JP2014023272A - スイッチング電源回路 - Google Patents
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Abstract
【課題】回路面積の増加を抑えつつ、出力電圧がゼロでない状態であっても確実に起動することができるスイッチング電源回路を提供する。
【解決手段】充電回路8は、入力電圧Viの供給を受けて充電電流Icを生成する。ブートストラップ回路9は、充電電流Icにより充電されるコンデンサC2を備える。コンデンサC2の各端子の電圧は、動作電圧として駆動回路2に与えられる。駆動回路2は、トランジスタT1を駆動するための駆動電圧をトランジスタT1のゲートに出力する。電圧制御回路5は、コンデンサC2の端子間の電圧Vcをモニタする。電圧制御回路5は、電圧Vcが設定電圧Vth未満である場合にあっては充電の実行を指令する内容の充電制御信号Scを出力し、電圧Vcが設定電圧Vth以上である場合にあっては充電の停止を指令する内容の充電制御信号Scを出力する。
【選択図】図1
【解決手段】充電回路8は、入力電圧Viの供給を受けて充電電流Icを生成する。ブートストラップ回路9は、充電電流Icにより充電されるコンデンサC2を備える。コンデンサC2の各端子の電圧は、動作電圧として駆動回路2に与えられる。駆動回路2は、トランジスタT1を駆動するための駆動電圧をトランジスタT1のゲートに出力する。電圧制御回路5は、コンデンサC2の端子間の電圧Vcをモニタする。電圧制御回路5は、電圧Vcが設定電圧Vth未満である場合にあっては充電の実行を指令する内容の充電制御信号Scを出力し、電圧Vcが設定電圧Vth以上である場合にあっては充電の停止を指令する内容の充電制御信号Scを出力する。
【選択図】図1
Description
本発明は、電源入力端子および電源出力端子の間の電源供給経路に介在するNチャネル型のMOSトランジスタの駆動を制御することにより、入力電圧を降圧した出力電圧を出力する降圧型のスイッチング電源回路に関する。
降圧型のスイッチング電源回路において、ハイサイド側のスイッチング素子としてNチャネル型のMOSトランジスタを用いる場合、例えばブートストラップ回路などにより、駆動回路からMOSトランジスタに与えるオン駆動電圧を昇圧することが行われる。このような昇圧が行われる関係上、特に、高電圧システムに使用されるスイッチング電源回路では、駆動回路について全ての回路素子を比較的耐圧の高い素子で構成する必要が生じる。駆動回路を全て高耐圧素子で構成すると回路面積が増加してしまう。
そこで、特許文献1に記載の降圧型スイッチングレギュレータでは、接地電位を基準とした充電用電源からブートストラップ回路のコンデンサの充電を行う構成が採用されている。そして、その充電用電源の電圧を駆動回路の各素子の耐圧以下になるように設定することで、駆動回路を比較的低耐圧の素子で構成することが可能となっている。
ブートストラップ回路は、電源投入時において、出力電圧がゼロではなく、ある程度上昇した状態(いわゆる浮いた状態)に維持されていると、コンデンサへの充電が不十分となり、起動遅延や起動不良などの問題が生じることがある。このような問題は、ブートストラップ回路のコンデンサを充電するための電源の電圧が低いほど顕在化する。つまり、特許文献1に記載の構成では、電源投入時に出力電圧が浮いた状態であると、起動遅延や起動不良の問題が発生する可能性が高い。
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、回路面積の増加を抑えつつ、出力電圧がゼロでない状態であっても確実に起動することができるスイッチング電源回路を提供することにある。
請求項1に記載の手段によれば、電源入力端子および電源出力端子の間の電源供給経路に介在するNチャネル型のMOSトランジスタの駆動を制御することにより、電源入力端子に与えられる入力電圧を降圧して電源出力端子から所望の目標値の出力電圧を出力する降圧型のスイッチング電源回路である。スイッチング電源回路は、駆動回路および電圧供給回路を備える。駆動回路は、MOSトランジスタを駆動するための駆動電圧をMOSトランジスタのゲートに出力する。電圧供給回路は、駆動回路の動作に必要な動作電圧を駆動回路に供給する。
電圧供給回路は、出力電圧の目標値より高い電圧を発生する電源から供給される電流を出力する電流出力回路と、電流出力回路から出力される電流の供給を受けてMOSトランジスタのソースを基準とした動作電圧を発生する電圧発生回路とを備える。このような構成によれば、電源投入時、出力電圧ひいてはMOSトランジスタのソース電圧がゼロではなく、ある程度上昇した状態(いわゆる浮いた状態)に維持されていたとしても、電流出力回路から電流が出力され、電圧発生回路により動作電圧が生成される。そのため、駆動回路が正常に動作してMOSトランジスタを駆動することが可能となる。つまり、スイッチング電源回路における各回路の動作に必要な電圧が確保されるため、出力電圧がゼロでない状態であっても確実に起動することができ、起動遅延、起動不良などの問題が生じることはない。
また、電圧供給回路は、動作電圧が所定の設定電圧未満となるように電流出力回路の動作を制御する電圧制御回路を備える。このような構成によれば、例えば、駆動回路を構成する各回路素子の耐圧(駆動回路の耐圧)より低い電圧を設定電圧としておけば、駆動回路に与えられる動作電圧は、駆動回路の耐圧を超えることはない。従って、本手段によれば、駆動回路を構成する各素子については比較的低耐圧のものを用いることができ、その分だけ回路面積の増加を抑えることができる。
以下、本発明の複数の実施形態について図面を参照して説明する。なお、各実施形態において実質的に同一の構成には同一の符号を付して説明を省略する。
(第1の実施形態)
以下、第1の実施形態について図1〜図4を参照しながら説明する。
図1に示す電源回路1は、駆動回路2、駆動制御回路3、昇圧回路4、電圧制御回路5、トランジスタT1、ダイオードD1、インダクタL1、コンデンサC1などを備えている。トランジスタT1は、Nチャネル型のMOSトランジスタであり、電源入力端子P1および電源出力端子P2の間の電源供給経路に介在する。電源回路1は、トランジスタT1の駆動をPWM(Pulse Width Modulation)制御することにより、電源入力端子P1に与えられる入力電圧Viを降圧して電源出力端子P2から出力電圧Voとして出力する降圧型のスイッチング電源回路である。また、電源回路1は、主に高電圧電源システムに用いられるものであって、例えば、入力電圧Viが+280〜300Vであり、出力電圧Voの目標値が+15〜20Vである。
(第1の実施形態)
以下、第1の実施形態について図1〜図4を参照しながら説明する。
図1に示す電源回路1は、駆動回路2、駆動制御回路3、昇圧回路4、電圧制御回路5、トランジスタT1、ダイオードD1、インダクタL1、コンデンサC1などを備えている。トランジスタT1は、Nチャネル型のMOSトランジスタであり、電源入力端子P1および電源出力端子P2の間の電源供給経路に介在する。電源回路1は、トランジスタT1の駆動をPWM(Pulse Width Modulation)制御することにより、電源入力端子P1に与えられる入力電圧Viを降圧して電源出力端子P2から出力電圧Voとして出力する降圧型のスイッチング電源回路である。また、電源回路1は、主に高電圧電源システムに用いられるものであって、例えば、入力電圧Viが+280〜300Vであり、出力電圧Voの目標値が+15〜20Vである。
電源入力端子P1およびグランド端子P3の間には、図示しない直流電源から入力電圧Viが印加される。電源入力端子P1には、電源線6が接続されている。また、グランド端子P3には、グランド線7が接続されている。トランジスタT1のドレインは、電源線6に接続されている。トランジスタT1のソースは、ノードN1に接続されている。トランジスタT1のゲートには、駆動回路2から駆動電圧が与えられる。還流用のダイオードD1は、ノードN1およびグランド線7(0V)の間に、グランド線7側をアノードとして接続されている。平滑用のインダクタL1は、ノードN1および電源出力端子P2の間に接続されている。平滑用のコンデンサC1は、電源出力端子P2およびグランド線7の間に接続されている。図示は省略しているが、電源出力端子P2の電圧(出力電圧Vo)は、駆動制御回路3にフィードバックされている。電源出力端子P2およびグランド端子P3を介して出力される出力電圧Voは、図示しない負荷に供給される。
昇圧回路4は、充電回路8およびブートストラップ回路9により構成される。充電回路8(電流出力回路に相当)は、入力電圧Viの供給を受けて充電電流Icを生成する。充電回路8には電圧制御回路5から出力される充電制御信号Scが与えられている。充電回路8は、充電制御信号Scが充電の実行を指令するものである場合、充電電流Icをブートストラップ回路9に出力する。また、充電回路8は、充電制御信号Scが充電の停止を指令するものである場合、充電電流Icの出力を停止する。
ブートストラップ回路9(電圧発生回路に相当)は、コンデンサC2およびダイオードD2により構成される。コンデンサC2の一方の端子は、ノードN1に接続されている。ダイオードD2は、コンデンサC2の他方の端子および充電回路8の電流出力端子の間に、電流出力端子側をアノードとして接続されている。ノードN1の電圧VaおよびダイオードD2およびコンデンサC2の相互接続点であるノードN2の電圧Vbは、駆動回路2および電圧制御回路5に与えられる。つまり、駆動回路2および電圧制御回路5には、コンデンサC2の各端子の電圧(動作電圧に相当)が与えられる。
駆動回路2は、駆動制御回路3から与えられるデューティ信号Sdに基づいて、トランジスタT1をオン駆動またはオフ駆動する。駆動回路2は、トランジスタT1をオン駆動する際、トランジスタT1のゲートに対し、昇圧回路4から与えられるノードN2の電圧Vb(オン駆動電圧)を出力する。また、駆動回路2は、トランジスタT1をオフ駆動する際、トランジスタT1のゲートに対し、ノードN1の電圧Va、つまりトランジスタT1のソースと同電位の電圧(オフ駆動電圧)を出力する。駆動制御回路3は、出力電圧Voの目標値およびフィードバックされた出力電圧Voの差に基づいて駆動回路2に出力するデューティ信号Sdのデューティ比を変化させ、出力電圧Voが目標値となるようにフィードバック制御を行う。
電圧制御回路5は、コンデンサC2の端子間の電圧Vcを検出(モニタ)し、その検出値に応じた指令内容(充電の実行または停止)の充電制御信号Scを充電回路8に対して出力する。具体的には、電圧制御回路5は、電圧Vcが設定電圧Vth未満である場合、充電の実行を指令する内容の充電制御信号Scを出力する。また、電圧制御回路5は、電圧Vcが設定電圧Vth以上である場合、充電の停止を指令する内容の充電制御信号Scを出力する。設定電圧Vthは、駆動回路2を構成する各素子の耐圧より低い値に設定されている。なお、充電の実行および停止の切り替わりにヒステリシス特性を持たせてもよい。本実施形態では、昇圧回路4および電圧制御回路5により、駆動回路2の動作に必要な動作電圧を駆動回路2に供給する電圧供給回路10が構成されている。
続いて、充電回路8の具体的な構成例について図2を参照して説明する。
図2(a)に示す充電回路は、トランジスタT2および抵抗R1、R2により構成されている。トランジスタT2は、Pチャネル型MOSFETである。トランジスタT2のソースは、抵抗R1を介して電源線6に接続されている。トランジスタT2のソース・ゲート間には、抵抗R2が接続されている。トランジスタT2のドレインは、ブートストラップ回路9のダイオードD2のアノードに接続されている。つまり、トランジスタT2のドレイン電流が充電電流Icとなる。トランジスタT2のゲートには、充電制御信号Scが与えられる。
図2(a)に示す充電回路は、トランジスタT2および抵抗R1、R2により構成されている。トランジスタT2は、Pチャネル型MOSFETである。トランジスタT2のソースは、抵抗R1を介して電源線6に接続されている。トランジスタT2のソース・ゲート間には、抵抗R2が接続されている。トランジスタT2のドレインは、ブートストラップ回路9のダイオードD2のアノードに接続されている。つまり、トランジスタT2のドレイン電流が充電電流Icとなる。トランジスタT2のゲートには、充電制御信号Scが与えられる。
上記構成によれば、充電制御信号ScがLレベル(例えば0V)である場合、トランジスタT2がオン駆動される。これにより、ブートストラップ回路9に対する充電電流Icの出力が実行される。また、充電制御信号ScがHレベル(例えば入力電圧Vi)である場合、トランジスタT2がオフ駆動される。これにより、ブートストラップ回路9に対する充電電流Icの出力が停止される。従って、この場合、充電制御信号Scは、Lレベルのときには充電の実行を指令し、Hレベルのときには充電の停止を指令するものとなる。また、この場合、充電電流Icは、抵抗R1の抵抗値およびトランジスタT2のオン抵抗により制限される。そのため、上記各抵抗値を調整することにより、突入電流および充電電流の値を制御することができる。
図2(b)に示す充電回路は、図2(a)に示した充電回路に対し、トランジスタT2に代えてトランジスタT3を備えている点が異なる。トランジスタT3は、Nチャネル型MOSFETである。トランジスタT3のドレインは、抵抗R1を介して電源線6に接続されている。トランジスタT3のドレイン・ゲート間には、抵抗R2が接続されている。トランジスタT3のソースは、ブートストラップ回路9のダイオードD2のアノードに接続されている。つまり、トランジスタT3のソース電流が充電電流Icとなる。トランジスタT3のゲートには、充電制御信号Scが与えられる。
上記構成によれば、充電制御信号ScがHレベルである場合、トランジスタT3がオン駆動されて充電電流Icの出力が実行される。また、充電制御信号ScがLレベルである場合、トランジスタT3がオフ駆動されて充電電流Icの出力が停止される。従って、この場合、充電制御信号Scは、Hレベルのときには充電の実行を指令し、Lレベルのときには充電の停止を指令するものとなる。一般に、Nチャネル型MOSFETは、同サイズのPチャネル型MOSFETに比べ、オン抵抗を小さくすることができる。そのため、図2(b)の構成は、図2(a)の構成に対し、回路規模を小さくすることができる。
図2(c)に示す充電回路は、図2(b)に示した充電回路に対し、抵抗R1に代えて電流源11を備えている点が異なる。電流源11は、電源線6を通じて入力電圧Viの供給を受けて動作するものであり、一定の電流を出力する定電流源である。このような構成によれば、入力電圧Viの変動の有無にかかわらず、一定の充電電流Icを出力することができ、ブートストラップ回路9のコンデンサC2の充電時間の変動が抑制される。すなわち、コンデンサC2の端子間の電圧Vcが一定の割合(変化率)で上昇することになり、急激な電圧変動の発生が抑制される。
図2(d)に示す充電回路は、図2(c)に示した充電回路に対し、抵抗R2およびトランジスタT3が省かれている点が異なる。この場合、電流源11は、充電制御信号Scのレベルに従って充電電流Icの出力を実行または停止する。具体的には、電流源11は、充電制御信号ScがHレベルである場合、充電電流Icをブートストラップ回路9に出力する。また、電流源11は、充電制御信号ScがLレベルである場合、充電電流Icの出力を停止する。
図2(c)に示した構成では、トランジスタT3がオフ駆動されて充電が停止される際、電流源11が飽和状態となり無効電流が発生する。すなわち、図2(c)の構成では、トランジスタT3がオフされた状態であっても、電流源11が一定の電流を流し続けようとする。そして、電流源11から出力される電流は、寄生容量などを介して他の回路に回り込んで流れることになり、これが無効電流となる。これに対し、図2(d)に示す構成では、充電を停止する際、電流源11の電流出力自体を停止する。従って、図2(d)に示す構成によれば、電流源11が飽和状態となって無効電流が流れる問題は生じない。
続いて、電圧制御回路5の具体的な構成例について図3を参照して説明する。
図3(a)に示す電圧制御回路は、抵抗R3〜R5、ツェナーダイオードD3およびコンパレータCP1により構成されている。ノードN2およびN1の間には、抵抗R3およびR4の直列回路と、抵抗R5およびツェナーダイオードD3の直列回路とが、それぞれ接続されている。抵抗R3およびR4の相互接続点であるノードN3の電圧、つまり、コンデンサC2の端子間の電圧Vcを分圧して得られる電圧(検出電圧)は、コンパレータCP1の反転入力端子に与えられる。抵抗R5およびツェナーダイオードD3のカソードの相互接続点であるノードN4の電圧(基準電圧)は、コンパレータCP1の非反転入力端子に与えられる。コンパレータCP1の各入力端子に与えられる検出電圧および基準電圧は、いずれもノードN1の電位が基準となっている。
図3(a)に示す電圧制御回路は、抵抗R3〜R5、ツェナーダイオードD3およびコンパレータCP1により構成されている。ノードN2およびN1の間には、抵抗R3およびR4の直列回路と、抵抗R5およびツェナーダイオードD3の直列回路とが、それぞれ接続されている。抵抗R3およびR4の相互接続点であるノードN3の電圧、つまり、コンデンサC2の端子間の電圧Vcを分圧して得られる電圧(検出電圧)は、コンパレータCP1の反転入力端子に与えられる。抵抗R5およびツェナーダイオードD3のカソードの相互接続点であるノードN4の電圧(基準電圧)は、コンパレータCP1の非反転入力端子に与えられる。コンパレータCP1の各入力端子に与えられる検出電圧および基準電圧は、いずれもノードN1の電位が基準となっている。
コンパレータCP1の出力端子は、充電制御信号Scの出力端子となる。なお、この場合、充電制御信号Scは、Hレベルのときには充電の実行を指令し、Lレベルのときには充電の停止を指令するものとなる。すなわち、上記構成では、コンパレータCP1を利用して充電の実行/停止が制御される。この場合、設定電圧Vthは、抵抗R3および抵抗R4の各抵抗値(分圧比)の設定と使用するツェナーダイオードD3のツェナー電圧Vzとにより定めることができる。
電圧Vcが設定電圧Vth未満である場合、ノードN3の電圧がノードN4の電圧を下回る。これにより、コンパレータCP1の出力信号、つまり充電制御信号ScはHレベルとなり、充電回路8における充電が実行される。一方、電圧Vcが設定電圧Vth以上である場合、ノードN3の電圧がノードN4の電圧を上回る。これにより、コンパレータCP1の出力信号、つまり充電制御信号ScはLレベルとなり、充電回路8における充電が停止される。このような構成によれば、コンパレータCP1を用いる分だけ回路規模が比較的大きくなるものの、充電開始/停止の制御について高い精度が得られる。
図3(b)に示す電圧制御回路は、ダイオードD4、ツェナーダイオードD5、抵抗R6〜R8およびトランジスタT4により構成されている。ダイオードD4のアノードは、ノードN2に接続されている。ダイオードD4のカソードは、ツェナーダイオードD5のカソードに接続されている。ツェナーダイオードD5のアノードは、抵抗R6およびR7を介してノードN1に接続されている。
トランジスタT4は、Nチャネル型MOSFETであり、そのソースはノードN1に接続されている。トランジスタT4のゲートには、抵抗R6およびR7の相互接続点であるノードN5の電圧が与えられる。トランジスタT4のドレインは、プルアップ用の抵抗R8を介して電源線6に接続されている。また、トランジスタT4のドレインは、充電制御信号Scの出力端子となる。なお、この場合も、充電制御信号Scは、Hレベルのときには充電の実行を指令し、Lレベルのときには充電の停止を指令するものとなる。
このような構成によれば、トランジスタT4のしきい値電圧VTを利用して充電の実行/停止が制御される。この場合、設定電圧Vthは、使用するダイオードD4の順方向電圧VFおよびツェナーダイオードD5のツェナー電圧Vzと、抵抗R6および抵抗R7の各抵抗値(分圧比)の設定とにより定めることができる。
電圧Vcが設定電圧Vth未満である場合、ノードN5の電圧がしきい値電圧VT未満となっておりトランジスタT4がオフ駆動されている。これにより、トランジスタT4のドレイン電圧、つまり充電制御信号ScはHレベル(入力電圧Vi)となり、充電回路8における充電が実行される。一方、電圧Vcが設定電圧Vth以上である場合、ノードN5の電圧がしきい値電圧VT以上となっておりトランジスタT4がオン駆動されている。これにより、トランジスタT4のドレイン電圧、つまり充電制御信号ScはLレベル(ノードN1の電圧レベル)となり、充電回路8における充電が停止される。
このような構成によれば、図3(a)に示した構成に比べ、精度、温度特性、制御電圧のヒステリシス特性などについては若干劣るものの、構成が簡単であるため素子面積を小さくすることができるという利点がある。なお、図3(b)の構成では、ダイオードD4およびツェナーダイオードD5の存在により、抵抗R6およびR7による分圧回路に印加される電圧が低く抑えられる。これにより、分圧回路の分圧比を小さくすることが可能となり、トランジスタT4のしきい値電圧VTの温度変動などに起因するばらつきが充電の制御(電圧Vcに基づく充電の実行および停止の切り替え制御)に及ぼす影響を低く抑えることができる。
また、ツェナーダイオードD5として正の温度係数を持つものを用いれば、次のような効果が得られる。すなわち、ダイオードD4の順方向電圧VF(負の温度係数)およびツェナーダイオードD5のツェナー電圧Vz(正の温度係数)の温度特性が互いにキャンセルされ、充電の制御に関する温度特性が向上する。なお、この場合、トランジスタT4のしきい値電圧VTの温度特性をも考慮し、全ての温度特性がキャンセルされるようにするとよい。
なお、図3(b)に示した電圧制御回路は、次のように変形してもよい。すなわち、ダイオードD4およびツェナーダイオードD5の一方または双方を省いてもよい。また、ダイオードD4および抵抗R6を省き、ノードN2およびN1の間に、ツェナーダイオードD5および抵抗R7を直列接続する構成でもよい。この場合、トランジスタT4のゲートには、ツェナーダイオードD5のアノードおよびR7の相互接続点の電圧を与えればよい。これらの変形例の場合、上述した温度特性が向上する効果が低減するものの、回路構成を一層簡素化することが可能となる。
図3(c)に示す電圧制御回路は、タイマ回路12およびツェナーダイオードD6により構成されている。ツェナーダイオードD6は、ノードN1側をアノードとして、ノードN2およびN1の間に接続されている。つまり、ツェナーダイオードD6は、コンデンサC2の端子間に接続されている。このような構成により、コンデンサC2の端子間の電圧Vcは、ツェナーダイオードD6のツェナー電圧Vzに制限(クランプ)される。
タイマ回路12には、駆動制御回路3から出力されるデューティ信号Sdが与えられている。タイマ回路12は、デューティ信号Sdに基づいて充電の実行/停止を間欠制御する。具体的には、タイマ回路12は、トランジスタT1がオン駆動される際には充電を停止し、オフ駆動される際には充電を実行するように充電制御信号Scを出力する。なお、この場合も、充電制御信号Scは、Hレベルのときには充電の実行を指令し、Lレベルのときには充電の停止を指令するものとなる。
このような構成によれば、昇圧回路4による昇圧動作に支障が無い一定の期間、充電回路8による充電電流Icの出力が停止または制限されるため、その分だけ損失(電力消費)が低減されるという効果が得られる。なお、図3(c)に示した電圧制御回路において、タイマ回路12を省くことが可能である。ただし、その場合、上述した損失低減の効果が得られなくなる。
次に、上記構成の作用および効果について説明する。
図4に示すように、電源投入時、つまり電源回路1に対して入力電圧Viの供給が開始されたとき(時刻t1)、コンデンサC2の端子間の電圧Vcは設定電圧Vth以下である。そのため、充電回路8からブートストラップ回路9に対し充電電流Icの供給が開始される。このとき、出力電圧VoおよびノードN1の電圧Vaがゼロになっていない場合でも、それらの電圧(Vo、Va)よりも高電位である入力電圧Viから充電電流Icが供給されるため、コンデンサC2への充電が正常に行われる。
図4に示すように、電源投入時、つまり電源回路1に対して入力電圧Viの供給が開始されたとき(時刻t1)、コンデンサC2の端子間の電圧Vcは設定電圧Vth以下である。そのため、充電回路8からブートストラップ回路9に対し充電電流Icの供給が開始される。このとき、出力電圧VoおよびノードN1の電圧Vaがゼロになっていない場合でも、それらの電圧(Vo、Va)よりも高電位である入力電圧Viから充電電流Icが供給されるため、コンデンサC2への充電が正常に行われる。
その後、コンデンサC2への充電がある程度まで進んだ時点において、トランジスタT1のスイッチングが開始される(時刻t2)。トランジスタT1のスイッチングによる降圧動作(電圧フィードバック制御)およびブートストラップ回路9を含む昇圧回路4による昇圧動作は、周知のとおりであるため、ここでは説明を省略する。なお、図4に示すように、ノードN2の電圧Vbは、昇圧回路4(ブートストラップ回路9)の昇圧動作により、ノードN1の電圧VaにコンデンサC2の端子間の電圧Vcを加えた電圧となる。
そして、コンデンサC2の充電がさらに進むことにより電圧Vcが設定電圧Vthに達すると、電圧制御回路5から充電の停止を指令する充電制御信号Scが出力される(時刻t3)。これを受けて、充電回路8は、充電を停止する。その後、コンデンサC2の放電が進むことにより電圧Vcが設定電圧Vth未満になると、電圧制御回路5から充電の実行を指令する充電制御信号Scが出力される。これを受けて、充電回路8は、充電を再開する。このような動作が繰り返し実行されることにより、コンデンサC2の端子間の電圧Vcは、設定電圧Vthを超えないように、つまり駆動回路2を構成する各素子の耐圧を超えないように制御される。
本実施形態の構成によれば、ブートストラップ回路9を構成するコンデンサC2に対して起動直後(電源投入直後)から充電が開始されるため、スイッチング動作が開始されるまでの時間の短縮を図ることができる。また、入力電圧Viの供給を受けて動作する充電回路8からブートストラップ回路9に充電電流Icが供給されるため、電源投入時において出力電圧VoおよびノードN1の電圧Vaがゼロではなく所定の電圧値である場合にも、コンデンサC2の充電が正常に行われる。
なお、電源投入時に出力電圧Voがゼロになっていない原因としては、次のようなことが考えられる。すなわち、出力電圧Voの供給先である負荷が軽負荷である場合、電源遮断後においてもコンデンサC1の電荷が放電されずに残ることがあり、それにより出力電圧Voがゼロまで低下しない。あるいは、高dv/dtでの電源投入時、トランジスタT1のドレインに与えられる入力電圧Viの立ち上がりが急峻となる。そのため、トランジスタT1のドレイン・ゲート間およびゲート・ソース間の寄生容量を通じて、ドレイン・ソース間が短絡状態となり、ソース電圧(ノードN1の電圧Va)が高い値となる。
本実施形態の構成によれば、上述したようなことが原因で出力電圧VoおよびノードN1の電圧Vaが比較的高い値を示すような状態であっても、ブートストラップ回路9のコンデンサC2が十分に充電される。そのため、駆動回路2および電圧制御回路5を構成する各素子(トランジスタなど)が正常に動作可能になるとともに、駆動回路2からトランジスタT1のゲートに対して十分にターンオン可能なオン駆動電圧を出力可能にすることができる。つまり、電源回路1における各回路の動作に必要な電圧が確保されるため、出力電圧Voがゼロでない状態であっても確実に起動することができ、起動遅延、動作不良(特に起動不良)などの問題が生じることはない。
例えば、ブートストラップ回路に供給する充電電流を生成するための充電回路の電源が比較的低い電圧である場合、前述した起動遅延や動作不良などの問題を防ぐためには出力電圧Voの値を上記充電回路の電源電圧より低い値に制限する必要がある。これに対し、本実施形態の構成では、充電回路8の電源は、比較的高い電圧(入力電圧Vi)であるため、その分だけ出力電圧Voの値(目標値)を自由に(高く)設定できる。つまり、本実施形態によれば、高電圧出力にも対応できるなど、電源電圧の設定自由度が高まるという効果が得られる。
電圧制御回路5は、コンデンサC2の端子間の電圧Vcをモニタし、電圧Vcが設定電圧Vthを超えないように充電回路8による充電動作を制御する。そのため、駆動回路2に与えられる電圧Vcは、駆動回路2を構成する各素子の耐圧より低く設定された設定電圧Vthに制限される。そのため、充電回路8を構成する各素子に比較的高耐圧のものを用いる必要があるものの、駆動回路2を構成する各素子については比較的低耐圧のものを用いることができる。従って、本実施形態によれば、低耐圧の素子により駆動回路2を構成した分だけ回路面積の増加を抑えつつ、コンデンサC2の過充電による損失増加を抑制するとともに、高電圧入力(入力電圧Viが比較的高い用途)にも対応することができる。
(第2の実施形態)
以下、本発明の第2の実施形態について図5および図6を参照して説明する。
図5に示す電源回路21(スイッチング電源回路に相当)は、図1に示した電源回路1に対し、ブートストラップ回路9に代えてブートストラップ回路22を備えている点が異なる。ブートストラップ回路22(電圧発生回路に相当)は、図1に示したブートストラップ回路9に対し、ダイオードD21が追加されている。ダイオードD21は、ノードN2(コンデンサC2の他方の端子)および電源出力端子P2の間に、電源出力端子P2側をアノードとして接続されている。本実施形態では、ダイオードD2が第1ダイオードに相当し、ダイオードD21が第2ダイオードに相当する。
以下、本発明の第2の実施形態について図5および図6を参照して説明する。
図5に示す電源回路21(スイッチング電源回路に相当)は、図1に示した電源回路1に対し、ブートストラップ回路9に代えてブートストラップ回路22を備えている点が異なる。ブートストラップ回路22(電圧発生回路に相当)は、図1に示したブートストラップ回路9に対し、ダイオードD21が追加されている。ダイオードD21は、ノードN2(コンデンサC2の他方の端子)および電源出力端子P2の間に、電源出力端子P2側をアノードとして接続されている。本実施形態では、ダイオードD2が第1ダイオードに相当し、ダイオードD21が第2ダイオードに相当する。
この場合、出力電圧Vo(の目標値)、駆動回路2が正常に動作可能となる動作電圧V1、設定電圧Vthおよび駆動回路2を構成する各回路素子の耐圧V2は、下記(1)式のような関係を有する。
V1<Vth<Vo<V2 …(1)
V1<Vth<Vo<V2 …(1)
上記構成のブートストラップ回路22は、起動時など出力電圧Voが低い状態においては、第1の実施形態と同様、入力電圧Viを利用して充電電流Icを生成して昇圧動作を行う。また、ブートストラップ回路22は、出力電圧Voが安定した状態においては、その出力電圧Voを利用して充電電流Icを生成して昇圧動作を行う。すなわち、図6に示すように、電源回路21に対する電源投入後から出力電圧Voが目標値付近に達するまでの期間(時刻t1〜t3の期間)、入力電圧Viを利用した昇圧動作が行われる。
その後、トランジスタT1のスイッチング動作が行われることにより出力電圧Voが上昇して目標値付近に達すると(時刻t3)、出力電圧Voを利用した昇圧動作に切り替わる。このように昇圧動作が切り替えられた後、出力電圧VoおよびコンデンサC2の端子間の電圧Vcは、下記(2)式に示す関係となる。ただし、ダイオードD21の順方向電圧をVFとしている。
Vc<Vo−VF …(2)
上記(2)式に示すように、出力電圧Voを利用した昇圧動作の際における電圧Vcについても、駆動回路2の各回路素子の耐圧V2よりも低い値となる。
Vc<Vo−VF …(2)
上記(2)式に示すように、出力電圧Voを利用した昇圧動作の際における電圧Vcについても、駆動回路2の各回路素子の耐圧V2よりも低い値となる。
このような本実施形態によれば、出力電圧Voの安定後に出力電圧Voを利用してコンデンサC2に対する充電電流Icが確保される。つまり、出力電圧Voの安定後には充電回路8は非動作状態になる。従って、本実施形態によれば、出力電圧Voの安定後における充電回路8での損失分だけ、回路全体としての損失(電力消費)を低減することができる。
(第3の実施形態)
以下、本発明の第3の実施形態について図7および図8を参照して説明する。
図7に示す電源回路31(スイッチング電源回路に相当)は、図1に示した電源回路1に対し、電圧供給回路10に代えて電圧供給回路32を備えている点が異なる。電圧供給回路32は、トランジスタT31、T32、抵抗R31、R32およびツェナーダイオードD31を備えている。トランジスタT31、T32は、いずれもNPN形バイポーラトランジスタである。トランジスタT31のコレクタは、電源線6に接続されている。トランジスタT31のコレクタ・ベース間には、抵抗R31が接続されている。
以下、本発明の第3の実施形態について図7および図8を参照して説明する。
図7に示す電源回路31(スイッチング電源回路に相当)は、図1に示した電源回路1に対し、電圧供給回路10に代えて電圧供給回路32を備えている点が異なる。電圧供給回路32は、トランジスタT31、T32、抵抗R31、R32およびツェナーダイオードD31を備えている。トランジスタT31、T32は、いずれもNPN形バイポーラトランジスタである。トランジスタT31のコレクタは、電源線6に接続されている。トランジスタT31のコレクタ・ベース間には、抵抗R31が接続されている。
トランジスタT31のベースは、トランジスタT32のコレクタに接続されている。トランジスタT31のエミッタは、トランジスタT32のベースに接続されている。トランジスタT32のベース・エミッタ間には、抵抗R32が接続されている。トランジスタT32のエミッタは、ツェナーダイオードD31のカソードに接続されている。ツェナーダイオードD31のアノードは、ノードN1に接続されている。ノードN1の電圧VaおよびトランジスタT31のエミッタおよびトランジスタT32のベースの相互接続点であるノードN31の電圧Vb’は、駆動回路2に与えられる。なお、電圧Vb’は、電圧Vaに駆動回路2への印加電圧Vd(動作電圧に相当)を加えた電圧となる(Vb’=Va+Vd)。
上記構成によれば、駆動回路2の動作に必要な動作電圧がツェナーダイオードD31のツェナー電圧Vzにより確保される。また、駆動回路2における消費電流が供給される駆動電流Idよりも少なく、ツェナーダイオードD31に電流が流れる場合に、駆動電流Idが減少するように制御されることにより、消費電流が抑えられるとともにツェナーダイオードD31を通じてインダクタL1に流れる電流が低減される。
すなわち、図8に示すように、電源回路31に対する入力電圧Viの供給が開始されると(電源が投入されると)、トランジスタT31を通じて駆動回路2に駆動電流Idが流れる。これにより、駆動回路2への印加電圧Vdが上昇する。その後、印加電圧Vdがツェナー電圧Vzよりも高くなると(Vd>Vz)、抵抗R32を通じてツェナーダイオードD31に電流Izが流れ始める。ツェナーダイオードD31に流れる電流Izが増加し、ツェナー電圧VzにトランジスタT32のベース・エミッタ間の順方向電圧Vfを加えた電圧よりも印加電圧Vdが高くなると(Vd>Vz+Vf)、トランジスタT32のベースに電流が流れ始める。すると、トランジスタT32の動作により、トランジスタT31のベース電流が抑制されるため、トランジスタT31の供給電流I(=Id+Iz)が減少する。
供給電流Iが減少し、ツェナー電圧Vzに順方向電圧Vfを加えた電圧よりも印加電圧Vdが低くなると(Vd<Vz+Vf)、トランジスタT32にベース電流が供給されなくなる。すると、トランジスタT31のベース電流が増加するため、トランジスタT31の供給電流Iが増加する。このような動作が繰り返されることにより、駆動回路2の印加電圧Vdをツェナー電圧Vzに順方向電圧Vfを加えた設定電圧(=Vz+Vf)に維持するとともに駆動電流Idを供給し続けるように、ツェナーダイオードD31に流れる電流の増減がフィードバック制御される。なお、このような動作は、ノードN1の電圧Vaの値に依存することはない。
このように、本実施形態では、トランジスタT31および抵抗R31により電流出力回路33が構成されるとともに、ツェナーダイオードD31および抵抗R32により電圧発生回路34が構成されている。また、トランジスタT32は、電圧制御回路として機能する。
上記構成においては、入力電圧Vi側から電流供給が行われるため、ノードN1の電圧Vaおよび入力電圧Viは、下記(3)式に示す関係を有する必要がある。ただし、トランジスタT31のベース・エミッタ間の順方向電圧をVfで示す。
Va<Vi−Vf−Vd …(3)
Va<Vi−Vf−Vd …(3)
このようなことから、トランジスタT1がオン駆動される際におけるノードN1の電圧Vaは、下記(4)式に示すとおりとなる。
Va=Vi−Vf−Vd …(4)
Va=Vi−Vf−Vd …(4)
また、ツェナーダイオードD31として正の温度係数を持つものを用いれば、次のような効果が得られる。すなわち、トランジスタT32の順方向電圧Vf(負の温度係数)およびツェナーダイオードD31のツェナー電圧Vz(正の温度係数)の温度特性が互いにキャンセルされる。そのため、ツェナーダイオードD31およびトランジスタT31のベース・エミッタ間を直列接続したことにより制御される印加電圧Vdの温度特性が向上する。
(その他の実施形態)
なお、本発明は上記し且つ図面に記載した各実施形態に限定されるものではなく、次のような変形または拡張が可能である。
第1および第2の実施形態における充電回路8および第3の実施形態における電流出力回路33は、電源入力端子P1から入力電圧Viの供給を受けて電流を出力する構成に限らずともよい。つまり、充電回路8および電流出力回路33は、出力電圧Voの目標値よりも高い電圧を発生する電源から供給される電流を出力する構成であればよい。なお、充電回路8および電流出力回路33の電源が発生する電圧(例えば第1および第2の実施形態における入力電圧Vi)は、高電圧であるほうが本発明により得られる効果が大きくなる。しかし、上記電圧の設定としては、前述した条件を満たすものであれば、比較的高い電圧に限らず比較的低い電圧にまで範囲を広げて対応することが可能である。
図2および図3に示した充電回路8および電圧制御回路5の具体的構成例における各トランジスタは、MOSFETに限らずともよく、例えばバイポーラトランジスタなど、他のスイッチング素子に置き換えてもよい。
なお、本発明は上記し且つ図面に記載した各実施形態に限定されるものではなく、次のような変形または拡張が可能である。
第1および第2の実施形態における充電回路8および第3の実施形態における電流出力回路33は、電源入力端子P1から入力電圧Viの供給を受けて電流を出力する構成に限らずともよい。つまり、充電回路8および電流出力回路33は、出力電圧Voの目標値よりも高い電圧を発生する電源から供給される電流を出力する構成であればよい。なお、充電回路8および電流出力回路33の電源が発生する電圧(例えば第1および第2の実施形態における入力電圧Vi)は、高電圧であるほうが本発明により得られる効果が大きくなる。しかし、上記電圧の設定としては、前述した条件を満たすものであれば、比較的高い電圧に限らず比較的低い電圧にまで範囲を広げて対応することが可能である。
図2および図3に示した充電回路8および電圧制御回路5の具体的構成例における各トランジスタは、MOSFETに限らずともよく、例えばバイポーラトランジスタなど、他のスイッチング素子に置き換えてもよい。
図面中、1、21、31は電源回路(スイッチング電源回路)、2は駆動回路、5は電圧制御回路、8は充電回路(電流出力回路)、9、22はブートストラップ回路(電圧発生回路)、10、32は電圧供給回路、33は電流出力回路、34は電圧発生回路、C2はコンデンサ、D2はダイオード(第1ダイオード)、D21はダイオード(第2ダイオード)、P1は電源入力端子、P2は電源出力端子、T1はトランジスタ(MOSトランジスタ)、T32はトランジスタ(電圧制御回路)を示す。
Claims (4)
- 電源入力端子(P1)および電源出力端子(P2)の間の電源供給経路に介在するNチャネル型のMOSトランジスタ(T1)の駆動を制御することにより、前記電源入力端子(P1)に与えられる入力電圧を降圧して前記電源出力端子(P2)から所望の目標値の出力電圧を出力する降圧型のスイッチング電源回路(1、21、31)において、
前記MOSトランジスタ(T1)を駆動するための駆動電圧を前記MOSトランジスタ(T1)のゲートに出力する駆動回路(2)と、
前記駆動回路(2)の動作に必要な動作電圧を前記駆動回路(2)に供給する電圧供給回路(10、32)と、
を備え、
前記電圧供給回路(10、32)は、
前記出力電圧の目標値より高い電圧を発生する電源から供給される電流を出力する電流出力回路(8、33)と、
前記電流出力回路(8、33)から出力される電流の供給を受けて前記MOSトランジスタ(T1)のソースを基準とした動作電圧を発生する電圧発生回路(9、22、34)と、
前記動作電圧が所定の設定電圧未満となるように前記電流出力回路(8)の動作を制御する電圧制御回路(5、T32)と、
を備えていることを特徴とするスイッチング電源回路。 - 前記電圧発生回路(9、22)は、
一方の端子が前記MOSトランジスタ(T1)のソースに接続されたコンデンサ(C2)を含むブートストラップ回路であり、
前記電流出力回路(8)から出力される電流により前記コンデンサ(C2)が充電されることにより、前記動作電圧を発生することを特徴とする請求項1に記載のスイッチング電源回路。 - 前記ブートストラップ回路(9、22)は、
前記コンデンサ(C2)の他方の端子および前記電流出力回路(8)の電流出力端子の間に、前記電流出力端子側をアノードとして接続された第1ダイオード(D2)と、
前記コンデンサ(C2)の他方の端子および前記電源出力端子(P2)の間に、前記電源出力端子(P2)側をアノードとして接続された第2ダイオード(D21)と、
を備えていることを特徴とする請求項2に記載のスイッチング電源回路。 - 前記電流出力回路(8、33)は、前記電源入力端子(P1)から供給される電流を出力することを特徴とする請求項1〜3のいずれか一つに記載のスイッチング電源回路。
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-
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- 2012-07-18 JP JP2012159576A patent/JP2014023272A/ja active Pending
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