCの第5端子SCE5は、第1電界効果トランジスタのゲート端子G1と、伝送路を介して接続されている。
ここで、スイッチング回路SCは、スイッチング素子S1と、コンデンサC1と、コンデンサC2を有する。
スイッチング素子S1は、例えば、電界効果トランジスタである。なお、スイッチング素子S1は、電界効果トランジスタに代えて、バイポーラトランジスタ等の他のトランジスタであってもよい。また、スイッチング素子S1は、他のスイッチング素子であってもよい。ただし、当該他のスイッチング素子は、電界効果トランジスタにおけるゲート端子、バイポーラトランジスタにおけるベース端子のような、当該他のスイッチング素子のスイッチングを制御する電圧が印加される信号端子を有する。
スイッチング素子S1のゲート端子は、スイッチング回路SCの第2端子SCE2と、伝送路を介して接続されている。また、スイッチング素子S1のドレイン端子は、スイッチング回路SCの第1端子SCE1と、伝送路を介して接続されている。また、スイッチング素子S1のソース端子は、スイッチング回路SCの第5端子SCE5と、伝送路を介して接続されている。また、スイッチング素子S1のソース端子とスイッチング回路SCの第5端子SCE5とを接続する伝送路は、コンデンサC2が有する2つの端子のうちの一方と、他の伝送路を介して接続されている。また、コンデンサC2が有する2つの端子のうちの他方は、スイッチング回路SCの第4端子SCE4と、伝送路を介して接続されている。また、スイッチング素子S1とスイッチング回路SCの第5端子SCE5とを接続する伝送路は、コンデンサC1が有する2つの端子のうちの一方と、他の伝送路を介して接続されている。また、コンデンサC1が有する2つの端子のうちの他方は、スイッチング回路SCの第3端子SCE3と、伝送路を介して接続されている。
また、遅延回路DCは、スイッチング素子S2と、コンデンサC3と、抵抗素子R3を有する。
スイッチング素子S2は、例えば、電界効果トランジスタである。なお、スイッチング素子S2は、電界効果トランジスタに代えて、バイポーラトランジスタ等の他のトランジスタであってもよい。また、スイッチング素子S2は、他のスイッチング素子であってもよい。ただし、当該他のスイッチング素子は、電界効果トランジスタにおけるゲート端子、バイポーラトランジスタにおけるベース端子のような、当該他のスイッチング素子のスイッチングを制御する電圧が印加される信号端子を有する。
スイッチング素子S2のゲート端子は、コンデンサC3が有する2つの端子のうちの一方と、伝送路を介して接続されている。また、コンデンサC3が有する2つの端子のうちの他方は、遅延回路DCの第1端子DCE1と、伝送路を介して接続されている。また、遅延回路DCの第1端子DCE1とコンデンサC3とを接続する伝送路は、遅延回路の第2端子DCE2と、他の伝送路を介して接続されている。また、スイッチング素子S2のゲート端子とコンデンサC3とを接続する伝送路は、抵抗素子R3が有する2つの端子のうちの一方と、他の伝送路を介して接続されている。また、抵抗素子R3が有する2つ端子のうちの他方は、遅延回路DCの第5端子DCE5と、伝送路を介して接続されている。また、スイッチング素子S2のソース端子は、遅延回路DCの第4端子DCE4と、伝送路を介して接続されている。また、遅延回路DCの第5端子DCE5と抵抗素子R3とを接続する伝送路は、スイッチング素子S2のソース端子と遅延回路DCの第4端子DCE4とを接続する伝送路と、他の伝送路を介して接続されている。また、スイッチング素子S2のドレイン端子は、遅延回路DCの第3端子DCE3と、伝送路を介して接続されている。
ここで、駆動信号出力回路PSは、例えば、パルス信号を出力するIC(Integrated Circuit)である。なお、駆動信号出力回路PSは、ICに代えて、パルス信号を出力可能な他の回路、他の装置等であってもよい。駆動信号出力回路PSは、第1電界効果トランジスタのゲート端子G1に入力するパルス信号を、駆動信号として第1端子PSE1から出力する。
また、スイッチング素子S1は、図1に示したように、第1電界効果トランジスタのゲート端子G1と、駆動信号出力回路PSの第1端子PSE1との間に接続されている。このため、スイッチング素子S1は、ゲート端子G1と第1端子PSE1との間の通電状態を切り替えるスイッチング素子である。スイッチング素子S1のゲート電圧が所定の閾値Vth1以上である場合、スイッチング素子S1は、ゲート端子G1と第1端子PSE1との間を電気的に通電させる。換言すると、当該場合、スイッチング素子S1の状態は、オン状態である。また、スイッチング素子S1のゲート電圧が閾値Vth1未満である場合、スイッチング素子S1は、ゲート端子G1と第1端子PSE1との間を電気的に絶縁させる。換言すると、当該場合、スイッチング素子S1の状態は、オフ状態である。ここで、閾値Vth1は、スイッチング素子S1の特性に応じて決まる値である。
コンデンサC1は、所定の静電容量を有するコンデンサである。コンデンサC1は、この静電容量に蓄積した電荷に応じた電圧を、スイッチング素子S1のゲート端子へ印加する。なお、スイッチング素子S1の寄生容量が、コンデンサC1の静電容量以上である場合、スイッチング回路SCは、コンデンサC1を有さない構成であってもよい。これは、当該場合、スイッチング素子S1の寄生容量は、コンデンサC1の静電容量の代わりとして機能するためである。以下では、説明の便宜上、コンデンサC1の静電容量と、スイッチング素子S1の寄生容量とを、まとめてスイッチング回路SCの静電容量と称して説明する。
コンデンサC2は、スイッチング素子S1のゲート端子へ印加する電圧を、スイッチング素子S1の寄生容量及びコンデンサC1の静電容量との容量分圧によって、スイッチング素子S1の寄生容量及びコンデンサC1の静電容量に蓄積する電荷に応じた電圧を所定の閾値Vth1以上にする。なお、スイッチング回路SCは、第1電界効果トランジスタのゲート端子と第1電界効果トランジスタのソース端子との間の寄生容量が十分大きい場合、コンデンサC2を備えない構成であってもよい。
ここで、スイッチング回路SCの静電容量によって、スイッチング回路SCの第3端子SCE3の電圧は、駆動信号出力回路PSの第1端子PSE1の電圧よりも高くなる場合がある。この場合、第3端子SCE3から第1端子PSE1への電流の逆流が発生する。換言すると、当該場合、スイッチング回路SCの静電容量から駆動信号出力回路PSへの電流の逆流が発生する。逆流抑制部D1は、このようなスイッチング回路SCの静電容量から駆動信号出力回路PSへの電流の逆流を抑制する。図1に示した例では、逆流抑制部D1は、前述した通り、ダイオードである。なお、逆流抑制部D1は、ダイオードに代えて、スイッチング回路SCの静電容量から駆動信号出力回路PSへの電流の逆流を抑制可能な他の素子(例えば、スイッチング素子等)であってもよい。
遅延回路DCは、スイッチング素子S1の状態をオン状態とオフ状態との間で切り替える。より具体的には、遅延回路DCは、スイッチング素子S2の状態に応じて、スイッチング素子S1の状態をオン状態とオフ状態との間で切り替える。これにより、遅延回路DCは、第1電界効果トランジスタのゲート端子G1への駆動信号出力回路PSからの駆動信号の入力を遅延させる。
このように、遅延回路DCと逆流抑制部D1は、第1端子PSE1とスイッチング素子S1のゲート端子との間に接続されている。
以上のような回路構成により、駆動回路1は、駆動信号の電圧が降下してしまうことを抑制する。以下では、図2を参照し、駆動回路1の動作について、より詳細に説明する。なお、駆動回路1は、抵抗素子R1と抵抗素子R2とのうちの少なくとも一方を備えない構成であってもよい。
<駆動回路の動作>
図2は、駆動回路1の動作時のタイミングチャートの一例を示す図である。図2には、駆動信号グラフSG、ゲート電圧グラフGG1、ゲート電圧グラフGG2、ゲート電圧グラフGG3のそれぞれが、図2の上から下に向かって順に並べられている。ここで、駆動信号グラフSGは、駆動信号出力回路PSの第1端子PSE1から駆動信号として出力されるパルス信号の電圧値の変化を示すグラフのことである。ゲート電圧グラフGG1は、スイッチング素子S2のゲート電圧の電圧値の変化を示すグラフのことである。ゲート電圧グラフGG2は、スイッチング素子S1のゲート電圧の電圧値の変化を示すグラフのことである。ゲート電圧グラフGG3は、第1電界効果トランジスタのゲート電圧の電圧値の変化を示すグラフのことである。なお、駆動信号グラフSG、ゲート電圧グラフGG1、ゲート電圧グラフGG2、ゲート電圧グラフGG3それぞれの縦軸は、電圧値を示す。また、駆動信号グラフSG、ゲート電圧グラフGG1、ゲート電圧グラフGG2、ゲート電圧グラフGG3それぞれの縦軸は、経過時間を示す。また、ゲート電圧グラフGG3では、第1電界効果トランジスタの動作を明確に示すため、第1電界効果トランジスタのゲート電圧の電圧値の変化のうち当該電圧値についての閾値を超えない程度の変化については、省略している。ここで、当該閾値は、当該ゲート電圧の電圧値のうち、第1電界効果トランジスタの状態をオフ状態からオン状態に切り替わる境界の電圧値のことである。
ここで、以下では、説明の便宜上、駆動信号グラフSGにおける当該電圧値の最大値(例えば、4.5[V])を、電圧値H1と称して説明する。また、以下では、説明の便宜上、当該電圧値の最小値を、電圧値L1と称して説明する。また、以下では、説明の便宜上、ゲート電圧グラフGG1における当該電圧値の最大値を、電圧値H2と称して説明する。また、以下では、説明の便宜上、当該電圧値の最小値を、電圧値L2と称して説明する。また、以下では、説明の便宜上、ゲート電圧グラフGG2における当該電圧値の最大値を、電圧値H3と称して説明する。また、以下では、説明の便宜上、当該電圧値の最小値を、電圧値L3と称して説明する。また、以下では、説明の便宜上、ゲート電圧グラフGG3における当該電圧値の最大値(例えば、3.5[V]以上)を、電圧値H4と称して説明する。また、以下では、説明の便宜上、当該電圧値の最小値を、電圧値L4と称して説明する。
駆動回路1では、前述した通り、スイッチング素子S1のゲート電圧の電圧値が閾値Vth1以上である場合、スイッチング素子S1の状態は、オン状態である。一方、当該電圧値が閾値Vth1未満である場合、スイッチング素子S1の状態は、オフ状態である。また、駆動回路1では、スイッチング素子S2のゲート電圧の電圧値が閾値Vth2以上である場合、スイッチング素子S2の状態は、オン状態である。一方、当該電圧値が閾値Vth2未満である場合、スイッチング素子S2の状態は、オフ状態である。そして、駆動回路1では、駆動信号出力回路PSが駆動信号を出力することにより、スイッチング回路SCの静電容量には、電荷が蓄積される。
ここで、スイッチング回路SCの静電容量に電荷が蓄積されている場合、且つ、スイッチング素子S2の状態がオフ状態である場合、スイッチング回路SCの静電容量に蓄積された電荷がグラウンドへと流れる経路は、駆動回路1において存在しない。このため、駆動回路1では、スイッチング回路SCの静電容量に電荷が蓄積されている場合、スイッチング素子S1の状態は、スイッチング素子S2の状態がオフ状態である限り、スイッチング素子S1のゲート電圧の立ち上がり時を除いて、オン状態のまま保持される。その結果として、図2に示したタイミングチャートでは、スイッチング素子S1のゲート電圧の電圧値は、スイッチング素子S2のゲート電圧の電圧値が閾値Vth2未満である場合において、スイッチング素子S1のゲート電圧の立ち上がり時を除いて、電圧値H3のまま保持されている。
また、駆動回路1では、遅延回路DCのスイッチング素子S2のゲート電圧の電圧値は、駆動信号出力回路PSによる第1端子PSE1からの駆動信号の出力の立ち上がりに応じて増大し始める。そして、当該電圧値が閾値Vth2以上になると、スイッチング素子S2の状態がオン状態となる。しかしながら、遅延回路DCのスイッチング素子S2のゲート電圧の電圧値の増大は、駆動信号出力回路PSにより出力された駆動信号の高周波成分がコンデンサC3を通り、抵抗素子R3に流れる電流が増大することによって生じる。このため、遅延回路DCのスイッチング素子S2のゲート電圧の電圧値は、コンデンサC3を通る高周波成分が減少し始めるとともに、抵抗素子R3に流れる電流が減少し、降下し始める。このような理由により、図2では、当該電圧値は、当該電圧値が閾値Vth2を超えている期間内において、上に凸の形状で変化している。図2では、このような高周波成分のコンデンサC3の通過によってスイッチング素子S2の状態がオン状態となっている期間が、「Delay Time(Dead Time)」として示されている。以下では、説明の便宜上、当該期間を、遅延期間と称して説明する。
また、駆動回路1では、スイッチング素子S2のゲート電圧の電圧値の立ち上がりに応じて、スイッチング素子S1のゲート電圧の電圧値は、電圧値L3まで減少する。その結果、スイッチング素子S1の状態は、オフ状態となる。このため、遅延期間内では、スイッチング素子S1の状態は、スイッチング素子S2のゲート電圧の電圧値の立ち上がり時を除いて、オフ状態のまま保持される。ここで、遅延期間は、駆動信号出力回路PSによる第1端子PSE1からの駆動信号の出力の立ち上がりに応じて開始される。すなわち、駆動回路1は、駆動信号出力回路PSが駆動信号を出力した場合、当該駆動信号が出力されたタイミングから遅延期間が経過するまでの間、第1電界効果トランジスタのゲート電圧の電圧値を電圧値L4のまま保持する。換言すると、駆動回路1は、第1電界効果トランジスタのゲート端子への駆動信号の入力を、当該タイミングから遅延期間が経過するまでの間、遅延させる。
そして、遅延期間の後、スイッチング素子S2のゲート電圧の電圧値は、閾値Vth2未満となる。このため、スイッチング素子S1のゲート電圧の電圧値は、電圧値H3へと増大する。その結果、第1電界効果トランジスタのゲート電圧の電圧値は、閾値Vth1を超えて、電圧値H4へと増大する。その結果、駆動回路1は、遅延期間が経過した後、第1電界効果トランジスタのゲート端子G1に、電圧値がH4の電圧のパルス信号を入力する。なお、駆動回路1では、当該ゲート電圧の電圧値が電圧値H4のまま保持される期間は、駆動信号出力回路PSから出力される駆動信号のパルス幅を調整することにより調整することができる。すなわち、当該パルス幅を調整することにより、駆動回路1は、パルス幅が所望のパルス幅に調整された後の駆動信号を第1電界効果トランジスタのゲート端子G1へ入力することができる。以下では、パルス幅が所望のパルス幅に調整された後の駆動信号を、有効駆動信号と称して説明する。
また、スイッチング回路SCの静電容量から駆動信号出力回路PSへと電流が逆流してしまうと、有効駆動信号の電圧は、降下してしまう。その結果、ゲート端子G1に有効駆動信号が入力した場合であっても、第1電界効果トランジスタの状態がオン状態にならない場合がある。しかしながら、駆動回路1では、逆流抑制部D1により、スイッチング回路SCの静電容量から駆動信号出力回路PSへと電流が逆流してしまうことは、抑制されている。すなわち、駆動回路1では、スイッチング回路SCの静電容量から駆動信号出力回路PSへと電流が逆流してしまうことによって有効駆動信号の電圧が降下してしまうことがない。その結果、駆動回路1は、所望のタイミングで第1電界効果トランジスタの状態をオフ状態からオン状態に切り替えることができなくなってしまうことを抑制することができる。
このように、駆動回路1は、有効駆動信号の電圧が降下してしまうことを抑制することができる。その結果、例えば、駆動回路1は、駆動信号の電圧の電圧値が低い場合であっても、パルス抜けを抑制し、所望のタイミングで第1電界効果トランジスタの状態をオフ状態からオン状態に切り替えることができる。
また、駆動回路1と異なる駆動回路では、例えば、駆動信号出力回路PSのようなICによって駆動信号が生成される。しかしながら、ICが生成可能な最小のパルス幅は、ICの特性に応じて個体毎に決まっている。このため、当該駆動回路は、当該駆動回路によって駆動される装置へと過剰に電力を供給してしまうことがあった。その結果、当該装置には、不具合が生じることもあった。これに対し、駆動回路1は、前述した通り、所望のパルス幅の有効駆動信号を第1電界効果トランジスタのゲート端子G1へ入力することができる。これはすなわち、駆動回路1が、駆動信号出力回路PSが生成可能な最小のパルス幅のパルス信号よりも短いパルス信号を、有効駆動信号としてゲート端子G1へ入力することができることを意味する。その結果、駆動回路1は、第1電界効果トランジスタによって駆動される装置へと過剰に電力を供給してしまうことを抑制することができる。なお、図2において「Min On Time」によって示される期間は、駆動信号出力回路PSが生成可能な最小のパルス幅の一例を示す。このため、図2に示した例では、有効駆動信号のパルス幅は、駆動信号出力回路PSが生成可能な最小のパルス幅よりも短いパルス幅となっている。
以上のような構成及び動作により、駆動回路1は、駆動信号の電圧が降下してしまうことを抑制することができる。なお、駆動回路1は、駆動信号出力回路PSの第1端子PSE1とスイッチング回路SCの第1端子SCE1との間を接続する伝送路を通るパルス信号と、第1端子PSE1と遅延回路DCの第1端子DCE1との間を接続する伝送路を通るパルス信号との2つのパルス信号によって、有効駆動信号の生成及び有効駆動信号の第1電界効果トランジスタのゲート端子G1への供給を行う回路と見做すこともできる。このように見做した場合、実施形態に係る駆動回路1は、これら2つのパルス信号を1つのパルス信号から分岐させて生成している場合における駆動回路1の一例である。なお、当該場合、これら2つのパルス信号は、互いに異なる信号源から出力されてもよい。
なお、上記において説明した駆動回路1は、遅延回路DCによる遅延期間の調整と、駆動信号出力回路PSによる駆動信号のパルス幅の調整とを行うことにより、例えば、他の回路が出力する信号と同期しつつ、所望のパルス幅の駆動信号を被制御装置へと出力することもできる。
以上のように、実施形態に係る駆動回路(上記において説明した例では、駆動回路1)は、制御する対象となる装置(上記において説明した例では、被制御装置)を駆動させる第1電界効果トランジスタのゲート端子(上記において説明した例では、ゲート端子G1)に入力するパルス信号を駆動信号として信号出力端子(上記において説明した例では、第1端子PSE1)から出力する駆動信号出力回路(上記において説明した例では、駆動信号出力回路PS)と、ゲート端子と信号出力端子との間に接続されており、ゲート端子と信号出力端子との間の通電状態を切り替えるスイッチング素子(上記において説明した例では、スイッチング素子S1)と、蓄積した電荷に応じた電圧をスイッチング素子の信号端子(上記において説明した例では、スイッチング素子S1のゲート端子、又は、スイッチング素子S1のベース端子)へ印加する静電容量(上記において説明した例では、スイッチング回路SCの静電容量)とを有するスイッチング回路(上記において説明した例では、スイッチング回路SC)と、スイッチング素子の状態をオン状態とオフ状態との間で切り替え、ゲート端子への駆動信号の入力を遅延させる遅延回路(上記において説明した例では、遅延回路DC)と、静電容量から駆動信号出力回路への電流の逆流を抑制する逆流抑制部(上記において説明した例では、逆流抑制部D1)と、を備える。これにより、駆動回路は、駆動信号の電圧が降下してしまうことを抑制することができる。
また、駆動回路では、スイッチング素子は、第2電界効果トランジスタ(上記において説明した例では、電界効果トランジスタである場合のスイッチング素子S1)であり、信号端子は、第2電界効果トランジスタのゲート端子である、構成が用いられてもよい。
また、駆動回路では、スイッチング素子は、トランジスタ(上記において説明した例では、バイポーラトランジスタ等の電界効果トランジスタと異なるトランジスタである場合のスイッチング素子S1)であり、信号端子は、トランジスタのベース端子である、構成が用いられてもよい。
また、駆動回路では、スイッチング回路は、スイッチング素子と別体のコンデンサ(上記において説明した例では、コンデンサC1)を有し、スイッチング回路が有する静電容量は、コンデンサの静電容量を含む、構成が用いられてもよい。
また、駆動回路では、スイッチング回路の静電容量は、スイッチング素子の寄生容量を含む、構成が用いられてもよい。
また、駆動回路では、遅延回路と逆流抑制部は、信号出力端子と信号端子との間に接続されており、逆流抑制部は、ダイオードである、構成が用いられてもよい。
以上、この発明の実施形態を、図面を参照して詳述してきたが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない限り、変更、置換、削除等されてもよい。
1…駆動回路、C1、C2、C3…コンデンサ、D1…逆流抑制部、DC…遅延回路、DCE1、SCE1…第1端子、DCE2、SCE2…第2端子、DCE3、SCE3…第3端子、DCE4、SCE4…第4端子、DCE5、SCE5…第5端子、G1…ゲート端子、GG1、GG2、GG3…ゲート電圧グラフ、H1、H2、H3、H4、L1、L2、L3、L4…電圧値、PS…駆動信号出力回路、PSE1…第1端子、PSE2…第2端子、R1、R2、R3…抵抗素子、S1、S2…スイッチング素子、SC…スイッチング回路、SG…駆動信号グラフ、Vth1、Vth2…閾値

Claims (6)

  1. パルス信号から分岐された第1パルス信号を出力する第1パルス端子と、前記パルス信号から分岐された第2パルス信号を出力する第2パルス端子とを有する駆動信号出力回路と、
    スイッチング素子を有するスイッチング回路と、
    流抑制部と、
    遅延回路と、
    を備え
    前記スイッチング素子は、第1端子と、第2端子と、制御端子とを有し、且つ、前記第2端子と前記制御端子との間に静電容量を有し、
    前記第1端子は、前記第1パルス端子と電気的に接続し、前記第1パルス端子から出力された前記第1パルス信号が入力され、
    前記第2端子は、制御する対象となる装置を駆動させる第1電界効果トランジスタのゲート端子と電気的に接続し、前記第1電界効果トランジスタのゲート端子に前記第1パルス信号を出力し、
    前記制御端子は、前記第2パルス端子と電気的に接続し、前記第2パルス端子から出力された前記第2パルス信号が入力され、前記第1端子と前記第2端子との導通状態を制御し、
    前記逆流抑制部は、前記第2パルス端子と前記制御端子との間に電気的に接続され、前記制御端子から前記駆動信号出力回路への電流の逆流を抑制し、
    前記遅延回路は、前記第2パルス端子から前記逆流抑制部を通って前記制御端子に入力される前記第2パルス信号を遅延させる、
    駆動回路。
  2. 前記スイッチング素子は、第2電界効果トランジスタであり、
    前記制御端子は、前記第2電界効果トランジスタのゲート端子である、
    請求項1に記載の駆動回路。
  3. 前記スイッチング素子は、トランジスタであり、
    前記制御端子は、前記トランジスタのベース端子である、
    請求項1に記載の駆動回路。
  4. 前記スイッチング回路は、前記スイッチング素子と別体のコンデンサを有し、
    前記スイッチング回路が有する静電容量は、前記コンデンサの静電容量を含む、
    請求項1から3のうちいずれか一項に記載の駆動回路。
  5. 前記スイッチング回路の静電容量は、前記スイッチング素子の寄生容量を含む、
    請求項1から4のうちいずれか一項に記載の駆動回路。
  6. 前記遅延回路と前記逆流抑制部は、前記駆動信号出力回路と前記制御端子との間に接続され
    ており、
    前記逆流抑制部は、ダイオードである、
    請求項1から5のうちいずれか一項に記載の駆動回路。
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